CN107408514A - 接合体的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种接合体的制造方法，其通过较低温度的加热来接合第一被粘物和第二被粘物，在接合后能够得到具有优异耐热性的接合体。一种接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，所述制造方法包括下述工序：对第一被粘物和第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；夹着玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的工序；将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及，将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。

Description

接合体的制造方法
技术领域
本发明涉及使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的接合体的制造方法。
背景技术
含有玻璃和导电性颗粒的糊剂被用作接合基板和半导体芯片、基板和盖体、基板和放热部件等的接合材料。例如，含有玻璃和导电性颗粒的糊剂被用作对粘接在陶瓷基板上的电路层粘接半导体芯片等半导体元件的芯片接合材料。专利文献1中公开了一种芯片接合材料糊剂，其含有：包含V2O5的无铅玻璃、以及30～95体积％的金属颗粒。专利文献1中，作为芯片接合材料糊剂中含有的玻璃，公开了在玻璃组成中包含总量为65质量％的V2O5和Ag2O、且玻璃化转变温度(Tg)为163℃、玻璃结晶化温度(Tcry)为263℃、软化点(Ts)为208℃的玻璃。
另外，专利文献2中公开了一种用于将半导体设备接合于基板的玻璃糊剂，所述玻璃糊剂使用了玻璃化转变温度约为250℃以下、结晶化温度为300℃以下且晶体的再熔融温度约为350℃以下的具有特定组成的玻璃粉末。专利文献2公开的玻璃糊剂中包含的玻璃以氧化物基准计含有Ag2O46.9重量％、V2O522.0重量％、TeO28.9重量％、PbO222.2重量％。并公开了：具有该玻璃组成的微细粉末状玻璃通过基于DSC的分析，玻璃化转变温度(Tg)为152.4℃、玻璃晶化峰温度(Tc)为199.2℃、玻璃再熔融峰温度(Tr)为275.8℃。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-151396号公报
专利文献2：日本特表平8-502468号公报
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1中未记载玻璃再熔融温度。另外，关于专利文献1记载的芯片接合材料糊剂，记载了在糊剂中包含的玻璃的结晶化温度263℃以上、例如350℃或450℃下进行预烧成，另外，专利文献2中公开了将夹在半导体元件与基板之间的玻璃糊剂加热至玻璃糊剂中包含的玻璃的再熔融温度以上，例如350℃或450℃，从而将半导体元件接合于基板的方法。
然而，加热至玻璃糊剂中包含的玻璃的再熔融温度以上来接合半导体元件和基板时，有时半导体元件因加热而受损。因此，期望通过更低温度的加热来接合半导体元件和基板的方法。
像这样，考虑到抑制因加热而对半导体元件造成的损伤、因高温的加热而造成的能量浪费等，要求能够以更低温度的加热来接合被粘物的玻璃糊剂。被粘物为例如功率器件用半导体元件时，要求能够通过低温的加热来接合被粘物，并且对半导体模块等接合体也要求高耐热性。
本发明的目的在于，为了解决上述问题，提供通过较低温度的加热能够接合第一被粘物和第二被粘物，且接合后也能够得到具有优异耐热性的接合体的制造方法。
用于解决问题的方法
为了解决上述问题，本发明人等发现：夹着含有结晶化玻璃料的玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物，并以结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的温度进行加热，从而能够将第一被粘物与第二被粘物进行接合，所述结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)。本发明人等发现：这样得到的第一被粘物与第二被粘物的接合体具有优异的耐热性，从而完成了本发明。
〔1〕本发明涉及一种接合体的制造方法，其使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物，玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)，再熔融温度(Tr)为超过结晶化温度(Tc)的温度，结晶化温度(Tc)为超过玻璃化转变温度(Tg)的温度，所述接合体的制造方法包括下述工序：对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序；将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序；以及，将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。
〔2〕本发明涉及〔1〕所述的接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂还包含(C)导电性颗粒。
〔3〕本发明涉及〔1〕或〔2〕所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的再熔融温度(Tr)为300℃以上。
〔4〕本发明涉及〔1〕～〔3〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)与结晶化温度(Tc)之差为30℃以上且185℃以下。
〔5〕本发明涉及〔1〕～〔4〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)为150℃以上且350℃以下。
〔6〕本发明涉及〔1〕～〔5〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)为110℃以上且低于200℃。
〔7〕本发明涉及〔1〕～〔6〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含Ag2O和V2O5。
〔8〕本发明涉及〔7〕所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含选自由TeO2、MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
〔9〕本发明涉及〔7〕或〔8〕所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5，相对于结晶化玻璃料的总质量，以氧化物换算计，(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5的总量为80～96质量％，且(A-1)Ag2O相对于(A-2)V2O5的质量比(Ag2O/V2O5)为1.8～3.2。
〔10〕本发明涉及〔1〕～〔6〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含Ag2O和TeO2。
〔11〕本发明涉及〔10〕所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含选自由MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO、B2O3和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
〔12〕本发明涉及〔1〕～〔11〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板，第二被粘物为半导体芯片。
〔13〕本发明涉及〔1〕～〔11〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板，第二被粘物为盖体。
〔14〕本发明涉及〔1〕～〔11〕中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板或半导体芯片，第二被粘物为盖体。
发明的效果
本发明通过玻璃糊剂中包含的(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)，并将夹着玻璃糊剂的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度接合第一被粘物和第二被粘物。在第一被粘物与第二被粘物的接合后，能够得到耐热性优异的接合体。
附图说明
图1是本发明的实施方式的使用差示扫描量热计对实施例的制造方法中使用的结晶化玻璃料1进行测定而得到的DSC图。
图2是比较例的使用差示扫描量热计对比较例的制造方法中使用的结晶化玻璃料7进行测定而得到的DSC图。
图3是示出通过实施例的制造方法得到的接合体1～5和通过比较例的制造方法得到的接合体1～5的剪切强度与环境温度的关系的图。
具体实施方式
本发明涉及使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物的接合体的制造方法。玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂。(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)。再熔融温度(Tr)为超过结晶化温度(Tc)的温度。结晶化温度(Tc)为超过玻璃化转变温度(Tg)的温度。本发明的制造方法包括对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序。本发明的制造方法包括夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序。本发明的制造方法包括将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序。本发明的制造方法包括将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。
[(A)结晶化玻璃料]
本发明中，玻璃糊剂中包含的(A)结晶化玻璃料是体积基准的平均粒径(中值粒径)优选为1～200μm的粉末玻璃。结晶化玻璃料的平均粒径更优选为3～180μm、进一步优选为3～160μm、特别优选为5～150μm。(A)结晶化玻璃料可如下操作来获得。即，将原料投入磁性坩埚中，在熔融炉(烘箱)内进行加热熔融从而得到玻璃熔液。接着，使该玻璃熔液流入不锈钢制的辊之间，成形为片状。将所得片状玻璃用乳钵粉碎，例如用100目和200目的试验筛进行筛分级。如上操作，能够得到(A)结晶化玻璃料。试验筛的网眼大小没有特别限定。通过使用网眼细小的试验筛进行筛分级，能够得到平均粒径(中值粒径)更小的结晶化玻璃料。结晶化玻璃料的平均粒径可通过使用激光衍射·散射式粒径·粒度分布测定装置(例如，日机装株式会社制、MICROTRAC HRA9320-X100)来进行测定。结晶化玻璃料的平均粒径是指体积累积分布D50(中值粒径)。
结晶化玻璃是指：在分子排列随机的非晶质玻璃中包含分子规整排列的结构(结晶)的玻璃。本说明书中，结晶化玻璃料是指：在通过差示扫描量热计测定得到的DSC图中，在超过玻璃化转变温度(Tg)的温度区域内，具有显示出结晶化温度(Tc)的至少一个以上放热峰的玻璃料。进而，本发明中，玻璃糊剂中包含的(A)结晶化玻璃料在通过差示扫描量热计测定得到的DSC图中，在超过结晶化温度(Tc)的温度区域内，具有显示出再熔融温度(Tr)的至少一个以上的吸热峰。
(A)结晶化玻璃料的再熔融温度(Tr)是指：在通过差示扫描量热计测定得到的DSC图中，在超过结晶化温度(Tc)的温度区域内显示出的至少一个吸热峰的温度。(A)结晶化玻璃料的再熔融温度(Tr)优选高于使用接合体的温度区域。在通过差示扫描量热计测定得到的(A)结晶化玻璃料的DSC图中，超过结晶化温度(Tc)的温度区域内存在多个吸热峰的情况下，优选其中最低的吸热峰高于使用接合体的温度区域。由于碳化硅和氮化镓等半导体芯片能够在比以往的硅芯片更高的温度下工作，因此，(A)结晶化玻璃料的再熔融温度(Tr)优选为300℃以上、更优选为350℃以上、进一步优选为400℃以上。另外，在本发明的制造方法中，夹在第一被粘物与第二被粘物之间的玻璃糊剂被加热至玻璃糊剂中包含的(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)。因此，已结晶化的分子排列不会再次熔融，能够将第一被粘物与第二被粘物进行接合。其结果，夹在第一被粘物与第二被粘物之间的玻璃糊剂包含玻璃料，所述玻璃料处于含有部分分子规整排列的晶体的状态，因此能够提高接合体的耐热性。
