CN107818869A - 电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子部件，其特征在于：具有大致长方体的第1芯片部件、第2芯片部件和被电连接于第1芯片部件的第1端子电极及第2芯片部件的第2端子电极的外部端子，外部端子具有连接于第1端子电极及第2端子电极的电极连接部，电极连接部具有连接于连结部并与第1端子电极相对的第1部分和从第1部分向上方延伸并与第1端子电极以及第2端子电极相对的第2部分，第2部分的宽度方向的长度短于所述第1部分，第2部分的宽度方向的长度(W2)短于所述第1芯片部件以及所述第2芯片部件的所述宽度方向的长度(W3、W4)。通过本发明，能够获得将多个芯片部件安装于外部端子的电子部件，且在该电子部件中多个芯片部件和外部端子被高精度地接合。

Description

电子部件
技术领域
本发明涉及例如连接有由金属端子构成的外部端子的电子部件。
背景技术
作为陶瓷电容器等的电子部件，除了以单体直接表面安装于基板等的通常的芯片部件之外，有方案提出金属端子等外部端子被安装于芯片部件的电子部件。有报告指出安装有外部端子的电子部件在安装后，具有既缓和芯片部件从基板受到的变形应力又保护芯片部件免受冲击等的效果，该技术被用于要求耐久性以及可靠性等的领域。
另外，还有方案提出能够使用外部端子来将多个芯片部件集中安装于基板的技术。通过将多个芯片部件安装于外部端子而做成一个电子部件，从而就能够实现高效率的安装工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平11-251176号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在使用了现有的外部端子的电子部件中，会有在外部端子与芯片部件的接合状态下产生偏差的问题，并且会有使制造工序的成品率变差的情况。特别是在将多个芯片部件安装于外部端子的电子部件中，因为外部端子与芯片部件的连接位置多，所以由于各个芯片部件与外部端子的接合状态，从而会有一种机械强度或电气特性的偏差变大的倾向。
本发明是鉴于上述技术问题而完成的，其目的在于提供一种电子部件，该电子部件将多个芯片部件安装于外部端子，并且多个芯片部件和外部端子被高精度地接合。
解决技术问题的手段
为了达到上述目的，本发明所涉及的电子部件的特征在于：具有：端面形成有第1端子电极的大致长方体的第1芯片部件；端面形成有第2端子电极且被重叠配置于上述第1芯片部件之上的大致长方体的第2芯片部件；被电连接于上述第1端子电极以及上述第2端子电极的外部端子，上述外部端子具有：被电连接于上述第1端子电极以及上述第2端子电极的电极连接部；从上述电极连接部向下方突出的连结部；连接于上述连结部的下端并且在与上述连结部大致相垂直的方向上进行延伸的安装连接部；上述电极连接部具有连接于上述连结部并且与上述第1端子电极进行相对的第1部分、从上述第1部分向上方进行延伸并且与上述第1端子电极以及上述第2端子电极进行相对的第2部分，上述第2部分的相对于上述第1芯片部件的端面以及下侧面平行的方向(即宽度方向)的长度短于上述第1部分，上述第2部分的宽度方向的长度(W2)短于上述第1芯片部件以及上述第2芯片部件的上述宽度方向的长度。
在本发明所涉及的电子部件中，电极连接部的第2部分被跨骑配置于第1端子电极与第2端子电极之间，第2部分的宽度方向的长度短于第1芯片部件以及第2芯片部件的宽度方向的长度。因此，在本发明所涉及的电子部件中，通过在第1端子电极与第2端子电极的边界位置附近连接第2部分和这些的第1端子电极以及第2端子电极，从而能够将外部端子和多个芯片部件确切且高精度地连接。
另外，在第2部分与第1以及第2端子电极之间容易形成焊锡等的接合构件的搭桥，并且接合部分能够取得良好的机械强度。进一步，因为这样的电子部件在装配芯片部件和外部端子电极之后能够涂布接合构件，因此容易制造，另外，因为能够容易地从外部用肉眼确认接合部分的状态，所以也容易检测起因于接合状态的不良品。另外，由于第2部分的宽度方向的长度短于第1部分的宽度方向的长度，所以可以通过宽度更宽的第1部分挡住而就能够恰当地防止焊锡等的接合构件在熔融时等向下方流动而过度扩展的问题。因此，如此电子部件能够正好确保接合部分的机械强度。
另外，例如，上述第1部分的宽度方向的长度(W1)也可以长于上述第1芯片部件的上述宽度方向的长度。
通过第1部分的宽度方向的长度长于第1芯片部件的宽度方向的长度，从而在搬运电子部件时等，能够防止直接加到第1芯片部件的来自外部的冲击的问题。
另外，例如上述第2部分的上端部也可以位于低于上述第2端子电极的上端部的位置。
通过这样的结构就能够减小第2部分以及外部端子整体的尺寸，因此能够降低电子部件的成本。另外，通过抑制第2部分与第2端子电极的接触面积，从而就能够防止振动从第2芯片部件向外部端子的的传递，并且能够防止所谓的噪声。
另外，例如，上述第1部分的宽度方向的长度(W1)与上述第1芯片部件的宽度方向的长度(W3)之比即W1/W3可以是0.85～1.15。
通过将W1/W3的值控制在规定值以上，从而能够确保电极连接部与第1端子电极以及第2端子电极的接合强度，另外，通过将W1/W3的值控制在规定值以下，从而就能够谋求噪声的防止。
另外，例如从所述第1部分的上端部到所述第1端子电极的上端部为止的上下方向的长度(T5)与所述第1芯片部件的上下方向的长度(T3)之比，即T5/T3，可以为0.10～0.60。
通过将T5/T3控制在规定值以上，从而能够确保第1端子电极从电极连接部露出的面积，并且能够提高第1端子电极与电极连接部的接合强度。另外，通过将T5/T3控制在规定值以下，从而防止接合第1端子电极以及第2端子电极和电极连接部的接合构件在熔融时等过度扩展，从而能够抑制由接合构件引起的接合强度的偏差。
