CN108099435A - 反蛋白石结构防伪转印膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种功能性反蛋白石结构防伪转印膜，属于反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体在防伪领域的具体应用。本发明的防伪转印膜，包括组装基底、转印层，其特征在于，还包括硫化银纳米团簇光子晶体层；其中，所述光子晶体层位于所述组装基底与转印层之间，所述光子晶体层与转印层的相同位置上带有相同的立体外观防伪图案。本发明结合了硫化银量子点和光子晶体的性质，制备了具有防伪性能的反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体转印膜。由硫化银纳米团簇组装成的光子晶体相较于硫化银量子点具有更加优良的性能：荧光性能得到增强，且激发峰蓝移至700nm。受紫光辐照后，呈现出带有光泽感的红色。

Description

反蛋白石结构防伪转印膜
技术领域
本发明涉及一种功能性反蛋白石结构防伪转印膜，属于反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体在防伪领域的具体应用。
背景技术
光子晶体是指介电常数(折射率)不同的材料在空间周期性排列构成的。光子晶体最本质的特征是光子禁带和光子局域。光子禁带可以控制光在其中的传播，而且缺陷态的引入可以影响光子禁带的性质，是光电集成、光子集成、光通信的一种关键性基础材料。
近年来，随着人们对半导体材料微观尺寸和表面修饰的调控，制备出的硫化银量子点，在近红外区存在较高的荧光强度。硫化银量子点具有以下共同的优良性质：硫化银量子点制备方法简单，原料易得，从而使生产成本大大降低；其具有良好的生物相容性和低毒性，结合其良好的发光性质可以应用在生物细胞成像；总体来说，硫化银量子点在能源相关器件、环境相关应用、生物相关领域以及复合材料相关领域。
将硫化银量子点和光子晶体结合，使硫化银量子点转变成周期性结构的固态，更有利于后处理。不同的周期性结构具有不同的光子带隙。硫化银量子点作为一种光电材料，具有光子带隙后就具有了调控光的性质。将硫化银量子点和光子晶体结合制备出不同带隙的硫化银量子点光子晶体，不仅很好的继承了硫化银量子点原有的优良性质，同时通过光子晶体带隙的调控，使硫化银量子点光子晶体表现出相较于硫化银量子点更加优良的性质，如荧光性能的增强，增强光电化学过程中的电子转移效率等。
发明内容
本发明的目的在于提供一种反蛋白石结构防伪转印膜。
为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种反蛋白石结构防伪转印膜，包括组装基底、硫化银纳米团簇光子晶体层、转印层；其中，光子晶体层位于组装基底与转印层之间，光子晶体层与转印层上压印有相同的立体外观的防伪图案。
进一步地，本发明的硫化银纳米团簇光子晶体层为密堆积结构，密堆积结构使本发明的光学功能材料发出荧光，并具有光泽。
进一步地，硫化银纳米团簇的粒径为180-300nm，使得光子晶体层带有波长为400-900nm的近红外、可见光和紫光的光泽。
进一步地，组装基底为聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚己内酯薄膜。组装基底选用耐强碱、抗氧化、化学稳定性较好的聚合物薄膜，以避免在后续制备反蛋白石结构硫化银纳米团簇光子晶体层的步骤中被模板去除剂腐蚀。
进一步地，转印层由UV树脂前驱物制成。
进一步地，本发明提供的转印膜还包括介于组装基底与光子晶体层之间的离型层。离型层用以调整组装基底的界面性能。当光子晶体乳液在离型层表面或组装基底表面形成光子晶体层后，可在光子晶体层表面具有黏性，并以紫外线交联方式形成有外观立体图案面。同时，通过具黏性的离型层，使得光子晶体层与承印材料之间具有良好的密着性，且固化后的外观立体图案面具有良好的耐磨性、抗刮性，进而得到本发明的转印膜。
进一步地，离型层的表面张力系数介于28-58dyn/cm，厚度介于2-20μm。使得离型层与光子晶体层之间的结合力大于离型层与组装基底之间的结合力，以便在后续的转印过程中移去组装基底。
进一步地，本发明的离型层由蜡质离型剂制成。蜡质离型剂耐强碱，以免本发明的离型层在后续去除光子晶体模板的过程中，被强碱性模板去除剂消解。
进一步地，本发明还公布了上述硫化银纳米团簇光子晶体防伪转印膜的具体应用，包括：提供承印基底，将承印基底结合在转印层上，并且将组装基底及离型层自光子晶体层上移除。
本发明的有益效果在于：本发明结合了硫化银量子点和光子晶体的性质，制备了具有防伪性能的反蛋白石结构的硫化银纳米团簇光子晶体转印膜。由硫化银纳米团簇组装成的光子晶体相较于硫化银量子点具有更加优良的性能：荧光性能得到增强，且激发峰蓝移至700nm。受紫光辐照后，呈现出带有光泽感的红色。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1为硫化银纳米团簇荧光光谱图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本实施例中，组装基底为聚乙烯薄膜。
将蜡质离型剂直接涂布于此组装基底的表面，固化之后在组装基底表面形成离型层；硫化银纳米团簇在离型层表面自组装排列成有序结构，形成一层灰色色泽的光子晶体层，厚度约5-20μm，从而获得具有组装基底(聚乙烯薄膜)/离型层/光子晶体层的三层复合薄膜；光子晶体层表面涂布有UV树脂转印层，光子晶体层与UV树脂层上压印有相同的立体外观的防伪图案；提供承印基底，将承印基底结合在转印层上，并且将组装基底及离型层自光子晶体层上移除。将承印基底贴付在转印层的胶面，并以烫印模具在约1秒时间内，以温度100℃及3kg压力压印在组装基地上，将立体外观部分的光子分子层转移到承印基底上；移去烫印模具，并且将组装基底及离型层自光子晶体层上移除，得到具有荧光防伪图案的承印基底。以紫光激发，上述荧光防伪图案呈现出带有光泽感的红色，如图1所示，其红色荧光对应硫化银纳米团簇荧光光谱700nm。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种反蛋白石结构防伪转印膜，包括组装基底、转印层，其特征在于，还包括硫化银纳米团簇光子晶体层；其中，所述光子晶体层位于所述组装基底与转印层之间，所述光子晶体层与转印层上压印有相同的立体外观的防伪图案。
2.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述光子晶体层为硫化银纳米团簇的密堆积结构，所述密堆积结构使所述防伪转印膜发出荧光，并具有光泽。
3.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述硫化银纳米团簇的粒径为180-300nm，使得光子晶体层带有波长为400-900nm的近红外、可见光和紫光的光泽。
4.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述组装基底为聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、聚己内酯薄膜中的一种。
5.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述转印层由UV树脂前驱物制成。
6.根据权利要求1所述的防伪转印膜，其特征在于，所述防伪转印膜还包括介于所述组装基底与光子晶体层之间的离型层。
7.根据权利要求6所述的防伪转印膜，其特征在于，所述离型层的表面张力系数介于28-58dyn/cm，厚度介于2-20μm。
8.根据权利要求6所述的防伪转印膜，其特征在于，所述离型层由蜡质离型剂制成。
9.根据权利要求1-8任一项所述的防伪转印膜，其特征在于，所述防伪转印膜的应用方法为：提供承印基底，将所述承印基底结合在所述转印层上，并且将所述组装基底及离型层自所述光子晶体层上移除。
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