(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)优选为150℃以上且350℃以下。(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)是指：在通过差示扫描量热计测定得到的DSC图中，存在于超过玻璃化转变温度(Tg)且低于再熔融温度(Tr)的温度区域内的放热峰的温度。在通过差示扫描量热计测定得到的(A)结晶化玻璃料的DSC图中，在超过玻璃化转变温度(Tg)且低于再熔融温度(Tr)的温度区域内存在多个放热峰时，放热量(J/g)的绝对值的数值为15J/g以上、优选为20J/g以上、更优选为30J/g以上的放热峰优选在150℃以上且350℃以下存在至少一个，更优选存在于180℃以上且340℃以下，进一步优选存在于200℃以上且340℃以下。如果(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)为150℃以上且350℃以下，则再熔融温度(Tr)与结晶化温度(Tc)存在温度差。因此，通过加热至结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)，(A)结晶化玻璃料中析出的结晶不会发生熔融，能够形成将第一被粘物与第二被粘物接合得到的接合体。另外，能够通过较低温度下的加热形成接合体。其结果，能够提高接合体的耐热性。
(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)与再熔融温度(Tr)之差没有特别限定，优选为50～200℃、更优选为60～190℃、进一步优选为70～185℃。如果(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)与再熔融温度(Tr)之差为50～200℃，则在包含(A)结晶化玻璃料的玻璃糊剂中，能够通过较低温度的加热来形成接合体，并且能够降低因加热对被粘物造成的损伤。
(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)优选为110℃以上且低于200℃。(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)更优选为120℃以上且180℃以下、进一步优选为150℃以上且180℃以下。如果(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)为110℃以上且低于200℃，则其与结晶化温度(Tc)的温度差较小，能够将加热至结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的温度设定为较低的温度。因此，能够抑制加热时对被粘物造成的损伤。
(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)与结晶化温度(Tc)之差优选为30～70℃、更优选为35～65℃、进一步优选为40～60℃、特别优选为45～55℃。如果(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)与结晶化温度(Tc)之差为30～70℃，则(A)结晶化玻璃料中包含大量分子规整排列的结构(结晶)。因此，包含(A)结晶化玻璃料的玻璃糊剂能够以较低的温度接合第一被粘物和第二被粘物，从而形成接合体。其结果，能够提高所得接合体的耐热性。在通过差示扫描量热计测定得到的(A)结晶化玻璃料的DSC图中，在玻璃化转变温度(Tg)与结晶化温度(Tc)之间优选不存在吸热峰。如果在玻璃化转变温度(Tg)与结晶化温度(Tc)之间不存在吸热峰，则能够提高所得接合体的耐热性。
(A)结晶化玻璃料优选包含Ag2O和V2O5。(A)结晶化玻璃料优选还包含选自由TeO2、MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
(A)结晶化玻璃料优选包含(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5，相对于(A)结晶化玻璃料的总体量，以氧化物换算计，(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5的总量为80～96质量％，且(A-1)Ag2O相对于(A-2)V2O5的质量比(Ag2O/V2O5)为1.8～3.2。本说明书中，在没有特别记载的情况下，(A)结晶化玻璃料中包含的各成分用相对于氧化物换算组成的(A)结晶化玻璃料总质量的质量％来表示。
(A)结晶化玻璃料中，(A-1)Ag2O与(A-2)V2O5的总量相对于(A)结晶化玻璃料的总质量更优选为82～95质量％。另外，(A)结晶化玻璃料中，(A-1)Ag2O相对于(A-2)V2O5的质量比(Ag2O/V2O5)优选为1.8～3.2、更优选为1.95～2.7、进一步优选为1.95～2.6、特别优选为2.0～2.5。(A)结晶化玻璃料中包含的成分(A-1)与成分(A-2)的总量为80～96质量％、且(A-1)Ag2O相对于(A-2)V2O5的质量比(Ag2O/V2O5)为1.8～3.2时，能够得到再熔融温度(Tr)超过350℃且为450℃以下的较低温度的(A)结晶化玻璃料。
(A)结晶化玻璃料可以进一步包含(A-3)选自由TeO2、MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
(A)结晶化玻璃料可以包含选自由TeO2、MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO和Fe2O3组成的组中的2种以上氧化物。
(A)结晶化玻璃料优选包含Ag2O和TeO2。
(A)结晶化玻璃料可以包含选自由MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO、B2O3和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
(A)结晶化玻璃料可以包含选自由MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO、B2O3和Fe2O3组成的组中的2种以上氧化物。
(A)结晶化玻璃料包含相对于(A)结晶化玻璃料的总体量以氧化物换算计优选为0～55质量％、更优选为1～55质量％的(A-1’)Ag2O。另外，(A)结晶化玻璃料包含相对于(A)结晶化玻璃料的总体量以氧化物换算计优选为0～60质量％、更优选为1～60质量％的(A-2’)TeO2。(A)结晶化玻璃料中，相对于(A)结晶化玻璃料的总体量，(A-1’)Ag2O与(A-2’)TeO2的总量更优选为50～100质量％、进一步优选为65～100质量％、特别优选为75～100质量％。如果(A)结晶化玻璃料中包含的成分(A-1’)Ag2O与成分(A-2’)TeO2的总量为50～100质量％，则能够得到再熔融温度(Tr)超过350℃且为450℃以下那样的、再熔融温度(Tr)为较低温度的(A)结晶化玻璃料。
(A)结晶化玻璃料中的(A-1’)Ag2O相对于(A-2’)TeO2的质量比(Ag2O/TeO2)优选为0.15～9.00。Ag2O-TeO2系玻璃的玻璃化范围较宽。即，如果(A-1’)Ag2O相对于(A-2’)TeO2的质量比(Ag2O/TeO2)为0.15～9.00的范围，则能够得到玻璃。通过适当地设定(A-1’)Ag2O相对于(A-2’)TeO2的质量比(Ag2O/TeO2)或者添加选自由MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO、B2O3和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物，能够得到再熔融温度(Tr)超过350℃且为450℃以下的(A)结晶化玻璃料。
[(B)溶剂]
本发明的方法中使用的玻璃糊剂包含(B)溶剂。作为(B)溶剂，可以从醇类(例如萜品醇、α-萜品醇、β-萜品醇等)、酯类(例如含羟基的酯类、2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇单异丁酸酯、丁基卡必醇乙酸酯等)、链烷烃混合物(例如Condea公司制造的Linpar)、多元醇类(例如2-乙基-1，3-己二醇)中选择1种或2种以上来使用。
为了将导电性糊剂调整成适于涂布的粘度，可以向溶剂中添加除了溶剂之外的树脂、粘结剂或填料等中的1种或2种以上。
[(C)导电性颗粒]
本发明的方法中使用的玻璃糊剂优选包含(C)导电性颗粒。(C)导电性颗粒可以使用例如银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、以及银(Ag)与贱金属(例如Cu和Ni等)的银合金等。其中，导电性颗粒优选为银(Ag)。
导电性颗粒的形状、平均粒径没有特别限定，可以使用本领域中公知的导电性颗粒。导电性颗粒的平均粒径优选为0.01～40μm、更优选为0.05～30μm、进一步优选为0.1～20μm。如果导电性颗粒的平均粒径为0.01～40μm的范围内，则糊剂中的导电性颗粒的分散性良好、烧结时的烧结性良好。需要说明的是，导电性颗粒的平均粒径是指使用激光衍射·散射式粒径·粒度分布测定装置(例如日机装株式会社制、MICROTRAC HRA9320-X100)测定得到的体积累积分布的D50(中值粒径)。导电性颗粒的形状可以为球形、薄片状或鳞片状、或者具有多角形状。
作为导电性颗粒而使用银颗粒时，可以使用纳米级大小的银颗粒、在细孔中填充有树脂的银颗粒。
[(D)金属氧化物]
本发明的方法中使用的玻璃糊剂可以进一步包含(D)金属氧化物。金属氧化物可列举出选自由SnO、ZnO、In2O3和CuO组成的组中的至少1种金属氧化物。该金属氧化物不是玻璃料中包含的氧化物。
玻璃糊剂通过包含选自由SnO、ZnO、In2O3和CuO组成的组中的至少1种金属氧化物，能够进一步提高粘接强度。玻璃糊剂通过包含特定的金属氧化物，能够得到在例如300～350℃的环境下仍然维持粘接强度的接合体。
[其它的添加剂]
本发明的方法所使用的玻璃糊剂中，作为其它的添加剂，可以根据需要进一步配混从增塑剂、消泡剂、分散剂、流平剂、稳定剂和密合促进剂等中选择的添加剂。这些之中，作为增塑剂，可以使用从邻苯二甲酸酯类、二醇酸酯类、磷酸酯类、癸二酸酯类、己二酸酯类和柠檬酸酯类等中选择的增塑剂。
[玻璃糊剂]
本发明的方法中使用的玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂。玻璃糊剂中的(A)结晶化玻璃料的配比没有特别限定。在玻璃糊剂100质量％中，优选包含(A)结晶化玻璃料50～99质量％、更优选65～95质量％、进一步优选75～95质量％。玻璃糊剂中的(B)溶剂的配比没有特别限定。在玻璃糊剂100质量％中，优选包含(B)溶剂1～50质量％、更优选5～40质量％、进一步优选5～30质量％。
如果玻璃糊剂中的(A)结晶化玻璃料的配比为50～99质量％，则能够得到(A)结晶化玻璃料大致均匀地分散在(B)溶剂中的玻璃糊剂。如果玻璃糊剂中的(A)结晶化玻璃料的配比为50～99质量％，则能够将玻璃糊剂大致均匀地涂布于第一被粘物和/或第二被粘物。另外，如果玻璃糊剂中的(A)结晶化玻璃料的配比为上述配比范围，则通过本发明的方法，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度将第一被粘物与第二被粘物进行接合，并且能够得到接合后粘接强度得以维持、耐热性优异的接合体。
本发明的方法所使用的玻璃糊剂中包含(C)导电性颗粒的情况下，玻璃糊剂优选包含5～35质量％的(A)结晶化玻璃料、5～12质量％的(B)溶剂、以及60～90质量％的(C)导电性颗粒。各成分的质量％是各成分相对于玻璃糊剂的总质量100质量％的含量。
本发明的方法中使用的玻璃糊剂优选包含5～35质量％的(A)结晶化玻璃料、5～12质量％的(B)溶剂、以及60～90质量％的(C)导电性颗粒。此时，通过加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度，使用特定的玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物。另外，能够得到在第一被粘物与第二被粘物的接合后粘接强度得以维持、且耐热性优异的接合体。另外，本发明的方法中使用的包含(C)导电性颗粒的玻璃糊剂即使处于加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序中的较低温度、例如450℃以下的加热温度，导电性颗粒也会扩散并析出至熔融的玻璃糊剂中。因此，通过使用特定的玻璃糊剂，能够形成具有优异导电性的烧成膜，得到将第一被粘物与第二被粘物进行电连接而得到的接合体。
本发明的方法中使用的玻璃糊剂在包含(D)金属氧化物的情况下，优选包含5～35质量％的(A)结晶化玻璃料、5～10质量％的(B)溶剂、60～85质量％的(C)导电性颗粒、以及0～5质量％的(D)金属氧化物。另外，本发明的方法中使用的玻璃糊剂更优选包含5～35质量％的(A)结晶化玻璃料、5～10质量％的(B)溶剂、60～85质量％的(C)导电性颗粒、以及0.1～5质量％的(D)金属氧化物。各成分的质量％是各成分相对于导电性糊剂的总质量100质量％的含量。