另外，例如上述连结部中在朝向所述第1芯片部件侧的连结部内侧面上，也可以形成焊锡的浸润性比朝向所述连结部中与所述连结部内侧面相反侧的连结部外侧面更差的防止焊锡附着的区域。
通过在连结部内侧面形成防止焊锡附着的区域，从而在将电子部件安装于基板等的时候，能够防止安装中使用的焊锡沿着连结部上爬并连接第1芯片部件和安装面的问题，并且能够抑制噪声。
另外，例如也可以具有连接于上述电极连接部的下端，并且与上述电极连接部大致相垂直且向上述第1芯片部件侧延伸，并从下方支撑上述第1芯片部件的支撑部。
通过支撑部支撑第1芯片部件，从而在制造时等容易决定第1芯片部件与外部端子的位置，另外，在接合工序等中，能够防止第1芯片部件偏离落到与连结部相对的位置或者更下方的问题。另外，能够切实地确保第1芯片部件的下方的间隙。
另外，例如从上述支撑部的前端到上述电极连接部的长度也可以比形成于上述第1芯片部件的角部的R形状的曲率半径的长度更长。
第1芯片部件的R形状容易由制造而产生偏差，另外，在支撑部接触于R形状的部分的情况下，会产生第1芯片部件与外部端子的位置关系容易偏离的问题，但是通过增长支撑部，从而支撑部就能够稳定地支撑第1芯片部件中的下侧面的平面部分。
另外，例如，上述第2部分的上述宽度方向的长度根据上述第2部分的高度方向的位置进行变化，也可以在高度方向的中央部成为短于上述第2部分的上端部以及下端部。
通过将第2部分的形状做成这样的形状，从而第2部分的侧方的边的长度变长，因此电极连接部与第1以及第2芯片部件的接合强度提高。另外，由于焊锡等接合材料变得容易停留在第2部分的高度方向的中央部附近，所以能够防止接合材料的扩展方式的偏差，并且能够抑制由接合构件引起的接合强度的偏差。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的电子部件的立体图。
图2是图1所示的电子部件的正面图。
图3是图1所示的电子部件的平面图。
图4是图1所示的电子部件的侧面图。
图5是图1所示的外部端子的立体图。
图6是本发明的第2实施方式所涉及的电子部件的侧面图。
图7是本发明的第3实施方式所涉及的电子部件的侧面图。
图8是本发明的第4实施方式所涉及的电子部件的侧面图。
符号说明：
10、110、210……陶瓷电容器
20、80、120……芯片电容器
21……R形状
22、82、122……端子电极
22a……第1端子电极上端部
24、84、124……端面
26……侧面
26a……前侧面
26b……上侧面
26d……下侧面
30、130、230……金属端子
32、132、232……电极连接部
32a……第1部分
32aa……第1部分上端部
32b、132b、232b……第2部分
32ba……第2部分上端部
32bc、132bc……侧边
34……安装连结部
36……连结部
38……支撑部
50、150、250……接合构件
具体实施方式
以下根据附图所示的实施方式说明本发明。
(第1实施方式)
图1是表示作为本发明的第1实施方式所涉及的电子部件的陶瓷电容器10的示意立体图。陶瓷电容器10具有作为第1芯片部件的第1芯片电容器20、作为第2芯片部件的第2芯片电容器80、作为分别被安装于第1以及第2芯片电容器20、80的两端面上的一对外部端子的金属端子30。
另外，在各实施方式的说明中，是以在第1以及第2芯片电容器20、80上安装了一对金属端子30的陶瓷电容器10为例来进行说明，但是作为本发明的电子部件，并不限定于此，也可以是金属端子30被安装于电容器以外的芯片部件上的例子。
第1芯片电容器20和第2芯片电容器80具有大致相同的尺寸，都具有大致长方体的外形。第1芯片电容器20和第2芯片电容器80被并联配置，第2芯片电容器80被重叠配置于第1芯片电容器20之上。
在本实施方式中，在作为大致长方体的第1以及第2芯片电容器20、80的面中，将长方体中不包含最长边的2个相对面作为端面24、84，并将连接2个端面24、84的4个面作为侧面26、86来进行说明。但是，在其它的第1以及第2芯片电容器中，也会有包含最短边和最长边的2个相对面成为端面的情况。
在第1芯片电容器20的双个端面24上形成有第1端子电极22，第1芯片电容器20具有一对第1端子电极22。第1端子电极22除了被形成于第1芯片电容器20的端面24整体之外，还扩展到连接端面24的侧面26的一部分。但是，两个第1端子电极22不连接并且被互相电绝缘。
第1芯片电容器20的两个端面24被平行地配置于ZX平面，第1芯片电容器20的4个侧面26当中朝向下方(Z轴负方向)的下侧面26d和朝向上方(Z轴正方向)的上侧面26b被配置为平行于XY平面。另外，第1芯片电容器20的4个侧面26中朝向前方(X轴正方向)的前侧面26a和朝向后方(X轴负方向)的后侧面被配置为平行于YZ平面。
对于第2芯片电容器80来说，也与第1芯片电容器20相同，在其双个端面84上形成第2端子电极82，第2芯片电容器80具有一对第2端子电极82。第2芯片电容器80上的第2端子电极82的形状以及配置与第1芯片电容器20上的第1端子电极22的形状以及配置相同。另外，第2芯片电容器80中的端面84以及侧面86的配置也与第1芯片电容器20相同。
第2芯片电容器80的一个端面84被配置于与第1芯片电容器20的一个端面24大致相同的平面，第2芯片电容器80的另一个端面84被配置于与第1芯片电容器20的另一个端面24大致相同的平面。第1芯片电容器20的上侧面26b(参照图2)与第2芯片电容器80的下侧面相互面对面，在本实施方式中，第1芯片电容器的上侧面26b与第2芯片电容器80的下侧面相接触。但是，第1芯片电容器20和第2芯片电容器80的配置并不限定于此，在第1芯片电容器20与第2芯片电容器80之间也可以形成规定的间隔。
