CN107706208A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管显示器。该有机发光二极管显示器包括：基板，布置在基板上的多个像素，与多个像素间隔开的多个透射窗口，以及布置在多个像素中的一个像素与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的遮光构件。多个像素显示图像，并且光从透射窗口透射。每个像素包括包含了布置在基板上不同层中的多个电极构件的晶体管。遮光构件包括分别与多个电极构件布置在同一层中的多个遮光子构件。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括两个电极以及布置在它们之间的有机发射层。从一个电极注入的电子与从另一个电极注入的空穴在有机发射层中彼此耦合以生成激子，并且激子发射能量以发光。
有机发光二极管显示器包括多个像素。每个像素包括由阴极、阳极和有机发射层形成的有机发光二极管。每个像素包括多个晶体管和至少一个电容器。多个晶体管包括开关晶体管和驱动晶体管。多个晶体管驱动有机发光二极管。当外部光入射到晶体管的半导体构件上时，可能出现泄漏电流。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种减小泄漏电流的有机发光二极管显示器。
根据本发明构思的示例性实施例，一种有机发光二极管显示器包括：基板，布置在基板上的多个像素，与多个像素间隔开的多个透射窗口，以及布置在多个像素中的一个像素与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的遮光构件。多个像素显示图像。光从多个透射窗口透射。每个像素包括晶体管，晶体管包括布置在基板上不同层中的多个电极构件。所述遮光构件包括分别与多个电极构件布置在同一层中的多个遮光子构件。
在示例性实施例中，多个电极构件包括：布置在基板上的遮光电极、与遮光电极重叠的半导体构件、布置在半导体构件上的第一栅电极、布置在第一栅电极上的第二栅电极、连接至半导体构件的源电极以及连接至半导体构件的漏电极。源电极和漏电极布置在第一栅电极的相对侧。
在示例性实施例中，多个遮光子构件包括以下中的至少两个：与遮光电极布置在同一层中的第一遮光子构件、与第一栅电极布置在同一层中的第二遮光子构件、与第二栅电极布置在同一层中的第三遮光子构件、以及与源电极布置在同一层中的第四遮光子构件。
在示例性实施例中，每个像素包括分别布置在基板上不同层中的多个绝缘层。绝缘层将多个电极构件彼此绝缘。每个像素进一步包括连接至晶体管的第一电极、布置在第一电极上的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的有机发射层。透射窗口包括穿过多个绝缘层中的至少一个绝缘层的开口，并且透射窗口与第二电极部分地重叠。
在示例性实施例中，遮光构件电连接至电源线，电力通过电源线供应。
在示例性实施例中，透射窗口包括与多个像素中的一个像素邻近布置的长阻挡部和连接至所述长阻挡部的短阻挡部。遮光构件包括与透射窗口的长阻挡部邻近布置的长阻挡部遮光构件。
在示例性实施例中，遮光构件进一步包括与透射窗口的短阻挡部邻近布置的短阻挡部遮光构件。长阻挡部遮光构件和短阻挡部遮光构件围绕透射窗口。
在示例性实施例中，遮光构件进一步包括布置在相邻像素之间的像素遮光构件。
根据本发明构思的示例性实施例，一种有机发光二极管包括：基板，布置在基板上的多个像素以及与多个像素间隔开的多个透射窗口。多个像素显示图像，并且光从所述多个透射窗口透射。每个像素包括晶体管，晶体管包括布置在基板上不同层中的多个电极构件，以及布置在晶体管与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的晶体管遮光构件。
在示例性实施例中，有机发光二极管显示器进一步包括布置在基板上的扫描线、布置在基板上的数据线以及布置在基板上的驱动电压线。扫描线传送扫描信号，数据线与扫描线交叉并且传送数据电压，并且驱动电压线与扫描线交叉并且传送驱动电压。晶体管是多个晶体管的一个晶体管。多个晶体管包括连接至扫描线和数据线的开关晶体管，以及连接至开关晶体管的驱动晶体管。驱动晶体管包括驱动栅电极、驱动源电极以及驱动漏电极。晶体管遮光构件包括布置在驱动晶体管与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的第一遮光构件。
在示例性实施例中，第一遮光构件布置在驱动晶体管与长阻挡部遮光构件之间，长阻挡部遮光构件与多个透射窗口中的一个透射窗口的长阻挡部邻近布置。
在示例性实施例中，多个晶体管进一步包括补偿晶体管，补偿晶体管由扫描信号导通并且补偿驱动晶体管的阈值电压。补偿晶体管布置在驱动漏电极与驱动栅电极之间的电流路径上。晶体管遮光构件进一步包括布置在补偿晶体管与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的第二遮光构件。
在示例性实施例中，第二遮光构件布置在补偿晶体管与长阻挡部遮光构件之间，长阻挡部遮光构件与多个透射窗口中的一个透射窗口的长阻挡部邻近布置。
在示例性实施例中，有机发光二极管显示器进一步包括：基本上平行于扫描线延伸并且传送前一扫描信号的前一扫描线，以及传送对驱动晶体管进行初始化的初始化电压的初始化电压线。多个晶体管进一步包括：根据前一扫描信号导通并且将初始化电压传送至驱动栅电极的初始化晶体管。初始化晶体管布置在初始化电压线和驱动栅电极之间的电流路径上。晶体管遮光构件进一步包括布置在初始化晶体管与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的第三遮光构件。
在示例性实施例中，第三遮光构件布置在初始化晶体管与长阻挡部遮光构件之间，长阻挡部遮光构件与多个透射窗口中的一个透射窗口的长阻挡部邻近布置。
在示例性实施例中，有机发光二极管显示器进一步包括：基本上平行于扫描线延伸并且传送前一扫描信号的前一扫描线，以及传送对驱动晶体管进行初始化的初始化电压的初始化电压线。多个晶体管进一步包括：根据前一扫描信号导通并且将初始化电压传送至驱动栅电极的初始化晶体管。初始化晶体管布置在初始化电压线与驱动栅电极之间的电流路径上。晶体管遮光构件进一步包括布置在初始化晶体管与多个透射窗口中的一个透射窗口之间的第三遮光构件。
在示例性实施例中，有机发光二极管显示器进一步包括遮光构件，遮光构件包括与多个透射窗口中的一个透射窗口的长阻挡部邻近布置的长阻挡部遮光构件，以及与多个透射窗口中的一个透射窗口的短阻挡部邻近布置的短阻挡部遮光构件。多个透射窗口中的一个透射窗口的长阻挡部与多个像素中的一个像素邻近，并且多个透射窗口中的一个透射窗口的短阻挡部连接至多个透射窗口中的一个透射窗口的长阻挡部。长阻挡部遮光构件和短阻挡部遮光构件围绕多个透射窗口中的一个透射窗口。
在示例性实施例中，有机发光二极管显示器进一步包括布置在相邻像素之间的像素遮光构件。
根据本发明构思的示例性实施例，遮光构件包括第一遮光子构件、第二遮光子构件、第三遮光子构件以及第四遮光子构件。第一遮光子构件与遮光电极布置在相同的第一层中。遮光电极包括在布置在有机发光二极管显示器的像素中的晶体管中。第二遮光子构件与第一栅电极布置在相同的第二层中。第一栅电极包括在晶体管中。第三遮光子构件与第二栅电极布置在相同的第三层中。第二栅电极包括在晶体管中。第四遮光子构件与源电极布置在相同的第四层中。源电极包括在晶体管中。
在示例性实施例中，遮光构件布置在有机发光二极管显示器的像素与透射窗口之间。光从透射窗口透射。
根据本发明构思的示例性实施例，可以减小由于外部光导致的晶体管的泄漏电流。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例性实施例将使得本发明构思的以上和其他特征变得更明显，其中：
图1是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意布局图；
图2是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线II-II截取的图1的剖视图。
图3是根据本发明构思的示例性实施例的图1的有机发光二极管显示器的示意性俯视图。
图4是根据本发明构思的示例性实施例的图1的有机发光二极管显示器中的像素的等效电路图。
图5是根据本发明构思的示例性实施例的图1的详细布局图。
图6示出根据本发明构思的示例性实施例的图5的部分A的放大布局图中的驱动晶体管和开关晶体管。
图7是图5中的部分A的放大布局图，并且图示根据本发明构思的示例性实施例的遮光构件、补偿晶体管和初始化晶体管。
图8是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线VIII-VIII截取的图6的有机发光二极管显示器的剖视图。
图9是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线IX-IX截取的图7的有机发光二极管显示器的剖视图。
图10是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线X-X截取的图7的有机发光二极管显示器的剖视图。
图11是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
图12是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
图13是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
图14是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的详细布局图。
图15是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线XV-XV和XV’-XV’截取的图14的有机发光二极管显示器的剖视图。
图16是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
图17是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
图18是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更全面地描述本发明构思的示例性实施例。贯穿附图，相同的附图标记可以指代相同的元件。
应该理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的部件被称作“在”另一部件“上”、“连接至”另一部件、“耦接至”另一部件、或与另一部件“邻近”时，其可以直接在该另一部件上、连接至另一部件、耦合至另一部件或与另一部件邻近，或者可以存在中间部件。还应该理解的是，当部件被称作在两个部件“之间”时，它可以是在两个部件之间的唯一部件，或者也可以存在一个或多个中间部件。还应该理解的是，当部件被称作“覆盖”另一部件时，它可以是覆盖该另一部件的唯一部件，或者一个或多个中间部件也可以覆盖该另一部件。
在本文中，应该理解的是，当两个或多个元件或数值被描述为基本上相同或彼此大约相等时，元件或数值彼此等同、彼此不可区分、或彼此可区分但是功能上彼此相同，如由本领域普通技术人员所理解的。应该进一步理解的是，当两个分量或方向被描述为基本上彼此平行或垂直时，两个分量或方向彼此精确地平行或垂直而延伸，或者彼此近似地平行或垂直而延伸，如由本领域普通技术人员所理解。进一步，应该理解的是，当两个进程被描述为彼此基本上同时地或在基本上相同时刻执行时，可以在精确地相同时刻或在大约相同时刻执行进程，如由本领域普通技术人员所理解的。
应该进一步理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用于区分一个元件与另一个元件，并且元件并不受限于这些术语。因此，在示例性实施例中的“第一”元件可以在另一示例性实施例中被描述为“第二”元件。
为了便于说明，可以在本文中使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“低于”、“在…下上”、“高于”等的空间相对术语来描述一个元件或特征与另一元件或特征的彼此关系，如在附图中所图示的。应该理解的是，除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语意在包括在使用或操作中的装置的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件或特征“之下”、“下方”或“下”的元件将定向在其他元件或特征“之上”。因此，示例性的术语“在…下方”和“在…下”可以包括上方和下方的定向两者。
在本文中，晶体管的数目和电容器的数目不限于附图中所示的数目。根据示例性实施例，在显示装置中，每个像素可以被提供有多个晶体管和至少一个电容器，并且可以通过进一步形成额外引线或省略现有引线而形成为具有各种结构。在本文中，像素涉及用于显示图像的最小单元，并且显示装置使用多个像素显示图像。
现在将参照附图描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。图2是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线II-II截取的图1的剖视图。
如图1中所示，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括基板10。基板10包括像素区域PA和透射区域TA、布置在显示器的像素区域PA上的多个像素PX、以在第一方向X上距多个像素PX一距离布置在透射区域TA中并且透射光的多个透射窗口20、以及布置在多个像素PX与透射窗口20之间的遮光构件30。例如，多个透射窗口20与多个像素PX间隔开。
在示例性实施例中，基板10可以是由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘基板，或者可以是由例如不锈钢等制成的金属基板。
像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3一起发光以显示各种颜色。为了导通/关断相应像素，第一像素PX1、二像素PX2和第三像素PX3可以分别包括晶体管TR。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以显示不同颜色。例如，第一像素PX1可以显示蓝色，第二像素PX2可以显示绿色，并且第三像素PX3可以显示红色。然而，本发明构思不限于此，并且第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别显示各种不同颜色。此外，除了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之外，可以进一步包括显示其他颜色的其他像素。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在尺寸上彼此不同。在图1中，第一像素PX1大于第二像素PX2，并且第二像素PX2大于第三像素PX3。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的相对尺寸可以不同地改变。此外，在示例性实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在尺寸上基本上彼此相等。
透射窗口20允许透射外部光L同时减小透射损耗。透射窗口20包括长阻挡部21和22以及短阻挡部23和24。长阻挡部21和22包括彼此面对的第一长阻挡部21和第二长阻挡部22。第一长阻挡部21和第二长阻挡部22与多个像素PX邻近。短阻挡部23和24包括将第一长阻挡部21和第二长阻挡部22彼此连接的第一短阻挡部23和第二短阻挡部24。第一长阻挡部21的长度W1和第二长阻挡部22的长度W1分别大于第一短阻挡部23和第二短阻挡部24中的每一个的长度W2。
根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器可以是包括透射窗口20的透明有机发光二极管显示器。
在图1中，一个透射窗口20与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3邻近布置。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，三个分立的透射窗口20可以分别与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3邻近布置。可替代地，在示例性实施例中，单个透射窗口20可以与三个或多个像素PX邻近布置。
遮光构件30在第二方向Y上延伸，同时面对透射窗口20的第一长阻挡部21或第二长阻挡部22。此外，遮光构件30在第二方向Y上延伸，同时面对多个像素PX。
遮光构件30可以阻挡入射到每个像素PX的晶体管TR上的外部光L。因此，可以通过阻挡在第一方向X上入射到晶体管TR上的外部光L而减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
在下文中，将参照图2描述像素、透射窗口以及遮光构件的详细结构。
如图2中所示，每个像素PX包括晶体管TR，晶体管TR包括分别布置在基板10上不同层中的多个电极构件125、130、155、156、76和77、分别布置在不同层中并且将多个电极构件125、130、155、156、76和77彼此绝缘的多个绝缘层IL、以及连接至晶体管TR的有机发光二极管OLED。
多个电极构件125、130、155、156、76和77包括布置在基板10上的遮光电极125、与遮光电极125重叠的半导体构件130、与半导体构件130重叠的第一栅电极155、布置在第一栅电极155上的第二栅电极156、源电极76以及漏电极77。源电极76和漏电极77连接至半导体构件130。源电极76和漏电极77参照第一栅电极155而彼此面对布置(例如源电极76和漏电极77布置在第一栅电极155的相对侧)。遮光电极125通过防止或减少外部光L到达半导体构件130而防止或减少半导体构件130的特征的退化，并且减小晶体管TR的泄漏电流。半导体构件130包括与第一栅电极155重叠的沟道131、源区136以及漏区137。源区136和漏区137布置在沟道131的相对侧。
多个绝缘层IL包括覆盖遮光电极125的第一绝缘层120、覆盖半导体构件130的第二绝缘层141、覆盖第一栅电极155的第三绝缘层142、覆盖第二栅电极156的第四绝缘层160以及覆盖源电极76和漏电极77的第五绝缘层180。
多个绝缘层IL包括开口。开口形成透射窗口20。例如，透射窗口20包括穿透多个绝缘层IL中的至少一个的开口。透射窗口20包括彼此面对的第一长阻挡部21和第二长阻挡部22。
第一绝缘层120、第二绝缘层141、第三绝缘层142和第四绝缘层160可以包括例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。第五绝缘层180可以包括诸如聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机材料的堆叠层，或者有机材料与无机材料的堆叠层。
遮光构件30以距多个电极构件125、130、155、156、76和77一距离布置。为了减小制造过程期间的静电放电(ESD)，遮光构件30可以与电源线PL电连接，电源通过电源线PL来供应。这种电源线可以例如是驱动电压ELVDD通过其传输的驱动电压线172(参见图4)，或者公共电压ELVSS通过其传输的公共电压线741(参见图4)。
遮光构件30包括分别与多个电极构件125、130、155、156、76和77布置在同一层中的多个遮光子构件30p、30q、30r和30s。多个遮光子构件30p、30q、30r和30s包括与遮光电极125布置在同一层中的第一遮光子构件30p、与第一栅电极155布置在同一层中的第二遮光子构件30q、与第二栅电极156布置在同一层中的第三遮光子构件30r以及与源电极76和漏电极77布置在同一层中的第四遮光子构件30s。
在图2中所示的示例性实施例中，遮光构件30包括第一遮光子构件30p、第二遮光子构件30q、第三遮光子构件30r以及第四遮光子构件30s。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，遮光构件30可以包括五个或更多个遮光子构件。
遮光构件30可以阻挡穿过透射窗口20入射到晶体管TR上的外部光L。因此，可以减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
像素电极191(或第一电极191)布置在第五绝缘层180上。漏电极77通过形成在第五绝缘层180中的接触孔81连接至像素电极191。因此，像素电极191连接至晶体管TR。像素限定层PDL 350布置在第五绝缘层180和像素电极191的边缘上，并且覆盖第五绝缘层180和像素电极191的边缘。像素限定层350具有与像素电极191重叠的像素开口351。有机发射层370布置在像素电极191上，并且公共电极270(也称作第二电极)布置在有机发射层370上(并且因此布置在像素电极191上)。像素电极191、有机发射层370以及公共电极270形成了有机发光二极管OLED。透射窗口20部分地与公共电极270重叠。
在下文中，将参照图3和图4描述图1和图2中所示的有机发光二极管显示器的详细结构。
图3是根据本发明构思的示例性实施例的图1的有机发光二极管显示器的示意性俯视图。图4是根据本发明构思的示例性实施例的图1的有机发光二极管显示器的像素的等效电路图。
如图3中所示，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括显示面板1、扫描驱动器2、数据驱动器3以及时序控制器4。显示面板1包括布置在基板10上的多条信号线151、152、153、158、171、172和132，以及连接至多条信号线151、152、153、158、171、172和132的多个像素PX。多个像素被设置成矩阵格式。
如图4中所示，每个像素PX包括连接至多条信号线151、152、153、158、171、172和132的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst以及有机发光二极管OLED。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7包括彼此以一距离(例如彼此间隔开)布置的第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。第一晶体管T1可以是驱动晶体管，第二晶体管T2可以是开关晶体管，第三晶体管T3可以是补偿晶体管，第四晶体管T4可以是初始化晶体管，第五晶体管T5可以是操作控制晶体管，第六晶体管T6可以是发光控制晶体管，并且第七晶体管T7可以是旁路晶体管。
信号线151、152、153、158、171、172和132可以包括扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、以及初始化电压线132。
扫描线151将扫描信号Sn传送至开关晶体管T2和补偿晶体管T3，前一扫描线152将前一扫描信号Sn-1传送至初始化晶体管T4，并且发光控制线153将发光控制信号EM传送至操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6。旁路控制线158连接至前一扫描线152并且将前一扫描信号Sn-1传送至旁路晶体管T7。
数据线171与扫描线151交叉并且传送数据信号Dm，驱动电压线172基本上平行于数据线171并且传送驱动电压ELVDD，并且初始化电压线132传送对驱动晶体管T1进行初始化的初始化电压Vint。
扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172以及初始化电压线132分别连接至一个像素PX。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接至存储电容器Cst的第一端Cst1，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172，并且驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的阳极。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作而接收数据信号Dm，并且将驱动电流Id供应至有机发光二极管OLED。
开关晶体管T2的栅电极G2连接至扫描线151，开关晶体管T2的源电极S2连接至数据线171，并且开关晶体管T2的漏电极D2连接至驱动晶体管T1的源电极S1并且经由操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172。根据通过扫描线151传送的扫描信号Sn导通开关晶体管T2，并且执行开关操作以将数据信号Dm传送至驱动晶体管T1的源电极S1。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接至扫描线151，补偿晶体管T3的源电极S3连接至驱动晶体管T1的漏电极D1并经由发光控制晶体管T6连接至有机发光二极管OLED的阳极，并且补偿晶体管T3的漏电极D3连接至初始化晶体管T4的漏电极D4、存储电容器Cst的第一端Cst1以及驱动晶体管T1的栅电极G1。根据通过扫描线151传送的扫描信号Sn导通补偿晶体管T3，并且通过连接驱动晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1而二极管连接驱动晶体管T1。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接至前一扫描线152，初始化晶体管T4的源电极S4连接至初始化电压线132，并且初始化晶体管T4的漏电极D4通过补偿晶体管T3的漏电极D3连接至存储电容器Cst的第一端Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1。根据通过前一扫描线152传送的前一扫描信号Sn-1导通初始化晶体管T4，并且通过将初始化电压Vint传送至驱动晶体管T1的栅电极G1而执行初始化操作以初始化驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压(Vg)。
在示例性实施例中，补偿晶体管T3和初始化晶体管T4被提供为双栅极晶体管以便于防止或减小泄漏电流。
在此情况下，连接至驱动晶体管T1的栅电极G1的遮光电极G11减小了由于外部光而可能发生的驱动晶体管T1的泄漏电流。进一步，连接至补偿晶体管T3的栅电极G3的遮光电极G31减小了由于外部光而可能发生的补偿晶体管T3的泄漏电流，并且连接至初始化晶体管T4的栅电极G4的遮光电极G41减小了由于外部光而可能发生的初始化晶体管T4的泄漏电流。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接至发光控制线153，操作控制晶体管T5的源电极S5连接至驱动电压线172，并且操作控制晶体管T5的漏电极D5连接至驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接至发光控制线153，发光控制晶体管T6的源电极S6连接至驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3，并且发光控制晶体管T6的漏电极D6连接至有机发光二极管OLED的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过发光控制线153传送的发光控制信号EM而基本上同时地导通。结果，驱动电压ELVDD通过二极管连接的驱动晶体管T1被补偿并且随后传送至有机发光二极管OLED。
旁路晶体管T7的栅电极G7连接至旁路控制线158，旁路晶体管T7的源电极S7连接至发光控制晶体管T6的漏电极D6和有机发光二极管OLED的阳极，并且旁路晶体管T7的漏电极D7连接至初始化电压线132以及初始化晶体管T4的源电极S4。因此，当显示黑色图像的驱动电流流动时，从驱动电流Id减去通过旁路晶体管T7泄漏的旁路电流Ibp的量而得到的发光电流Ioled具有至少用于黑色图像的清楚表达的量。因此，根据本发明构思的示例性实施例，可以使用旁路晶体管T7实现具有改进的黑色亮度的图像，由此改进对比度。
存储电容器Cst的第二端Cst2连接至驱动电压线172，并且有机发光二极管OLED的阴极连接至传送公共电压ELVSS的公共电压线741。
扫描驱动器2将扫描信号Sn传送至扫描线151，并且数据驱动器3将数据信号Dm传送至数据线171。时序控制器4通过从外部***接收各种控制信号和图像信号而生成扫描控制信号、数据控制信号以及RGB信号，并且将所生成的信号传送至扫描驱动器2和数据驱动器3。
在图3和图4中所示的示例性实施例中，像素电极PX包括7个晶体管和1个电容器。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施例，可以不同地修改晶体管的数目和电容器的数目。
在下文中，将参照图5至图10详细描述图1至图4中所示的有机发光二极管显示器的详细结构。
图5是根据本发明构思的示例性实施例的图1的详细布局图。图6是根据本发明构思的示例性实施例图示驱动晶体管和开关晶体管的图5中的部分A的放大布局图。图7是根据本发明构思的示例性实施例图示遮光构件、补偿晶体管以及初始化晶体管的图5中的部分A的放大布局图。图8是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线VIII-VIII截取的图6的有机发光二极管显示器的剖视图。图9是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线IX-IX截取的图7的有机发光二极管显示器的剖视图。图10是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线X-X截取的图7的有机发光二极管显示器的剖视图。
参照图5，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括像素PX、与像素PX邻近布置的透射窗口20、以及布置在像素PX与透射窗口20之间的遮光构件30。
像素PX包括沿第二方向Y顺序设置的蓝色像素PXb、绿色像素PXg以及红色像素PXr。
分别供应扫描信号Sn的、前一扫描信号Sn-1以及发光控制信号EM的扫描线151、前一扫描线152以及发光控制线153分别布置在透射窗口20和像素PX的之上和之下。发光控制线153包括在第二方向Y上延伸至像素PX中的旁路控制线158。
将数据信号Dm供应至像素PX的数据线171与扫描线151、前一扫描线152以及发光控制线153交叉。
数据线171包括将数据信号Dm供应至红色像素PXr的第一数据线171R、将数据信号Dm供应至绿色像素PXg的第二数据线171G以及将数据信号Dm供应至蓝色像素PXb的第三数据线171B。
将驱动电压ELVDD供应至像素PX的驱动电压线172包括基本上平行于数据线171的第一驱动电压线172a和第三驱动电压线172c，以及基本上平行于扫描线151的第二驱动电压线172b。第一驱动电压线172a、第二驱动电压线172b以及第三驱动电压线172c通过接触孔CH1和CH2彼此连接。因此，与其中仅提供在第二方向Y上延伸的第一驱动电压线172a以传送驱动电压ELVDD的比较示例相比，在图5的示例性实施例中，在第二方向Y上延伸的第一驱动电压线172a和在第一方向X上延伸的第二驱动电压线172b通过接触孔CH1彼此连接，使得可以形成网格结构，由此减小驱动电压线172的电压降。此外，因为额外的第三驱动电压线172c连接至第一驱动电压线172a，因此可以额外地减小驱动电压线172的电压降。
将初始化电压Vint供应至像素PX的初始化电压线132包括基本上平行于数据线171的第一初始化电压线132a和第三初始化电压线132c，以及基本上平行于扫描线151的第二初始化电压线132b。第一初始化电压线132a和第二初始化电压线132b通过接触孔CH3彼此连接。第三初始化电压线132c和第二初始化电压线132b通过接触孔CH4彼此连接。例如，第二初始化电压线132b通过接触孔CH3连接至初始化连接构件177，并且初始化连接构件177连接至第一初始化电压线132a。类似地，第二初始化电压线132b通过接触孔CH4连接至初始化连接构件177，并且初始化连接构件177通过接触孔CH4连接至第三初始化电压线132c。
遮光构件30布置在透射窗口20的第一长阻挡部21与数据线171之间。此外，遮光构件30布置在透射窗口20的第二长阻挡部22与第三驱动电压线172c之间。
如图5至图8中所示，驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、旁路晶体管T7、存储电容器Cst、以及有机发光二极管(OLED)布置在一起形成像素PX的蓝色像素PXb、绿色像素PXg和红色像素PXr中的每一个中。
如图8中所示，驱动晶体管T1包括驱动遮光电极125a、驱动沟道131a、驱动栅电极155a、驱动源电极136a以及驱动漏电极137a。
如图6至图8中所示，驱动遮光电极125a和驱动栅电极155a与驱动沟道131a重叠，并且驱动源电极136a和驱动漏电极137a布置在驱动沟道131a的相对侧。驱动遮光电极125a和驱动栅电极155a通过接触孔21a彼此连接。驱动栅电极155a通过接触孔61连接至驱动连接构件174。
驱动遮光电极125a布置在驱动沟道131a之下并且阻挡外部光入射到驱动沟道131a上。因此，可以减小由于外部光导致的泄漏电流。
开关晶体管T2包括开关沟道131b、开关栅电极155b、开关源电极136b以及开关漏电极137b。作为扫描线151的一部分的开关栅电极155b与开关沟道131b重叠，并且开关源电极136b和开关漏电极137b与开关沟道131b的相对侧面邻接布置。开关源电极136b通过接触孔41连接至数据线171。
如图6、图7和图9中所示，补偿晶体管T3包括补偿遮光电极125c、补偿沟道131c、补偿栅电极155c、补偿源电极136c以及补偿漏电极137c。作为扫描线151的一部分的补偿栅电极155c包括防止或减小泄漏电流的两个补偿栅电极155c，并且与补偿沟道131c重叠。补偿源电极136c和补偿漏电极137c与补偿沟道131c的相对侧面邻接布置。补偿遮光电极125c和补偿栅电极155c通过接触孔22a彼此连接。补偿漏电极137c通过接触孔63连接至驱动连接构件174。补偿遮光电极125c布置在补偿沟道131c之下并且阻挡外部光入射到补偿沟道131c上。因此，可以减小由于外部光导致的泄漏电流。
初始化晶体管T4包括初始化遮光电极125d、初始化沟道131d、初始化栅电极155d、初始化源电极136d以及初始化漏电极137d。作为前一扫描线152的一部分的初始化栅电极155d包括防止或减小泄漏电流的两个初始化栅电极155d，并且与初始化沟道131d重叠。初始化源电极136d和初始化漏电极137d分别与初始化沟道131d的相对侧面邻接布置。初始化遮光电极125d和初始化栅电极155d通过接触孔23a彼此连接。初始化遮光电极125d布置在初始化沟道131d之下，并且防止或减少入射到初始化沟道131d上的外部光。因此，可以减小由于外部光导致的泄漏电流。
操作控制晶体管T5包括操作控制沟道131e、操作控制栅电极155e、操作控制源电极136e以及操作控制漏电极137e。作为发光控制线153的一部分的操作控制栅电极155e与操作控制沟道131e重叠。操作控制源电极136e和操作控制漏电极137e分别与操作控制沟道131e的相对侧面邻接布置。操作控制源电极136e通过接触孔65连接至操作控制连接构件175。操作控制连接构件175通过接触孔64连接至第一驱动电压线172a。
如图6至图8中所示，发光控制晶体管T6包括发光控制沟道131f、发光控制栅电极155f、发光控制源电极136f以及发光控制漏电极137f。作为发光控制线153的一部分的发光控制栅电极155f与发光控制沟道131f重叠。发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f分别与发光控制沟道131f的相对侧面邻接布置。发光控制漏电极137f通过接触孔66与像素连接构件179连接。
旁路晶体管T7包括旁路沟道131g、旁路栅电极155g、旁路源电极136g以及旁路漏电极137g。作为前一扫描线152的一部分的旁路栅电极155g与旁路沟道131g重叠。旁路源电极136g和旁路漏电极137g分别与旁路沟道131g的相对侧面邻接布置。旁路源电极136g直接连接至发光控制漏电极137f。
驱动晶体管T1的驱动沟道131a的第一端连接至开关漏电极137b和操作控制漏电极137e，并且驱动沟道131a的第二端连接至补偿源电极136c和发光控制源电极136f。
驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d、操作控制沟道131e、发光控制沟道131f以及旁路沟道131g可以包括例如多晶硅或氧化物半导体材料。氧化物半导体材料可以包括例如诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)等金属的氧化物，或者诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)的金属与其氧化物的组合。氧化物可以包括例如氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锌锡(IZTO)中的至少一种。
有机发光二极管OLED包括像素电极191、有机发射层370以及公共电极270。
存储电容器Cst包括第一存储电极155a和第二存储电极178。第三绝缘层142布置在第一存储电极155a与第二存储电极178之间。第一存储电极155a与驱动栅电极155a对应，并且第二存储电极178是第一驱动电压线172a的部分区域。第三绝缘层142可以是电介质，并且充入存储电容器Cst中的电荷以及在第一存储电极155a与第二存储电极178之间的电压确定存储电容值。
作为驱动栅电极155a的第一存储电极155a通过接触孔61和存储沟槽51连接至驱动连接构件174的第一端。存储沟槽51形成在第二存储电极178中。因此，驱动连接构件174的第一端与驱动栅电极155a通过其连接的接触孔61布置在存储沟槽51中。驱动连接构件174与数据线171布置在同一层中，并且驱动连接构件174的第二端连接至补偿晶体管T3的补偿漏电极137c以及初始化晶体管T4的初始化漏电极137d。因此，驱动连接构件174连接驱动栅电极155a、补偿晶体管T3的补偿漏电极137c以及初始化晶体管T4的初始化漏电极137d。
因此，存储电容器Cst具有与通过第一驱动电压线172a传送至第二存储电极178的驱动电压ELVDD与驱动栅电极155a的驱动栅极电压Vg之间的差的存储电容值。
遮光构件30包括多个遮光子构件30p、30q、30r和30s。多个遮光子构件30p、30q、30r和30s包括第一遮光子构件30p、第二遮光子构件30q、第三遮光子构件30r以及第四遮光子构件30s。第一遮光子构件30p与驱动遮光电极125a布置在同一层中。第二遮光子构件30q与驱动栅电极155a布置在同一层中。第三遮光子构件30r与第一驱动电压线172a布置在同一层中。第四遮光子构件30s与驱动连接构件174布置在同一层中。
遮光子构件30p、30q、30r和30s彼此连接，使得可以更有效阻挡从透射窗口20的第一长阻挡部21入射到像素PX上的外部光L。
在下文中，将参照图8至图10根据堆叠顺序详细描述示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖面结构。
操作控制晶体管T5和旁路晶体管T7的堆叠结构与发光控制晶体管T6的堆叠结构基本上相同。因此，本文可以省略对其进一步详细描述。
驱动遮光电极125a、补偿遮光电极125c以及初始化遮光电极125d布置在基板10上。第一绝缘层120布置在驱动遮光电极125a、补偿遮光电极125c和初始化遮光电极125d上并且覆盖驱动遮光电极125a、补偿遮光电极125c和初始化遮光电极125d。
驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d以及发光控制沟道131f布置在第一绝缘层120上。驱动源电极136a和驱动漏电极137a分别布置在驱动沟道131a的相对侧，并且开关源电极136b和开关漏电极137b布置在开关沟道131b的相对侧。此外，补偿源电极136c和补偿漏电极137c布置在补偿沟道131c的相对侧，并且初始化源电极136d和初始化漏电极137d布置在初始化沟道131d的相对侧。发光控制源电极136f和发光控制漏电极137f布置在发光控制沟道131f的相对侧。
第二绝缘层141布置在驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d和发光控制沟道131f上并且覆盖驱动沟道131a、开关沟道131b、补偿沟道131c、初始化沟道131d和发光控制沟道131f。包括扫描线151、前一扫描线152、发光控制线153以及驱动栅电极(例如第一存储电极)155a的第一栅极金属线151、152、153和155a布置在第二绝缘层141上，扫描线151包括开关栅电极155b和补偿栅电极155c，前一扫描线152包括初始化栅电极155d和旁路栅电极155g，发光控制线153包括发光控制栅电极155f。
第三绝缘层142布置在第一栅极金属线151、152、153和155a以及第二绝缘层141上并且覆盖第一栅极金属线151、152、153和155a以及第二绝缘层141。包括第一驱动电压线172a和第二初始化电压线132b的第二栅极金属线172a和132b布置在第三绝缘层142上。
第一栅极金属线151、152、153和155a以及第二栅极金属线172a和132b可以包括单层或多层，单层例如包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)以及钼合金中的一种，多层中堆叠了包括例如铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、和钼合金中的一种的金属。
第四绝缘层160布置在第三绝缘层142以及第二栅极金属线172a和132b上并且覆盖第三绝缘层142以及第二栅极金属线172a和132b。第四绝缘层160可以由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成。
第四绝缘层160包括接触孔61、62、63、64、65和66。包括数据线171、驱动连接构件174、操作控制连接构件175以及像素连接构件179的数据金属线171、174、175和179布置在第四绝缘层160上。数据金属层可以由包括例如铜、铜合金、铝、铝合金中的至少一种的金属层以及包括钼和钼合金中的至少一种的金属层的多层形成。数据金属层可以例如由钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的三层或者钼/铜/钼(Mo/Cu/Mo)的三层形成。
数据线171通过连接构件156连接至开关源电极136b，并且第一驱动电压线172a的一部分成为第二存储电极178。
第五绝缘层180布置在数据金属线171、174、175和179以及第四绝缘层160上并且覆盖数据金属线171、174、175和179以及第四绝缘层160。因为第五绝缘层180通过覆盖数据金属线171、174、175和179而平坦化数据金属线171、174、175和179，因此像素电极191(例如第一电极)可以布置在钝化层(例如第五绝缘层180)上而没有台阶差。第五绝缘层180可以由诸如聚丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂的有机材料制成，或者可以是有机材料与无机材料的堆叠层。
像素电极191布置在第五绝缘层180上。像素连接构件179通过包括在第五绝缘层180中的接触孔81而连接至像素电极191。
像素限定层350布置在第五绝缘层180以及像素电极191的边缘上并且覆盖第五绝缘层180以及像素电极191的边缘。像素限定层350包括与像素电极191重叠的像素开口351。像素限定层350可以由例如聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等制成，或者可以是硅基无机材料。
有机发射层370布置在像素电极191上，并且公共电极270(例如第二电极)布置在有机发射层370上。公共电极270也布置在像素限定层350上，使得公共电极270可以穿过多个像素PX而形成。像素电极191、有机发射层370以及公共电极270形成有机发光二极管OLED。
像素电极191成为作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极270成为作为电子注入电极的阴极。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，像素电极191可以成为阴极，并且公共电极270可以成为阳极。空穴和电子分别从像素电极191和公共电极270注入至有机发射层370中，并且通过耦合所注入的空穴和电子而生成的激子从受激状态降至基态以发光。
尽管遮光构件30在图1和图2中所示的示例性实施例中仅布置在透射窗口20的长阻挡部21和22与像素PX之间，但本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，遮光构件30可以布置在透射窗口20的短阻挡部23和24与像素PX之间。
在下文中，将参照图11描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图11是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
除了遮光构件的结构之外，图11中所示的示例性实施例与图1和图2中所示的示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图11中所示，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的遮光构件30包括长阻挡部遮光构件31和短阻挡部遮光构件32。长阻挡部遮光构件31布置在与透射窗口20的长阻挡部21和22对应的区域中，并且短阻挡部遮光构件32布置在与透射窗口20的短阻挡部23和24对应的区域中。例如，在示例性实施例中，长阻挡部遮光构件31包括分别与透射窗口20的长阻挡部21和22邻近布置的部分，并且短阻挡部遮光构件32包括分别与透射窗口的短阻挡部23和24邻近布置的部分。
长阻挡部遮光构件31和短阻挡部遮光构件32围绕(例如完全围绕)透射窗口20。因此，遮光构件30可以通过透射窗口20的长阻挡部21和22以及短阻挡部23和24二者来阻挡(例如完全阻挡)入射到像素PX的晶体管TR上的外部光L。因此，可以进一步减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
在图11中所示的示例性实施例中，遮光构件30与透射窗口20的长阻挡部21和22以及短阻挡部23和25邻近布置。在示例性实施例中，遮光构件30可以进一步布置在相邻的像素PX之间。
在下文中，将参照图12描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图12是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
除了遮光构件的结构之外，图12中所示的示例性实施例与图11中所示的示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图12中所示，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括遮光构件30，遮光构件30包括长阻挡部遮光构件31、短阻挡部遮光构件32以及像素遮光构件33。长阻挡部遮光构件31布置在与透射窗口20的长阻挡部21和22对应的区域中，并且短阻挡部遮光构件32布置在与透射窗口20的短阻挡部23和24对应的区域中。例如，在示例性实施例中，长阻挡部遮光构件31包括分别与透射窗口20的长阻挡部21和22邻近布置的部分，并且短阻挡部遮光构件32包括分别与透射窗口的短阻挡部23和24邻近布置的部分。此外，像素遮光构件33布置在相邻的像素PX之间(例如在邻近的像素PX之间)。
因为像素遮光构件33布置在相邻的像素PX之间，因此可以直接阻挡入射到像素PX的晶体管上的外部光L。遮光构件30可以通过长阻挡部遮光构件31和短阻挡部阻挡构件32二者、以及通过像素遮光构件33来阻挡(例如完全阻挡)入射到像素PX的晶体管TR上的外部光L。因此，可以进一步减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
因此，根据本发明构思的示例性实施例，遮光构件30可以布置在透射窗口20与像素PX之间，并且遮光构件30也可以布置在透射窗口20与晶体管TR之间。
在下文中，将参照图13描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图13是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
除了遮光构件的结构之外，图13中所示的示例性实施例与图1和图2中所示的示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图13中所示，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括基板10、布置在基板10上并且包括晶体管TR的多个像素PX、以距像素PX一距离(例如间隔开)布置并且透射光的多个透射窗口20以及布置在晶体管TR与透射窗口20之间的晶体管遮光构件34。晶体管遮光构件34可以围绕(例如完全围绕)晶体管TR。
因为晶体管遮光构件34围绕晶体管TR，因此可以进一步阻挡(例如完全阻挡)从透射窗口20入射到像素PX的晶体管TR上的外部光L。因此，可以进一步减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
现在将参照图14和图15描述关于布置在晶体管TR与透射窗口20之间的晶体管遮光构件34的详细示例性实施例。
图14是根据本发明构思的示例性实施例的图13的有机发光二极管显示器的详细布局图。图15是根据本发明构思的示例性实施例的沿着线XV-XV和XV’-XV’截取的图14的有机发光二极管显示器的剖视图。
除了遮光构件的结构之外，图14和图15中所示的示例性实施例与图5至图10中所示的示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图14和图15中所示，晶体管遮光构件34包括布置在驱动晶体管T1与透射窗口20的长阻挡部21和22之间的第一遮光构件310、布置在补偿晶体管T3与透射窗口20的长阻挡部21和22之间的第二遮光构件320、以及布置在初始化晶体管T4与透射窗口20的长阻挡部21和22之间的第三遮光构件330。
第一遮光构件310与驱动晶体管T1邻近布置。第一遮光构件310可以布置在驱动晶体管T1的左侧和上侧。然而，第一遮光构件310的位置不限于此。例如，在示例性实施例中，第一遮光构件310可以布置在驱动晶体管T1的右侧和下侧，并且第一遮光构件310的位置可以进一步不同地修改。
布置在驱动晶体管T1的左侧的第一遮光构件310可以包括第一遮光子构件30p、第三遮光子构件30r以及第四遮光子构件30s。布置在驱动晶体管T1的上侧的第一遮光构件310可以包括第一遮光子构件30p和第二遮光子构件30q。第一遮光构件310与形成驱动晶体管T1的驱动遮光电极125a、驱动沟道131a、驱动栅电极155a、驱动源电极136a以及驱动漏电极137a电隔离。因为第一遮光构件310与驱动晶体管T1邻近布置，因此可以阻挡(例如完全阻挡)从透射窗口20入射到驱动晶体管T1上的外部光L。第一遮光构件310可以布置在驱动晶体管T1与遮光构件30的长阻挡部遮光构件31之间。
第二遮光构件320与补偿晶体管T3邻近布置。第二遮光构件320可以布置在补偿晶体管T3的下侧和左侧。然而，第二遮光构件320的位置不限于此。例如，在示例性实施例中，第二遮光构件320可以布置在补偿晶体管T3的右侧和上侧，并且第二遮光构件320的位置可以进一步不同地修改。
布置在补偿晶体管T3的下侧的第二遮光构件320可以包括第一遮光子构件30p、第二遮光子构件30q以及第四遮光子构件30s。布置在补偿晶体管T3的左侧的第二遮光构件320可以包括第一遮光子构件30p和第四遮光子构件30s。第二遮光构件320与补偿遮光电极125c、补偿沟道131c、补偿栅电极155c、补偿源电极136c以及补偿漏电极137c电隔离。因为第二遮光构件320与补偿晶体管T3邻近布置，因此可以阻挡(例如完全阻挡)从透射窗口20入射到补偿晶体管T3上的外部光L。因此，在示例性实施例中，第二遮光构件320布置在补偿晶体管T3与透射窗口20之间。第二遮光构件320可以布置在补偿晶体管T3与遮光构件30的长阻挡部遮光构件31之间。
第三遮光构件330与初始化晶体管T4邻近布置。第三遮光构件330可以布置在初始化晶体管T4的上侧和右侧。然而，第三遮光构件330的位置不限于此。例如，在示例性实施例中，第三遮光构件330可以布置在初始化晶体管T4的左侧和下侧，并且第三遮光构件330的位置可以进一步不同地修改。
布置在初始化晶体管T4的上侧的第三遮光构件330可以包括第一遮光子构件30p、第三遮光子构件30r以及第四遮光子构件30s。布置在初始化晶体管T4的右侧的第三遮光构件330可以包括第一遮光子构件30p、第二遮光子构件30q以及第三遮光子构件30r。第三遮光构件330与初始化遮光电极125d、初始化沟道131d、初始化栅电极155d、初始化源电极136d以及初始化漏电极137d电隔离。因为第三遮光构件330与初始化晶体管T4邻近布置，因此可以阻挡(例如完全阻挡)从透射窗口20入射到初始化晶体管T4上的外部光L。第三遮光构件330可以布置在初始化晶体管T4与遮光构件30的长阻挡部遮光构件31之间。
在图14和图15中所示的示例性实施例中，图示了与驱动晶体管T1、补偿晶体管T3以及初始化晶体管T4邻近的遮光构件310、320和330。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，遮光构件310、320和330可以与其他晶体管邻近布置。
在图13至图15的示例性实施例中，图示了围绕晶体管的晶体管遮光构件。然而，本发明构思不限于此。例如，遮光构件可以根据示例性实施例与晶体管遮光构件一起布置在透射窗口与像素之间。
在下文中，将参照图16描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图16是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
图16中所示的示例性实施例与图13至图15中所示的示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图16中所示，在示例性实施例中，遮光构件30包括长阻挡部遮光构件31、短阻挡部遮光构件32以及晶体管遮光构件34。长阻挡部遮光构件31布置在与透射窗口20的长阻挡部21和22对应的区域中，并且短阻挡部遮光构件32布置在与透射窗口20的短阻挡部23和24对应的区域中。此外，晶体管遮光构件34围绕(例如完全围绕)晶体管TR。遮光构件30可以通过长阻挡部遮光构件31和短阻挡部遮光构件32以及通过晶体管遮光构件34来阻挡入射到像素PX的晶体管TR上的外部光L。因此，可以进一步减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
在图16中所示的示例性实施例中，图示了晶体管遮光构件34、长阻挡部遮光构件31以及短阻挡部遮光构件32。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，除了晶体管遮光构件34、长阻挡部遮光构件31以及短阻挡部遮光构件32之外，像素遮光构件可以布置在相邻的像素之间。
在下文中，将参照图17描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图17是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性布局图。
除了遮光构件的结构之外，图17中所示的示例性实施例与图16中所示示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图17中所示，在示例性实施例中，遮光构件30包括长阻挡部遮光构件31、短阻挡部遮光构件32、像素遮光构件33以及晶体管遮光构件34。长阻挡部遮光构件31布置在与透射窗口20的长阻挡部21和22对应的区域中，并且短阻挡部遮光构件32布置在与透射窗口20的短阻挡部23和24对应的区域中。此外，像素遮光构件33布置在相邻的像素PX之间，并且晶体管遮光构件34围绕(例如完全围绕)晶体管TR。遮光构件30可以通过长阻挡部遮光构件31、短阻挡部遮光构件32、和晶体管遮光构件34、以及通过像素遮光构件33来阻挡入射到像素PX的晶体管TR上的外部光L。因此，可以减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
在图1至图10中所示的示例性实施例中，遮光构件由多个电极构件形成。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施例中，遮光构件可以由与像素电极相同的材料形成。
在下文中，将参照图18描述根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器。
图18是根据本发明构思的示例性实施例的有机发光二极管显示器的示意性剖视图。
除了遮光构件的结构之外，图18中所示的示例性实施例与图1和图2中所示的示例性实施例基本上相同。为了便于解释说明，可以在本文中省略对之前描述的元件的进一步描述。
如图18中所示，在示例性实施例中，遮光构件30与有机发光二极管显示器中的多个电极构件125、130、155、156、76和77电隔离。多个绝缘层IL具有开口，并且开口形成透射窗口20。透射窗口20包括彼此面对的第一长阻挡部21和第二长阻挡部22。遮光构件30从与像素电极191相同的层延伸至透射窗口20的长阻挡部21和22的表面。例如，遮光构件30从第五绝缘层180之上延伸至透射窗口20的长阻挡部21和22的表面。遮光构件30可以包括与像素电极191相同的材料。
因此，遮光构件30可以阻挡穿过透射窗口20入射到晶体管TR上的外部光L。相应地，可以减小由于外部光L导致的晶体管TR的泄漏电流。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体地示出并描述了本发明构思，但本领域普通技术人员应该理解的是，可以在其中做出形式和细节上的各种改变而不脱离如由以下权利要求所限定的本发明构思的精神和范围。