玻璃糊剂优选包含5～35质量％的(A)结晶化玻璃料、5～10质量％的(B)溶剂、60～85质量％的(C)导电性颗粒、以及0～5质量％的(D)金属氧化物。此时，通过将夹着玻璃糊剂的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度来稳固地接合第一被粘物和第二被粘物。另外，能够得到在第一被粘物与第二被粘物的接合后粘接强度得以维持、且耐热性优异的接合体。另外，本发明的方法中使用的包含(D)金属氧化物的玻璃糊剂即使处于加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序中的较低温度、例如450℃以下的加热温度，导电性颗粒也会扩散并析出至熔融的玻璃糊剂中。因此，通过使用特定的玻璃糊剂，能够形成具有优异导电性的烧成膜，得到将第一被粘物与第二被粘物进行电连接而得到的接合体。
本发明的方法中使用的玻璃糊剂包含(C)导电性颗粒时，(A)结晶化玻璃料与(C)导电性颗粒的质量比((A)结晶化玻璃料：(C)导电性颗粒)优选为50∶50～2∶98、更优选为40∶60～10∶90、进一步优选为35∶65～15∶85、特别优选为30∶70～20∶80。(A)结晶化玻璃料与(C)导电性颗粒的质量比((A)结晶化玻璃料：(C)导电性颗粒)为50∶50～2∶98时，通过将玻璃糊剂加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度来接合第一被粘物和第二被粘物。因此，能够得到在第一被粘物与第二被粘物的接合后粘接强度得以维持、且耐热性优异的接合体。
接着，对本发明的方法中使用的玻璃糊剂的制造方法进行说明。
[玻璃糊剂的制造方法]
本发明的方法中使用的玻璃糊剂具备将(A)结晶化玻璃料与(B)溶剂进行混合的工序。玻璃糊剂包含(C)导电性颗粒、(D)金属氧化物、根据情况包含其它的添加剂和/或添加颗粒时，可通过例如相对于(B)溶剂添加(A)结晶化玻璃料，并根据情况添加(C)导电性颗粒、(D)金属氧化物、以及其它的添加剂和/或添加颗粒，进行混合并分散来制造。
混合可通过例如行星混合器来进行。另外，分散可利用三辊研磨机来进行。混合和分散不限定于这些方法，可以使用公知的各种方法。
[第一被粘物和/或第二被粘物]
通过本发明的方法进行接合的第一被粘物和/或第二被粘物可列举出例如基板、半导体芯片、盖体、放热部件等。
通过本发明的方法得到的接合体可列举出例如第一被粘物为基板且第二被粘物为半导体芯片的接合体、第一被粘物为基板且第二被粘物为盖体的接合体、第一被粘物为基板或半导体芯片且第二被粘物为放热部件的接合体。
作为第一被粘物为基板且第二被粘物为半导体芯片的接合体，可列举出例如半导体装置。作为基板，可列举出包含选自氧化铝、氮化铝和氮化硅等中的陶瓷的基板；以及包含选自铝和铜等中的金属的基板。作为半导体芯片，可列举出选自Si、SiC、GaN和GaAs等中的半导体芯片。
作为第一被粘物为基板且第二被粘物为盖体的接合体，可列举出半导体封装体和SWA设备之类的电子部件封装体、MEMS设备、以及高频模块等。作为基板或盖体，可分别列举出例如包含金属、玻璃或陶瓷的基板或盖体。
作为第一被粘物为基板或半导体芯片且第二被粘物为放热部件的接合体，可列举出具备放热部件的半导体装置等。作为基板，可列举出包含选自氧化铝、氮化铝和氮化硅等中的陶瓷的基板，包含选自铝和铜等中的金属的基板。作为半导体芯片，可列举出包含Si、SiC、GaN或GaAs等的半导体芯片。作为放热部件，可列举出选自铝和铜等中的金属制的放热器。
[接合体的制造方法]
本发明的接合体的制造方法使用玻璃糊剂，所述玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)，再熔融温度(Tr)为超过结晶化温度(Tc)的温度，结晶化温度(Tc)为超过玻璃化转变温度(Tg)的温度。本发明的接合体的制造方法包括对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序。本发明的接合体的制造方法包括夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序。本发明的接合体的制造方法包括将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序。本发明的接合体的制造方法包括：将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。
本发明的接合体的制造方法中，由于加热至玻璃糊剂中包含的(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)，因此，能够将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物与第二被粘物以较低的温度进行接合。另外，能够降低第一被粘物和/或第二被粘物由加热导致的损伤。另外，在本发明的制造方法中，玻璃糊剂被加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)，因此，(A)结晶化玻璃料中的已结晶化的分子排列不会再次熔融，能够将第一被粘物与第二被粘物进行接合。另外，玻璃糊剂包含玻璃料，所述玻璃料处于含有部分分子规整排列的结晶的状态，因此能够在接合后维持粘接强度，并且能够提高接合体的耐热性。通过本发明的制造方法得到的接合体即使置于例如300℃的较高温度的环境下时，也能够维持接合强度，并且能够提高耐热性。
本发明的制造方法中，在对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序中，涂布方法没有特别限定。作为涂布玻璃糊剂的方法，可列举出例如基于分散、印刷的方法。另外，涂布方法不限定于基于分散、印刷的方法，可通过现有公知的各种方法来涂布玻璃糊剂。
本发明的制造方法中，将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序只要是(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的温度，就没有特别限定。(A)结晶化玻璃料的再熔融温度(Tr)超过350℃且为450℃以下时，夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物以低于450℃的温度进行加热。另外，(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)为150℃以上且350℃以下时，夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物以150℃以上的温度进行加热。
本发明的制造方法中，将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序优选冷却至低于(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)的温度，更优选冷却至(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)以下的温度。(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)为150℃以上且350℃以下时，夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物优选至少冷却至低于350℃的温度。(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)为110℃以上且低于200℃时，夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物优选至少冷却至低于200℃的温度。
实施例
以下，通过实施例和比较例来详细说明本发明，但本发明不限定于它们。
以下，首先对(A)结晶化玻璃料进行说明。(A)结晶化玻璃料不限定于下述例子。
[结晶化玻璃料1～7]
表1示出结晶化玻璃料1～7的各成分的配比。结晶化玻璃料1用于本发明的实施例的制造方法中。结晶化玻璃料1实质上包含(A-1)Ag2O、(A-2)V2O5、(A-3)MoO3和(A-4)CuO。结晶化玻璃料7用于比较例的制造方法中。结晶化玻璃料7实质上包含(a-1)Ag2O、(a-2)V2O5和(a-3)TeO2。结晶化玻璃料2～6以各配比包含Ag2O和TeO2，且不含V2O5。表1中的结晶化玻璃料的各成分的数值的单位为质量％。
[结晶化玻璃料8～51]
表2～7示出结晶化玻璃料8～51的各成分的配比。结晶化玻璃料8～51包含(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5，进一步如表2～7所示那样地包含选自TeO2、MoO3、ZnO、CuO、TiO2、MnO2、MgO、Nb2O5、Fe2O3、BaO和P2O5中的至少1种。表2～7中的结晶化玻璃料的各成分的数值的单位为质量％。
(A)结晶化玻璃料1～51的制造方法如下所示。
关于(A)结晶化玻璃料1～51的原料，计量氧化物的粉末并混合，投入至坩埚(例如，磁性坩埚：Fisher Brand公司制、高温瓷器、尺寸为10mL)。投入至坩埚中的结晶化玻璃料的原料连同该坩埚一起放入烘箱(烘箱：JELENKO公司制、JEL-BURN JM、MODEL：335300)内。结晶化玻璃料的原料在烘箱内升温至表1～7中分别用Melt Temp.(℃)表示的熔融温度(Melt temperature)为止，维持熔融温度而使其充分地熔融。接着，将已熔融的结晶化玻璃料的原料连同坩埚一起从烘箱中取出，并均匀地搅拌已熔融的结晶化玻璃料的原料。其后，将已熔融的结晶化玻璃料的原料在室温下载置于旋转的不锈钢制的直径为1.86英寸(inch)的两根辊上，并利用电机(BODUNE.D，C.MOTOR 115V)使两根辊发生旋转。此时，已熔融的结晶化玻璃料的原料一边进行混炼一边在室温下进行骤冷，从而形成板状的玻璃。最后，用乳钵将板状的玻璃进行粉碎。
使用差示扫描量热计，在下述条件下对各结晶化玻璃料1～51测定DSC曲线。玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)由基于差示扫描量热测定的DSC曲线进行测定。将各结晶化玻璃料的玻璃化转变温度(Tg)、结晶化温度(Tc)和再熔融温度(Tr)示于表1～7。图1示出结晶化玻璃料1的DSC曲线。图2示出结晶化玻璃料7的DSC曲线。
〔玻璃化转变温度(Tg)〕
使用SHIMADZU公司制造的差示扫描量热计DSC-50，将结晶化玻璃料以15℃/分钟的升温速度升温至3780℃为止，测定约50℃～约370℃的温度区域的DSC曲线。玻璃化转变温度(Tg)设为DSC曲线的初始拐点的温度。
〔结晶化温度(Tc)〕
结晶化温度(Tc)设为：在利用差示扫描量热计(SHIMADZU公司制造的DSC-50)由以15℃/分钟的升温速度升温至370℃为止的条件示出的DSC曲线中，由放热热量为15J/g以上的至少1个放热峰的峰顶示出的温度。存在多个放热峰时，将初始放热峰的峰顶的温度(℃)记作Tc1，将第2个放热峰的峰顶的温度(℃)记作Tc2，将第3个放热峰的峰顶的温度(℃)记作Tc3，将第4个放热峰的峰顶的温度(℃)记作Tc4。另外，各峰的大小用放热量(J/g)的数值来表示。
〔再熔融温度(Tr)〕
再熔融温度(Tr)设为：在利用差示扫描量热计(SHIMADZU公司制造的DSC-50)由以15℃/分钟的升温速度升温至370℃为止的条件示出的DSC曲线中，由温度最低的吸热峰的峰顶示出的温度。存在多个吸热峰时，将初始吸热峰的峰顶温度(℃)记作Tr1，将第2个吸热峰的峰顶温度(℃)记作Tr2。另外，各峰的大小由吸热量(J/g)的数值表示。
[表1]
玻璃料1 玻璃料2 玻璃料3 玻璃料4 玻璃料5 玻璃料6 玻璃料7
Ag2O 56.21 43.87 43.02 42.25 43.18 50.70 63.50
V2O5 25.79 - - - - - 21.90
TeO2 - 56.13 55.04 54.05 55.25 20.96 14.60
MoO3 10.00 - - - - 28.34 -
CuO 8.00 - - - - - -
SnO - - - 3.69 - - -
B2O3 - - 1.94 - - - -
合计 100 100 100 100 98.4 100 100
Ag2O/V2O5 2.18 - - - - - 2.90
Ag2O/TeO2 - 0.78 0.78 0.78 0.78 2.42 4.35
Melt Temp.(℃) 700 800 800 800 800 800 800
Tg(℃) 178.9 165.8 174.67 172.6 172.09 185.78 126.9
Tc1(℃) 231.9 212.1 243.17 238.09 219.88 238.39 185.4
Tc1(J/g) 46.7 8.19 19.35 14.7 10.94 25.7 27.1
