CN107168589B - 一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。本发明实施例提供的显示基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域内设置有多个压力传感器，所述压力传感器的材质为多晶硅，在垂直于所述显示基板的方向上，所述压力传感器所在膜层下方直接设置有第一膜层，上方直接设置有第二膜层，所述第一膜层和第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量。本发明的技术方案能够提高压力传感器检测压力的精度。

Description

一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
具有触控功能的显示面板被广泛应用于手机、平板电脑、公共场所大厅的信息查询机等各种显示装置中。用户只需用手指触摸显示面板上的标识就能够实现对该显示装置的操作，消除了用户对其他输入设备(如键盘和鼠标等)的依赖，使人机交互更为简易。
为了更好地满足用户需求，通常在显示面板中设置有用于检测用户按压显示面板时压力大小的压力传感器，使显示面板不仅能够采集触控位置信息，而且能够采集压力大小，以丰富触控技术的应用范围。
显示面板结构复杂，其包括许多膜层，现有技术中直接设置在压力传感器所在膜层上方和下方的膜层的材质均为氧化硅，其杨氏模量较小，在受到外力作用时，不仅会发生弹性形变，还会发生非弹性形变，其中，非弹性形变会残留在膜层中，无法恢复，使得当压力传感器所在位置无应力作用时，压力传感器仍然具有一定的形变，导致压力传感器的基线发生漂移，影响压力传感器检测压力的精度。
发明内容
本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，可以提高压力传感器检测压力的精度。
第一方面，本发明实施例提供一种显示基板，所述显示基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域内设置有多个压力传感器，所述压力传感器的材质为多晶硅，在垂直于所述显示基板的方向上，所述压力传感器所在膜层下方直接设置有第一膜层，上方直接设置有第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括以上任一项所述的显示基板。
第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的显示面板。
第四方面，本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，所述显示基板的制作方法包括：
将所述显示基板划分为显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；
在所述周边区域内形成第一膜层；
在形成所述第一膜层的所述周边区域内，直接形成多个压力传感器，所述压力传感器的材质为多晶硅；
在形成多个所述压力传感器的所述周边区域内，直接形成第二膜层；
其中，所述第一膜层和所述第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量。
本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中，显示基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域，周边区域内设置有多个压力传感器，压力传感器的材质为多晶硅，在垂直于显示基板的方向上，压力传感器所在膜层下方直接设置有第一膜层，上方直接设置有第二膜层，由于现有技术中直接设置在压力传感器所在膜层上方和下方的膜层的材质均为氧化硅，而本发明实施例中第一膜层和第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量，使得与现有技术相比第一膜层和第二膜层中的至少一个膜层更难压缩，不易发生非弹性形变，进而使得当压力传感器所在位置无应力作用时，压力传感器不会发生形变，可以有效防止压力传感器的基线发生漂移，可以起到提高压力传感器检测压力的精度的作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示基板的俯视图；
图2为本发明实施例提供的图1沿A-A’方向的截面示意图；
图3为现有技术中两次使用相同大小的压力按压显示面板时压力传感器的输出信号示意图；
图4为本发明实施例提供的图1沿B-B’方向的截面示意图一；
图5为本发明实施例提供的图1沿B-B’方向的截面示意图二；
图6为本发明实施例提供的显示基板的显示区域的俯视图；
图7为本发明实施例提供的压力传感器的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的压力传感器的连接示意图；
图9为本发明实施例提供的显示装置的俯视图；
图10为本发明实施例提供的显示基板的制作方法流程图；
图11为本发明实施例提供的显示基板的制作过程示意图一；
图12为本发明实施例提供的显示基板的制作过程示意图二。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明实施例中的各特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
本发明实施例提供一种显示基板，如图1和图2所示，图1为本发明实施例提供的显示基板的俯视图，图2为本发明实施例提供的图1沿A-A’方向的截面示意图，显示基板1包括显示区域A和围绕显示区域A的周边区域B，周边区域B内设置有多个压力传感器10，压力传感器10的材质为多晶硅，在垂直于显示基板1的方向上，压力传感器10所在膜层下方直接设置有第一膜层20，上方直接设置有第二膜层30，第一膜层20和第二膜层30中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅(SiO2)的杨氏模量(75GPa)。其中，上述“压力传感器10所在膜层下方直接设置有第一膜层20，上方直接设置有第二膜层30”指的是压力传感器10所在膜层的下表面与第一膜层20直接接触，且上表面与第二膜层30直接接触。
其中，压力传感器10检测压力大小的原理如下：在显示面板上某一位置施加压力时，压力传感器10所在位置具有由该压力引发的应力，在该应力的作用下，压力传感器10发生形变，进而使得压力传感器10的电阻发生变化，压力传感器10的输出值发生变化，通过此变化即可计算得出施加在显示面板上的压力的大小。压力传感器10在无应力作用时，压力传感器10的输出值为压力传感器10的基线(baseline)，上述压力传感器10的输出值的变化量即为：压力传感器10在有应力作用时，对应的输出值与基线之间的差值。由以上所述可知，若压力传感器10的基线发生漂移，则会导致压力传感器10在有应力作用时，即在显示面板上施加压力时，计算得到的压力的大小不准确，进而使得压力传感器10检测压力的精度不高。造成压力传感器10的基线漂移的主要原因在于，显示基板包括许多膜层，在受到按压时，膜层会发生弹性形变和非弹性形变，其中，非弹性形变会残留在膜层中，无法恢复，使得压力传感器10在无应力作用时，压力传感器10仍然具有一定的形变。
通常材质为多晶硅的压力传感器，与显示区域中的薄膜晶体管包括的材质也为多晶硅的有源层同一膜层制备，由于氧化硅与多晶硅接触界面良好，使得该多晶硅具有比较好的半导体特性，薄膜晶体管具有很好的电性能，而且还会阻挡其他膜层(例如氮化硅层)中的氢元素与多晶硅的接触，避免氢元素对多晶硅的半导体性能的负面影响。因此，通常直接设置在有源层上方和下方的膜层的材质均为氧化硅，使得直接设置在压力传感器所在膜层上方和下方的膜层的材质也均为氧化硅。然而氧化硅的杨氏模量较小，在受到外力作用时，不仅会发生弹性形变，还会发生非弹性形变，其中，非弹性形变会残留在膜层中，无法恢复，使得当压力传感器所在位置无应力作用时，压力传感器仍然具有一定的形变，压力传感器10的基线发生漂移，压力传感器10检测压力的精度不高。
具体地，如图3所示，图3为现有技术中两次使用相同大小的压力按压显示面板时压力传感器的输出信号示意图，现有技术中两次使用相同大小的压力(例如500g)按压显示面板时，第一次按压(图3中表示为按压1)过程中，压力传感器的输出值与基线之间的差值为ΔV1，由于应力在显示面板包括的各膜层中的积累，使得第一次按压后压力传感器的基线发生漂移，导致第二次按压(图3中表示为按压2)过程中，压力传感器的输出值与基线之间的差值为ΔV1’，其与ΔV1之间具有较大差异，导致压力传感器检测压力的精度不高。
