CN108074832A - 异常探测装置 - Google Patents

异常探测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108074832A
CN108074832A CN201711104606.XA CN201711104606A CN108074832A CN 108074832 A CN108074832 A CN 108074832A CN 201711104606 A CN201711104606 A CN 201711104606A CN 108074832 A CN108074832 A CN 108074832A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor manufacturing
manufacturing apparatus
processing procedure
unit
status information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711104606.XA
Other languages
English (en)
Inventor
小山典昭
庄司和史
宫崎太克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN108074832A publication Critical patent/CN108074832A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F17/00—Digital computing or data processing equipment or methods, specially adapted for specific functions
    • G06F17/10—Complex mathematical operations
    • G06F17/18—Complex mathematical operations for evaluating statistical data, e.g. average values, frequency distributions, probability functions, regression analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Mathematical Analysis (AREA)
  • Mathematical Optimization (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computational Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Pure & Applied Mathematics (AREA)
  • Probability & Statistics with Applications (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Operations Research (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Evolutionary Biology (AREA)
  • Algebra (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Testing And Monitoring For Control Systems (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。一个实施方式的异常探测装置具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。

Description

异常探测装置
技术领域
本发明涉及一种异常探测装置。
背景技术
当长期运用半导体制造装置时，由于部件的消耗或劣化、在工艺处理中产生的副产物的蓄积导致的腔室内环境的变化、所供给的气体或冷却水等的实用环境的变化、突发性的部件故障等各种要因而工艺的再现性下降。这些情形的发生频率根据装置的运用状况不同而不同，存在易于预测的情形和难以预测的情形。
对于易于预测的情形，通过定期维护来进行消耗部件的更换、调整，能够进行预防维护的应对。另一方面，对于难以预测的情形，难以通过定期维护来进行应对。
因此，以往，以规定期间、例如工艺所包含的步骤为单位将在工艺处理的执行中由各种传感器输出的输出值转换为平均值、最大值、最小值等代表值，使用代表值来对长期趋势进行监视(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2015-37086号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在以往的方法中，对将各种传感器输出的输出值转换为代表值所得到的值进行监视，并不是直接对输出值本身进行监视，因此难以检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。另外，用户手动输入带(band)。因此，还存在运用时耗费时间和劳力而难以实施这样的问题。
因此，在本发明的一个方式中，其目的在于，提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的异常探测装置具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
发明的效果