Tc2(℃) 324.8 257.81 358.42 334.36 281.26 366.32 248.7
Tc2(J/g) 8.0 2.49 29.09 21.7 4.28 27.52 12.3
Tc3(℃) - 319.7 399.08 391.71 336.1 527.43 -
Tc3(J/g) - 23.73 0.79 7.1 17.08 86.75 -
Tc4(℃) - - - - 400.21 - -
Tc4(J/g) - - - - 5.74 - -
Tr1(℃) 412.7 443.5 438.2 444.77 442.61 390.7 313.2
Tr1(J/g) -73.51 -46.3 -69.72 -41.14 -29.21 -8.07 -36.51
Tr2(℃) - - - - - 422.91 -
Tr2(J/g) - - - - - -39.99 -
Tc-Tg 53 153.9 183.75 161.76 164.01 52.61 58.5
Tr-Tc 180.8 123.8 79.78 110.41 106.5 152.31 127.8
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
[表7]
实施例中使用的结晶化玻璃料1的结晶化温度(Tc)设为Tc1(放热量为46.7J/g)的温度231.9℃。另外，比较例中使用的结晶化玻璃料2的结晶化温度设为Tc1(放热量为27.1J/g)的温度185.4℃。
接着，使用结晶化玻璃料1和7、以及下述原料，制作实施例的制造方法中使用的玻璃糊剂1和比较例的制造方法中使用的玻璃糊剂2。
<玻璃糊剂的材料>
玻璃糊剂的材料如下所示。表8示出实施例和比较例中使用的玻璃糊剂1和2的配方。
·导电性颗粒：Ag、球状、BET值为0.6m2/g、平均粒径D50：6.4μm、6g(相对于玻璃糊剂100质量％为71.59质量％)、商品名：EA-0001(Metalor公司制)、导电性颗粒的平均粒径是使用激光衍射·散射式粒径·粒度分布测定装置(例如日机装株式会社制、MICROTRACHRA9320-X100)测定得到的体积累积分布的D50(中值粒径)。
·溶剂：萜品醇0.88g(ALDRICH公司制产品编号：Terpineol、相对于导电性糊剂100质量％为10.48质量％)
·结晶化玻璃料1和7：对于各结晶化玻璃料，将1种玻璃料用乳钵粉碎，并使用325目的筛进行筛分级后再使用。结晶化玻璃料的经筛分级后的平均粒径(D50)为约13μm～约20μm。
[表8]
<玻璃糊剂的制造方法>
将表8所示组成的玻璃糊剂的材料用三辊研磨机进行混炼，从而制作玻璃糊剂。
(实施例)
第一被粘物使用了长20mm×宽20mm×厚1mm的氧化铝板作为基板。第二被粘物使用了长5mm×宽5mm×厚330μm的Si芯片。
将2.5μL玻璃糊剂1分散在作为第一被粘物的基板上，将作为第二被粘物的Si芯片搭载在玻璃糊剂上，将作为第一被粘物的氧化铝板与作为第二被粘物的Si芯片进行接合。使用间隔物，以夹在第一被粘物与第二被粘物之间的玻璃糊剂1的厚度为30μm的方式，从Si芯片上施加负载。将夹着玻璃糊剂1的氧化铝板和Si芯片以370℃加热15分钟。加热温度370℃是玻璃糊剂1中包含的结晶化玻璃料1的结晶化温度(Tc1)231.9℃以上且低于再熔融温度(Tr1)412.7℃的温度。其后，将夹着玻璃糊剂1进行了接合的氧化铝板和Si芯片冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下的25℃以下，从而得到试验用接合体1～5。
(比较例)
除了使用玻璃糊剂2之外，与实施例同样地得到试验用接合体1～5。加热温度370℃为玻璃糊剂2中包含的结晶化玻璃料7的结晶化温度(Tc1)185.4℃以上，且为再熔融温度(Tr1)313.2℃以上。通过比较例的制造方法得到的试验用的接合体1～5不满足将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序。
〔剪切试验(粘接强度)〕
将实施例和比较例的试验用的接合体1～2设置在常温25℃的环境中，30秒后，通过AIKOH ENGINEERING CO.，LTD.制造的台式强度试验机1605HTP，以12mm/分钟的剪切速度进行剪切强度试验，测定了剪切强度(Kgf/mm2)。
另外，将试验用的接合体3～5设置在300℃的环境中，30秒后，通过AIKOHENGINEERING CO.，LTD.制造的台式强度试验机1605HTP，以12mm/分钟的剪切速度进行剪切强度试验，测定了剪切强度(Kgf/mm2)。将结果示于表9和图3。
[表9]
如图3和表9所不那样，设置于常温25℃的环境中的通过实施例的制造方法得到的接合体1～2显示出与比较例的接合体1～2同等或者更优异的剪切强度。另外，如图3和表9所示那样，设置于300℃的环境中的通过实施例的制造方法得到的接合体3～5均显示出比通过比较例的制造方法得到的接合体3～5更优异的剪切强度。由该结果可以确认：通过本发明的制造方法得到的接合体1～5通过将夹着玻璃糊剂的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度(Tc)以上且低于再熔融温度(Tr)的工序，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度接合第一被粘物和第二被粘物，并且在接合后显示出优异的耐热性。尤其是可以确认：通过本发明的制造方法得到的接合体3～5在置于300℃的较高温度的环境下时，显示出特别优异的耐热性。
产业上的可利用性
根据本发明的制造方法，能够以较低的温度、例如450℃以下的加热温度接合第一被粘物和第二被粘物，并且在接合后能够得到耐热性优异的接合体。根据本发明的制造方法，通过以较低温度进行接合，能够抑制赋予被粘物的热损伤，因此，作为制造将基板与半导体芯片接合得到的半导体装置等接合体、将基板与盖体接合得到的半导体封装体、SWA设备之类的电子封装体、MEMS设备、高频模块等接合体、以及将基板或半导体芯片与放热部件接合得到的半导体装置等接合体的方法，在产业上是有用的。

Claims (14)

1.一种接合体的制造方法，其使用玻璃糊剂来接合第一被粘物和第二被粘物，
玻璃糊剂包含(A)结晶化玻璃料和(B)溶剂，(A)结晶化玻璃料具有玻璃化转变温度、结晶化温度和再熔融温度，再熔融温度为超过结晶化温度的温度，结晶化温度为超过玻璃化转变温度的温度，
所述接合体的制造方法包括下述工序：
对第一被粘物和/或第二被粘物涂布玻璃糊剂的工序；
夹着玻璃糊剂接合第一被粘物和第二被粘物的工序；