还有，在各附图中，X轴、Y轴以及Z轴相互垂直，将垂直于安装陶瓷电容器10的安装面的方向设定为Z轴，Y轴为垂直于第1以及第2陶瓷电容器20、80的端面24、84的方向，X轴为垂直于前侧面26a以及后侧面的方向。
第1以及第2芯片电容器20、80具有电容器素体，电容器素体具有作为陶瓷层的电介质层和内部电极层。在电容器素体的内部，电介质层和内部电极层交替层叠。电介质层的材质并没有特别的限定，例如是由钛酸钙、钛酸锶、钛酸钡或者它们的混合物等电介质材料构成。各电介质层的厚度没有特别的限定，一般为数μm～数百μm的厚度。
包含于内部电极层的导体材料并没有特别的限定，在电介质层的构成材料具有耐还原性的情况下，能够使用比较廉价的贱金属。作为贱金属，优选为Ni或者Ni合金。作为Ni合金，优选为选自Mn、Cr、Co以及Al中的1种以上的元素与Ni的合金，合金中的Ni含量优选为95重量％以上。另外，在Ni或者Ni合金中，可以在0.1重量％程度以下含有P等各种微量成分。另外，内部电极层也可以使用市售的电极用膏体来形成。内部电极层的厚度可以根据用途等来适当决定。
被形成于第1芯片电容器20的两端面24的第1端子电极22、以及被形成于第2芯片电容器80的两端面84的第2端子电极82的材质也没有特别的限定，通常可以使用铜或铜合金、镍或镍合金等，不过也可以使用银和银与钯的合金等。第1以及第2端子22、82的厚度也没有特别的限定，但是通常为10～50μm的程度。另外，在第1以及第2端子电极22、82的表面上，也可以形成选自Ni、Cu、Sn等中的至少1种金属覆盖膜。特别优选做成Cu烧结层/Ni镀层/Sn镀层。
另外，在本实施方式中优选第1以及第2端子电极22、82由至少具有树脂电极层的多层电极膜构成。通过树脂电极层吸收振动从而就能够进一步有效地抑制芯片电容器的噪声。在第1以及第2端子电极22、82具有树脂电极层的情况下，第1以及第2端子电极22、82优选例如由从接触于电容器素体的一侧起为烧结层/树脂电极层/Ni镀层/Sn镀层构成的多层来构成。
另外，如图2所示，第1以及第2端子电极22、82被形成于第1以及第2芯片电容器20、80的两端面24、84和端面附近的侧面26、86的一部分。但是，对于第1以及第2端子电极22、82以怎样的程度形成于第1以及第2芯片电容器20、80的侧面26、86并没有特别的限定，也可以在侧面26、86上不实质性地形成第1以及第2端子电极22、82。
假使是在第1芯片电容器20的侧面26形成第1端子电极22的情况下，作为图2所示的金属端子30上的支撑部38的前端的支撑部前端部38a也优选不接触到第1端子电极22。特别地，通过减小形成于第1芯片电容器20的下侧面26d的第1端子电极22的面积，从而就能够有效地抑制在第1端子电极22与安装连接部34之间形成焊锡桥的问题。
如图1以及图2所示，陶瓷电容器10所具有的2个金属端子30被分别安装于第1以及第2芯片电容器20、80的Y轴方向的两端面24、84。一个(Y轴正方向)金属端子30电连接于第1芯片电容器20的一个第1端子电极22和第2芯片电容器80的一个第2端子电极82，另一个(Y轴负方向)金属端子30电连接于第1芯片电容器20的另一个第1端子电极22和第2芯片电容器80的另一个第2端子电极82。
本实施方式所涉及的陶瓷电容器10所具有的2个金属端子30相对于第1以及第2芯片电容器20、80大致对称地安装并且具有相同的形状。另外，第1以及第2芯片电容器20、80的外形也大致对称。但是，2个金属端子30也可以彼此形状不同。
金属端子30具有连接于第1端子电极22以及第2端子电极82的电极连接部32、从电极连接部32向下方突出的连结部36以及连接于连结部36的下端并在与连结部36大致垂直的方向上进行延伸的安装连接部34。另外，金属端子30具有连接于电极连接部32的下端并与电极连接部大致相垂直并且向第1芯片部件侧延伸并且从下方支撑第1芯片电容器20的支撑部38。
如图5所示，所谓金属端子30的电极连接部32以及连结部36是平行于XZ平面的平板状的部分，其中XZ平面平行于第1以及第2芯片电容器20、80的端面24、84。但是，在电极连接部32以及连结部36上也可以形成贯通孔或凹凸。
如图1以及图2所示，电极连接部32与第1以及第2芯片电容器20、80的端面24、84进行相对。如前面所述，由于第1以及第2芯片电容器20、80的端面24、84上形成有第1以及第2端子电极22、82，因此电极连接部32相对于第1以及第2端子电极22、82。
如图1以及图4所示，电极连接部32具有在下方连接于连结部36并与第1端子电极22进行相对的第1部分32a、和在上方从第1部分32a进行延伸并与第1端子电极22以及第2端子电极82两者进行相对的第2部分32b。在将相对于第1芯片电容器20的端面24以及下侧面26d为平行的方向(图1～图5中的X轴方向)设定为宽度方向的情况下，如图4所示，第2部分32b的宽度方向的长度W2比第1部分32a的宽度方向的长度W1短。另外，如图4所示，由于第2部分32b从第1部分32a的中央部分向上方突出，所以在从Y轴方向观察的情况下，电极连接部32具有上下颠倒的T字形状。
还有，因为第1芯片电容器20的端面24平行于XZ平面，下侧面26d平行于XY平面，因此平行于端面24以及下侧面26d的“宽度方向”为X轴方向。另外，如图2所示，在将陶瓷电容器10安装于平坦的安装面62的情况下，第1部分32a以及第2部分32b上的“宽度方向”平行于安装面62(XY平面)，并与垂直于电极连接部32的厚度方向(Y轴方向)的方向(X轴方向)相一致。
