CN1077355C - 振荡器的容器安装结构 - Google Patents

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Abstract

一种振荡器的容器安装结构，其中一个有源元件2安装在第一容器内是开口的上表面，第一容器的开口由含有振荡元件6的振荡体3关闭，而且振荡体3被附加到第一容器1的开口上，以便振荡体3的第二容器5的第二连接电极11a至11d被电连接到第一容器1的第一连接电极14a至14d。该结构不仅防止了从有源元件的固定粘合胶产生的有机物沉积在振荡元件上，而且由于从第二容器分隔了第一容器，如果有源元件或振荡元件被损坏，其它部件仍能继续使用。

Description

振荡器的容器安装结构
本发明涉及一个振荡器的容器安装结构，其用在可移动通讯设备，如移动电话上作为标准频率源。
通常，这种类型的振荡器的容器安装结构具有这样的结构，一个振荡元件和一个有源元件被容纳到一个单独的容器中。
这样一个有源元件和振荡元件被容纳到一个单独容器中的振荡器的容器安装结构会产生一个问题，这就是从用于固定有源元件的包含树脂的粘合剂逸出的有机物会沉积到振荡元件上，因此降低了振荡元件的振荡性能。
为了克服这个难题，下面的技术最近被提出。即，具有两端开口的容器内部被分割为两个小室，而振荡元件被容纳在一个小室中，而有源元件则被容纳在另一个小室中，为的是能防止从固定有源元件的含有树脂的粘合剂逸出的有机物沉积到振荡元件上。
然而，前述的带有两个小室的振荡器的容器安装结构就成本而论是有不足取的。那就是，这样的振荡器的制备需要：首先，安装一个振荡元件到两个小室的其中一个中，在完成频率调节后封上小室相应的开口；然后，安装有源元件到另一个小室中并且记录温度补偿数据参数到有源元件。如果有源元件在安装时或在记录温度补偿数据参数时被损坏，不仅有源元件而且振荡元件都必须连同容器一起被扔掉。因此，这种类型的振荡器成本很高。
也就是说，如果有源元件被损坏，可以提出仅把有源元件从容器的另一个小室中移开而替换一个新的。然而，事实上，有源元件由含有树脂的粘合剂固定，从而有源元件不容易移开，这样最终也会损坏容器。
因此，本发明的目的是提供这样一个振荡器的容器安装结构，就是从有源元件的固定粘合剂产生的有机物不再沉积到振荡元件上而且如果有源元件或振荡元件被损坏，其它好的部件则不会无效而能继续使用。
本发明的一个振荡器的容器安装结构有一个第一容器，其上表面是被打开的而一个振荡体被连接为的是遮盖第一容器的开口。振荡体有一第二容器，它的上表面是打开的，一个振荡元件被安装到第二容器的内部，而一个密封盖附加在第二容器的上表面的开口上，而一个第二连接电极电连接到第一容器的第一连接电极上。
根据本发明，这样一个结构的振荡器不仅从一个有源元件的含有树脂的固定粘结剂中产生的有机物不再沉积到振动元件上，而且如果有源元件或振荡元件被损坏，其它好的部件则不会无效而能继续使用。
图1是根据第一实施例振荡器的分解透视图；
图2表示第一实施例的外形透视图；
图3是第一实施例的正视图；
图4是第一实施例的平面图；
图5是第一实施例的侧剖视图；
图6是带有有源元件的第一实施例的第一容器的平面图；
图7是第一实施例第一容器的正面半剖视图；
图8是带有第二分解容器的遮护板的第一实施例的平面图；
图9是第一实施例的第二容器的正面剖视图；
图10是第一实施例的电路方框图；
图11是根据第二实施例的振荡器的正面剖视图；
图12是第二实施例的平面图；
图13是第二实施例的正面分解剖视图；
图14是第三实施例的正面剖视图；
图15是第三实施例的平面图；
图16是根据第四实施例振荡器正面的主要部分的剖视图；
图17是根据第五实施例振荡器的分解透视图；而
图18是第五实施例的正面剖视图；
发明的实施例将参照图1至图18做详细描述。
第一实施例
图1至图10表示第一实施例，在图1至图5中，第一容器1由陶瓷片的分层体构成，并且是上表面打开成为盒状，如图1、图6和图7所示。一个由裸的芯片构成的有源元件被安装在第一容器1的里面同时由粘合剂固定。
一个振荡体3被附加到第一容器1的周边壁4的外部上以便覆盖第一容器1的开口，如图1、图8和图9所述，振荡体3有一第二容器5、一个振荡元件6、和一个遮护盖7。第二容器5由陶瓷片分层体构成其上表面是打开的。振荡元件6由一个石英振子构成并被安装在第二容器5内。遮护板7由一个金属片制做并被附加到第二容器的开口上如同一个典型的密封盖。振荡元件6由焊接遮护板7到固定在第二容器5的周边壁8的外部上的接缝环9上被气密式地密封在第二容器中。可以注意到气密式地密封可以由玻璃、焊料、金-锡合金和诸如此类等实现。
如图1和图2所示，半圆凹槽10形成在第二容器5的外周边壁8的周边表面外部的四个地点上。如图9所示，第二连接电极11a至11d形成在凹槽10的内侧和在底表面上延伸到凹槽10。如图10所示，第二连接电极11a和11c被电连接到振荡元件6上，而第二连接电极11b和11d被电连接到接缝环9处而被接地。
从另一方面说，有源元件2被安置在第一容器1上，如图6和图7所示，由电线12电连接到电极13上，第一连接电极14a至14d都连接到电极13上它们都被安排到第一容器1的周边壁4外部上的四个地点上。