而本发明实施例中，第一膜层20和第二膜层30中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量，使得与现有技术相比第一膜层20和第二膜层30中的至少一个膜层更难压缩，不易发生非弹性形变，进而使得当压力传感器10所在位置无应力作用时，压力传感器10不会发生形变，可以有效防止压力传感器10的基线发生漂移，可以起到提高压力传感器10检测压力的精度的作用。
需要说明的是，第一膜层20和第二膜层30中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量包括三种情况：第一种，只有第一膜层20的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量；第二种，只有第二膜层30的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量；第三种，第一膜层20和第二膜层30的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量。由之前所述可知，通常直接设置在有源层上方和下方的膜层的材质均为氧化硅，使得直接设置在压力传感器所在膜层上方和下方的膜层的材质也均为氧化硅，因此，本发明实施例中可选择第一膜层20和第二膜层30中仅有一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量时，另一膜层的材质为氧化硅，能够起到防止压力传感器10的基线发生漂移的作用，提高压力传感器的检测精度。进一步地，第一膜层20和第二膜层30的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量时，第一膜层20和第二膜层30均难以压缩，能够更好地起到防止压力传感器10的基线发生漂移的作用，提高压力传感器的检测精度的效果更佳。
其中，杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量的材质均适用于本申请，例如，氮化硅(SiN2)和氮氧化硅(SiON)。基于此，本发明实施例中，第一膜层20和第二膜层30的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量时，第一膜层20和第二膜层30的材质的选取可以有多种：例如，第一种，第一膜层20和第二膜层30的材质均为氮化硅；第二种，第一膜层20和第二膜层30的材质均为氮氧化硅；第三种，第一膜层20的材质为氮化硅，第二膜层30的材质为氮氧化硅；第四种，第一膜层20的材质为氮氧化硅，第二膜层30的材质为氮化硅。本申请的发明人经过研究发现，氮化硅的杨氏模量高达220GPa，且现有技术的显示基板上也设置有氮化硅膜层，因此，本发明实施例中可选择，第一膜层20和第二膜层30中的至少一个膜层的材质为氮化硅，进一步地，第一膜层20和第二膜层30的材质均为氮化硅。
可选地，本发明实施例中，如图4和图5所示，图4为本发明实施例提供的图1沿B-B’方向的截面示意图一，图5为本发明实施例提供的图1沿B-B’方向的截面示意图二，显示区域A内设置有多晶硅层40、第一氧化硅层50、第二氧化硅层60、第一氮化硅层70和第二氮化硅层80，其中，在垂直于显示基板的方向上，第一氮化硅层70、第一氧化硅层50、多晶硅层40、第二氧化硅层60和第二氮化硅层80依次紧邻设置；为了简化显示基板1的制作工艺且降低成本，本发明实施例中选择压力传感器10所在膜层和多晶硅层40所在膜层为同一膜层。该多晶硅层40与显示区域A中的各薄膜晶体管的有源层相对应。
其中，第一氧化硅层50和第二氧化硅层60均直接与多晶硅层40接触，不仅氧化硅与多晶硅层40接触界面良好，使得该多晶硅层40具有比较好的半导体特性，与该多晶硅层40对应的多个薄膜晶体管具有很好的电性能，而且还会阻挡第一氮化硅层70和第二氮化硅层80中的氢元素与多晶硅层40的接触，避免氢元素对多晶硅层40的半导体性能的负面影响。
对于本发明实施例中的压力传感器10而言，虽然压力传感器10的材质也为多晶硅，但利用的并非多晶硅的半导体特性，而是导电性，因此，其上方和下方直接设置的膜层为氮化硅不会对其性能产生影响。为了提高压力传感器10的性能，可提高其对应的多晶硅的导电性，因此，本发明实施例中的压力传感器10的材质可以为重掺杂的多晶硅，N型掺杂或P型掺杂均可。可选地，其掺杂的面掺杂浓度为1010/cm2～1015/cm2，采用上述面掺杂浓度的多晶硅，既能够保证压力传感器10的应变电阻阻值不会过大，有利于信号的传输与检测，又能够有效保护多晶硅的晶格结构不被破坏。
进一步地，基于显示区域A中具有上述膜层，本发明实施例中的第一膜层20和第二膜层30可以采用如下两种设置方式：
第一种，如图4所示，第一膜层20与第一氮化硅层70为同一膜层，且第一氮化硅层70和第一氧化硅层50的总厚度与第一膜层20的厚度相同；第二膜层30与第二氮化硅层80为同一膜层，且第二氮化硅层80和第二氧化硅层60的总厚度与第二膜层30的厚度相同。此时，对于周边区域B中第一膜层20和第二膜层30的总厚度，与显示区域A中第一氧化硅层50、第二氧化硅层60、第一氮化硅层70、第二氮化硅层80的总厚度相同，从而使得具有上述各膜层的显示基板的平坦程度好，有利于后续其他膜层的形成。
第二种，如图5所示，第一膜层20与第一氮化硅层70为同一膜层，且二者厚度相同，第二膜层30与第二氮化硅层80为同一膜层，且二者厚度相同。此时，第一膜层20和第一氮化硅层70经过一次构图工艺即可形成，第二膜层30和第二氮化硅层80经过一次构图工艺即可形成，进而使得显示基板的制作工艺较为简单，成本较低。
当然，本发明实施例中第一膜层20和第二膜层30的设置方式不局限于以上两种，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
可选地，如图4和图5所示，本发明实施例中的显示基板1的显示区域A内还设置有栅极金属层90、第一绝缘层100和源漏极金属层110。其中，第一氮化硅层70、第一氧化硅层50、多晶硅层40、第二氧化硅层60、第二氮化硅层80、栅极金属层90、第一绝缘层100、源漏极金属层110沿远离显示基板1的衬底基板方向依次设置。
继续参见图4和图5，栅极金属层90中设置有栅线和薄膜晶体管的栅极G，源漏极金属层110中设置有数据线、薄膜晶体管的源极S和漏极D，薄膜晶体管的源极S和漏极D分别通过贯穿第二氧化硅层60、第二氮化硅层80和第一绝缘层100的过孔与有源层41连接。为使薄膜晶体管的源极S和漏极D与有源层41之间的接触电阻较小，可以对有源层41的沟道区41a之外的区域进行高浓度掺杂，形成两个欧姆接触区41b，两个欧姆接触区41b分别与薄膜晶体管的源极S和漏极D连接。
显示区域A中设置有上述结构的显示基板1，适用于液晶显示面板、有机发光显示面板和微型发光二极管显示面板中。基于上述结构，本发明实施例中，压力传感器10的各输入端和各输出端可通过与栅极金属层或者源漏极金属层同一膜层制备的走线与集成电路电连接，可选地，如图4和图5所示，压力传感器10的各输入端和各输出端通过与源漏极金属层110同一膜层制备的走线111与集成电路电连接。
此外，显示基板1为液晶显示面板中的阵列基板时，本发明实施例中的显示基板1的显示区域A内还可以设置有相互绝缘的公共电极层和像素电极层。如图6所示，图6为本发明实施例提供的显示基板的显示区域的俯视图，公共电极层120设置有多个公共电极块121，多个公共电极块121可在触控阶段复用作触控电极，像素电极层130中设置有多个像素电极131，各像素电极131与上述薄膜晶体管的漏极D电连接，上述薄膜晶体管的源极S则与数据线1101电连接，上述薄膜晶体管的栅极G则与栅线901电连接显示时，像素电极131和公共电极块121之间形成多维电场，控制液晶分子偏转。需要说明的是，图6中仅以像素电极层130位于公共电极层120下方，公共电极121上设置有狭缝为例进行描述，当然，也可以使像素电极层130位于公共电极层120上方，此时则需要使像素电极131上有狭缝即可，本发明实施例对此不进行限定。
另外，本申请的发明人发现，压力传感器10所在膜层的厚度对压力传感器10的性能也会有影响，其中，压力传感器10所在膜层的厚度越薄，压力传感器10位置处越容易发生非弹性形变，压力传感器10的基线越容易发生漂移；压力传感器10所在膜层的厚度越厚，压力传感器10位置处越不容易发生非弹性形变，压力传感器10的基线越不容易发生漂移。因此，本发明实施例中选择压力传感器10的厚度大于现有技术中压力传感器的厚度，例如，现有技术中压力传感器的厚度为45nm，本发明实施例中压力传感器10的厚度为50～75nm。需要说明的是，显示区域A中的多晶硅层40的厚度可以与压力传感器10所在膜层的厚度相同，此时，二者可以经过一次构图工艺形成，简化显示基板1的制作方法和制作成本，也可以使多晶硅层40的厚度根据显示区域A中的薄膜晶体管对其包括的有源层的需求独立进行设置，以使薄膜晶体管的性能较好，本发明实施例对此不进行限定。
此外，如图7所示，图7为本发明实施例提供的压力传感器的结构示意图，压力传感器10为一整块半导体结构，每个压力传感器10均包括第一输入端I1、第二输入端I2、第一输出端O1和第二输出端O2，当压力传感器10的形状为矩形时，其相对设置的两边分别作为第一输入端I1和第二输入端I2，相对设置的另两边分别作为第一输出端O1和第二输出端O2。第一输入端I1和第二输入端I2用于向压力传感器10输入偏置电压信号；第一输出端O1和第二输出端O2用于从压力传感器10输出压感检测信号。进一步地，压力传感器10的形状可以为正方形。
当压力传感器10对施加在显示面板1上的压力进行检测时，在压力的作用下显示面板1发生形变，使得压力传感器10发生形变，进而使得第一输出端O1和第二输出端O2的输出信号发生变化，通过第一输出端O1和第二输出端O2的输出信号的大小即可计算得出施加在显示面板1上的压力的大小。
此外，如图1所示，显示面板1的周边区域B的相对设置的两侧内各均匀设置有4个压力传感器10。如图8所示，图8为本发明实施例提供的压力传感器的连接示意图，图8中所示的4个压力传感器分别表示为L1、L2、L3和L4，4个压力传感器10的第一输入端通过同一条走线(图8中表示为GND_L)与集成电路(图8中未示出)电连接，4个压力传感器10的第二输入端通过同一条走线(图8中表示为Pow_L)与集成电路电连接，4个压力传感器10的各输出端(即图8中L1a、L1b、L2a、L2b、L3a、L3b、L4a、L4b)均通过各自对应的走线与集成电路电连接。需要说明的是，本发明实施例中，显示面板1的周边区域B的相对设置的两侧内各均匀设置的压力传感器10的数量并不局限于4个，也可以是其他数量，如3个、5个等等。
本发明实施例还提供一种显示面板，显示面板包括以上任一项所述的显示基板。需要补充的是，本发明实施例中的显示面板1可以为液晶显示面板、有机发光显示面板或者微型发光二极管显示面板，本发明实施例对此不进行限定。
示例性地，显示面板1为液晶显示面板，该液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。阵列基板上设置有纵横交错的多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，薄膜晶体管的栅极与栅线电连接，源极与数据线电连接，漏极与像素电极电连接；彩膜基板包括网格状的黑矩阵，以及设置于黑矩阵开口内的阵列排布的多个色阻，色阻包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
示例性地，显示面板1为有机发光显示面板，有机发光显示面板包括阵列基板，阵列基板包括多个像素电路，有机发光显示面板还包括设置于阵列基板上的多个有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，每个有机发光二极管的阳极对应与阵列基板上的像素电路电连接，多个发光二极管包括用于发红光的发光二极管、用于发绿光的发光二极管和用于发蓝光的发光二极管。此外，有机发光显示面板还包括覆盖于多个有机发光二极管上的封装层。
示例性地，显示面板1为微型发光二极管显示面板，微型发光二极管显示面板包括阵列基板，阵列基板包括多个像素电路，微型发光二极管显示面板还包括设置于阵列基板上的多个微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Mic-LED)，每个微型发光二极管的阳极对应与阵列基板上的像素电路电连接，多个微型发光二极管包括用于发红光的微型发光二极管、用于发绿光的微型发光二极管和用于发蓝光的微型发光二极管。其中，微型发光二极管可以在生长基板上制作，后续通过转移的方式转移至阵列基板上。
本发明实施例还提供一种显示装置，如图9所示，图9为本发明实施例提供的显示装置的俯视图，显示装置包括以上所述的显示面板600。其中，当显示面板为液晶显示面板时，显示装置还包括背光模组，背光模组位于液晶显示面板包括的阵列基板远离彩膜基板的一侧，背光模组为显示面板提供光线。本申请实施例提供的显示装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，用以制作如图2所示的显示基板，具体地，如图10所示，图10为本发明实施例提供的显示基板的制作方法流程图，显示基板的制作方法包括：
步骤S1、将显示基板划分为显示区域和围绕显示区域的周边区域。
步骤S2、在周边区域内形成第一膜层。
步骤S3、在形成第一膜层的周边区域内，直接形成多个压力传感器，压力传感器的材质为多晶硅。上述“直接形成多个压力传感器”指的是“形成于第一膜层的上表面直接接触的多个压力传感器”。
步骤S4、在形成多个压力传感器的周边区域内，直接形成第二膜层。上述“直接形成第二膜层”指的是“形成于多个压力传感器的上表面直接接触的第二膜层”。
其中，第一膜层和第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量。
可选地，第一膜层和第二膜层的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量，使得第一膜层和第二膜层均难以压缩，能够更好地起到防止压力传感器的基线发生漂移的作用，提高压力传感器的检测精度的效果较佳。进一步地，由于氮化硅的杨氏模量高达220GPa，且现有技术的显示基板上也设置有氮化硅膜层，因此，本发明实施例中选择，第一膜层和第二膜层的材质均为氮化硅。
由于显示区域A内也设置有多种膜层，例如，如图4和图5所示，显示区域A内设置有多晶硅层40、第一氧化硅层50、第二氧化硅层60、第一氮化硅层70和第二氮化硅层80，其中，在垂直于显示基板的方向上，第一氮化硅层70、第一氧化硅层50、多晶硅层40、第二氧化硅层60和第二氮化硅层80依次紧邻设置。因此，为形成显示区域中的各膜层，本发明实施例中显示基板的制作方法还包括：
在显示区域内形成第一氮化硅层。
在形成第一氮化硅层的显示区域内，直接形成第一氧化硅层。
在形成第一氧化硅层的显示区域内，直接形成多晶硅层。
在形成多晶硅层的显示区域内，直接形成第二氧化硅层。
在形成第二氧化硅层的显示区域内，直接形成第二氮化硅层。
为了简化显示基板1的制作工艺且降低成本，本发明实施例中选择多晶硅层和多个压力传感器同时形成。
由以上所述可知，本发明实施例的显示基板的制作方法中既需要在周边区域内形成材质为氮化硅的第一膜层、材质为氮化硅的第二膜层，也需要在显示区域内形成第一氮化硅层以及第二氮化硅层，因此，为了简化显示基板的制作工艺，降低显示基板的成本，本发明实施例提供几种形成以上各膜层的具体方法：
第一种，如图11所示，图11为本发明实施例提供的显示基板的制作过程示意图一，在周边区域B内形成第一膜层20，在显示区域A内形成第一氮化硅层70具体包括：
在显示基板的周边区域B和显示区域A内同时形成一层氮化硅，其中，位于周边区域B内的氮化硅作为第一膜层20；
对位于显示区域A内的氮化硅进行刻蚀，直至氮化硅的厚度减小量为第一氧化硅层50的厚度，形成第一氮化硅层70。
如图11所示，在周边区域B内形成第一膜层20，在显示区域A内形成第一氮化硅层70后，先在显示区域A内形成第一氧化硅层50，然后在周边区域B内形成多个压力传感器10，以及在显示区域A内形成多晶硅层40，多晶硅层40包括与显示区域A中的薄膜晶体管对应的有源层41，有源层41包括沟道区41a和欧姆接触区41b，然后在显示区域A内形成第二氧化硅层60。
继续参见图11，在周边区域B内形成第二膜层30，在显示区域A内形成第二氮化硅层80具体包括：
在显示基板的周边区域B和显示区域A内同时形成一层氮化硅，其中，位于周边区域B内的氮化硅作为第二膜层30；
对位于显示区域A内的氮化硅进行刻蚀，直至氮化硅的厚度减小量为第二氧化硅层60的厚度，形成第二氮化硅层80。
此时，对于周边区域B中第一膜层20和第二膜层30的总厚度，与显示区域A中第一氧化硅层50、第二氧化硅层60、第一氮化硅层70、第二氮化硅层80的总厚度相同，从而使得具有上述各膜层的显示基板的平坦程度好，有利于后续其他膜层的形成。
第二种，如图12所示，图12为本发明实施例提供的显示基板的制作过程示意图二，在周边区域B内形成第一膜层20，在显示区域A内形成第一氮化硅层70具体包括：
在显示基板的周边区域B和显示区域A内同时形成一层氮化硅，其中，位于周边区域B内的氮化硅作为第一膜层20，位于显示区域A内的氮化硅作为第一氮化硅层70，第一膜层20和第一氮化硅层70的厚度相同。
如图12所示，在周边区域B内形成第一膜层20，在显示区域A内形成第一氮化硅层70后，先在显示区域A内形成第一氧化硅层50，然后在周边区域B内形成多个压力传感器10，以及在显示区域A内形成多晶硅层40，多晶硅层40包括与显示区域A中的薄膜晶体管对应的有源层41，有源层41包括沟道区41a和欧姆接触区41b，然后在显示区域A内形成第二氧化硅层60。
继续参见图12，在周边区域B内形成第二膜层30，在显示区域A内形成第二氮化硅层80具体包括：
在显示基板的周边区域B和显示区域A内同时形成一层氮化硅，其中，位于周边区域B内的氮化硅作为第二膜层30，位于显示区域A内的氮化硅作为第二氮化硅层80，第二膜层30和第二氮化硅层80的厚度相同。
此时，第一膜层20和第一氮化硅层70经过一次构图工艺即可形成，第二膜层30和第二氮化硅层80经过一次构图工艺即可形成，进而使得显示基板的制作工艺较为简单，成本较低。
当然，第一膜层、第二膜层，第一氮化硅层以及第二氮化硅层的制作方法不局限于以上所述，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
可选地，在形成第一膜层的周边区域内，直接形成多个压力传感器，压力传感器的材质为多晶硅具体包括：
在形成第一膜层的周边区域内，直接形成一层非晶硅；
对非晶硅进行激光晶化，形成材质为多晶硅的多个压力传感器。
进一步地，为使压力传感器具有更好的导电性，可以使压力传感器的材质为重掺杂的多晶硅，与之对应地，显示基板的制作方法还包括：在形成第二膜层之后，对材质为多晶硅的多个压力传感器进行重掺杂。
需要说明的是，之前关于显示基板中的各膜层的具体细节均适用于以上关于显示基板的制作方法中，此处不再进行赘述。
本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，其中，显示基板包括显示区域和围绕显示区域的周边区域，周边区域内设置有多个压力传感器，压力传感器的材质为多晶硅，在垂直于显示基板的方向上，压力传感器所在膜层下方直接设置有第一膜层，上方直接设置有第二膜层，由于现有技术中直接设置在压力传感器所在膜层上方和下方的膜层的材质均为氧化硅，而本发明实施例中第一膜层和第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量，使得与现有技术相比第一膜层和第二膜层中的至少一个膜层更难压缩，即其发生形变的难度更大，不易发生非弹性形变，进而使得当压力传感器所在位置无应力作用时，压力传感器不会发生形变，可以有效防止压力传感器的基线发生漂移，可以起到提高压力传感器检测压力的精度的作用。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示基板，包括在显示面板中，其特征在于，所述显示基板包括显示区域和围绕所述显示区域的周边区域，所述周边区域内设置有多个压力传感器，所述压力传感器用于检测施加在所述显示面板上的压力的大小，所述压力传感器的材质为多晶硅，在垂直于所述显示基板的方向上，所述压力传感器所在膜层下方直接设置有第一膜层，上方直接设置有第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量；
其中，所述第一膜层和所述第二膜层的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量；所述第一膜层和所述第二膜层的材质均为氮化硅；
