CN107429382A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种在柔性基板上形成薄膜的成膜装置，并且提供一种可以使装置整体尺寸减少，另外也使效率提高，从而提高生产性的成膜装置。本发明的成膜装置利用真空并在柔性基板(205)上形成薄膜。真空室(100)中至少包括导入了第一气体的第一区域(101)和导入了第二气体的第二区域(102)。分隔各区域的区域分隔板(202)具有所述柔性基板(205)通过的开口。所述成膜装置包括使柔性基板(205)往来于所述区域的机构。另外，所述成膜装置包括将包含金属或硅的原料气体供给到第一区域(101)的机构(501)以及在所述第二区域(102)中以包含金属或硅的材料作为靶材而进行溅射的机构。

Description

成膜装置

技术领域

本发明涉及用于通过气相沉积法在柔性基板上形成薄膜的成膜装置。更具体地，本发明涉及利用了气相所引起的沉积(deposition)的真空成膜装置，其为在断续或连续传送柔性基板的同时也在该柔性基板上形成薄膜的装置。

背景技术

采用气相来形成薄膜的方法大致为化学气相沉积法(CVD：Chemical VaporDeposition)和物理气相沉积法(PVD：Physical Vapor Deposition)。

作为PVD，代表性的有真空蒸镀法及溅射法等。特别地，对于溅射法而言，虽然通常装置成本高，但是可进行膜质和膜厚的均匀性优异的高品质的薄膜的制作，因此，广泛地应用于显示设备等。然而，膜有时会包含缺陷。

CVD为向真空室内导入原料气体，通过热能使1种或2种以上的气体在基板上分解或反应，从而使固体薄膜成长的方法。在CVD中，为了促进反应，或为了降低反应温度，有时也会并用等离子体或催化剂(Catalyst)反应。将并用等离子体的CVD称为PECVD(PlasmaEnhanced CVD)，将并用催化剂反应的CVD称为Cat-CVD(Catalytic CVD)。化学气相沉积法具有成膜缺陷少的特征，主要适用于栅绝缘膜的成膜等半导体设备的制造工序，但也有在成膜时需要相对的高温这样的缺点。

原子层沉积法(ALD法：Atomic Layer Deposition)为通过表面的化学反应使表面吸附的物质以原子水平逐层进行成膜的方法，被分类为CVD的范畴。ALD与一般的CVD区别点在于，一般的CVD为使用单一的气体或同时使用多种气体在基板上使其反应而使薄膜成长的方法，与此相对，ALD法为交替地使用被称为前驱体(或也称为前驱物质)的富有活性的气体和反应性气体(其在ALD法中也被称为前驱体)，通过基板表面的吸附和与所述吸附接续的化学反应从而以原子水平逐层使薄膜成长的特殊的成膜方法。

具体而言，在ALD法中，利用在表面吸附中一旦有某种气体覆盖表面则不再有该气体的吸附发生的所谓的自限(self-limiting)效应，在表面仅吸附一层前驱体后，将未反应的前驱体排气。接着，导入反应性气体，使之前的前驱体氧化或还原从而得到一层具有所期望的组成的薄膜，然后将反应性气体排气。将上述处理设为1循环，重复该循环，在1循环中成长一层，使薄膜成长下去。因此，在ALD法中，薄膜2维地成长。不只是与现有的真空蒸镀法及溅射法等相比，即使与一般的CVD等相比，ALD法也有成膜缺陷少的特征，并期待应用于各个领域。

在ALD法中，有在使第二前驱体分解、并与吸附于基板的第一前驱体反应的工序中，为了激活反应而使用等离子体的方法，该方法被称为等离子体激活ALD(PEALD：PlasmaEnhanced ALD)、或简称为等离子体ALD。

与其它成膜法相比，ALD法具有无斜影效果等特征，因此，只要存在可渗入气体的间隙，则可进行成膜，除了在具有高纵横比的线及孔的覆膜中的应用之外，期待也应用于在3维结构物的覆膜用途中与MEMS(Micro Electro Mechanical Systems(微机电***))相关的方面等。

使用如上所述的成膜法以形成薄膜的对象存在有如下多种材料：晶片或光掩模等的小的板状基板、玻璃板等的大面积且不具有柔性的基板、或者膜等的大面积且具有柔性的基板等。与这些相对应，在用于在这些基板上形成薄膜的量产设备中，根据成本方面、处理的容易程度及成膜品质等，提出了各种的基板的处理方法，且正在被实用化。

例如在对象为晶片的情况下，成膜装置有向成膜装置供给一片基板从而进行成膜、其后替换为下一基板并再次进行成膜的单片式，或者将多个基板汇集设置、并对全部的晶片进行统一的成膜的分批式等。

另外，在对玻璃基板等进行成膜的方法中，有在逐次输送基板的同时对成为成膜源的部分进行成膜的串联(in-line)式、或者另外有利用所谓的辊对辊的web涂布式，即在从辊上卷出柔性基板并输送的同时主要对柔性基板进行成膜、并将基板卷绕于其它辊上。web涂布式也包含这样的方式，即不只是将柔性基板，还将成为成膜对象的基板载置于可连续输送的柔性片材或一部分为柔性的托盘上从而进行传送/连续成膜。

关于上述任意成膜法和基板处理方法，从成本、品质及处理的容易程度等观点出发进行判断，从而采用最适宜的组合。

ALD法的缺点可列举有使用特殊的材料或其成本等方面，其最大的缺点在于，由于ALD法为通过1循环而逐层使原子水平的薄膜成长的方法，因而即使与蒸镀或溅射等成膜法相比，其成膜速度也要慢5至10倍左右。

为了解决这个问题，人们提出了不同于在单个腔室中重复前驱体的供给和排气的常规方法(这被称为时间分割型)的空间分割型的方法，即将腔室分割为数个区域，并向各个区域供给单一的前驱体或吹扫气体，并使基板来回于各个区域间(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/112370号

发明内容

发明要解决的课题

空间分割型ALD成膜法的出现大幅改善了成膜速度的问题。然而，若与CVD或溅射法相比，空间分割型ALD成膜法的成膜速度仍然并不充分，成为成膜成本较高的一个原因。在辊对辊ALD成膜中，在满足实现饱和吸附等理想成膜条件的情况下，柔性基材的传送速度决定了成膜速度。而且，为了增加膜厚，需要增加基板来回于至少两个区域的范围，即需要使装置尺寸变大，这也成为了成本高的重要原因。

然而，为了提高所制作的膜的耐久性，需要膜具有一定程度的厚度。

在此，为了提高成膜速度，人们也发明了这样的原子气相沉积(Atomic vapordeposition,AVD)，即恒定地供应反应性气体，并脉冲式地导入前驱体。然而，由于该方法以时间分割型的分批式成膜装置为对象，因而并不适用于空间分割型的辊对辊成膜。

本方面的目的在于提供一种在柔性基板上形成薄膜的成膜装置，其用于使整个装置尺寸变小、此外使效率提高从而提高生产性。

解决课题的手段

为了解决该课题，本发明的一个实施方式的成膜装置在于真空室内移动的柔性基板上形成薄膜，所述成膜装置的特征在于，包括：将所述真空室分为至少第一区域和第二区域的分隔壁，该分隔壁形成有使所述柔性基板通过的开口；使所述柔性基板往来于所述第一区域和所述第二区域之间的机构；将包含金属或硅的原料气体供给到所述第一区域的机构；以及配置于所述第二区域并以包含金属或硅的材料作为靶材而进行溅射的机构。

发明的效果

根据本发明，得到以下所示的效果。

也就是说，通过使用上述装置，可以在高成膜速度下得到与溅射成膜相比品质更高的膜。另外，由此，可以使装置尺寸变小。

此外，相比于仅进行溅射成膜的情况，本发明可以减少膜中所含的溅射成膜特有的成膜缺陷。

附图简要说明

[图1]例示出了用于说明根据本发明实施方式的成膜装置的真空室内的构成图。该图是仅表示成为装置主干的成膜部分的示意图。

[图2]是表示根据本发明实施方式的成膜装置的电极的示意图。

[图3]是说明利用根据本发明实施方式的成膜装置进行成膜方法的一例的概略图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行详细的说明。

图1仅记载了真空室100中与成膜有关的部分。对于柔性基板205上的薄膜形成，虽然如前所述地一般使用利用辊对辊进行的成膜，但并不限定于此。在图中，由于膜的供给部分为公知技术，因而进行省略。