另外，就陶瓷电容器10的长度(尺寸)的说明而言，将相对于第1芯片电容器20的端面24以及下侧面26d为平行的方向(X轴方向)设定为宽度方向，将相对于第1芯片电容器20的下侧面26d为垂直的方向(Z轴方向)设定为上下方向，将垂直于第1芯片电容器20的端面24的方向设定为相对方向(Y轴方向)。另外，所谓陶瓷电容器10的高度是指自安装连接部34的下表面(与图2所表示的安装面62相等的位置)起的距离，并与金属端子30上的从安装连接部34的下端到规定部分为止的上下方向长度相同等。另外，就陶瓷电容器10的说明而言，将朝向安装面62的方向(Z轴负方向)设定为下方向，将朝向与安装面62相反侧的方向(Z轴正方向)设定为上方向。
如图4所示，第2部分32b的宽度方向的长度W2短于第1芯片电容器20的宽度方向的长度W3以及第2芯片电容器的宽度方向的长度W4。因此，在从Y轴方向观察的情况下，第1芯片电容器20的端面24和第2芯片电容器80的端面84从第2部分32b的两侧露出。另外，在本实施方式中第1芯片电容器20的宽度方向的长度W3与第2芯片部件的宽度方向的长度W4相同。
如图1以及图4所示，金属端子30的电极连接部32相对于第1以及第2芯片电容器20、80的第1以及第2端子电极22、82通过导电性的接合构件50而接合。作为接合电极连接部32和第1以及第2端子电极22、82的接合构件50，并没有特别的限定，例如可以列举焊锡和导电性粘结剂等。
接合构件50特地沿着第2部分32b上的相当于宽度方向的端部的侧边32bc而被设置于侧边32bc的周边。如图4所示，因为第2部分32b的侧边32bc是跨骑配置于第1端子电极22和第2端子电极82，所以通过沿着侧边32b设置接合构件50从而就能够相对于第1芯片电容器20和第2芯片电容器80两方切实地接合电极连接部32。另外，通过接合构件50在侧边32bc与第1端子电极22和第2端子电极82之间形成塔桥，从而就能够提高电极连接部32与第1以及第2芯片电容器20、80的接合可靠性。
另外，如图2以及图4所示，第1以及第2芯片电容器20、80在2个邻接的端面24、84以及侧面26相连接的边部(棱线部分)形成R形状21,81。因此，在配置(定位)了第1以及第2芯片电容器20、80和金属端子30之后采用涂布接合构件50的制造工序情况下，接合构件50也可以沿着侧边32bc横切的R形状21、81流入到第1以及第2端子电极22、82与第2部分32b之间的间隙，从而切实地接合电极连接部32和第1以及第2芯片电容器20、80。
另外，如图4所示，由于第1部分32a的宽度方向的长度W1长于第2部分32b的宽度方向的长度W2，所以第1部分32a的上端部即第1部分上端部32aa能够防止接合构件50由于重力而过度向下方扩展的问题。即，在制造时的加热工序等中流动性增加了的接合构件50由于重量而要向下方流动的情况下，第1部分上端部32aa能够拦截其向下流动。因此，陶瓷电容器10能够抑制接合构件50被设置的位置以及范围的偏差，并且能够减少起因于接合状态的偏差的机械强度或电气特性的偏差。
只要第1部分32a的宽度方向的长度W1长于第2部分32b的宽度方向的长度W2，则没有特别的限定，例如W2/W1优选设为0.50～0.85。另外，第1部分32a的宽度方向的长度W1既可以长于也可以短于第1以及第2芯片电容器20、80的宽度方向的长度W3、W4。通过将第1部分32a的宽度方向的长度W1做成长于第1以及第2芯片电容器20、80的宽度方向的长度W3、W4，从而就能够适当保护第1芯片电容器20免受来自外部的冲击等。另外，通过将第1部分32a的宽度方向的长度W1做成短于第1以及第2芯片电容器20、80的宽度方向的长度W3、W4，从而有助于陶瓷电容器10的小型化。W1/W3例如可以控制在0.85～1.15。
如图4所示，形成在第2部分32b的宽度方向(X轴方向)的一侧(X轴负方向侧)的第1部分上端部32aa的宽度方向的长度W5a优选与形成在第2部分32b的宽度方向(X轴方向)的另一侧(X轴正方向)的第1部分上端部32aa的宽度方向的长度W5b相等。另外，W5a/W1、W5b/W1优选为0.07～0.30。
再有，第1部分32a的上下方向的长度T1并没有特别的限定，但是优选短于第1芯片电容器20的上下方向的长度T3。另外，第2部分32b的上下方向的长度T2并没有特别的限定，但是优选短于第1芯片电容器20的上下方向的长度T3与第2芯片电容器80的上下方向的长度T4之和(即T3+T4)。另外，从确保第2芯片部件与电极接合部的相对面积的观点出发，T2/T4可以控制在0.5～2.4。另外，T2/T1例如可以控制在1.0～5.0。
另外，如图4所示，从作为第1部分32a的上端部的第1部分上端部32aa到作为第1端子电极22的上端部的第1端子电极上端部22a为止的上下方向的长度(T5)与第1芯片电容器20的上下方向的长度(T3)之比T5/T3优选为0.10～0.60。通过将T5/T3控制在规定值以上，从而就能够确保第1端子电极22从电极连接部32露出的面积，并且能够提高第1端子电极33与电极连接部43的接合强度。另外，通过将T5/T3控制在规定值以下，并且通过防止接合第1端子电极22以及第2端子电极82与电极连接部32的接合构件50在熔融时等过度扩展，从而就能够抑制由接合构件50引起的接合强度的偏差。
连结部36为连接于电极连接部32的下方的部分，设置为与电极连接部2同一平面状。如图2所示，连结部36与电极连接部32不同，不与第1以及第2芯片电容器20、80的端面24、84相对。因此，第1芯片电容器20的下侧面26d相对于安装连接部34在上方相隔连结部36的上下方向的长度的量。
