CN108002746A - 一种ntc热敏电阻材料的制备方法 - Google Patents

一种ntc热敏电阻材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108002746A
CN108002746A CN201711186123.9A CN201711186123A CN108002746A CN 108002746 A CN108002746 A CN 108002746A CN 201711186123 A CN201711186123 A CN 201711186123A CN 108002746 A CN108002746 A CN 108002746A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
activated carbon
deionized water
dispensing
silicon nanowires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711186123.9A
Other languages
English (en)
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Nell Mstar Technology Ltd
Original Assignee
Suzhou Nell Mstar Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Nell Mstar Technology Ltd filed Critical Suzhou Nell Mstar Technology Ltd
Priority to CN201711186123.9A priority Critical patent/CN108002746A/zh
Publication of CN108002746A publication Critical patent/CN108002746A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B26/00Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing only organic binders, e.g. polymer or resin concrete
    • C04B26/02Macromolecular compounds
    • C04B26/04Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B26/045Polyalkenes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G53/00Compounds of nickel
    • C01G53/006Compounds containing, besides nickel, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B26/00Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing only organic binders, e.g. polymer or resin concrete
    • C04B26/02Macromolecular compounds
    • C04B26/04Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B26/08Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds containing halogen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/049Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of organic or organo-metal substances
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/10Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
    • C01P2004/16Nanowires or nanorods, i.e. solid nanofibres with two nearly equal dimensions between 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种NTC热敏电阻材料的制备方法,本发明所得产品制备的NTC热敏电阻元件的性能稳定高、可靠性高,所述热敏电阻具有特殊工艺制备的活性炭负载硅纳米材料作为导电填料,在增强热敏电阻的导电性能的同时,还与高分子聚合物、非导电填料之间存在着较强的相互作用,提升了热敏电阻的使用寿命。

