CN107887297B - 基板对齐装置及方法、基板处理装置及方法、基板排列装置及方法 - Google Patents
基板对齐装置及方法、基板处理装置及方法、基板排列装置及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107887297B CN107887297B CN201710813810.2A CN201710813810A CN107887297B CN 107887297 B CN107887297 B CN 107887297B CN 201710813810 A CN201710813810 A CN 201710813810A CN 107887297 B CN107887297 B CN 107887297B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrates
- substrate
- warp
- held
- notch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供基板对齐装置及方法、基板处理装置及方法、基板排列装置及方法。所述基板对齐装置的马达将下缘部以垂直姿势被基板保持部保持的预定的多张基板依次沿周向旋转。控制部基于就多张基板的翘曲状态输入的输入信息和翘曲‑切口位置信息控制马达,确定多张基板的切口在周向上的位置。由此,缩小被基板保持部保持的状态的各张基板的下缘部和上端之间的厚度方向的距离。结果,能够使多张被基板保持部保持的基板的操作变得容易。
Description
技术领域
本发明涉及使周缘部具有切口的多张基板对齐的技术。
背景技术
以往,在半导体基板(以下,简称为“基板”)的制造工序中,利用对基板实施各种处理的基板处理装置。例如,在日本特开2010-93230号公报(文献1)中,公开了对多张基板批量进行处理的批量式基板处理装置。在该基板处理装置中,由批量处理手部搬入以水平姿势沿厚度方向排列的多张基板。然后,利用姿势转换机构将多张基板的姿势批量转换为垂直姿势之后,批量交到推送器(pusher)。另外,在该基板处理装置中,设置有使被夹具保持为垂直姿势的多张基板的方向对齐的基板方向对齐机构。基板方向对齐机构使多张基板对齐,以使设置于各张基板的周缘部的切口的朝向(即,周向的位置)一致。
在日本特开2008-78544号公报(文献2)中,公开了基板对齐装置的结构的一个例子。在该基板对齐装置中,由驱动辊使垂直姿势的多张基板旋转,使各张基板的切口与沿多张基板的排列方向延伸的卡合轴卡合来使基板停止旋转,从而使多张基板对齐。
但是,在基板处理装置中被处理的基板存在因受到在搬入基板处理装置之前进行的处理的影响而翘曲的情况。翘曲的基板与没有翘曲的平坦的基板相比厚度方向的大小大。因此,在文献1的推送器等中,存在保持为垂直姿势的基板过度靠近或者接触相邻的基板的担忧。另外,上述的批量处理手部从下侧支撑水平姿势的基板的两侧部,当基板翘曲时难以稳定地支撑和搬运基板。
发明内容
本发明涉及基板对齐装置,以使多张被基板保持部保持的基板的操作变得容易为目的。本发明还涉及基板对齐方法。
本发明的一基板对齐装置使周缘部具有切口的多张基板对齐。该基板对齐装置包括:旋转部,其使下缘部以垂直姿势被基板保持部保持的预定的多张基板,依次或者同时沿周向旋转;存储部,其存储有翘曲-切口位置信息,上述翘曲-切口位置信息包括多张上述基板的翘曲状态和上述翘曲状态的基板被上述基板保持部保持时成为适当的姿势的切口位置的多个组合;以及控制部,其控制上述旋转部。上述控制部基于就多张上述基板的翘曲状态输入的输入信息和上述翘曲-切口位置信息控制上述旋转部,使多张上述基板依次或者同时沿上述周向旋转,确定多张上述基板的上述切口在上述周向上的位置,从而缩小被上述基板保持部保持的状态的多张上述基板中的各张上述基板的下缘部与上端之间的厚度方向的距离。根据该基板对齐装置,能够使多张被基板保持部保持的基板的操作变得容易。
本发明也同样适用于基板处理装置。该基板处理装置包括上述基板对齐装置;上述基板保持部,其保持被上述基板对齐装置对齐的多张上述基板;以及液处理部,贮存有浸渍被上述基板保持部保持的多张上述基板的处理液。本发明同样适用于基板处理方法。
本发明同样适用于基板排列装置。该基板排列装置包括:上述基板对齐装置;上述基板保持部,保持被上述基板对齐装置对齐的多张上述基板;以及基板排列机构,在被其他基板保持部保持的多张其他基板之间,分别配置被上述基板保持部保持的多张上述基板。本发明同样适用于基板排列方法。
本发明的其他基板对齐装置使周缘部具有切口的多张基板对齐。该基板对齐装置包括:旋转部,其使下表面以水平姿势被基板保持部支撑的预定的多张基板,依次或者同时沿周向旋转;存储部,其存储有翘曲-切口位置信息,上述翘曲-切口位置信息包括多张上述基板的翘曲状态和上述翘曲状态的基板被上述基板保持部保持时成为适当的姿势的切口位置的多个组合;以及控制部,其控制上述旋转部。上述控制部基于就多张上述基板的翘曲状态输入的输入信息和上述翘曲-切口位置信息控制上述旋转部,使多张上述基板依次或者同时沿上述周向旋转,确定多张上述基板的上述切口在上述周向上的位置,从而缩小被上述基板保持部保持的状态的多张上述基板中的各张上述基板的上端和上述周缘部中与上述基板保持部抵接的抵接部之间的厚度方向的距离。根据该基板对齐装置,能够使多张被基板保持部保持的基板的操作变得容易。
在上述的基板对齐装置中,例如,各张上述基板在第一径向上以第一曲率朝向上述厚度方向的一侧弯曲,各张上述基板在与上述第一径向正交的第二径向上,以大于上述第一曲率的第二曲率朝向上述厚度方向的上述一侧弯曲。
在上述的基板对齐装置中,例如,各张上述基板在第一径向上朝向上述厚度方向的一侧弯曲,各张上述基板在与上述第一径向正交的第二径向上朝向上述厚度方向的另一侧弯曲。
通过以下参照附图对本发明进行的详细说明,上述目的及其他目的、特征、方式及优点变得更加明确。
附图说明
图1是一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是表示基板处理装置的一部分的俯视图。
图3是表示基板处理装置的一部分的侧视图。
图4是基板的立体图。
图5是基板的立体图。
图6是表示对齐基板的流程的流程图。
图7是表示保持为垂直姿势的基板的图。
图8是表示姿势变更机构和推送器的移动的侧视图。
图9是表示姿势变更机构和推送器的移动的侧视图。
图10是表示基板浸渍于处理液的流程的流程图。
图11是表示批量组合的流程的流程图。
图12是表示批量处理手部和基板的俯视图。
图13是表示保持为水平姿势的基板的剖视图。
图14是表示保持为水平姿势的基板的剖视图。
附图标记说明
8:基板对齐机构;
9:基板;
10:基板处理装置;
21:第一药液槽;
22:第一冲洗液槽;
23:第二药液槽;
24:第二冲洗液槽;
27:第一升降机;
28:第二升降机;
41:批量处理手部;
52:垂直保持部;
61:升降保持部;
62:保持部升降机构;
81:马达;
93:切口;
100:控制部;
101:存储部;
S11~S13、S21、S22、S31、S32:步骤。
具体实施方式
图1是本发明一实施方式的基板处理装置10的俯视图。基板处理装置10在俯视时呈大致长方形。基板处理装置10是批量处理多张半导体基板9(以下,简称为“基板9”)的批量式基板处理装置。基板9是大致圆板状的基板。基板9在其周缘部具有表示结晶方向的切口93(参照图4和图5)。需要说明的是,切口93从基板9的外周缘的深度是约1mm。