根据公开的异常探测装置，能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。另外，由于能够自动制作带，因此能够削减制作带所需要的工时，从而能够减轻运用时的时间和劳力。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的半导体制造装置的整体结构图。
图2是用于说明装置控制器的框图。
图3是用于说明本发明的实施方式的异常探测处理的初期学习的流程图。
图4是用于说明初期学习的图。
图5是用于说明本发明的实施方式的异常探测处理的再学习的流程图。
图6是用于说明再学习的图。
图7是用于说明半导体制造装置的异常判定的一例的图。
附图标记说明
100：装置控制器；110：第一模块；111：控制部；112：收集部；113：通信部；120：第二模块；121：保存部；122：运算部；123：判定部；124：通信部；130：第三模块；131：显示部；132：接收部；133：通信部。
具体实施方式
以下，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本发明的说明书和附图中，通过对实质上相同的结构标注相同的附图标记来省略重复的说明。
(半导体制造装置)
对本发明的实施方式的半导体制造装置的一例进行说明。本发明的实施方式的半导体制造装置是分批式的成膜装置，能够将基板保持器具收容在处理容器中来针对多个晶圆W同时形成膜，该基板保持器将多个半导体晶圆(以下称为“晶圆W”。)沿垂直方向以规定间隔进行保持。此外，半导体制造装置不限定于分批式的装置，例如也可以是逐个地进行成膜处理的单片式的装置。
图1是示出本发明的实施方式的半导体制造装置的整体结构图。如图1所示，半导体制造装置具有长边方向为垂直方向的大致圆筒形的处理容器4。处理容器4具有具备圆筒体的内筒6和外筒8的双重管构造，该外筒8在内筒6的外侧与内筒6同心地配置且具有顶部。内筒6和外筒8例如由石英等耐热性材料形成。
内筒6和外筒8的下端部被由不锈钢等形成的歧管10保持。歧管10例如被固定于未图示的底板。此外，歧管10与内筒6、外筒8一起形成大致圆筒形的内部空间，因此歧管10形成处理容器4的一部分。即，处理容器4具备例如由石英等耐热性材料形成的内筒6和外筒8以及由不锈钢等形成的歧管10，歧管10被设置于处理容器4的侧面下部，以从内筒6和外筒8的下方保持内筒6和外筒8。
歧管10具有气体导入部20，该气体导入部20用于向处理容器4的内部导入成膜处理中使用的成膜气体、添加气体等处理气体、吹扫处理中使用的吹扫气体等各种气体。在图1中，示出设置一个气体导入部20的方式，但不限定于此，也可以是，根据所使用的气体的种类等，气体导入部20为多个。作为处理气体和吹扫气体的种类，没有特别限定，能够根据所形成的膜的种类等适当地选择。
气体导入部20与用于向处理容器4的内部导入各种气体的导入配管22连接。此外，在导入配管22上***设置有用于调整气体流量的质量流量控制器等流量调整部24、未图示的阀、流量传感器等。
另外，歧管10具有对处理容器4的内部进行排气的气体排气部30。气体排气部30与排气配管36相连接，该排气配管36上包含能够对处理容器4的内部进行减压控制的真空泵32、APC(Automatic Pressure Control：自动压力控制)阀等开度可变阀34等。在排气配管36上设置有检测处理容器4的内部的压力的未图示的压力传感器。
在歧管10的下端部形成有炉口40，在炉口40设置有例如由不锈钢等形成的圆盘状的盖体42。盖体42例如被设置为能够通过作为晶圆舟升降机发挥功能的升降机构44进行升降，构成为能够将炉口40密封为气密状态。
在盖体42的上方设置有例如石英制的保温筒46。在保温筒46的上方载置有例如石英制的晶圆舟48，该晶圆舟48将多个(例如50个～175个左右)晶圆W以水平状态且以规定的间隔多层地保持。
通过使用升降机构44使盖体42上升来向处理容器4的内部加载(搬入)晶圆舟48，对保持于晶圆舟48的晶圆W进行各种成膜处理。在进行各种成膜处理之后，通过使用升降机构44使盖体42下降，来将晶圆舟48从处理容器4的内部向下方的装载区域卸载(搬出)。
在处理容器4的外周侧设置有能够将处理容器4加热至规定温度的例如圆筒形状的加热单元60。
加热单元60被分割为多个区，从铅直方向上侧朝向下侧设置有加热单元60a～60e。加热单元60a～60e构成为能够分别通过电力控制器62a～62e独立地控制发热量。以下，有时将设置有加热单元60a、60b、60c、60d、60e的位置分别称为“TOP”、“TC”、“Center”、“C-B”以及“BTM”。另外，在内筒6的内壁和/或外筒8的外壁，与加热单元60a～60e对应地设置有未图示的温度传感器。此外，在图1中，示出了加热单元60被分割为五个区的方式，但不限定于此，例如也可以从铅直方向上侧朝向下侧被分割为四个以下的区，还可以被分割为六个以上的区。另外，加热单元60也可以不分割为多个区。
载置于晶圆舟48的多个晶圆W构成一批，以一批为单位进行各种成膜处理。
另外，本发明的实施方式的半导体制造装置具有用于对装置整体的动作进行控制的计算机等装置控制器100。装置控制器100也可以通过有线或无线等的通信单元而与主计算机连接。
(装置控制器)
对装置控制器100的一例进行说明。图2是用于说明装置控制器的框图。
如图2所示，装置控制器100包括第一模块110、第二模块120以及第三模块130。第一模块110、第二模块120以及第三模块130构成为被收容在半导体制造装置内的控制用控制器。由此，不需要外部的服务器等。另外，也可以是，第一模块110、第二模块120以及第三模块130能够通过LAN(Local Area Network：局域网)等通信网络来进行双向通信。
