CN108121476A - 用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

公开一种用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包括:具有像素区域的基板;在所述像素区域中的基板上的薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上的平坦化层;在所述平坦化层上的触摸公共线;在所述触摸公共线上的第一钝化层,所述第一钝化层具有暴露所述触摸公共线的触摸公共接触孔;在所述像素区域中的第一钝化层上的触摸公共电极,所述触摸公共电极通过所述触摸公共接触孔与所述触摸公共线接触;在所述触摸公共电极上的第二钝化层;以及在所述第二钝化层上的像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管相连。

Description

用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法
本申请要求2016年11月29日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2016-0160293的权益,通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于触摸显示装置的阵列基板,尤其涉及一种通过防止触摸公共线和触摸公共电极的接触部分劣化而提高成品率的用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展,显示装置已得到快速发展并已研发了多种平板显示器(FPD)。例如,FPD包括液晶显示(LCD)装置,等离子体显示面板(PDP)装置,有机发光二极管(OLED)显示装置和场致发射显示(FED)装置。由于FPD具有例如外形薄、重量轻和功耗低等优点,因此阴极射线管(CRT)装置已经被FPD广泛代替。
近期,在显示面板上设置触摸面板的触摸显示装置已经成为研究主题。触摸显示装置被用作显示图像的输出单元以及通过触摸图像的具体部分而接收用户指令的输入单元。根据感测类型,触摸面板可分为压力感测型、电容型、红外型和超声波型。
当用户观看显示面板所显示的图像并触摸触摸面板时,触摸面板检测相应部分的位置信息,并通过比较检测到的位置信息与图像的位置信息来识别用户指令。
可以通过将单独的触摸面板附接到显示面板上来制造触摸显示装置。近来,为了诸如智能电话和平板PC之类的便携式终端的纤薄性,对集成式(in-cell)触摸显示装置的需求不断增加,在集成式触摸显示装置中,通过将显示面板的电极或线用作触摸面板的电极和线来集成触摸面板和显示面板。
图1为显示按照相关技术的用于集成式触摸显示装置的阵列基板的横截面图。
图1中,按照相关技术的用于集成式触摸显示装置的阵列基板包括触摸公共电极42,触摸公共线TL和像素电极52。
在基板20的整个表面上方依次形成栅极绝缘层24,第一绝缘层32和平坦化层34,并在像素区域中的平坦化层34上形成触摸公共电极42。
在触摸公共电极42上且在基板20的整个表面上方形成第一钝化层38,并在像素区域中的第一钝化层38上形成触摸公共线TL。第一钝化层38具有暴露触摸公共电极42的触摸公共接触孔40,且触摸公共线TL通过触摸公共接触孔40与触摸公共电极42连接。
在触摸公共线TL上且在基板20的整个表面上方形成第二钝化层44,并在像素区域中的第二钝化层上形成像素电极52。
触摸公共电极42呈板状,像素电极52具有多个彼此分离的条状。
用于集成式触摸显示装置的阵列基板可利用像素电极52和触摸公共电极42显示图像,并可利用触摸公共电极42感测触摸。
触摸公共线TL通过第一钝化层38的触摸公共接触孔40与触摸公共电极42相连。例如,在形成触摸公共电极42后,可在基板20的整个表面上形成第一钝化层38,并可在第一钝化层38中形成触摸公共接触孔40。此外,在具有触摸公共接触孔40的第一钝化层38上形成触摸公共线TL。
可以通过光刻工艺形成第一钝化层38的触摸公共接触孔40。例如,在第一钝化层上且在基板20的整个表面上方形成光刻胶层,然后通过光掩模对光刻胶层执行曝光步骤。对已曝光的光刻胶层执行显影步骤以形成光刻胶图案,将光刻胶图案用作蚀刻掩模对第一钝化层38进行蚀刻。通过剥离步骤去除蚀刻后的第一钝化层38上的光刻胶图案,从而形成第一钝化层38中的触摸公共接触孔40。