Description

一种NTC热敏电阻材料的制备方法
技术领域
本发明涉及电阻材料制造领域,具体涉及一种NTC热敏电阻材料的制备方法。
背景技术
热敏电阻器是一类对温度敏感、在不同的温度下表现出不同的电阻值的敏感元件,按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器(PTC)和负温度系数热敏电阻器(NTC)。
其中负温度系数热敏电阻器(NTC)是一类电阻值随温度增大而减小的半导体材料,具有测温、控温、温度补偿、抑制浪涌等作用。常温NTC热敏电阻器中,主要采用过渡金属锰、镍、钴、铁、铜的氧化物制成的尖晶石结构NTC热敏电阻元件,它们得到了广泛的研究与应用。
在采用过渡金属锰、镍、钴、铁、铜的氧化物制成的尖晶石结构NTC热敏电阻材料中,因为这些过渡金属氧化物的挥发温度较低,这类NTC热敏电阻元件的制备烧结过程中容易产生原材料成分的挥发,使得产品的最终成分、产品的一致性和生产不同批次之间的重复性难于控制。
发明内容
本发明提供一种NTC热敏电阻材料的制备方法,本发明所得产品制备的NTC热敏电阻元件的性能稳定高、可靠性高,所述热敏电阻具有特殊工艺制备的活性炭负载硅纳米材料作为导电填料,在增强热敏电阻的导电性能的同时,还与高分子聚合物、非导电填料之间存在着较强的相互作用,提升了热敏电阻的使用寿命。
为了实现上述目的,本发明提供了一种NTC热敏电阻材料的制备方法,该方法包括如下步骤:
(1)制备镍基电阻材料
按分子式Ni1-xZnxO1-yCly进行配料,其中x=0.01-0.03、y=0.005-0.01,初始原材料选自碱式碳酸镍、氯化铵和醋酸锌;
将初始原料按Ni1-xZnxO1-yCly配料,称取碱式碳酸镍、氯化铵和醋酸锌;
将上称取的原材料分别溶解,碱式碳酸镍溶于稀硝酸,然后滴加氨水调节pH值至8-9;氯化铵和醋酸锌分别溶于去离子水;
将的溶解后的三种溶液混合在一起,并利用磁力搅拌加热器搅拌混合均匀、加热干燥;
将上一步骤制得的粉末进行煅烧,温度为880-950℃,保温4-5小时,得到镍基电阻材料;
(2)制备活性炭负载硅纳米材料导电填料
将装有纳米一氧化硅粉末的小瓷舟水平放置于氧化铝管中间,然后将该管放在高温管式炉中,抽真空在20-50Pa,然后将温度900-1000℃并分别保温60-80min,之后升温到1300-1400℃保温4-6h;之后以10-15℃/min的速率降温到500-600℃并保温30-40min,同时以60sccm鼓入空气到炉腔,自然冷却至室温,得到硅纳米线,备用;
将硅烷偶联剂加入到去离子水,并用醋酸调节pH至3.5,在室温下搅拌30-50min,之后加入所述硅纳米线,在85-95℃回流反应15-20h,抽滤、洗涤、干燥,得到偶联后的硅纳米线复合物;
将得到的偶联后的硅纳米线复合物、纳米活性炭加入到去离子水,用超声波在45℃、150W的条件下混匀30-50min,室温下静止老化30-40h,用去离子水清洗多次至流出液呈中性,120-150℃烘干15-20h至恒重,再350-400℃焙烧3-5小时,冷却、干燥,制得活性炭负载硅纳米线,球磨粉碎得到活性炭负载硅纳米材料导电填料;
(3)按照如下重量份配料:
高分子聚合物 42-51份
上述活性炭负载硅纳米材料导电填料 2-3.5份
上述镍基电阻材料 22-27份;
(4)按上述配料混合均匀;然后挤出造粒,得到粒料;将所述粒料进行热压复合即可得到NTC热敏电阻材料。
优选的,所述高分子聚合物为高密度聚乙烯、聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯、聚偏氯乙烯中的至少一种。
具体实施方式
实施例一
按分子式Ni0.99Zn0.01O0.995Cl0.005进行配料,初始原材料选自碱式碳酸镍、氯化铵和醋酸锌。
将上称取的原材料分别溶解,碱式碳酸镍溶于稀硝酸,然后滴加氨水调节pH值至8-9;氯化铵和醋酸锌分别溶于去离子水;将的溶解后的三种溶液混合在一起,并利用磁力搅拌加热器搅拌混合均匀、加热干燥;将上一步骤制得的粉末进行煅烧,温度为880℃,保温4小时,得到镍基电阻材料。
将装有纳米一氧化硅粉末的小瓷舟水平放置于氧化铝管中间,然后将该管放在高温管式炉中,抽真空在20Pa,然后将温度900℃并分别保温60min,之后升温到1300℃保温4h;之后以10℃/min的速率降温到500℃并保温30min,同时以60sccm鼓入空气到炉腔,自然冷却至室温,得到硅纳米线,备用。
将硅烷偶联剂加入到去离子水,并用醋酸调节pH至3.5,在室温下搅拌30min,之后加入所述硅纳米线,在85℃回流反应15-20h,抽滤、洗涤、干燥,得到偶联后的硅纳米线复合物。
