CN108666304B - 一种阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及显示面板，包括：包括第一走线和第二走线，其中，所述第一走线包括主体部以及第一突起部，第一突起部设置在所述主体部靠近所述第二走线的一侧上；所述第二走线与所述第一突起部相对设置，且所述第二走线与所述第一突起部之间设置有第一静电防护电极；有益效果为：本发明提供的一种阵列基板及显示面板，能够降低静电击伤的机率，即使发生静电击伤，也不会影响面板中所需要的金属走线，因此提高了产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器面板设计中，大量的信号都需要使用金属走线进行连接***驱动电路，从而将外部驱动信号和脉冲时序信号提供给面板像素区域，进行显示和驱动。在***电路走线中，最常采用大块和长条形金属设计，用于减少寄生电阻和寄生电容。
然而，在薄膜晶体管液晶显示器工艺制程中，需要经过很多设备和工艺制程，在制作过程中会积累大量的静电在玻璃基板上面，导致大块和长条形金属设计走线发生静电击伤，使其阻值异常、开路或者短路，直接影响了薄膜晶体管液晶显示器产品的良率。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及显示面板，能够降低静电击伤的机率，即使发生静电击伤，也不会影响面板中所需要的金属走线，因此提高了产品良率。
本发明提供了一种阵列基板，包括：
第一走线和第二走线，其中，
所述第一走线包括本体部以及第一突起部，第一突起部设置在所述主体部靠近所述第二走线的一侧上；
所述第二走线与所述第一突起部相对设置，且所述第二走线与所述第一突起部之间设置有第一静电防护电极；
所述第一走线将所述第二走线分隔成第一部分和第二部分，所述第一走线还包括第二突起部，所述第一突起部设置在所述主体部靠近所述第一部分的一侧上，所述第二突起部设置在所述主体部靠近所述第二部分的一侧上，其中，所述第二部分与所述第二突起部相对设置，且所述第二部分与所述第二突起部之间设置有第二静电防护电极。
根据本发明一优选实施例，所述第一静电防护电极与所述第一部分之间的距离等于所述第一静电防护电极与所述第一突起部之间的距离。
根据本发明一优选实施例，所述第一突起部包括相对设置的第一端和第二端，且所述第一端与所述主体部连接，其中，所述第一端与所述第二端之间的距离大于第一预设值，所述第一预设值介于5～15um之间。
根据本发明一优选实施例，所述第一部分与所述第一突起部之间的距离大于第二预设值，所述第二预设值介于100～200um之间。
根据本发明一优选实施例，所述第二走线还包括第三部分，所述第三部分用于连接所述第一部分和所述第二部分；所述第一走线、第一静电防护电极、第一部分、第二静电防护电极和第二部分位于同一层，且所述第三部分与所述第一走线、第一静电防护电极、第一部分、第二静电防护电极和第二部分位于不同层。
根据本发明一优选实施例，所述第三部分设置为跨线结构，以避开所述第一突起部和所述第二突起部，避免所述第一突起部与所述第二突起部发生静电击伤时，导致所述第三部分与所述主体部、所述第一部分或者所述第二部分发生短路
相应的，本发明还提供了一种显示面板，包括本发明任一实施例的阵列基板。
本发明提供的阵列基板，通过在第一走线上设置突起部，增大了第一走线和第二走线之间的距离，降低了静电击伤的机率，同时在突起部和第二走线之间设置一电极，形成屏蔽电场的作用，让静电击伤发生在电极上，所以即便发生静电击伤，也不会影响面板中所需要的金属走线，因此，提高了产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的走线平面结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的走线平面结构示意图二；
图3为本发明一优选实施例提供的阵列基板的部分走线区域平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一、
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的阵列基板的走线平面结构示意图一。本发明实施例提供一种阵列基板，包括：
第一走线10和第二走线20；其中，所述第一走线10包括主体部101以及第一突起部102，第一突起部102设置在所述主体部101靠近所述第二走线20的一侧上；所述第二走线20与所述第一突起部102相对设置，且所述第二走线20与所述突起部102之间设置有第一静电防护电极501，以使静电击伤发生在所述第一静电防护电极501上。
所述第一走线10将所述第二走线20分隔成第一部分201和第二部分202，所述第一走线还包括第二突起部103，所述第一突起部102设置在所述主体部101靠近所述第一部分201的一侧上，所述第二突起部103设置在所述主体部101靠近所述第二部分202的一侧上，其中，所述第二部分202与所述第二突起部103相对设置，且所述第二部分202与所述第二突起部103之间设置有第二静电防护电极502，以使静电击伤发生在所述第二静电防护电极502上。
