CN107818990A - 一种柔性基板及其制备方法、显示器 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明提供了一种柔性基板及其制备方法、显示器，该方法包括在衬底基板上形成第一有机层；在第一有机层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成无机层；在无机层的上方形成第二有机层的方法。通过这种方法，本发明使得第一有机层以及无机层之间由于第一缓冲层而粘附性增强，进而降低甚至消除柔性基板在折弯过程中第一有机层与无机层发生脱落的风险，增强了柔性基板的阻水氧能力，提高了基板的品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性基板及其制备方法、显示器。
背景技术
柔性显示器由于其具有时尚、轻薄、可弯曲、可折叠、易携带、高对比度、高反射性以及宽视角等优点而成为显示器未来发展的必然趋势。在柔性显示器中，分别通过上层的封装结构以及底层的柔性基板阻止水氧进入柔性显示器，来保障柔性显示器的品质，其中，柔性基板包括单层PI(聚酰亚胺)结构的柔性基板和多层PI结构的柔性基板，由于多层PI结构的柔性基板的阻水氧能力要远大于单层PI结构的柔性基板，因此，多层PI结构的柔性基板成为当前的主流选择，其中，多层PI结构的柔性基板一般由PI层和无机层交替层叠设置构成。
但是，PI层与无机层之间由于界面差异导致PI层与无机层之间的粘附性下降，因而多层PI结构的柔性基板在折弯时，PI层与无机层之间会有发生脱落的风险，从而导致柔性基板的阻水氧能力下降，进而导致柔性基板的品质下降。
发明内容
本发明主要是提供一种柔性基板及其制备方法、显示器，旨在解决柔性基板折弯时有机层与无机层容易脱落而导致柔性基板的阻水氧能力下降的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种柔性基板的制备方法，该方法包括在衬底基板上形成第一有机层；在所述第一有机层上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成无机层；在所述无机层的上方形成第二有机层。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种柔性基板，所述柔性基板包括：在衬底基板上形成的第一有机层；在所述第一有机层上形成的第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成的无机层；在所述无机层上方的第二有机层。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，所述显示器包括上述的柔性基板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在衬底基板上形成第一有机层；在第一有机层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成无机层；在无机层的上方形成第二有机层的方法，使得第一有机层以及无机层之间由于第一缓冲层而粘附性增强，进而降低甚至消除柔性基板在折弯过程中第一有机层与无机层发生脱落的风险，增强了柔性基板的阻水氧能力，提高了基板的品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本发明提供的柔性基板的制备方法第一实施例的流程图；
图2是本发明提供的柔性基板第一实施例的结构示意图；
图3是本发明提供的柔性基板的制备方法第二实施例的流程图；
图4是本发明提供的柔性基板第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
共同参阅图1和图2，本发明提供的柔性基板的制备方法第一实施例包括：
S11：在衬底基板101上形成第一有机层102；
具体的，可通过狭缝式涂布设备在衬底基板101上涂布聚酰亚胺以形成聚酰亚胺薄膜，然后将该聚酰亚胺薄膜高温固化成型即可形成第一有机层102。
可选的，衬底基板101为玻璃基板。
S12：在第一有机层102上形成第一缓冲层103；
具体的，可通过化学气相沉积法在第一有机层102上沉积硅化物以形成第一缓冲层103。
可选的，该硅化物为a-Si、SiN、SiO中的一种或多种，当硅化物为a-Si、SiN、SiO中的一种时，第一缓冲层103即为单层结构，当硅化物为a-Si、SiN、SiO中的多种时，第一缓冲层103可由a-Si、SiN、SiO中的多种硅化物的混合物形成的单层结构，也可以是多种硅合物中每一种硅合物单独形成一单层结构，而第一缓冲层103为这些多个单层结构共同形成的多层结构。
可选的，第一缓冲层103的厚度为10～50nm，在本实施例中，第一缓冲层103的厚度可以为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm。
S13：在第一缓冲层103上形成无机层104；
具体的，可通过化学气相沉积法在第一缓冲层103上沉积SiN或/和SiO以形成无机层104，其中，当沉积SiN或SiO中的一种时，无机层104为单层结构，当沉积SiN和SiO时，无机层104可以为SiN和SiO的混合物形成的单层结构，也可以为SiN和SiO分别形成单层结构后共同构成的双层结构。
可选的，无机层104的厚度为400～1200nm，在本实施例中，无机层104的厚度可以为400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm、1000nm、1100nm、1200nm。
S14：在无机层104的上方形成第二有机层105。
具体的，可通过狭缝式涂布设备在无机层104上涂布聚酰亚胺以形成聚酰亚胺薄膜，然后将该聚酰亚胺薄膜高温固化成型即可在无机层104上形成第二有机层105。
本实施例中通过在第一有机层102以及无机层104之间形成第一缓冲层103，以增强第一有机层102与无机层104之间的粘附性，进而降低甚至消除本实施例中的柔性基板在折弯过程中第一有机层102与无机层104发生脱落的风险，增强了柔性基板的阻水氧能力，提高了基板的品质。
共同参阅图3及图4，本发明提供的柔性基板的制备方法第二实施例中步骤S21～S23与上述第一实施例中的步骤S11～S13相同，本实施例的方法进一步包括：
S24：在无机层204上形成第二缓冲层206；
具体的，可通过化学气相沉积法在无机层204上沉积硅化物以形成第二缓冲层206。
可选的，该硅化物为a-Si、SiN、SiO中的一种或多种，当硅化物为a-Si、SiN、SiO中的一种时，第二缓冲层206即为单层结构，当硅化物为a-Si、SiN、SiO中的多种时，第二缓冲层206可由a-Si、SiN、SiO中的多种硅化物的混合物形成的单层结构，也可以是多种硅合物中每一种硅合物单独形成一单层结构，而第二缓冲层206为这些多个单层结构共同形成的多层结构。
