CN107527656A - 数据存储装置及其操作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种数据存储装置的操作方法，其包括：确定用于在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布的第一读取偏压的适合性；以及当确定第一读取偏压是不适合的时，确定第二读取偏压。

Description

数据存储装置及其操作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年6月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0076658的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
各种实施例总体涉及一种数据存储装置，并且更特别地，涉及一种包括非易失性存储器装置的数据存储装置。
背景技术
数据存储装置响应于写入请求存储由外部装置提供的数据。数据存储装置也可响应于读取请求将存储的数据提供给外部装置。使用数据存储装置的外部装置的示例包括计算机、数码相机、移动电话等。数据存储装置可在外部装置的制造期间嵌入在外部装置中或可单独制造然后连接到外部装置。
发明内容
在实施例中，数据存储装置的操作方法可包括：确定用于在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布的第一读取偏压的适合性；以及当确定第一读取偏压是不适合的时，确定第二读取偏压。
在实施例中，数据存储装置的操作方法可包括：确定用于在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布的第一读取偏压的适合性；当确定第一读取偏压是不适合的时，基于高斯(Gaussian)建模算法和第一读取偏压的错误率确定对应于目标阈值电压分布的起始偏压；以及基于起始偏压确定第二读取偏压。
在实施例中，数据存储装置的操作方法可包括：基于高斯建模算法和第一读取偏压确定与在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布相对应的起始偏压；以及基于起始偏压确定用于目标阈值电压分布的第二读取偏压。
在实施例中，数据存储装置可包括：适合性确定单元，其适于确定用于在存储器装置中的多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布的第一读取偏压的适合性；以及读取偏压确定单元，其适于当确定第一读取偏压是不适合的时确定第二读取偏压。
在实施例中，适合性确定单元适于确定在多个存储器单元中的具有低于第一读取偏压的阈值电压的存储器单元的数量；以及基于存储器单元的数量和对应于目标阈值电压分布的参考数量确定第一读取偏压的适合性。
在实施例中，适合性确定单元适于基于第一读取偏压获取从存储器单元读取的数据；以及确定包括在数据中的具有预定值的位的数量。
在实施例中，读取偏压确定单元适于基于梯度下降算法确定第二读取偏压。
在实施例中，读取偏压确定单元适于：基于高斯分布函数确定目标阈值电压分布的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压；以及基于第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度确定第二读取偏压。
在实施例中，读取偏压确定单元适于通过确定在第一目标阈值电压分布中由第一读取偏压形成的部分分布的面积率并将面积率应用至高斯分布函数的积分方程来确定平均阈值电压。
在实施例中，读取偏压确定单元适于通过确定在第一目标阈值电压分布中由第一读取偏压形成的部分分布的面积率并将面积率应用至Q函数的反函数来确定平均阈值电压。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的各种实施例，本发明的上述和其它特征及优点对于本发明所属领域的技术人员将变得更加显而易见，其中：
图1是示出根据本发明的实施例的数据存储装置的框图。
图2是示出图1中所示的非易失性存储器装置的具体配置的示例的框图。
图3A是示出存储器单元的阈值电压分布的示例的图。
图3B是示出阈值电压分布的移动的示例的图。
图3C是示出用于阈值电压分布的最优读取偏压的示例的图。
图3D是示出用于阈值电压分布的失效的(malfunctioned)读取偏压确定操作的示例的图。
图4A-4C是示出图1的适合性确定单元确定目标读取偏压和目标阈值电压分布的方法的示例的图。
图5是示出图1的适合性确定单元的操作方法的图。
图6A是示出基于梯度下降算法的读取偏压确定操作的示例的图。
图6B是示出基于失效的梯度下降算法的读取偏压确定操作的示例的图。
图7是示出图1的数据存储装置的操作方法的流程图。
图8是示出根据本发明的另一实施例的数据存储装置的框图。
图9A和图9B是示出图8的起始偏压确定单元确定用于目标阈值电压分布的读取偏压确定操作的起始偏压的方法的示例的图。
图10是示出用于预定面积率的Q函数的反函数的值布置在其中的表的示例的图。
图11是示出用于操作图8的数据存储装置的方法的示例的流程图。
图12是示出用于操作图8的数据存储装置的方法的另一示例的流程图。
图13是示出根据本发明的又一实施例的数据存储装置的框图。
图14是示出用于操作图13的数据存储装置的方法的流程图。
图15是示出根据本发明的实施例的固态驱动器(SSD)的框图。
图16是示出根据本发明的实施例的包括数据存储装置的数据处理***的框图。
具体实施方式
在下文中，将通过本发明的示例性实施例参照附图描述根据本发明的数据存储装置及其操作方法。然而，本发明可以不同形式体现，并且不应被理解为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例以足够详细地描述本发明使得本发明所属领域的技术人员能够实施本发明。
应当被理解的是，本发明的实施例不限于在附图中示出的细节，附图不一定按比例绘制，并且在一些情况下，为了更清楚地示出发明的一些特征，比例可能已经被夸大。虽然使用特定的术语，但是应当被理解的是，使用的术语仅用于描述特定的实施例而不旨在限制本发明的范围。
还将理解的是，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件，但是这些元件不受这些术语限制。使用这些术语来将一个元件与另一元件区分。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件也可被称为第二元件或第三元件。