由于通过触摸公共接触孔40暴露的触摸公共电极42是由含氧的铟锡氧化物(ITO)形成的,因此光刻胶图案未能完全被去除,残留的光刻胶会留在触摸公共电极42上以及触摸公共接触孔40的***。
残留的光刻胶会减弱触摸公共线TL和触摸公共电极42之间的粘合强度以及触摸公共线TL和第一钝化层38之间的粘合强度。因此,在后续形成第二钝化层44的步骤中,由于热量,会在触摸公共线TL、第一钝化层38和触摸公共电极42中产生应力。因此,触摸公共接触孔40中和***的触摸公共线TL可与第一钝化层38和触摸公共电极42脱离。此外,第一钝化层38可与触摸公共电极42脱离,从而降低触摸显示装置的成品率。
阵列基板包括将触摸公共线TL、第一和第二钝化层38和44以及与像素电极52相同的层分别用作第一电容器电极、介电层和第二电容器电极的存储电容器。为了通过增加存储电容器的电容改善图像显示性能,第一和第二钝化层38和44的厚度需要被减小。但是,当减小第二钝化层44的厚度时,触摸公共线TL和相邻的触摸公共线TL之间的初始寄生电容会增大,触摸感测性能会劣化。
因此,无法同时改善图像显示性能和触摸感测性能。
发明内容
实施方式涉及一种用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法,其中,通过经由触摸公共接触孔将触摸公共电极与触摸公共线连接来避免残留光刻胶并改善成品率。
一个或多个实施方式涉及一种用于触摸显示装置的阵列基板及其制造方法,其中,,通过在触摸公共线和触摸公共电极之间形成较厚的第一钝化层并在触摸公共电极和像素电极之间形成较薄的第二钝化层,减小初始寄生电容被减小并改善触摸感测性能和图像显示性能。
在下面的描述中将部分列出本发明的优点和特征,这些优点和特征的一部分通过所属领域普通技术人员对下文的研究将是显而易见的,或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明实施方式的其它优点和特征。
在一个方面,提供一种用于触摸显示装置的阵列基板,包括:具有像素区域的基板;在所述像素区域中的基板上的薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上的平坦化层;在所述平坦化层上的触摸公共线;在所述触摸公共线上的第一钝化层,所述第一钝化层具有暴露所述触摸公共线的触摸公共接触孔;在所述像素区域中的第一钝化层上的触摸公共电极,所述触摸公共电极通过所述触摸公共接触孔与所述触摸公共线接触;在所述触摸公共电极上的第二钝化层;以及在所述第二钝化层上的像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管相连。
在另一个方面,提供一种用于触摸显示装置的阵列基板的制造方法,包括:在具有像素区域的基板上形成薄膜晶体管;在所述薄膜晶体管上形成平坦化层;在所述平坦化层上形成触摸公共线;在所述触摸公共线上形成第一钝化层,所述第一钝化层具有暴露所述触摸公共线的触摸公共接触孔;在所述像素区域中的第一钝化层上形成触摸公共电极,所述触摸公共电极通过所述触摸公共接触孔与所述触摸公共线接触;在所述触摸公共电极上形成第二钝化层;以及在所述第二钝化层上形成像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管相连。
应当理解的是,上文的大体性描述和下文的详细描述均是解释性的,意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来给本发明提供进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式,并与说明书一起用于解释本发明实施方式的原理。
图1为显示按照相关技术的用于集成式触摸显示装置的阵列基板的横截面图。
图2为显示按照本发明一个实施方式的集成式触摸显示装置的平面图。
图3为显示按照本发明一个实施方式的用于集成式触摸显示装置的阵列基板的横截面图。
图4A至4I为显示按照本发明一个实施方式的用于集成式触摸显示装置的阵列基板的制造方法的横截面图。
具体实施方式