将得到的偶联后的硅纳米线复合物、纳米活性炭加入到去离子水,用超声波在45℃、150W的条件下混匀30min,室温下静止老化30h,用去离子水清洗多次至流出液呈中性,120℃烘干15h至恒重,再350℃焙烧3小时,冷却、干燥,制得活性炭负载硅纳米线,球磨粉碎得到活性炭负载硅纳米材料导电填料。
按照如下重量份配料:
高分子聚合物 42份
上述活性炭负载硅纳米材料导电填料 2份
上述镍基电阻材料 22份。
优选的,所述高分子聚合物为高密度聚乙烯。
按上述配料混合均匀;然后挤出造粒,得到粒料;将所述粒料进行热压复合即可得到NTC热敏电阻材料。
实施例二
按分子式Ni0.97Zn0.03O0.99Cl0.01进行配料,初始原材料选自碱式碳酸镍、氯化铵和醋酸锌;将初始原料按Ni0.97Zn0.03O0.99Cl0.01配料。
将上称取的原材料分别溶解,碱式碳酸镍溶于稀硝酸,然后滴加氨水调节pH值至8-9;氯化铵和醋酸锌分别溶于去离子水;将的溶解后的三种溶液混合在一起,并利用磁力搅拌加热器搅拌混合均匀、加热干燥;将上一步骤制得的粉末进行煅烧,温度为950℃,保温5小时,得到镍基电阻材料。
将装有纳米一氧化硅粉末的小瓷舟水平放置于氧化铝管中间,然后将该管放在高温管式炉中,抽真空在50Pa,然后将温度1000℃并分别保温80min,之后升温到1400℃保温6h;之后以15℃/min的速率降温到600℃并保温40min,同时以60sccm鼓入空气到炉腔,自然冷却至室温,得到硅纳米线,备用。
将硅烷偶联剂加入到去离子水,并用醋酸调节pH至3.5,在室温下搅拌50min,之后加入所述硅纳米线,在95℃回流反应20h,抽滤、洗涤、干燥,得到偶联后的硅纳米线复合物。
将得到的偶联后的硅纳米线复合物、纳米活性炭加入到去离子水,用超声波在45℃、150W的条件下混匀30-50min,室温下静止老化40h,用去离子水清洗多次至流出液呈中性,150℃烘干20h至恒重,再400℃焙烧5小时,冷却、干燥,制得活性炭负载硅纳米线,球磨粉碎得到活性炭负载硅纳米材料导电填料。
按照如下重量份配料:
高分子聚合物 51份
上述活性炭负载硅纳米材料导电填料 3.5份
上述镍基电阻材料 27份。
优选的,所述高分子聚合物为聚偏氯乙烯。
按上述配料混合均匀;然后挤出造粒,得到粒料;将所述粒料进行热压复合即可得到NTC热敏电阻材料。

Claims (2)

1.一种NTC热敏电阻材料的制备方法,该方法包括如下步骤:
(1)制备镍基电阻材料
按分子式Ni1-xZnxO1-yCly进行配料,其中x=0.01-0.03、y=0.005-0.01,初始原材料选自碱式碳酸镍、氯化铵和醋酸锌;
将初始原料按Ni1-xZnxO1-yCly配料,称取碱式碳酸镍、氯化铵和醋酸锌;
将上称取的原材料分别溶解,碱式碳酸镍溶于稀硝酸,然后滴加氨水调节pH值至8-9;氯化铵和醋酸锌分别溶于去离子水;
将的溶解后的三种溶液混合在一起,并利用磁力搅拌加热器搅拌混合均匀、加热干燥;
将上一步骤制得的粉末进行煅烧,温度为880-950℃,保温4-5小时,得到镍基电阻材料;
(2)制备活性炭负载硅纳米材料导电填料
将装有纳米一氧化硅粉末的小瓷舟水平放置于氧化铝管中间,然后将该管放在高温管式炉中,抽真空在20-50Pa,然后将温度900-1000℃并分别保温60-80min,之后升温到1300-1400℃保温4-6h;之后以10-15℃/min的速率降温到500-600℃并保温30-40min,同时以60sccm鼓入空气到炉腔,自然冷却至室温,得到硅纳米线,备用;
将硅烷偶联剂加入到去离子水,并用醋酸调节pH至3.5,在室温下搅拌30-50min,之后加入所述硅纳米线,在85-95℃回流反应15-20h,抽滤、洗涤、干燥,得到偶联后的硅纳米线复合物;
将得到的偶联后的硅纳米线复合物、纳米活性炭加入到去离子水,用超声波在45℃、150W的条件下混匀30-50min,室温下静止老化30-40h,用去离子水清洗多次至流出液呈中性,120-150℃烘干15-20h至恒重,再350-400℃焙烧3-5小时,冷却、干燥,制得活性炭负载硅纳米线,球磨粉碎得到活性炭负载硅纳米材料导电填料;
(3)按照如下重量份配料:
高分子聚合物 42-51份
上述活性炭负载硅纳米材料导电填料 2-3.5份
上述镍基电阻材料 22-27份;
(4)按上述配料混合均匀;然后挤出造粒,得到粒料;将所述粒料进行热压复合即可得到NTC热敏电阻材料。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述高分子聚合物为高密度聚乙烯、聚丙烯(PP)、聚偏氟乙烯、聚偏氯乙烯中的至少一种。