第一模块110具有控制部111、收集部112以及通信部113。控制部111对半导体制造装置的各部进行控制。收集部112以规定的周期(例如0.1秒间隔)收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息。状态信息是由对半导体制造装置的各部的状态进行检测的温度传感器、压力传感器、流量传感器等传感器检测的值，例如包含半导体制造装置的各部的温度、压力、气体流量、电力等。通信部113与第二模块120、第三模块130等之间发送接收信息。例如，通信部113向第二模块120发送由收集部112收集到的状态信息。第一模块110的功能例如通过具备CPU、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机来实现。
第二模块120具有保存部121、运算部122、判定部123以及通信部124。保存部121保存各种数据。具体地说，保存部121例如按各工艺处理保存由收集部112收集到的状态信息来作为日志。另外，例如，保存部121保存后述的监视带。运算部122使用保存部121中保存的各工艺处理的日志来生成监视带。例如，运算部122使用保存部121中保存的通过同一制程的工艺处理得到的多个日志来生成监视带。监视带是在判定由收集部112收集的状态信息是否正常时使用的波形，例如基于按规定的周期设定的上限值和下限值通过进行插值来计算。此外，关于用于生成监视带的算法，没有特别限定，能够使用任意的算法。判定部123参照保存部121来判定是否存在规定个数以上的通过与进行了规定的工艺处理时的制程相同的制程的工艺处理而得到的日志。规定个数是能够高精度地进行后述的初期学习的程度的个数，例如能够设为20。另外，判定部123通过使用运算部122生成的监视带判定状态信息是否异常，来进行半导体制造装置的异常判定。通信部124与第一模块110、第三模块130等之间发送接收信息。例如，通信部124接收第一模块110的收集部112所收集到的状态信息。另外，例如，通信部124向第三模块130发送由判定部123进行的半导体制造装置的异常判定的结果。另外，第二模块120需要保存很多数据且需要高速地执行运算。因此，第二模块120构成为与进行半导体制造装置的各部的控制的第一模块110独立的模块，以避免对半导体制造装置的控制施加影响。第二模块120的功能例如通过具备CPU、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机来实现。
第三模块130具有显示部131、接收部132以及通信部133。显示部131显示与半导体制造装置有关的各种信息、例如半导体制造装置的状态(是正常的状态还是异常的状态等)。另外，显示部131也可以显示保存部121中保存的日志、监视带等。接收部132接受由用户等进行的操作。通信部133与第一模块110、第二模块120等之间发送接收信息。例如，通信部133接收由第二模块120的判定部123进行的半导体制造装置的异常判定的结果。第三模块130的功能例如通过具备CPU、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机来实现。
(异常探测处理)
对本发明的实施方式的异常探测处理的一例进行说明。异常探测处理通过上述的装置控制器100来执行。
图3是用于说明本发明的实施方式的异常探测处理中的初期学习的流程图。图4是用于说明初期学习的图。以下，作为规定的工艺处理，例举进行使用了制程A的工艺处理的情况来进行说明。
如图3所示，在半导体制造装置中执行使用了制程A的工艺处理的期间，收集部112以规定的周期(例如0.1秒间隔)从半导体制造装置的各种传感器收集状态信息(步骤S11)。此时，保存部121保存由收集部112收集到的状态信息来作为使用了制程A的工艺处理的日志。
当工艺处理结束时(步骤S12)，判定部123参照保存部121来判定是否存在规定个数以上的使用制程A进行的工艺处理的日志(步骤S13)。
在步骤S13中判定部123判定为不存在规定个数以上的使用制程A进行的工艺处理的日志的情况下，判定为不存在生成监视带所需要的日志，结束处理。
在步骤S13中判定部123判定为存在规定个数以上的使用制程A进行的工艺处理的日志的情况下，判定为存在生成监视带所需要的日志。然后，运算部122进行初期学习(步骤S14)，结束处理，在该初期学习中，使用保存部121中保存的规定个数以上的利用制程A进行的工艺处理的多个日志来生成监视带。具体地说，如图4的(a)所示那样生成监视带(参照图4的(b))，该监视带是包含执行了使用制程A的多次工艺处理(例如，运行01、运行02、…、运行20)时的所有日志那样的波形。此外，按每个传感器和每个制程生成监视带。由此，能够考虑到在执行了同一制程的情况下发生的微小的状态信息的变化来进行异常判定。
另外，在半导体制造装置中，当反复执行工艺处理时，发生部件的消耗或劣化、因在工艺处理中产生的副产物的蓄积而发生的腔室内环境的变化、所供给的气体或冷却水等的实用环境的变化、突发性的部件故障等各种变化。这种变化在固定的范围内是不对工艺处理的结果施加不良影响的被允许的变化，能够通过定期的对部件的清洗、更换来恢复到原来的状态。即，包含在固定的范围内的状态信息的变化不是半导体制造装置的异常。因此，使用在固定的范围内发生变化的状态信息，每当工艺处理结束时进行再学习，使监视带追随固定的范围内的变化。由此，能够避免在状态信息在固定的范围内发生了变化的情况下判定为异常。
图5是用于说明本发明的实施方式的异常探测处理的再学习的流程图。
如图5所示，当开始进行规定的工艺处理(例如，使用了制程A的工艺处理)时(步骤S21)，判定部123参照保存部121来判定是否存在与制程A对应的监视带(步骤S22)。此外，也可以是，在开始进行使用了制程A的工艺处理之前且选择了制程A的时间点，判定部123开始进行是否存在与制程A对应的监视带的判定。
在步骤S22中判定部123判定为不存在与制程A对应的监视带的情况下，结束异常探测处理。即，不进行使用监视带的监视而执行工艺处理。
在步骤S22中判定部123判定为存在与制程A对应的监视带的情况下，在执行使用了制程A的工艺处理期间，判定部123使用监视带来持续监视状态信息(步骤S23)。