优选的，所述第一突起部102与所述第二突起部103的形状、大小均一致，可选的，所述第一突起部102和所述第二突起部103的形状可以为梯形。
优选的，所述第一静电防护电极501与所述第二静电防护电极502的形状、大小均一致，所述第一静电防护电极501和所述第二静电防护电极502的大小可以根据实际面板空间进行设计定义。
优选的，所述第一静电防护电极501与所述第一部分201之间的距离等于所述第一静电防护电极501与所述第一突起部102之间的距离。
需要说明的是，所述第一突起部102包括相对设置的第一端1021和第二端1022，且所述第一端1021与所述主体部101连接，其中，所述第一端1021与所述第二端1022之间的距离大于第一预设值，所述第一预设值介于5～15um之间。例如，优选的，该第一预设值为10um，所述第一端1021与所述第二端1022之间的距离大于10um。
优选的，所述第一部分201与所述第一突起部102之间的距离大于第二预设值，所述第二预设值介于100～200um之间。优选的，第二预设值可以为150um，所述第一部分201与所述第一突起部102之间的距离大于150um。
进一步的，请参阅图2，图2为本发明实施例提供的阵列基板的走线平面结构示意图二。如图2所示，所述第二走线20还包括包括第三部分203，所述第三部分203用于连接所述第一部分201和所述第二部分202，例如，所述第三部分203为跨线结构，连接所述第一部分201和所述第二部分202时，避开第一突起部102和第二突起部103，避免第一突起部102和第二突起部103发生静电击伤时，导致第三部分203与主体部101、第一部分201或者第二部分202发生短路。
所述第一走线10、第一静电防护电极501、第一部分201、第二静电防护电极502和第二部分202位于同一层，且所述第三部分203与所述第一走线10、第一静电防护电极501、第一部分201、第二静电防护电极502和第二部分202位于不同层。
本实施例中，在第一走线上设置第一突起部102和第二突起部103，增大了第一走线10和第二走线20之间的距离，降低了静电击伤的机率，同时第一突起部102和第一部分201之间设置第一静电防护电极501以及，第二突起部103和第二部分202之间设置第二静电防护电极502，形成屏蔽电场的作用，让静电击伤发生在第一静电防护电极501和第二静电防护电极502上，所以即便发生静电击伤，也不会影响面板中所需要的金属走线，因此，提高了产品良率。
实施例二、
根据实施例一所述的阵列基板，以下将举例进一步详细说明。
本发明实施例提供的阵列基板可以有一条或多条第一走线以及，一条或多条第二走线结合实施。
在本实施例中将以该阵列基板上具体有一条第一走线以及两条第二走线为例进行说明。
请参阅图3，图3为本发明一优选实施例提供的阵列基板的部分走线区域平面结构示意图。
本发明实施例提供一种阵列基板，包括：
第一走线10、第二走线20以及第三走线30；
具体的，第一走线10可以为***走线或公共电极线，第二走线20可以为扫描线或公共电极线，第三走线30可以为扫描线或公共电极线。
所述第一走线10将所述第二走线20分隔成第一部分201和第二部分202；其中，所述第一走线10包括主体部101以及第一突起部102，第一突起部102设置在所述主体部101靠近所述第一部分201的一侧上；所述第一部分201与所述第一突起部102相对设置，且所述第一部分201与所述第一突起部102之间设置有一第一静电防护电极501，以使静电击伤发生在所述第一静电防护电极501上。
所述第一走线10将所述第三走线30分隔成第四部分301和第五部分302；其中，所述第一走线10包括主体部101以及第三突起部104，第三突起部104设置在所述主体部101靠近所述第四部分301的一侧上；所述第四部分301与所述第三突起部104相对设置，且所述第四部分301与所述第三突起部104之间设置有一第三静电防护电极503，以使静电击伤发生在所述第三静电防护电极503上。
所述第一走线10还包括第二突起部103和第四突起部105，第二突起部103设置在所述主体部101靠近所述第二部分202的一侧上，其中，所述第二部分202与所述第二突起部103相对设置，且所述第二部分202与所述第二突起部103之间设置有一第二静电防护电极502，以使静电击伤发生在所述第二静电防护电极502上。
第四突起部105设置在所述主体部101靠近所述第五部分302的一侧上，其中，所述第五部分302与所述第四突起部105相对设置，且所述第五部分302与所述第四突起部105之间设置有一第四静电防护电极504，以使静电击伤发生在所述第四静电防护电极504上。
具体的，在***走线的两侧上分别相邻设置有两个突起部，***走线通过突起部诱导放电，同时增大***走线与第一扫描线之间的距离以及增大***走线与第二扫描线之间的距离，以减小静电击伤的机率；两条扫描线与四个突起部一一对应，每个突起部与两条扫描线之间设置有一电极，用于吸收静电，防止静电击伤发生在所需要的金属走线上，避免了金属走线短路的问题。此外，该电极可以为铜电极，也可以为其他电极。