基板处理装置10具有:FOUP(Front-Opening Unified Pod:前开式晶圆传送盒)保持部1、基板处理部2、主搬运机构3、搬入搬出机构4、姿势变更机构5、推送器6、交接机构7、基板对齐机构8、控制部100及存储部101。控制部100控制基板处理装置10的各个结构的动作等。控制部100是包括进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的ROM及存储各种信息的RAM等的一般的计算机***。FOUP保持部1配置于基板处理装置10的一个角部。FOUP保持部1保持FOUP95。FOUP95是以沿Z方向层叠的状态容纳水平姿势的多张(例如,25张)基板9的容纳器。
图1中的Z方向是与重力方向平行的方向,也称为上下方向。图1中的X方向是与Z方向垂直的方向。Y方向是与X方向和Z方向垂直的方向。基板9的水平姿势是指,基板9的主面的法线方向大致朝向Z方向的姿势。另外,后述的基板9的垂直姿势是指,基板9的主面的法线方向朝向与Z方向大致垂直的方向的姿势。在基板处理装置10中,多张基板9以水平姿势或垂直姿势,沿与基板9的主面大致垂直的方向层叠。换言之,水平姿势或垂直姿势的多张基板9沿基板9的厚度方向排列。
图2是放大表示基板处理装置10的-Y侧的部位的俯视图。图3是表示基板处理装置10的-Y侧的部位的侧视图。如图2所示,在基板处理装置10中,在FOUP保持部1的+Y侧配置有搬入搬出机构4,搬入搬出机构4与FOUP保持部1沿Y方向相对。另外,在搬入搬出机构4的+Y侧配置有基板对齐机构8。在图3中,省略了FOUP保持部1和基板对齐机构8的图示。
如图2和图3所示,在搬入搬出机构4的+X侧配置有姿势变更机构5。在姿势变更机构5的+X侧配置有推送器6。在推送器6的+X侧配置有交接机构7和主搬运机构3。在图3所示的状态下,主搬运机构3位于交接机构7的+Z侧(即,上方)。如图1所示,在主搬运机构3的+Y侧配置有基板处理部2。
基板处理部2具有:第一药液槽21、第一冲洗液槽22、第二药液槽23、第二冲洗液槽24、干燥处理部25、第一升降机27及第二升降机28。第一药液槽21、第一冲洗液槽22、第二药液槽23、第二冲洗液槽24及干燥处理部25沿Y方向从+Y侧到-Y侧依次排列。第一药液槽21和第二药液槽23分别贮留相同或不同的药液。第一冲洗液槽22和第二冲洗液槽24分别贮留冲洗液(例如,纯水)。
在基板处理装置10中进行对基板9的处理时,首先,准备以水平姿势容纳多张(例如,25张)基板9的FOUP95。然后,由图2和图3所示的搬入搬出机构4的单张手部42从容纳于FOUP95的多张(例如,25张)基板9中保持1张基板9,并从FOUP95搬出。单张手部42将1张基板9保持为水平姿势。搬入搬出机构4还包括批量保持以水平姿势沿Z方向排列的状态的多张基板9的批量处理手部41。
接着,单张手部42沿水平方向旋转,单张手部42朝向基板对齐机构8前进,从而1张基板9从搬入搬出机构4交到基板对齐机构8。基板对齐机构8将基板9沿周向旋转来改变周向的朝向,确定基板9的周向的位置。
基板对齐机构8具有:基板支撑部80、马达81及传感器82。基板支撑部80将水平姿势的基板9支撑为旋转自如。马达81是将基板9与基板支撑部80一起旋转的旋转部。传感器82光学性地检测被基板支撑部80支撑的基板9的切口93,从而获取旋转中的基板9的角度位置(即,基板9的周向的朝向)。在基板对齐机构8中,被基板支撑部80支撑的基板9利用马达81沿周向旋转,从而改变基板9的周向的朝向。然后,由传感器82检测旋转中的基板9的切口93,在检测后的规定的时机(即,从开始检测切口93经过规定时间后)马达81停止。需要说明的是,该规定时间可以是零。由此,在基板9的切口93位于规定位置的状态下,基板9停止旋转。即,在周向上进行基板9的切口93的对位。基板对齐机构8是变更基板9的切口93在周向上的位置的切口位置变更机构。
在基板对齐机构8确定基板9的周向的位置时,该基板9被单张手部42从基板对齐机构8搬出,并返回到FOUP保持部1上的FOUP95。以下同样地,从FOUP95取出下一张基板9,在基板对齐机构8中确定该基板9的周向的位置(即,在周向上进行切口93的对位),返回到FOUP95。对FOUP95内的所有基板9重复该动作,从而变更FOUP95内的多张基板9的周向的朝向,确定多张基板9的周向的位置。换言之,该多张基板9在周向上被对齐。
另外,在基板9的周向的位置的确定中,容纳于FOUP95的所有基板9的切口93可以位于周向的相同的位置,也可以位于周向的不同的位置。例如,将多张基板9的排列方向的奇数编号的各张基板9的切口93在周向上的位置设为第一规定位置,将该排列方向的偶数编号的各张基板9的切口93在周向上的位置设为与上述第一规定位置不同的第二规定位置。
当基板对齐机构8对多张基板9的对齐(即,切口93在周向上的对位)结束时,由搬入搬出机构4的批量处理手部41从FOUP95搬出多张基板9。接着,批量处理手部41沿水平方向旋转,朝向姿势变更机构5前进,从而多张基板9从搬入搬出机构4交到姿势变更机构5。姿势变更机构5由水平保持部51批量保持以水平姿势沿Z方向层叠的状态的多张基板9。姿势变更机构5由保持部旋转机构54将该多张基板9与水平保持部51、垂直保持部52及安装块53一起,以朝向Y方向的旋转轴541为中心,沿图3的逆时针方向旋转90度。由此,将多张基板9的姿势从水平姿势批量变更为垂直姿势。垂直姿势的多张基板9由垂直保持部52批量保持。
然后,升降保持部61由推送器6的保持部升降机构62驱动而上升,从图3中以双点划线表示的垂直保持部52接收多张基板9并保持。即,在垂直保持部52和推送器6之间进行垂直姿势的多张基板9的交接。升降保持部61批量保持以垂直姿势沿大致X方向排列的状态(即,层叠的状态)的多张基板9。当姿势变更机构5的水平保持部51和垂直保持部52沿图3的顺时针方向旋转90度,并从保持部升降机构62的上方退避时,升降保持部61以朝向Z方向的旋转轴63为中心水平旋转180度之后,利用保持部升降机构62下降。由此,多张基板9的层叠方向的位置相较旋转前仅移动基板9的间距的一半的距离(即,层叠方向上相邻2张基板9之间的距离的一半,以下,称为“半个间距”)。
然后,以与上述相同的顺序,容纳在FOUP95的新的多张(例如,25张)基板9由基板对齐机构8沿周向依次对齐之后,由搬入搬出机构4交到姿势变更机构5。在姿势变更机构5中,该新的多张基板9的姿势由水平姿势批量变更为垂直姿势。然后,推送器6的升降保持部61重新上升,从姿势变更机构5接收并保持该新的多张基板9。此时,已保持于升降保持部61的多张基板9(以下,称为“第一基板组”)从下方***新的多张基板9(以下,称为“第二基板组”)之间。这样,利用姿势变更机构5和推送器6进行将第一基板组和第二基板组组合来形成批量的批量组合。
如上所述,第一基板组的多张基板9(以下,也称为“第一基板9”)在***第二基板组之间之前已旋转180度(即,已反转)。因此,第一基板组的多个第一基板9在第二基板组的多张基板9(以下,也称为“第二基板9”)之间分别配置成与多个第二基板9表背相反的朝向。换言之,在保持于升降保持部61的多张(例如,50张)基板9中,相邻的每一对基板9是表面彼此或背面彼此相对的状态(即,面对面状态)。需要说明的是,例如,基板9的表面是指形成有电路图案的主面,基板9的背面是指与该表面相反一侧的主面。