在连结部36中，在朝向第1芯片电容器20侧的连结部内侧面36a(参照图5)形成防止焊锡附着的区域，该防止焊锡附着的区域的焊锡的浸润性比朝向与连结部36上的连结部内侧面36a相反侧的连结部外侧面36b(参照图4)更差。通过在连结部内侧面36a形成防止焊锡附着的区域，从而就能够防止在安装陶瓷电容器10的时候所使用的焊锡到达第1芯片电容器20的问题，并且能够防止噪声的发生。
如图4所示，优选连结部36的宽度方向的长度W6小于第1部分32a的宽度方向的长度W1，另外，优选连结部36的宽度方向的长度W6大于第2部分32b的宽度方向的长度W2。通过做到W2＜W6＜W1从而既能够抑制连结部36传递振动并防止噪声，又能够使连结部36具有支撑第1以及第2芯片电容器20、80的适当的强度。噪声被认为是通过高频电压被施加于构成第1以及第2芯片部件的大部分的陶瓷层从而通过电致伸缩效应而振动，并且该振动传递到金属端子30和/或安装基板而发生的。
如图2所示，安装连接部34连接于连结部36的下端，从连结部36的下端在与连结部36大致垂直的方向上进行弯曲，并且在第1芯片电容器20的下方延伸。但是，安装连接部也可以从连结部36向与第1芯片电容器20相反侧进行弯曲。这样的变形例所涉及的安装连接部也在与连结部36大致垂直的方向(XY平面方向)上进行延伸。在将陶瓷电容器10安装于基板等的时候，安装连接部34与基板的焊盘进行相对并由焊锡等的接合构件而被接合于基板的焊盘。
如图2所示，支撑部38连接于电极连接部32的下端，从电极连接部32的下端在与电极连接部32大致垂直的方向上进行弯曲，并且在第1芯片电容器20的下方进行延伸。如图3以及图4所示，1个金属端子30具有2个支撑部38，支撑部38被配置于连结部36的宽度方向(X轴方向)的两侧。在本实施方式中，如图5以及图3所示，从与安装面相垂直的方向(Z轴方向)观察，不具有安装连接部34与支撑部38相重叠的部分。这样，通过做成从Z轴方向观察安装连接部34和支撑部38不重叠的结构，从而就能够有效地防止连接图2所示的安装连接部34和安装基板的焊锡延伸到支撑部38，并且能够抑制所谓焊锡桥现象。
支撑部38只要是能够从下方支撑第1芯片电容器20的大小都没有特别的限定，如图2所示，从作为支撑部38的前端的支撑部前端部38a到电极连接部32的内侧面的相对方向(Y轴方向)的长度L5长于形成于第1芯片电容器20边部(特别是连接端面24和下侧面26d的边部)的R形状21的曲率半径R。通过将支撑部38做成如此长度从而支撑部38就能够稳定地支撑第1芯片电容器20上的下侧面26d的平面部分。
如图2所示，作为第2部分32b上的上端部的第2部分上端部32ba可以处于低于作为第2端子电极82的上端部的第2端子电极上端部82a的位置。即，第2部分上端部32ba的高度H2低于第2端子电极上端部82a的高度H4。由此，能够抑制陶瓷电容器10的高度从而使陶瓷电容器10小型化，并且能够降低成本。H2/H4例如可以控制为0.54～0.97。
另外，作为第1部分32a上的上端部的第1部分上端部32aa处于低于作为第1端子电极22的上端部的第1端子电极上端部22a的位置。换言之，第1部分上端部32aa的高度H1低于第1端子电极上端部22a的高度H3。通过满足H1＜H3＜H2，从而就能够抑制由接合构件50引起的接合强度的偏差。
第1以及第2芯片电容器20、80的尺寸可以根据目的或用途来适当决定。第1以及第2芯片电容器20、80例如可以是纵(0.6～5.6mm)×横(0.3～5.0mm)×厚度(0.1～5.6mm)的程度。第1芯片电容器20和第2芯片电容器80既可以是相同尺寸又可以是不同尺寸。
陶瓷电容器10的制造方法
以下对陶瓷电容器10的制造方法进行说明。在陶瓷电容器10的制造中，首先，准备第1以及第2芯片电容器20、80。在第1以及第2芯片电容器20、80的制造中，首先，在将烧成后会成为电介质层的坯料薄片形成于载体片材上之后，将烧成后会成为内部电极层的电极图案形成于坯料薄片的一个表面。在将电极图案形成于坯料薄片之上之后，通过干燥从而获得形成有电极图案的坯料薄片。
在本实施方式中，成为坯料薄片原料的坯料薄片用涂料是由经混练电介质材料的原料和有机载体而获得的有机溶剂系膏体、或者水系膏体而构成的。作为电介质材料的原料，可以从烧成后成为钛酸钙和钛酸锶以及钛酸钡的各种化合物、例如碳酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等中适当选择。作为在制造成为电极图案的原料的内部电极层用涂料时所使用的导体材料，优选使用Ni或Ni合金，进一步优选使用这些物质的混合物。
接着，从载体片材剥离形成有内部电极图案的坯料薄片并以所希望的层叠数进行层叠，另外，通过在层叠的最初和最后层叠没有形成内部电极图案的外层用坯料薄片，从而获得坯料层叠体。进一步，将该坯料层叠体进行最终加压，并根据需要实行研磨处理，并实施脱胶粘剂处理和坯料芯片的烧结。脱胶粘剂处理或烧结的温度条件并没有特别的限定。在烧结后，通过实施根据需要进行的退火处理、研磨等从而获得电容器素体。
之后，通过在电容器素体形成第1以及第2端子电极22、82从而获得第1以及第2芯片电容器20、80。第1以及第2端子电极22、82例如是通过在烧结端子电极用涂料并形成基底电极之后在基底电极的表面形成由电镀构成的金属覆膜来制作的。另外，端子电极用涂料可以通过与上述的内部电极层用涂料相同的方法来调制。