可选的，第二缓冲层206的厚度为10～50nm，在本实施例中，第二缓冲层206的厚度可以为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm。
S25：在第二缓冲层206上形成第二有机层205。
具体的，可通过狭缝式涂布设备在第二缓冲层206上涂布聚酰亚胺以形成聚酰亚胺薄膜，然后将该聚酰亚胺薄膜高温固化成型即可在第二缓冲层206上形成第二有机层205。
本实施例中进一步在无机层204与第二有机层205之间形成第二缓冲层206，以增强第二有机层205与无机层204之间的粘附性，进而降低甚至消除本实施例中的柔性基板在折弯过程中第二有机层205与无机层204发生脱落的风险，进一步增强了柔性基板的阻水氧能力，提高了基板的品质。
进一步参阅图2，本发明提供的柔性基板第一实施例包括在衬底基板101上形成的第一有机层102、在第一有机层102上形成的第一缓冲层103、在第一缓冲层103上形成的无机层104、在无机层104上方的第二有机层105。
可选的，第一缓冲层103的材质为a-Si、SiN、SiO中的一种或多种，第一缓冲层103的厚度为10nm～50nm。
本实施例的柔性基板中的各层结构可由上述第一实施例中的方法制备而成，具体可参阅上述方法第一实施例中的各步骤，在此不再赘述。
进一步参阅图4，本发明提供的柔性基板第二实施例进一步包括在无机层204上形成的第二缓冲层206。
其中，本实施例中的第二有机层205形成于第二缓冲层206上，本实施例中的其他结构与上述柔性基板的第一实施例相同，且各层结构可由上述第二实施例中的方法制备而成，具体可参阅上述方法第二实施例中的各步骤，在此不再赘述。
本发明还提供的一种显示器，该显示器包括上述任一实施例中的柔性基板。
区别于现有技术，本发明通过在衬底基板上形成第一有机层；在第一有机层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成无机层；在无机层的上方形成第二有机层的方法，使得第一有机层以及无机层之间由于第一缓冲层而粘附性增强，进而降低甚至消除柔性基板在折弯过程中第一有机层与无机层发生脱落的风险，增强了柔性基板的阻水氧能力，提高了基板的品质。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种柔性基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成第一有机层；
在所述第一有机层上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成无机层；
在所述无机层的上方形成第二有机层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述方法进一步包括：
在所述无机层上形成第二缓冲层；
所述在所述无机层的上方形成第二有机层包括：
在所述第二缓冲层上形成所述第二有机层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一有机层上形成第一缓冲层包括：
通过化学气相沉积法在所述第一有机层上沉积硅化物以形成所述第一缓冲层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅化物为a-Si、SiN、SiO中的一种或多种。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为10～50nm。
6.一种柔性基板，其特征在于，所述柔性基板包括：
在衬底基板上形成的第一有机层；
在所述第一有机层上形成的第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成的无机层；
在所述无机层上方的第二有机层。
7.根据权利要求6所述的柔性基板，其特征在于，所述柔性基板进一步包括在所述无机层上形成的第二缓冲层，所述第二有机层形成于所述第二缓冲层上。
8.根据权利要求6所述的柔性基板，其特征在于，所述第一缓冲层的材质为a-Si、SiN、SiO中的一种或多种。
9.根据权利要求6所述的柔性基板，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度为10～50nm。
10.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括权利6～9中任一项所述的柔性基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710991023.7A CN107818990B (zh) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | 一种柔性基板及其制备方法、显示器 |
| US15/740,708 US10815566B2 (en) | 2017-10-19 | 2017-11-23 | Flexible substrate and manufacturing method thereof, display |
| PCT/CN2017/112577 WO2019075844A1 (zh) | 2017-10-19 | 2017-11-23 | 一种柔性基板及其制备方法、显示器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710991023.7A CN107818990B (zh) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | 一种柔性基板及其制备方法、显示器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107818990A true CN107818990A (zh) | 2018-03-20 |
| CN107818990B CN107818990B (zh) | 2020-03-10 |
Family
ID=61607015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710991023.7A Active CN107818990B (zh) | 2017-10-19 | 2017-10-19 | 一种柔性基板及其制备方法、显示器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107818990B (zh) | 2020-03-10 |
| WO2019075844A1 (zh) | 2019-04-25 |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |