JP5142353B2 - 基板処理装置、基板処理装置の異常検出方法、基板処理システム、基板処理装置の異常検出プログラム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、チャンバ状態によりイベント遷移タイミングが変化するような処理を行う場合でも、そのような外乱に左右されず適切な判断をすることができる。更に、従来の上下限チェック方法ではできなかった装置の動作タイミングの異常を検知することできる。
本発明を実施する最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行なう縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。図1は、本発明に適用される基板処理装置の斜視図として示されている。また、図2は図1に示す基板処理装置の側面透視図である。
図4に示すように、群管理装置302は、制御部306、記憶部308及び表示部310を有する。制御部306は、記憶部308及び表示部310との間におけるデータの入出力を行なう。また制御部306は、第1のデータ収集プログラムを有し、該データ収集プログラムに従って、通信回線304を介して基板処理装置100に対するデータの入出力を行なうようになっている。記憶部308は、制御部306から出力されたデータを記憶(格納)し、また該記憶部308に記憶されているデータを制御部306に出力する。表示部310は、後述する表示画面344を有し、制御部306から出力されたデータを該表示画面344に表示する。この表示部310を操作することにより、基板処理装置100において収集するデータの種類、データ収集の周期及びアラーム発生条件等の設定が行なわれる。
よい。また、図示しないI/O制御ユニットを介して各センサ(フォトセンサ326、カセットセンサ328及び温度センサ330)の入出力(I/O)を制御するようにしてもよい。このI/O制御ユニットは、主制御部312に直接接続してもよいし、副制御部316を介して主制御部312に接続するようにしてもよい。
御部312は、この収集データ(副制御部316より出力される各センサ(フォトセンサ326、カセットセンサ328及び温度センサ330など)の検出データ)を時刻データ(タイムスタンプ)と共に必要に応じて不揮発性記憶手段(図示省略)に格納する(トレースデータを収集する)ようになっている。さらに、主制御部312は、群管理装置302の制御部306からの要求に応じて、記憶部314に記憶された収集データ等を群管理装置302に出力するようになっている。したがって、群管理装置302の制御部306は、この収集データ等により基板処理装置100の主制御部312の動作状態を監視及び制御するようになっている。
なお、主制御部312と副制御部316との通信にはSECS/HSMSなどの半導体製造装置専用のプロトコルやTCP/IP及びXML/SOAPなどのプロトコルが用いられる。
ここで、前記異常検出プログラム1を利用した異常検出方法についていくつか実施例を挙げて説明する。
(ステップ1)では、処理フラグを初期化する。(ステップ2)では、最初のTimestampのデータ(Timestamp,データ項目1,データ項目2,・・・,データ項目nを列項目とした表形式のデータ)を1行読み込む。(ステップ3)では、上下限値チェックの検出条件種別を上記データ項目から判別する。検出条件2が指示値(SetPoint)12と指定されている場合は、(ステップ4)に進む。安定条件(STB)13が指定されている場合は(ステップ5)に進む。(ステップ4)では、(ステップ2)で読み込んだデータの中から検出条件2に指定されたチェック対象項目11を探し、その値が指示値(SetPoint)12で設定した値(SetPoint値)と比べて、以上(≧)、大きい(>)、小さい(<)、以下(≦)のどの状態になっているかをチェックし(尚、本フローでは実施例として、「検索条件項目≧SetPoint値」になっていることを確認する。)、検出条件2を満たしていたら(ステップ6)へ進む。(ステップ5)では、(ステップ2)で読み込んだデータの中から検出条件2に指定されたチェック対象項目11を探し、その値が「Low≧検出条件項目≧Up」の検出条件2が継続して成立している時間を計測し、その計測時間がTimeより長いと判定したら(ステップ6)へ進む。(ステップ6)では、検出フラグをONにする。(ステップ7)では、検出フラグがONであれば、判定期間フラグをONにし、また、検出フラグOFFであれば、判定期間フラグはそのままにして、(ステップ8)へ進む。(ステップ8)では、判定フラグがOFFの場合、判定処理をせずに、ステップ2に戻り次のTimestampのデータを読み込み、後は上記の処理を実行する。判定期間フラグがONであれば、LowLim≦Timestamp≦Uplimになっているかをチェックし、成立していれば「判定OK」と判断し、不成立であれば「判定NG」と判断する。これらの一連の処理を上下限値チェックするデータの先頭行から最終行まで順次(ステップ2)でデータを読み込みながら繰り返し処理をする。
このときの実施例を図22に示す。
2 検出条件(DETECTION Condition)
3 判定条件(CHECK Condition)
4 ディレー時間(Delay Time)
11 チェック対象項目(Item)
12 指示値(SetPoint)
13 安定条件(STB)
100 基板処理装置
200 ウェハ
202 処理炉
300 基板処理システム
302 群管理装置
304 通信回線
306 制御部
308 記憶部
310 表示部
312 メイン制御システム
314 記憶部
316 サブ制御システム
318 搬送制御部
320 温度制御部
322 ガス制御部
324 PLCユニット
342 入力手段
344 表示画面
350 表示部
352 表示画面
354 設定画面
355 設定画面
356 設定画面
357 設定画面
358 設定画面
359 設定画面
360 設定画面
Claims (5)
- レシピを実行することにより基板に処理を施す基板処理装置を構成する複数の部品から受信するデータを取得し、前記データを監視する制御部を備えた基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記複数の部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択し、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件を設定し、当該検出条件とは別に前記項目に関するデータを規定する判定条件を設定し、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間を設定し、
前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間において、前記判定条件を満たしているかどうかを判断する基板処理装置。
- レシピを実行することにより基板に処理を施す基板処理装置を構成する複数の部品から受信するデータを取得し、前記データを監視することにより基板処理装置の異常を検出する方法であって、
前記複数の部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件を設定し、当該検出条件とは別に前記項目に関するデータを規定する判定条件を設定し、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間を設定し、
前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間において、
前記判定条件を満たしているか判断する基板処理装置の異常検出方法。
- レシピを実行することにより基板に処理を施す基板処理装置と、前記基板処理装置を構成する複数の部品から受信するデータを取得し、前記データを監視する管理装置とを含む基板処理システムであって、
前記管理装置は、
前記各部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、前記項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件と、当該検出条件とは別に前記項目に関するデータを規定する判定条件と、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間とが設定され、
前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間において、前記判定条件を満たしているか判断する基板処理システム。
- レシピを実行することにより基板に処理を施す基板処理装置を構成する複数の部品から受信するデータを取得し、前記データを監視する監視工程を有する基板処理装置の異常を検出する異常検出プログラムであって、
前記複数の部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件を設定し、当該検出条件とは別に前記項目に関するデータを規定する判定条件を設定し、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間を設定する設定工程と、
前記監視工程において前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間において、前記判定条件を満たしているか判断する判断工程を少なくとも含む基板処理装置の異常検出プログラム。
- 基板処理装置を構成する複数の部品のうち一つの部品に対して複数の項目のうち一つの項目を選択して、当該項目に関するデータを検出する条件を規定する検出条件を設定し、当該検出条件とは別に前記項目に関するデータを規定する判定条件を設定し、前記検出条件を満たした時間を基準に遅れた時間を示す遅れ時間を設定する設定工程と、
レシピを実行することにより基板に処理を施す基板処理工程と、
前記複数の部品から受信するデータを取得し、前記データを監視する監視工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記監視工程において前記項目に関するデータが検出条件を満たしたら、前記レシピが開始してから前記検出条件を満たすまでの時間を算出し、この時間から設定した遅れ時間を加えた時間において、前記判定条件を満たしているか判断する判断工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法。
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