优选的，所述第一突起部102与所述第二突起部103的形状、大小均一致，可选的，所述第一突起部102和所述第二突起部103的形状可以为梯形；以第一突起部102为例，第一突起部102的形状可以为梯形，其中，梯形的一边121连接在主体部101上，相对的另一边122与第一部分201相对设置；所述第一突起部102和所述第二突起部103的形状还可以为矩形；第三突起部104和第四突起部105的设置方法与第一突起部102和第二突起部103设置的方法一致，在此不再赘述。
优选的，所述第一静电防护电极501与所述第二静电防护电极502的形状、大小均一致，具体的，第一静电防护电极501和第二静电防护电极502的形状可以为矩形，以第一静电防护电极501为例，当第一静电防护电极501的形状为矩形时，该第一静电防护电极501的两条长边的可以分别与第一部分201、第一突起部102相对设置，第一静电防护电极501可以吸收由第一突起部102诱导放射出的静电，避免造成第一部分2011短路的问题。此外，第一静电防护电极501和第二静电防护电极502的大小可以根据实际面板空间进行设计定义，需要说明的是，第三静电防护电极503和第四静电防护电极504的形状、大小均一致，具体请参阅第一静电防护电极501与第二静电防护电极502，在此不再赘述。
优选的，所述第一静电防护电极501与所述第一部分201之间的距离等于所述第一静电防护电极501与所述第一突起部102之间的距离，比如，第一静电防护电极501可以设置在第一突起部102和第一部分201之间距离的中线上，第一静电防护电极501也可以设置在更靠近第一突起部102的位置上，此外，第一静电防护电极501还可以设置在更靠近第一部分201的位置上，第二静电防护电极502、第三静电防护电极503和第四静电防护电极504的设置方法与第一静电防护电极501的设置方法一致，请参阅前面第一静电防护电极501设置方法，在此不再赘述。
需要说明的是，所述第一突起部102包括相对设置的第一端1021和第二端1022，且所述第一端1021与所述主体部101连接，其中，所述第一端1021与所述第二端1022之间的距离大于第一预设值，第一预设值介于5～15um之间；例如，优选的，所述第一端1021与所述第二端1022之间的距离可以设置大于10um，静电通过第一突起部102诱导放射出，当静电击伤发生时，不会因为第一端1021和第二端1022之间的距离太近而造成主体部101发生短路或者其他异常的问题。此外，第二突起部103、第三突起部104以及第四突起部105的设置方法可以与第一突起部102相同，具体可以参照前面第一突起部102的设置方法，在此不再赘述。
优选的，所述第一部分201与所述第一突起部102之间的距离大于第二预设值，第二预设值介于100～200um之间，优选的，第二预设值可以为150um，当静电击伤发生时，第一部分201不会因为与第一突起部102之间的距离太近而造成第一部分201短路或者其他异常的问题，例如，当***走线10通过第一突起部102诱导放电时，第一突起部102与扫描线10之间的距离大于150um，则扫描线20不会因为与第一突起部102之间的距离太近，而导致扫描线20产生短路或者开路等异常的问题。同样的，第二部分202与第二突起部103之间的距离设置、第四部分301与第三突起部104之间的距离设置以及第五部分302与第四突起部105之间的距离设置与本实例提到的方法相同，在此不再赘述。
所述第二走线20还包括包括第三部分203，所述第三部分203用于连接所述第一部分201和所述第二部分202，具体的，所述第三部分203可以为跨线结构，用于连接所述第一部分201和所述第二部分202，例如，第一扫描线包括第一部分201、第二部分202以及第三部分203，当第三部分203需要连接第一部分201和第二部分202时，第三部分203可以避开第一突起部102和第二突起部103进行连接，这样即使***走线10的第一突起部102和第二突起部103发生静电击伤时，也不会导致第一扫描线20的第三部分203与***走线10、第一扫描线20的第一部分201或第一扫描线20的第二部分202发生短路。
所述第三走线20还包括包括第六部分303，所述第六部分303用于连接所述第四部分301和所述第五部分302，具体的，所述第六部分303可以为跨线结构，用于连接所述第四部分301和所述第五部分302，例如，第二扫描线包括第四部分301、第五部分302以及第六部分303，当第六部分303需要连接第四部分301和第五部分302时，第六部分303可以避开第三突起部104和第四突起部105进行连接，这样即使***走线10的第三突起部104和第四突起部105发生静电击伤时，也不会导致第二扫描线30的第六部分303与***走线10、第二扫描线30的第四部分301或第二扫描线30的第五部分302发生短路。
所述第一走线10、第一静电防护电极501、第一部分201、第二静电防护电极502和第二部分202位于同一层，且所述第三部分203与所述第一走线10、第一静电防护电极501、第一部分201、第二静电防护电极502和第二部分202位于不同层。例如，第一扫描线20的第一部分201、第一扫描线20的第二部分202与***走线10设置在同一层，且第一静电防护电极501和第二静电防护电极502与第一扫描线20的第一部分201、第一扫描线20的第二部分202以及***走线10设置在同一层，而第一扫描线20的第三部分203与***走线10、第一静电防护电极501、扫描线的第一部分201、第二静电防护电极502和扫描线的第二部分202设置在不同层，优选的，第一扫描线20的第三部分203跨线时避开***走线的突起部，避免***走线10发生静电击伤而使第一扫描线20短路或者开路的问题。