现在参考本发明的各实施方式进行详细说明,其中的一些例子在附图中示出。在以下描述中,当对与本文相关的公知功能或结构的详细描述被认为会不必要地混淆本发明的实施方式的主旨时,其详细描述将被省略。所描述的处理步骤和/或操作的进展只是举例;除了必须按照特定顺序发生的步骤和/或操作以外,步骤和/或操作的顺序不限于本文所提出的顺序,而是可以如本领域中已知的方式进行修改。在全文中,相似的参数指代相似的元件。下文的解释中所使用的各个元件的名称仅仅是为了便于撰写本说明书而选用的,因此可能与实际产品中所用的那些名称有所不同。
图2为显示按照本发明一个实施方式的集成式触摸显示装置的平面图。具体而言,示例性地显示了自电容型集成式触摸显示装置。
图2中,按照本发明一个实施方式的自电容型集成式触摸显示装置110包括触摸显示面板170和驱动单元180。
触摸显示面板170可显示图像并可利用驱动单元180所提供的用于显示图像的信号和用于感测触摸的信号来感测触摸。触摸显示面板170包括显示图像和感测触摸的中央显示区域以及形成有多个焊盘的***非显示区域。
触摸显示面板170可包括彼此相对且分离的第一基板120(图3)和第二基板(未显示)以及第一基板120和第二基板之间的液晶层(未显示)。
在第一基板120上形成彼此交叉的多条栅极线GL和多条数据线DL,以限定多个像素区域P,在多个像素区域P的每一个中形成与栅极线GL和数据线DL相连的薄膜晶体管(TFT)T。
在多个像素区域P的每一个中的TFT T上形成触摸公共电极142,在多个像素区域P的每一个中的触摸公共电极142上形成与TFT T相连的像素电极152(图3)。
第一基板120可包括多个块,每个块具有1至99个像素区域P。每个块的1至99个像素区域P中的触摸公共电极142彼此电连接,且不同块的触摸公共电极142相互电性隔离。
每个块的触摸公共电极142通过触摸公共线TL独立地连接至驱动单元180,且触摸公共线TL可以与数据线DL平行地重叠。
驱动单元180产生用于显示图像的信号和用于感测触摸的信号,并将用于显示图像的信号和用于感测触摸的信号提供给触摸显示面板170。触摸显示面板170接收触摸感测信号并感测触摸。
举例来说,驱动单元180可产生栅极电压、数据电压和公共电压作为用于显示图像的信号,并可将栅极电压、数据电压和公共电压分别提供给触摸显示面板170的栅极线GL、数据线DL和触摸公共电极142。触摸显示面板170可利用栅极电压、数据电压和公共电压显示图像。
驱动单元180可检测触摸显示面板170的触摸公共电极142的触摸感测电压,可通过基于触摸感测电压分析电容变化来感测触摸。可以通过时分法执行图像显示和触摸感测。
在触摸显示装置110中,由于触摸公共电极142通过触摸公共接触孔140(图3)与触摸公共线TL接触,因此在形成触摸公共接触孔140的步骤中可以避免光刻胶残留,触摸公共电极142和触摸公共线TL之间的粘合强度增强。结果,避免诸如脱离之类的劣化,并提高成品率。
此外,由于触摸公共线TL和触摸公共电极142之间的第一钝化层138(图3)被形成为具有较大的厚度,因此初始寄生电容被减小,改善了触摸感测性能。此外,由于触摸公共电极142和像素电极152之间的第二钝化层144(图3)被形成为具有较小的厚度,因此存储电容器的电容增大,并改善了显示图像的性能。
图3为显示按照本发明一个实施方式的用于集成式触摸显示装置的阵列基板的横截面图。
图3中,按照本发明一个实施方式的用于集成式触摸显示装置的阵列基板包括显示区域中的多个像素区域P以及非显示区域中的焊盘区域A。
在像素区域P和焊盘区域A中的第一基板120上分别形成栅极122和栅极焊盘GP,并在栅极122和栅极焊盘GP上且在第一基板120的整个表面上方形成栅极绝缘层124。
在第一基板120上形成多条栅极线GL,栅极122与栅极线GL相连。每条栅极线GL的端部与栅极焊盘GP相连。
栅极122、栅极线GL和栅极焊盘GP可以由彼此相同的材料形成在同一层。
在与栅极122对应的栅极绝缘层124上形成半导体层126,在半导体层126上形成彼此分离的源极128和漏极130。
在栅极绝缘层124上形成与多条栅极线GL交叉的多条数据线DL,在焊盘区域A中的栅极绝缘层124上形成数据焊盘DP。源极128与数据线DL相连,每条数据线DL的端部与数据焊盘DP相连。
源极128、漏极130、数据线DL和数据焊盘DP可以由彼此相同的材料形成在同一层。
栅极122、半导体层126、源极128和漏极130组成了薄膜晶体管(TFT)T。
