CN107482005B - 金属线及显示面板 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0292—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using a specific configuration of the conducting means connecting the protective devices, e.g. ESD buses
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种金属线,所述金属线包括:相互导通的第一连接部以及第二连接部,所述第一连接部的宽度小于所述第二连接部的宽度;所述第一连接部与所述第二连接部之间还包括至少一级用于降低电流密度的梳状结构,所述梳状结构包括至少两个并列的分支,分别电连接所述第一连接部以及所述第二连接部;其中,所述分支的宽度以及间隔距离,与所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比相匹配。本发明通过将金属线线宽剧烈变化的部位设计成多级梳状结构,有效的避免了因金属线线宽剧烈变化引起的ESD现象,提高了显示面板的质量,延长了显示面板的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种金属线及显示面板。
背景技术
在显示面板的生产制程中,由于某些外在因素,例如连续的工艺操作以及搬运或者环境变化等,通常会在面板中产生静电荷的积累。由于玻璃本身是绝缘物质,因此除非有适当的放电通道,否则静电荷会一直停留在基板表面。当静电荷积累到一定数量之后,将会产生放电(ESD,Electrostatic Discharge)。
静电放电发生时的时间很短,大量的电荷在很短的时间内发生转移将产生极高的电流,击穿半导体器件,或者产生足够的热量融化半导体器件,这种危害通常在不易察觉的情况下引起部分元器件的降级或者报废,带来较大的经济损失。因此,静电放电会给电子产品带来致命的危害,它不仅降低了产品的可靠性,还增加了维修成本。每年静电放电会给电子制造工业带来数十亿美元的损失。
在显示面板的设计中,ESD防护设计是非常重要的一个环节。在目前的显示面板设计中,显示面板的金属层中会有很多的金属线,当金属线线宽剧烈变化时,可能会发生ESD现象,导致讯号线损伤,从而影响显示面板正常工作,甚至损坏面板。
因此,提供一种新的金属线及显示面板实为必要。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种金属线及显示面板,能够避免因金属线线宽剧烈变化引起的ESD现象,进而保证显示面板正常工作。
为解决上述技术问题,本发明采用的第一个技术方案是:提供一种金属线,所述金属线包括:相互导通的第一连接部以及第二连接部,所述第一连接部的宽度小于所述第二连接部的宽度;所述第一连接部与所述第二连接部之间还包括至少一级用于降低电流密度的梳状结构,所述梳状结构包括至少两个并列的分支,分别电连接所述第一连接部以及所述第二连接部;其中,所述梳状线分支的宽度以及间隔距离,与所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比相匹配。
为解决上述技术问题,本发明采用的第二个技术方案是:提供一种显示面板,所述显示面板包括金属层,所述金属层包括上述金属线。
本发明的有益效果是:与现有技术相比,本发明通过将金属线线宽剧烈变化的部位设计成多级梳状结构,有效的避免了因金属线线宽剧烈变化引起的ESD现象,进而保证显示面板正常工作。本发明的金属线多级梳状结构提高了显示面板的质量,延长了显示面板的使用寿命。
附图说明
图1是本发明金属线第一实施例的结构示意图;
图2是本发明金属线第二实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,均属于本发明保护的范围。
本发明提供一种金属线,上述金属线包括:相互导通的第一连接部以及第二连接部,所述第一连接部的宽度小于所述第二连接部的宽度;所述第一连接部与所述第二连接部之间还包括至少一级用于降低电流密度的梳状结构,所述梳状结构包括至少两个并列的分支,分别电连接所述第一连接部以及所述第二连接部;其中,所述分支的宽度以及间隔距离,与所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比相匹配。
为了清楚说明上述金属线的具体结构,如图1所示,图1是本发明金属线第一实施例的结构示意图。
如图1所示,本实施方式的金属线包括相互导通的第一连接部11以及第二连接部12,第一连接部11的宽度W1小于所述第二连接部12的宽度W2。第一连接部11与第二连接部12之间还包括至少一级用于降低电流密度的梳状结构10。梳状结构10包括至少两个并列的分支,分别电连接所述第一连接部11以及所述第二连接部12。其中,至少两个并列的分支的宽度以及间隔距离与第一连接部11与第二连接部12的宽度比相匹配。
为了降低面板生产测试时电流的密度梯度,梳状结构的级数需要根据第一连接部11与第二连接部12的宽度比做调整。也就是说,第一连接部11与第二连接部12的宽度比在不同的范围时,第一连接部11与所述第二连接部12之间设置的梳状结构的级数也是不同的,这个宽度比和梳状结构的级数是相匹配的,宽度比较大时,金属线线宽变化较小,此时电流密度梯度较小,需要的梳状结构级数也相应较少;宽度比较小时,金属线线宽变化较大,此时电流密度梯度较大,需要的梳状结构级数也相应较多。