然后，判定部123判定半导体制造装置是否异常(步骤S24)。具体地说，在判定部123使用监视带来持续监视状态信息时状态信息变为监视带的范围外的情况下，判定部123判定为半导体制造装置异常。与此相对，在判定部123使用监视带来持续监视状态信息时状态信息在监视带的范围内的情况下，判定部123判定为半导体制造装置正常。判定部123进行的异常判定既可以以例如与收集部112收集状态信息的周期相同的周期(例如0.1秒间隔)进行，也可以以例如与收集部112收集状态信息的周期不同的周期进行。另外，例如既可以在工艺处理结束时进行，也可以在将执行工艺处理的制程细分化而得到的各步骤结束时进行。此外，从能够早期预知半导体制造装置的异常这样的观点考虑，优选的是，以比工艺处理或步骤结束的定时短的周期进行异常判定。
另外，也可以是，判定部123将状态信息以何种程度收敛在监视带的范围内进行指标化，基于进行指标化所得到的值和基准值来进行半导体制造装置是否异常的判定。此外，在后面记述基于进行指标化所得到的值和基准值的异常判定的详细内容。
在步骤S24中判定部123判定为半导体制造装置异常的情况下，显示部131进行表示半导体制造装置异常的警报显示(步骤S25)，结束异常探测处理。警报显示例如既可以只显示被判定为异常的状态信息，也可以显示被判定为异常的状态信息和被判定为正常的状态信息这两方。另外，在判定部123判定为半导体制造装置异常的情况下，可以由控制部111使工艺处理暂时停止来代替由显示部131进行的警报显示，或者，除了由显示部131进行的警报显示以外，还由控制部111使工艺处理暂时停止。能够根据例如被判定为异常的状态信息的种类来决定控制部111是否进行工艺处理的停止。
在步骤S24中判定部123判定为半导体制造装置正常的情况下，控制部111判定使用了制程A的工艺处理是否已结束(步骤S26)。
在步骤S26中控制部111判定为使用了制程A的工艺处理已结束的情况下，运算部122进行再学习(步骤S27)。具体地说，运算部122基于保存部121中保存的与制程A对应的监视带以及使用该监视带进行监视并被判定为正常的工艺处理的日志，来进行生成新的监视带的再学习(步骤S28)。然后，结束异常探测处理。
在步骤S26中控制部111判定为使用了制程A的工艺处理没有结束的情况下，返回到步骤S23，继续进行使用了监视带的对状态信息的持续监视。
以下，具体地说明再学习。图6是用于说明再学习的图。
如图6所示，列举执行使用了制程A的多次工艺处理(例如运行101、运行102、运行103、…)的情况来进行说明。在图6中，假设以下情况来进行说明：在“运行101”和“运行102”中，执行工艺处理时的状态信息在监视带的范围内，执行“运行103”时的状态信息在监视带的范围外。
首先，判定部123通过监视带“带0”来持续对执行使用了制程A的工艺处理“运行101”时的状态信息进行监视。在工艺处理“运行101”结束后，运算部122基于监视带“带0”和执行工艺处理“运行101”时的状态信息的日志，来进行生成新的监视带“带1”的再学习。
接着，判定部123通过监视带“带1”来持续对执行使用了制程A的工艺处理“运行102”时的状态信息进行监视。在工艺处理“运行102”结束后，运算部122基于监视带“带1”和执行工艺处理“运行102”时的状态信息的日志，来进行生成新的监视带“带2”的再学习。
接着，判定部123通过监视带“带2”来持续对执行使用了制程A的工艺处理”运行103”时的状态信息进行监视。在执行工艺处理“运行103”的过程中，当发生超过监视带“带2”的范围这样的突发性的异常时，判定部123不进行新的监视带的生成而判定为半导体制造装置异常。然后，显示部131进行表示半导体制造装置异常的警报显示。
这样，判定部123持续对执行使用了制程A的工艺处理时的状态信息进行监视，在状态信息变为监视带的范围外的情况下，判定部123判定为半导体制造装置异常。由此，能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。其结果，能够预先防止装置故障。
另外，判定部123持续对执行使用了制程A的工艺处理时的状态信息进行监视，在状态信息进入监视带的范围内的情况下，进行新生成监视带的再学习。由此，能够抑制在发生了不对工艺处理的结果施加不良影响的被允许的固定范围内的状态信息的变化的情况下判定为半导体制造装置异常的误检测。
接着，对判定部123进行的半导体制造装置的异常判定的一例进行说明。图7是用于说明半导体制造装置的异常判定的一例的图。在图7中，“APC(Act)”表示设置有APC阀的位置的压力，“Angle(Act)”表示APC阀的开度的实测值，“Angle(Set)”表示APC阀的开度的设定值。另外，“BTM(Inner)”和“BTM(Outer)”分别表示内筒6和外筒8的BTM位置、即设置有加热单元60e的位置的温度。“BTM(Power)”表示向BTM位置供给的电力、即向加热单元60e供给的电力。“C-B(Inner)”和“C-B(Outer)”分别表示内筒6和外筒8的C-B位置、即设置有加热单元60d的位置的温度。此外，在图7中，为了便于说明，列举在由九个传感器和五个步骤构成的45个区域进行判定的情况来示出，但是这是一例，在实际的半导体制造装置中，在由更多传感器和步骤构成的区域进行判定。
在上述的例子中，以制程为单位、以传感器为单位生成监视带，但是在制程中存在将制程细分化得到的被称为步骤的处理单位，使用监视带的异常判定也可以以该步骤为单位进行。
在判定部123持续对状态信息进行监视时，优选的是，按各个步骤将状态信息以何种程度正常地收敛在监视带的范围内进行指标化，在进行指标化所得到的值超过了基准值的情况下，视为异常。由此，能够抑制在状态信息因噪声等瞬间变为监视带的范围外的情况下由判定部123判定为半导体制造装置异常的误检测。