在TFT T、数据线DL和数据焊盘DP上且在第一基板120的整个表面上方形成第一绝缘层132,在显示区域中的第一绝缘层132上形成具有开口的平坦化层134,在平坦化层134上且在第一基板120的整个表面上方形成第二绝缘层136。
平坦化层134可以由有机绝缘材料例如光学亚克力(photo acryl)形成,第一和第二绝缘层132和136可以由无机绝缘材料比如硅氧化物(SiO2)和硅氮化物(SiNx)形成。利用第一和第二绝缘层132和136,提高了平坦化层134与上、下金属材料层的粘合强度。在未导致粘合强度问题的另一个实施方式中,第一和第二绝缘层132和136可以被省略。
在像素区域P中的第二绝缘层136上形成触摸公共线TL,并在触摸公共线TL上且在第一基板120的整个表面上方形成第一钝化层138。
触摸公共线TL可以由金属材料比如铝(Al)形成。触摸公共线TL被设置为与数据线DL平行。例如,触摸公共线TL可设置为与数据线DL重叠,两者间***有第一绝缘层132、平坦化层134和第二绝缘层136。
第一钝化层138具有暴露触摸公共线TL的触摸公共接触孔140。
在每个像素区域P中的第一钝化层138上形成触摸公共电极142,并在触摸公共电极142上且在第一基板120的整个表面上方形成第二钝化层144。
触摸公共电极142可以由透明导电材料比如铟锡氧化物(ITO)形成,并可具有板状。第一和第二钝化层138和144可以由无机绝缘材料比如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)形成。
第一和第二绝缘层132和136以及第一和第二钝化层138和144具有暴露漏极130的漏极接触孔146和暴露数据焊盘DP的数据焊盘接触孔150。栅极绝缘层124、第一和第二绝缘层132和136以及第一和第二钝化层138和144具有暴露栅极焊盘GP的栅极焊盘接触孔148。
在每个像素区域P中的第二钝化层144上形成像素电极152,并在焊盘区域A中分别与栅极焊盘GP和数据焊盘DP对应的第二钝化层144上形成栅极焊盘端子154和数据焊盘端子156。
像素电极152通过漏极接触孔146连接到漏极130,栅极焊盘端子通过栅极焊盘接触孔148连接到栅极焊盘GP,数据焊盘端子156通过数据焊盘接触孔150连接到数据焊盘DP。
像素电极152可以由透明导电材料比如铟锡氧化物形成,并可具有彼此分离的多个条状。
像素电极152、栅极焊盘端子154和数据焊盘端子156可以由彼此相同的材料形成在同一层。
在用于触摸显示装置的阵列基板中,在触摸公共线TL上形成具有暴露触摸公共线TL的触摸公共接触孔140的第一钝化层138,在第一钝化层138上形成触摸公共电极142。由于触摸公共电极142通过触摸公共接触孔140与触摸公共线TL接触,因此在形成触摸公共接触孔140的步骤中避免残留光刻胶,触摸公共电极142和触摸公共线TL的粘合强度增强。因此,避免诸如脱离之类的劣化,并提高成品率。
虽然未显示,但是用于触摸显示装置的阵列基板包括将触摸公共电极142、第二钝化层144以及与像素电极152相同的层分别用作第一电容器电极、介电层和第二电容器电极的存储电容器。由于第二钝化层144被形成为具有较小的厚度,因此可以增大存储电容器的电容,并改善显示图像的性能。
由于触摸公共线TL和相邻触摸公共线TL之间的初始寄生电容由第一钝化层138确定而与第二钝化层144无关,因此在不减小存储电容器的电容的情况下,通过形成具有较大厚度的第一钝化层138,减小了触摸公共线TL和相邻触摸公共线TL之间的初始寄生电容。因此,改善了感测触摸的性能。
举例来说,第一和第二钝化层138和144可形成为第一钝化层138的厚度大于第二钝化层144的厚度。
图4A至4I为显示按照本发明一个实施方式的用于集成式触摸显示装置的阵列基板的制造方法的横截面图。
在图4A中,在像素区域P和焊盘区域A中的第一基板120上分别形成栅极122和栅极焊盘GP,并在第一基板120上形成与栅极122相连的栅极线GL。然后,在栅极122和栅极焊盘GP上且在第一基板120的整个表面上方形成栅极绝缘层124。
在图4B中,在与栅极122相对应的栅极绝缘层124上形成半导体层126。然后,在半导体层126上形成彼此分离的源极128和漏极130,在栅极绝缘层124上形成与栅极线GL交叉的数据线DL,并在焊盘区域A的栅极绝缘层124上形成数据焊盘DP。
在此,栅极122、半导体层126、源极128和漏极130组成了薄膜晶体管(TFT)T。
在图4C中,在TFT T、数据线DL和数据焊盘DP上且在第一基板120的整个表面上方形成第一绝缘层132。然后,在显示区域的第一绝缘层132上形成具有开口的平坦化层134。然后,在平坦化层134上且在第一基板120的整个表面上方形成第二绝缘层136。
平坦化层134可以由有机绝缘材料比如光学亚克力形成,第一和第二绝缘层132和136可以由无机绝缘材料比如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)形成。
在图4D中,在像素区域P的第二绝缘层136上形成触摸公共线TL。
触摸公共线TL可以由金属材料比如铝(Al)形成。触摸公共线TL被设置为与数据线DL平行。例如,触摸公共线TL被设置为与数据线DL重叠,两者间***有第一绝缘层132、平坦化层134和第二绝缘层136。
在图4E中,在触摸数据线TL上且在第一基板120的整个表面上方形成第一钝化层138。然后,在第一钝化层138上形成光刻胶图案PR,光刻胶图案PR暴露与触摸公共线TL相对应的第一钝化层138。
可以通过涂覆光刻胶形成光刻胶层(未显示),光刻胶层可以被暴露在光线下,被曝光的光刻胶层可被显影以形成光刻胶图案PR。
在图4F中,通过将光刻胶图案PR用作蚀刻掩模对第一钝化层138进行蚀刻,在第一钝化层上形成暴露触摸公共线TL的触摸公共接触孔140。
然后,通过剥离工艺去除第一钝化层138上的光刻胶图案PR。由于通过触摸公共接触孔140暴露的触摸公共线TL是由诸如铝(Al)之类的金属材料形成的,因此光刻胶图案可以被完全去除,在触摸公共线TL上或触摸公共接触孔140***不会留下残留的光刻胶。
在图4G中,在每个像素区域P中的第一钝化层138上形成触摸公共电极142。触摸公共电极142通过触摸公共接触孔140与触摸公共线TL相连。
在此,触摸公共电极142可以由透明导电材料比如铟锡氧化物(ITO)形成,并可具有板状。由于在形成触摸公共接触孔140时在触摸公共线TL上或触摸公共接触孔140的***避免了残留的光刻胶,因此触摸公共电极142和触摸公共线TL之间的粘合强度以及触摸公共电极142和第一钝化层138之间的粘合强度增强。
在图4H中,在触摸公共电极142上且在第一基板120的整个表面上方形成第二钝化层144。然后,通过光刻工艺在第一和第二绝缘层132和136以及第一和第二钝化层138和144中形成暴露漏极130的漏极接触孔146以及暴露数据焊盘DP的数据焊盘接触孔150。此外,通过光刻工艺在栅极绝缘层124、第一和第二绝缘层132和136以及第一和第二钝化层138和144中形成暴露栅极焊盘GP的栅极焊盘接触孔148。
在此,第一和第二钝化层138和144可以由无机绝缘材料比如硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiON)形成。
触摸公共电极142和触摸公共线TL之间的粘合强度以及触摸公共电极142和第一钝化层138之间的粘合强度增强。结果,即使在形成第二钝化层144的步骤中因热量而在触摸公共线TL、第一钝化层138和触摸公共电极142中产生应力,触摸公共接触孔140中及触摸公共接触孔140的***处的触摸公共电极142也不会与第一钝化层138和触摸公共线TL脱离。因此,避免诸如脱离之类的劣化。
在图4I中,在每个像素区域P中的第二钝化层144上形成像素电极152,在焊盘区域A中分别与栅极焊盘GP和数据焊盘DP相对应的第二钝化层144上形成栅极焊盘端子154和数据焊盘端子156。
像素电极152通过漏极接触孔146与漏极130相连,栅极焊盘端子154通过栅极焊盘接触孔148与栅极焊盘GP相连,数据焊盘端子156通过数据焊盘接触孔150与数据焊盘DP相连。
像素电极152可以由透明导电材料比如铟锡氧化物(ITO)形成,并可具有彼此分离的多个条状。
虽然在图3的实施方式中显示了集成式触摸液晶显示装置,但在其它实施方式中也可以使用集成式触摸有机发光二极管(OLED)显示装置。
因此,在用于触摸显示装置的阵列基板的制造方法中,当在金属材料的触摸公共线TL上形成第一钝化层138并在第一钝化层138上形成光刻胶图案PR之后,第一钝化层138被图案化以形成触摸公共接触孔140,光刻胶图案PR被去除。结果,光刻胶图案PR被完全去除,在触摸公共线TL上或触摸公共接触孔140的***不会留下残留的光刻胶。因此,触摸公共电极142和触摸公共线TL之间的粘合强度以及触摸公共电极142和第一钝化层138之间的粘合强度增强,通过避免诸如脱离之类的劣化而提高了成品率。