在本实施方式中,第一连接部11与第二连接部12的宽度比是其中,W1为所述第一连接部的宽度,W2为所述第二连接部的宽度。此时,第一连接部11与第二连接部12之间包括一级梳状结构10。在其他实施方式中,宽度比也可以是0.1、0.2、0.3,但是梳状结构的级数也需要相应调整。同时,宽度比不宜超出0-0.6的范围,因为超过了这个范围,就意味着第一连接部11与第二连接部12的宽度很接近,此时设计梳状结构效果不佳。例如,宽度比是0.3,梳状结构设置为2级;宽度比是0.1,梳状结构设置为3级,这些均是较为合适的选择。本发明对此不做限定。需要说明的是,梳状结构级数并非越多越好,梳状结构级数越多结构越复杂,接头也越多,反而会影响线路性能,因此应该根据实际情况决定。
具体地,梳状结构10包括并列的第一分支101、第二分支102以及连接线103。第一分支101与第二分支102的一端分别与第二连接部12连接,第一分支101与所述第二分支102的另一端通过连接线103与第一连接部11连接。第一分支101与第二分支102的宽度大于第一连接部11宽度的一半,且第一分支101与第二分支102的宽度小于第一连接部11的宽度。在本实施方式中,分支的个数有2个,且宽度和间距相同。在其他实施方式中,分支的个数也可以有3个或以上,但是各分支的宽度均不得小于第一连接部11宽度的一半,且各分支宽度均不得大于第一连接部11的宽度。各分支的宽度和间距也可以不同,但差别不宜太大。本发明对此不作限定。
优选地,第一分支101与第二分支102的宽度和距离与第一连接部11与第二连接部12的宽度满足如公式(1)所示的关系,
其中,W1是第一连接部11的宽度;W2是第二连接部12的宽度;W3是第一分支101和第二分支102的宽度;S1是第一分支101和第二分支102之间的距离。
区别于现有技术,本实施例通过将金属线线宽剧烈变化的部位设计成梳状结构,有效的避免了因金属线线宽剧烈变化引起的ESD现象,进而保证显示面板正常工作。本发明的金属线多级梳状结构提高了显示面板的质量,延长了显示面板的使用寿命。
在另一个实施方式中,如图2所示,图2是本发明金属线第二实施例的结构示意图。
参阅图2,本实施方式的金属线包括相互导通的第一连接部21以及第二连接部22,第一连接部21的宽度W1小于所述第二连接部22的宽度W2。第一连接部21与第二连接部22之间还包括至少一级用于降低电流密度的梳状结构。梳状结构包括至少两个并列的分支,分别电连接所述第一连接部21以及所述第二连接部22。其中,至少两个并列的分支分支的宽度以及间隔距离与第一连接部21与第二连接部22的宽度比相匹配。
具体的,第一连接部21与第二连接部22的宽度比是其中,W1为所述第一连接部的宽度,W2为所述第二连接部的宽度。此时,第一连接部21与第二连接部22之间包括第一梳状结构23和第二梳状结构24。在其他实施方式中,宽度比也可以是0.1、0.5,但是梳状结构的级数也需要相应调整。同时,宽度比不宜超出0-0.6的范围,因为超过了这个范围,就意味着第一连接部21与第二连接部22的宽度很接近,此时设计梳状结构效果不佳。例如,宽度比是0.5,梳状结构设置为1级;宽度比是0.1,梳状结构设置为3级。本发明对此不做限定。
具体的,第一梳状结构23包括并列的第一分支231、第二分支232,以及第一连接线233。第二梳状结构24包括并列的第三分支241、第四分支242和第五分支243以及第二连接线244。第一分支231与第二分支232的一端通过第一连接线233与第一连接部21连接,第一分支231与所述第二分支232的另一端通过第二连接线244与第二梳状结构24连接。第三分支241、第四分支242与第五分支243的一端与第二连接部22连接,第三分支241、第四分支242与第五分支243的另一端通过第二连接线244与第一梳状结构23连接。在本实施方式中,第一梳状结构的分支个数有2个,且宽度和间距相同;第二梳状结构的分支个数有3个,且宽度和间距相同。在其他实施方式中,第一梳状结构的分支个数也可以有3个或以上,第二梳状结构的分支个数也可以有4个或以上,分支个数多的梳状结构上的分支宽度要比分支个数少的的梳状结构上的分支宽度小。各分支的宽度和间距也可以不同,但差别不宜太大。本发明对此不作限定。需要说明的是,梳状结构级数并非越多越好,梳状结构级数越多结构越复杂,接头也越多,反而会影响线路性能,因此应该根据实际情况决定。
具体的,第一分支231、第二分支232的宽度和距离与第三分支241、第四分支242与第五分支243的宽度和距离以及第一连接部21与第二连接部22的宽度满足如公式(2)所示的关系,
W1<(W4*2+S2)<(W5*3+S3*2)<W2 (2)
其中,W1是第一连接部21的宽度;W2是第二连接部22的宽度;W4是第一分支231和第二分支232的宽度;W5是第三分支241、第四分支242和第五分支243的宽度;S2是第一分支231和第二分支232之间的距离;S3是第三分支241、第四分支242和第五分支243之间的距离。
优选地,第一分支231与第二分支232的宽度和距离与第一连接部21与第二连接部22的宽度满足如公式(3)所示的关系,
其中,W1是第一连接部21的宽度;W2是第二连接部22的宽度;W4是第一分支231和第二分支232的宽度;S2是第一分支231和第二分支232之间的距离。
第三分支241、第四分支242和第五分支243之间的宽度和距离与第一连接部21与第二连接部22的宽度满足如公式(4)所示的关系,
其中,W1是第一连接部21的宽度;W2是第二连接部22的宽度;W5是第三分支241、第四分支242和第五分支243的宽度;S3是第三分支241、第四分支242和第五分支243之间的距离。