CN201711186123.9A 2017-11-23 2017-11-23 一种ntc热敏电阻材料的制备方法 Pending CN108002746A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711186123.9A CN108002746A (zh) 2017-11-23 2017-11-23 一种ntc热敏电阻材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711186123.9A CN108002746A (zh) 2017-11-23 2017-11-23 一种ntc热敏电阻材料的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108002746A true CN108002746A (zh) 2018-05-08

Family

ID=62053594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711186123.9A Pending CN108002746A (zh) 2017-11-23 2017-11-23 一种ntc热敏电阻材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108002746A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108863160A (zh) * 2018-07-06 2018-11-23 句容市博远电子有限公司 一种ntc镍基热敏电阻材料的制备方法
CN108899144A (zh) * 2018-07-06 2018-11-27 句容市博远电子有限公司 一种镍基热敏电阻材料的制备方法
CN108962519A (zh) * 2018-07-06 2018-12-07 句容市博远电子有限公司 一种高温热敏电阻材料的制备方法
WO2021068888A1 (zh) * 2019-10-09 2021-04-15 湖北中烟工业有限责任公司 一种Ni基复合材料发热体及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1555066A (zh) * 2003-12-23 2004-12-15 上海维安热电材料股份有限公司 一种热敏电阻器及其制造方法
US20090165289A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Deng Wen-How Method for fabricating negative temperature coefficient thermistor
CN101654530A (zh) * 2009-09-18 2010-02-24 清华大学 用于感温电缆的负温度系数高分子复合材料及制备方法
US8502638B1 (en) * 2012-02-03 2013-08-06 Polytronics Technology Corp. Thermistor
CN104252935A (zh) * 2013-06-25 2014-12-31 比亚迪股份有限公司 热敏电阻及其制备方法
CN104497394A (zh) * 2014-12-11 2015-04-08 郑州大学 具有负温度系数效应的聚合物基温敏电阻材料及其制备方法
CN105967656A (zh) * 2016-05-06 2016-09-28 中南大学 一种基于氧化镍的新型ntc热敏电阻材料
CN106158177A (zh) * 2016-07-07 2016-11-23 惠州市聚鼎电子有限公司 一种ptc高分子热敏电阻材料及其制备方法
CN106947242A (zh) * 2017-03-20 2017-07-14 苏州南尔材料科技有限公司 一种具有活性炭负载硅纳米线的高分子材料的制备方法
CN106957473A (zh) * 2017-03-31 2017-07-18 苏州南尔材料科技有限公司 一种复合电缆材料的制备方法
CN107200563A (zh) * 2017-06-28 2017-09-26 中南大学 Al‑Li优化的Ni\Zn氧化物负温度系数热敏电阻材料

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1555066A (zh) * 2003-12-23 2004-12-15 上海维安热电材料股份有限公司 一种热敏电阻器及其制造方法
US20090165289A1 (en) * 2007-12-26 2009-07-02 Deng Wen-How Method for fabricating negative temperature coefficient thermistor
CN101654530A (zh) * 2009-09-18 2010-02-24 清华大学 用于感温电缆的负温度系数高分子复合材料及制备方法
US8502638B1 (en) * 2012-02-03 2013-08-06 Polytronics Technology Corp. Thermistor
CN104252935A (zh) * 2013-06-25 2014-12-31 比亚迪股份有限公司 热敏电阻及其制备方法