具体地说，例如图7所示的那样，通过以统计的方法进行处理来将状态信息与上限值(或下限值)之比指标化，在进行指标化所得到的值小于1.0的情况下，能够判定为正常，在为1.0以上的情况下，能够判定为异常。在图7中，用白色表示被判定为正常的步骤和传感器的位置的背景，用点表示被判定为异常的步骤和传感器的位置的背景。具体地说，表示出步骤“4”、“7”、“8”、“9”、“10”中的“BTM(Outer)”、“BTM(Power)”及“C-B(Outer)”以及步骤“4”中的“C-B(Inner)”异常。
在该情况下，判定部123判定为步骤“4”、“7”、“8”、“9”、“10”中的“BTM(Outer)”、“BTM(Power)”及“C-B(Outer)”以及步骤“4”中的“C-B(Inner)”异常。然后，显示部131显示步骤“4”、“7”、“8”、“9”、“10”中的“BTM(Outer)”、“BTM(Power)”及“C-B(Outer)”以及步骤“4”中的“C-B(Inner)”异常。由此，操作人员等能够通过确认显示部131来容易地确认半导体制造装置的状态。
此外，在上述的实施方式中，装置控制器100是异常探测装置的一例。
如以上所说明的那样，本发明的实施方式所涉及的装置控制器100具有：收集部112，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部121，其按规定的单位保存由收集部112收集到的状态信息来作为日志；运算部122，其基于保存部121中保存的日志来生成用于对半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部123，其基于状态信息和监视带来判定半导体制造装置的各部的状态是否异常。由此，能够在半导体制造装置执行工艺处理时持续对状态信息进行监视，因此能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。其结果，能够预先防止装置故障。另外，半导体制造装置的管理者、使用者等也可以不用手动设定异常判定的阈值、监视期间等。
另外，在判定为半导体制造装置执行工艺处理时的半导体制造装置的各部的状态没有发生异常的情况下，运算部122基于工艺处理的日志和与工艺处理中使用的制程相对应的监视带来生成新的监视带。由此，能够抑制在状态信息因噪声等而瞬间变为监视带的范围外的情况下由判定部123判定为半导体制造装置异常的误检测。
另外，本发明的实施方式的装置控制器100构成为被收容在半导体制造装置内的控制用控制器，因此不准备外部的服务器等就能够进行半导体制造装置的异常探测。
以上，说明了用于实施本发明的方式，但是上述内容并不是对发明的内容进行限定，在本发明的范围内能够进行各种变形和改良。

Claims (10)

1.一种异常探测装置，具有：
收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；
保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；
运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及
判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
2.根据权利要求1所述的异常探测装置，其特征在于，
在由所述半导体制造装置进行的工艺处理结束之后，所述判定部参照所述保存部来判定是否存在规定个数以上的通过与所述工艺处理中使用的制程相同的制程执行的工艺处理的日志。
3.根据权利要求2所述的异常探测装置，其特征在于，
所述监视带包括以下监视带：在由所述判定部判定为存在规定个数以上的通过与所述工艺处理中使用的制程相同的制程执行的工艺处理的日志的情况下，使用所述保存部中保存的多个所述日志来与所述制程相对应地生成的监视带。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，
在所述半导体制造装置开始进行工艺处理时，所述判定部参照所述保存部来判定是否存在与所述工艺处理中使用的制程相对应的监视带，
在存在与所述工艺处理中使用的制程相对应的监视带的情况下，所述判定部基于所述工艺处理的日志和与所述工艺处理中使用的制程相对应的监视带，来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
5.根据权利要求4所述的异常探测装置，其特征在于，
在所述判定部判定为所述半导体制造装置的各部的状态没有发生异常的情况下，所述运算部基于所述工艺处理的日志和与所述工艺处理中使用的制程相对应的所述监视带来生成新的监视带。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，具有显示部，在所述判定部判定为所述半导体制造装置的各部的状态异常的情况下，该显示部显示所述半导体制造装置异常。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，所述监视带是基于按所述规定的周期设定的上限值和下限值通过进行插值来计算的波形。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，所述规定的单位是制程单位。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，所述规定的单位是将制程细分化得到的步骤单位。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，所述状态信息是包含所述半导体制造装置的各部的温度、压力、气体流量、电力的信息。
CN201711104606.XA 2016-11-11 2017-11-10 异常探测装置 Pending CN108074832A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-220588 2016-11-11