另外，在形成具有树脂电极层的第1以及第2端子电极22、82的情况下，例如在素体的端面形成由烧结层构成的基底电极之后，涂布树脂电极膏体膜从而形成树脂电极层。之后，形成Ni镀层以及Sn镀层即可。
就陶瓷电容器10的制造中，接下来，准备金属端子30。在金属端子30的制造中，首先，准备平板状的金属板材。金属板材的材质如果是具有导电性的金属材料的话则没有特别的限定，例如可以使用铁、镍、铜、银等或者含有这些金属的合金。金属端子30的厚度并没有特别的限定，但是优选为0.05～0.10mm。
接下来，通过机械加工金属板材从而获得图5所表示的金属端子30。具体的加工方法并没有特别的限定，例如优选使用冲压加工。在金属端子30的表面，也可以形成由电镀形成的金属覆盖膜。作为用于电镀的材料并没有特别的限定，例如可以列举Ni、Sn、Cu等。
进一步，以互相相对的方式配置2个金属端子30，在将第1以及第2芯片电容器20、80设置于2个金属端子30之间之后，将第1以及第2芯片电容器20、80的第1以及第2端子电极22、82连接于金属端子30的电极连接部32。在本实施方式中，在相对于金属端子30设置第1以及第2芯片电容器20、80之后，通过沿着图2所示的金属端子30上的第2部分32b的侧边32bc涂布作为接合构件50的焊锡(使用焊锡膏体的情况下，进一步使焊锡膏体熔融·固化)，从而连接电极连接部32和第1以及第2端子电极22、82。
还有，对于金属端子30，在制造后构成其它陶瓷电容器10的多个金属端子30相连的状态下也可以被连接于第1以及第2芯片电容器20、80。在此情况下，连接状态的金属端子30在被连接于第1以及第2芯片电容器20、80之后被切割成单片。另外，在将第1以及第2芯片电容器20、80设置于金属端子30之前，连接第1以及第2芯片电容器20、80和金属端子30的接合构件50也可以被涂布于电极连接部32。
如图4所示，在陶瓷电容器10中，电极连接部32的第2部分32b被跨骑配置于第1端子电极22与第2端子电极82之间，第2部分32b的宽度方向的长度W2短于第1芯片电容器20以及第2芯片电容器80的宽度方向的长度(W3、W4)。因此，在陶瓷电容器10中，通过在第1端子电极22与第2端子电极82的边界位置附近连接第2部分32b和这些第1端子电极22以及第2端子电极82，从而能够确切且高精度地连接作为外部端子的金属端子30和多个芯片电容器20、80。
另外，在陶瓷电容器10中，即使在相对于金属端子30设置第1以及第2芯片电容器20、80之后涂布接合构件50，接合构件50也能够容易进入到第2部分32b与第1以及第2端子电极82之间的间隙。因此，可以由接合构件50来切实地连接金属端子30和第1以及第2芯片电容器20、80，并且接合部分能够取得良好的机械强度。再有，因为能够从外部用目视确认金属端子30与第1以及第2端子电极22、82的接合部分的状态，所以接合状态的确认和起因于接合状态的不良品的检测等也容易。
另外，在陶瓷电容器10中，由于第2部分32b的宽度方向的长度W2短于第1部分32a的宽度方向的长度W1，所以能够适当地防止焊锡等的接合构件50在熔融时等过度地向下方流动的问题。由此，陶瓷电容器10能够防止接合构件50扩展到连结部36或安装连接部34的问题并适当地确保接合部分的机械强度，并且能够防止伴随于连结部36的柔软性被损坏而产生的噪声的恶化。
(第2实施方式)
图6是作为本发明的第2实施方式所涉及的电子部件的陶瓷电容器110的侧面图。陶瓷电容器110除了在第1以及第2芯片电容器20、80之外还进一步具有第3芯片电容器120这一点、以及金属端子130的第2部分132b的形状有所不同这一点等之外，其余均与第1实施方式所涉及的陶瓷电容器10相同。因此，在陶瓷电容器110的说明中，仅针对与陶瓷电容器10不相同的地方进行说明，关于共通点标注相同的符号并省略说明。
第3芯片电容器120具有与第1以及第2芯片电容器20、80相同的形状，并被重叠配置于第2芯片电容器80的上表面。在第3芯片电容器120的两个端面124上形成有第3端子电极122。如图6所示，第3芯片电容器120的第3端子电极122被配置于与第1以及第2芯片电容器20、80的第1以及第2端子电极22、82相同的平面。
陶瓷电容器110具有分别被安装于第1～第3芯片电容器20、80、120的两端面的一对金属端子130。一个金属端子130被电连接于第1芯片电容器20的一个第1端子电极22、第2芯片电容器80的一个第2端子电极82、以及第3芯片电容器120的一个第3端子电极122，另一个(Y轴负方向)金属端子130被电连接于第1～第3芯片电容器20、80、120的另一个第1～第3端子电极22、82、122。
金属端子130具有电极连接部132、连结部36、安装连接部34、支撑部38，对于连结部36和安装连接部34以及支撑部38而言，与第1实施方式所涉及的金属端子30相同。电极连接部132具有第1部分132a和第2部分132b，对于第1部分132a来说，与第1实施方式所涉及的电极连接部32的第1部分32a相同。
图6所示的电极连接部132的第2部分132b从第1部分132a向上方进行延伸并与第1端子电极22、第2端子电极82以及第3端子电极122的3个端子电极相对。电极连接部132与图4所示的电极连接部32相同，具有上下颠倒的T字形状。
金属端子130的电极连接部132相对于第1～第3芯片电容器20、80、120的第1～第3端子电极22、82、122通过导电性的接合构件150而被接合。作为接合构件150，例如可以列举焊锡或导电性粘结剂等，但是没有特别的限定。