CN104497394A (zh) * 2014-12-11 2015-04-08 郑州大学 具有负温度系数效应的聚合物基温敏电阻材料及其制备方法
CN105967656A (zh) * 2016-05-06 2016-09-28 中南大学 一种基于氧化镍的新型ntc热敏电阻材料
CN106158177A (zh) * 2016-07-07 2016-11-23 惠州市聚鼎电子有限公司 一种ptc高分子热敏电阻材料及其制备方法
CN106947242A (zh) * 2017-03-20 2017-07-14 苏州南尔材料科技有限公司 一种具有活性炭负载硅纳米线的高分子材料的制备方法
CN106957473A (zh) * 2017-03-31 2017-07-18 苏州南尔材料科技有限公司 一种复合电缆材料的制备方法
CN107200563A (zh) * 2017-06-28 2017-09-26 中南大学 Al‑Li优化的Ni\Zn氧化物负温度系数热敏电阻材料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王卫民等: "NTC热敏电阻材料组成及制备工艺研究进展", 《材料科学与工程学报》, vol. 23, no. 2, pages 286 - 289 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108863160A (zh) * 2018-07-06 2018-11-23 句容市博远电子有限公司 一种ntc镍基热敏电阻材料的制备方法
CN108899144A (zh) * 2018-07-06 2018-11-27 句容市博远电子有限公司 一种镍基热敏电阻材料的制备方法
CN108962519A (zh) * 2018-07-06 2018-12-07 句容市博远电子有限公司 一种高温热敏电阻材料的制备方法
CN108899144B (zh) * 2018-07-06 2020-06-05 句容市博远电子有限公司 一种镍基热敏电阻材料的制备方法
CN108863160B (zh) * 2018-07-06 2020-08-25 句容市博远电子有限公司 一种ntc镍基热敏电阻材料的制备方法
WO2021068888A1 (zh) * 2019-10-09 2021-04-15 湖北中烟工业有限责任公司 一种Ni基复合材料发热体及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108002746A (zh) 一种ntc热敏电阻材料的制备方法
CN104478428B (zh) 一种高电位梯度氧化锌压敏电阻材料
CN101318814B (zh) 负温度系数热敏粉体的制备方法-水热反应法
CN107226694B (zh) Ptcr陶瓷材料、制备方法及其应用
WO2008150026A1 (ja) 熱電変換素子及びその製造方法
CN101986405B (zh) 一种断路器用喷口的制造方法
CN102342869A (zh) 一种ptc自控温暖手器及制造方法
CN103787653A (zh) 一种碳改性CaCu3Ti4O12高介电材料的制备方法
CN104311004B (zh) Ptc陶瓷材料及提高ptc陶瓷材料居里点以下电阻温度稳定性的方法
JP5410245B2 (ja) 球状アルミナ粉末、その製造方法及び用途。
CN205106338U (zh) 一种饲料制粒机
CN110041080A (zh) 一种制备类球状六方氮化硼团聚颗粒的方法
CN109293354B (zh) 一种ptc陶瓷材料及其制备方法
CN102903925A (zh) 掺杂Mg的三元正极材料的制备方法
CN104466167B (zh) 制备锂离子电池正极材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2的方法
CN107758741B (zh) 一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法
CN104402038A (zh) 一种单分散纳米ZnO压敏陶瓷粉体的制备方法
CN106009685A (zh) 一种复合型ptc热敏电阻器发热材料
CN108383521A (zh) 一种BaTiO3陶瓷片的制备方法
CN107767993A (zh) 具有导电功能的薄膜及其制备方法
CN102664081A (zh) 一种三元系含碳化钛正温度系数热敏电阻器件的制造方法
CN111056836A (zh) 一种高Tc低阻无铅PTC材料的制备方法
CN100415414C (zh) 用于制备高精度热敏电阻的纳米粉体
CN109678215A (zh) 一种粒径小且均匀的四氧化三钴的制备方法
CN107680767A (zh) 一种碳硅掺杂热敏电阻的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180508