所述显示区域内设置有多晶硅层、第一氧化硅层、第二氧化硅层、第一氮化硅层和第二氮化硅层，其中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层、所述多晶硅层、所述第二氧化硅层和所述第二氮化硅层依次紧邻设置；
所述压力传感器所在膜层和所述多晶硅层所在膜层为同一膜层；
所述第一膜层与所述第一氮化硅层为同一膜层；
所述第二膜层与所述第二氮化硅层为同一膜层。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层与所述第一氮化硅层厚度相同，所述第二膜层与所述第二氮化硅层厚度相同。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层的总厚度与所述第一膜层的厚度相同；所述第二氮化硅层和所述第二氧化硅层的总厚度与所述第二膜层的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述压力传感器的厚度为50～75nm。
5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～4任一项所述的显示基板。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的显示面板。
7.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括在显示面板中，其特征在于，包括：
将所述显示基板划分为显示区域和围绕所述显示区域的周边区域；
在所述周边区域内形成第一膜层；
在形成所述第一膜层的所述周边区域内，直接形成多个压力传感器，所述压力传感器用于检测施加在所述显示面板上的压力的大小，所述压力传感器的材质为多晶硅；
在形成多个所述压力传感器的所述周边区域内，直接形成第二膜层；
其中，所述第一膜层和所述第二膜层中的至少一个膜层的杨氏模量大于氧化硅的杨氏模量；
其中，所述第一膜层和所述第二膜层的杨氏模量均大于氧化硅的杨氏模量；所述第一膜层和所述第二膜层的材质均为氮化硅；
所述显示基板的制作方法还包括：
在所述显示区域内形成第一氮化硅层；
在形成所述第一氮化硅层的所述显示区域内，直接形成第一氧化硅层；
在形成所述第一氧化硅层的所述显示区域内，直接形成多晶硅层；
在形成所述多晶硅层的所述显示区域内，直接形成第二氧化硅层；
在形成所述第二氧化硅层的所述显示区域内，直接形成第二氮化硅层；
其中，所述多晶硅层和多个所述压力传感器同时形成；
在所述周边区域内形成第一膜层，在所述显示区域内形成第一氮化硅层具体包括：
在所述显示基板的所述周边区域和所述显示区域内同时形成一层氮化硅，其中，位于所述周边区域内的氮化硅作为所述第一膜层，位于所述显示区域内的氮化硅作为所述第一氮化硅层，所述第一膜层和所述第一氮化硅层的厚度相同，或者，对位于所述显示区域内的氮化硅进行刻蚀，直至氮化硅的厚度减小量为所述第一氧化硅层的厚度，形成所述第一氮化硅层；
在所述周边区域内形成第二膜层，在所述显示区域内形成第二氮化硅层具体包括：
在所述显示基板的所述周边区域和所述显示区域内同时形成一层氮化硅，其中，位于所述周边区域内的氮化硅作为所述第二膜层，位于所述显示区域内的氮化硅作为所述第二氮化硅层，所述第二膜层和所述第二氮化硅层的厚度相同，或者，对位于所述显示区域内的氮化硅进行刻蚀，直至氮化硅的厚度减小量为所述第二氧化硅层的厚度，形成所述第二氮化硅层。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，在形成了所述第一膜层的所述周边区域内，直接形成多个压力传感器，所述压力传感器的材质为多晶硅具体包括：
在形成所述第一膜层的所述周边区域内，直接形成一层非晶硅；
对非晶硅进行激光晶化，形成材质为多晶硅的多个所述压力传感器。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二膜层之后，对材质为多晶硅的多个所述压力传感器进行重掺杂。
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