<构成>

真空室100内部通过区域分隔板202而分隔为至少2个区域。如图1所示，在基板205的传送方向上，通过以预定间隔配置的2个区域分隔板202而将本实施方式的真空室100内部分为3个区域101、102、103。也就是说，在本实施方式中例示了在第一区域101和第二区域102之间形成有第三区域103的情况。也可形成有多个第三区域103。

而且成为这样的构成，即，在真空室100内传送的柔性基板205通过多个辊201而使传送方向反转180°，并且同时使基板205在第一区域101和第二区域102中往复传送多次，然后基板205被送出至真空室100外。区域分隔板202构成了分隔壁。多个辊201构成了使基板205往来于第一区域101和第二区域102之间的机构。

通过原料气体导入机构501而将原料气体导入到第一区域101。原料气体主要包含金属或硅。

第二区域102中设置有电极203，电极203中布置有对应于成膜的目标膜种类的靶材。电极203被配置为与传送的基板205的溅射面相对向。在设置多个电极203的情况下，可以使用在材质和组成比这些方面全部相同的电极203，也可以使用其中一个、或多个、或各个均不相同的电极203。图1中例示了除了电极203以外还相对向地配置了电极204作为电极的情况。若除了电极203以外还使用电极204，则可在柔性基板205的两面上成膜。若电极203和电极204使用不同的材料，则可在柔性基板205的一面和另一面上形成材质不同的薄膜。

通过溅射气体导入机构502而将适于溅射的气体导入到第二区域102。在进行反应性溅射的情况下也可一并导入反应性气体。需要说明的是，有时也将以下情况称为反应性溅射，即不使用金属靶材，而是使用缺氧型的导电性低级氧化物靶，并进一步导入反应性气体从而形成氧化物薄膜。作为这样的例子，可列举出使用氧含量比化学计量组成比低的氧化铟锡作为靶材并且使用氩气和氧气作为气体而形成氧化物薄膜的情况。在本发明中，这种情况也包括在反应性溅射中。

在此，若使前述原料气体主要包含的金属或硅当中的主要成分与靶包含的金属或硅当中的主要成分相同，则可形成同一种类(单一)的薄膜。相反，若它们彼此不同，则可制作具有多种成分的薄膜。在构成膜的成分当中，若溅射成膜的成分较多，而另一方面在第一区域101中吸附的原料气体较少，则也可将前述原料气体的成分用作掺杂到溅射膜的材料。

电极203和电极204成为在溅射成膜中激发等离子体时的电极。电极203和电极204的构造及特征将在下文进行说明。

在区域分隔板202中设置有用于使柔性基板205通过的开口部分。该开口部分的尺寸适宜为以下范围内的最小尺寸，在该范围内柔性基板205在传送时该基板205不与该开口部分的壁面接触。若开口部分较大，则作为区域分隔板202的作用不能充分地发挥出来。也就是说，存在于关注区域的气体与存在于相邻区域的气体相互混合，若其混合量增大至足以影响成长中的膜，则会有诸如得不到所期待的膜质等无法忽视的不良情况出现。因此，开口部分需要在可能的范围内设置得较小。

为了进一步缓和上述影响，在本实施方式中，如图1所示，在第一区域101和第二区域102之间设置缓冲用的第三区域103。另外，在第三区域103中设置导入惰性气体的机构503。由此，通过在成膜时将惰性气体导入第三区域103，从而可减少导入到第一区域101的气体和导入到第二区域102的气体直接混合的量。若导入到第三区域103的惰性气体产生了通过第一区域101或/和第二区域102而排气的流，则更有效果。

通过区域分隔板202的开口部分，柔性基板205经由第三区域103而往来于第一区域101和第二区域102之间从而进行成膜。

图2是表示电极203或电极204的构造的示意性剖视图。电极203或电极204构成进行溅射的机构。

虽然有根据实施用途而需要注意左右的安装方向的情况，但是电极203和电极204除了仅在腔室100内的配置场所不同以外基本相同。当然也可以使用彼此不同的电极203和电极204。在柔性基板205的单个面上进行成膜的情况下，使用任一个电极组，然而若在两面上成膜，则同时设置并使用两个电极组。只要在以下的说明中没有特别地指出，那么电极203和电极204可以彼此替换，在以下的构造说明中，以电极203作为代表进行说明。