区别于现有技术,本实施例通过将金属线线宽剧烈变化的部位设计成梳状结构,有效的避免了因金属线线宽剧烈变化引起的ESD现象,进而保证显示面板正常工作。本发明的金属线多级梳状结构提高了显示面板的质量,延长了显示面板的使用寿命。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种金属线,其特征在于,所述金属线包括:
相互导通的第一连接部以及第二连接部,所述第一连接部的宽度小于所述第二连接部的宽度;
所述第一连接部与所述第二连接部之间还包括至少一级用于降低电流密度的梳状结构,所述梳状结构包括至少两个并列的分支,分别电连接所述第一连接部以及所述第二连接部;其中,所述分支的宽度以及间隔距离,与所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比相匹配;且,所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比越大,梳状结构级数越少;所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比越小,梳状结构级数越多。
5.根据权利要求3所述的金属线,其特征在于,所述第一分支与所述第二分支的宽度相同。
6.根据权利要求1或2所述的金属线,其特征在于,在所述第一连接部与所述第二连接部的宽度比需要满足时,所述第一连接部与所述第二连接部之间包括第一梳状结构和第二梳状结构;其中,W1为所述第一连接部的宽度,W2为所述第二连接部的宽度;
所述第一梳状结构包括并列的第一分支、第二分支,所述第一分支与所述第二分支的一端通过连接线与所述第一连接部连接,所述第一分支与所述第二分支的另一端通过另一连接线与所述第二梳状结构连接;
所述第二梳状结构包括并列的第三分支、第四分支和第五分支,所述第三分支、所述第四分支与所述第五分支的一端与所述第二连接部连接,所述第三分支、所述第四分支与所述第五分支的另一端通过连接线与所述第一梳状结构连接;
所述第一分支、所述第二分支的宽度和距离与所述第三分支、所述第四分支和所述第五分支的宽度和距离以及所述第一连接部与所述第二连接部的宽度满足如公式(2)所示的关系,
W1<(W4*2+S2)<(W5*3+S3*2)<W2 (2)
其中,W1是所述第一连接部的宽度;W2是所述第二连接部的宽度;W4是所述第一分支和所述第二分支的宽度;W5是所述第三分支、所述第四分支和所述第五分支的宽度;S2是所述第一分支和所述第二分支之间的距离;S3是所述第三分支、所述第四分支和所述第五分支之间的距离。
10.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括金属层,所述金属层包括权利要求1-9任一所述的金属线。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710810920.3A CN107482005B (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 金属线及显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710810920.3A CN107482005B (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 金属线及显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107482005A CN107482005A (zh) | 2017-12-15 |
CN107482005B true CN107482005B (zh) | 2020-09-04 |
Family
ID=60584236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710810920.3A Active CN107482005B (zh) | 2017-09-06 | 2017-09-06 | 金属线及显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107482005B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110364506B (zh) * | 2019-07-04 | 2022-01-28 | 武汉理工大学 | 一种具有高稳定性的仿生集成电路 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100493313C (zh) * | 2005-12-23 | 2009-05-27 | 群康科技(深圳)有限公司 | 平面显示器 |
CN101852930B (zh) * | 2009-10-29 | 2015-04-22 | 华映视讯(吴江)有限公司 | 液晶显示面板的走线结构 |
JP6518117B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2017
- 2017-09-06 CN CN201710810920.3A patent/CN107482005B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107482005A (zh) | 2017-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |