CN107092384A - 透明层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置 - Google Patents

透明层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种透明层叠体、具有所述透明层叠体的静电电容型输入装置、及具备所述静电电容型输入装置作为构成单元的图像显示装置。本发明的透明层叠体在面内含有依序层叠有以下构件的区域：透明基板、折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第一透明膜、透明电极图案、及折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第二透明膜。本发明的透明层叠体不存在看到透明电极图案的问题。

Description

透明层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置
技术领域
本发明涉及一种透明层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置。详细而言，本发明涉及一种能以静电电容的变化的形式来探测手指的接触位置的静电电容型输入装置及可用于其中的透明层叠体、以及具备所述静电电容型输入装置作为构成单元的图像显示装置。
背景技术
在移动电话、汽车导航(carnavigation)、个人计算机(personal computer)、售票机、银行的终端等电子设备中，近年来有时在液晶装置等的表面配置有输入板(tablet)型的输入装置，一面参照液晶装置的图像显示区域中显示的指示图像，一面使手指或触控笔(touch pen)等与显示所述指示图像的部位接触，由此可进行与指示图像对应的信息的输入。
此种输入装置(触摸屏)中有电阻膜型、静电电容型等。然而，电阻膜型的输入装置由于为以膜与玻璃的两片构造将膜下压而使其短路(short)的构造，故有动作温度范围狭窄、或随时间变化减弱的缺点。
相对于此，静电电容型的输入装置有以下优点：只要仅在一片基板上形成透光性导电膜即可。所述静电电容型的输入装置中，例如有以下类型的输入装置：在相互交叉的方向上使电极图案延伸，当手指等接触时，检测电极间的静电电容变化而探测输入位置(例如参照下述专利文献1～专利文献3)。
在使用这些静电电容型输入装置时，例如有以下视认性的问题：在光源反射眩光(reflected glare)时的稍许偏离正反射附近的位置，透明电极图案醒目，美观性欠佳等。相对于此，在专利文献1中记载有：在基板上形成氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)图案，仅在ITO图案的上侧交替层叠包含二氧化硅(SiO2)等低折射率介电材料的层、与包含五氧化二铌(Nb2O5)等高折射率介电材料的层，由此利用所述各层的光干涉效果，将透明电极图案隐蔽(stealth)，成为无色(neutral)的色调。
在专利文献2中记载有：在在基板上形成ITO图案之前，仅在ITO图案的下侧层叠SiO2等的低折射率层与Nb2O5等的高折射率层后形成ITO图案，由此可防止透明电极图案形状的显现。
在专利文献3中记载有：在在基板上形成ITO图案之前，仅在ITO图案的下侧层叠SiO2等的低折射率层与Nb2O5等的高折射率层后形成ITO图案，由此可使透明电极图案或图案彼此的交叉部不醒目。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2010-86684号公报
专利文献2：日本专利特开2010-152809号公报
专利文献3：日本专利特开2010-257492号公报
发明内容
发明要解决的课题
相对于此，本发明人等人对这些专利文献1～专利文献3中记载的层构成进行了研究，结果得知，看到了透明电极图案，依然无法完全解决看到透明电极图案的问题。
本发明所欲解决的课题在于提供一种不存在看到透明电极图案的问题的透明层叠体。
解决问题的技术手段
本发明人等人发现，通过设定为使用两片特定的折射率及膜厚的透明膜来夹持透明电极图案的构成，可解决看到透明电极图案的问题。
作为用以解决上述课题的具体手段的本发明如下。
[1]一种透明层叠体，在面内含有依序层叠有下述构件的区域：透明基板、折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第一透明膜、透明电极图案、及折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第二透明膜。
[2]如[1]所记载的透明层叠体，优选为利用第一透明膜及第二透明膜将透明电极图案及未形成透明电极图案的非图案区域两者连续地直接被覆、或介隔其他层而被覆。
[3]如[1]或[2]所记载的透明层叠体，优选为第一透明膜及透明电极图案相互邻接。
[4]如[1]至[3]中任一项所记载的透明层叠体，优选为透明电极图案及第二透明膜相互邻接。
[5]如[1]至[4]中任一项所记载的透明层叠体，优选为在面内含有下述区域：在未形成透明电极图案的非图案区域的至少一部分上，依序层叠有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的区域。
[6]如[5]所记载的透明层叠体，优选为在依序层叠有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的区域中，第一透明膜及第二透明膜相互邻接。
[7]如[1]至[6]中任一项所记载的透明层叠体，优选为在第二透明膜的与形成有透明电极图案的表面为相反侧的表面上，还形成有折射率为1.5～1.55的透明保护膜。
[8]如[1]至[7]中任一项所记载的透明层叠体，优选为第一透明膜与第二透明膜是由相同的材料所构成。
[9]如[1]至[8]中任一项所记载的透明层叠体，优选为透明基板是折射率为1.5～1.55的玻璃基板。
[10]如[1]至[9]中任一项所记载的透明层叠体，优选为透明电极图案是折射率为1.75～2.1的ITO膜。
[11]如[1]至[10]中任一项所记载的透明层叠体，优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个为透明树脂膜。
[12]如[11]所记载的透明层叠体，优选为透明树脂膜含有二氧化锆(ZrO2)粒子及二氧化钛(TiO2)粒子中的至少一个。
[13]如[1]至[12]中任一项所记载的透明层叠体，优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个是将形成于暂时支撑体上的透明硬化性树脂膜转印至透明基板上制膜而成。
[14]如[1]至[12]中任一项所记载的透明层叠体，优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个是利用溅镀所形成。
[15]如[1]至[10]中任一项所记载的透明层叠体，优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个为利用溅镀所形成的SiO2与Nb2O5的混合膜。
[16]如[1]至[15]中任一项所记载的透明层叠体，优选为透明电极图案的端部具有30°以下的锥形状。
[17]如[1]至[16]中任一项所记载的透明层叠体，优选为在透明基板及第一透明膜之间含有折射率为1.5～1.52的第三透明膜。
[18]一种静电电容型输入装置，其具有如[1]至[17]中任一项所记载的透明层叠体。
[19]一种图像显示装置，其具备如[18]所记载的静电电容型输入装置作为构成单元。
发明的效果
根据本发明，可提供一种不存在看到透明电极图案的问题的透明层叠体。
附图说明
图1A为表示本发明的静电电容型输入装置的构成的一例的剖面概略图。
图1B为表示本发明的静电电容型输入装置的构成的另一例的剖面概略图。
图2为表示本发明的前面板的一例的说明图。
图3为表示本发明的透明电极图案与非图案区域的关系的一例的说明图。
图4为表示形成有开口部的强化处理玻璃的一例的俯视图。
图5为形成有掩膜层的前面板的一例的俯视图。
图6为表示形成有第一透明电极图案的前面板的一例的俯视图。
图7为表示形成有第一透明电极图案及第二透明电极图案的前面板的一例的俯视图。
图8为表示形成有与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元的前面板的一例的俯视图。
图9为表示金属纳米线剖面的说明图。
图10为表示透明电极图案的端部的锥形状的一例的说明图。
图11为表示本发明的透明层叠体的构成的一例的剖面概略图。
[符号的说明]
1：透明基板(前面板)
2：掩膜层
3：透明电极图案(第一透明电极图案)
3a：垫部分
3b：连接部分
4：透明电极图案(第二透明电极图案)
5：绝缘层
6：导电性单元
7：透明保护层
8：开口部
10：静电电容型输入装置
11：第一透明膜(强化处理玻璃)
12：第二透明膜
13：透明层叠体
21：依序层叠有透明基板、折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第一透明膜、透明电极图案、及折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第二透明膜的区域
22：非图案区域
α：锥角
具体实施方式
以下，对本发明的透明层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置加以说明。以下记载的构成要件的说明有时是根据本发明的具代表性的实施方式或具体例来进行，但本发明不限定于此种实施方式或具体例。再者，本说明书中使用“～”所表示的数值范围，是指包含“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。
[透明层叠体]
本发明的透明层叠体在面内含有依序层叠有下述构件的区域：透明基板、折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第一透明膜、透明电极图案、及折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第二透明膜。
通过设定为此种构成，可消除看到透明电极图案的问题，故可获得美观性佳的透明层叠体。
<透明层叠体的构成>
在图11中示出本发明的透明层叠体的构成的一例。
在图11中，在面内含有依序层叠有透明基板1、折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第一透明膜11、透明电极图案4、及折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第二透明膜12的区域21。
所谓面内是指相对于与透明层叠体的透明基板平行的面而大致平行的方向。所谓在面内含有依序层叠有透明基板、第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的区域，是指关于依序层叠有透明基板、第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的区域的向与透明层叠体的透明基板平行的面的正射影存在于与透明层叠体的透明基板平行的面内。
此处，当将本发明的透明层叠体用于后述的静电电容型输入装置中的情形时，有时透明电极图案是在列方向与行方向的大致正交的2个方向上分别作为第一透明电极图案及第二透明电极图案而设置(例如参照图3)。例如在图3的构成中，本发明的透明层叠体中的透明电极图案可为第二透明电极图案4，也可为第一透明电极图案3的垫(pad)部分3a。换句话说，在以下的本发明的透明层叠体的说明中，有时以“4”来代表性地表示透明电极图案的符号，但本发明的透明层叠体中的透明电极图案不限定于用于本发明的静电电容型输入装置中的第二透明电极图案4，例如也可用作第一透明电极图案3的垫部分3a。
本发明的透明层叠体优选为含有未形成透明电极图案的非图案区域。本说明书中，所谓非图案区域是指未形成透明电极图案4的区域。
在图11中，示出本发明的透明层叠体含有非图案区域22的实施方式。
本发明的透明层叠体优选为在面内含有以下区域：在未形成透明电极图案的非图案区域22至少一部上，依序层叠有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的区域。
本发明的透明层叠体优选为在依序层叠有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的区域中，第一透明膜及第二透明膜相互邻接。
然而，在非图案区域22的其他区域中，只要不违背本发明的主旨，则也可将其他构件配置于任意位置，例如当将本发明的透明层叠体用于后述的静电电容型输入装置中的情形时，可层叠图1A中的掩膜层2或者绝缘层5或导电性单元6等。
本发明的透明层叠体优选为透明基板及第一透明膜相互邻接。
在图11中，示出在透明基板1上邻接而层叠有第一透明膜11的实施方式。
然而，只要不违背本发明的主旨，则也可在透明基板及第一透明膜之间层叠有第三透明膜。例如，就不易看到透明电极图案的观点而言，本发明的透明层叠体优选为在透明基板及第一透明膜之间含有折射率为1.5～1.52的第三透明膜(图11中未图示)。
就不易看到透明电极图案的观点而言，本发明的透明层叠体的第一透明膜的厚度为55nm～110nm，优选为60nm～110nm，更优选为70nm～90nm。
此处，第一透明膜可为单层构造，也可为2层以上的层叠构造。当第一透明膜为2层以上的层叠构造的情形时，所谓第一透明膜的膜厚是指所有层的合计膜厚。
就不易看到透明电极图案的观点而言，本发明的透明层叠体优选为第一透明膜及透明电极图案相互邻接。
在图11中，示出在第一透明膜11的一部分区域上邻接而层叠有透明电极图案4的实施方式。
如图11所示，透明电极图案4的端部的形状并无特别限制，也可具有锥形状，例如也可具有透明基板侧的面较与透明基板相反侧的面更广那样的锥形状。
此处，就不易看到透明电极图案的观点而言，透明电极图案的端部为锥形状时的透明电极图案的端部的角度(以下也称为锥角)优选为30°以下，更优选为0.1°～15°，特别优选为0.5°～5°。
关于本说明书中的锥角的测定方法，可拍摄透明电极图案的端部的显微镜照片，对所述显微镜照片的锥部分作近似三角形，直接测定锥角而求出角度。
在图10中示出透明电极图案的端部为锥形状的情形的一例。图10中的锥部分的近似三角形的底面为800nm，高度(与底面大致平行的上底部分的膜厚)为40nm，此时的锥角α为约3°。就不易看到透明电极图案的观点而言，锥部分的近似三角形的底面优选为10nm～3000nm，更优选为100nm～1500nm，特别优选为300nm～1000nm。再者，锥部分的近似三角形的高度的优选范围与透明电极图案的膜厚的优选范围相同。
本发明的透明层叠体优选为在面内含有透明电极图案及第二透明膜相互邻接的区域。
在图11中示出以下实施方式：在依序层叠有透明基板、第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的区域21中，透明电极图案及第二透明膜相互邻接。
另外，本发明的透明层叠体优选为利用第一透明膜及第二透明膜将透明电极图案及未形成透明电极图案的非图案区域22两者连续地直接被覆、或介隔其他层而被覆。
此处，所谓“连续地”是指第一透明膜及第二透明膜并非图案膜而为连续膜。即，就不易看到透明电极图案的观点而言，第一透明膜及第二透明膜优选为不具有开口部。
另外，相较于利用第一透明膜及第二透明膜介隔其他层将透明电极图案及非图案区域22被覆的情况，更优选为利用第一透明膜及第二透明膜将透明电极图案及非图案区域22直接被覆。介隔其他层而被覆的情形时的所述“其他层”可列举：后述的本发明的静电电容型输入装置中所含的绝缘层5，或像后述的本发明的静电电容型输入装置那样含有2层以上的透明电极图案的情形时，上述“其他层”可列举第2层的透明电极图案等。
在图11中示出以下实施方式：横跨第一透明膜11上的未层叠透明电极图案4的区域与透明电极图案4之上，与两者分别邻接而层叠有第二透明膜12。
另外，当透明电极图案4的端部为锥形状的情形时，优选为第二透明膜12是沿着锥形状(以与锥角相同的倾斜度)而层叠。
就不易看到透明电极图案的观点而言，本发明的透明层叠体的第二透明膜的厚度为55nm～110nm，优选为60nm～110nm，更优选为70nm～90nm。
此处，第二透明膜可为单层构造，也可为2层以上的层叠构造。当第二透明膜为2层以上的层叠构造的情形时，所谓第二透明膜的膜厚是指所有层的合计膜厚。
本发明的透明层叠体优选为在第二透明膜的与形成有透明电极图案的表面为相反侧的表面上，还形成有折射率为1.5～1.55的透明保护膜。再者，透明保护膜7优选为也形成于非图案区域的第二透明膜的表面上。
在图11中示出以下实施方式：在第二透明膜12的与形成有透明电极图案的表面为相反侧的表面上，层叠有透明保护膜7。
本发明的透明层叠体优选为透明保护膜的厚度为0.1μm～10μm，更优选为0.5μm～5μm，特别优选为1μm～3μm。
<透明层叠体的材料>
(透明基板)
就不易看到透明电极图案的观点而言，本发明的透明层叠体优选为透明基板是折射率为1.5～1.55的玻璃基板。透明基板的折射率特别优选为1.5～1.52。
透明基板包含玻璃基板等透光性基板，可使用康宁(Coming)公司的高丽拉玻璃(Gorilla glass)所代表的强化玻璃等。另外，透明基板可优选地使用日本专利特开2010-86684号公报、日本专利特开2010-152809号公报及日本专利特开2010-257492号公报中所用的材料，将这些文献的内容并入至本说明书中。
(第一透明膜)
就不易看到透明电极图案的观点而言，本发明的透明层叠体的第一透明膜的折射率为1.6～1.78，优选为1.65～1.74。此处，第一透明膜可为单层构造，也可为2层以上的层叠构造。当第一透明膜为2层以上的层叠构造的情形时，所谓第一透明膜的折射率是指所有层的折射率。
只要满足此种折射率的范围，则第一透明膜的材料并无特别限制。
(1)透明树脂膜
本发明的透明层叠体优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个为透明树脂膜。
控制透明树脂膜的折射率的方法并无特别限制，可单独使用所需折射率的透明树脂膜，或使用添加有金属微粒子或金属氧化物微粒子等微粒子的透明树脂膜。
以调节折射率或光透射性为目的，透明树脂膜中所用的树脂组合物优选为含有金属氧化物粒子。金属氧化物粒子由于透明性高、具有光透射性，故可获得高折射率且透明性优异的正型感光性树脂组合物。
金属氧化物粒子优选为折射率高于包含除了所述粒子以外的材料的树脂组合物的折射率，具体而言，更优选为具有400nm～750nm的波长的光的折射率为1.50以上的粒子，进而优选为折射率为1.70以上的粒子，特别优选为折射率为1.90以上的粒子。
此处，所谓具有400nm～750nm的波长的光的折射率为1.50以上是指具有上述范围的波长的光的平均折射率为1.50以上，无需使具有上述范围的波长的所有光的折射率为1.50以上。另外，平均折射率为将对具有上述范围的波长的各光的折射率的测定值的总和除以测定点的个数所得的值。
再者，金属氧化物粒子的金属中，也包含硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)等半金属。
作为光透射性且折射率高的金属氧化物粒子优选为含有铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、镱(Yb)、镥(Lu)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铌(Nb)、铝(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、硼(B)、铝(A1)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、锑(Sb)、铋(Bi)、碲(Te)等原子的氧化物粒子，更优选为氧化钛、钛复合氧化物、氧化锌、氧化锆、铟/锡氧化物、锑/锡氧化物，进而优选为氧化钛、钛复合氧化物、氧化锆，特别优选为氧化钛、氧化锆。二氧化钛优选为折射率特别高的金红石(rutile)型。这些金属氧化物粒子也可利用有机材料对表面进行处理以赋予分散稳定性。
就树脂组合物的透明性的观点而言，金属氧化物粒子的平均一次粒径优选为1nm～200nm，特别优选为3nm～80nm。此处，粒子的平均一次粒径是指利用电子显微镜对任意200个粒子的粒径进行测定所得的算术平均值。另外，当粒子的形状并非球形的情形时，将最长边作为粒径。
另外，金属氧化物粒子可单独使用一种，也可并用两种以上。
树脂组合物中的金属氧化物粒子的含量只要考虑利用树脂组合物所得的光学构件所要求的折射率、或光透射性等来适当决定即可，相对于树脂组合物的所有固体成分，优选为设定为5质量％～80质量％，更优选为设定为10质量％～70质量％。
就将折射率控制于第一透明膜及第二透明膜的折射率的范围内的观点而言，本发明的透明层叠体优选为透明树脂膜含有ZrO2粒子及TiO2粒子中的至少一个。
透明树脂膜中所用的树脂(粘合剂)或其他添加剂只要不违背本发明的主旨，则并无特别限制，可优选地使用制造后述的本发明的静电电容型输入装置时所用的感光性膜的感光性树脂层中所用的树脂或其他添加剂。
(2)无机膜
本发明的透明层叠体中，第一透明膜及第二透明膜也可为无机膜。
无机膜可使用日本专利特开2010-86684号公报、日本专利特开2010-152809号公报及日本专利特开2010-257492号公报等中所用的无机膜，就控制折射率的观点而言，优选为使用这些文献中记载的低折射率材料与高折射率材料的层叠构造的无机膜、或低折射率材料与高折射率材料的混合膜的无机膜。低折射率材料与高折射率材料可优选地使用上述日本专利特开2010-86684号公报、日本专利特开2010-152809号公报及日本专利特开2010-257492号公报中所用的材料，将这些文献的内容并入至本说明书中。
本发明的透明层叠体优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个为SiO2与Nb2O5的混合膜，更优选为利用溅镀所形成的SiO2与Nb2O5的混合膜。
(透明电极图案)
透明电极图案的折射率优选为1.75～2.1。
透明电极图案的材料并无特别限制，可使用公知的材料。例如可利用氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)等透光性的导电性金属氧化膜来制作。此种金属膜可列举：ITO膜；铝(A1)、锌(Zn)、铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)等的金属膜；SiO2等的金属氧化膜等。此时，可将各单元的膜厚设定为10nm～200nm。另外，利用煅烧使非晶的ITO膜成为多晶的ITO膜，故也可降低电阻。另外，第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及后述的导电性单元6也可使用感光性膜来制造，上述感光性膜具有使用导电性纤维的光硬化性树脂层。此外，当利用ITO等来形成第一导电性图案等的情形时，可参考日本专利第4506785号公报的段落[0014]～段落[0016]等。其中，透明电极图案也优选为ITO膜。
本发明的透明层叠体优选为透明电极图案是折射率为1.75～2.1的ITO膜。
(第二透明膜)
本发明的透明层叠体中，第二透明膜的折射率为1.6～1.78。
第二透明膜的材料的优选范围及折射率等物性的优选范围与第一透明膜的这些优选范围相同。
就光学均质性的观点而言，本发明的透明层叠体优选为第一透明膜与第二透明膜是利用相同的材料所构成。
(透明保护膜)
透明保护膜的折射率优选为1.5～1.55，更优选为1.5～1.52。
透明保护膜的材料优选为表面硬度、耐热性高的材料，可使用公知的感光性硅氧烷树脂材料、丙烯酸系树脂材料等。
(第三透明膜)
就接近透明基板的折射率、改善透明电极图案的视认性的观点而言，第三透明膜的折射率优选为1.5～1.55，更优选为1.5～1.52。
<透明层叠体的制造方法>
(第一透明膜及第二透明膜的制膜)
第一透明膜是在透明电极上直接制膜，或介隔第三透明膜等其他层而制膜。
第二透明膜是在透明电极图案上及非图案区域中的第一透明膜上直接制膜，或介隔其他层而制膜。
第一透明膜及第二透明膜的制膜方法并无特别限制，优选为利用转印或溅镀来制膜。
其中，本发明的透明层叠体中，优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个是将形成于暂时支撑体上的透明硬化性树脂膜转印至透明基板上制膜而成，更优选为在转印后进行硬化而制膜而成。转印及硬化的方法可列举：后述的本发明的静电电容型输入装置的说明中的使用感光性膜的方法。在所述情形时，优选为通过使金属氧化物微粒子分散于感光性膜中的光硬化性树脂层中，而将折射率调整至第一透明膜及第二透明膜的范围内。
另一方面，当第一透明膜或第二透明膜为无机膜的情形时，优选为利用溅镀所形成。即，本发明的透明层叠体也优选为第一透明膜及第二透明膜的至少一个是利用溅镀所形成。
溅镀的方法可优选地使用日本专利特开2010-86684号公报、日本专利特开2010-152809 号公报及日本专利特开2010-257492号公报中所用的方法，将这些文献的内容并入至本说明书中。
(透明电极图案的制膜)
透明电极图案可使用后述的本发明的静电电容型输入装置的说明中的第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及其他导电性单元6的形成方法等，在第一透明膜上制膜，优选为使用感光性膜的方法。
[静电电容型输入装置]
本发明的静电电容型输入装置具有本发明的透明层叠体。
本发明的静电电容型输入装置含有：透明基板(以下，将本发明的透明层叠体中的透明基板也称为前面板或基材)、折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第一透明膜、透明电极图案、及折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm的第二透明膜。
进而，静电电容型输入装置优选为在前面板的非接触侧具有下述(1)～(5)的单元。
本发明的静电电容型输入装置的制造方法并无限制，优选为使用依序具有暂时支撑体及光硬化性树脂层的感光性膜来形成(1)～(5)的单元的至少一个，更优选为使用依序具有暂时支撑体、热塑性树脂层及光硬化性树脂层的感光性膜来形成(1)～(5)的单元的至少一个。
(1)掩膜层
(2)多个垫部分经由连接部分在第一方向上延伸而形成的多个第一透明电极图案
(3)与第一透明电极图案电性绝缘、包含在与第一方向交叉的方向上延伸而形成的多个垫部分的多个第二透明电极图案
(4)将第一透明电极图案与第二透明电极图案加以电性绝缘的绝缘层
(5)与第一透明电极图案及第二透明电极图案的至少一个电性连接、且与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元
本发明的静电电容型输入装置更优选为以覆盖(1)～(5)的单元全部或一部分的形式设置透明保护层，更优选为透明保护层为本发明的透明层叠体中的透明保护层。
另外，进而视需要也可在掩膜层与透明基板(前面板)之间具有装饰层以进行装饰，例如优选为设置白色的装饰层。
本发明的静电电容型输入装置即便为含有此种多种构件的情形，也可使由第一透明膜及第二透明膜所夹持的透明电极图案不醒目，可改善视认性的问题。
《静电电容型输入装置的构成与制造方法》
<构成>
首先，对本发明的静电电容型输入装置的优选构成与构成装置的各构件的制造方法一并加以说明。图1A为表示本发明的静电电容型输入装置的优选构成的剖面图。在图1A中示出以下实施方式：静电电容型输入装置10包含透明基板(前面板)1、掩膜层2、第一透明膜11、第一透明电极图案3、第二透明电极图案4、绝缘层5、导电性单元6、第二透明膜12及透明保护层7。
另外，表示后述的图3中的X-X′剖面的图1B也同样为表示本发明的静电电容型输入装置的优选构成的剖面图。在图1B中示出以下实施方式：静电电容型输入装置10包含透明基板(前面板)1、第一透明膜11、第一透明电极图案3、第二透明电极图案4、第二透明膜12及透明保护层7。
透明基板(前面板)1可使用作为本发明的透明层叠体中的透明电极图案的材料而列举的材料。另外，在图1A中，将前面板1的设有各单元的一侧称为非接触面。在本发明的静电电容型输入装置10中，使手指等接触前面板1的接触面(非接触面的相反面)等而进行输入。
另外，在前面板1的非接触面上设有掩膜层2。掩膜层2为形成于触摸屏前面板的非接触侧的显示区域周围的边缘状的图案，是为了看不到拖曳配线(drag-about wiring)等而形成。
在本发明的静电电容型输入装置10中，如图2所示，以覆盖前面板1的一部分区域(在图2中为输入面以外的区域)的方式设有掩膜层2。进而，在前面板1中，可如图2所示在一部分中设置开口部8。在开口部8中，可设置通过按压来进行操作的机械开关。
在前面板1的接触面上形成有以下构件：多个垫部分经由连接部分在第一方向上延伸而形成的多个第一透明电极图案3；与第一透明电极图案3电性绝缘、且包含在与第一方向交叉的方向上延伸而形成的多个垫部分的多个第二透明电极图案4；以及将第一透明电极图案3与第二透明电极图案4加以电性绝缘的绝缘层5。第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及后述的导电性单元6可使用作为本发明的透明层叠体中的透明电极图案的材料而列举的材料，优选为ITO膜。
另外，第一透明电极图案3及第二透明电极图案4的至少一个可横跨前面板1的非接触面及掩膜层2的与前面板1为相反侧的面两者的区域而设置。在图1A中示出以下的图：横跨前面板1的非接触面及掩膜层2的与前面板1为相反侧的面两者的区域而设有第二透明电极图案。如此，即便为横跨需要一定厚度的掩膜层与前面板背面来层叠感光性膜的情形，通过使用后述的具有特定的层构成的感光性膜，即便不使用真空层叠机等昂贵的设备，也可利用简单的步骤在掩膜部分边界进行不产生泡的层叠。
使用图3对第一透明电极图案3及第二透明电极图案4加以说明。图3为表示本发明的第一透明电极图案及第二透明电极图案的一例的说明图。如图3所示，第一透明电极图案3是垫部分3a经由连接部分3b在第一方向上延伸而形成。另外，第二透明电极图案4是利用绝缘层5而与第一透明电极图案3电性绝缘，且是利用在与第一方向交叉的方向(图3中的第二方向)上延伸而形成的多个垫部分所构成。此处，当形成第一透明电极图案3的情形时，可一体地制作垫部分3a与连接部分3b，也可仅制作连接部分3b，且一体地制作垫部分3a与第二透明电极图案4(图案化)。当一体地制作垫部分3a与第二透明电极图案4(图案化)的情形时，如图3所示，将连接部分3b的一部分与垫部分3a的一部分连结，且以利用绝缘层5将第一透明电极图案3与第二透明电极图案4加以电性绝缘的方式形成各层。
另外，图3中的未形成第一透明电极图案3、第二透明电极图案4或后述的导电性单元6的区域相当于本发明的透明层叠体中的非图案区域22。
在图1A中，在掩膜层2的与前面板1为相反侧的面侧设有导电性单元6。导电性单元6为电性连接于第一透明电极图案3及第二透明电极图案4的至少一个、且与第一透明电极图案3及第二透明电极图案4不同的单元。在图1A中，示出将导电性单元6连接于第二透明电极图案4的图。
另外，在图1A中，以覆盖各构成单元全部的方式设有透明保护层7。透明保护层7也能以覆盖各构成单元的仅一部分的方式构成。绝缘层5与透明保护层7可为相同的材料，也可为不同的材料。构成绝缘层5与透明保护层7的材料可优选地使用作为本发明的透明层叠体中的透明保护层的材料而列举的材料。
<制造方法>
在本发明的制造方法中，优选为掩膜层2、第一透明电极图案3、第二透明电极图案4、绝缘层5、导电性单元6及视需要的透明保护层7的至少一个单元是使用感光性膜(以下也称为感光性转印材料)来形成，上述感光性膜依序具有暂时支撑体及光硬化性树脂层。
掩膜层2、绝缘层5及透明保护层7可通过使用感光性膜将光硬化性树脂层转印至前面板1上而形成。例如当形成黑色的掩膜层2的情形时，可通过以下方式来形成：使用具有黑色光硬化性树脂层作为光硬化性树脂层的感光性膜，将黑色光硬化性树脂层转印至前面板1的表面上。当形成绝缘层5的情形时，可通过以下方式来形成：使用具有绝缘性的光硬化性树脂层作为光硬化性树脂层的感光性膜，将光硬化性树脂层转印至形成有第一透明电极图案的前面板1的表面上。当形成透明保护层7的情形时，可通过以下方式来形成：使用具有透明的光硬化性树脂层作为光硬化性树脂层的感光性膜，将光硬化性树脂层转印至形成有各单元的前面板1的表面上。
若使用感光性膜来形成掩膜层2等，则即便为具有开口部的基板(前面板)，也不会自开口部分漏出阻剂成分，尤其不会在掩膜层(所述掩膜层必须将遮光图案最大限度地形成至前面板的边界为止)中自玻璃端渗出阻剂成分，故不会污染基板背侧，可利用简便的步骤来制造具有薄层/轻量化的优点(merit)的触摸屏。
进而，当形成需要遮光性的掩膜层2时，通过使用在光硬化性树脂层与暂时支撑体之间具有热塑性树脂层的具有特定的层构成的感光性膜，可防止感光性膜层叠时的气泡产生，形成并无漏光的高品质的掩膜层2等。
第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及导电性单元6可使用蚀刻处理或具有导电性光硬化性树脂层的感光性膜来形成。
当利用蚀刻处理来形成第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及其他导电性单元6的情形时，首先在形成有掩膜层2等的前面板1的非接触面上，利用溅镀来形成ITO等的透明电极层。继而，在透明电极层上使用具有蚀刻用光硬化性树脂层作为光硬化性树脂层的感光性膜，利用曝光、显影来形成蚀刻图案。其后，对透明电极层进行蚀刻而将透明电极图案化，去除蚀刻图案，由此可形成第一透明电极图案3等。
当使用具有导电性光硬化性树脂层的感光性膜来形成第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及其他导电性单元6的情形时，可通过将导电性光硬化性树脂层转印至前面板1的表面上而形成。
若使用具有导电性光硬化性树脂层的感光性膜来形成第一透明电极图案3等，则即便为具有开口部的基板(前面板)，也不会自开口部分漏出阻剂成分，不会污染基板背侧，可利用简便的步骤来制造具有薄层/轻量化的优点的触摸屏。
进而，当形成第一透明电极图案3等时，通过使用在导电性光硬化性树脂层与暂时支撑体之间具有热塑性树脂层的具有特定的层构成的感光性膜，可防止感光性膜层叠时的气泡产生，形成导电性优异且电阻小的第一透明电极图案3、第二透明电极图案4及其他导电性单元6。
在制造本发明的静电电容型输入装置的过程中所形成的形态例可列举图4～图8的形态。图4为表示形成有开口部8的强化处理玻璃11的一例的俯视图。图5为表示形成有掩膜层2 的前面板的一例的俯视图。图6为表示形成有第一透明电极图案3的前面板的一例的俯视图。图7为表示形成有第一透明电极图案3及第二透明电极图案4的前面板的一例的俯视图。图8为表示形成有与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的其他导电性单元6的前面板的一例的俯视图。这些图表示上述说明的具体例，本发明的范围不受这些附图的限定性解释。
《使用感光性膜的各构件的制造方法》
继而，对制造本发明的静电电容型输入装置时可优选地使用的感光性膜加以说明。感光性膜优选为具有暂时支撑体及光硬化性树脂层，且在暂时支撑体与光硬化性树脂层之间具有热塑性树脂层。若使用具有热塑性树脂层的感光性膜来形成掩膜层等，则转印光硬化性树脂层所形成的单元中不易产生气泡，图像显示装置中不易产生图像不均等，可获得优异的显示特性。
感光性膜可为负型材料，也可为正型材料。
<暂时支撑体>
暂时支撑体可使用具有可挠性，且在加压下或者加压及加热下不产生明显的变形、收缩或伸长的材料。此种支撑体的例子可列举聚对苯二甲酸乙二酯膜、三乙酸纤维素膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜等，其中特别优选为双轴延伸聚对苯二甲酸乙二酯膜。
暂时支撑体的厚度并无特别限制，通常为5μm～200μm的范围，就操作容易程度、通用性等方面而言，特别优选为10μm～150μm的范围。
另外，暂时支撑体可为透明，也可含有染料化硅、氧化铝溶胶(alumina sol)、铬盐、锆盐等。
另外，可利用日本专利特开2005-221726号公报中记载的方法等对暂时支撑体赋予导电性。
<热塑性树脂层>
感光性膜优选为在暂时支撑体与着色感光性树脂层之间设有热塑性树脂层。热塑性树脂层优选为碱可溶性。热塑性树脂层以可吸收基底表面的凹凸(也包含由已形成的图像等所致的凹凸等)的方式发挥作为缓冲(cushion)材料的作用，优选为具有可根据对象面的凹凸而变形的性质。
热塑性树脂层优选为含有日本专利特开平5-72724号公报中记载的有机高分子物质作为成分的形态，特别优选为含有选自利用维卡(Vicat)法[具体而言是指美国材料试验法-美国材料试验学会(American Society for Testing Material，ASTM)D1235的聚合物软化点测定法]所得的软化点为约80℃以下的有机高分子物质中的至少一种的形态。
具体可列举：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；乙烯与乙酸乙烯酯或其皂化物等的乙烯共聚物；乙烯与丙烯酸酯或其皂化物的共聚物；聚氯乙烯或氯乙烯与乙酸乙烯酯或其皂化物等的氯乙烯共聚物；聚偏二氯乙烯、偏二氯乙烯共聚物；聚苯乙烯、苯乙烯与(甲基)丙烯酸酯或其皂化物等的苯乙烯共聚物；聚乙烯基甲苯、乙烯基甲苯与(甲基)丙烯酸酯或其皂化物等的乙烯基甲苯共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁酯与乙酸乙烯酯等的(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙酸乙烯酯共聚物尼龙、共聚合尼龙、N-烷氧基甲基化尼龙、N-二甲基氨基化尼龙等聚酰胺树脂等有机高分子。
热塑性树脂层的层厚优选为3μm～30μm。当热塑性树脂层的层厚小于3μm的情形时，有时层叠时的追随性不充分，无法完全吸收基底表面的凹凸。另外，当层厚超过30μm 的情形时，有时对在暂时支撑体上形成热塑性树脂层时的干燥(溶剂去除)施加负荷，或热塑性树脂层的显影需要时间，或使工艺适性劣化。热塑性树脂层的层厚更优选为4μm～25μm，特别优选为5μm～20μm。
热塑性树脂层可涂布含有热塑性的有机高分子的制备液等而形成，涂布等时所用的制备液可使用溶剂来制备。溶剂只要可溶解构成所述层的高分子成分则并无特别限制，例如可列举：甲基乙基酮、环己酮、丙二醇单甲醚乙酸酯、正丙醇、2-丙醇等。
<光硬化性树脂层>
感光性膜可根据其用途而在光硬化性树脂层中添加添加物。即，当形成掩膜层时使用感光性膜的情形时，使光硬化性树脂层中含有着色剂。另外，当感光性膜具有导电性光硬化性树脂层的情形时，使光硬化性树脂层中含有导电性纤维等。
当感光性膜为负型材料的情形时，优选为在光硬化性树脂层含有碱可溶性树脂、聚合性化合物、聚合引发剂或聚合引发***(Polymerization Initiation system)。进而，可使用着色剂、添加剂等，但不限定于此。
感光性膜中所含的碱可溶性树脂可使用日本专利特开2011-95716号公报的段落[0025]、日本专利特开2010-237589号公报的段落[0033]～段落[0052]中记载的聚合物。
聚合性化合物可使用日本专利第4098550号的段落[0023]～段落[0024]中记载的聚合性化合物。
聚合引发剂或聚合引发***可使用日本专利特开2011-95716号公报中记载的[0031]～[0042]中记载的聚合性化合物。
(导电性光硬化性树脂层(导电性纤维))
当将层叠有导电性光硬化性树脂层的感光性膜用于形成透明电极图案、或其他导电性单元的情形时，可将以下的导电性纤维等用于光硬化性树脂层中。
导电性纤维的结构并无特别限制，可根据目的来适当选择，优选为实心结构及空心结构的任一种。
此处，有时将实心结构的纤维称为“线(wire)”，有时将空心结构的纤维称为“管(tube)”。另外，有时将平均短轴长度为5nm～1,000nm、且平均长轴长度为1μm～100μm的导电性纤维称为“纳米线”。
另外，有时将平均短轴长度为1nm～1,000nm、平均长轴长度为0.1μm～1,000μm、且具有空心结构的导电性纤维称为“纳米管”。
导电性纤维的材料只要具有导电性，则并无特别限制，可根据目的而适当选择，优选为金属及碳的至少任一种，这些中，导电性纤维特别优选为金属纳米线、金属纳米管及碳纳米管的至少任一种。
-金属纳米线-
--金属--
金属纳米线的材料并无特别限制，例如优选为选自由长周期表(国际纯水与应用化学联盟(International Union of Pure and Applied Chemistry，IUPAC)1991)的第4周期、第5周期及第6周期所组成的群组中的至少一种金属，更优选为选自第2族～第14族中的至少一种金属，进而优选为选自第2族、第8族、第9族、第10族、第11族、第12族、第13族及第14族中的至少一种金属，特别优选为作为主成分而含有。
金属例如可列举：铜、银、金、铂、钯、镍、锡、钴、铑、铱(iridium)、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅、这些的合金等。这些中，就导电性优异的方面而言，优选为主要含有银、或含有银与银以外的金属的合金。
所谓主要含有银是指在金属纳米线中含有50质量％以上、优选为90质量％以上的银。
以与银的合金的形式使用的金属可列举铂、锇、钯及铱等。这些可单独使用一种，也可并用两种以上。
-形状-
金属纳米线的形状并无特别限制，可根据目的而适当选择，例如可采用圆柱状、长方体状、剖面成为多角形的柱状等任意形状，但在需要高透明性的用途中，优选为圆柱状、剖面的多角形的角圆化的剖面形状。
金属纳米线的剖面形状可通过以下方式来研究：在基材上涂布金属纳米线水分散液，利用透射式电子显微镜(Transmission Electron Microscope，TEM)对剖面进行观察。
所谓金属纳米线的剖面的角是指将剖面的各边延长，与自相邻的边所作的垂线相交的点的周边部。另外，所谓“剖面的各边”是设定为将这些相邻的角与角连结的直线。在所述情形时，将“剖面的外周长度”相对于“剖面的各边”的合计长度的比例设定为锐利度。例如在如图9所示的金属纳米线剖面中，锐利度能以由实线所示的剖面的外周长度与由虚线所示的五角形的外周长度的比例来表示。将所述锐利度为75％以下的剖面形状定义为圆角的剖面形状。锐利度优选为60％以下，更优选为50％以下。若锐利度超过75％，则有时可能因电子局部存在于所述角中、等离体子(plasmon)吸收增加，故残留黄色等而透明性劣化。另外，有时图案的边缘部的直线性下降，产生粗糙。锐利度的下限优选为30％，更优选为40％。
--平均短轴长度及平均长轴长度--
金属纳米线的平均短轴长度(有时也称为“平均短轴径”、“平均直径”)优选为150nm以下，更优选为1nm～40nm，进而优选为10nm～40nm，特别优选为15nm～35nm。
若平均短轴长度小于1nm，则有时耐氧化性劣化，耐久性变差，若平均短轴长度超过150nm，则有时产生由金属纳米线所引起的散射，无法获得充分的透明性。
关于金属纳米线的平均短轴长度，使用透射式电子显微镜(TransmissionElectron Microscopy，TEM；日本电子(股)制造，JEM-2000FX)观察300个金属纳米线，根据其平均值来求出金属纳米线的平均短轴长度。再者，关于金属纳米线的短轴并非圆形的情形时的短轴长度，将最长的作为短轴长度。
金属纳米线的平均长轴长度(有时也称为“平均长度”)优选为1μm～40μm，更优选为3μm～35μm，进而优选为5μm～30μm。
若平均长轴长度小于1μm，则有时难以形成致密的网络(network)，无法获得充分的导电性，若平均长轴长度超过40μm，则有时金属纳米线过长而在制造时缠绕，在制造过程中产生凝聚物。
关于金属纳米线的平均长轴长度，例如使用透射式电子显微镜(TEM；日本电子(股)制造，JEM-2000FX)观察300个金属纳米线，根据其平均值来求出金属纳米线的平均长轴长度。再者，当金属纳米线弯曲的情形时，考虑以所述金属纳米线为弧的圆，将根据其半径及曲率所算出的值作为长轴长度。
就涂布液的稳定性或涂布时的干燥或图案化时的显影时间等工艺适性的观点而言，导电性光硬化性树脂层的层厚优选为0.1μm～20μm，进而优选为0.5μm～18μm，特别优选为1μm～15μm。就导电性与涂布液的稳定性的观点而言，导电性纤维相对于导电性光硬化性树脂层的所有固体成分的含量优选为0.01质量％～50质量％，进而优选为0.05质量％～30质量％，特别优选为0.1质量％～20质量％。
(掩膜层(着色剂))
另外，当使用感光性膜作为掩膜层的情形时，可在光硬化性树脂层中使用着色剂。本发明中所用的着色剂可优选地使用公知的着色剂(有机颜料、无机颜料、染料等)。另外，在本发明中，除了黑色着色剂以外，可使用红色、蓝色、绿色等的颜料的混合物等。
当使用光硬化性树脂层作为黑色的掩膜层的情形时，就光学浓度的观点而言，优选为含有黑色着色剂。黑色着色剂例如可列举碳黑、钛碳、氧化铁、氧化钛、石墨等，其中优选为碳黑。
当使用光硬化性树脂层作为白色的掩膜层的情形时，可使用日本专利特开2005-7765公报的段落[0015]或段落[0114]中记载的白色颜料。为了用作其他颜色的掩膜层，也可混合使用日本专利第4546276号公报的段落[0183]～段落[0185]等中记载的颜料或染料。具体而言，可优选地使用日本专利特开2005-17716号公报的段落编号[0038]～段落编号[0054]中记载的颜料及染料、日本专利特开2004-361447号公报的段落编号[0068]～段落编号[0072]中记载的颜料、日本专利特开2005-17521号公报的段落编号[0080]～段落编号[0088]中记载的着色剂等。
着色剂(优选为颜料、更优选为碳黑)理想的是作为分散液使用。所述分散液可通过以下方式制备：将预先混合着色剂与颜料分散剂所得的组合物添加至后述的有机溶剂(或媒剂(vehicle))中并使其分散。所谓媒剂(vehicle)是指当涂料处于液体状态时使颜料分散的媒质的部分，包含为液状且与颜料键结而形成涂膜的成分(粘合剂)、及将其溶解稀释的成分(有机溶剂)。
使颜料分散时所使用的分散机并无特别限制，例如可列举：朝仓邦造著的“颜料的事典”(第一版，朝仓书店，2000年，438项)中记载的捏合机、辊磨机、磨碎机(attritor)、超级磨机(super mill)、溶解器(dissolver)、均质机、砂磨机等公知的分散机。进而，也可借由所述文献310页中记载的机械磨碎利用摩擦力来进行微粉碎。
就分散稳定性的观点而言，本发明中所用的着色剂优选为数量平均粒径为0.001μm～0.1μm，更优选为数量平均粒径为0.01μm～0.08μm。另外，此处所谓“粒径”，是指将粒子的电子显微镜照片图像设定为等面积的圆时的直径，另外，所谓“数量平均粒径”，是对多个粒子求出粒径，是指100个所述粒径的平均值。
就与他层的厚度差的观点而言，含有着色剂的光硬化性树脂层的层厚优选为0.5μm～10μm，进而优选为0.8μm～5μm，特别优选为1μm～3μm。着色感光性树脂组合物的固体成分中的着色剂的含有率并无特别限制，就充分缩短显影时间的观点而言，优选为15质量％～70质量％，更优选为20质量％～60质量％，进而优选为25质量％～50质量％。
本说明书中所谓所有固体成分，是指自着色感光性树脂组合物中除去溶剂等的不挥发成分的总质量。
另外，当使用感光性膜来形成绝缘层的情形时，就维持绝缘性的观点而言，光硬化性树脂层的层厚优选为0.1μm～5μm，进而优选为0.3μm～3μm，特别优选为0.5μm～2μm。
当使用感光性膜来形成透明保护层的情形时，就发挥充分的表面保护能力的观点而言，光硬化性树脂层的层厚优选为0.1μm～10μm，进而优选为0.5μm～5μm，特别优选为1μm～3μm。
<添加剂>
进而，光硬化性树脂层也可使用添加剂。添加剂例如可列举：日本专利第4502784号公报的段落[0017]、日本专利特开2009-237362号公报的段落[0060]～段落[0071]中记载的表面活性剂，或日本专利第4502784号公报的段落[0018]中记载的热聚合抑制剂，进而可列举日本专利特开2000-310706号公报的段落[0058]～段落[0071]中记载的其他添加剂。
另外，利用涂布来制造感光性膜时的溶剂可使用日本专利特开2011-95716号公报的段落[0043]～段落[0044]中记载的溶剂。
以上，以感光性膜为负型材料的情形为中心进行了说明，但感光性膜也可为正型材料。当感光性膜为正型材料的情形时，光硬化性树脂层中例如可使用日本专利特开2005-221726号公报中记载的材料等，但不限定于此。
<热塑性树脂层及光硬化性树脂层的粘度>
热塑性树脂层的在100℃下测定的粘度在1000Pa·sec～10000Pa·sec的区域内，光硬化性树脂层的在100℃下测定的粘度在2000Pa·sec～50000Pa·sec的区域内，优选为进而满足下式(A)。
式(A)：热塑性树脂层的粘度＜光硬化性树脂层的粘度
此处，各层的粘度可如以下方式测定。利用大气压及减压干燥自热塑性树脂层或光硬化性树脂层用涂布液中去除溶剂而制成测定样品，例如使用维布隆(Vibron)(DD-III型：东洋鲍德温(Toyo Baldwin)(股)制造)作为测定器，在测定开始温度为50℃、测定结束温度为150℃、升温速度为5℃/min及频率为1Hz/deg的条件下测定，可使用100℃的测定值。
<其他层>
在感光性膜中，可在光硬化性树脂层与热塑性树脂层之间设置中间层、或还在光硬化性树脂层的表面设置保护膜等而优选地构成。
感光性膜中，以防止涂布多层时及涂布后的保存时的成分混合为目的，优选为设置中间层。中间层优选为日本专利特开平5-72724号公报中作为“分离层”而记载的具有氧阻断功能的氧阻断膜，曝光时的感度提高，可减少曝光机的时间负荷，生产性提高。
中间层及保护膜可适当地使用日本专利特开2006-259138号公报的段落[0083]～段落[0087]及段落[0093]中记载的膜。
<感光性膜的制作方法>
感光性膜可依据日本专利特开2006-259138号公报的段落[0094]～段落[0098]中记载的感光性转印材料的制作方法来制作。
具体而言，当形成具有中间层的感光性膜的情形时，可通过以下方式优选地制作：在暂时支撑体上涂布溶解有热塑性的有机高分子与添加剂的溶解液(热塑性树脂层用涂布液)，加以干燥而设置热塑性树脂层后，在所述热塑性树脂层上涂布于不溶解热塑性树脂层的溶剂中添加树脂或添加剂而制备的制备液(中间层用涂布液)，加以干燥而层叠中间层，在所述中间层上进一步涂布使用不溶解中间层的溶剂而制备的着色感光性树脂层用涂布液，加以干燥而层叠着色感光性树脂层。
《本发明的静电电容型输入装置的制造方法》
如上所述，本发明的静电电容型输入装置的制造方法优选为掩膜层、第一透明电极图案、第二透明电极图案、绝缘层、导电性单元及视需要的透明保护层的至少一个单元是使用感光性膜而形成，上述感光性膜依序具有暂时支撑体、热塑性树脂层及光硬化性树脂层。
当使用感光性膜来形成掩膜层、绝缘层及透明保护层、或使用导电性光硬化性树脂层的情形时的第一透明电极图案、第二透明电极图案及导电性单元等永久材料的情形时，感光性膜是层叠于基材上后，以必要的图案状进行曝光，负型材料的情况下对非曝光部分进行显影处理并加以去除，正型材料的情况下对曝光部分进行显影处理并加以去除，由此可获得图案。此时，显影时可利用各不相同的溶液将热塑性树脂层与光硬化性层显影去除，也可利用相同的溶液加以去除。视需要，也可组合毛刷或高压喷射等公知的显影设备。显影后，视需要也可进行后曝光、后烘烤。
另外，为了提高其后的转印步骤中的由层叠所得的感光性树脂层的密接性，可预先对基材(前面板)的非接触面实施表面处理。作为表面处理，优选为实施使用硅烷化合物的表面处理(硅烷偶合处理)。硅烷偶合剂优选为具有与感光性树脂相互作用的官能基。例如通过喷淋(shower)来喷附硅烷偶合液(N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷的0.3质量％水溶液，商品名：KBM603，信越化学(股)制造)20秒钟，并进行纯水喷淋清洗。其后，利用加热进行反应。也可使用加热槽，利用层叠机的基板预热也可促进反应。
另外，也可使用感光性膜作为剥离材料(lift-off material)，形成第一透明电极层、第二透明电极层及其他导电性构件。在所述情形时，使用感光性膜进行图案化后，在基材整个面上形成透明导电层后，连同所堆积的透明导电层一并来进行光硬化性树脂层的溶解去除，由此可获得所需的透明导电层图案(剥离法)。
(使用感光性膜来形成永久材料的情形)
关于使用感光性膜来形成掩膜层、绝缘层、透明保护层、第一透明膜、第二透明膜等永久材料的情形，以形成掩膜层(黑色)的方法为例，对使用感光性膜的图案化方法加以说明。
形成掩膜层的方法可列举包括以下步骤的方法：盖膜去除步骤，自感光性膜中去除盖膜；转印步骤，将去除了盖膜的感光性转印材料的感光性树脂层转印至基材上；曝光步骤，对经转印至基材上的感光性树脂层进行曝光；以及显影步骤，对经曝光的感光性树脂层进行显影而获得图案图像。
-转印步骤-
转印步骤为将去除了盖膜的感光性膜的光硬化性树脂层转印至基材上的步骤。
此时，优选为通过以下方式来进行操作的方法：在基材上层叠感光性膜的光硬化性树脂层后，去除暂时支撑体。
光硬化性树脂层对基材表面的转印(贴合)可通过将光硬化性树脂层重叠于基材表面上后进行加压、加热来进行。贴合时，可使用层叠机、真空层叠机及可进一步提高生产性的自动切割层叠机(auto-cut laminator)等公知的层叠机。
-曝光步骤、显影步骤及其他步骤-
作为曝光步骤、显影步骤及其他步骤的例子，也可将日本专利特开2006-23696号公报的段落编号[0035]～段落编号[0051]中记载的方法优选地用于本发明中。
曝光步骤为对经转印至基材上的光硬化性树脂层进行曝光的步骤。
具体可列举以下方法：在形成于基材上的光硬化性树脂层的上方配置既定的掩膜，其后隔着所述掩膜、热塑性树脂层及中间层自掩膜上方进行曝光。
此处，曝光的光源只要可照射能使光硬化性树脂层硬化的波长范围的光(例如365nm、405nm等)，则可适当选择使用。具体可列举：超高压水银灯、高压水银灯、金属卤化物灯等。曝光量通常为5mJ/cm2～200mJ/cm2左右，优选为10mJ/cm2～100mJ/cm2左右。
显影步骤为对经曝光的光硬化性树脂层进行显影的步骤。
显影可使用显影液来进行。显影液并无特别限制，可使用日本专利特开平5-72724号公报中记载的显影液等公知的显影液。另外，显影液优选为进行光硬化性树脂层溶解型的显影行为，例如显影液优选为以0.05mol/L～5mol/L的浓度而含有pKa＝7～13的化合物，也可进一步少量添加与水具有混合性的有机溶剂。与水具有混合性的有机溶剂可列举：甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单正丁醚、苄醇、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、ε-己内酯、γ-丁内酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、六甲基磷酰胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己内酰胺、N-甲基吡咯烷酮等。所述有机溶剂的浓度优选为0.1质量％～30质量％。另外，显影液中，可进一步添加公知的表面活性剂。表面活性剂的浓度优选为0.01质量％～10质量％。
上述显影的方式可为浸置显影、喷淋显影、喷淋及旋转显影、浸渍显影等的任一种。此处，若对喷淋显影加以说明，则可通过喷淋对曝光后的光硬化性树脂层喷附显影液，由此去除未硬化部分。另外，当设有热塑性树脂层或中间层的情形时，优选为在显影前通过喷淋等来喷附光硬化性树脂层的溶解性低的碱性溶液，预先去除热塑性树脂层、中间层等。另外，优选为在显影后通过喷淋来喷附清洗剂等，一面以毛刷等进行摩擦一面去除显影残渣。显影液的溶液温度优选为20℃～40℃，另外，显影液的pH值优选为8～13。
静电电容型输入装置的制造方法也可具有后曝光步骤、后烘烤步骤等其他步骤。
另外，图案化曝光可剥离暂时支撑体后进行，也可在剥离暂时支撑体之前进行曝光，其后剥离暂时支撑体。可为隔着掩膜的曝光，也可为使用激光等的数字曝光(digitalexposure)。
(使用感光性膜作为蚀刻阻剂的情形)
当使用感光性膜作为蚀刻阻剂(蚀刻图案)的情形时，可与前述方法同样地获得阻剂图案。蚀刻可利用日本专利特开2010-152155公报的段落[0048]～段落[0054]等中记载的公知的方法来应用蚀刻、阻剂剥离。
例如，蚀刻的方法可列举通常所进行的浸渍于蚀刻液中的湿式蚀刻法。湿式蚀刻中所用的蚀刻液只要根据蚀刻的对象来适当选择酸性类型或碱性类型的蚀刻液即可。酸性类型的蚀刻液可例示：盐酸、硫酸、氢氟酸、磷酸等酸性成分单独的水溶液，酸性成分与氯化铁、氟化铵、过锰酸钾等盐的混合水溶液等。酸性成分也可使用将多种酸性成分组合而成的。另外，碱性类型的蚀刻液可例示：氢氧化钠、氢氧化钾、氨、有机胺、四甲基氢氧化铵那样的有机胺的盐等碱成分单独的水溶液，碱成分与过锰酸钾等的盐的混合水溶液等。碱成分也可使用将多种碱成分组合而成的。
蚀刻液的温度并无特别限定，优选为45℃以下。本发明中被用作蚀刻掩膜(蚀刻图案)的树脂图案是使用上述光硬化性树脂层所形成，由此对此种温度范围的酸性及碱性的蚀刻液发挥特别优异的耐受性。因此，可防止在蚀刻步骤中树脂图案剥离的情况，将不存在树脂图案的部分选择性地蚀刻。
蚀刻后，为了防止线(1ine)污染，视需要也可进行清洗步骤、干燥步骤。关于清洗步骤，例如是在常温下利用纯水将基材清洗10秒钟～300秒钟而进行，关于干燥步骤，只要使用鼓风(air blow)并适当调整鼓风压(0.1kg/cm2～5kg/cm2左右)来进行即可。
继而，树脂图案的剥离方法并无特别限定，例如可列举以下方法：在30℃～80℃、优选为50℃～80℃下将基材在搅拌中的剥离液中浸渍5分钟～30分钟。如上所述，本发明中被用作蚀刻掩膜的树脂图案在45℃以下显示出优异的耐化学药液性，但若化学药液温度达到50℃以上，则显示出因碱性的剥离液而膨润的性质。根据此种性质，若使用50℃～80℃的剥离液来进行剥离步骤，则有缩短步骤时间、树脂图案的剥离残渣变少的优点。即，通过在蚀刻步骤与剥离步骤之间设置化学药液温度的差，本发明中被用作蚀刻掩膜的树脂图案在蚀刻步骤中发挥良好的耐化学药液性，另一方面，在剥离步骤中显示出良好的剥离性，由此可同时满足耐化学药液性与剥离性这两种相背的特性。
剥离液例如可列举：使氢氧化钠、氢氧化钾等无机碱成分或三级胺、四级铵盐等有机碱成分溶解于水、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮或这些的混合溶液中而成的剥离液。也可使用所述剥离液，利用喷雾法、喷淋法、浸置法等进行剥离。
[具备静电电容型输入装置作为构成单元的图像显示装置]
本发明的图像显示装置具备本发明的静电电容型输入装置作为构成单元。
本发明的静电电容型输入装置、及具备所述静电电容型输入装置作为构成单元的图像显示装置可应用《最新触摸屏技术》(2009年7月6日发行，技术时代(Techno-Times)(股))、三谷雄二监修的“触摸屏的技术与开发”(CMC出版(2004，12))、平板显示器(FlatPanel Display，FPD)国际2009论坛T-11(International 2009 Forum T-11)演讲课本、赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corporation)应用附注(application note)AN2292等中揭示的构成。
[实施例]
以下，列举实施例对本发明加以更具体说明。以下实施例中所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理顺序等只要不偏离本发明的主旨，则可适当变更。因此，本发明的范围不限定于以下所示的具体例。再者，只要无特别说明，则“份”、“％”为质量基准。
[实施例1～实施例11及比较例1～比较例15：透明层叠体的制造]
<第一透明膜的形成>
在折射率为1.5或1.51的玻璃制透明基板上，根据下述所记载的方法来制作具有下述表1中所示的折射率、膜厚的第一透明膜。
[表1]
旋转涂布：透明膜-1、透明膜-2、透明膜-5～透明膜-15及透明膜-19～透明膜-21的制膜
利用旋转涂布(使用三笠股份有限公司(MIKASA Co.，LTD)制造的三笠旋涂机(MIKASASPINCOATER)1H-D7；1000rpm)，将根据下述表2中记载的组成所制备的透明硬化性组合物用的材料-1～材料-9旋转涂布于玻璃制透明基板上。在100℃下进行120秒钟的前加热(预烘烤)后，利用具有超高压水银灯的近接式曝光机(日立高科技电子工程(HitachiHightech Electronic Engineering)(股)制造)以50mJ/cm2的i射线对涂布面的整个面进行曝光。继而，在230℃下进行60分钟的后加热(后烘烤)，获得在玻璃制透明基板上层叠有上述表1所示的第一透明膜的基板。再者，下述表2及下述通式(1)中，“％”、“wt％”均表示质量％。
通式(1)
[化1]
(2)溅镀制膜：透明膜-3、透明膜-17及透明膜-18的制膜
利用薄膜形成装置依照下述顺序来制膜，上述薄膜形成装置具备：配设于真空腔室内的玻璃制透明基板、在与所述基板相对向的同一平面上的同一圆周上的位置上分别配设的作为溅镀靶的SiO2靶及Nb2O5靶、对各靶施加电力的电源、及在与靶相对向的位置上转动的基板转动机构。
首先，设置玻璃制透明基板后，利用高真空泵将真空腔室内排气至既定的压力(例如7×10-5Pa)为止。打开所有的阀后，自SiO2靶用的气体导入口导入Ar气体直至真空计中总压力达到4×10-1Pa为止，进而，继续自气体导入口导入O2气体直至压力达到5×10-1Pa为止。然后，自交流电源施加300W的交流电力，在SiO2靶的SiO2上产生等离子体。继而，自Nb2O5靶的气体导入口导入Ar气体直至真空计中压力达到7×10-1Pa为止。继续自气体导入口导入O2气体直至压力达到1.0Pa为止。然后，自直流电源施加300W的直流电力，在Nb2O5靶上产生等离子体。继而，根据混合膜的折射率分别如下述表3所示设定自各施加电力对SiO2靶施加的施加电力、及对Nb2O5靶施加的施加电力后，将SiO2靶及Nb2O5靶正上方的各快门(shutter)同时打开/关闭约60分钟，获得在玻璃制透明基板上层叠有如下述表3所示调整了折射率及膜厚的第一透明膜的基板。
[表3]
(3)层叠制膜：透明膜-4及透明膜-16的制膜
[转印材料的制备]
在厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜暂时支撑体上，使用狭缝状喷嘴来涂布包含下述配方H1的热塑性树脂层用涂布液，并加以干燥。继而，涂布包含下述配方P1的中间层用涂布液，并加以干燥。进而，涂布根据上述表2中记载的组成所制备的透明硬化性组合物用的材料-1或材料-6，并加以干燥。如此而在暂时支撑体上设置干燥膜厚为15.1μm的热塑性树脂层、干燥膜厚为1.6μm的中间层、及成为上述表1中的干燥膜厚的透明硬化性树脂层，最后压接保护膜(厚度为12μm的聚丙烯膜)。如此而制作暂时支撑体、热塑性树脂层、中间层(氧阻断膜)及透明硬化性树脂层成一体的转印材料。
(热塑性树脂层用涂布液：配方H1)
上述氟系聚合物为C6F13CH2CH2OCOCH＝CH240份、H(OCH(CH3)CH2)7OCOCH＝CH2 55份及H(OCHCH2)7OCOCH＝CH2 5份的共聚物，重量平均分子量为3万，为甲基乙基酮的30质量％溶液(商品名：美佳法(Megafac)F780F，大日本油墨化学工业(股)制造)。
(中间层用涂布液：配方P1)
[透明膜的形成]
将透明硬化性树脂层在与PET暂时支撑体的界面上剥离后，与热塑性树脂及中间层一并转印至玻璃制透明基板上。
继而，使用具有超高压水银灯的近接式曝光机(日立高科技电子工程(HitachiHightechElectronic Engineering)(股)制造)，自热塑性树脂层侧利用i射线以40mJ/cm2进行整个面曝光。然后，在30℃下，在扁平喷嘴(flat nozzle)压力为0.04MPa的条件下将三乙醇胺系显影液(含有30％的三乙醇胺，以纯水将商品名：T-PD2(富士胶片(股)制造)稀释至10倍(以T-PD21份与纯水9份的比例混合)所得的溶液)喷淋显影60秒钟，将热塑性树脂及中间层去除。继而，对所述玻璃制透明基板的上表面(透明硬化性树脂层侧)吹附空气而去除液体后，通过喷淋来喷附纯水10秒钟，进行纯水喷淋清洗，吹附空气来减少玻璃制透明基板上的滴液。继而，对基板在230℃下进行60分钟加热处理(后烘烤)，获得在玻璃制透明基板上层叠有上述表1所示的第一透明膜的基板。
<透明电极图案的形成>
[实施例1中所用的透明电极层的形成]
在实施例1中，将在玻璃制透明基板上层叠有第一透明膜的基板导入至真空腔室内，使用SnO2含有率为10质量％的ITO靶(铟：锡＝95：5(摩尔比))，利用直流(DirectCurrent，DC)磁控溅镀(条件：基材的温度为250℃、氩气压为0.13Pa、氧气压为0.01Pa)来形成厚度为40nm、折射率为1.82的ITO薄膜，获得形成有透明电极层的前面板。ITO薄膜的表面电阻为80Ω/口。
[蚀刻用感光性膜E1的制备]
在厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜暂时支撑体上，使用狭缝状喷嘴来涂布包含上述配方H1的热塑性树脂层用涂布液，并加以干燥。继而，涂布包含上述配方P1的中间层用涂布液，并加以干燥。进而，涂布蚀刻用光硬化性树脂层用涂布液(配方E1)，并加以干燥。如此而获得在暂时支撑体上包含干燥膜厚为15.1μm的热塑性树脂层、干燥膜厚为1.6μm的中间层、及膜厚为2.0μm的蚀刻用光硬化性树脂层的层叠体，最后压接保护膜(厚度为12μm的聚丙烯膜)。如此而制作暂时支撑体、热塑性树脂层、中间层(氧阻断膜)及透明硬化性树脂层成一体的转印材料。
(蚀刻用光硬化性树脂层用涂布液：配方E1)
再者，蚀刻用光硬化性树脂层用涂布液E1的溶剂去除后的在100℃下的粘度为2500Pa·sec。
[透明电极图案的形成]
将形成有透明电极层的前面板清洗，层叠去除了保护膜的蚀刻用感光性膜E1(基材温度：130℃，橡胶辊温度为120℃，线压为100N/cm，搬送速度为2.2m/min)。剥离暂时支撑体后，将曝光掩膜(具有透明电极图案的石英曝光掩膜)面与所述蚀刻用光硬化性树脂层之间的距离设定为200μm，以50mJ/cm2的曝光量(i射线)进行图案曝光。
继而，使用三乙醇胺系显影液(含有30质量％的三乙醇胺，以纯水将商品名：T-PD2(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)在25℃下处理100秒钟，使用含有表面活性剂的清洗液(以纯水将商品名：T-SD3(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)在33℃下处理20秒钟，利用旋转刷、超高压清洗喷嘴进行残渣去除，进而在130℃下进行30分钟的后烘烤处理，获得形成有透明电极层及蚀刻用光硬化性树脂层图案的前面板。
将形成有透明电极层及蚀刻用光硬化性树脂层图案的前面板浸渍于放入有ITO蚀刻剂(盐酸、氯化钾水溶液。液温为30℃)的蚀刻槽中，处理100秒钟，将未由蚀刻用光硬化性树脂层覆盖的露出区域的透明电极层溶解去除，获得附有蚀刻用光硬化性树脂层图案的带有透明电极层图案的前面板。
继而，将附有蚀刻用光硬化性树脂层图案的带有透明电极层图案的前面板浸渍于放入有阻剂剥离液(N-甲基-2-吡咯烷酮、单乙醇胺、表面活性剂(商品名：莎菲诺(Surfynol)465，空气产品(Air Products)制造)液温为45℃)的阻剂剥离槽中，处理200秒钟，将蚀刻用光硬化性树脂层去除，获得在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜及透明电极图案的基板。