接合构件150特地沿着第2部分132b上的相当于宽度方向的端部的侧边132bc被设置于侧边132bc的周边。如图6所示，因为第2部分132b的侧边132bc被跨骑配置于第1～第3端子电极22、82、122，所以通过沿着侧边132bc设置接合构件150，从而相对于由第1～第3芯片电容器20、80、120构成的所有芯片部件，能够切实地接合电极连接部132。另外，通过接合构件150在侧边132bc与第1端子电极22、第2端子电极82以及第3端子电极122之间形成塔桥，从而就能够提高电极连接部132与第1～第3芯片电容器20、80、120的接合可靠性。
另外，如图6所示，接合构件150流入到第1以及第2端子电极22、82与第2部分132b之间的间隙或流入到第2以及第3端子电极82、122与第2部分132b之间的间隙，并能够切实地接合电极连接部132和第1～第3芯片电容器20、80、120。因此，陶瓷电容器110能够抑制设置接合构件150的位置以及范围的偏差，并且能够减少起因于接合状态的偏差的机械强度或电气特性的偏差。另外，陶瓷电容器110能够获得与第1实施方式所涉及的陶瓷电容器10相同的效果。
(第3实施方式)
图7是作为本发明的第3实施方式所涉及的电子部件的陶瓷电容器210的侧面图。陶瓷电容器210除了金属端子230的第2部分232b的形状有所不同这一点等之外，其余均与第2实施方式所涉及的陶瓷电容器110相同。因此，在陶瓷电容器210的说明中，仅针对与陶瓷电容器110不相同的地方进行说明，关于共通点标注相同的符号并省略对其说明。
陶瓷电容器210具有分别安装于第1～第3芯片电容器20、80、120的两端面的一对金属端子230。一个金属端子230被电连接于第1芯片电容器20的一个第1端子电极22、第2芯片电容器80的一个第2端子电极82、第3芯片电容器120的一个第3端子电极122，另一个(Y轴负方向)金属端子230被电连接于第1～第3芯片电容器20、80、120的另一个第1～第3端子电极22、82、122。
金属端子230具有电极连接部232、连结部36、安装连接部34和支撑部38，对于连结部36、安装连接部34以及支撑部38来说，与第2实施方式所涉及的金属端子130相同。电极连接部232具有第1部分232a和第2部分232b，对于第1部分232a而言，与第2实施方式所涉及的第1部分132a相同。
图7所表示的电极连接部232具有从第1部分232a向上方进行延伸的2个第2部分232b。第2部分232b与第1端子电极22、第2端子电极82以及第3端子电极122的3个端子电极进行相对。2个第2部分232b分别被连接于第1部分232a的宽度方向的两端部。在2个第2部分232b之间形成沟槽232d，第1端子电极22、第2端子电极82以及第3端子电极122的一部分从沟槽232d露出。电极连接部232具有U字形状。
金属端子230的电极连接部232通过导电性的接合构件250而接合于第1～第3芯片电容器20、80、120的第1～第3端子电极22、82、122。作为接合构件250，例如可以列举焊锡或导电性粘结剂等，但是没有特别的限定。
接合构件250特地沿着第2部分232b上的宽度方向的端部中的中央侧的中央侧边232bc而被设置于中央侧边232bc的周边。如图7所示，由于第2部分232b的中央侧边232bc被跨骑配置于第1～第3端子电极22、82、122，因此通过沿着中央侧边232bc设置接合构件250从而相对于由第1～第3芯片电容器20、80、120构成的所有芯片部件能够切实地接合电极连接部232。另外，通过接合构件250在中央侧边232bc与第1端子电极22、第2端子电极82以及第3端子电极122之间形成塔桥，从而能够提高电极连接部232与第1～第3芯片电容器20、80、120的接合可靠性。
另外，如图7所示，接合构件250流入到第1以及第2端子电极22、82与第2部分232b之间的间隙或流入到第2以及第3端子电极82、122与第2部分232b之间的间隙，因而能够切实地接合电极连接部232和第1～第3芯片电容器20、80、120。因此，陶瓷电容器210能够抑制接合构件250所设置的位置以及范围的偏差，并且能够减少起因于接合状态的偏差的机械强度或电气特性的偏差。另外，陶瓷电容器210能够获得与第2实施方式所涉及的陶瓷电容器110相同的效果。
(第4实施方式)
图8是作为本发明的第4实施方式所涉及的电子部件的陶瓷电容器310的侧面图。陶瓷电容器310除了金属端子330的第2部分332b的形状有所不同这一点等之外，其余均与第1实施方式所涉及的陶瓷电容器10相同。因此，在陶瓷电容器310的说明中，仅针对与陶瓷电容器10不相同的地方进行说明，关于共通点标注相同的符号并省略说明。
陶瓷电容器310具有分别安装于第1以及第2芯片电容器20、80的两端面的一对金属端子330。一个金属端子330被电连接于第1芯片电容器20的一个第1端子电极22以及第2芯片电容器80的一个第2端子电极82，另一个(Y轴负方向)金属端子330被电连接于第1以及第2芯片电容器20、80的另一个第1以及第2端子电极22、82。
金属端子330具有电极连接部332、连结部36、安装连接部34和支撑部38，对于连结部36、安装连接部34以及支撑部38来说，与第1实施方式所涉及的金属端子30相同。电极连接部332具有第1部分332a和第2部分332b，对于第1部分332a来说，与第1实施方式所涉及的电极连接部32的第1部分32a相同。
图8所示的电极连接部332的第2部分332b从第1部分332a向上方进行延伸并与第1端子电极22以及第2端子电极82两者相对。第2部分332b上的相当于宽度方向的两端部的侧边332bc与第1实施方式所涉及的第2部分32b的侧边32bc(参照图4)不同，高度方向的中央部具有向宽度方向的中央部侧凹陷的弯曲形状。
因此，第2部分332b的宽度方向的长度根据第2部分的高度方向的位置进行变化，并且在高度方向的中央部变得短于第2部分332b的上端部以及下端部。即，在第2部分332b的中央部(与作为第1端子电极22的上端部即第1端子电极上端部22a相同的高度)处的宽度方向的长度W22长于作为第2部分332b的上端部的第2部分上端部332ba处的宽度方向的长度W21，另外，长于第2部分332b的下端部处的宽度方向的长度W23。
金属端子330的电极连接部332通过导电性的接合构件350接合于第1以及第2芯片电容器20、80的第1以及第2端子电极22、82。作为接合构件350，例如可以列举焊锡和导电性粘结剂等，但是没有特别的限定。接合构件350被设置于第2部分332b上的侧边332bc。如图8所示，由于第2部分332b的侧边332bc是被跨骑配置于第1以及第2端子电极22、82，所以通过沿着侧边332bc设置接合构件350从而相对于第1以及第2芯片电容器20、80两者能够切实地接合电极连接部332。另外，通过接合构件350在侧边332bc与第1端子电极22以及第2端子电极82之间形成塔桥，从而就能够提高电极连接部332与第1以及第2芯片电容器20、80的接合可靠性。
再有，由于通过将第2部分332b的侧边332bc做成弯曲形状从而第2部分332b的侧边332bc长度变长，因此电极连接部332与第1以及第2端子电极22、82的接合强度提高。另外，由于焊锡等接合构件350变得容易停留于第2部分332b的高度方向的中央部附近，所以能够防止接合构件350的扩展方式的偏差，并且能够抑制由接合构件350引起的接合强度的偏差。另外，陶瓷电容器310能够有效地获得与第1实施方式所涉及的陶瓷电容器10相同的效果。
(其他实施方式)
还有，本发明并不限定于上述的实施方式，可以在本发明的范围内作各种各样的改变。例如在本发明中，金属端子30、130、330的支撑部38也可以不一定要形成。但是，通过形成支撑部38从而通过金属端子30对芯片电容器20、80、120的保持成为确实的保证，而且焊锡桥变得难以发生。
另外，金属端子30、130、330的电极连接部32、132、332所具有的第2部分32b、132b、332b的形状并不限定于如图示的实施方式所示角部带圆的四角形状，例如也可以是半圆状、U字形状、半椭圆状、三角形状以及其它多角形状等。

Claims (10)

1.一种电子部件，其特征在于：
具有：
端面上形成有第1端子电极的大致长方体的第1芯片部件；
端面上形成有第2端子电极并且被重叠配置于所述第1芯片部件之上的大致长方体的第2芯片部件；和
电连接于所述第1端子电极以及所述第2端子电极的外部端子，
所述外部端子具有：
连接于所述第1端子电极以及所述第2端子电极的电极连接部；
从所述电极连接部向下方突出的连结部；
连接于所述连结部的下端且在与所述连结部大致垂直的方向上延伸的安装连接部；
所述电极连接部具有连接于所述连结部且与所述第1端子电极相对的第1部分、和从所述第1部分起向上方延伸并且与所述第1端子电极以及所述第2端子电极相对的第2部分，
所述第2部分的宽度方向的长度短于所述第1部分，其中宽度方向为相对于所述第1芯片部件的端面以及下侧面平行的方向，
所述第2部分的所述宽度方向的长度W2短于所述第1芯片部件以及所述第2芯片部件的所述宽度方向的长度W3和W4。
2.如权利要求1所述的电子部件，其特征在于：
所述第1部分的所述宽度方向的长度W1长于所述第1芯片部件以及所述第2芯片部件的所述宽度方向的长度W3和W4。
3.如权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于：
所述第2部分的上端部处于低于所述第2端子电极的上端部的位置。
4.如权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于：
作为从所述第1部分的上端部到所述第1端子电极的上端部的上下方向的长度T5与所述第1芯片部件的上下方向的长度T3之比，T5/T3为0.10～0.60。
5.如权利要求3所述的电子部件，其特征在于：
作为从所述第1部分的上端部到所述第1端子电极的上端部的上下方向的长度T5与所述第1芯片部件的上下方向的长度T3之比，T5/T3为0.10～0.60。
6.如权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于：
在所述连结部中，在朝向所述第1芯片部件侧的连结部内侧面，形成有防止焊锡附着的区域，所述防止焊锡附着的区域的焊锡的浸润性比朝向所述连结部上的与所述连结部内侧面相反侧的连结部外侧面更差。
7.如权利要求3所述的电子部件，其特征在于：
在所述连结部中，在朝向所述第1芯片部件侧的连结部内侧面，形成有防止焊锡附着的区域，所述防止焊锡附着的区域的焊锡的浸润性比朝向所述连结部上的与所述连结部内侧面相反侧的连结部外侧面更差。
8.如权利要求1或2所述的电子部件，其特征在于：
具有支撑部，所述支撑部连接于所述电极连接部的下端，与所述电极连接部大致相垂直并向所述第1芯片部件侧延伸，并且从下方支撑所述第1芯片部件。
9.如权利要求8所述的电子部件，其特征在于：
从所述支撑部的前端到所述电极连接部的长度长于形成于所述第1芯片部件的边部的R形状的曲率半径的长度。
10.如权利要求1或者2所述的电子部件，其特征在于：
所述第2部分的所述宽度方向的长度W2根据所述第2部分的高度方向的位置进行变化，在高度方向的中央部短于所述第2部分的上端部以及下端部。
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