溅射靶通常成为激发等离子体时的电极。通常使用在导电性高的铜板(称为背板)上形成成为溅射成膜时的原材料的靶材而得的材料。图2(1)为在背板302的一面上配置靶材303的例子。在一般的溅射成膜中，靶的后表面不暴露于真空中，而本实施方式所使用的电极203主要设置在柔性基板205之间，因而除了进行两面溅射的情况之外，在电极203的一面上配置绝缘体301以抑制来自于背板302的放电。

在进行两面溅射的情况下，如图2(2)所示，可以在背板302的两面上配置靶材303。此时，在靶材303中可以使用相同的材料，也可以使用不同的材料。若使用不同的材料，则并非形成单一的溅射膜，而是可以形成含有各个材料的组成的溅射膜。在靶材303中使用包含金属或硅的材料来确保溅射成膜所需要的导电性。也可是氧化物或氮化物，只要能够确保导电性即可。例如，其也如前所述，通过适当地控制成分或氧化程度而进行制作，氧化铟锡(ITO)等也可成为具有导电性的靶材。在靶材的导电性不足的情况或成膜期间导电性降低的情况下等，也可以使用公知的脉冲DC电源或双阴极技术等来抑制放电的停止。在使用不具有导电性的靶材的情况下，使用RF电源即可。然而，在这种情况下，为了使放电稳定，在成膜期间会有某种程度的限制，例如，有必要在所有的电极中取得相位的同步。

图2(3)除了在背板302的一部分上设置了靶材303以外，其他与图2(1)的构成相同。通过使用这样的构成，可以选择性地作出这样的状况，即主要在与存在靶材303的部分相对向的柔性基板205上进行溅射成膜，在除此以外的部分中仅进行由激发的等离子体所引起的基板205表面的改性/活化。因此，在这样的情况下是适宜的，即希望不同时进行成膜和改性/活化而是稍错开一定的时间进行成膜和改性/活化。然而，为了防止背板302的构成物质被溅射，需要在背板302中使用溅射率低的材料。

图2(4)示出了用于缓解这种限制的构成，其中在仅对应于配置了靶材303的部分的背面上设置磁控管。由此，可以仅在靶材303的附近形成高的等离子体密度，因而可以减少输入功率，并可以使背板302被溅射的量相对地减少。

图2(5)为背靠背地配置两个磁控管304并使两面溅射成为可能的例子。为了防止两个磁控管304的干扰，也可以在它们之间设置防磁板(未图示)。对于防磁板，将在后述进行详细的说明。

图2(6)示出了这样的例子，其中在背板302的一面上配置靶材303，在背板302的后表面上配置磁控管304后，采用绝缘体301保护磁控管，之后，在绝缘体301上配置导电体305，并使得靶材303或背板302电连接于该导电体305。导电体的材质不限。另外，电连接的方法也不限。由此，可在具有靶材303的面上进行溅射成膜，并且同时可在具有导电体305的面上进行成长中的膜的表面改性，该膜在柔性基板205上成长。图2(6)为靶材303仅形成在背板302的一部分上的例子，但是如图2(6)’所示地，靶材303也可以形成在背板302的一整个面上。磁控管304的尺寸也根据靶材303的尺寸而进行适宜的变更。

图2(7)示出了这样的例子，其中在图2(6)中所示的电极的磁控管304与导电体305之间设置有防磁板306。防磁板的种类或材质没有特别的限制，只要能够充分发挥防磁效果即可。若可以防止来自于磁控管304的磁场泄露并将来自于导电体305的溅射抑制为最小限度，则可应用公知的防磁板。

需要说明的是，虽然未图示出，但也可以在任一个电极上设置水冷或其他冷却机构，从而防止对于电极的过多热量的积累。电极的热量作为辐射热(放射热)而传递到柔性基板205，这会成为在柔性基板205上造成损伤的原因之一，因此，期望避免这种热量传递。