第一连接电极14a至14d和第二连接电极11a到11d由一个导电的粘合剂如热固化导电树脂或焊料用下面这种方式连接，即，连接电极14a被连接到连接电极11a上；连接电极14b被连接到连接电极11b；连接电极14c被连接到连接电极11c上；而连接电极14d被连接到连接电极11d上。结果，振荡元件6被电连接到有源元件2上。应该注意到有源元件2通过叩焊晶片安装(flip-chip mounting)而不是通过电线来连接。
在第一电极14a至14d和第二电极11a至11d的电连接完成后，一个粘合密封树脂胶15被加到第二容器5的底表面的周边部分的外部上，如图3和图4所示。结果，不仅第二容器5被结合和固定在第一容器的周边壁外部的上表面上，而且第一容器1上表面上的开口也由第二容器5密封由此保护有源元件2。
这样来密封开口的结果，就是在有源元件2的周边外部上树脂压模不再需要。然而，为了给有源元件2更可靠的保护，除了由第二容器5密封开口以外，在有源元件2的周边外部上方可以进行树脂压模。
半圆凹槽被安排在第一容器1的周边外部的上方，而电极16a至16n被排列在相应的凹槽上。在这些电极之中，电极16b、16f、16i、16m不仅延伸到相应的凹槽上而且也连续延伸到第一容器1的底表面上。电极16b适用于一个AFC输出端；电极16f，一个接地端，电极16i，一个振荡输出端(TCXO)；和电极16m，一个电源供给端(VDD)，如图7所示一个电极16i的例子。图10表示这个振荡器的一个线路结构。
另外，其它电极16a、16c、16d、16e、16g、16h、16i、16k、16l、16n是检查电极。这些电极被排列在从第一容器1的底表面向上的一个预定距离的位置上。这些电极常常记录数据到有源元件2的存储器中而完成各类型的检查。
在这里，由于这些检查电极的排列是从第一容器1的底表面上隔开，因而当第一容器被安置在接线板上时，接线板上的导体结构不会被短路到检查电极上。
应当注意到，除了存储器以外，一个变容二极管被安排在有源元件2中。振荡元件6的振荡频率被控制以便通过使变化的电压加到变容二极管的阴极上从而产生其电容量的变化来保持与温度无关的基本是恒定的频率。第二实施例
图11至图13表示第二实施例。
应当注意到和第一实施例相同的部件和元件将采用相同的参考数字进行描述。
如图11至图13所示，第二实施例，一个凹台阶4B形成在第一容器1A的周边壁外部4A的内圆周部分的上部，为的是第二容器5可以由这样的台阶4B支撑。
那就是，当台阶4B形成在第一容器1A的上表面上时，第二容器5是由台阶4B支撑的，如图11至图13所示，第二容器5能相对于第一容器1A安置而不用进行特殊的安置操作。此外，第一连接电极14a至14b和第二连接电极11a至11d之间的相应位置也能正确设置，这不仅能使连接电极被牢固的电连接，而且也使第一容器的上部开口能由第二容器可靠地密封。第三实施例
图14和图15表示第三实施例。
应该注意到，和第一和第二实施例中相同的部件和元件将用相同的参考数字进行描述。
如图14和图15所示，第三实施例的特征是第一容器1B的周边壁的外部4c要做得高于第二实施例中的。
更特别地，第一容器1B的上表面被向上延伸到一个第二容器5的第二连接电极11a至11d，而一个保护电极17被安排到周边壁外部4c的上表面上以便沿其所有的周边延伸，如图15所示。
保护电极17通过形成在外周边壁4c里面的导电通路20被电连接到一个电极16f上作为一个接地端，如图14所示。
因此，这个保护电极17不仅使外部的噪音由第一和第二连接电极的连接部分拾取变得困难，而且也防止了由操作人员用他的或她的手指接触有源元件2而引起的有源元件2的静电破坏。
通过向上延伸周边壁的外部4c，导电粘合胶被坚固地放入第一连接电极14a至14d和第二连接电极11a至11d的连接部分，因而延伸到和台阶4B一样高的槽口形成在外部周边壁4c的内表面部分中为的是与第一连接电极14a至14d和第二连接电极11a至11d对应，而导电粘合胶A被充填进这样的槽口18。因而，第一连接电极14a至14d和第二连接电极11a至11d之间的电连接是稳定的。
进一步地说，用这种方法，除了可靠以外，第一和第二连接电极还能够被容易地电连接，因此，由第一和第二连接电极所占用面积能被减少，继而进一步防止外部噪音渗入到第一和第二电极。
应该注意到，导电粘合胶被充填得不和槽口18的里面部分的上部一样高，而上部分由粘接密封树脂15覆盖以免电极17不小心被短路到第一连接电极14a至14d和第二连接电极11a至11d。
                        第四实施例
图16表示第四实施例。
应注意和第一到第三实施例的相同部件和元件将使用相同的参考数字进行描述。
如图16所示，第四实施例的特征是一个直径朝着第一容器1c的底面部分逐渐变细的孔19形成在一个台阶4B上面对第一连接电极14a至14d的部分。
当第一容器1c和第二容器5被粘接和固定时，一过量的导电粘合胶A被充填到这个孔19中以防止由于不小心将导电粘合胶A散开在第一连接电极14a至14d和第二连接电极11a至11d以外而引起短路。