Claims (17)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板；
布置在所述基板上的多个像素，其中所述多个像素显示图像；
与所述多个像素间隔开的多个透射窗口，其中光从所述多个透射窗口透射；以及
遮光构件，所述遮光构件布置在所述多个像素中的一个像素与所述多个透射窗口中的一个透射窗口之间，
其中每个像素包括：
晶体管，所述晶体管包括布置在所述基板上不同层中的多个电极构件，
其中所述遮光构件包括分别与所述多个电极构件布置在同一层中的多个遮光子构件。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个电极构件包括：
布置在所述基板上的遮光电极；
与所述遮光电极重叠的半导体构件；
布置在所述半导体构件上的第一栅电极；
布置在所述第一栅电极上的第二栅电极；
连接至所述半导体构件的源电极；以及
连接至所述半导体构件的漏电极，
其中所述源电极和所述漏电极布置在所述第一栅电极的相对侧。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个遮光子构件包括以下中的至少两个：
与所述遮光电极布置在同一层中的第一遮光子构件；
与所述第一栅电极布置在同一层中的第二遮光子构件；
与所述第二栅电极布置在同一层中的第三遮光子构件；以及
与所述源电极布置在同一层中的第四遮光子构件。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，每个像素包括：
分别布置在所述基板上不同层中的多个绝缘层，其中所述绝缘层将所述多个电极构件彼此绝缘；
连接至所述晶体管的第一电极；
布置在所述第一电极上的第二电极；以及
布置在所述第一电极与所述第二电极之间的有机发射层，
其中所述透射窗口包括穿透所述多个绝缘层中的至少一个绝缘层的开口，并且所述透射窗口与所述第二电极部分地重叠。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述遮光构件电连接至电源线，电力通过所述电源线供应。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述透射窗口包括与所述多个像素中的所述一个像素邻近布置的长阻挡部和连接至所述长阻挡部的短阻挡部；并且
所述遮光构件包括与所述透射窗口的长阻挡部邻近布置的长阻挡部遮光构件。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，所述遮光构件进一步包括与所述透射窗口的短阻挡部邻近布置的短阻挡部遮光构件；并且
所述长阻挡部遮光构件和所述短阻挡部遮光构件围绕所述透射窗口。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中，所述遮光构件进一步包括布置在相邻像素之间的像素遮光构件。
9.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板；
布置在所述基板上的多个像素，其中所述多个像素显示图像；以及
与所述多个像素间隔开的多个透射窗口，其中光从所述多个透射窗口透射；
其中每个像素包括：
晶体管，所述晶体管包括布置在所述基板上不同层中的多个电极构件；以及
晶体管遮光构件，所述晶体管遮光构件布置在所述晶体管与所述多个透射窗口中的一个透射窗口之间。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
布置在所述基板上的扫描线，其中所述扫描线传送扫描信号；
布置在所述基板上的数据线，其中所述数据线与所述扫描线交叉并且传送数据电压；以及
布置在所述基板上的驱动电压线，其中所述驱动电压线与所述扫描线交叉并且传送驱动电压，
其中所述晶体管是多个晶体管中的一个晶体管，并且所述多个晶体管包括：
连接至所述扫描线和所述数据线的第二晶体管；
连接至所述第二晶体管的第一晶体管，其中所述第一晶体管包括驱动栅电极、驱动源电极和驱动漏电极，
其中所述晶体管遮光构件包括布置在所述第一晶体管与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口之间的第一遮光构件。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第一遮光构件布置在所述第一晶体管与长阻挡部遮光构件之间，所述长阻挡部遮光构件与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的长阻挡部邻近布置。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，所述多个晶体管进一步包括：
第三晶体管，所述第三晶体管由所述扫描信号导通并且补偿所述第一晶体管的阈值电压，
其中所述第三晶体管布置在所述驱动漏电极与所述驱动栅电极之间的电流路径上，
其中所述晶体管遮光构件进一步包括布置在所述第三晶体管与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口之间的第二遮光构件。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第二遮光构件布置在所述第三晶体管与长阻挡部遮光构件之间，所述长阻挡部遮光构件与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的长阻挡部邻近布置。
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
前一扫描线，所述前一扫描线平行于所述扫描线延伸并且传送前一扫描信号；以及
初始化电压线，所述初始化电压线传送对所述第一晶体管进行初始化的初始化电压，
其中所述多个晶体管进一步包括：
第四晶体管，所述第四晶体管根据所述前一扫描信号导通并且将所述初始化电压传送至所述驱动栅电极，
其中所述第四晶体管布置在所述初始化电压线与所述驱动栅电极之间的电流路径上，
其中所述晶体管遮光构件进一步包括布置在所述第四晶体管与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口之间的第三遮光构件。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其中，所述第三遮光构件布置在所述第四晶体管与长阻挡部遮光构件之间，所述长阻挡部遮光构件与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的长阻挡部邻近布置。
16.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
前一扫描线，所述前一扫描线平行于所述扫描线延伸并且传送前一扫描信号；以及
初始化电压线，所述初始化电压线传送对所述第一晶体管进行初始化的初始化电压，
其中所述多个晶体管进一步包括：
第四晶体管，所述第四晶体管根据所述前一扫描信号导通并且将所述初始化电压传送至所述驱动栅电极，
其中所述第四晶体管布置在所述初始化电压线与所述驱动栅电极之间的电流路径上，
其中所述晶体管遮光构件进一步包括布置在所述第四晶体管与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口之间的第三遮光构件。
17.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
遮光构件，所述遮光构件包括与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的长阻挡部邻近布置的长阻挡部遮光构件，以及与所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的短阻挡部邻近布置的短阻挡部遮光构件，
其中所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的所述长阻挡部与所述多个像素中的一个像素邻近，并且所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的所述短阻挡部连接至所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口的所述长阻挡部，
其中所述长阻挡部遮光构件和所述短阻挡部遮光构件围绕所述多个透射窗口中的所述一个透射窗口。
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