<成膜方法>

接着，对于使用本成膜装置的成膜方法进行说明。通过使用本成膜装置，从而如下地进行成膜。

在此，由于各电极的不同而造成的效果如前所述。另外，由于成膜方法自身相同，因而，在此仅以在背板302的一整个面上形成图2(7)的靶材303的图2(7)’作为例子，并参照图3进行说明。

将如前述的导电性材料用于靶材303。本发明的特征之一在于可以选择在使用原料气体的成膜中难以实施的材料作为溅射成膜的靶材。也就是说，在CVD或ALD中，为了作为原料气体而被取出，高熔点金属或其化合物通常需要高温，从而在成膜时也需要高温，因此难以在柔性基板205上成膜，然而，这样的材料也可以用作靶材，只要其能够溅射成膜。因此，在本成膜中可以使用各种材料进行成膜。

在此，虽然图中示出了配置了完全相同的电极203的例子，但是根据想要制作的膜，也可以选择适宜的电极作为各自的电极，或者也可以剔除。也就是说，在上述说明中具有这样的构造，即每当基板205从第一区域101移动到第二区域102，则通过构成溅射成膜装置的电极203或电极204进行溅射，然而，电极203或电极204也可以设置在第二区域102中的至少一个位置。需要说明的是，通过综合考虑膜质和成膜速度，从而确定电极203或电极204的设定位置或数目。

在利用本成膜装置进行的成膜方法中，首先，将柔性基板205设置于成膜装置的真空室100中，并使腔室100为真空状态。所需真空度根据制造的膜的膜质或允许的处理速度等而进行改变，因而其并不适于唯一地确定。柔性基板205的材料可为PET、PEN或聚酰亚胺等，或者也可为箔、纸、布等的其他材料，只要它们能够承受本装置构成中基板205的传送即可使用。柔性基板205的材料也可为减薄且可弯曲的硅或玻璃。柔性基板205的材料也可为包含多个上述材料的复合材料。

如果需要，可适当地加热真空室100。

随后，将含有金属或硅的原料气体导入第一区域101，将氩气导入第二区域102。若在第二区域102中实施反应性溅射，则也一并导入氧气等反应性气体。此时，预先通过预溅射而对靶表面进行清洁等。

另外，也可将惰性的氩气或氮气作为吹扫气体而导入到第三区域103。此时，可将第三区域103的气压设定为与其他区域的气压相比为最高。由此，可以降低导入第一区域101的前驱体与导入第二区域102的溅射用气体的混合的可能性或其比例。需要说明的是，这并不适用于以下情况，即(例如)选择对于导入到第一区域101的前述原料气体呈现惰性的成分作为溅射用气体。

接着，开始柔性基板205的传送，并同时进行溅射成膜。可使用常规的DC溅射，但基于阴极(靶)的数目，也可使用高频或微波、电感耦合等离子体(ICP)等作为等离子体激发源。也可使用用于抑制电弧的公知的技术。例如可以合适地使用以下电源，即脉冲DC电源或者带有电弧切断控制电路的DC电源。

可以根据所期望的膜质、成膜速度从而自由地设定溅射成膜时施加到等离子体的功率。通常在溅射成膜中，与放电功率成比例地，所制作的膜的厚度变厚。然而，由于本成膜方法的特征在于前述原料气体的吸附与利用溅射进行的成膜互补交替地重复进行，因而若仅突出地进行溅射成膜，则可能会有损于本成膜方法的优点。

此时，若着眼于被传送的柔性基板205，对于导入到真空室100的成膜室的柔性基板205，其在第一区域101中被暴露于包含金属或硅的气体。在这个例子中，假定柔性基板205从图3的左上进入真空室100的成膜室。原料气体吸附于柔性基板205的表面。之后，柔性基板205经由区域分隔板202的开口部分而移动到第三区域103，并且柔性基板205被暴露于惰性气体，在第一区域101中已经吸附的原料气体仍然残留在柔性基板205的表面上。接着，柔性基板205经由与先前相同的区域分隔板202的开口部分而移动到第二区域102，在此，柔性基板205被暴露于用于溅射成膜的气体。

在图3的例子中，图2(7)’所示的电极在其方向上被收纳。也就是说，在空间401附近，经由电极203的放电，从而激发了等离子体，对于位于空间401附近的柔性基板205，其前述表面所吸附的原料气体得以改性。根据表面附近所存在的元素，如何进行改性是有所不同的。例如，若氧作为元素而存在，则预期有氧化。随后，柔性基板205经由辊201而180°反转，并再次被引导到电极203前。若从此时柔性基板205的方向考虑，面向电极203的表面具有靶材303的一方，靶材303的构成物质被溅射。因此，在空间402附近，在柔性基板205上进行溅射成膜。之后，柔性基板205经由区域分隔板202的开口部分而进入第三区域103，并随后再次进入第一区域101。通过重复上述过程从而进行一系列的成膜。

需要说明的是，由于考虑到各种情况，因而不适合以数值来表示，但例如以下是优选的，即调整溅射成膜的输入功率等，使得柔性基板205每次通过空间402附近时，通过溅射成膜形成约0.2至1nm左右的膜厚，这可以增加膜成长速度并且同时抑制膜质的下降。

柔性基板205往来于第一区域101与第二区域102之间，直到达到所期望的膜厚。为了简单说明，图3中只描绘了5次往复运动，但是往复的数目取决于柔性基板205的翻转数，因此，对于所期望的膜厚，使用预先考虑翻转数(即，辊201的数目以及电极203的数目)而进行设计的装置。一般而言，若需要具有10至50nm的膜厚，则以这样的厚度为基准从而设定翻转数即可。

基板205的传送速度由来自膜质的要求以及所允许的生产能力所限制，因而并不适合于进行规定。

在进行成膜直到达到所期望的膜厚之后，关闭等离子体，停止原料气体及其他气体的供应，并且对真空室100抽真空以将残留于腔室100内的气体完全排出，然后将真空室100通气并取出柔性基板205。在通过辊对辊而将柔性基板205从另一个腔室卷出并卷取的情况下，将该另一个腔室通气并取出已完成成膜的辊。

至此，完成了成膜。

<本实施方式的效果>

通过使用本实施方式的成膜装置，在柔性基板205通过第一区域101的步骤中，包含金属或硅的原料气体三维地覆盖也包括存在于柔性基板205上的孔洞和凹坑在内的整个柔性基板205。在柔性基板205继续通过第二区域102的步骤中，通过溅射成膜从而形成了包含构成溅射靶的成分的薄膜。对此，根据溅射成膜条件，可以期待从数原子层至数十或数百原子层的膜厚的沉积。通过重复上述步骤，在第一区域101中可以得到1原子层水平的薄膜(ALD膜)，并在第二区域102中可以得到由溅射成膜形成的厚膜(溅射膜)。

虽然溅射成膜法是一种缺陷较多的成膜方法，但即使存在缺陷，在第一区域101中也可以通过原料气体覆盖该缺陷，从而形成整体良好的薄膜。这些也可以应用于绝缘膜、介电膜、气体阻隔膜等的成膜。

也就是说，在ALD中，以一层(原子层)为单位而进行成膜，并根据目标基板的状态或异物(污染物)，前体的吸附情况也不同。因此，会有这样的问题，即在基板上无法理想地按顺序形成原子层。另一方面，虽然溅射法无法以原子层为单位而形成致密的膜，但是相比于ALD，溅射膜的形成较为容易。

而且，在本实施方式中，通过将第一区域101中的前驱体吸附(由ALD形成的吸附)与由随后第二区域102中的溅射所产生的成膜相结合，从而形成彼此互补的关系。具体而言，具有这样的效果，即通过ALD膜填充溅射膜的间隙，此外前驱体可良好地吸附到溅射膜，因而ALD膜容易成膜。

另外，由于由高分子材料构成的基板的表面具有高分子构造面的凹凸或空洞部分(若通过电子显微镜观察，则看不到平坦的面)，因而也会有能够明了以下问题的效果，即在成膜的初期阶段ALD膜难以成膜。然而，虽然阻隔性可能无法达到完全致密成膜的ALD膜的阻隔性，但是在本实施方式中，也可以期待避免包括溅射膜的硬度在内的ALD膜的脆弱性的效果。

此外，通过设置第三区域103并采用将惰性气体导入第三区域103的构成，从而可以抑制第一区域101与第二区域102之间的气体混合，可以抑制在柔性基板205上的不期望的薄膜沉积。另外，可以在第一区域101或第三区域103中抑制薄膜沉积在腔室100的内壁。

另外，靶材仅配置在电极203的一部分上。

通过采用这样的构成，在第一区域101中吸附到柔性基板205上的包含金属或硅的气体有效分解或反应之后，由溅射形成的膜可以层叠在电极203的表面当中的没有被靶材覆盖的部分上。

另外，电极203当中，仅对应于配置了靶材的部分而配置磁控管。

将磁控管与溅射靶(电极203)组合的技术本身是一种公知的技术。与此相对，本实施方式将磁控管与电极203表面当中的被靶材覆盖了的部分组合，而对于未被靶材覆盖的部分，则保留原状而并不设置磁控管。

通过采用这样的构成，可以选择性地作出这样的状况，即根据投入的功率，来自于靶材的被溅射的粒子的量在组合了磁控管的部分中急剧地增加(溅射率的增加)，而在没有组合磁控管的部分中，则几乎不进行溅射。

另外，靶材仅形成在电极203的两面当中的与柔性基板205相对的一面上。

通过采用这样的构成，电极的一面可以在柔性基板205上进行溅射成膜，另一面可以对在柔性基板205上形成的薄膜或成长中的薄膜进行表面改性。

另外，在靶材仅形成在电极203的两面当中与柔性基板205相对的一面上的电极203中，该电极203的另一面设置磁控管，并以覆盖该磁控管的方式形成导电体，靶材与该导电体彼此电连接。

通过采用这样的构成，一面可以进行磁控管溅射，并且同时另一面可以对在柔性基板205上形成的薄膜或成长中的薄膜的表面进行改性。

另外，在磁控管与前述导电体之际设置防磁构造体。

通过采用这样的构成，可以使磁场对于位于与靶材相反侧的导电体的影响消除或减少，可以防止前述导电体表面被溅射。

另外，在溅射为反应性溅射的情况下，通过来自于反应性气体的等离子体所衍生的活性种类，从而可以有效地将吸附在柔性基板205上的原料气体改性并形成薄膜。

以上，本申请要求日本专利申请2015-053394(2015年3月17日提交)的优先权，其全部内容通过引用的方式并入本文。

在此，尽管已经参照有限数量的实施方式进行了说明，但是本发明权利要求的范围不限于此，并且基于上述公开的各实施方式的修改对于本领域技术人员而言是显而易见的。也就是说，本发明并不限于上述记载的各实施方式。基于本领域技术人员的知识，还可以对各实施方式进行设计的变更等，这样的变更等也包含在本发明的范围内。

工业应用性

在传送基板的同时制作薄膜于基板上的工序中，本发明无需使设备大型化即可成膜，这有助于降低生产成本。另外，可以生产各种种类的膜。

符号的说明

100 真空室

101 第一区域

102 第二区域

103 第三区域

201 辊

202 区域分隔板

203、204 电极

205 柔性基板

301 绝缘体

302 背板

303 靶材

304 磁控管

305 导电体

306 防磁板

401、402 空间

501、502、503 导入气体的机构

Claims (8)

1.一种成膜装置，其在于真空室内移动的柔性基板上形成薄膜，其特征在于，包括：

将所述真空室内分为至少第一区域和第二区域的分隔壁，该分隔壁形成有使所述柔性基板通过的开口；

使所述柔性基板往来于所述第一区域和所述第二区域之间的机构；

将包含金属或硅的原料气体供给到所述第一区域的机构；以及配置于所述第二区域并以包含金属或硅的材料作为靶材而进行溅射的机构。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

具有配置在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，并且具有将惰性气体导入所述第三区域的机构。

3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述进行溅射的机构包括电极，所述靶材仅配置在所述电极的一部分上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述进行溅射的机构包括电极，在所述电极中，在仅对应于配置了所述靶材的部分的所述电极的背面上配置磁控管。

5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，

所述进行溅射的机构包括与所述柔性基板相对的电极，仅在该电极的两面当中的一面上形成靶材。

6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，包括这样的构成：

仅在电极的两面当中的与所述柔性基板相对的一面上形成靶材，并同时在另一面上设置磁控管，以覆盖所述磁控管的方式形成导电体，靶材与所述导电体彼此电连接。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

在所述磁控管与所述导电体之间设置防磁构造体。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述溅射为反应性溅射。