在此情况下，如果孔19是笔直的，则导电粘合胶A会有害地渗透在第一容器c的外部，因此，孔19被设计成其直径是逐渐变细的以防止渗透。进一步地讲，假如用热硬化导电树脂来做为导电粘合胶A，则这个孔19就使在热硬化导电树脂的热硬化期间所产生的气体排出。
第一容器1c和第二空器5可以由焊接固定。然而，焊剂可能会污染到有源元件2上结果可能会引起故障。根据这一点，为了消除这样的故障，热硬化导电树脂是更为可取的。
第一和第二容器的每一个可由前面实施例提到的分层的陶瓷薄片制做，这些容器也可由玻璃、陶瓷、玻璃环氧树脂材料和诸如此类的材料制做。第五实施例
图17和图18表示第五实施例。
正当注意和第一至第四实施例中相同的部件和元件将用相同的参考数字进行描述。
如图17和18所示，第五实施例的特征是一个有源元件2和一个振荡元件6被置于屏蔽板7和一个导电层21之间。
也就是，在图18中，安置在衰减粘接的区域22上的有源元件2被连接到带有电线12的第一容器1的电极13上，而其完整的部件由一保护树脂23覆盖。因此，第一容器1由分层的陶瓷片(1a至1d)形成，而导电层21由印制形成在陶瓷片1c和1d之间并通过内部线路接地。
由于这个结构，由母板的线路分布引起和从其它装置以及母板附近的电路所产生的电磁场效应在安装振荡器到母板上时能被屏蔽。因此，一个带有稳定输出频率的振荡器能够被实现。
如以上的描述，发明的特征是不仅将振荡元件和有源元件容纳在分隔的容器中，而且也层叠这些容器，一个再另一个之上。因此，不可能产生从固定有源元件的含有树脂的粘合胶形成粘接处产生的有机物沉积到振荡元件上的情况。因此，由于有机物的沉积或类似情况产生的振荡特性的变坏能得到防止。
另外，即使有源元件或振荡元件被损坏，只需要更换第一或第二容器中的一个元件。也就是，任何好的部件都可重复使用。从而，也能实现一个在成本上是有利的非常优良的振荡器。

Claims (11)

1.一个振荡器的容器安装结构，包括：
一个上表面是开口的第一容器；
一个安置在第一容器内的有源元件；
一个外置电极，从下部延伸到第一容器的外部周边壁的底表面上；
一个第一连接元件，其设置到第一容器的外部周边壁上；以及
一个振荡体，其被装到第一容器的外部周边壁上以便覆盖第一容器的开口；
所述的振荡体包括：
一个上表面是开口的第二容器；
一个被安置在第二容器内的振荡元件；
一个被附加到第二容器的上表面的开口处的密封盖；以及
一个第二连接电极，从下部延伸到第二容器的外部周边表面的底部；
其中所述的振荡体的第二连接电极被电连接到第一容器的第一连接电极上。
2.根据权利要求1所述的振荡器的容器安装结构，其中一个检查电极被设置在第一容器的外部周边壁的外部周边表面上，而检查电极的位置在从第一容器的底表面向上远离一个预定距离处。
3.根据权利要求1所述的振荡器的容器安装结构，其中一粘合胶密封树脂被设置在第二容器的底表面的外部周边部分上。
4.根据权利要求1所述的振荡器的容器安装结构，其中一个凹台阶形成在第一容器的外部周边壁上部的内周边部分里面，而第二容器则由台阶支撑。
5.根据权利要求1所述的振荡器的容器安装结构，其中不仅第一容器的外部周边壁的上表面设置为高于第二容器的第二连接电极，而且一个保护电极也被设置在第一容器的外部周边壁的上表面上。
6.根据权利要求4所述的振荡器的容器安装结构，其中一个凹槽所设置的位置不仅在第一容器的外部周边壁的内侧表面上而且与第二容器的第二连接元件相对应，以便从第一容器的外部周边壁的上部侧表面向下延伸到台阶的上部表面。
7.根据权利要求6所述的振荡器的容器安装结构，其中一个电极被设置在所述凹槽的内表面上。
8.根据权利要求6所述的振荡器的容器安装结构，其中一导电的粘合胶从凹槽的开口充填进入到下部。
9.根据权利要求4所述的振荡器的容器安装结构，其中一个孔不仅安置在第一容器的台阶的底表面上，而且还与第二容器的底表面上的第二连接电极相对应。
10.根据权利要求9所述的振荡器的容器安装结构，其中第一容器的台阶上的孔的直径是向下逐渐变细的。
11.根据权利要求1所述的振荡器的容器安装结构，其中不仅第一容器由层叠的陶瓷层所形成，而且导电体也通过在层叠的陶瓷层之间***一导电层而形成。
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JP (1) JP2974622B2 (zh)
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DE (1) DE69706009T2 (zh)
TW (1) TW364193B (zh)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
US6229249B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Surface-mount type crystal oscillator
US6229404B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Crystal oscillator