JP2016220588A JP2018077764A (ja) 2016-11-11 2016-11-11 異常検知装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108074832A true CN108074832A (zh) 2018-05-25

Family

ID=62108058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711104606.XA Pending CN108074832A (zh) 2016-11-11 2017-11-10 异常探测装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10734291B2 (zh)
JP (1) JP2018077764A (zh)
KR (1) KR20180053230A (zh)
CN (1) CN108074832A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109213091A (zh) * 2018-06-27 2019-01-15 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于文件解析的半导体芯片加工设备状态监控方法
CN110632900A (zh) * 2018-06-25 2019-12-31 东芝三菱电机产业***株式会社 钢铁厂用监视作业支援***

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6960873B2 (ja) * 2018-03-16 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 半導体製造システム及びサーバ装置
KR102201063B1 (ko) * 2019-06-03 2021-01-11 (주)누리텔레콤 히터 온도 변화를 이용한 히터 이상 여부 판단 장치 및 그 방법
CN111835700B (zh) * 2019-12-04 2022-07-22 北京嘀嘀无限科技发展有限公司 一种数据处理方法、装置、电子设备及存储介质
JP7413159B2 (ja) * 2020-06-23 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 情報処理装置、プログラム及び監視方法
JP7467261B2 (ja) * 2020-06-30 2024-04-15 東京エレクトロン株式会社 異常検知装置、半導体製造装置及び異常検知方法
TWI819760B (zh) * 2021-09-22 2023-10-21 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、異常檢測方法及異常檢測程式

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006216920A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体
JP2011209827A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Toppan Printing Co Ltd 装置データ収集システム、方法、及びプログラム
TW201351304A (zh) * 2012-03-07 2013-12-16 Tokyo Electron Ltd 半導體製造裝置之程序監視裝置以及半導體製造裝置之程序監視方法以及半導體製造裝置
WO2014115643A1 (ja) * 2013-01-25 2014-07-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体
WO2016116961A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 三菱電機株式会社 情報処理装置および情報処理方法
JP2016192532A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社東芝 異常予兆検知システム及び半導体デバイスの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02263211A (ja) * 1989-04-03 1990-10-26 Toshiba Corp 計測値監視装置
US5631825A (en) * 1993-09-29 1997-05-20 Dow Benelux N.V. Operator station for manufacturing process control system
US6368975B1 (en) * 1999-07-07 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring a process by employing principal component analysis
JP5077770B2 (ja) * 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US9384112B2 (en) * 2010-07-01 2016-07-05 Logrhythm, Inc. Log collection, structuring and processing
JP6133164B2 (ja) 2013-08-12 2017-05-24 東京エレクトロン株式会社 群管理システム及びプログラム
JP5845374B1 (ja) * 2015-08-05 2016-01-20 株式会社日立パワーソリューションズ 異常予兆診断システム及び異常予兆診断方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006216920A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置、コンピュータプログラム及び記憶媒体