利用铂(Pt)涂布(约20nm厚)对透明电极图案的端部进行导电性赋予及表面保护后，使用FEI制造的诺瓦(Nova)200型聚焦离子束/扫描式电子显微镜(Focussed Ion Beam/Scanning Electron Microscopes，FIB/SEM)复合机，进行透明电极图案端部的形状观察(二次电子像，加速电压为20kV)。
实施例1中形成的ITO图案成为如图10所示的锥形状，锥角α＝约3°。
在其他实施例及比较例中，对于以成为下述表4中记载的折射率及膜厚的方式使用的透明电极层，与实施例1同样地获得在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜及透明电极图案的基板。
<第二透明膜的形成>
在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜及透明电极图案的基板上，利用与第一透明膜的形成相同的方法，来制造具有上述表1中所示的折射率、膜厚的第二透明膜。
如此而获得在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的基板。
<透明保护膜的形成>
(透明保护膜-A的形成方法)
使用日本专利特开2012-78528号公报的实施例1中记载的感光性树脂层用涂布液配方1，依照所述公报的[0103]～[0113]的方法，如此而制作暂时支撑体、热塑性树脂层、中间层及感光性树脂层成一体的感光性转印膜。
将所制作的感光性转印膜的感光性树脂层自与PET暂时支撑体的界面上剥离后，与热塑性树脂及中间层一并转印至在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的基板上(层形成步骤)。
继而，使用具有超高压水银灯的近接式曝光机(日立高科技电子工程(HitachiHightech Electronic Engineenng)(股)制造)，自热塑性树脂层侧利用i射线以40mJ/cm2进行整个面曝光。继而，在30℃下、在扁平喷嘴压力为0.04MPa的条件下，将三乙醇胺系显影液(含有30％的三乙醇胺，以纯水将商品名：T-PD2(富士胶片(股)制造)稀释至10倍(以T-PD21份与纯水9份的比例混合)所得的溶液)喷淋显影60秒钟，将热塑性树脂及中间层去除。继而，对所述玻璃制透明基板的上表面(感光性树脂层侧)吹附空气而去除液体后，通过喷淋来喷附纯水10秒钟，进行纯水喷淋清洗，吹附空气来减少玻璃制透明基板上的滴液。继而，对基板在230℃下进行60分钟加热处理(后烘烤)，获得各实施例及比较例的透明层叠体，这些透明层叠体是在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的基板上，层叠有下述表4所示的折射率及膜厚的透明保护膜而成。
除了如下述那样变更感光性树脂层用涂布液配方以外，全部与透明保护膜-A的形成方法同样地获得各实施例及比较例的透明层叠体，这些透明层叠体是在玻璃制透明基板上形成有第一透明膜、透明电极图案及第二透明膜的基板上，层叠有下述透明保护膜-B～透明保护膜-E而成。
透明保护膜-B：日本专利特开2012-78528号公报的实施例3中记载的组合物
透明保护膜-C：日本专利特开2012-78528号公报的实施例25中记载的组合物
透明保护膜-D：日本专利特开2012-78528号公报的实施例26中记载的组合物
透明保护膜-E：日本专利特开2012-78528号公报的实施例27中记载的组合物
在下述表4中示出各透明保护膜的折射率及膜厚。
<透明电极图案的视认性的评价>
对于在玻璃制透明基板上依序层叠有第一透明膜、透明电极图案、第二透明膜及透明保护膜的透明层叠体，经由透明胶带(3M公司制造，商品名，光学透明胶带(OpticalClear Adhesive Tape，OCA Tape)8171CL)使透明层叠体与黑色聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)材料粘接，将基板总体遮光。
透明电极图案视认性是通过以下方式来进行：在暗室内，使用萤光灯(光源)及所制作的基板，自玻璃面侧使光入射，自倾斜方向目测观察来自玻璃表面的反射光。
《评价基准》
A：完全看不到ITO图案。
B：稍许可见ITO图案，但几乎看不到。
C：ITO图案清晰可见。
将所得的结果记载于下述表4中。
由上述表4得知，本发明的透明层叠体不存在看到透明电极图案的问题。
另一方面，第一透明膜及第二透明膜的折射率低于本发明所规定的范围的下限值的比较例1及比较例3～比较例6的透明层叠体，有看到透明电极图案的问题。
第一透明膜及第二透明膜的折射率低于本发明所规定的范围的下限值、且第一透明膜及第二透明膜的膜厚超过本发明所规定的范围的上限值的比较例2的透明层叠体，有看到透明电极图案的问题。
第一透明膜及第二透明膜的膜厚低于本发明所规定的范围的下限值的比较例7及比较例9的透明层叠体，有看到透明电极图案的问题。
第一透明膜及第二透明膜的膜厚超过本发明所规定的范围的上限值的比较例8及比较例10的透明层叠体，有看到透明电极图案的问题。
第一透明膜及第二透明膜的折射率超过本发明所规定的范围的上限值的比较例11的透明层叠体，有看到透明电极图案的问题。
未设置第二透明膜的比较例15的透明层叠体有看到透明电极图案的问题。
进而确认到，在实施例1的透明层叠体的制造中，除了设置折射率与透明基板相同的第三透明膜后在其上制作第一透明膜以外，与实施例1同样地制造透明层叠体的情形时，也同样不存在看到透明电极图案的问题。
[实施例101～实施例111、比较例101～比较例115：静电电容型输入装置的制造]
《掩膜层的形成》
[掩膜层形成用感光性膜K1的制备]
在厚度为75μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜暂时支撑体上，使用狭缝状喷嘴来涂布包含上述配方H1的热塑性树脂层用涂布液，并加以干燥。继而，涂布包含上述配方P1的中间层用涂布液，并加以干燥。继而，涂布包含下述配方K1的黑色光硬化性树脂层用涂布液，并加以干燥。如此而在暂时支撑体上设置干燥膜厚为15.1μm的热塑性树脂层、干燥膜厚为1.6μm的中间层、及以光学浓度成为4.0的方式设置的干燥膜厚为2.2μm的黑色光硬化性树脂层，最后压接保护膜(厚度为12μm的聚丙烯膜)。如此而制作暂时支撑体、热塑性树脂层、中间层(氧阻断膜)及黑色光硬化性树脂层成一体的转印材料，将样品名设定为掩膜层形成用感光性膜K1。
(黑色光硬化性树脂层用涂布液：配方K1)
再者，黑色光硬化性树脂层用涂布液K1的溶剂去除后的在100℃下的粘度为10000Pa·sec。
(K颜料分散物1的组成)
[化2]
分散剂1
-R颜料分散物1的组成-
·颜料(颜色索引(Color Index，C.I.)颜料红177) ：18质量％
·粘合剂1(甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸＝72/28摩尔比的无规共聚物，重量平均分子量为3.7万)：12质量％
·丙二醇单甲醚乙酸酯：70质量％
[掩膜层的形成]
继而，对于形成有开口部(15mmΦ)的强化处理玻璃(300mm×400mm×0.7mm)，一面通过喷淋来喷附经调整为25℃的玻璃清洗剂液20秒钟，一面利用具有尼龙毛的转动刷进行清洗，并进行纯水喷淋清洗后，通过喷淋来喷附硅烷偶合液(N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷的0.3质量％水溶液，商品名：KBM603，信越化学工业(股)制造)20秒钟，并进行纯水喷淋清洗。利用基材预热装置在140℃下将所述基材加热2分钟。自通过上述操作所得的掩膜层形成用感光性膜K1中去除盖膜，以去除后所露出的黑色光硬化性树脂层的表面与硅烷偶合处理玻璃基材的表面接触的方式，重合子所得的硅烷偶合处理玻璃基材上，使用层叠机(日立工业(Hitachi Industries)(股)制造(拉米克(Lamic)II型))，在橡胶辊温度为130℃、线压为100N/cm、搬送速度为2.2m/min的条件下层叠至在140℃下经加热的基材上。继而，将聚对苯二甲酸乙二酯的暂时支撑体自与热塑性树脂层的界面上剥离，去除暂时支撑体。剥离暂时支撑体后，利用具有超高压水银灯的近接式曝光机(日立高科技电子工程(Hitachi Highteeh Electronic Engineering)(股)制造)，在垂直竖立基材与曝光掩膜(具有边缘图案的石英曝光掩膜)的状态下，将曝光掩膜面与所述黑色光硬化性树脂层之间的距离设定为200μm，以70mJ/cm2的曝光量(i射线)进行图案曝光。
继而，在33℃下、在扁平喷嘴压力为0.1MPa的条件下，将三乙醇胺系显影液(含有30质量％的三乙醇胺，以纯水将商品名：T-PD2(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)喷淋显影60秒钟，去除热塑性树脂层及中间层。继而，对所述玻璃基材的上表面吹附空气而去除液体后，通过喷淋来喷附纯水10秒钟，进行纯水喷淋清洗，吹附空气来减少基材上的滴液。
其后，使用碳酸钠/碳酸氢钠系显影液(以纯水将商品名：T-CD1(富士胶片(股)制造)稀释至5倍所得的溶液)，在32℃下将喷淋压力设定为0.1MPa，显影45秒钟，以纯水进行清洗。
然后，使用含有表面活性剂的清洗液(以纯水将商品名：T-SD3(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)，在33℃下、在锥型喷嘴压力为0.1MPa的条件下通过喷淋来喷附20秒钟，进而利用具有柔软的尼龙毛的转动刷来摩擦所形成的图案像，进行残渣去除。进而，利用超高压清洗喷嘴以9.8MPa的压力喷射超纯水而进行残渣去除。
继而，在大气下以1300mJ/cm2的曝光量进行后曝光，进而在240℃下进行80分钟的后烘烤处理，获得形成有光学浓度为4.0、膜厚为2.0μm的掩膜层的前面板。
《第一透明膜》
对于形成有掩膜层的前面板，与实施例1～实施例11及比较例1～比较例15同样地制作第一透明膜。
《第一透明电极图案的形成》
[透明电极层的形成]
将形成有掩膜层及第一透明膜的前面板导入至真空腔室内，使用SnO2含有率为10质量％的ITO靶(铟∶锡＝95∶5(摩尔比))，利用DC磁控溅镀(条件：基材的温度为250℃、氩气压为0.13Pa、氧气压为0.01Pa)来形成厚度为40nm的ITO薄膜，获得形成有透明电极层的前面板。ITO薄膜的表面电阻为80Ω/□。
[蚀刻用感光性膜E1的制备]
在掩膜层形成用感光性膜K1的制备中，将黑色光硬化性树脂层用涂布液换成包含下述配方E1的蚀刻用光硬化性树脂层用涂布液，除此以外，与掩膜层形成用感光性膜K1的制备同样地进行，获得蚀刻用感光性膜E1(蚀刻用光硬化性树脂层的膜厚为2.0μm)。
(蚀刻用光硬化性树脂层用涂布液：配方E1)
再者，蚀刻用光硬化性树脂层用涂布液E1的溶剂去除后的在100℃下的粘度为2500Pa·sec。
[第一透明电极图案的形成]
与掩膜层的形成同样地清洗形成有掩膜层、第一透明膜及透明电极层的前面板，层叠去除了盖膜的蚀刻用感光性膜E1(基材温度：130℃，橡胶辊温度为120℃，线压为100N/cm，搬送速度为2.2m/min)。剥离暂时支撑体后，将曝光掩膜(具有透明电极图案的石英曝光掩膜)面与所述蚀刻用光硬化性树脂层之间的距离设定为200μm，以50mJ/cm2的曝光量(i射线)进行图案曝光。
继而，使用三乙醇胺系显影液(含有30质量％的三乙醇胺，以纯水将商品名：T-PD2(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)在25℃下处理100秒钟，使用含有表面活性剂的清洗液(以纯水将商品名：T-SD3(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)在33℃下处理20秒钟，利用转动刷、超高压清洗喷嘴进行残渣去除，进而在130℃下进行30分钟的后烘烤处理，获得形成有透明电极层及蚀刻用光硬化性树脂层图案的前面板。
将形成有透明电极层及蚀刻用光硬化性树脂层图案的前面板浸渍于放入有ITO蚀刻剂(盐酸、氯化钾水溶液。液温为30℃)的蚀刻槽中，处理100秒钟，将未由蚀刻用光硬化性树脂层覆盖的露出区域的透明电极层溶解去除，获得附有蚀刻用光硬化性树脂层图案的带有透明电极层图案的前面板。
继而，将附有蚀刻用光硬化性树脂层图案的带有透明电极层图案的前面板浸渍于放入有阻剂剥离液(N-甲基-2-吡咯烷酮、单乙醇胺、表面活性剂(商品名：莎菲诺(Surfynol)465，空气产品(Air Products)制造)液温为45℃)的阻剂剥离槽中，处理200秒钟，去除蚀刻用光硬化性树脂层，获得形成有掩膜层、第一透明膜及第一透明电极图案的前面板。
《绝缘层的形成》
[绝缘层形成用感光性膜W1的制备]
在掩膜层形成用感光性膜K1的制备中，将黑色光硬化性树脂层用涂布液换成包含下述配方W1的绝缘层用光硬化性树脂层用涂布液，除此以外，与掩膜层形成用感光性膜K1的制备同样地进行，获得绝缘层形成用感光性膜W1(绝缘层用光硬化性树脂层的膜厚为1.4μm)。
(绝缘层形成用涂布液：配方W1)
再者，绝缘层形成用涂布液W1的溶剂去除后的在100℃下的粘度为4000Pa·sec。
与掩膜层的形成同样地清洗带有掩膜层、第一透明膜及第一透明电极图案的前面板，进行硅烷偶合处理，层叠去除了盖膜的绝缘层形成用感光性膜W1(基材温度：100℃，橡胶辊温度为120℃，线压为100N/cm，搬送速度为2.3m/min)。剥离暂时支撑体后，将曝光掩膜(具有绝缘层用图案的石英曝光掩膜)面与所述蚀刻用光硬化性树脂层之间的距离设定为100μm，以30mJ/cm2的曝光量(i射线)进行图案曝光。
继而，使用三乙醇胺系显影液(含有30质量％的三乙醇胺，以纯水将商品名：T-PD2(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)在33℃下处理60秒钟，使用碳酸钠/碳酸氢钠系显影液(以纯水将商品名：T-CD1(富士胶片(股)制造)稀释至5倍所得的溶液)在25℃下处理50秒钟，使用含有表面活性剂的清洗液(以纯水将商品名：T-SD3(富士胶片(股)制造)稀释至10倍所得的溶液)在33℃下处理20秒钟，利用转动刷、超高压清洗喷嘴进行残渣去除，进而在230℃下进行60分钟的后烘烤处理，获得形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案及绝缘层图案的前面板。
《第二透明电极图案的形成》
[透明电极层的形成]
与第一透明电极图案的形成同样地，对形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案的前面板进行DC磁控溅镀处理(条件：基材的温度为50℃、氩气压为0.13Pa、氧气压为0.01Pa)，形成厚度为80nm的ITO薄膜，获得形成有透明电极层的前面板。ITO薄膜的表面电阻为110Ω/□。
与第一透明电极图案的形成同样地，使用蚀刻用感光性膜E1来获得形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案、透明电极层及蚀刻用光硬化性树脂层图案的前面板(后烘烤处理；130℃下30分钟)。
进而，与第一透明电极图案的形成同样地进行蚀刻(30℃下50秒钟)，去除蚀刻用光硬化性树脂层(45℃下200秒钟)，由此获得形成有掩膜层、第一透明电极图案、绝缘层图案及第二透明电极图案的前面板。
《与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元的形成》
与第一透明电极图案及第二透明电极图案的形成同样地，对形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案及第二透明电极图案的前面板进行DC磁控溅镀处理，获得形成有厚度为200nm的铝(Al)薄膜的前面板。
与第一透明电极图案及第二透明电极图案的形成同样地，使用蚀刻用感光性膜E1来获得形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案、第二透明电极图案及蚀刻用光硬化性树脂层图案的前面板。(后烘烤处理；130℃下30分钟)。
进而，与第一透明电极图案的形成同样地进行蚀刻(30℃下50秒钟)，去除蚀刻用光硬化性树脂层(45℃下200秒钟)，由此获得形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案、第二透明电极图案、以及与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元的前面板。
《第二透明膜》
对于形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案、第二透明电极图案、以及与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元的前面板，与实施例1～实施例11及比较例1～比较例15同样地制作第二透明膜。
《透明保护层的形成》
与绝缘层的形成同样地，在形成至第二透明膜为止的前面板上层叠经去除了盖膜的绝缘层形成用感光性膜W1，剥离暂时支撑体后，不隔着曝光掩膜而以50mJ/cm2的曝光量(i射线)对前表面进行曝光，进行显影、后曝光(1000mJ/cm2)、后烘烤处理，获得实施例101～实施例111及比较例101～比较例115的静电电容型输入装置(前面板)，这些静电电容型输入装置是以覆盖掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案、第二透明电极图案、与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元以及第二透明膜全部的方式层叠绝缘层(透明保护层)而成。
《图像显示装置(触摸屏)的制作》
在利用日本专利特开2009-47936公报中记载的方法所制造的液晶显示元件上，贴合上述所制造的实施例101～实施例111及比较例101～比较例115的前面板，利用公知的方法来制作具备静电电容型输入装置作为构成单元的实施例101～实施例111及比较例101～比较例115的图像显示装置。
《前面板及图像显示装置的评价》
实施例101～实施例111的静电电容型输入装置及图像显示装置不存在看到透明电极图案的问题。
在上述各步骤中，形成有掩膜层、第一透明膜、第一透明电极图案、绝缘层图案、第二透明电极图案、与第一透明电极图案及第二透明电极图案不同的导电性单元以及第二透明膜的前面板1的开口部及背面并无污染，清洗容易，且不存在其他构件的污染问题。
另外，掩膜层中并无针孔(pin hole)，光遮蔽性优异。
而且，第一透明电极图案、第二透明电极图案及与这些不同的导电性单元各自的导电性不存在问题，另一方面，第一透明电极图案与第二透明电极图案之间具有绝缘性。
进而，透明保护层中也无气泡等缺陷，可获得显示特性优异的图像显示装置。

Claims (19)

1.一种透明层叠体，其特征在于：在面内含有依序层叠有下述构件的区域：
透明基板；
第一透明膜，折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm；
透明电极图案；以及
第二透明膜，折射率为1.6～1.78且膜厚为55nm～110nm。
2.根据权利要求1所述的透明层叠体，其特征在于：利用所述第一透明膜及所述第二透明膜将所述透明电极图案及未形成所述透明电极图案的非图案区域两者连续地直接被覆，或经由其他层而被覆。
3.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述第一透明膜及所述透明电极图案相互邻接。
4.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述透明电极图案及所述第二透明膜相互邻接。
5.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：在面内含有下述区域：在未形成所述透明电极图案的非图案区域的至少一部分上，依序层叠有所述透明基板、所述第一透明膜及所述第二透明膜的区域。
6.根据权利要求5所述的透明层叠体，其特征在于：在依序层叠有所述透明基板、所述第一透明膜及所述第二透明膜的区域中，所述第一透明膜及所述第二透明膜相互邻接。
7.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：在所述第二透明膜的与形成有所述透明电极图案的表面为相反侧的表面上，还形成有折射率为1.5～1.55的透明保护膜。
8.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述第一透明膜与第二透明膜是利用相同的材料所构成。
9.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述透明基板是折射率为1.5～1.55的玻璃基板。
10.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述透明电极图案是折射率为1.75～2.1的氧化铟锡膜。
11.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述第一透明膜及所述第二透明膜的至少一个为透明树脂膜。
12.根据权利要求11所述的透明层叠体，其特征在于：所述透明树脂膜含有ZrO2粒子及TiO2粒子中的至少一个。
13.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述第一透明膜及所述第二透明膜的至少一个是将形成于暂时支撑体上的透明硬化性树脂膜转印至所述透明基板上制膜而成。
14.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述第一透明膜及所述第二透明膜的至少一个是利用溅镀所形成。
15.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述第一透明膜及所述第二透明膜的至少一个是利用溅镀所形成的SiO2与Nb2O5的混合膜。
16.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：所述透明电极图案的端部具有30°以下的锥形状。
17.根据权利要求1或2所述的透明层叠体，其特征在于：在所述透明基板及所述第一透明膜之间，含有折射率为1.5～1.52的第三透明膜。
18.一种静电电容型输入装置，其特征在于具有根据权利要求1或2所述的透明层叠体。
19.一种图像显示装置，其特征在于具备根据权利要求18所述的静电电容型输入装置作为构成单元。
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