在推送器6中,保持第一基板组的升降保持部61在接收第二基板组之前无需旋转180度,沿基板9的排列方向水平移动半个间距,也由此能够以相邻的每一对基板9的表面与背面相对的状态(即,面对背状态)进行批量组合。
在升降保持部61上批量组合的多张基板9从升降保持部61交到交接机构7的搬入夹具71。搬入夹具71将接收的多张基板9以垂直姿势保持的状态,从保持部升降机构62的上方朝向+X方向移动。接着,交接机构7的中介夹具72下降,从搬入夹具71接收多张基板9并上升。然后,主搬运机构3的基板夹具31从中介夹具72接收多张基板9。基板夹具31保持以垂直姿势沿X方向排列的多张基板9。
主搬运机构3将保持于基板夹具31的未处理的多张基板9向+Y方向搬运,使多张基板9位于图1所示的基板处理部2的第一升降机27的上方。第一升降机27从基板夹具31批量接收以垂直姿势沿X方向排列的多张基板9。第一升降机27使该多张基板9下降到第一药液槽21,使多张基板9批量浸渍在第一药液槽21内的药液中。然后,使多张基板9以规定时间浸渍在该药液中,从而结束多张基板9的药液处理。
接着,第一升降机27将多张基板9从第一药液槽21提起,向-Y方向移动。第一升降机27使多张基板9下降到第一冲洗液槽22,使多张基板9批量浸渍于第一冲洗液槽22内的冲洗液中。然后,使多张基板9以规定时间浸渍在该冲洗液中,从而结束多张基板9的冲洗处理。当冲洗处理结束时,第一升降机27将多张基板9从第一冲洗液槽22提起。主搬运机构3的基板夹具31从第一升降机27批量接收多张基板9,移动到第二升降机28的上方。
第二升降机28与第一升降机27同样地,从基板夹具31批量接收多张基板9,使多张基板9批量浸渍在第二药液槽23内的药液中。当多张基板9的药液处理结束时,第二升降机28将多张基板9从第二药液槽23提起,使多张基板9批量浸渍在第二冲洗液槽24内的冲洗液中。当多张基板9的冲洗处理结束时,第二升降机28将多张基板9从第二冲洗液槽24提起。主搬运机构3的基板夹具31从第二升降机28批量接收多张基板9,移动到干燥处理部25的上方。
干燥处理部25从基板夹具31批量接收多张基板9,对多张基板9进行批量干燥处理。在该干燥处理中,例如在减压环境气氛中向基板9供给有机溶剂(例如,异丙醇),通过旋转基板9,借助离心力去除基板9上的液体。当多张基板9的干燥处理结束时,主搬运机构3的基板夹具31从干燥处理部25批量接收已处理的多张基板9,向-Y方向移动。
接着,图2和图3所示的交接机构7的交付夹具73从主搬运机构3的基板夹具31批量接收多张基板9,向-X方向移动到位于推送器6的升降保持部61的上方的位置。推送器6的升降保持部61上升,从交付夹具73接收多张基板9。升降保持部61保持以垂直姿势沿X方向排列的多张(例如,50张)基板9。
接着,升降保持部61下降,在推送器6和垂直保持部52之间进行垂直姿势的多张基板9的交接。具体地说,该多张基板9中的第二基板组的多张(例如,25张)基板9交到图3中以双点划线表示的垂直保持部52。换言之,由第一基板组和第二基板组组成的批量被解除,第一基板组和第二基板组分离。姿势变更机构5的水平保持部51和垂直保持部52沿图3的顺时针方向旋转90度。由此,第二基板组的多张基板9的姿势由垂直姿势批量变更为水平姿势。该多张基板9由水平保持部51批量保持为以水平姿势沿Z方向层叠的状态。然后,搬入搬出机构4的批量处理手部41从水平保持部51接收多张基板9,并搬入到FOUP95。搬入了已处理的多张基板9的FOUP95被更换为新的FOUP95。
如上所述,在姿势变更机构5中第二基板组的多张基板9的姿势由垂直姿势变更为水平姿势时,保持第一基板组的多张(例如,25张)基板9的升降保持部61上升。另外,将第二基板组的多张基板9交到搬入搬出机构4的水平保持部51和垂直保持部52,沿图3的逆时针方向旋转90度。
然后,升降保持部61再次下降,在推送器6和垂直保持部52之间进行垂直姿势的多张基板9的交接。具体地说,第一基板组的多张基板9交到图3中以双点划线表示的垂直保持部52。水平保持部51和垂直保持部52沿图3的顺时针方向再次旋转90度。由此,第一基板组的多张基板9的姿势由垂直姿势批量变更为水平姿势。该多张基板9由水平保持部51批量保持为水平姿势沿Z方向层叠的状态。然后,搬入搬出机构4的批量处理手部41从水平保持部51接收多张基板9,搬入到FOUP95。需要说明的是,从推送器6向姿势变更机构5移动基板9的过程中,也可以由姿势变更机构5先接收第一基板组,由姿势变更机构5后接收第二基板组。
如上所述,姿势变更机构5和推送器6由控制部100控制,从而将基板9的姿势由水平姿势变更为垂直姿势,并且,由垂直姿势变更为水平姿势。换言之,姿势变更机构5、推送器6及控制部100是将基板9的姿势由水平姿势和垂直姿势中的一种姿势变更为另一种姿势的姿势变更装置。
如上所述,在图1至图3所示的基板处理装置10中,对大致圆板状的基板9进行了处理,有时存在基板9因受到搬入基板处理装置10之前进行的处理(即,前处理)的影响而翘曲的情况。基板9的翘曲存在各种类型,但在容纳于一个FOUP95中的多张基板9中,通常多张基板9的翘曲状态是相同的。具体地说,在该多张基板9中,以切口93的位置为基准时的翘曲状态是相同的。基板9的翘曲状态是指,包括基板9翘曲的朝向(例如,向表面侧凸出的朝向)、基板9翘曲的大小等信息。
图4和图5是表示具有不同的翘曲状态的基板9的例子的立体图。图4所示的基板9在第一径向K1以第一曲率向厚度方向的一侧(即,图中向上凸出的方向)弯曲。图4的基板9在与第一径向K1正交的第二径向K2以大于第一曲率的第二曲率朝向厚度方向的上述一侧(即,与第一径向K1的弯曲方向相同的方向)弯曲。
图5所示的基板9在第一径向K3向厚度方向的一侧(即,图中向上凸出的方向)弯曲。第一径向K3可以不是与图4中所示的第一径向K1相同的方向。图5的基板9在与第一径向K3正交的第二径向K4向厚度方向的另一侧(即,与第一径向K3的弯曲方向相反的方向)弯曲。
在以下说明中,将图4和图5所示的基板9的翘曲状态还分别称为“第一翘曲状态”和“第二翘曲状态”。另外,将翘曲的基板9呈水平姿势时的厚度方向上的最低点和最高点之间的厚度方向的距离称为基板9的“厚度方向的大小”。在该基板9保持为垂直姿势的情况下,基板9的厚度方向的大小是位于基板9的厚度方向的最一侧的点和位于最另一侧的点之间的厚度方向的距离。在基板9未翘曲且平坦的情况下,基板9的厚度方向的大小与基板9的厚度相同。例如,翘曲的基板9的厚度方向的大小相比基板9平坦时的厚度大约0.5mm。
接着,参照图6的流程图说明由基板对齐机构8对齐基板9的流程。在图1所示的基板处理装置10中,首先,在向基板对齐机构8依次搬入多张基板9之前,预先输入“翘曲-切口位置信息”并存储于存储部101(步骤S11)。翘曲-切口位置信息包括多张基板9共同的翘曲状态和保持该翘曲状态的基板9时成为适当的姿势的切口位置的多个组合。该切口位置是基板9的周向的切口93的位置。切口位置例如在垂直姿势的基板9中将切口93位于最上端的状态作为基准位置(即,切口位置是0°的位置)。然后,在切口93从基准位置沿周向离开时,从表面侧观察基板9时的基准位置和切口93之间的顺时针方向的角度称为切口位置。
包括于翘曲-切口位置信息的翘曲状态和切口位置的组合,例如是表示图4或图5所示的基板9的翘曲状态的符号(数字或标记等)和表示切口位置的角度的组合。该切口位置例如是在图4或图5所示的翘曲状态的基板9由升降保持部61以垂直姿势保持下缘部的状态下,基板9的该下缘部和上端之间的厚度方向的距离成为最小(即,基板9相对上下方向的倾斜成为最小)的切口93的位置。另外,包括于翘曲-切口位置信息的上述组合的切口位置,例如是图4或图5所示的翘曲状态的基板9在由第一升降机27或第二升降机28以垂直姿势保持下缘部的状态下,基板9的该下缘部和上端之间的厚度方向的距离成为最小的切口93的位置。
图7是表示图4所示的翘曲状态的基板9由升降保持部61以垂直姿势保持下缘部的状态的侧视图。在图4所示的基板9中,切口93位于第二径向K2上。图7是假设切口位置都不相同的3张基板9同时由升降保持部61保持的情况的图。图7中的最左侧的基板9表示切口93位于基准位置的状态(即,切口位置是0°的状态)。图7中的中央的基板9表示切口位置是45°的状态。图7中的最右侧的基板9表示切口位置是90°的状态。
图7所示的例子中,切口位置是45°的情况下,垂直姿势的基板9沿上下方向(即,Z方向)保持为大致平行,保持的基板9的下缘部和上端之间的厚度方向的距离D1最小。另外,切口位置是90°的情况的距离D1仅比切口位置是45°的情况的距离D1小,切口位置是0°的情况的距离D1最大。翘曲-切口位置信息包括例如图4所示的表示基板9的翘曲状态的符号和切口位置45°的组合。需要说明的是,包括于翘曲-切口位置信息的该组合的切口位置不一定是距离D1成为最小的切口93的位置,只要是与切口93位于其他位置的情况相比距离D1变小的位置即可。因此,翘曲-切口位置信息也可以包括图4所示的表示基板9的翘曲状态的符号和切口位置90°的组合。
在图1所示的基板处理装置10中,步骤S11之后,输入向基板处理装置10搬入的多张基板9共同的翘曲状态,作为翘曲状态相关的输入信息存储于存储部101。该输入信息是例如表示多张基板9的翘曲状态的符号。
接着,通过由控制部100(参照图1)上述那样地控制搬出入机构4的单张手部42,容纳于FOUP保持部1上的FOUP95的第1张基板9搬入到基板对齐机构8,在基板对齐机构8中该基板9(步骤S12)开始旋转。接着,控制部100基于由传感器82检测的切口93的位置和上述的输入信息以及翘曲-切口位置信息控制马达81。由此,基板9的切口93在周向上的位置变更而确定于期望的位置。
具体地说,由控制部100从包括于翘曲-切口位置信息的多个上述组合抽取与输入信息表示的基板9的翘曲状态对应的切口位置。然后,基板9旋转直到基板9的切口93的位置与抽取的切口位置一致。当切口93的位置与该切口位置一致时,基板9停止旋转,确定基板9的切口93在周向上的位置(步骤S13)。切口93的位置确定的基板9由单张手部42返回到FOUP保持部1上的FOUP95。通过对容纳于FOUP保持部1上的FOUP95的所有的基板9重复执行上述的步骤S12、S13的处理,容纳于该FOUP95的所有的基板9以各张基板9的切口93的位置与由控制部100抽取的切口位置一致的状态,依次对齐。在基板处理装置10中,基板对齐机构8、存储部101及控制部100是使周缘部具有切口93的多张基板9对齐的基板对齐装置。另外,也可以将FOUP95和搬出入机构4看作包括于该基板对齐装置。
利用该基板对齐装置对齐的多张基板9经由上述的姿势变更部,以水平姿势交到图1所示的搬出入机构4。多张基板9从搬出入机构4交到姿势变更机构5。如上所述,在姿势变更机构5中,多张基板9的姿势从水平姿势批量变更为垂直姿势。然后,垂直姿势的多张基板9从姿势变更机构5交到推送器6,由推送器6的升降保持部61保持。另外,如上所述,在姿势变更机构5和推送器6中,利用保持第一基板组的升降保持部61,进行接收由姿势变更机构5保持的第二基板组的批量组合。
图8和图9是表示批量组合时的姿势变更机构5和推送器6的移动的侧视图。在图8和图9中,为了便于理解,将多张基板9的张数绘制的比实际更少。在图8所示的状态中,从姿势变更机构5已交到推送器6的多张基板9(即,第一基板组的多个第一基板9),由基板保持部即升降保持部61保持为垂直姿势。另外,多张其他基板9(即,第二基板组的多个第二基板9)由其他基板保持部即垂直保持部52保持为垂直姿势。多个第一基板9和多个第二基板9在被姿势变更机构5和推送器6保持之前,利用上述的基板对齐装置对齐。
在基板处理装置10中,通过由控制部100(参照图1)控制保持部升降机构62(参照图3),升降保持部61向上方移动。升降保持部61经过垂直保持部52的一对垂直支撑构件521和水平保持部51的一对水平支撑构件511之间上升时,从垂直保持部52接收垂直姿势的多张基板9,如图9所示那样地保持。由此,进行上述的批量组合,由推送器6的升降保持部61保持第一基板组和第二基板组。该批量组合时,第一基板组从下方***第二基板组之间,第一基板组的多个第一基板9分别配置于第二基板组的多个第二基板9之间。在基板处理装置10中,使升降保持部61上升的保持部升降机构62是在多个第二基板9之间分别配置多个第一基板9的基板排列机构。另外,上述的基板对齐装置、升降保持部61及保持部升降机构62是排列多张基板9的基板排列装置。
如上所述,由升降保持部61保持的多个第一基板9利用上述的基板对齐装置预先对齐成基板9的下缘部和上端之间的厚度方向的距离D1(参照图7)变小。因此,进行批量组合时,防止或抑制多个第一基板9与由垂直保持部52保持的多个第二基板9接触。另外,还防止或抑制多个第一基板9与垂直保持部52和水平保持部51接触。
而且,由垂直保持部52保持的多个第二基板9也利用基板对齐装置预先对齐成基板9的下缘部和上端之间的厚度方向的距离D1变小。因此,进行批量组合时,更加适当地防止或进一步抑制多个第一基板9与多个第二基板9接触。另外,如果能够防止或抑制多个第一基板9与多个第二基板9接触,则多个第二基板9无需由基板对齐装置对齐,就可以由姿势变更机构5保持。
由上述基板排列装置批量组合的多张基板9(即,第一基板组和第二基板组),经由图1所示的交接机构7和主搬运机构3搬运到基板处理部2。如上所述,在基板处理部2中,使由第一升降机27保持为垂直姿势的多张基板9浸渍于在第一药液槽21中贮留的处理液即药液,浸渍于在第一冲洗液槽22中贮留的处理液即冲洗液。另外,使由第二升降机28保持为垂直姿势的多张基板9浸渍于在第二药液槽23中贮留的处理液即药液,浸渍于在第二冲洗液槽24中贮留的处理液即冲洗液。
在基板处理装置10中,第一升降机27和第二升降机28是将由上述的基板对齐装置对齐的多张基板9保持为垂直姿势的基板保持部。另外,第一药液槽21、第一冲洗液槽22、第二药液槽23及第二冲洗液槽24是贮留浸渍由该基板保持部(即,第一升降机27或第二升降机28)保持的多张基板9的处理液的液处理部。
如上所述,由第一升降机27保持的多张基板9利用基板对齐装置预先对齐成基板9的下缘部和上端之间的厚度方向的距离D1(参照图7)变小。因此,在第一药液槽21和第一冲洗液槽22,能够使存在于相邻的基板9之间的处理液的量和相邻的基板9之间的处理液的移动等,接近各张基板9没有翘曲的情况。换言之,能够使第一药液槽21和第一冲洗液槽22的处理状态,接近设计上的处理状态。结果,在第一药液槽21和第一冲洗液槽22,用处理液对多张基板9适宜地实施处理。
另外,由于第二升降机28也保持有预先对齐的多张基板9,因此在第二药液槽23和第二冲洗液槽24,能够使存在于相邻的基板9之间的处理液的量及相邻的基板9之间的处理液的移动等,接近各张基板9没有翘曲的情况。换言之,能够使第二药液槽23和第二冲洗液槽24的处理状态,接近设计上的处理状态。结果,在第二药液槽23和第二冲洗液槽24,也用处理液对多张基板9适宜地实施处理。