JP2011209827A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Toppan Printing Co Ltd 装置データ収集システム、方法、及びプログラム
TW201351304A (zh) * 2012-03-07 2013-12-16 Tokyo Electron Ltd 半導體製造裝置之程序監視裝置以及半導體製造裝置之程序監視方法以及半導體製造裝置
WO2014115643A1 (ja) * 2013-01-25 2014-07-31 株式会社日立国際電気 基板処理装置の異常判定方法、異常判定装置、及び基板処理システム並びに記録媒体
WO2016116961A1 (ja) * 2015-01-21 2016-07-28 三菱電機株式会社 情報処理装置および情報処理方法
JP2016192532A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 株式会社東芝 異常予兆検知システム及び半導体デバイスの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110632900A (zh) * 2018-06-25 2019-12-31 东芝三菱电机产业***株式会社 钢铁厂用监视作业支援***
CN110632900B (zh) * 2018-06-25 2023-02-28 东芝三菱电机产业***株式会社 钢铁厂用监视作业支援***
CN109213091A (zh) * 2018-06-27 2019-01-15 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于文件解析的半导体芯片加工设备状态监控方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180053230A (ko) 2018-05-21
US10734291B2 (en) 2020-08-04
JP2018077764A (ja) 2018-05-17
US20180138096A1 (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108074832A (zh) 异常探测装置
JP4326570B2 (ja) ヒータ素線の寿命予測方法，熱処理装置，記録媒体，ヒータ素線の寿命予測処理システム
US20120226475A1 (en) Substrate processing system, management apparatus, data analysis method
KR102467605B1 (ko) 열처리 장치, 열처리 장치의 관리 방법 및 기억 매체
TWI434325B (zh) 資訊處理裝置、半導體製造系統、資訊處理方法、程式產品及儲存媒體
JP4607576B2 (ja) 半導体製造装置
KR102246922B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 제어 장치
JP2013033967A (ja) 基板処理装置の異常検出方法、及び基板処理装置
JP4420356B2 (ja) ヒータ素線の寿命予測方法，熱処理装置，記録媒体，ヒータ素線の寿命予測処理システム
JPWO2007037161A1 (ja) データ記録方法
JP6864705B2 (ja) 基板処理装置、制御システム及び半導体装置の製造方法
JP6584350B2 (ja) 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム
JP5142353B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の異常検出方法、基板処理システム、基板処理装置の異常検出プログラム及び半導体装置の製造方法
JP2018166192A (ja) 基板処理システム、制御装置、成膜方法及びプログラム
US11060190B2 (en) Substrate processing apparatus and control system
JP7282837B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR102260747B1 (ko) 기판 처리 장치, 제어 시스템 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7227351B2 (ja) 半導体装置の製造方法、予兆検知プログラム、及び基板処理装置
TWI767326B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置的製造方法、及預兆偵測程式
JP2022125802A (ja) 成膜システム、成膜方法
US9772624B2 (en) Control apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing system
US20240234073A9 (en) Methods, systems, and apparatus for monitoring radiation output of lamps
JP2007258632A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180525

RJ01 Rejection of invention patent application after publication