将进一步理解的是，当一个元件被称为“连接至”或“联接至”另一元件时，它可以直接在其它元件上、连接至或联接至其它元件，或可存在一个或多个中间元件。另外，也将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，其可以是两个元件之间仅有的元件或也可存在一个或多个中间元件。
如本文中使用的，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另有清楚地指示。并且，当在本说明书中使用术语“包括”、“包括有”、“包含”、“包含有”等时，它们指定阐述的元件的存在而不排除一个或多个其它元件的存在或增加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。
除非另有限定，否则本文所使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明所属领域中普通技术人员基于本公开所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中限定的那些术语的术语应被理解为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文如此明确地限定。
在以下描述中，为了提供本发明的彻底理解，阐述了大量具体细节。本发明可在没有这些具体细节的一些或全部的情况下被实践。在其它情况下，为了不使本发明不必要地模糊，未详细地描述公知的进程结构和/或进程。
也注意的是，在一些实例中，如对本发明所属领域的技术人员显而易见的是，结合一个实施例描述的元件(也称作特征)可单独地使用或与另一实施例的其它元件结合使用，除非另有明确指示。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的各个实施例。
图1示出根据本发明的实施例的数据存储装置10A。
参照图1，数据存储装置10A可被配置为响应于来自外部装置(未示出)的写入请求存储由外部装置提供的数据。并且，数据存储装置10A可被配置为响应于来自外部装置的读取请求将存储的数据提供给外部装置。外部装置可以是联接至存储装置的主机装置。
数据存储装置10A可由个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、标准闪存(CF)卡、智能媒体卡、记忆棒、各种多媒体卡(例如，MMC、eMMC、RS-MMC和微型-MMC)、各种安全数字卡(例如，SD、迷你-SD和微型-SD)、通用闪速存储器(UFS)、固态驱动器(SSD)等配置。
数据存储装置10A可包括控制器100A和非易失性存储器装置200A。
控制器100A可控制数据存储装置10A的一般操作。控制器100A可响应于从外部装置接收的写入请求将数据存储在非易失性存储器装置200A中。而且，控制器100A可响应于从外部装置接收的读取请求读取存储在非易失性存储器装置200A中的数据并输出读取数据至外部装置。
控制器100A可包括适合性确定单元110A和读取偏压确定单元120A。
适合性确定单元110A可确定用于目标阈值电压分布的目标读取偏压的适合性。目标读取偏压可以是正被非易失性存储器装置200A用于读取操作的读取偏压。也就是说，适合性确定单元110A可确定当前正在使用的读取偏压的适合性。并且，根据实施例，目标读取偏压可以是随后待由非易失性存储器件200A用于读取操作的读取偏压。例如，目标读取偏压可以是由读取偏压确定单元120A确定的新读取偏压。在错误确定的读取偏压被使用在读取操作中之前，适合性确定单元110A可以预先确定新读取偏压的适合性。
非易失性存储器装置200A可以根据存储在每个存储器单元中的位的数量在读取操作中使用多个读取偏压。目标读取偏压可以是多个读取偏压中的至少一个。可对多个读取偏压中被选择为目标读取偏压的每个读取偏压执行适合性确定操作。
当选择目标读取偏压时，确定相对于目标阈值电压分布该目标读取偏压是否是适当的。可对应于目标读取偏压来确定目标阈值电压分布。例如，目标阈值电压分布可以是存储器单元的阈值电压分布中彼此相邻的一组阈值电压分布。目标阈值电压分布可以是待由选择的目标读取偏压来区分的一对相邻的阈值电压分布。即，在本实施例中，适合性确定操作可包括确定选择的目标读取偏压是否适当地位于一对相邻目标阈值电压分布之间以区分相邻的目标阈值电压分布。
更具体地，适合性确定单元110A可执行适合性确定操作。适合性确定操作可包括计算选择的目标读取偏压的错误率，将计算的错误率与用于目标阈值电压分布的最优读取偏压的可接受错误率范围进行比较，并确定目标读取偏压的错误率是否位于最优读取偏压的可接受错误范围内。最优读取偏压可以是与在一对相邻目标阈值电压分布之间形成的谷峰(valley)内的点相对应的电压电平。在一对相邻的目标阈值电压分布之间形成的谷峰可以被定义为在较高目标阈值电压分布的最低电压点和较低目标阈值电压分布的最高电压点之间的电压范围。例如，最优读取偏压可以是与相邻目标阈值电压分布之间的谷峰的中间点相对应的电压电平，即，位于较高目标阈值电压分布的最低电压点和较低目标阈值电压分布的最高电压点之间的电压点。当目标读取偏压的计算的错误率位于用于相邻目标阈值电压分布的最优读取偏压的可接受错误范围(以下也称为容差范围)内时，可以确定目标读取偏压是适当的。然而，当目标读取偏压的计算的错误率不位于用于两个相邻目标阈值电压分布的最优读取偏压的容差范围内时，可确定用于两个相邻目标阈值电压分布的目标读取偏压是不适当的。
在该实施例的变型中，适合性确定操作可包括：将用于两个相邻目标阈值电压分布的目标读取偏压与用于目标阈值电压分布的最优读取偏压的容差范围进行比较，以及确定目标读取偏压是否位于最优读取偏压的容差范围内。最优读取偏压可以是与在相邻目标阈值电压分布之间形成的谷峰内的电压相对应的电压电平，例如谷峰内的中间点。当目标读取偏压落在用于相邻目标阈值电压分布的最优读取偏压的容差范围内时，可以确定目标读取偏压是适当的。然而，当目标读取偏压落在用于两个相邻目标阈值电压分布的最优读取偏压的容差范围之外时，可以确定目标读取偏压是不适当的。最优目标偏压的容差范围可以是预设范围。最优目标偏压的容差范围可以基于当目标读取电压偏离最优目标读取电压时发生的估计的错误率。
然后，被确定为适当的选择的目标读取偏压可被随后使用在非易失性存储器装置200A的读取操作中。相比之下，未发现是适当的选择的目标读取偏压可不被使用在非易失性存储器件200A的读取操作中，因此读取偏压确定单元120A可确定新目标读取偏压。
在一些实施例中，为了确定用于目标阈值电压分布的新目标读取偏压，读取偏压确定单元120A可执行可包括采用梯度下降算法GD_ARG的读取偏压确定操作。稍后将对梯度下降算法GD_ARG进行详细描述。如上所述，由读取偏压确定单元120A确定的新目标读取偏压可由适合性确定单元110A检查以确定其是否适合于目标阈值电压分布。
控制器100A可控制非易失性存储器装置200A以基于由适合性确定单元110A确定为适当的读取偏压来执行读取操作。
根据控制器100A的控制，非易失性存储器装置200A可存储从控制器100A接收的数据并且可读取存储的数据并传输读取数据至控制器100A。非易失性存储器装置200A可基于由控制器100A确定的读取偏压执行读取操作。
非易失性存储器装置200A可包括闪速存储器，诸如NAND闪存或NOR闪存、铁电随机存取存储器(FeRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)等。
虽然图1中示出数据存储装置10A包括一个非易失性存储器装置200A，但是我们注意到实施例不限于这种方式。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，可采用多于一个的存储器装置。
图2示出在图1中所示的非易失性存储器装置200A的配置示例。
参照图2，非易失性存储器装置200A可包括控制逻辑210、电压供应单元220、接口单元230、地址解码器240、数据输入/输出单元250和存储器区域260。
控制逻辑210可根据控制器100A的控制来控制非易失性存储器装置200A的一般操作。控制逻辑210可通过接口单元230从控制器100A接收命令，并可响应于接收的命令将控制信号传输至非易失性存储器装置200A的内部单元。命令可以是包括例如读取或写入命令的多种命令中的任意一种。
电压供应单元220可根据控制逻辑210的控制生成执行非易失性存储器装置200A的操作所必需的各种操作电压。例如，电压供应单元220可响应于接收的读取命令将读取偏压提供至地址解码器240以在读取操作中使用。
接口单元230可与控制器100A交换包括命令和地址的各种控制信号及数据(例如，用户数据或元数据)。接口单元230可将输入到其的各种控制信号和数据传输至控制逻辑210并且也传输至非易失性存储器装置200A的其它内部单元。
地址解码器240可以解码地址以选择存储器区域260中待被访问的部分。地址解码器240可根据解码结果将读取偏压施加至在字线WL中选择的字线。地址解码器240可控制数据输入/输出单元250以选择性地驱动位线BL。
数据输入/输出单元250可通过位线BL将从接口单元230接收的数据传输至存储器区域260。数据输入/输出单元250可通过位线BL将从存储器区域260读取的数据传输至接口单元230。数据输入/输出单元250可响应于读取偏压感测当包括在存储器区域260中的存储器单元被开启和关闭时形成的电流，并可根据感测结果获取从存储器单元读出的数据。
存储器区域260可通过字线WL与地址解码器240联接，并可通过位线BL与数据输入/输出单元250联接。存储器区域260可包括分别设置在字线WL和位线BL彼此相交并且其中存储数据的区域处的多个存储器单元。存储器区域260可包括二维或三维结构的存储器单元阵列。
图3A是示出存储器单元的阈值电压分布D1-D4的示例的图。水平轴VTH表示存储器单元的阈值电压。垂直轴单元#表示对应于阈值电压的存储器单元的数量。形成阈值电压分布D1-D4的存储器单元可以是联接至单个字线的存储器单元。
参照图3A，存储器单元可根据存储在其中的数据形成阈值电压分布D1-D4。当执行写入操作时，存储器单元可以当每个存储器单元可在其中存储2-位数据时被控制为具有与4个阈值电压分布D1-D4中的任意一个相对应的阈值电压。例如，存储有数据“11”的存储器单元可具有对应于阈值电压分布D1的阈值电压，存储有数据“01”的存储器单元可具有对应于阈值电压分布D2的阈值电压，存储有数据“00”的存储器单元可具有对应于阈值电压分布D3的阈值电压，存储有数据“10”的存储器单元可具有对应于阈值电压分布D4的阈值电压。虽然图3A示出2-位数据被存储在存储器单元中，但是我们注意到本实施例不限于此。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，每个存储器单元可存储3位或更多位数据。
当存储器单元通过相应的字线被施加有预定读取偏压时，存储器单元可根据其阈值电压保持开启状态或关闭状态。例如，当向存储器单元施加高于其阈值电压的读取偏压时，可以开启存储器单元，并且当向存储器单元施加低于其阈值电压的读取偏压时，存储器单元可以保持关闭状态。当开启或关闭存储器单元时，可在相应的位线中形成电流。通过感测相应的电流，确定存储器单元的阈值电压是高于还是低于施加到其的读取偏压是可能的。通过该原理，当执行读取操作时，可以将读取偏压R1-R3施加到存储器单元以区分存储器单元的阈值电压分布D1-D4。通过确定存储器单元位于其中的阈值电压分布，可获取存储在存储器单元中的数据。
图3B是示出阈值电压分布D1-D4的移动的示例的图。
参照图3B，存储器单元的阈值电压可改变，因此，阈值电压分布D1-D4可移动或偏移以形成新阈值电压分布D1＇-D4＇。例如，相邻存储器单元之间的干扰、由于时间的流逝造成的放电等可引起存储器单元的阈值电压的改变。
当阈值电压分布的偏移很大时，先前的读取偏压R1-R3可能变为不适合于区分阈值电压分布D1＇-D4＇。例如，当新阈值电压分布D1＇-D4＇的偏移很大时，基于读取偏压R1-R3从存储器单元读取的数据可能包括可能超过控制器100A的错误校正能力的错误位。也就是说，使用读取偏压R1-R3的读取操作可能失败。
图3C是示出用于阈值电压分布D1＇-D4＇的最优读取偏压R1OP-R3OP的示例的图。
参照图3C，最优读取偏压R1OP至R3OP的每个可位于移动的阈值电压分布D1＇-D4＇中的两个相邻阈值电压分布之间形成的谷峰内的点处。最优读取偏压R1OP至R3OP可以是使从形成阈值电压分布D1＇-D4＇的存储器单元读取的数据包括最少错误位的读取偏压。如图3C所示，相邻的阈值电压分布可彼此交叉。也如图3C所示，最优读取偏压可以位于两个相邻阈值电压分布之间的交叉点处。然而，我们注意到这仅是一个示例，并且根据相邻阈值电压分布的形状，最优读取电压可以不同。
当存储器单元形成阈值电压分布D1＇-D4＇时，基于最优读取偏压R1OP-R3OP从存储器单元读取的数据可包括在控制器100A的错误校正能力内的错误位。也就是说，使用最优读取偏压R1OP-R3OP的读取操作可成功。
参照回图1，在阈值电压分布D1-D4移动到阈值电压分布D1＇-D4＇的情况下，读取偏压确定单元120A可执行读取偏压确定操作以将最优读取偏压R1OP-R3OP确定为新读取偏压。
图3D是示出用于阈值电压分布D1＇-D4＇的失效的读取偏压确定操作的示例的图。
参照图3D，由于读取偏压确定操作的失效，可为阈值电压分布D1＇-D4＇确定新读取偏压R1F-R3F。这种读取偏压确定操作的失效可由如将在以下描述的梯度下降算法GD_ARG失效引起。因为新读取偏压R1F-R3F没有区分所有阈值电压分布D1＇-D4＇，所以它们可能不适合于执行读取操作。因此，基于新读取偏压R1F-R3F的读取操作可能失败。
根据本实施例，适合性确定单元110A可通过简单方法高效地确定当前正在使用的读取偏压或由读取偏压确定单元120A确定的读取偏压的适合性。
图4A-4C是示出用于图1的适合性确定单元110A确定目标读取偏压和目标阈值电压分布的方法的示例的图。图4A-4C示出在通过失效读取偏压确定操作错误地确定用于阈值电压分布D1＇-D4＇的读取偏压R1F-R3F的情况下确定目标读取偏压和目标阈值电压分布的方法。
参照图4A，适合性确定单元110A可选择读取偏压R1F作为目标读取偏压。因为目标读取偏压R1F将在读取操作中被用于区分阈值电压分布D1＇和D2＇，所以阈值电压分布D1＇和D2＇被确定为选择的读取偏压R1F的目标阈值电压分布。
参照图4B，适合性确定单元110A可然后选择读取偏压R2F作为目标读取偏压。因为目标读取偏压R2F将在读取操作中被用于区分阈值电压分布D2＇和D3＇，所以阈值电压分布D2＇和D3＇被确定为选择的读取偏压R2F的目标阈值电压分布。
参照图4C，适合性确定单元110A可选择读取偏压R3F作为目标读取偏压。因为目标读取偏压R3F将在读取操作中被用于区分阈值电压分布D3＇和D4＇，所以阈值电压分布D3＇和D4＇被确定为选择的读取偏压R3F的目标阈值电压分布。
综上所述，适合性确定单元110A可基于读取偏压R1F-R3F和阈值电压分布D1＇-D4＇的序列来确定对应于目标读取偏压的目标阈值电压分布。
图5是示出图1的适合性确定单元110A的操作方法的图。在图5中，作为示例，提供了适合性确定单元110A确定图4B的目标读取偏压R2F是否适合于目标阈值电压分布D2＇和D3＇。
参照图5，首先，适合性确定单元110A确定具有低于目标读取偏压R2F的阈值电压的目标存储器单元的数量，其在下文中称为“确定单元数量”并在图5中示为“确定单元#”。适合性确定单元110A可将当目标读取偏压R2F被施加到目标存储器单元时开启的目标存储器单元的数量确定为确定单元数量。适合性确定单元110A可通过当目标读取偏压R2F被施加到目标存储器单元时获取从目标存储器单元读取的数据并从获取的数据计数预定值(例如，“1”)的数量来确定确定单元数量。例如，如图5所示，确定单元数量(即，确定单元#)可以是所有目标存储器单元的全部单元数量(即，全部单元#)400中的290。
适合性确定单元110A也可确定参考单元的数量，在下文中称为参考单元数量(在图5中示为“参考单元#”)。当对应于阈值电压分布D1＇-D4＇的存储器单元的各自数量彼此相等时，参考单元数量可以是被估计为具有低于最优读取偏压R2OP的阈值电压的目标存储器单元的数量。换言之，当对应于阈值电压分布D1＇-D4＇的存储器单元的各自数量彼此相等时，参考单元数量可以是估计为当最优读取偏压R2OP被施加到目标存储器单元时开启的目标存储器单元的数量。因此，可根据目标读取偏压和目标阈值电压分布是什么来确定参考单元数量。例如，在图5中，用于目标阈值电压分布D2＇和D3＇的参考单元数量可以是“200”。
适合性确定单元110A可基于确定单元数量和参考单元数量确定目标读取偏压R2F的适合性。例如，当基于确定单元数量和参考单元数量通过使用以下等式1计算的错误率Pr_DF被包括在预定容差范围内时，适合性确定单元110A可确定目标读取偏压R2F是适当的。
Pr_DF＝(确定单元#-参考单元#)/每个阈值电压分布的目标存储器单元# (1)
错误率Pr_DF越小，目标读取偏压R2F可越接近最优读取偏压R2OP。
在图5所示的示例中，因为确定单元数量是290，参考单元数量是200，每个阈值电压分布的目标存储器单元的数量是100，所以适合性确定单元110A可将目标读取偏压R2F的错误率Pr_DF确定为“0.9”。当错误率Pr_DF小于“0.3”时，适合性确定单元110A可确定目标读取偏压R2F包括在预定容差范围内。因此，此时，适合性确定单元110A可确定相对于最优读取偏压R2OP，目标读取偏压R2F未包括在预定容差范围内，并确定目标读取偏压R2F不适合用于目标阈值电压分布D2＇和D3＇。因此，读取偏压确定单元120A可重复读取偏压确定操作以确定替代错误地确定的目标读取偏压R2F的新读取偏压。
适合性确定单元110A应当确定参考单元数量，并且可基于分别对应于阈值电压分布D1＇-D4＇的目标存储器单元的数量确定参考单元数量。因此，在随机化之后数据被存储在非易失性存储器装置200A中的情况下，基于各自阈值电压分布D1＇-D4＇对应于相同数量的目标存储器单元的假设，可如上所述地确定参考单元数量。
图6A是示出基于梯度下降算法GD_ARG的读取偏压确定操作的示例的图。图6A示出如何对可选目标阈值电压分布TD1和TD2执行基于梯度下降算法GD_ARG的读取偏压确定操作。
参照图6A，可以在彼此相邻的可选目标阈值电压分布TD1和TD2中，以发现对应于梯度为“0”的位置的电压电平的方式执行基于梯度下降算法GD_ARG的读取偏压确定操作。
具体地，当执行读取偏压确定操作时，可以基于至少3个测试偏压T1-T3读取数据，其中3个测试偏压T1-T3包括作为预定起始偏压ST的测试偏压T2和测试偏压T2的相邻偏压T1和T3。可通过读取数据来计算对应于测试偏压T1-T3之间的间隔的存储器单元的数量。基于计算结果，可估计对应于测试偏压T1-T3之间的间隔的目标阈值电压分布TD2的梯度。
然后，可在相对于起始偏压ST的梯度的大小减小的方向A上附加地选择测试偏压T4和T5，并且可以相同的方式估计对应于测试偏压T3至T5之间的间隔的目标阈值电压分布TD2的梯度。可在改变选择方向的同时继续测试偏压的选择和梯度的估计，直到在目标阈值电压分布TD2中发现梯度为“0”的位置。当发现梯度为“0”的位置时，可将最后选择的3个测试偏压中的中间测试偏压选择为新读取偏压。例如，在图6A中，可将测试偏压T4选择为新读取偏压。
在这样的梯度下降算法GD_ARG中，起始偏压ST的位置可对结果产生重要影响。如图6B所示，根据起始偏压ST的位置，梯度下降算法GD_ARG可能失效。
图6B是示出基于失效的梯度下降算法GD_ARG的读取偏压确定操作的示例的图。
参照图6B，首先，假设在目标阈值电压分布TD1和TD2分别移动至目标阈值电压分布TD1＇和TD2＇时，起始偏压ST是以与图6A中相同方式的测试偏压T2。这种情况可对应于预定起始偏压ST的位置由于目标阈值电压分布TD1和TD2的大幅的移动而变为不适合的情况。
当以与参照图6A描述的方式相同的方式执行读取偏压确定操作时，将基于至少3个测试偏压T1＇、T2和T3＇来开始估计目标阈值电压分布TD2＇的梯度，其中3个测试偏压T1＇、T2和T3＇包括作为预定起始偏压ST的测试偏压T2和测试偏压T2的相邻偏压T1＇和T3＇。可以在相对于起始偏压ST的梯度的大小减小的方向B上执行测试偏压的选择和梯度的估计。因此，可选择测试偏压T4＇和T5＇，并作为结果，可将测试偏压T4＇错误地确定为用于目标阈值电压分布TD1＇和TD2＇的新读取偏压。
以这种方式，当起始偏压ST大幅远离最优读取偏压ROP时，可导致在与最优读取偏压ROP所位于的方向A相反的方向B上执行的梯度下降算法GD_ARG的失效。当然，在起始偏压ST的位置可能从开始被错误地设置时，即使当通过考虑目标阈值电压分布TD1和TD2的预期移动来适合地设置起始偏压ST时，起始偏压ST的位置也可能由于目标阈值电压分布TD1和TD2大幅地移动而变为不适合。
然而，即使读取偏压确定操作失效，但根据本实施例的适合性确定单元110A可通过简单的方法确定读取偏压的适合性，并且从而再次执行读取偏压确定操作。
同时，控制器100A可基于在适合性确定操作中计算的错误率Pr_DF估计起始偏压ST相对于最优读取偏压ROP所位于的方向。例如，当错误率Pr_DF是正数时，可以估计起始偏压ST位于远离如图6B所示的最优读取偏压ROP的右方。因此，控制器100A可以在适合的方向A上移动起始偏压ST。因此，读取偏压确定单元120A可以基于新起始偏压重复读取偏压确定操作。
图7是示出用于操作图1的数据存储装置10A的方法的流程图。
参照图7，在步骤S110中，适合性确定单元110A可确定用于目标阈值电压分布的目标读取偏压的适合性。适合性确定单元110A可通过计算目标读取偏压相对于目标阈值电压分布的最优读取偏压的错误率，并且基于错误率确定目标读取偏压是否位于最优读取偏压的容差范围内来确定目标读取偏压的适合性。当确定目标读取偏压是适合的时，可结束进程。然而，当确定目标读取偏压是不适合的时，进程可进行至步骤S120。
在步骤S120中，读取偏压确定单元120A可基于梯度下降算法GD_ARG确定用于目标阈值电压分布的新读取偏压。读取偏压确定单元120A可以从预定起始偏压开始发现对应于目标阈值电压分布中梯度为“0”的位置的电压电平的方式来确定新读取偏压。
图8是示出根据本发明的另一实施例的数据存储装置10B的框图。
参照图8，数据存储装置10B可包括控制器100B和非易失性存储器装置200B。控制器100B可包括适合性确定单元110B、读取偏压确定单元120B和起始偏压确定单元130B。因为适合性确定单元110B和读取偏压确定单元120B可分别以与图1的适合性确定单元110A和读取偏压确定单元120A基本相同的方式来配置和操作，因此本文将省略其详细描述。
当适合性确定单元110B确定目标读取偏压不适合用于目标阈值电压分布时，起始偏压确定单元130B可以确定待在用于目标阈值电压分布的读取偏压确定操作中使用的起始偏压。在一些实施例中，起始偏压确定单元130B可基于高斯建模算法GM_ARG确定起始偏压。具体地，起始偏压确定单元130B可以将起始偏压确定为接近于目标阈值电压分布的最优读取偏压。即，如以上参照图6B所描述的，因为当起始偏压大幅地远离目标阈值电压分布的最优读取偏压时梯度下降算法GD_ARG可失效，所以起始偏压确定单元130B可将起始偏压确定为接近于最优读取偏压。
具体地，起始偏压确定单元130B可基于高斯分布函数确定在目标阈值电压分布之间选择的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压，并基于第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度来确定起始偏压。
因此，起始偏压确定单元130B可确定待用在读取偏压确定操作中的更适合的读取偏压。读取偏压确定单元120B可通过使用确定的起始偏压基于梯度下降算法GD_ARG来执行读取偏压确定操作。
起始偏压确定单元130B可在时间流逝时基于高斯建模算法GM_ARG对相同的目标阈值电压分布执行多次起始偏压确定操作。由此，起始偏压确定单元130B可以为相同的目标阈值电压分布计算多个起始偏压。因此，根据实施例，起始偏压确定单元130B可在时间流逝时将为相同的目标阈值电压分布计算的起始偏压的平均值确定为新起始偏压。
图9A是示出图8的起始偏压确定单元130B为用于目标阈值电压分布TD1和TD2的读取偏压确定操作确定起始偏压SV2的方法的图。
起始偏压确定单元130B可将目标阈值电压分布TD2的平均阈值电压m2计算为在目标阈值电压分布TD1和TD2之间选择的任意一个。计算平均阈值电压m2的目标阈值电压分布TD2可以是在目标阈值电压分布TD1和TD2之间的参考读取偏压TR2位于其中的目标阈值电压分布。起始偏压确定单元130B可基于在选择的目标阈值电压分布TD2中的通过参考读取偏压TR2形成的部分分布PVR2的面积率来确定目标阈值电压分布TD2的平均阈值电压m2。部分分布PVR2的面积率可以是部分分布PVR2相对于目标阈值电压分布TD2的比率。也就是说，部分分布PVR2的面积率可以是目标存储器单元存在于目标阈值电压分布TD2的部分分布PVR2中的概率。
同时，为减少面积率的计算中的开销，起始偏压确定单元130B可将适合性确定单元110B确定其适合性的目标读取偏压认为是参考读取偏压TR2，并从目标读取偏压的错误率Pr_DF计算面积率。例如，由于其错误率Pr_DF被计算为正数的目标读取偏压位于最优读取偏压ROP的右侧，因此在目标阈值电压分布TD2中，相应的目标读取偏压可被认为是参考读取偏压TR2。可通过以下等式2提供部分分布PVR2的面积率Pr_PVR2与错误率Pr_DF之间的关系。
Pr_PVR2＝1-Pr_DF，其中Pr_DF>0(2)
然后，起始偏压确定单元130B可以基于部分分布PVR2的面积率Pr_PVR2确定目标阈值电压分布TD2的平均阈值电压m2。例如，目标阈值电压分布TD2可通过高斯建模被表示为以下等式3。在以下等式3中，“vth”可以是阈值电压轴VTH上的值，并且“σ”可以是目标阈值电压分布TD2的方差。
因此，可对部分分布PVR2的面积率Pr_PVR2或目标读取偏压TR2的错误率Pr_DF建立作为积分方程的以下等式4。
因此，如果目标阈值电压分布TD2的方差σ被设置为适合的常数，则可从等式4确定平均阈值电压m2。
根据实施例，可以在不执行等式4的计算的情况下，通过使用Q函数的特征从部分分布PVR2的面积率Pr_PVR2方便地确定平均阈值电压m2。
目标阈值电压分布TD2可以被标准化为标准高斯分布，并且标准化的目标阈值电压分布STD2可以转换为以下等式5。
由以下等式6表达的Q函数表示标准高斯分布的随机变量具有大于“z”的值的概率。
其中Z可由以下等式提供。
因此，以下等式8可基于等式4、6和7被建立。
Q(z)＝Pr_PVR2 (8)
由于由z的值决定的Q(z)的值是已知的，因此当Q(z)的值已知时，z的值可以是已知的。所以，最终，以下等式9可以通过等式7和等式8导出。
m2＝TR2-Q-1(Pr_PVR2)σ (9)
其中，Q-1是Q(z)的反函数。
通过等式2和等式9，可导出用于目标读取偏压TR2的错误率Pr_DF的以下等式10。
m2＝TR2-Q-1(1-Pr_DF)σ
＝TR2+Q-1(Pr_DF)σ,其中Pr_DF＞0 (10)
图10是示出用于预定面积率Pr_PVR的Q函数的反函数Q-1的值布置在其中的表的示例的图。
参照图10，起始偏压确定单元130B可通过参照图10的表提取与部分分布PVR2的面积率Pr_PVR2相对应的Q函数的反函数Q-1的值。起始偏压确定单元130B可通过基于参考读取偏压TR2、Q函数的反函数Q-1的值和预定方差σ计算等式9来高效地计算平均阈值电压m2。
同时，因为靠近标准高斯分布的尾部，用于面积率Pr_PVR的Q函数的反函数Q-1的值的变化大，所以为了减少错误，该表可包括面积率Pr_PVR和Q函数的反函数Q-1的相应值，其被精细地设置为从0到预定值，例如“0.5”。
即使仅对小于0.5的面积率Pr_PVR构建该表，控制器100A也可基于Q函数的对称性容易地计算用于等于或大于0.5的面积率Pr_PVR的Q函数的反函数Q-1的值。根据实施例，该表可被构建为包括与等于或大于0.5的面积率Pr_PVR相对应的值。
再次参照图9A，起始偏压确定单元130B可基于平均阈值电压m2和目标阈值电压分布TD2的估计宽度w2设置起始偏压SV2。当平均阈值电压m2移动估计宽度w2至目标阈值电压分布TD2的左尾部附近时可设置起始偏压SV2。通过移动到目标阈值电压分布TD2的左尾部附近，可将起始偏压SV2定位在接近于最优读取偏压ROP。起始偏压SV2可由以下等式11最终表示。
SV2＝TR2-Q-1(Pr_PVR2)σ+Q-1(0.999)σ (11)
也就是说，在等式11中，最后一项是将平均阈值电压m2移动到目标阈值电压分布TD2的左尾部附近，并可以对应于估计宽度w2。根据实施例，在等式11的最后一项中，根据目标阈值电压分布TD2的形状，可以选择适合的值，而不是“0.999”，作为Q-1函数的输入值。
基于等式2，可以使用目标读取偏压TR2的错误率Pr_DF将等式11表示为以下等式12。
SV2＝TR2+Q-1(Pr_DF)σ+Q-1(0.999)σ
其中Pr_DF＞0 (12)
综上所述，起始偏压SV2可以被设置为接近于目标阈值电压分布TD1和TD2的最优读取偏压ROP。因此，基于起始偏压SV2的梯度下降算法GD_ARG可在不在错误方向上进行的情况下适合地确定在最优读取偏压ROP附近的新读取偏压。
图9B是示出图8的起始偏压确定单元130B为用于目标阈值电压分布TD1和TD2的读取偏压确定操作确定起始偏压SV1的方法的另一示例的图。在图9B中，不同于图9A的参考读取偏压TR2位于最优读取偏压ROP的右侧，参考读取偏压TR1可位于最优读取偏压ROP的左侧。换言之，图9B可应用于其适合性由适合性确定单元110B确定的目标读取偏压位于最优读取偏压ROP的左侧的情况下，即，当目标读取偏压的错误率Pr_DF被计算为负数时。在这种情况下，部分分布PVR1的面积率Pr_PVR1和错误率Pr_DF之间的关系可以与以下等式13相同。
Pr_PVR1＝-Pr_DF,其中Pr_DF<0 (13)
然后，可根据以下等式14确定起始偏压SV1。
SV1＝TR1-Q-1(Pr_PVR1)σ-Q-1(0.999)σ (14)
基于等式13，可使用目标读取偏压TR1的错误率Pr_DF将等式14表示为以下等式15。
SV1＝TR1+Q-1(1+Pr_DF)σ-Q-1(0.999)σ，
其中Pr_DF＜0 (15)
在等式15中，第一项和第二项可确定位于最优读取偏压ROP的左侧的目标阈值电压分布TD1的平均阈值电压m1。在等式15中，最后一项可以将目标阈值电压分布TD1的平均阈值电压m1移动估计宽度w1至右尾部附近。
参照回图8，根据实施例，控制器100B可不管目标读取偏压的适合性确定结果来执行读取偏压确定操作。例如，当满足预定条件时，即使省略目标读取偏压的适合性确定操作或在适合性确定操作中确定目标读取偏压是适合的，控制器100B也可执行读取偏压确定操作。例如，预定条件可包括预定时间的流逝、数据错误率的增加和读取失败的发生。在这种情况下，虽然如果控制器100B不执行适合性确定操作则不存在待在起始偏压确定操作中使用的目标读取偏压的错误率，但是控制器100B可以与适合性确定操作中相同的方式计算目标读取偏压的错误率。然后，控制器100B可通过使用根据上述方法的错误率来执行起始偏压确定操作，并完成读取偏压确定操作。
图11是示出用于操作图8的数据存储装置10B的方法的示例的流程图。
参照图11，在步骤S210中，适合性确定单元110B可确定用于目标阈值电压分布的目标读取偏压的适合性。当确定目标读取偏压是适合的时，进程可结束。然而，当确定目标读取偏压是不合适的时，进程可进行至步骤S220。
在步骤S220中，起始偏压确定单元130B可基于高斯建模算法GM_ARG确定待在用于目标阈值电压分布的读取偏压确定操作中使用的起始偏压。起始偏压确定单元130B可将起始偏压确定为接近于目标阈值电压分布的最优读取偏压。起始偏压确定单元130B可基于高斯分布函数确定在目标阈值电压分布之间选择的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压，并基于第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度来确定起始偏压。
在步骤S230中，读取偏压确定单元120B可基于梯度下降算法GD_ARG和起始偏压确定用于目标阈值电压分布的新读取偏压。
图12是示出用于操作图8的数据存储装置10B的方法的另一示例的流程图。
参照图12，在步骤S310中，控制器100B可确定预定条件是否被满足。例如，预定条件可包括预定时间的流逝、数据错误率的增加和读取失败的发生。当不满足预定条件时，进程可结束。然而，当满足预定条件时，进程可进行至步骤S320。
在步骤S320中，起始偏压确定单元130B可基于高斯建模算法GM_ARG确定用于目标阈值电压分布的读取偏压确定操作的起始偏压。起始偏压确定单元130B可计算用于目标阈值电压分布的目标读取偏压的错误率，并基于错误率和高斯分布函数确定起始偏压。
在步骤S330中，读取偏压确定单元120B可基于梯度下降算法GD_ARG和起始偏压确定用于目标阈值电压分布的新读取偏压。
图13是示出根据本发明的又一实施例的数据存储装置10C的框图。
参照图13，数据存储装置10C可包括控制器100C和非易失性存储器装置200C。控制器100C可包括适合性确定单元110C和读取偏压确定单元120C。因为适合性确定单元110C可以与图1的适合性确定单元110A基本相同的方式配置和操作，所以本文将省略其具体描述。
读取偏压确定单元120C可执行用于目标阈值电压分布的读取偏压确定操作。在一些实施例中，读取偏压确定单元120C可基于高斯建模算法GM_ARG执行读取偏压确定操作。基于高斯建模算法GM_ARG的读取偏压的确定可以基本上类似于上述基于高斯建模算法GM_ARG的起始偏压的确定的方式执行。例如，在图8的数据存储装置10B中基于高斯建模算法GM_ARG被确定为起始偏压的电压电平可被确定为数据存储装置10C中的读取偏压。其原因在于，因为在图8的数据存储装置10B中，起始偏压被确定为接近于目标阈值电压分布的最优读取偏压，所以可以将起始偏压本身用作读取偏压。
读取偏压确定单元120C可在时间经过时基于高斯建模算法GM_ARG对相同的目标阈值电压分布执行多次读取偏压确定操作。由此，读取偏压确定单元120C可为相同的目标阈值电压分布计算多个读取偏压。因此，根据实施例，读取偏压确定单元120C可将在时间经过时为相同的目标阈值电压分布计算的读取偏压的平均值确定为新读取偏压。
图14是示出用于操作图13的数据存储装置10C的方法的流程图。
参照图14，在步骤S410中，适合性确定单元110C可确定用于目标阈值电压分布的目标读取偏压的适合性。
如果在步骤S410中确定目标读取偏压不适合用于目标阈值电压分布，则进程进行至步骤S420。在步骤S420中，读取偏压确定单元120C基于高斯建模算法GM_ARG确定用于目标阈值电压分布的新读取偏压。读取偏压确定单元120C可基于高斯分布函数确定在目标阈值电压分布之间选择的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压，并基于第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度确定读取偏压。如果在步骤S410中确定目标读取偏压适合用于目标阈值电压分布，则终止进程。
图15示出根据本发明的实施例的固态驱动器(SSD)1000。
参照图15，SSD 1000可包括控制器1100和存储介质1200。
控制器1100可控制在主机装置1500和存储介质1200之间的数据交换。控制器1100可包括经由内部总线1170可操作地联接的处理器1110、随机存取存储器(RAM)1120、只读存储器(ROM)1130、错误校正码(ECC)单元1140、主机接口1150和存储介质接口1160。
控制器1100可基本上类似于图1、图8和图13所示的控制器100A-100C中的任意一个来操作。控制器1100可确定用于目标阈值电压分布的目标读取偏压的适合性。控制器1100可基于高斯建模算法确定待在用于目标阈值电压分布的读取偏压确定操作中使用的起始偏压。控制器1100可基于梯度下降算法和起始偏压确定用于目标阈值电压分布的新起始偏压。控制器1100可基于高斯建模算法确定用于目标阈值电压分布的新读取偏压。
处理器1110可控制控制器1100的一般操作。处理器1110可根据来自主机装置1500的数据处理请求，将数据存储在存储介质1200中并从存储介质1200读取存储的数据。为了高效地管理存储介质1200，处理器1110可控制SSD 1000的内部操作，诸如合并操作、磨损均衡操作等。
RAM 1120可存储待由处理器1110使用的程序和程序数据。RAM1120可在将从主机接口1150传输的数据传递到存储介质1200之前临时地存储从主机接口1150传输的数据，并可在将从存储介质1200传输的数据传递到主机装置1500之前临时地存储从存储介质1200传输的数据。
ROM 1130可存储待由处理器1110读取的程序代码。程序代码可以包括待由处理器1110处理以用于处理器1110控制控制器1100的内部单元的命令。
ECC单元1140可编码待存储在存储介质1200中的数据，并可解码从存储介质1200中读取的数据。ECC单元1140可根据ECC算法检测和校正数据中发生的错误。
主机接口1150可与主机装置1500交换数据处理请求、数据等。
存储介质接口1160可将控制信号和数据传输至存储介质1200。存储介质接口1160可传输来自存储介质1200的数据。存储介质接口1160可通过多个通道CH0-CHn与存储介质1200联接。
存储介质1200可包括多个非易失性存储器装置NVM0-NVMn。多个非易失性存储器装置NVM0-NVMn的每一个可根据控制器1100的控制执行写入操作和读取操作。
图16是示出根据本发明的实施例的包括数据存储装置的数据处理***2000的框图。
参照图16，数据处理***2000可包括计算机、笔记本电脑、上网本、智能电话、数字电视(TV)、数码相机、导航仪等。数据处理***2000可包括主处理器2100、主存储器装置2200、数据存储装置2300和输入/输出装置2400。
主处理器2100可控制数据处理***2000的一般操作。主处理器2100可以是诸如微处理器的中央处理单元。主处理器2100可以在主存储器装置2200上执行诸如操作***、应用、装置驱动器等的软件。
主存储器装置2200可存储待由主处理器2100使用的程序和程序数据。主存储器装置2200可临时地存储待被传输至数据存储装置2300和输入/输出装置2400的数据。
数据存储装置2300可包括控制器2310和存储介质2320。数据存储装置2300可以基本类似于图1、图8和图13的数据存储装置10A-10C中的任何一个来配置和操作。
输入/输出装置2400可包括能够与用户交换数据，诸如从用户接收用于控制数据处理***2000的命令或向用户提供处理结果的键盘、扫描仪、触摸屏、屏幕监视器、打印机、鼠标等。