在以上说明过的那样,上述的基板对齐装置包括马达81、存储部101及控制部100。马达81是使由基板保持部(例如,升降保持部61、第一升降机27或第二升降机28)以垂直姿势保持下缘部的预定的多张基板9,依次沿周向旋转的旋转部。存储部101存储有翘曲-切口位置信息。翘曲-切口位置信息包括多张基板9的翘曲状态和由上述基板保持部保持该翘曲状态的基板9时成为适当的姿势的切口位置的多个组合。控制部100控制马达81。
控制部100基于就多张基板9的翘曲状态进行输入的输入信息及翘曲-切口位置信息控制马达81,使该多张基板9依次沿周向旋转,确定多张基板9的切口93在周向上的位置。由此,由上述基板保持部保持的状态的各张基板9的下缘部和上端之间的厚度方向的距离D1变小。换言之,被基板保持部保持的状态的各张基板9的倾斜变小。结果,能够使对由该基板保持部保持的多张基板9的操作(例如,多张基板9的保持、搬运、交接或处理液的处理)变得容易。
如上所述,基板处理装置10包括上述基板对齐装置、基板保持部(例如,第一升降机27或第二升降机28)及液处理部(例如,第一药液槽21、第一冲洗液槽22、第二药液槽23或第二冲洗液槽24)。该基板保持部保持由基板对齐装置对齐的多张基板9。液处理部中贮留有使由该基板保持部保持的多张基板9浸渍的处理液。在基板处理装置10中,由于能够将由基板保持部保持的各张基板9的上述距离D1变小(即,能够将各张基板9的倾斜变小),因此能够使存在于相邻的基板9之间的处理液的量和相邻的基板9之间的处理液的移动等,接近各张基板9没有翘曲的情况。结果,能够用处理液对多张基板9适宜地实施处理。
当关注基板9浸渍于处理液时,作为对基板9的处理的流程,在用图6所示的步骤S11~S13的基板对齐方法对齐多张基板9之后,进行图10所示的步骤S21、S22。具体地说,将利用该基板对齐方法对齐的多张基板9由基板保持部(例如,第一升降机27或第二升降机28)保持(步骤S21)。然后,使由该基板保持部保持的多张基板9浸渍于处理液(步骤S22)。由此,如上所述,能够用处理液对多张基板9适宜地实施处理。
上述的基板排列装置包括上述基板对齐装置、基板保持部即升降保持部61及基板排列机构即保持部升降机构62。升降保持部61保持由基板对齐装置对齐的多张基板9。保持部升降机构62在由其他基板保持部即垂直保持部52保持的多张其他基板9之间,分别配置由升降保持部61保持的多张基板9。
如上所述,在基板排列装置中,由于能够使由升降保持部61保持的各张基板9的上述距离D1变小(即,能够使各张基板9的倾斜变小),因此进行批量组合时,能够防止或抑制由升降保持部61保持的多张基板9与由垂直保持部52保持的多张其他基板9接触。另外,进行批量组合时,还能够防止或抑制由升降保持部61保持的多张基板9与垂直保持部52和水平保持部51等接触。结果,能够适当地进行多张基板9的批量组合。能够防止或抑制基板9彼此的接触的该基板排列装置,特别适合于由基板保持部以相邻的基板9的倾斜成为相反的面对面状态保持多张基板9的情况。
当关注基板9的排列动作时,作为对基板9的处理的流程,在利用图6所示的步骤S11~S13的基板对齐方法对齐多张基板9之后,进行图11所示的步骤S31、S32。具体地说,将利用该基板对齐方法对齐的多张基板9由基板保持部即升降保持部61保持(步骤S31)。接着,在由其他基板保持部即垂直保持部52保持的多张其他基板9之间,分别配置由升降保持部61保持的多张基板9(步骤S32)。由此,如上所述,能够适当地进行多张基板9的批量组合。
在基板处理装置10中,存储于存储部101的上述翘曲-切口位置信息,包括翘曲状态和切口位置的上述以外的各种组合。例如,包括于翘曲-切口位置信息的上述组合的切口位置也可以是,图4或图5所示的翘曲状态的基板9在由基板保持部即批量处理手部41(参照图1)保持为水平姿势的状态下,使基板9的上端和基板9的周缘部中的与批量处理手部41抵接的抵接部之间的厚度方向的距离成为最小的切口93的位置。
图12是表示由批量处理手部41保持为水平姿势的基板9的俯视图。在图12中,表示水平姿势的1张基板9和从下侧支撑该基板9的下表面的批量处理手部41的两个手部构件43。各个手部构件43是沿大致X方向延伸的构件。具体地说,各个手部构件43是俯视时大致带状的板状构件。两个手部构件43配置成沿Y方向排列。
水平姿势的基板9的切口位置例如图12所示,将切口93位于从两个手部构件43向+Y侧离开最远的位置的状态为基准位置(即,切口位置是0°的位置)。然后,切口93从基准位置沿周向离开的情况下,将从上侧(即,+Z侧)观察基板9时基准位置和切口93之间的逆时针方向的角度称为切口位置。
图13和图14是表示图4所示的翘曲状态的基板9由批量处理手部41从下侧支撑为水平姿势的状态的剖视图。图13和图14分别表示图12中的XIII-XIII位置的剖面和XIV-XIV位置的剖面。图13和图14是假定由批量处理手部41同时保持切口位置都不相同的3张基板9的情况的图。图13和图14中的最上侧的基板9呈切口93位于基准位置的状态(即,切口位置是0°的状态)。图13和图14中的中央的基板9呈切口位置是45°的状态。图13和图14中的最下侧的基板9呈切口位置是90°的状态。
在图13和图14所示的例子中,切口位置是90°的情况下,水平姿势的基板9的上端和基板9的周缘部中的与批量处理手部41抵接的抵接部之间的厚度方向的距离D2最小。另外,切口位置是0°的情况的距离D2仅比切口位置是90°的情况的距离D2小,切口位置是45°的情况的距离D2最大。由于在切口位置是45°的情况下,基板9与手部构件43的抵接部的数量变得少于其他切口位置的情况,因此在由搬出入机构4搬运时等不容易稳定地保持基板9。
翘曲-切口位置信息例如包括表示图4所示的基板9的翘曲状态的符号和切口位置90°的组合。另外,包括于翘曲-切口位置信息的该组合的切口位置不一定是距离D2成为最小的切口93的位置,只要是与切口93位于其他位置的情况相比距离D2变小的位置即可。因此,翘曲-切口位置信息也可以包括表示图4所示的基板9的翘曲状态的符号和切口位置0°的组合。
在以上说明过的那样,在上述的基板对齐装置中,马达81将由基板保持部(例如,批量处理手部41)以水平姿势支撑下表面的预定的多张基板9,依次沿周向旋转。然后,通过控制部100基于就多张基板9的翘曲状态输入的输入信息和翘曲-切口位置信息控制马达81,确定多张基板9的切口93在周向上的位置,使由上述基板保持部保持的状态的各张基板9的上端和基板9的周缘部中的与基板保持部抵接的抵接部之间的厚度方向的距离D2变小。结果,能够使由该基板保持部保持的多张基板9的操作(例如,多张基板9的保持、搬运或交接)变得容易。另外,通过使各张基板9的距离D2变小,在由计数部对由该基板保持部保持的多张基板9计数的情况下,能够高精度地获取多张基板9的数量。
在上述的基板对齐装置、基板排列装置及基板处理装置10中可以进行各种变更。
只要基板对齐机构8是使周缘部具有切口93的多张基板9对齐的机构,就可以是具有各种结构的装置。例如,基板对齐机构8可以是使多张基板9同时沿周向旋转,分别确定多张基板9的切口93在周向上的位置的机构。即,基板对齐机构8的马达81是使多张基板9依次或者同时沿周向旋转的旋转部。在任何情况下,与上述同样地,都能够使多张被基板保持部保持的基板9的操作变得容易。另外,基板对齐机构8也可以是使垂直姿势的基板9依次或者同时沿周向旋转来变更周向的朝向的机构。或者,在基板对齐机构8中,通过使基板9的切口93与规定的卡合轴卡合,来使基板9停止旋转。