将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物加热至(A)结晶化玻璃料的结晶化温度以上且低于再熔融温度的工序；以及
将夹着玻璃糊剂进行了接合的第一被粘物和第二被粘物冷却至结晶化玻璃料的玻璃化转变温度以下从而得到接合体的工序。
2.根据权利要求1所述的接合体的制造方法，其中，玻璃糊剂还包含(C)导电性颗粒。
3.根据权利要求1或2所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的再熔融温度为300℃以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体的连接方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度与结晶化温度之差为30℃以上且185℃以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的结晶化温度为150℃以上且350℃以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料的玻璃化转变温度为110℃以上且低于200℃。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含Ag2O和V2O5。
8.根据权利要求7所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含选自由TeO2、MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
9.根据权利要求7或8所述的导电性糊剂，其中，(A)结晶化玻璃料包含(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5，相对于结晶化玻璃料的总质量，以氧化物换算计，(A-1)Ag2O和(A-2)V2O5的总量为80～96质量％，且(A-1)Ag2O相对于(A-2)V2O5的质量比Ag2O/V2O5为1.8～3.2。
10.根据权利要求1～6中任一项所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含Ag2O和TeO2。
11.根据权利要求10所述的接合体的制造方法，其中，(A)结晶化玻璃料包含选自由MoO3、MnO3、ZnO、CuO、TiO2、MgO、Nb2O5、BaO、Al2O3、SnO、B2O3和Fe2O3组成的组中的至少1种氧化物。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板，第二被粘物为半导体芯片。
13.根据权利要求1～11中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板，第二被粘物为盖体。
14.根据权利要求1～11中任一项所述的接合体的制造方法，其中，第一被粘物为基板或半导体芯片，第二被粘物为放热部件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115029083A (zh) * 2021-03-05 2022-09-09 佳能株式会社 热熔融粘接剂和接合物的生产方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009026965A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Nissan Motor Co Ltd 電子部品、およびその製造方法
JP2011054531A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 酸化物超電導薄膜の製造方法および超電導線材
JP2013151396A (ja) * 2012-01-26 2013-08-08 Hitachi Ltd 接合体および半導体モジュール
WO2014119579A1 (ja) * 2013-02-01 2014-08-07 ナミックス株式会社 ガラスフリット

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5334558A (en) 1992-10-19 1994-08-02 Diemat, Inc. Low temperature glass with improved thermal stress properties and method of use
JPH1154531A (ja) 1997-07-31 1999-02-26 Nec Kansai Ltd セラミックパッケージ型圧電素子およびその製造方法
JP5349694B2 (ja) * 2010-07-02 2013-11-20 有限会社ソフィアプロダクト 接合材
US8709862B2 (en) * 2011-01-06 2014-04-29 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Vanadium, cobalt and strontium additives for use in aluminum back solar cell contacts

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009026965A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Nissan Motor Co Ltd 電子部品、およびその製造方法
JP2011054531A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology 酸化物超電導薄膜の製造方法および超電導線材
JP2013151396A (ja) * 2012-01-26 2013-08-08 Hitachi Ltd 接合体および半導体モジュール
WO2014119579A1 (ja) * 2013-02-01 2014-08-07 ナミックス株式会社 ガラスフリット

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115029083A (zh) * 2021-03-05 2022-09-09 佳能株式会社 热熔融粘接剂和接合物的生产方法

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