WO2000033455A1 (fr) * 1998-12-02 2000-06-08 Seiko Epson Corporation Dispositif piezo-electrique et son procédé de fabrication
JP2000223657A (ja) * 1999-02-03 2000-08-11 Rohm Co Ltd 半導体装置およびそれに用いる半導体チップ
JP3663953B2 (ja) 1999-02-24 2005-06-22 松下電器産業株式会社 高周波モジュールとその製造方法
JP2001177345A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Murata Mfg Co Ltd 圧電発振器
JP4795602B2 (ja) * 2000-01-31 2011-10-19 京セラキンセキ株式会社 発振器
US6512323B2 (en) * 2000-03-22 2003-01-28 Caterpillar Inc. Piezoelectric actuator device
JP2001308644A (ja) * 2000-04-20 2001-11-02 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装型の水晶発振器
JP4138211B2 (ja) * 2000-07-06 2008-08-27 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法、集合電子部品、電子部品の実装構造、ならびに電子装置
US6703768B2 (en) 2000-09-27 2004-03-09 Citizen Watch Co., Ltd. Piezoelectric generator and mounting structure therefor
JP4862220B2 (ja) * 2001-03-08 2012-01-25 セイコーエプソン株式会社 表面実装用電子部品のパッケージ
US20040195691A1 (en) * 2002-04-05 2004-10-07 Akiyoshi Moriyasu Circuit module and method for manufacturing the same
JP4033744B2 (ja) 2002-09-13 2008-01-16 日本電波工業株式会社 実装基板の製造方法及び表面実装型の水晶発振器
JP4222020B2 (ja) * 2002-12-17 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器
JP2004214799A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Daishinku Corp 圧電発振器および圧電発振器の測定方法
JP2004242089A (ja) * 2003-02-06 2004-08-26 Murata Mfg Co Ltd 水晶発振器およびそれを用いた電子装置
JP4433687B2 (ja) * 2003-04-16 2010-03-17 エプソントヨコム株式会社 圧電発振器とその製造方法
EP1536559A1 (fr) * 2003-11-25 2005-06-01 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Composant électronique ayant un élément résonateur dans un boitier hermetiquement fermé
JP4692722B2 (ja) * 2004-01-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージおよび電子部品
JP2005244920A (ja) * 2004-01-29 2005-09-08 Kyocera Corp 温度補償型水晶発振器
US7098580B2 (en) 2004-01-29 2006-08-29 Kyocera Corporation Piezoelectric oscillator
US20050225406A1 (en) * 2004-01-29 2005-10-13 Kyocera Corporation Temperature-compensated quartz-crystal oscillator
JP3841304B2 (ja) * 2004-02-17 2006-11-01 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器、及びその製造方法
JP2005244641A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 温度補償型水晶発振器
JP4444740B2 (ja) * 2004-06-23 2010-03-31 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
US7123108B2 (en) * 2004-08-26 2006-10-17 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface mount crystal oscillator
US7247978B2 (en) * 2004-12-14 2007-07-24 Rakon Limited Acceleration tolerant piezoelectric resonator
US7259499B2 (en) 2004-12-23 2007-08-21 Askew Andy R Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof
JP4554398B2 (ja) * 2005-03-03 2010-09-29 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波デバイス及び弾性表面波デバイスの製造方法
US7602107B2 (en) * 2005-11-30 2009-10-13 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface mount type crystal oscillator
JP5001564B2 (ja) * 2006-03-17 2012-08-15 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器とその製造方法
JP2007274455A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用水晶発振器
JP4986529B2 (ja) * 2006-07-31 2012-07-25 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶発振器
JP5087323B2 (ja) 2007-06-12 2012-12-05 日本電波工業株式会社 表面実装用とした接合型の水晶発振器
JP5095319B2 (ja) * 2007-09-06 2012-12-12 日本電波工業株式会社 モニタ電極を備えた水晶デバイス
JP2009152707A (ja) 2007-12-19 2009-07-09 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP5121493B2 (ja) * 2008-02-21 2013-01-16 セイコーインスツル株式会社 圧電振動子の製造方法
WO2010074127A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 株式会社大真空 圧電振動デバイス、圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法
USD689053S1 (en) * 2011-11-15 2013-09-03 Connectblue Ab Module
USD680119S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-16 Connectblue Ab Module
USD668658S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD668659S1 (en) * 2011-11-15 2012-10-09 Connectblue Ab Module
USD680545S1 (en) * 2011-11-15 2013-04-23 Connectblue Ab Module
USD692896S1 (en) * 2011-11-15 2013-11-05 Connectblue Ab Module
DE102012202727B4 (de) * 2012-02-22 2015-07-02 Vectron International Gmbh Verfahren zur Verbindung eines ersten elektronischen Bauelements mit einem zweiten Bauelement
JP6171516B2 (ja) * 2013-04-12 2017-08-02 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器、および移動体
USD760230S1 (en) 2014-09-16 2016-06-28 Daishinku Corporation Piezoelectric vibration device
JP6366440B2 (ja) * 2014-09-17 2018-08-01 日本電波工業株式会社 水晶発振器
JP6538401B2 (ja) * 2015-04-01 2019-07-03 京セラ株式会社 圧電デバイス及びその製造方法
US9825597B2 (en) 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
US10362678B2 (en) 2016-04-18 2019-07-23 Skyworks Solutions, Inc. Crystal packaging with conductive pillars
US10297576B2 (en) 2016-04-18 2019-05-21 Skyworks Solutions, Inc. Reduced form factor radio frequency system-in-package
JP6769220B2 (ja) * 2016-10-03 2020-10-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージ、発振器、電子機器、および移動体
TW202329611A (zh) 2016-12-29 2023-07-16 美商天工方案公司 前端系統及相關裝置、積體電路、模組及方法
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
JP1592769S (zh) * 2017-05-02 2017-12-11
CN113404747B (zh) * 2021-06-29 2022-10-18 上海交通大学 一种出口同相位控制及频率解耦振荡器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5025228A (en) * 1988-06-24 1991-06-18 Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite D.E.P.E. Ultrastable oscillator functioning at atmospheric pressure and under vacuum
EP0727872A1 (en) * 1995-02-15 1996-08-21 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator, and production method thereof

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2553538B1 (fr) * 1983-10-18 1985-12-27 Cepe Procede et dispositif permettant le reglage du chauffage d'une enceinte thermostatee d'un oscillateur notamment a quartz
US4627533A (en) * 1984-10-29 1986-12-09 Hughes Aircraft Company Ceramic package for compensated crystal oscillator
US4750246A (en) * 1984-10-29 1988-06-14 Hughes Aircraft Company Method of making compensated crystal oscillator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5025228A (en) * 1988-06-24 1991-06-18 Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite D.E.P.E. Ultrastable oscillator functioning at atmospheric pressure and under vacuum
EP0727872A1 (en) * 1995-02-15 1996-08-21 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator, voltage-controlled oscillator, and production method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2974622B2 (ja) 1999-11-10
DE69706009D1 (de) 2001-09-13
TW364193B (en) 1999-07-11
US5949294A (en) 1999-09-07
EP0831591A1 (en) 1998-03-25
CN1180957A (zh) 1998-05-06
EP0831591B1 (en) 2001-08-08
DE69706009T2 (de) 2001-11-22
JPH1098151A (ja) 1998-04-14

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