保持利用上述基板对齐装置对齐的多张基板9的基板保持部并不限定于推送器6的升降保持部61、基板处理部2的第一升降机27和第二升降机28以及搬出入机构4的批量处理手部41,也可以是基板处理装置10的其他部位。
上述基板对齐装置不一定包含于基板处理装置10,也可以从基板处理装置10分离出来独立设置于基板处理装置10的外部。在该情况下,基板对齐装置的控制部100和存储部101也可以与基板处理装置10的控制部和存储部分开独立地设置。利用基板对齐装置对齐的多张基板9例如容纳于FOUP95,被搬入到基板处理装置10来被实施处理。上述基板排列装置也与基板对齐装置同样地,也可以设置于基板处理装置10的外部。在该情况下,基板排列装置的控制部100和存储部101也可以与基板处理装置10的控制部和存储部分开独立地设置。基板对齐装置和基板排列装置也可以组装到上述基板处理装置10以外的各种装置来使用。
基板处理装置10除应用于半导体基板的处理之外,也可以应用于在液晶显示装置、等离子显示屏、场致发射显示器(FED:field emission display)等显示装置中使用的玻璃基板的处理。或者,基板处理装置10还可以应用于在光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等的处理。
上述实施方式和各个变形例的构成只要不相互矛盾就可以适当地进行组合。
以上,详细地描述并说明了发明,但所述的说明只是用于例示的,而不是用于限定的。因此,只要不脱离本发明的范围就可以进行多种变形和方式。
Claims (12)
1.一种基板对齐装置,其使周缘部具有切口的多张基板对齐,其中,包括:
旋转部,使下缘部以垂直姿势被基板保持部保持的预定的多张基板,依次或者同时沿周向旋转;
存储部,存储有翘曲-切口位置信息,上述翘曲-切口位置信息包括多张上述基板的翘曲状态和上述翘曲状态的基板被上述基板保持部保持时成为适当的姿势的切口位置的多个组合;以及
控制部,控制上述旋转部;
上述控制部基于就多张上述基板的翘曲状态输入的输入信息和上述翘曲-切口位置信息控制上述旋转部,使多张上述基板依次或者同时沿上述周向旋转,确定多张上述基板的上述切口在上述周向上的位置,从而缩小被上述基板保持部保持的状态的多张上述基板中的各张上述基板的下缘部与上端之间的厚度方向的距离。
2.根据权利要求1所述的基板对齐装置,其中,
各张上述基板在第一径向上以第一曲率朝向上述厚度方向的一侧弯曲,
各张上述基板在与上述第一径向正交的第二径向上,以大于上述第一曲率的第二曲率朝向上述厚度方向的上述一侧弯曲。
3.根据权利要求1所述的基板对齐装置,其中,
各张上述基板在第一径向上朝向上述厚度方向的一侧弯曲,
各张上述基板在与上述第一径向正交的第二径向上朝向上述厚度方向的另一侧弯曲。
4.一种基板处理装置,其中,包括:
权利要求1至3中任一项所述的基板对齐装置;
上述基板保持部,保持被上述基板对齐装置对齐的多张上述基板;以及
液处理部,贮存有浸渍被上述基板保持部保持的多张上述基板的处理液。
5.一种基板排列装置,其中,包括:
权利要求1至3中任一项所述的基板对齐装置;
上述基板保持部,保持被上述基板对齐装置对齐的多张上述基板;以及
基板排列机构,在被其他基板保持部保持的多张其他基板之间,分别配置被上述基板保持部保持的多张上述基板。
6.一种基板对齐装置,其使周缘部具有切口的多张基板对齐,其中,包括:
旋转部,使下表面以水平姿势被基板保持部支撑的预定的多张基板,依次或者同时沿周向旋转;
存储部,存储有翘曲-切口位置信息,上述翘曲-切口位置信息包括多张上述基板的翘曲状态和上述翘曲状态的基板被上述基板保持部保持时成为适当的姿势的切口位置的多个组合;以及
控制部,控制上述旋转部;
上述控制部基于就多张上述基板的翘曲状态输入的输入信息和上述翘曲-切口位置信息控制上述旋转部,使多张上述基板依次或者同时沿上述周向旋转,确定多张上述基板的上述切口在上述周向上的位置,从而缩小被上述基板保持部保持的状态的多张上述基板中的各张上述基板的上端和上述周缘部中与上述基板保持部抵接的抵接部之间的厚度方向的距离。
7.根据权利要求6所述的基板对齐装置,其中,
各张上述基板在第一径向上以第一曲率朝向上述厚度方向的一侧弯曲,
各张上述基板在与上述第一径向正交的第二径向上,以大于上述第一曲率的第二曲率朝向上述厚度方向的上述一侧弯曲。
8.根据权利要求6所述的基板对齐装置,其中,
各张上述基板在第一径向上朝向上述厚度方向的一侧弯曲,
各张上述基板在与上述第一径向正交的第二径向上朝向上述厚度方向的另一侧弯曲。
9.一种基板对齐方法,其使周缘部具有切口的多张基板对齐,其中,包括:
a)存储翘曲-切口位置信息的工序,上述翘曲-切口位置信息包括下缘部以垂直姿势被基板保持部保持的预定的多张基板的翘曲状态和上述翘曲状态的基板被上述基板保持部保持时成为适当的姿势的切口位置的多个组合;
b)使多张上述基板依次或者同时沿周向旋转的工序;以及
c)在上述b)工序之后,依次或者同时确定对齐后的多张上述基板的切口在上述周向上的位置的工序;
在上述c)工序中,基于就多张上述基板的翘曲状态输入的输入信息和上述翘曲-切口位置信息,确定各张上述基板的上述切口在上述周向上的位置,从而缩小被上述基板保持部保持的状态的多张上述基板中的各张上述基板的下缘部与上端之间的厚度方向的距离。
10.一种基板处理方法,其中,包括:
利用权利要求9所述的基板对齐方法使多张上述基板对齐的工序;
利用上述基板保持部保持利用上述基板对齐方法对齐的多张上述基板的工序;以及
将利用上述基板保持部保持的多张上述基板浸渍于处理液的工序。
11.一种基板排列方法,其中,包括:
利用权利要求9所述的基板对齐方法使多张上述基板对齐的工序;
利用上述基板保持部保持利用上述基板对齐方法对齐的多张上述基板的工序;以及
在被其他基板保持部保持的多张其他基板之间,分别配置被上述基板保持部保持的多张上述基板的工序。
12.一种基板对齐方法,其使周缘部具有切口的多张基板对齐,其中,包括:
a)存储翘曲-切口位置信息的工序,上述翘曲-切口位置信息包括下表面以水平姿势被基板保持部支撑的预定的多张基板的翘曲状态和上述翘曲状态的基板被上述基板保持部保持时成为适当的姿势的切口位置的多个组合;
b)使多张上述基板依次或者同时沿周向旋转的工序;以及
c)在上述b)工序之后,依次或者同时确定对齐后的多张上述基板的切口在上述周向上的位置的工序;
在上述c)工序中,基于就多张上述基板的翘曲状态输入的输入信息和上述翘曲-切口位置信息,确定多张上述基板的上述切口在上述周向上的位置,从而缩小被上述基板保持部保持的状态的多张上述基板中的各张上述基板的上端和上述周缘部中与上述基板保持部抵接的抵接部之间的厚度方向的距离。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016190860A JP6685213B2 (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 基板整列装置、基板処理装置、基板配列装置、基板整列方法、基板処理方法および基板配列方法 |
JP2016-190860 | 2016-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107887297A CN107887297A (zh) | 2018-04-06 |
CN107887297B true CN107887297B (zh) | 2021-08-10 |
Family