需要说明的是，所述第一走线10、第三静电防护电极503、第四部分301、第四静电防护电极504和第五部分302位于同一层，且所述第六部分303与所述第一走线10、第三静电防护电极503、第四部分301、第四静电防护电极504和第五部分302位于不同层，具***置关系请参阅上面实施例提到的第一走线10和第二走线20的位置关系，在此不再赘述。
本发明还提供一种显示面板，包括上述实施例任一阵列基板，具体可参见前面的实施例，在此不再赘述。
本实施例中，在第一走线上10设置第一突起部102和第二突起部103，增大了第一走线10和第二走线20之间的距离，降低了静电击伤的机率，同时第一突起部102和第一部分201之间设置第一静电防护电极501以及，第二突起部103和第二部分202之间设置第二静电防护电极502，形成屏蔽电场的作用，让静电击伤发生在第一静电防护电极501和第二静电防护电极502上，所以即便发生静电击伤，也不会影响面板中所需要的金属走线，因此，提高了产品良率。
以上对本发明实施例提供的阵列基板以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (7)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一走线和第二走线，
所述第一走线包括主体部以及第一突起部，第一突起部设置在所述主体部靠近所述第二走线的一侧上；
所述第二走线与所述第一突起部相对设置，且所述第二走线与所述第一突起部之间设置有第一静电防护电极；
其中，所述第一走线将所述第二走线分隔成第一部分和第二部分，所述第一走线还包括第二突起部，所述第一突起部设置在所述主体部靠近所述第一部分的一侧上，所述第二突起部设置在所述主体部靠近所述第二部分的一侧上，其中，所述第二部分与所述第二突起部相对设置，且所述第二部分与所述第二突起部之间设置有第二静电防护电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一静电防护电极与所述第一部分之间的距离等于所述第一静电防护电极与所述第一突起部之间的距离。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一突起部包括相对设置的第一端和第二端，且所述第一端与所述主体部连接，其中，所述第一端与所述第二端之间的距离大于第一预设值，所述第一预设值介于5～15um之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分与所述第一突起部之间的距离大于第二预设值，所述第二预设值介于100～200um之间。
5.根据权利要求1～4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二走线还包括第三部分，所述第三部分用于连接所述第一部分和所述第二部分；所述第一走线、第一静电防护电极、第一部分、第二静电防护电极和第二部分位于同一层，且所述第三部分与所述第一走线、第一静电防护电极、第一部分、第二静电防护电极和第二部分位于不同层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三部分设置为跨线结构，以避开所述第一突起部和所述第二突起部，避免所述第一突起部与所述第二突起部发生静电击伤时，导致所述第三部分与所述主体部、所述第一部分或者所述第二部分发生短路。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的阵列基板。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN101568950A (zh) * | 2006-12-22 | 2009-10-28 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101568950A (zh) * | 2006-12-22 | 2009-10-28 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及包括有源矩阵基板的显示面板 |
| CN103984430A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-08-13 | 胜华科技股份有限公司 | 具静电防护的触控面板 |
| CN107065339A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-08-18 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
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