根据实施例，数据处理***2000可通过诸如局域网(LAN)、广域网(WAN)、无线网络等的网络2600与至少一个服务器2700通信。数据处理***2000可包括网络接口(未示出)以访问网络2600。
虽然已经在上文描述了各种实施例，但是对于本领域技术人员将理解的是描述的实施例仅是示例。因此，本文描述的数据存储装置及其操作方法不应限于描述的实施例。

Claims (20)

1.一种数据存储装置的操作方法，其包括：
确定用于在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布的第一读取偏压的适合性；以及
当确定所述第一读取偏压是不适合的时，确定第二读取偏压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一读取偏压的适合性的确定包括：
确定在所述多个存储器单元中的具有低于所述第一读取偏压的阈值电压的存储器单元的数量；以及
基于所述存储器单元的数量和对应于所述目标阈值电压分布的参考数量确定所述第一读取偏压的适合性。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述存储器单元的数量的确定包括：
基于所述第一读取偏压获取从所述存储器单元读取的数据；以及
确定包括在所述数据中的具有预定值的位的数量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二读取偏压的确定包括：
基于梯度下降算法确定所述第二读取偏压。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二读取偏压的确定包括：
基于高斯分布函数确定所述目标阈值电压分布的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压；以及
基于所述第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度确定所述第二读取偏压。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述平均阈值电压的确定包括：
通过确定在所述第一目标阈值电压分布中由所述第一读取偏压形成的部分分布的面积率并将所述面积率应用至所述高斯分布函数的积分方程来确定所述平均阈值电压。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述平均阈值电压的确定包括：
通过确定在所述第一目标阈值电压分布中由所述第一读取偏压形成的部分分布的面积率并将所述面积率应用至Q函数的反函数来确定所述平均阈值电压。
8.一种数据存储装置的操作方法，其包括：
确定用于在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布的第一读取偏压的适合性；
当确定所述第一读取偏压是不适合的时，基于高斯建模算法和所述第一读取偏压的错误率来确定对应于所述目标阈值电压分布的起始偏压；以及
基于所述起始偏压确定第二读取偏压。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一读取偏压的适合性的确定包括：
确定在所述多个存储器单元中的具有低于所述第一读取偏压的阈值电压的存储器单元的数量；以及
基于所述存储器单元的数量和对应于所述目标阈值电压分布的参考数量确定所述第一读取偏压的适合性。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器单元的数量的确定包括：
基于所述第一读取偏压获取从所述存储器单元读取的数据；以及
确定包括在所述数据中的具有预定值的位的数量。
11.根据权利要求8所述的方法，其中所述起始偏压的确定包括：
基于高斯分布函数和所述错误率确定所述目标阈值电压分布的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压；以及
基于所述第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度确定所述起始偏压。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述平均阈值电压的确定包括：
通过将所述错误率应用至所述高斯分布函数的积分方程来确定所述平均阈值电压。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述平均阈值电压的确定包括：
通过将所述错误率应用至Q函数的反函数来确定所述平均阈值电压。
14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二读取偏压的确定包括：
基于梯度下降算法，通过估计所述起始偏压位于其中的目标阈值电压分布的梯度来确定所述第二读取偏压。
15.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二读取偏压的确定包括：
将所述起始偏压确定为所述第二读取偏压。
16.一种数据存储装置的操作方法，其包括：
基于高斯建模算法和第一读取偏压，确定与在多个存储器单元的阈值电压分布中的相邻目标阈值电压分布相对应的起始偏压；以及
基于所述起始偏压确定用于所述目标阈值电压分布的第二读取偏压。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述起始偏压的确定包括：
基于高斯分布函数确定所述目标阈值电压分布的第一目标阈值电压分布的平均阈值电压；以及
基于所述第一目标阈值电压分布的平均阈值电压和估计宽度确定所述起始偏压。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述平均阈值电压的确定包括：
通过确定用于所述目标阈值电压分布的所述第一读取偏压的错误率并将所述错误率应用至所述高斯分布函数的积分方程来确定所述平均阈值电压。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述平均阈值电压的确定包括：
通过计算用于所述目标阈值电压分布的所述第一读取偏压的错误率并将所述错误率应用至Q函数的反函数来确定所述平均阈值电压。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二读取偏压的确定包括：
基于梯度下降算法，通过估计所述起始偏压位于其中的目标阈值电压分布的梯度来确定所述第二读取偏压。
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