ID=61685699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710813810.2A Active CN107887297B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-11 | 基板对齐装置及方法、基板处理装置及方法、基板排列装置及方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10229848B2 (zh) |
JP (1) | JP6685213B2 (zh) |
KR (1) | KR101999439B1 (zh) |
CN (1) | CN107887297B (zh) |
TW (1) | TWI637457B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6688714B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板配列装置および基板配列方法 |
JP6862163B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2021-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6751735B2 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-09-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7466996B2 (ja) | 2020-06-01 | 2024-04-15 | 株式会社ディスコ | 被加工物の搬送方法 |
JP2024044508A (ja) * | 2022-09-21 | 2024-04-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2024046370A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2024047292A (ja) * | 2022-09-26 | 2024-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04290455A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハのプリアライメント方式 |
CN1405839A (zh) * | 2001-08-08 | 2003-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 基板搬运装置、基板处理***及基板搬运方法 |
EP1487009A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-12-15 | Disco Corporation | Cassette for storing multiple sheets of semiconductor wafers |
JP2007123592A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム |
JP2010165998A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Rorze Corp | 円盤状物把持装置並びに搬送機、移載装置及び搬送方法。 |
CN101794721A (zh) * | 2009-01-08 | 2010-08-04 | 日东电工株式会社 | 半导体晶圆的定位装置 |
CN102738049A (zh) * | 2011-04-11 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板输送方法、基板输送装置和涂敷显影装置 |
CN102741993A (zh) * | 2009-12-16 | 2012-10-17 | 株式会社尼康 | 基板支承构件、基板搬送装置、基板搬送方法、曝光装置及元件制造方法 |
CN104992912A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-10-21 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5511005A (en) * | 1994-02-16 | 1996-04-23 | Ade Corporation | Wafer handling and processing system |
TW319751B (zh) * | 1995-05-18 | 1997-11-11 | Toshiba Co Ltd | |
JP2001127136A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Applied Materials Inc | 基板搬送ロボットの検査装置 |
US6591160B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-07-08 | Asyst Technologies, Inc. | Self teaching robot |
US8016541B2 (en) | 2003-09-10 | 2011-09-13 | Brooks Automation, Inc. | Substrate handling system for aligning and orienting substrates during a transfer operation |
US7453160B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-11-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Simplified wafer alignment |
US20060137726A1 (en) | 2004-12-24 | 2006-06-29 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
JP4451854B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法 |
JP2008078544A (ja) | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板整列装置 |
US7949425B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-05-24 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput wafer notch aligner |