此外,在触摸公共线TL和触摸公共电极142之间形成具有较大厚度的第一钝化层138,在触摸公共电极142和像素电极152之间形成具有较小厚度的第二钝化层144。结果,由于减小了初始寄生电容,触摸感测性能得以改善,且由于增大了存储电容器的电容,显示图像的性能得以改善。
上文已描述了多个例子。然而,应当理解的是,可以作出各种修改。例如,如果以不同的顺序执行上述技术和/或上述***、结构、装置或电路中的组件以不同的方式组合和/或用其它组件或其等同物代替或补充,也可以获得适当的结果。因此,其它实现方式也落在所附权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种用于触摸显示装置的阵列基板,包括:
具有像素区域的基板;
在所述像素区域中的基板上的薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上的平坦化层;
在所述平坦化层上的触摸公共线;
在所述触摸公共线上的第一钝化层,所述第一钝化层具有暴露所述触摸公共线的触摸公共接触孔;
在所述像素区域中的第一钝化层上的触摸公共电极,所述触摸公共电极通过所述触摸公共接触孔与所述触摸公共线接触;
在所述触摸公共电极上的第二钝化层;以及
在所述第二钝化层上的像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管相连。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述平坦化层包括有机绝缘材料,
其中所述触摸公共线包括金属材料,
其中所述第一钝化层和所述第二钝化层均包括无机绝缘材料,且
其中所述触摸公共电极和所述像素电极均包括透明导电材料。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一钝化层的厚度大于所述第二钝化层的厚度。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述基板包括多个块,
其中在所述多个块中的一个块中的触摸公共电极彼此电连接,且
其中在所述多个块中的不同块中的触摸公共电极彼此电分离。
5.如权利要求1所述的阵列基板,还包括:
彼此交叉以限定所述像素区域的栅极线和数据线,所述栅极线和所述数据线与所述薄膜晶体管相连;
与所述栅极线的端部相连的栅极焊盘;以及
与所述数据线的端部相连的数据焊盘。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其中,所述触摸公共线与所述数据线平地设置行,在所述触摸公共线与所述数据线之间***有所述平坦化层的情形下所述触摸公共线与所述数据线重叠。
7.一种用于触摸显示装置的阵列基板的制造方法,包括:
在具有像素区域的基板上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成平坦化层;
在所述平坦化层上形成触摸公共线;
在所述触摸公共线上形成第一钝化层,所述第一钝化层具有暴露所述触摸公共线的触摸公共接触孔;
在所述像素区域中的第一钝化层上形成触摸公共电极,所述触摸公共电极通过所述触摸公共接触孔与所述触摸公共线接触;
在所述触摸公共电极上形成第二钝化层;以及
在所述第二钝化层上形成像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管相连。
8.如权利要求7所述的制造方法,其中,所述平坦化层包括有机绝缘材料,
其中所述触摸公共线包括金属材料,
其中所述第一钝化层和所述第二钝化层均包括无机绝缘材料,且
其中所述触摸公共电极和所述像素电极均包括透明导电材料。
9.如权利要求7所述的制造方法,其中,所述第一钝化层的厚度大于所述第二钝化层的厚度。
10.如权利要求7所述的制造方法,其中,形成所述第一钝化层包括:
在所述第一钝化层上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案暴露与所述触摸公共线相对应的第一钝化层;
通过将所述光刻胶图案用作蚀刻掩模来将所述第一钝化层图案化;以及
去除所述光刻胶图案。
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