JP4863985B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2012-01-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5290890B2 (ja) | 2008-09-12 | 2013-09-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR101181560B1 (ko) | 2008-09-12 | 2012-09-10 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 그것에 사용되는 기판반송장치 |
JP5226443B2 (ja) | 2008-09-22 | 2013-07-03 | 株式会社ウインズ | 半導体ウエーハ搬送用ハンド |
JP6208419B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2017-10-04 | 株式会社ダイヘン | 算出装置、搬送ロボットシステム、及び算出方法 |
US9886029B2 (en) | 2013-12-02 | 2018-02-06 | Daihen Corporation | Workpiece processing apparatus and workpiece transfer system |
JP6316082B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2018-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6432458B2 (ja) * | 2015-07-07 | 2018-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6509103B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2019-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
JP6723131B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-07-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板搬送装置および基板搬送方法 |
-
2016
- 2016-09-29 JP JP2016190860A patent/JP6685213B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-28 KR KR1020170108538A patent/KR101999439B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-01 US US15/693,708 patent/US10229848B2/en active Active
- 2017-09-08 TW TW106130822A patent/TWI637457B/zh active
- 2017-09-11 CN CN201710813810.2A patent/CN107887297B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04290455A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-10-15 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | ウエハのプリアライメント方式 |
CN1405839A (zh) * | 2001-08-08 | 2003-03-26 | 东京毅力科创株式会社 | 基板搬运装置、基板处理***及基板搬运方法 |
EP1487009A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-12-15 | Disco Corporation | Cassette for storing multiple sheets of semiconductor wafers |
JP2007123592A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム |
CN101794721A (zh) * | 2009-01-08 | 2010-08-04 | 日东电工株式会社 | 半导体晶圆的定位装置 |
JP2010165998A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Rorze Corp | 円盤状物把持装置並びに搬送機、移載装置及び搬送方法。 |
CN102741993A (zh) * | 2009-12-16 | 2012-10-17 | 株式会社尼康 | 基板支承构件、基板搬送装置、基板搬送方法、曝光装置及元件制造方法 |
CN102738049A (zh) * | 2011-04-11 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板输送方法、基板输送装置和涂敷显影装置 |
CN104992912A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-10-21 | 斯克林集团公司 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201814814A (zh) | 2018-04-16 |
TWI637457B (zh) | 2018-10-01 |
JP2018056338A (ja) | 2018-04-05 |
JP6685213B2 (ja) | 2020-04-22 |
KR101999439B1 (ko) | 2019-07-11 |
CN107887297A (zh) | 2018-04-06 |
US10229848B2 (en) | 2019-03-12 |
US20180090360A1 (en) | 2018-03-29 |
KR20180035663A (ko) | 2018-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107887297B (zh) | 基板对齐装置及方法、基板处理装置及方法、基板排列装置及方法 | |
CN107887311B (zh) | 基板搬运装置及基板搬运方法 | |
CN107887312B (zh) | 姿势变更装置 | |
KR20160137989A (ko) | 기판의 양면 처리를 위한 시스템 및 방법 | |
CN106486403B (zh) | 基板处理装置和基板输送方法 | |
CN107887298B (zh) | 基板排列装置以及基板排列方法 | |
KR20090002930A (ko) | 이송 로봇 및 기판 처리 장치 | |
CN116936402A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
KR100820755B1 (ko) | 평판자재 낱장 이송용 다단이송장치 | |
KR20060040432A (ko) | 복수의 기판을 이송하기 위한 반도체 제조용 기판 이송 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |