CN111095182A - 触摸传感器及触摸传感器的制造方法以及图像显示装置 - Google Patents

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CN111095182A CN201880057775.9A CN201880057775A CN111095182A CN 111095182 A CN111095182 A CN 111095182A CN 201880057775 A CN201880057775 A CN 201880057775A CN 111095182 A CN111095182 A CN 111095182A
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Abstract

本发明提供一种触摸面板及其制造方法以及图像显示装置，所述触摸面板抑制桥接布线中的反射且包含桥接布线的布线图案的隐蔽性优异。所述触摸传感器在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案，第1电极图案具有：多个第1岛状电极部，在透明基材上沿第1方向隔开间隔而配置；及第1布线部，电连接相邻的第1岛状电极部，第2电极图案具有：多个第2岛状电极部，在透明基材上沿与第1方向交叉的第2方向隔开间隔而配置；及第2布线部，以桥接来电连接相邻的所述第2岛状电极部，在第2布线部上依次具有：第3透明层，折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下；及第4透明层，折射率低于所述折射率p且厚度是0.5μm以上。

Description

触摸传感器及触摸传感器的制造方法以及图像显示装置
技术领域
本公开涉及一种触摸传感器及触摸传感器的制造方法以及图像显示装置。
背景技术
近年来，通过触碰手指或触摸笔等而能够进行与指令图像对应的信息的输入的输入装置(以下，还称为触摸面板。)被广泛利用。触摸面板有电阻膜型及静电电容型装置。在静电电容型触摸面板具有能够构成为在一片基板上形成有透光性导电膜的简单的结构的优点。
作为静电电容型触摸面板的例，已知有沿彼此交叉的方向分别延伸电极图案并通过捕获由人手指等接近导体而产生的静电电容的变化来检测触摸位置的装置(例如，参考专利文献1)。
使用静电电容型触摸面板时，有时例如若稍微远离从内部光源入射的光反射的位置附近而观察触摸面板的表面，则可视觉辨认存在于面板内部的电极图案，而有损外观。因此，作为对于触摸面板的性能，要求电极图案的隐蔽性良好。
作为关于电极图案的隐蔽性的技术，公开有如下内容：将配置于第1电布线与第2电布线之间的绝缘体的折射率设为和第1折射率及第2折射率实质上相等，该第1电布线电连接具有第1折射率的多个第1图案，该第2电布线电连接具有第2折射率的多个第2图案(例如，参考专利文献2)。
并且，公开有一种传感器面板，该传感器面板在透明基板上包含：多个第1传感器电极，沿着第1方向设置；多个第2传感器电极，沿着与第1方向交叉的第2方向设置；第1桥接器，彼此连接彼此相邻的第1传感器电极；第2桥接器，彼此连接彼此相邻的第2传感器电极；绝缘层，使第1桥接器及第2桥接器电性分离且具有低于第2桥接器的折射率；及防反射层，位于第2桥接器上并包含第1物质层及具有大于第1物质层的折射率的第2物质层(例如，参考专利文献3)。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-206197号公报
专利文献2：日本特表2013-546075号公报
专利文献3：日本特表2015-529899号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
以往技术中，上述专利文献1中所记载的技术中，通过隔着具有和电极的折射率实质上相等的折射率的高折射率的绝缘膜设置桥接布线而期待防止能够视觉辨认桥接部的图案的效果。然而，由于整体上以高折射率形成，因此作为与设置于其上方的折射率为1.5附近的层的折射率差变大。结果，容易看到电极图案，存在无法隐蔽图案的问题。
并且，如专利文献2，通过将配置于第1电气布线及第2电气布线之间的绝缘体的折射率与第1图案的折射率及第2图案的折射率实质上相等的方法，也无法满足电极图案的隐蔽性。进而，如专利文献3中记载的传感器面板，在依次配置第1物质层及第2物质层的结构中，电极图案的隐蔽性不充分而依然有待于改善。
本公开是鉴于上述而完成的。
本发明的一实施方式欲要解决的课题在于提供一种抑制桥接布线中的光的反射且包含桥接布线的布线图案的隐蔽性优异的触摸面板。
本发明的另一实施方式欲要解决的课题在于提供一种抑制桥接布线中的光的反射且包含桥接布线的布线图案的隐蔽性优异的触摸面板的制造方法。
本发明的另一实施方式欲要解决的课题在于提供一种改善了包含桥接布线的布线图案的可见性的图像显示装置。
用于解决技术课题的手段
用于实现课题的具体机构包括以下方式。
＜1＞一种触摸传感器，其在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案，
第1电极图案具有：多个第1岛状电极部，在透明基材上沿第1方向隔开间隔而配置；及第1布线部，电连接相邻的第1岛状电极部，
第2电极图案具有：多个第2岛状电极部，在透明基材上沿与第1方向交叉的第2方向隔开间隔而配置；及第2布线部，以桥接来电连接相邻的第2岛状电极部，
在第2布线部上依次具有：第3透明层，折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下；及第4透明层，折射率低于上述折射率p且厚度是0.5μm以上。
＜2＞根据＜1＞所述的触摸传感器，其中，
第3透明层的折射率比第4透明层的折射率大0.01以上。
＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的触摸传感器，其中，
第2布线部是透明电极。
＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
在第1电极图案及第2电极图案上具有保护层，
保护层在第1电极图案及第2电极图案的第2岛状电极部上依次具有：第1透明层，折射率是1.6以上且厚度是200nm以下；及第2透明层，折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上。
＜5＞根据＜4＞所述的触摸传感器，其中，
第1透明层的折射率比第2透明层的折射率大0.01以上。
＜6＞根据＜4＞或＜5＞所述的触摸传感器，其中，
保护层具有通孔，第2布线部通过通孔电连接相邻的多个第2岛状电极部。
＜7＞根据＜4＞～＜6＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
第1透明层、第2透明层、第3透明层及第4透明层是转印层。
＜8＞根据＜4＞～＜7＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
第1透明层的折射率是1.6～1.9且厚度是20nm～200nm，第2透明层的折射率是1.4以上且小于1.6且厚度是0.5μm～20μm。
＜9＞根据＜4＞～＜8＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
在第1透明层与第1电极图案及第2电极图案之间具有折射率是1.5以下且厚度是200nm以下的第7透明层。
＜10＞根据＜1＞～＜9＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
在第2布线部与第3透明层之间具有厚度是200nm以下的第6透明层，第6透明层的折射率小于第3透明层的折射率。
＜11＞根据＜10＞所述的触摸传感器，其中，
第6透明层的折射率p是1.6以下。
＜12＞根据＜11＞所述的触摸传感器，其中，
第3透明层的折射率是1.5～2.4且厚度是10nm～100nm，第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm，并且第6透明层的折射率是1.2～1.6且厚度是10nm～100nm。
＜13＞根据＜10＞～＜12＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
第6透明层是转印层。
＜14＞根据＜1＞～＜9＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
第3透明层的折射率是1.5～1.75且厚度是20nm～300nm，第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm。
＜15＞根据＜1＞～＜14＞中任一项所述的触摸传感器，其中，
在透明基材与第1电极图案及第2电极图案之间具有折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的第5透明层。
＜16＞一种触摸传感器的制造方法，其是＜1＞～＜15＞中任一项所述的制造方法，该制造方法具有：
通过转印材料的转印层的转印，在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案的带电极图案的基材的第2电极图案中的第2布线部上形成折射率p是1.5以上且厚度是200nm以下的第3透明层的工序；及
通过转印材料的转印层的转印，在第3透明层上形成折射率低于上述折射率p且厚度是0.5μm以上的第4透明层的工序。
＜17＞根据＜16＞所述的触摸传感器的制造方法，其中，
在形成第3透明层之前，还具有：
通过转印材料的转印层的转印，在带电极图案的基材上形成折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的第1透明层的工序；及
通过转印材料的转印层的转印，在带电极图案的基材上形成折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上的第2透明层。
＜18＞根据＜16＞或＜17＞所述的触摸传感器的制造方法，其中，
在形成第1透明层的工序及形成第2透明层的工序之后，并且形成第3透明层的工序之前，还具有：
通过转印材料的转印层的转印，在第2布线部上形成厚度是200nm以下并且折射率小于第3透明层的折射率的第6透明层的工序。
＜19＞根据＜18＞所述的触摸传感器的制造方法，其中，
前述第3透明层的折射率p是1.6以下。
＜20＞一种图像显示装置，其具备＜1＞～＜15＞中任一项所述的触摸传感器。
发明效果
通过本发明的一实施方式，提供一种抑制桥接布线中的光的反射且包含桥接布线的布线图案的隐蔽性优异的触摸面板。
通过本发明的另一实施方式，提供一种抑制桥接布线中的光的反射且包含桥接布线的布线图案的隐蔽性优异的触摸面板的制造方法。
通过本发明的另一实施方式，提供一种改善了包含桥接布线的布线图案的可见性的图像显示装置。
附图说明
图1是表示触摸传感器的带电极图案的基材的构成例的俯视图。
图2是表示在桥接布线上附设隐蔽层而成为难以视觉辨认电极图案的状态的触摸传感器的一实施方式的俯视图。
图3是沿图2的A-A线剖切的剖视图。
图4是表示在桥接布线上附设隐蔽层而成为难以视觉辨认电极图案的状态的触摸传感器的变形例的俯视图。
图5是表示在桥接布线上附设隐蔽层而成为难以视觉辨认电极图案的状态的触摸传感器的另一变形例的俯视图。
图6是表示在桥接布线上附设隐蔽层而成为难以视觉辨认电极图案的状态的触摸传感器的另一变形例的俯视图。
具体实施方式
以下，对本公开的触摸传感器及触摸传感器的制造方法进行详细说明。
本说明书中，利用“～”表示的数值范围是表示将记载于“～”的前后的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本公开中阶段性地记载的数值范围中，在某一数值范围记载的上限值或下限值可以替换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本公开中记载的数值范围中，在某一数值范围记载的上限值或下限值可以替换成实施例中示出的值。
本说明书中，在组合物中存在多个相当于各成分的物质时，在无特别说明的情况下，组合物中的各成分的量表示在组合物中存在的多个物质的总量。
并且，关于本说明书中的“工序”这一用语，不仅在独立的工序，而且即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要达到该工序所预期的目的，则包含于本用语中。
本说明书中，“透明”是指波长400nm～700nm下的可见光的平均透射率为80％以上的含义。因此，例如“透明层”是指波长400nm～700nm下的可见光的平均透射率为80％以上的层。“透明层”的可见光的平均透射率优选为90％以上。
并且，可见光的平均透射率是使用分光光度计而测定的值，例如能够使用Hitachi,Ltd.制造的分光光度计U-3310进行测定。
本说明书中，在无特别说明的情况下，聚合物的各结构单元的含有比率为摩尔比。
并且，本说明书中，在无特别说明的情况下，折射率为在波长550nm下使用椭偏仪测定的值。
＜触摸传感器＞
本公开的触摸传感器在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案，在第2电极图案的第2布线部上依次具有：第3透明层，折射率p是1.5以上且厚度是200nm以下；及第4透明层，折射率低于上述折射率p且厚度是0.5μm以上。
第1电极图案具有：多个第1岛状电极部，在透明基材上沿第1方向隔开间隔而配置；及第1布线部，电连接相邻的第1岛状电极部。
第2电极图案具有：多个第2岛状电极部，在透明基材上沿与第1方向交叉的第2方向隔开间隔而配置；及第2布线部，以桥接来电连接相邻的第2岛状电极部。
以往已知有在基材的同一表面上配置沿彼此交叉的两个方向分别电连接有多个电极部的电极图案且将交叉部作为桥接结构的触摸传感器。交叉部存在容易视觉辨认电极图案的倾向，尤其，以与沿一个方向连接而配置的第1电极图案桥接的方式沿另一个方向连接而配置的第2电极图案很显眼而容易损坏面板的外观。
第2电极图案是金属电极的情况下，尤其存在外观受损的倾向，但是即使第2电极图案是金属氧化物(例：Indium Tin Oxide(ITO)，氧化铟锡等)等透明电极的情况下，电极图案的可见性也不充分。因此，在桥接电极型触摸面板中，对改善沿异方向延伸的电极图案所交叉的交叉部中的电极图案的可见性进行了研究。
然而，已叙述的以往技术中，专利文献1中记载的发明中，隔着具有与电极的折射率实质上相等的折射率的高折射率的绝缘膜设置有桥接布线，但是在图案的隐蔽性方面也不充分。专利文献2中记载的发明中，将与第1图案及第2图案连结的电极布线之间的绝缘体与各图案之间的折射率设为实质上相等，但是在图案的隐蔽性方面不充分。并且，专利文献3中记载的发明中，从桥接结构侧层叠低折射率的层与高折射率的层，但是也未能实现得到所期望的图案隐蔽性。
鉴于上述，本公开的触摸传感器中如以上所述，通过如下方法可更加提高电极图案、尤其是桥接布线的隐蔽性，并有效地改善了可见性，即
具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案的带电极图案的基材中，以跨越第1电极图案的方式桥接彼此相邻的第2岛状电极部的第2电极图案的第2布线部上配置折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下的高折射率层(第3透明层)，进而在高折射率层上层叠配置折射率比高折射率层低且厚度是0.5μm以上的低折射率层(第4透明层)。
参考图1～图3，对本公开的触摸传感器的一实施方式进行说明。
图1是表示触摸传感器的局部且表示触摸传感器的带电极图案的基材的结构例的俯视图。并且，图2是表示在第2布线部(桥接布线)上附设隐蔽层而成为无法视觉辨认第1布线部及第2布线部的状态的触摸传感器的一例的俯视图，图3是沿图2的A-A线剖切的剖视图。
本公开的一实施方式的触摸传感器100中，首先如图1所示，具备在透明基材10上配设有沿彼此交叉的箭头P的方向或箭头Q的方向分别延伸的第1电极图案34及第2电极图案36的带电极图案的基材。
带电极图案的基材上遍及透明基材的广范围排列有多个第1岛状电极部12，在沿一个方向(第1方向P)排列的多个第1岛状电极部12上配设有彼此通过第1布线部16连接而延伸的第1电极图案34。由此，沿透明基材的表面上的一个方向形成有长条状电极。
另外，在配设有第1电极图案34的透明基材上遍及透明基材的广范围，沿与第1方向正交的另一个方向(第2方向Q)排列有多个第2岛状电极部14，在相邻的第2岛状电极部14上配设有通过桥接第2布线部18来彼此连接而延伸的第2电极图案36。由此，沿与透明基材的面上的第1电极图案正交的另一个方向形成有长条状电极。
接着，如图2所示，在具有带电极图案的基材上的第1布线部16及与第1布线部16交叉的第2布线部(桥接布线)18的区域中配置有隐蔽层27。以覆盖第1布线部16及第2布线部18的方式配置有隐蔽层27，由此第1布线部16及第2布线部18通过隐蔽层27被隐蔽，并成为从带电极图案的基材上方无法视觉辨认的结构。
另外，在第2岛状电极部14中通过通孔20连接有桥接布线18。
其中，将以图2中所示的A-A线切断触摸传感器的情况的剖视图示于图3中。图3是表示触摸传感器的构成例的概略剖视图。
本公开的一实施方式的触摸传感器100中，如图3所示，具有如下结构，即通过具备透明基材10，并在透明基材10上具有第1电极图案34及第2电极图案36(以下，有时将两者统称为“电极图案”。)来具备带电极图案的基材。
如图3所示，带电极图案的基材上的第1电极图案34及第2电极图案36在交叉部分中呈交叉的电极的其中一个越过另一个的桥接结构而成为彼此不导通的结构。
第1电极图案34具有在透明基材10上沿第1方向隔开间隔而配置的多个第1岛状电极部12及电连接相邻的第1岛状电极部的第1布线部16。
第1岛状电极部12及第1布线部16的折射率优选为在1.75～2.1的范围内。
第1岛状电极部12的材料并无特别限制，只要是能够形成透明导电膜的材料即可，能够使用公知的材料。作为具体的材料，例如可举出氧化铟锡(Indium Tin Oxide：ITO)、氧化锌铝(AZO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide：IZO)等金属氧化物。
第1岛状电极部12例如能够设为ITO膜、IZO膜、SiO2膜等透光性金属氧化膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag、Au等金属膜；铜镍合金等多个金属的合金膜等。
第1岛状电极部12的厚度能够设为10nm～200nm。
并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。通过ITO膜等形成导电性图案的情况下，能够参考日本专利第4506785号公报的0014～0016段等的记载。
第1岛状电极部12的形状并无特别限制，可以为正方形、长方形、菱形、台形、五边形以上的多边形等中的任一种，在容易形成细密填充结构的观点考虑，优选为正方形、菱形或六边形。
第1布线部16只要是能够彼此电连接相邻的第1岛状电极部12的部件，则无限制。第1布线部16能够应用与第1岛状电极部12相同的材料，厚度也相同。并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。
第2电极图案36具有在透明基材10上沿与第1方向交叉的第2方向隔开间隔而配置的多个第2岛状电极部14及以桥接来电连接相邻的第2岛状电极部18的第2布线部。
第2岛状电极部14及第1布线部18的折射率优选为在1.75～2.1的范围内。
第2岛状电极部14的材料并无特别限制，只要是能够形成透明导电膜的材料即可，能够使用公知的材料。具体的材料与第1岛状电极部12的材料相同。
第2岛状电极部14例如能够设为ITO膜、IZO膜、SiO2膜等透光性金属氧化膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag、Au等金属膜；铜镍合金等多个金属的合金膜等。
第2岛状电极部14的厚度能够设为10nm～200nm。
并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。通过ITO膜等形成导电性图案的情况下，能够参考日本专利第4506785号公报的0014～0016段等的记载。
第2岛状电极部14的形状并无特别限制，也可以为正方形、长方形、菱形、台形、五边形以上的多边形等中的任一种，在容易形成细密填充结构的观点考虑，优选为正方形、菱形或六边形。
第2布线部(桥接布线)18只要是能够彼此电连接相邻的第2岛状电极部14的部件，则不限制。第2布线部18能够适用与第2岛状电极部14相同的材料，厚度也相同。并且，也可以通过煅烧将非晶态ITO膜制成多晶ITO膜。
其中，第2布线部(桥接布线)18优选为透明电极的情况。通过作为透明电极而配设，设为触摸传感器的情况下的桥接布线的可见性更加显著地降低，外观品质的提高效果高。
本公开的触摸传感器中的第1电极图案34及第2电极图案36的折射率优选为在1.75～2.1的范围内。
透明基材10优选为电绝缘性基板。
作为电绝缘性基板，例如可举出玻璃基板、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜、PC(聚碳酸酯)薄膜、COP(环烯烃聚合物)薄膜、PVC(聚氯乙烯)薄膜等。
COP薄膜不仅光学均向性优异，而且尺寸稳定性、进而加工精度也优异，因此优选。另外，透明基材是玻璃基板的情况下，厚度可以为0.3mm～3mm。并且，透明基材10是树脂薄膜的情况下，厚度可以为20μm～3mm。
隐蔽层27以包含第3透明层22及第4透明层24的2层以上的多层结构构成，设置于第2布线部(桥接布线)18上而能够改善第2布线部18的可见性。
隐蔽层27可以设为以2层结构构成的方式，从提高第2布线部18的隐蔽性的观点考虑，优选为以3层以上的多层结构构成的方式。例如，在图3所示的触摸传感器中，隐蔽层27层叠第3透明层22、第4透明层24及第6透明层26这3层而形成。
关于形成隐蔽层27的第3透明层22、第4透明层24及第6透明层26的详细内容将在后面叙述。
在第1电极图案34及第2电极图案36的第2岛状电极部14上，作为保护层，从电极图案侧依次层叠有厚度薄且高折射率的第1透明层28及比第1透明层28厚且低折射率的第2透明层30。
第1透明层28以覆盖第1电极图案34及第2电极图案36的方式配设，在第1透明层28上进而配设有第2透明层30。
如图3所示，在层叠第1透明层28及第2透明层30而设置的保护层上形成有通孔20。通过该通孔，使第2布线部(桥接布线)18与在通孔20内暴露的第2岛状电极部14连接，并以跨越第1布线部16的方式在相邻的第2岛状电极部之间桥接桥接布线18，由此第2岛状电极部彼此成为电连接的状态。
如图3所示，在第1电极图案的第1布线部16与第2电极图案的桥接布线18彼此交叉的交叉部中，成为通过保护层隔离而彼此无法导通的结构。
通孔能够由如下方式形成：隔着用于对第1透明层及第2透明层形成所期望的通孔的掩模，进行光照射并图案化。
作为通孔的孔径，优选为相对于第2布线部的宽度长度小。
首先，对第1透明层28进行说明。
本公开中的第1透明层是折射率为1.6以上且厚度是200nm以下的具有透明性的层。第1透明层的折射率优选为1.6～1.9，更优选为1.65～1.8。
第1透明层的厚度优选为200nm以下，更优选为20nm～200nm，进一步优选为40nm～200nm，尤其优选为50nm～100nm。
上述中，优选为第1透明层的折射率是1.6～1.9且厚度是20nm～200nm，更优选为折射率是1.6～1.9且厚度是40nm～200nm。
第1透明层的折射率优选为比后述的第2透明层的折射率大0.01以上。
该情况下，成为在第1透明层上层叠第2透明层的结构，从与电极图案靠近侧朝向远离侧，层的折射率变低。由此，得到从外部更难以视觉辨认电极图案，且外观优异的触摸传感器。
其中，从与上述相同的理由，更优选为第1透明层的折射率比后述的第2透明层的折射率大0.10以上，进一步优选为比第2透明层的折射率大0.15以上。
第1透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM；Transmission ElectronMicroscope)而测定的平均厚度。具体而言，使用超薄切片机形成触摸面板的切片，并使用TEM对切片中的截面的5mm长度的区域进行扫描而测定第1透明层的厚度。接着，求出以等间隔划分的20个部位的厚度的测定值的算数平均作为平均厚度。
第1透明层只要是折射率是1.6以上并且膜厚是200nm以下的透明的膜，则材料并无特别限制。第1透明层例如可以使用通过溅射而形成的金属氧化物层，或者使用由后述的第1透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第1透明层例如也可以是通过将后述的转印材料的第1透明转印层转印到第1电极图案及第2电极图案上而形成，并且进行固化反应而成的层。
关于形成第1透明层的成分的详细内容，通过后述的转印材料中的第1透明转印层的说明而明确其内容。
接着，对第2透明层30进行说明。
本公开中的第2透明层是折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上的具有透明性的层。第2透明层的折射率优选为1.4以上且小于1.6，更优选为1.45～1.55。
第2透明层的厚度更优选为0.5μm～20μm，进一步优选为1μm～10μm。
尤其，第2透明层中，优选为膜厚是0.5μm～20μm且折射率是1.4以上且小于1.6。
另外，更优选为已叙述的第1透明层的膜厚是20nm～200nm且折射率是1.6～1.9并且第2透明层的膜厚是0.5μm～20μm且折射率是1.4以上且小于1.6的情况。
另外，第2透明层的厚度是使用透射型电子显微镜(TEM)来测量层叠体的截面而得到的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
本公开的触摸传感器中的第2透明层优选为由后述的第2透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第2透明层例如也可以是通过转印后述的转印材料的第2透明转印层而形成，并且进行固化反应而成的层。
作为第2透明层，优选为包含碱溶性树脂、聚合性单体及光聚合引发剂的组合物的固化物。
作为碱溶性树脂的重均分子量，优选为35,000以下，更优选为25,000以下，进一步优选为20,000以下。
关于形成第2透明层的成分的详细内容，包括碱溶性树脂、聚合性单体及光聚合引发剂在内，通过后述的转印材料中的第2透明转印层的说明而明确其内容。
作为第2透明层中的来自于碱溶性树脂的成分的含量，相对于第2透明层的固体成分优选为30质量％以上。若来自于碱溶性树脂的成分的含量为30质量％以上，则在形成为锥形形状方面优选。作为来自于碱溶性树脂的成分的含量，相对于第2透明层的固体成分更优选为40质量％～70质量％。
在第2透明层30与第2布线部18之间优选为具有折射率是1.6以上且厚度是40nm～200nm的第8透明层。
第8透明层的折射率优选为1.6～1.9，更优选为1.65～1.8。
第8透明层的厚度优选为200nm以下，更优选为40nm～200nm，进一步优选为50nm～100nm。
尤其，第8透明层中，优选为厚度是40nm～200nm且折射率是1.6～1.9。
另外，第8透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第8透明层能够与第1透明层相同的方式形成，例如能够通过将具有第8透明树脂层的转印材料的第8透明树脂层转印到伪支撑体而形成。
本公开中的第1透明层及第2透明层优选为作为通过使用后述的转印材料的转印法来转印形成的转印层来设置。若为转印层，则各层容易以均匀性高的厚度形成，因此得到稳定的折射率，通过使用光的干扰的电极图案的隐蔽性更加优异。
接着，对形成配置于第2布线部18上的隐蔽层27的第3透明层22、第4透明层24及第6透明层26进行说明。
其中，作为本发明的一实施方式，作为改善第2布线部的可见性的隐蔽层的结构，参考图3，以配设有第3透明层22、第4透明层24及第6透明层26的方式为中心来进行说明。但是，第2布线部上的隐蔽层的结构也可以为其他方式，作为本发明的其他实施方式，也可以为配设有第3透明层22及第4透明层24这2层的方式。
如图1～图3所示，第3透明层22选择性地配置于包含第1布线部及第2布线部的区域，利用与折射率低于第3透明层的后述的第4透明层24一同显现的光的干扰作用而显现第2布线部(桥接布线)的隐蔽作用。由此，能够突破性地改善电极图案中容易视觉辨认的从第2布线部的外部的可见性。
本公开中的第3透明层的折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下。
本公开中的第3透明层根据第2布线部上的层结构具有优选的折射率，优选为控制在以下的范围内。
即，本发明的一实施方式的图3所示的触摸传感器中，在第2布线部(桥接布线)18上设置有由第6透明层26、第3透明层22及第4透明层24这3层构成的隐蔽层。从提高第2布线部18的隐蔽性并且能够有效地改善可见性的观点考虑，优选为隐蔽层以3层以上的多层结构构成的方式。
在以3层以上的多层结构(3层结构)构成的方式中，第3透明层的折射率p优选为1.5～2.4，更优选为1.7～2.35。
并且，设置于桥接布线上的隐蔽层也可以为2层结构。
例如，图3中，不设置第6透明层且隐蔽层以由第3透明层22及第4透明层24构成的2层结构构成的方式中，第3透明层的折射率p优选为1.5～1.75，更优选为1.65～1.7。
并且，本公开中的第3透明层根据第2布线部上的层结构具有优选的厚度，优选为控制在以下的范围内。
即，如上述，在第2布线部(桥接布线)18上设置有第6透明层26、第3透明层22及第4透明层24这3层结构的隐蔽层的方式中，第3透明层的厚度优选为10nm～100nm，更优选为10nm～50nm。
并且，如上述，例如图3中，不设置第6透明层且隐蔽层以由第3透明层22及第4透明层24构成的2层结构构成的方式中，第3透明层的厚度是300nm以下，更优选为20nm～300nm，进一步优选为50nm～80nm。
另外，如图3所示，在第2布线部(桥接布线)18上具有3层结构的隐蔽层的方式中，优选为第3透明层的折射率p是1.5～2.4且厚度是10nm～100nm，更优选为折射率p是1.7～2.35且厚度是10nm～50nm。
并且，在桥接布线18上具有2层结构的隐蔽层的方式中，优选为第3透明层的折射率p是1.5～1.75且厚度是20nm～300nm，更优选为折射率p是1.65～1.7且厚度是50nm～80nm。
另外，第3透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第3透明层只要是折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下的透明的膜，则材料并无特别限制。对第3透明层，例如可以使用通过真空蒸镀法或溅射法形成的金属氧化物层或使用由后述的第3透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第3透明层例如也可以是通过将后述转印材料的第3透明转印层转印到至少第2电极图案的第2布线部18上而形成，并且进行固化反应而成的层。
关于形成第3透明层的成分的详细内容，通过后述的转印材料中的第1透明转印层的说明而明确其内容。
第3透明层的折射率优选为比后述第4透明层的折射率大0.01以上。
该情况下，成为在第3透明层上层叠第4透明层的结构，从与电极图案靠近侧朝向远离侧，层的折射率变低。由此，得到从外部更难以视觉辨认电极图案且外观良好的触摸传感器。
其中，从与上述相同的理由考虑，第3透明层的折射率更优选为比后述第4透明层的折射率大0.07以上，进一步优选为比第2透明层的折射率大0.15以上。
如图1～图3所示，第4透明层24选择性地配置于包含第1布线部及第2布线部的所期望区域，与折射率比第4透明层24高的第3透明层22一同显现光的干扰作用而隐蔽第2布线部，突破性地改善第2布线部的可见性。由此，能够突破性地改善电极图案中容易视觉辨认的从第2布线部的外部的可见性。
本公开中的第4透明层是折射率低于第3透明层的折射率p且厚度是0.5μm以上的具有透明性的层。第4透明层的折射率优选为1.4～1.6，更优选为1.45～1.55。
第4透明层的厚度优选为0.5μm以上，更优选为0.5μm～20μm，进一步优选为1μm～10μm。
尤其优选为第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm。
上述之中，如图3所示，更优选为在桥接布线18上具有第6透明层26、第3透明层22及第4透明层24这3层，并且第3透明层的折射率p是1.5～2.4且厚度是10nm～100nm，第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm的方式，
另外，优选为在桥接布线18上具有第6透明层26、第3透明层22及第4透明层24这3层，并且第3透明层的折射率p是1.7～2.35且厚度是10nm～50nm，第4透明层的折射率是1.45～1.55且厚度是1μm～10μm的方式。
另外，第4透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
本公开的触摸传感器中的第4透明层优选为由后述的第4透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第4透明层例如也可以是通过转印后述的转印材料的第2透明转印层而形成，并且进行固化反应而成的层。关于形成第4透明层的成分的详细内容，包括碱溶性树脂、聚合性单体及光聚合引发剂在内，通过后述的转印材料中的第4透明转印层的说明而明确其内容。
作为第4透明层，优选为包含碱溶性树脂、聚合性单体及光聚合引发剂的组合物的固化物。
作为碱溶性树脂的重均分子量，优选为35,000以下，更优选为25,000以下，进一步优选为20,000以下。
作为第4透明层中的来自于碱溶性树脂的成分的含量，相对于第4透明层的固体成分优选为30质量％以上。若来自于碱溶性树脂的成分的含量为30质量％以上，则在形成为锥形形状方面优选。作为来自于碱溶性树脂的成分的含量，更优选为相对于第4透明层的固体成分为40质量％～70质量％。
本公开中的第3透明层及第4透明层优选为作为通过使用了后述的转印材料的转印法来转印形成的转印层而设置。若为转印层，则各层容易以均匀性高的厚度而形成，因此得到稳定的折射率，且利用光的干扰的电极图案的隐蔽性更加优异。
接着，对第6透明层26进行说明。
第6透明层26在第2布线部18与比第4透明层的折射率高的第3透明层之间作为折射率比第3透明层低的低折射率层而配置。由此，在第2布线部上从远离第2布线部的观察面侧成为低折射率层/高折射率层/低折射率层的层叠结构，第2布线部的可见性的改善效果高。
第6透明层的厚度是200nm以下。
作为第6透明层的厚度，优选为10nm～100nm，更优选为10nm～50nm，进一步优选为10nm～30nm。
第6透明层的折射率优选为小于第3透明层的折射率，折射率优选为1.6以下。第6透明层的折射率比第3透明层低，由此提高桥接布线的隐蔽性，并能够更加改善包含桥接布线的电极图案的可见性。
作为第6透明层的折射率，优选为1.2～1.6，更优选为1.3～1.5，进一步优选为1.4～1.5。
上述之中，优选为第6透明层的折射率是1.3～1.5且厚度是10nm～50nm的情况。
另外，第6透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第6透明层只要是折射率比第3透明层低的低折射率层(优选为折射率是1.6以下且厚度是200nm以下的低折射率层)，则形成第6透明层的材料并无限制，除了对折射率产生影响的粒子等成分以外，能够使用与用于第1透明层及第3透明层的材料相同的材料。
第6透明层例如能够使用通过真空蒸镀法或溅射法而形成的金属氧化物层，也可以使用由后述的第6透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第6透明层优选为例如通过在至少第2电极图案的第2布线部18上转印后述的转印材料的第6透明转印层而配置于第2布线部18与第3透明层22之间的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。
关于形成第6透明层的成分的详细内容，通过后述的转印材料中的第6透明转印层(除了粒子)的说明而明确。第6透明层中所包含的粒子优选为赋予低折射率的粒子，优选为折射率是1.6以下(优选为1.5以下)的无机氧化物粒子，优选为SiO2等。
根据上述，更优选为第3透明层、第4透明层及第6透明层具有以下的关系。
即，第3透明层的折射率是1.5～2.4且厚度是10nm～100nm，第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm，并且第6透明层的折射率是1.2～1.6且厚度是10nm～100nm。
由此，有效地抑制桥接布线的反射率，并能够更加提高包含桥接布线的布线图案的隐蔽性。
除了上述以外，图3所示的触摸传感器在第4透明层24的与第3透明层22接触的一侧相反的一侧，作为用于平坦化带电极图案的基材的上表面的透明层而配置有外涂层40。
与第4透明层24相同地，优选为将外涂层40设为折射率是1.4～1.6的层，更优选为设为1.45～1.55的层。
外涂层40的厚度并无特别限制，但是优选为将第4透明层上的厚度设为0.5μm以上，更优选为设为0.5μm～20μm。
形成外涂层40的成分的详细内容与第4透明层相同，通过后述的转印材料中的第4透明转印层的说明而明确。
外涂层40也可以设为包含第4透明层24的单一第4透明层来设置。
这一点将在后述的变形例进行说明。
接着，对第5透明层进行说明。
如图3所示，在透明基材10与第1电极图案34及第2电极图案36之间配设有第5透明层32。通过配设第5透明层32，电极图案成为夹持在第5透明层32与第1透明层～第4透明层及第6透明层之间的结构，因此在电极图案使用例如ITO膜等折射率较高的膜的情况下，具有降低电极图案的光的反射率的效果。由此，有效地改善触摸传感器中的桥接布线(第2布线部)18的可见性，桥接布线被隐蔽而外观更佳优异。
从上述理由考虑，第5透明层优选为折射率为1.6以上的高折射率层。
作为第5透明层的折射率，更优选为1.6～1.9，更优选为1.6～1.7，进一步优选为1.6～1.65。
第5透明层的厚度优选为200nm以下，更优选为40nm～200nm，进一步优选为50nm～100nm。
上述中，优选为第5透明层的折射率是1.6以上且厚度是200nm以下，更优选为折射率是1.6～1.7且厚度是50nm～100nm。
如图3所示，第5透明层32是配设于透明基材10上的层，因此作为透明基材也可以使用形成有第5透明层的透明基材。
另外，第5透明层的厚度为使用透射型电子显微镜(TEM)而测定的平均厚度，能够设为与上述第1透明层中的情况相同的方式而进行测定。
第5透明层只要是高折射率层(优选为折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的高折射率层)，则形成第5透明层的材料并无限制，能够使用与用于第1透明层及第3透明层的材料相同的材料。
第5透明层也可以使用由后述的第5透明转印层中的固化成分进行固化反应而成的固化层。
第5透明层例如优选为将后述转印材料的第5透明转印层转印于透明基材10上而配置的转印层，也可以为进行固化反应而成的层。
形成第5透明层的成分的详细内容，通过后述的转印材料中的第5透明转印层的说明而明确。
对本公开的触摸传感器的变形例进行说明。
另外，对与图1～图3所示的触摸传感器的一实施方式相同的构成赋予相同的符号，并省略其说明。
(变形例1)
参考图4对变形例1进行说明。
如图4所示，触摸传感器200是代替图3的第4透明层24在带电极图案的基材上配设有第4透明层124的方式，该第4透明层124对设置有带电极图案的基材的第1电极图案及第2电极图案的一侧的表面整体进行覆盖。
本公开的触摸传感器中，配置于第3透明层上的第4透明层是为了改善桥接布线18的可见性而设置的，因此考虑制品的形状、制造工序等条件，也可以设为不设置图3的外涂层40并覆盖至少桥接布线18而配置的方式。但是，根据情况，如图3所示，为了平坦化带电极图案的基材的表面，作为平坦化层配置外涂层40。
该情况下，图3中的外涂层40的折射率接近第4透明层24的折射率，因此无需将两层作为另一层而设置，如图4所示，第4透明层也可以作为兼具图3的外涂层的单一的层而形成。由此，能够提高制造适性。
(变形例2)
作为本公开的触摸传感器的另一变形例，参考图5对变形例2进行说明。
如图5所示，触摸传感器300是在第1透明层28与第1电极图案34及第2电极图案36之间还配设有折射率是1.5以下且厚度是200nm以下的第7透明层42的方式。
第7透明层优选为折射率为1.5以下的低折射率层，例如使用如ITO膜等的折射率较高的膜的情况下，成为在折射率是1.6以上的第1透明层与第1电极图案34及第2电极图案36之间配置折射率比第1透明层低的低折射率层的结构。由此，在第1电极图案34及第2电极图案36上配置低折射率层/高折射率层/低折射率层的层叠结构，结果能够更加降低电极图案的反射率。
(变形例3)
作为本公开的触摸传感器的另一变形例，参考图6对变形例3进行说明。
如图6所示，触摸传感器400是桥接第2电极图案的多个第2岛状电极部的第2布线部(桥接布线)18容纳于通孔内的方式。
这些结构的情况下，只要第3透明层及第4透明层配设于覆盖至少桥接布线18的位置则充分，因此如图6，与桥接布线配设一同第6透明层126、第3透明层122及第4透明层224即可。
本公开的触摸传感器中的检测方法可以为电阻膜方式、静电电容方式、超声波方式、电磁感应方式、光学方式等公知的方式中的任一种。其中，优选为静电电容方式。
作为触摸传感器的类型，能够举出所谓内嵌型(例如在日本特表2012-517051号公报的图5、图6、图7、图8中记载)、所谓外嵌型(例如在特开2013-168125号公报的图19中记载、在日本特开2012-089102号公报的图1和图5中记载)、OGS(One Glass Solution，单片玻璃触摸)型、TOL(Touch-on-Lens，镜片触摸)型(例如在日本特开2013-054727号公报的图2中记载)、其他构成(例如在日本特开2013-164871号公报的图6中记载)、各种外挂型(所谓GG、G1·G2、GFF、GF2、GF1、G1F等)。
关于具备本公开的触摸传感器及触摸传感器的后述的本公开的图像显示装置，例如能够适用“最新触摸面板技术”(2009年7月6日、Techno Times Co.,Ltd.发行)、三谷雄二监修、“触摸面板的技术与开发”、CMC出版(2004，12)、FPD International 2009Forum T-11讲课教科书、Cypress Semiconductor Corporation应用笔记AN2292等中公开的构成。
＜触摸传感器的制造方法＞
本公开的触摸传感器只要是能够制作成上述的结构的方法，则能够选择任意方法来制造，优选为通过以下所示的本公开的触摸传感器的制造方法来制造。
即，本公开的触摸传感器优选为通过如下方法来制造，该方法具有：在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案的带电极图案的基材的第2电极图案中的第2布线部上通过转印材料的转印层的转印而形成折射率p是1.50以上且厚度是200nm以下的第3透明层的工序(以下，也称为第3透明层形成工序。)；及在第3透明层上通过转印材料的转印层的转印而形成折射率低于折射率p且厚度是0.5μm以上的第4透明层的工序(以下，也称为第4透明层形成工序。)。
本公开中，在第2电极图案的第2布线部(桥接布线)上配置折射率p是1.50以上且厚度是200nm以下的高折射率层(第3透明层)，还在高折射率层上层叠配置折射率比高折射率层低且厚度是0.5μm以上的低折射率层(第4透明层)，由此电极图案中很显眼且桥接布线的隐蔽性优异，更加有效地改善可见性。
而且，通过使用了转印材料的转印法进行各透明层的形成，因此可得到具有均匀性的厚度，并提高密接性。由此，尤其可得到桥接布线的隐蔽性优异的层叠体。
在本公开的触摸传感器的制造方法中，优选为还在形成第3透明层的工序之前，具有通过转印材料的转印层的转印在带电极图案的基材上形成折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的第1透明层的工序(以下，也称为第1透明层形成工序。)；及通过转印材料的转印层的转印在带电极图案的基材上形成折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上的第2透明层的工序(以下，也称为第2透明层形成工序。)。
另外，通过配设特定的第1透明层及第2透明层，具备在具有多个第1岛状电极部的第1电极图案及具有多个第2岛状电极部的第2电极图案上层叠薄的高折射率层及比高折射率层厚并且折射率低的低折射率层的结构，因此更加提高电极图案的隐蔽性。由此，突破性地改善触摸传感器的整体中的电极图案的可见性。
而且，通过使用了转印材料的转印法进行各透明层的形成，因此得到具有均匀性的厚度，提高密接性。由此，可得到第1电极图案及第2电极图案的隐蔽性优异的层叠体。
本公开的触摸面板的制造方法中，第1透明层形成工序及第2透明层形成工序之后且第3透明层形成工序之前，优选为还具有在第2布线部上通过转印材料的转印层的转印形成折射率是1.6以下(更优选为1.55以下)且厚度是200nm以下的第6透明层的工序(也称为第6透明层形成工序。)。
第6透明层的折射率优选为小于第3透明层的折射率。第6透明层的折射率比第3透明层低，由此提高桥接布线的隐蔽性，能够更加改善包含桥接布线的电极图案的可见性。
在第2布线部上从触摸传感器的观察面侧成为低折射率层/高折射率层/低折射率层的层叠结构，因此提高第2布线部的可见性的改善效果。并且，通过使用了转印材料的转印法进行第6透明层的形成，因此得到具有均匀性的厚度，也提高密接性。由此，可得到桥接布线的隐蔽性更加优异的层叠体。
(转印材料)
接着，对本公开的触摸面板的制作中优选的转印材料进行说明。
本公开的触摸传感器的制造方法中，转印形成第3透明层及第4透明层的情况下，也可以为使用具有第3透明转印层的转印材料及具有第4透明转印层的转印材料并逐次转印第3透明层及第4透明层而形成的方式。并且，也可以为使用具有第3透明转印层及第4透明转印层的转印材料并总括转印第3透明层及第4透明层而形成的方式。
本公开的制造方法中，两方式中，从制造效率的观点考虑，优选为使用具有第3透明转印层及第4透明转印层的转印材料，总括转印第3透明层及第4透明层的方式。
从上述，本公开的制造方法优选为使用了如下转印材料的方法，该转印材料是
(i)依次具有伪支撑体、从伪支撑体侧折射率低于第3透明转印层的折射率p且厚度是0.5μm以上的第4透明转印层、折射率p是1.50以上且厚度是200nm以下的第3透明转印层及根据需要折射率小于第3透明转印层的折射率(优选为折射率是1.6以下)且厚度是200nm以下的第6透明转印层的转印材料；及
(ii)依次具有伪支撑体、从伪支撑体侧折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上的第2透明转印层、折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的第1透明转印层及根据需要折射率是1.5以下且厚度是200nm以下的第7透明转印层的转印材料。
其中，第4透明转印层是成为触摸传感器的第4透明层的层，第3透明转印层是成为触摸传感器的第3透明层的层。并且，第1透明转印层是成为触摸传感器的第1透明层的层，第2透明转印层是成为触摸传感器的第2透明层的层。
以下，对用于转印材料的材料进行说明。
(伪支撑体)
伪支撑体的材质只要具有形成薄膜时所需要的强度及柔软性，则并无特别限制。从成形性、成本的观点考虑，优选为树脂薄膜。
用作伪支撑体的薄膜优选为具有挠性且在加压下或加压及加热下不发生显著的变形、收缩或伸长的薄膜。更具体而言，作为伪支撑体，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、三醋酸纤维素(TAC)薄膜、聚苯乙烯(PS)薄膜、聚碳酸酯(PC)薄膜等，优选为双轴拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
对伪支撑体的外观也并无特别限制，可以是透明薄膜，也可以是被着色的薄膜。作为被着色的薄膜，可举出含有染色硅、氧化铝溶胶、铬盐、锆盐等的树脂薄膜。
能够通过日本特开2005-221726号公报中记载的方法等对伪支撑体赋予导电性。
以下，关于伪支撑体上的层，对第2透明转印层、第1透明转印层及第7透明转印层以及第4透明转印层、第3透明转印层及第6透明转印层进行说明。
通过使用了转印材料的转印法形成本公开的触摸面板的情况下，由第2透明转印层进行固化反应而成的层是第2透明层，由第1透明转印层进行固化反应而成的层是第1透明层，由第4透明转印层进行固化反应而成的层是第4透明层，由第3透明转印层进行固化反应而成的层是第3透明层。并且，由第6透明转印层进行固化反应而成的层是第6透明层，由第7透明转印层进行固化反应而成的层是第7透明层。
(第2透明转印层)
第2透明转印层是成为转印后的第2透明层的层。
第2透明转印层可以是例如至少包含聚合性单体及树脂的层，也可以是通过赋予能量而固化的层。第2透明转印层还可以包含聚合引发剂、通过加热能够与酸进行反应的化合物。
第2透明转印层可以是光固化性，也可以是热固化性，还可以是热固化性且光固化性。其中，从能够更加提高膜的可靠性这一观点考虑，优选为热固化性且光固化性的组合物。
即，第2透明层也可以如以下形成。
在伪支撑体上使用具有第2透明转印层的转印材料，通过转印法在被转印体上转印第2透明转印层。通过光照射对所转印的第2透明转印层进行图案化。对图案化后的第2透明转印层实施显影等处理。
本公开中的第2透明转印层可以优选为碱溶性树脂层，并能够通过弱碱水溶液进行显影。
第2透明转印层的厚度并无特别限制，能够根据目的适当选择。例如，本公开的触摸传感器是静电电容型输入装置的情况下，从透明性的观点考虑，第2透明转印层的厚度优选为1μm～20μm，更优选为2μm～15μm，进一步优选为2μm～10μm。
第2透明转印层可以由包含聚合性单体的负型材料形成。此时，强度及可靠性优异。
-树脂-
第2透明转印层能够含有树脂中的至少一种。树脂能够作为粘合剂而发挥功能。第2透明转印层中包含的树脂优选为碱溶性树脂。
从显影性的观点考虑，作为碱溶性树脂，例如优选为酸值为60mgKOH/g以上的树脂。并且，从与交联成分进行反应而热交联，并易形成强固的膜的观点考虑，优选为具有羧基的树脂。
从显影性及透明性的观点考虑，作为碱溶性树脂，优选为丙烯酸树脂。丙烯酸树脂是指具有来自于(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯中的至少一种的结构单元的树脂。
碱溶性树脂的酸值并无特别限制，但优选为酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂。
作为酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂，只要满足上述酸值的条件，并无特别限制，能够从公知的树脂中适当选择而使用。例如可举出日本特开2011-095716号公报的0025段中记载的聚合物中酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂、日本特开2010-237589号公报的0033～0052段中记载的聚合物中酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂等。
碱溶性树脂中的具有羧基的单体的共聚合比的优选范围相对于碱溶性树脂100质量％为5质量％～50质量％，更优选为5质量％～40质量％，进一步优选为20质量％～30质量％的范围内。
作为碱溶性树脂，优选为以下所示的聚合物。另外，以下所示的各结构单元的含有比率能够根据目的而适当变更。
[化学式1]
Figure BDA0002401529270000251
具体而言，碱溶性树脂的酸值优选为60mgKOH/g～200mgKOH/g，更优选为60mgKOH/g～150mgKOH/g，进一步优选为60mgKOH/g～110mgKOH/g。
本说明书中，树脂的酸值为利用JIS K0070(1992)中规定的滴定方法而测定的值。
第2透明转印层及后述的第1透明转印层均含有丙烯酸树脂的情况下，能够提高第2透明转印层与第1透明转印层之间的层间密合性。
碱溶性树脂的重均分子量优选为5,000以上，更优选为10,000以上。碱溶性树脂的重均分子量的上限值并无特别限制，也可以设为100,000。
从固化前的第2透明转印层的操作性、固化后的膜的硬度的观点考虑，树脂的含量相对于第2透明转印层的总固体成分量优选为10质量％～80质量％的范围，更优选为40质量％～60质量％的范围。若树脂的含量为80质量％以下，则单体量不会变得过于减少，良好地维持固化膜的交联密度，并且硬度优异。并且，若树脂的含量为10质量％以上，则固化前的膜不会变得过于柔软，在途中的操作性这一点上有利。
-聚合性单体-
本公开中的第2透明转印层可以含有聚合性单体。
作为聚合性单体，优选为包含具有烯属不饱和基团的聚合性单体，更优选为包含具有烯属不饱和基团的光聚合性化合物。聚合性单体优选为具有至少1个烯属不饱和基团作为光聚合性基团，除了具有烯属不饱和基团以外，还可以具有环氧基等阳离子聚合性基团。作为第2透明转印层中包含的聚合性单体，优选为具有(甲基)丙烯酰基的化合物。
第2透明转印层优选为包含具有两个烯属不饱和基团的化合物及具有至少三个烯属不饱和基团的化合物作为聚合性单体，更优选为包含具有两个(甲基)丙烯酰基的化合物及具有至少三个(甲基)丙烯酰基的化合物。
并且，从上述树脂中的羧基和聚合性单体的羧基形成羧酸酐而能够提高湿热耐性的观点考虑，优选为聚合性单体的至少1种含有羧基。
作为含有羧基的聚合性单体，并无特别限定，能够使用市售的化合物。作为市售品，例如可优选地举出ARONIX TO-2349(TOAGOSEI CO.,LTD.)、ARONIX M-520(TOAGOSEICO.,LTD.)、ARONIX M-510(TOAGOSEI CO.,LTD.)等。包含含有羧基的聚合性单体的情况下的含量相对于第2透明转印层中包含的所有的聚合性单体，优选为在1质量％～50质量％的范围使用，更优选为在1质量％～30质量％的范围使用，进一步优选为在5质量％～15质量％的范围使用。
聚合性单体优选为包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。
包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物的情况下的含量优选为第2透明转印层中所包含的所有聚合性单体为10质量％以上，更优选为20质量％以上。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物中，光聚合性基团的官能团数量即(甲基)丙烯酰基的数量优选为3官能以上，更优选为4官能以上。
具有2官能的烯属不饱和基团的聚合性单体只要是在分子内具有两个烯属不饱和基团的化合物，则并无特别限定，能够使用市售的(甲基)丙烯酸酯化合物。作为市售品，例如可优选地举出三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)、三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(DCP SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(A-NOD-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)、1,6-已二醇二丙烯酸酯(A-HD-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.)等。
具有3官能以上的烯属不饱和基团的聚合性单体只要是在分子内具有三个以上烯属不饱和基团的化合物，则并无特别限定，例如能够使用二季戊四醇(三/四/五/六)丙烯酸酯、季戊四醇(三/四)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二-三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、异三聚氰酸丙烯酸酯、甘油三丙烯酸酯等骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物。
聚合性单体的分子量优选为200～3000，更优选为250～2600，尤其优选为280～2200。
聚合性单体可以仅使用1种，也可以使用2种以上。从能够控制第2透明转印层的膜物性的观点考虑，优选为使用2种以上的聚合性单体。
其中，从改善将转印后的第2透明转印层曝光之后的膜物性的观点考虑，优选为第2透明转印层中含有的聚合性单体组合使用3官能以上的聚合性单体和2官能的聚合性单体。
使用2官能的聚合性单体的情况下，相对于第2透明转印层中包含的所有的聚合性单体，优选为在10质量％～90质量％的范围使用，更优选为在20质量％～85质量％的范围使用，进一步优选为在30质量％～80质量％的范围使用。
使用3官能以上的聚合性单体的情况下，相对于第2透明转印层中包含的所有的聚合性单体，优选为在10质量％～90质量％的范围使用，更优选为在15质量％～80质量％的范围使用，进一步优选为在20质量％～70质量％的范围使用。
第2透明转印层中除了含有树脂及聚合性单体以外，进而还能够根据目的含有各种成分。
作为任意成分，可举出聚合引发剂、通过加热能够与酸进行反应的化合物等。
-聚合引发剂-
第2透明转印层中优选为包含聚合引发剂，更优选为包含光聚合引发剂。第2透明转印层除了包含树脂、聚合性单体以外，还包含聚合引发剂，由此容易在第2透明转印层形成图案。
作为聚合引发剂，可举出日本特开2011-095716号公报中记载的0031～0042段中记载的光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如除了1,2-辛二酮、1-[4-(苯硫基)-,2-(邻苯甲酰肟)](产品名：IRGACURE OXE-01、BASF公司)的外，还可优选地举出乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(邻乙酰基肟)(产品名：IRGACURE OXE-02、BASF公司)、2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(产品名：IRGACURE 379EG、BASF公司)、2-甲基-1-(4-甲基苯硫基)-2-吗啉代丙烷-1-酮(产品名：IRGACURE 907、BASF公司)等。
第2透明转印层包含聚合引发剂时的聚合引发剂相对于第2透明转印层的固体成分的含量优选为0.01质量％以上,更优选为0.1质量％以上。并且，优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下。通过聚合引发剂的含量在上述范围，在能够更加改善转印膜中的图案形成性、与被转印体的密合性，从这一点考虑是优选的。
为了调整固化灵敏度，本公开中的第2透明转印层还能够包含选自敏化剂及阻聚剂的至少1种。
-敏化剂-
本公开中的第2透明转印层能够包含敏化剂。
敏化剂具有更加提高第2透明转印层中包含的敏化色素、聚合引发剂等针对活性放射线的灵敏度的作用，或者抑制因氧引起的聚合性化合物的聚合抑制的作用等。
作为本公开中的敏化剂的例，可举出硫醇及硫化物化合物，例如日本特开昭53-000702号公报、日本特公昭55-500806号公报、日本特开平5-142772号公报中记载的硫醇化合物、日本特开昭56-075643号公报的二硫化物化合物等。更具体而言，可举出2-巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噁唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基-4(3H)-喹唑啉、β-巯基萘基等。
作为本公开中的敏化剂的另一例，N-苯基甘氨酸等氨基氧化合物、日本特公昭48-042965号公报中记载的有机金属化合物(例如，三丁基锡乙酸酯等)、日本特公昭55-034414号公报中记载的氢予体、日本特开平6-308727号公报中记载的硫化合物(例如，三硫烷等)等。
从因聚合成长速度和链转移的平衡引起而固化速度更加提高这一观点考虑，本公开中的第2透明转印层包含敏化剂时的敏化剂的含量相对于第2透明转印层的总固体成分量优选为在0.01质量％～30质量％的范围，更优选为在0.05质量％～10质量％的范围。
本公开中的第2透明转印层包含敏化剂时，可以仅包含1种敏化剂，也可以包含2种以上。
-阻聚剂-
本公开中的第2透明转印层能够包含阻聚剂。
阻聚剂具有在制造过程中或保存过程中阻止不希望的聚合性单体的聚合的功能。
本公开的阻聚剂并无特别限制，能够根据目的使用公知的阻聚剂。作为公知的阻聚剂，例如可举出氢醌、对甲氧苯酚、二-叔丁基-对甲酚、邻苯三酚、叔丁基邻苯二酚、苯醌、4,4’-硫代双(3-甲基-6-叔丁苯酚)、2,2’-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁苯酚)、N-亚硝基苯基羟基胺亚铈盐、吩噻嗪、吩噁嗪等。
本公开中的第2透明转印层包含阻聚剂时的阻聚剂的添加量优选为相对于第2透明转印层的总固体成分为0.01质量％～20质量％。
本公开中的第2透明转印层包含阻聚剂时，阻聚剂可以仅包含1种，也可以包含2种以上。
-通过加热能够与酸进行反应的化合物-
本公开中的第2透明转印层可以含有通过加热能够与酸进行反应的化合物。
通过加热能够与酸进行反应的化合物为相较于与25℃下的酸的反应性，优选为与超过25℃进行加热之后的酸的反应性高的化合物。通过加热能够与酸进行反应的化合物优选为具有能够与因阻断剂而暂时不活性化的酸进行反应的基团，在规定的解离温度下来自于阻断剂的基团解离的化合物。
通过加热能够与酸进行反应的化合物能够举出羧氧化合物、醇化合物、胺化合物、封端异氰酸酯、环氧化合物等，优选为封端异氰酸酯。
作为用于转印膜的封端异氰酸酯，能够举出市售的封端异氰酸酯。例如能够举出异佛尔酮二异氰酸酯的甲基乙基酮肟封端化体即Takenate(注册商标)B870N(MitsuiChemicals,Inc.)、六亚甲基二异氰酸酯系封端异氰酸酯化合物即Duranate(注册商标)MF-K60B、TPA-B80E、X3071.04(均为ASAHIKASEI CHEMICALS.CORPORATION.)等。
第2透明转印层中包含的封端异氰酸酯的重均分子量优选为200～3000，更优选为250～2600，尤其优选为280～2200。
从转印后的加热工序前的操作性、加热工序后的低透湿性的观点考虑，优选为封端异氰酸酯的含量相对于第2透明转印层的总固体成分量为1质量％～30质量％的范围，更优选为5质量％～20质量％的范围。
-粒子-
第2透明转印层优选为包含粒子，从折射率及透明性的观点考虑，更优选为包含金属氧化物粒子。通过包含粒子，能够调节折射率及透光性。
作为金属氧化物粒子的种类，并无特别限制，能够使用公知的金属氧化物粒子。具体而言，能够将可用于后述的第1透明转印层的金属氧化物粒子用于第2透明转印层。其中，从抑制第2透明转印层的折射率更加低于1.6的观点考虑，更优选为金属氧化物粒子是氧化锆粒子或二氧化硅粒子，进一步优选为二氧化硅粒子。
并且，作为第2透明转印层中包含的另一添加剂，例如可举出日本专利第4502784号公报的0017段、日本特开2009-237362号公报的0060～0071段中记载的表面活性剂、公知的氟系表面活性剂、日本专利第4502784号公报的0018段中记载的热聚合抑制剂，以及在日本特开2000-310706号公报的0058～0071段中记载的其他添加剂。作为优选地用于第2透明转印层中的添加剂，可举出公知的氟系表面活性剂即MEGAFACE(注册商标)F551(DICCorporation)。
第2透明转印层涂布溶液(称为第2透明转印层形成用涂布液)并使其干燥而形成，该溶液为将用于形成至少包含聚合性单体及树脂的第2透明转印层的树脂组合物溶解于溶剂而成的溶液。
(第1透明转印层)
第1透明转印层是成为转印后的第1透明层的层。
第1透明转印层可以是包含金属氧化物粒子及树脂的层，也可以是通过赋予能量而固化的层。第1透明转印层可以是光固化性，也可以是热固化性，还可以是热固化性且光固化性。其中，若为热固化性且光固化性的层，则能够容易制膜。
第1透明转印层由负型材料形成的情况下，第1透明转印层除了包含金属氧化物粒子、树脂(优选为碱溶性树脂)以外，还优选为包含聚合性单体及聚合引发剂，根据需要也可以包含其他添加剂。
第1透明转印层的折射率优选为1.60～2.00，更优选为1.63～1.90，进一步优选为1.65～1.80。
第1透明转印层的厚度优选为20nm～200nm，更优选为40nm～100nm。
作为控制第1透明转印层的折射率的方法，并无特别限制，可举出单独使用所希望的折射率的透明树脂层的方法、使用添加了金属粒子或金属氧化物粒子等粒子的透明树脂层的方法、使用金属盐和高分子的复合体的方法等。
-树脂-
第1透明转印层优选为包含树脂。
树脂可以具有作为粘合剂的功能。作为树脂，优选为碱溶性树脂。关于碱溶性树脂的详细内容，其与第2透明转印层中的碱溶性树脂为相同含义。
其中，更优选为具有来自于(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯中的至少一种的结构单元的树脂((甲基)丙烯酸树脂)，更优选为具有来自于(甲基)丙烯酸的结构单元及来自于(甲基)丙烯酸烯丙酯的结构单元的(甲基)丙烯酸树脂。并且，第1透明转印层中，能够举出具有酸基的树脂的铵盐作为优选的树脂的例。
第1透明转印层形成用组合物可以包含具有酸基的单体的铵盐作为固化成分。
-具有酸基的树脂的铵盐-
作为具有酸基的树脂的铵盐，并无特别限制，可优选地举出(甲基)丙烯酸树脂的铵盐。
制备第1透明转印层形成用组合物时，优选为包含制备第1透明转印层形成用涂布液的工序，该第1透明转印层形成用涂布液包含将具有酸基的树脂溶解于氨水溶液，酸基的至少一部分铵盐化的树脂。
--具有酸基的树脂--
具有酸基的树脂为对于水性溶剂(优选为水或碳原子数1～3的低级醇与水的混合溶剂)具有溶解性的树脂，能够无特别限制地从公知的树脂中适当选择。作为具有酸基的树脂的优选的例，可举出具有1价的酸基(羧基等)的树脂。第1透明转印层中包含的树脂尤其优选为具有羧基的树脂。
作为具有酸基的树脂，优选为碱溶性树脂。
碱溶性树脂能够从线状有机高分子聚合物且为在分子中具有至少1个促进碱溶性的基团的聚合物中适当选择。作为促进碱溶性的基团，即酸基，例如可举出羧基、磷酸基、磺酸基等，优选为羧基。
作为碱溶性树脂，优选地可举出在主链包含选自(甲基)丙烯酸及苯乙烯中的结构单元的共聚物。关于碱溶性树脂，更优选地可举出溶解于有机溶剂且能够通过弱碱水溶液而显影的树脂。
并且，作为具有酸基的树脂，优选为具有酸基的(甲基)丙烯酸树脂，优选为(甲基)丙烯酸/乙烯化合物的共聚树脂，尤其优选(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸烯丙酯的共聚树脂。
其中，第1透明转印层作为树脂优选为包含具有来自于(甲基)丙烯酸的结构单元及来自于苯乙烯的结构单元的共聚物，更优选为包含具有来自于(甲基)丙烯酸的结构单元、来自于苯乙烯的结构单元及具有乙烯氧基链的来自于(甲基)丙烯酸酯的结构单元的共聚物。
用于第1透明转印层的树脂包含具有来自于(甲基)丙烯酸的结构单元及来自于苯乙烯的结构单元的共聚物，还包含具有来自于(甲基)丙烯酸的结构单元、来自于苯乙烯的结构单元及具有乙烯氧基链的来自于(甲基)丙烯酸酯的结构单元的共聚物，由此形成第1透明转印层时的膜厚均匀性变得更加良好。
具有酸基的树脂可以使用市售品。具有酸基的树脂的市售品并无特别限制，能够根据目的适当选择。作为具有酸基的树脂的市售品，例如可举出TOAGOSEI CO.,LTD.制造的ARUFON(ARUFON：注册商标)UC3000、UC3510、UC3080、UC3920、UF5041(以上，产品名)，BASF公司制造的JONCRYL(注册商标)67、JONCRYL611、JONCRYL678、JONCRYL690、JONCRYL819(以上，产品名)等。
具有酸基的树脂相对于第1透明转印层，优选为包含10质量％～80质量％，更优选为包含15质量％～65质量％，尤其优选为包含20质量％～50质量％。
-其他树脂-
第1透明转印层还可以包含不具有酸基的其他树脂。不具有酸基的其他树脂并无特别限制。
-金属氧化物粒子-
第1透明转印层优选为包含金属氧化物粒子。通过包含金属氧化物粒子，能够调节折射率及透光性。
根据所使用的树脂、聚合性单体的种类及含量、所使用的金属氧化物粒子的种类等，能够使第1透明转印层以任意比例包含金属氧化物粒子。
作为金属氧化物粒子的种类，并无特别限制，能够使用公知的金属氧化物粒子。从透明性的观点及在第1透明转印层的折射率的范围控制折射率的观点考虑，优选为第1透明转印层含有氧化锆粒子(ZrO2粒子)、Nb2O5粒子、氧化钛粒子(TiO2粒子)及二氧化硅粒子(SiO2粒子)中的至少1个。其中，从容易将转印层的折射率调整为1.6以上的观点考虑，更优选为第1透明转印层中的金属氧化物粒子是氧化锆粒子或氧化钛粒子，进一步优选为氧化锆粒子。
作为二氧化硅粒子，例如可举出胶体二氧化硅、烟雾状二氧化硅等，作为上市的市售品的例，可举出Nissan Chemical Industries,LTD.制的SNOWTEX ST-N(胶体二氧化硅；不挥发量20％)、SNOWTEX ST-C(胶体二氧化硅；不挥发量20％)等。
作为氧化锆粒子的例，可举出Nissan Chemical Industries,LTD.制的NanoUseOZ-S30M(甲醇分散液、不挥发量30.5质量％)、Sakai Chemical Industry Co.,Ltd.制的SZR-CW(水分散液、不挥发量30质量％)、SZR-M(甲醇分散液、不挥发量30质量％)等。
作为氧化钛粒子的例，TAYCA Co.,Ltd.制的TS-020(水分散液、不挥发量25.6质量％)、Nissan Chemical Industries,LTD.制二氧化钛溶胶R(甲醇分散液、不挥发量32.1质量％)等。
作为金属氧化物粒子，使用氧化锆粒子的情况下，从转印后难以看到具有金属氧化物粒子的第2树脂层的缺陷且能够制作透明电极图案的隐蔽性良好的层叠体这一观点考虑，氧化锆粒子的含量相对于第1透明转印层的总固体成分质量优选为1质量％～95质量％，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为40质量％～85质量％。
作为金属氧化物粒子而使用氧化钛粒子时，从转印后难以看到具有金属氧化物粒子的第1透明转印层的缺陷且能够制作透明电极图案的隐蔽性良好的层叠体这一观点考虑，氧化钛粒子的含量相对于第1透明转印层的总固体成分质量优选为1质量％～95质量％，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为40质量％～85质量％。
金属氧化物粒子的折射率优选为高于由从第1透明转印层形成用涂布液除去了金属氧化物粒子的组合物形成的透明膜的折射率。
具体而言，转印膜的第1透明转印层优选为含有折射率是1.5以上的金属氧化物粒子，更优选为含有折射率是1.55以上的粒子，进一步优选为含有折射率是1.7以上的粒子，尤其优选为含有1.9以上的粒子，最优选为含有2以上的粒子。
其中，折射率是1.5以上是指波长550nm的光中的平均折射率是1.5以上。另外，平均折射率是指将相对于波长550nm的光的折射率的测量值的总和除以测量点的数的值。
从雾度等光学性能的观点考虑，金属氧化物粒子的平均一次粒径优选为100nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为20nm以下。
金属氧化物粒子的平均一次粒径为通过基于透射型电子显微镜(TEM)的观测而测定任意100个粒子的直径，并通过100个直径的算数平均而求得的值。
第1透明转印层可以单独包含1种金属氧化物粒子，也可以包含2种以上的金属氧化物粒子。
金属氧化物粒子的第1透明转印层中的含量与金属氧化物粒子的种类无关，相对于第1透明转印层的总固体成分质量优选为1质量％～95质量％，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为40质量％～85质量％。金属氧化物粒子的含量在已叙述的范围内，由此更加提高转印后的透明电极图案的隐蔽性。
第1透明转印层除了包含树脂及金属氧化物粒子以外，还能够包含其他成分。
-金属氧化抑制剂-
第1透明转印层优选为包含金属氧化抑制剂。
作为金属氧化抑制剂，优选为具有在分子内包含氮原子的芳香环的化合物。
并且，作为金属氧化抑制剂，上述包含氮原子的芳香环优选为选自包括咪唑环、***环、四唑环、噻二唑环及这些与其他芳香环的稠环的组中的至少一个环，更优选为上述包含氮原子的芳香环为咪唑环或咪唑环与其他芳香环的稠环。
作为上述其他芳香环，可以是碳环，也可以是杂环，但优选为碳环，更优选为苯环或萘环，进一步优选为苯环。
作为优选的金属氧化抑制剂，优选地例示出咪唑、苯并咪唑、四唑、巯基噻二唑及苯并***，更优选为咪唑、苯并咪唑及苯并***。作为金属氧化抑制剂，可以使用市售品，例如能够优选地使用包含苯并***的JOHOKU CHEMICAL CO.,LTD.、BT120等。
并且，金属氧化抑制剂的含量相对于第1透明转印层的总质量，优选为0.1质量％～20质量％，更优选为0.5质量％～10质量％，进一步优选为1质量％～5质量％。
-聚合性单体-
关于第1透明转印层，从使其固化而提高膜的强度等的观点考虑，优选为包含聚合性单体或热聚合性单体等聚合性单体。第1透明转印层可以仅包含前述具有酸基的单体作为聚合性单体。
作为用于第1透明转印层的聚合性单体，能够使用日本专利第4098550号的0023～0024段中记载的聚合性化合物。其中，能够优选地使用季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇环氧乙烷加成物的四丙烯酸酯。可以单独使用这些聚合性单体，也可以组合多个而使用。使用季戊四醇四丙烯酸酯与季戊四醇三丙烯酸酯的混合物时，季戊四醇三丙烯酸酯比率以质量比计优选为0％～80％，更优选为10％～60％。
作为用于第1透明转印层的聚合性单体，能够举出由下述结构式1表示的水溶性的聚合性单体、季戊四醇四丙烯酸酯混合物(NK ESTER A-TMMT：SHIN-NAKAMURA CHEMICALCO.,LTD.、含有约10％的三丙烯酸酯作为杂质)、季戊四醇四丙烯酸酯与三丙烯酸酯的混合物(NK ESTER A-TMM3LM-N SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.、三丙烯酸酯37％)、季戊四醇四丙烯酸酯与三丙烯酸酯的混合物(NK ESTER A-TMM-3L SHIN-NAKAMURA CHEMICALCO.,LTD.、三丙烯酸酯55％)、季戊四醇四丙烯酸酯与三丙烯酸酯的混合物(NK ESTER A-TMM3 SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO.,LTD.、三丙烯酸酯57％)、季戊四醇环氧乙烷加成物的四丙烯酸酯(KAYARAD RP-1040Nippon Kayaku Co.,Ltd.)等。
[化学式2]
Figure BDA0002401529270000361
作为用于第1透明转印层的其他聚合性单体，优选为对于水或碳原子数1～3的低级醇与水的混合溶剂等水性溶剂具有溶解性的聚合性单体、具有酸基的单体。对于水性溶剂具有溶解性的聚合性单体，可举出具有羟基的单体、在分子内具有环氧乙烷或聚环氧丙烷及磷酸基的单体。作为具有酸基的单体，优选为含有羧基的聚合性单体，能够更优选地使用(甲基)丙烯酸或其衍生体等的丙烯酸单体，其中，尤其优选ARONIX TO-2349(TOAGOSEICO.,LTD.)。
-聚合引发剂-
第1透明转印层能够包含聚合引发剂。
作为用于第1透明转印层的聚合引发剂，优选为对于水性溶剂具有溶解性的聚合引发剂。作为对于水性溶剂具有溶解性的聚合引发剂，可举出IRGACURE 2959、下述结构式2的光聚合引发剂等。
[化学式3]
Figure BDA0002401529270000371
以上，以转印膜为负型材料的情况为中心进行了说明，但转印膜也可以是正型材料。转印膜是正型材料的情况下，前述第1透明转印层中使用例如日本特开2005-221726号公报中记载的材料等，但是并不限于已叙述的材料。
用于形成第1透明转印层的第1透明转印层形成用涂布液能够包含溶剂。
作为溶剂，例如可举出二丙酮醇(3.2mPa·s)、乙二醇(32.5mPa·s)、丙二醇(56mPa·s)、异丁醇(4.2mPa·s)等。
(第3透明转印层)
第3透明转印层是成为转印后的第3透明层的层。
第3透明转印层的折射率及厚度与已叙述的第3透明层相同。具体而言，形成由3层以上构成的隐蔽层的方式中，折射率优选为1.5～2.4，更优选为1.7～2.35。并且，隐蔽层是2层结构的方式中，优选为1.5～1.75，更优选为1.65～1.7。
在第2布线部(桥接布线)18上形成由2层以上构成的隐蔽层的情况下，第3透明转印层的厚度是300nm以下，更优选为20nm～300nm，进一步优选为50nm～80nm。并且，隐蔽层是3层结构的方式中，第3透明层的厚度优选为10nm～100nm，更优选为10nm～50nm。
第3透明转印层能够与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同地形成。
第3透明转印层中所使用的成分能够使用与可用于第1透明转印层的成分相同的成分。
(第4透明转印层)
第4透明转印层是成为转印后的第4透明层的层。
第4透明转印层的折射率及厚度与已叙述的第4透明层相同。具体而言，优选为折射率低于第3透明转印层的折射率且厚度是0.5μm以上的具有透明性的层。第4透明转印层的折射率优选为1.4～1.6，更优选为1.45～1.55。并且，第4透明层的厚度优选为0.5μm以上，更优选为0.5μm～20μm。
第4透明转印层能够与用于转印形成已叙述的第2透明层的第2透明转印层相同地形成。
第4透明转印层中所使用的成分能够使用与可用于第2透明转印层的成分相同的成分。
(第5透明转印层)
第5透明转印层是折射率值接近第3透明层的高折射率层，是成为转印后的第5透明层的层。
第5透明转印层的折射率及厚度与已叙述的第5透明层相同。具体而言，折射率更优选为1.6～1.9，更优选为1.6～1.7。并且，第5透明转印层的厚度优选为200nm以下，更优选为40nm～200nm。
第5透明转印层能够与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同地形成。
(第6透明转印层)
第6透明转印层是折射率值低于第3透明层的低折射率层，是成为转印后的第6透明层的层。
第6透明转印层的折射率及厚度与已叙述的第6透明层相同。具体而言，优选为折射率是1.6以下且厚度是200nm以下。
从调整成低折射率的观点考虑，优选为第6透明转印层使用折射率低的粒子，除此以外，能够使用与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同的成分而形成。
作为折射率低的粒子，二氧化硅、优选为中空粒子等无机粒子，例如可举出胶体二氧化硅、烟雾状二氧化硅、中空二氧化硅等。作为上市的市售品的例，可举出NissanChemical Industries,LTD.制的SNOWTEX(注册商标)ST-N(胶体二氧化硅；不挥发量20％)、SNOWTEX ST-C(胶体二氧化硅；不挥发量20％)、JGC Catalysts and Chemicals Ltd.制的Thrylya 1110(中空二氧化硅)、Nittetsu Mining Co.,Ltd.制的SiliNax(中空二氧化硅)等。
(第7透明转印层)
第7透明转印层是折射率值低于第1透明层的低折射率层，是成为转印后的第7透明层的层。
第7透明转印层的折射率及厚度与已叙述的第7透明层相同。具体而言，折射率优选为1.5以下。并且，厚度优选为200nm以下，更优选为50nm以下。
从调整成低折射率的观点考虑，优选为第7透明转印层使用折射率低的粒子，除此以外，能够使用与用于转印形成已叙述的第1透明层的第1透明转印层相同的成分而形成。
作为折射率低的粒子，与第6透明转印层的粒子相同，例如优选为二氧化硅、中空粒子等无机粒子。
转印材料除了已叙述的各种透明转印层以外，在不损害效果的范围内也可以具有热塑性树脂层、中间层、保护膜等其他任意的层。
本公开的触摸传感器的制造方法中，优选为还具有在第1透明层形成工序及第2透明层形成工序中所形成的第1透明层及第2透明层中形成通孔的工序。
关于通孔的形成，由感光性材料形成第1透明转印层及第2透明转印层的情况下，能够通过将由感光性材料形成的感光性层曝光成图案状而显影来进行。并且，第1透明转印层及第2透明转印层不具有感光性的情况下，在形成第1透明转印层及第2透明转印层之后，能够利用所谓的使用了蚀刻阻剂的蚀刻法形成通孔。
并且，本公开的触摸传感器的制造方法可以具有如图3所示在第3透明层形成工序及第4透明层形成工序中形成的第3透明层及第4透明层上还形成外涂层的工序。
曝光成图案状的方法并无特别限制，可以通过利用了光掩膜的面曝光进行，也可以通过利用激光束的扫描曝光来进行。并且，也可以通过使用了透镜的折射式曝光，也可以通过使用了反射镜的反射式曝光。并且，也可以利用接触式曝光、接近式曝光、缩小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式进行。关于光源，优选为g射线、h射线、i射线、j射线等紫外线。作为光源种类，例如可举出金属卤素灯、高压汞灯及发光二极管(LED)。
并且，曝光后的显影中通常使用碱显影液。
＜图像显示装置＞
本公开的图像显示装置具备已叙述的本公开的触摸传感器。然而，改善图像显示装置的来自于图像显示部中的内部电极布线的图案的可见性，并成为外观上良好的显示画面。
图像显示装置是具备静电电容型输入装置等触摸面板的显示装置，例如包括有机电致发光(EL)显示装置、液晶显示装置等。
实施例
以下，通过实施例对本发明的实施方式进行进一步具体说明。但是，本发明的实施方式只要不超过其主旨，则并不限定于以下的实施例。另外，只要没有特别的限定，“份”及“％”为质量基准。
另外，聚合物中的组成比只要无特别说明，则是摩尔比。
并且，只要无特别说明，折射率是在波长550nm下通过椭圆偏振计测量的值。
以下所示的实施例中，关于树脂的重均分子量，在下述的条件下通过凝胶渗透色谱仪(GPC)而进行。校准曲线根据TOSOH CORPORATION制“标准试样TSK standard,polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”、“A-1000”、“正丙苯”这8个样品而制作。
<条件>
GPC：HLC(注册商标)-8020GPC(TOSOH CORPORATION制)
管柱：TSKgel(注册商标)、Super MultiporeHZ-H(TOSOH CORPORATION、4.6mmID×15cm)3根
洗脱液：THF(四氢呋喃)
试样浓度：0.45质量％
流速：0.35ml/min
样品注入量：10μl
测量温度：40℃
检测器：差示折射计(RI)
＜第2透明转印层形成用涂布液的制备＞
通过成为以下的表1中所示的组成的成分及含量，制备出作为第2透明转印层形成用涂布液的材料A-1～A-4。
[表1]
Figure BDA0002401529270000411
[化学式4]
Figure BDA0002401529270000412
＜第1透明转印层形成用涂布液的制备＞
接着，通过成为下述表2中记载的组成的成分及含量，制备了第1透明转印层形成用涂布液即材料B-1～B-4。
[表2]
Figure BDA0002401529270000421
[化学式5]
Figure BDA0002401529270000422
＜图案电极保护用转印膜的制作＞
-图案电极保护用转印膜1(实施例1～13、15、比较例2)-
使用狭缝状喷嘴将涂布量调整为干燥后的膜厚成为3μm的涂布量，作为第2透明转印层形成用将材料A-1、A-2或A-4涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上。涂布之后，在80℃的干燥区域使涂布膜中的溶剂挥发而形成了第2透明转印层。以成为下述表4的组合的方式，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为表4中记载的厚度的量，并用狭缝状喷嘴在第2透明转印层上涂布了第1透明转印层形成用材料B-1。之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第1透明转印层。
接着，在第1透明转印层的表面作为保护膜压接了厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护膜/第1透明转印层(第1透明层)/第2透明转印层(第2透明层)/伪支撑体的层叠结构的图案电极保护用转印膜1。
-图案电极保护用转印膜2(实施例14)-
使用狭缝状喷嘴将涂布量调整为干燥后的膜厚成为3μm的涂布量，作为第2透明转印层形成用将材料A-1涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上。涂布之后，在80℃的干燥区域使涂布膜中的溶剂挥发而形成了第2透明转印层。以成为下述表4的组合的方式，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为表4中记载的厚度的量，并用狭缝状喷嘴在第2透明转印层上涂布了第1透明转印层形成用材料B-4。之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第1透明转印层。
接着，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为表4的膜厚的量，使用狭缝状喷嘴在第1透明转印层上涂布了材料B-3之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第7透明转印层。
接着，在第7透明转印层的表面作为保护膜压接了厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护膜/第7透明转印层(第7透明层)/第1透明转印层(第1透明层)/第2透明转印层(第2透明层)/伪支撑体的层叠结构的图案电极保护用转印膜2。
-图案电极保护用转印膜3(实施例16、比较例1)-
使用狭缝状喷嘴将涂布量调整为干燥后的膜厚成为3μm的涂布量，作为第2透明转印层形成用将材料A-1涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上。涂布之后，在80℃的干燥区域使涂布膜中的溶剂挥发而形成了第2透明转印层。接着，在第2透明转印层的表面作为保护膜压接了厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护膜/第2透明转印层(第2透明层)/伪支撑体的层叠结构的图案电极保护用转印膜3。
＜桥接布线保护用转印膜的制作＞
-桥接布线保护用转印膜1(实施例1～7、15～16、比较例2)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为5μm的涂布量，作为第4透明转印层形成用将材料A-1～A-4中的任一种涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上，在80℃的干燥区域使涂布膜中的溶剂挥发而形成了第4透明转印层。以成为下述表4的组合的方式，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为表4的膜厚的量，使用狭缝状喷嘴在第4透明转印层上涂布了第3透明转印层形成用材料B-2、B-3或B-4。之后，在70℃的干燥温度下干燥而形成了第3透明转印层。
接着，在第3透明转印层的表面作为保护膜压接了厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护膜/第3透明转印层(第3透明层)/第4透明转印层(第4透明层)/伪支撑体的层叠结构的桥接布线保护用转印膜1。
-桥接布线保护用转印膜2(实施例8、10～14)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为5μm的涂布量，作为第4透明转印层形成用将材料A-1、A-2、A-4中的任一种涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上，在80℃的干燥区域使涂布膜中的溶剂挥发而形成了第4透明转印层。以成为下述表4的组合的方式，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为表4的膜厚的量，使用狭缝状喷嘴在第4透明转印层上涂布了第3透明转印层形成用材料B-2或B-4。之后，在70℃的干燥温度下干燥而形成了第3透明转印层。
接着，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为表4的膜厚的量，使用狭缝状喷嘴在第3透明转印层上涂布了材料B-3之后，在70℃的干燥温度下干燥涂布膜而形成了第6透明转印层。
接着，在第6透明转印层的表面作为保护膜压接了厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护膜/第6透明转印层(第6透明层)/第3透明转印层(第3透明层)/第4透明转印层(第4透明层)/伪支撑体的层叠结构的桥接布线保护用转印膜2。
-桥接布线保护用转印膜3(实施例9)-
使用狭缝状喷嘴，将涂布量调整成干燥后的膜厚成为5μm的涂布量，作为第3透明转印层形成用将材料A-1涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上，在80℃的干燥区域使涂布膜中的溶剂挥发而形成了第4透明转印层。
接着，在第4透明转印层的表面作为保护膜压接了厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
如上所述，制作了具有保护膜/第4透明转印层(第4透明层)/伪支撑体的层叠结构的桥接布线保护用转印膜3。
＜外涂用转印膜的制作＞
使用狭缝状喷嘴，调整成干燥后的膜厚成为10μm的涂布量，将材料A-1涂布于厚度16μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜即伪支撑体上，在温度80℃下干燥涂布膜而形成了外涂层。在所形成的外涂层的表面压接保护膜(厚度12μm的聚丙烯薄膜)，从而制作了外涂用转印膜。
＜带透明膜的基材的制作＞
使用高频振荡器在下述条件下对膜厚38μm及折射率1.53的环烯烃树脂薄膜进行了3秒钟的电晕放电处理来实施表面改性，从而制作了透明薄膜基板(透明基材)。
<条件>
输出电压：100％
输出：250W
电极：直径1.2mm的线电极
电极长度：240mm
工作电极之间：1.5mm
接着，使用狭缝状喷嘴将下述表3所示的材料-C涂布于透明薄膜基板的电晕放电处理面。之后，照射紫外线(积算光量：300mJ/cm2)，在约110℃下进行干燥，由此形成了折射率1.60及膜厚80nm的透明膜(图3所示的第5透明层32)。
如上所述，制作了带透明膜的基材(图3所示的符号10A)。
[表3]
Figure BDA0002401529270000471
[化学式6]
Figure BDA0002401529270000472
＜带电极图案的基材的制作＞
将上述带透明膜的基材10A导入到真空腔室内，使用SnO2含有率是10质量％的ITO靶(铟:锡＝95:5(摩尔比))，通过直流(DC)磁控溅射(条件：带透明膜的基材10A的透明薄膜基板10的温度150℃、氩气压力：0.13Pa、氧气压力：0.01Pa)，在带透明膜的基材10A的第5透明层32上形成了ITO膜(厚度：40nm、折射率：1.82)。
由此，得到了在透明薄膜基板10上层叠第5透明层32及透明的ITO膜的基材。ITO膜的表面电阻是80Ω/□(Ω每平方)。
接着，通过公知的化学蚀刻法蚀刻ITO膜来使其图案化。由此，在透明薄膜基板10上制作了在第5透明膜上具有电极图案的带电极图案的基材。
其中，电极图案包含沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案。如图1～图3所示，第1电极图案具有沿透明薄膜基板10上的第1方向P隔开间隔而形成的多个第1岛状电极部12及电连接相邻的第1岛状电极部12的第1布线部16。并且，第2电极图案具有沿透明薄膜基板10上的与第1方向P交叉的第2方向Q隔开间隔而形成的多个第2岛状电极部14。
以下所示的实施例及比较例中，如表4所示，使用图案电极保护用转印膜1～3、桥接布线保护用转印膜1～3、外涂用转印膜制作了触摸传感器。
(实施例1～16、比较例1～2)
＜触摸传感器的制作＞
-透明层叠体的制作-
准备了在上述制作的图案电极保护用转印膜1～3。
剥离所使用的图案电极保护用转印膜的保护膜，使图案电极保护用转印膜的剥离面与带电极图案的基材的透明膜及透明电极图案的形成面接触。而且，以下述条件在带电极图案的基材上层叠图案电极保护用转印膜，从而得到了透明层叠体。
<条件>
透明薄膜基板10的温度：40℃
橡胶辊的温度：110℃
线压：3N/cm
输送速度：2m/分钟
接着，将曝光掩模(通孔形成用掩模)的表面与透明层叠体的伪支撑体的表面之间的距离设定为125μm，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi High-TechElectronic Engineering Co.,Ltd.)，经由伪支撑体对透明层叠体将i射线以曝光量100mJ/cm2曝光成图案状。
之后，从透明层叠体剥离伪支撑体，使用温度为32℃的碳酸钠2质量％水溶液对剥离面(第2透明转印层的表面)进行了60秒钟的清洗处理。清洗处理之后，从超高压清洗喷嘴进一步对第2透明转印层的表面喷射超纯水，从而去除了残渣。
接着，对第2透明转印层的表面喷吹空气来去除水分，并在温度145℃下实施了30分钟的后烘烤处理。
此时，如图1～图3所示，位于透明薄膜基板10上的第2电极图案中的第2岛状电极部14上的第1透明层28及第2透明层30中形成了通孔20，该通孔20用于连接第2岛状电极部14与桥接布线(第2布线部)18，该桥接布线(第2布线部)18用于桥接相互相邻的两个第2岛状电极部14之间，并电连接第2岛状电极部14彼此。
如以上方式，制作了在透明薄膜基板10上从透明薄膜基板10侧依次层叠第5透明层32、第1电极图案及第2电极图案、第1透明层28及第2透明层30的透明层叠体。
其中，第1透明层是图案电极保护用转印膜1的第1透明转印层的固化层，第2透明层是图案电极保护用转印膜1的第2透明转印层的固化层。
-桥接布线(第2布线部)的形成-
接着，以与上述＜带电极图案的基材的制作＞相同的方式，在透明层叠体的具有第1透明层28及第2透明层30等的一侧的整个表面形成了厚度40nm的ITO膜。而且，通过公知的方法，去除了除了欲要形成连接相邻的第2岛状电极部14之间的桥接布线18的部分的区域的ITO膜。如上所述，如图1～图3所示，形成了以在第1透明层28及第2透明层30上跨越第1布线部的方式桥接相邻的2个第2岛状电极部14来连接的桥接布线(第2布线部)18。
-桥接布线保护用转印层的形成-
准备了在上述制作的桥接布线保护用转印膜1～3。
剥离所使用的桥接布线保护用转印膜的保护膜，使桥接布线保护用转印膜的剥离面与带电极图案的薄膜的桥接布线形成面接触。而且，以下述条件在带电极图案的薄膜上层叠了桥接布线保护用转印膜，从而制作了层叠体。
<条件>
透明薄膜基板10的温度：40℃
橡胶辊的温度：110℃
线压：3N/cm
输送速度：2m/分钟
另外，实施例9中，使用桥接布线保护用转印膜的保护膜3来转印第4透明转印层之前，在带电极图案的薄膜的桥接布线形成面上通过真空蒸镀法蒸镀了厚度20nm的SiO2层(折射率1.46的低折射率层)。之后，通过公知的化学蚀刻法蚀刻SiO2层来使其图案化，由此在桥接布线上形成了SiO2层。
进而，在SiO2层形成面通过真空蒸镀法蒸镀了厚度10nm的Nb2O5层(折射率2.33的高折射率层)。之后，通过公知的化学蚀刻法蚀刻Nb2O5层来使其图案化。如上所述，在桥接布线上形成了SiO2层及Nb2O5层。
接着，如上所述，剥离了桥接布线保护用转印膜3的保护膜，使桥接布线保护用转印膜3的剥离面与带电极图案的薄膜的Nb2O5层上接触。而且，如上述那样在带电极图案的薄膜上层叠了桥接布线保护用转印膜3，从而制作了层叠体。
之后，将曝光掩模(布线图案的外涂用石英曝光掩模)的表面与层叠体的伪支撑体的表面之间的距离设定成125μm，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi high-tech electronic engineering)，经由伪支撑体对层叠体(具体而言，由第3透明层及第4透明层构成的桥接布线保护用转印层或第6透明层、由第3透明层及第4透明层构成的桥接布线保护用转印层)将i射线以曝光量100mJ/cm2曝光成图案状。
接着，从层叠体剥离伪支撑体，在带电极图案的薄膜上转印了桥接布线保护用转印层。由此，在图3所示的桥接布线18上形成有桥接布线保护用转印层即隐蔽层27。用温度32℃的碳酸钠2质量％水溶液对剥离后的剥离面即第4透明层的表面进行了60秒钟的清洗处理。对清洗处理后的第4透明层的表面从超高压清洗喷嘴喷射超纯水，由此去除了残渣。
接着，对第4透明层的表面吹喷空气来去除第4透明层上的水分，并在温度145℃下进行了30分钟的后烘烤处理。
另外，在实施例15及实施例16中，上述＜带透明膜的基材的制作＞中，在环烯烃树脂薄膜上未设置使用了材料-C的第5透明膜，除此以外，进行了与实施例1相同的操作。
准备剥离了保护膜的外涂用转印膜，在层叠体的第4透明层的表面以下述条件层叠了外涂用转印膜。而且，剥离伪支撑体，由此将外涂层转印到第4透明层24的整体。
得到了外涂层转印到层叠体的第4透明层的表面的附外涂层的透明层叠体。
<条件>
透明薄膜基板10的温度：40℃
橡胶辊的温度：110℃
线压：3N/cm
输送速度：2m/分钟
之后，将曝光掩模(布线图案的外涂用石英曝光掩模)的表面与伪支撑体的表面之间的距离设定成125μm，使用具有超高压汞灯的接近型曝光机(Hitachi High-Tech FineSystems Corporation.)，经由伪支撑体对带外涂层的透明层叠体将i射线以曝光量100mJ/cm2曝光成图案状。
接着，从带外涂层的透明层叠体剥离伪支撑体，用温度32℃的碳酸钠2质量％水溶液对剥离面(外涂层的表面)进行了60秒钟的清洗处理。对清洗处理后的外涂层的表面从超高压清洗喷嘴喷射超纯水，由此去除了残渣。
接着，对外涂层的表面喷吹空气来去除了外涂层上的水分，之后在温度145℃下进行了30分钟的后烘烤处理。
如以上方式，制作了具有图3所示的层叠结构的触摸传感器。
＜评价1＞
如上述那样制作并对触摸传感器进行了以下的测量及评价。将评价结果示于表4中。
(1)电极图案的隐蔽性
关于在上述实施例及比较例中分别制作的具有图3所示的结构的触摸传感器，在透明薄膜基板10的表面使用透明粘接胶带(产品名：OCA胶带8171CL、3M Japan Limited制)粘贴黑色的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)材料，遮挡了透明薄膜基板10的表面整体。
接着，在暗室内放置触摸传感器，从触摸传感器的外涂层侧(与粘贴黑色的PET材料侧相反的一侧)照射荧光灯的光，将反射到外涂层侧的反射光从相对于外涂层的法线方向呈锐角方向的倾斜方向用目视进行了观察。此时，按照下述评价基准对观察的电极图案的外形进行了评价。
评价中，A、B及C是实用上允许范围，优选为A及B，更优选为A。
<评价基准>
A：即使从远离触摸传感器10cm的位置凝视，也无法视觉辨认桥接布线，从远离触摸传感器30cm的位置目视时，也无法视觉辨认桥接布线。
B：若从远离触摸传感器10cm的位置凝视，则能够稍微视觉辨认桥接布线，从远离触摸传感器30cm的位置目视时，无法视觉辨认桥接布线。
C：若从远离触摸传感器10cm的位置凝视，则稍微视觉辨认桥接布线，从远离触摸传感器30cm的位置目视时，也稍微视觉辨认桥接布线。
D：若从远离触摸传感器10cm的位置凝视，则能够清晰地视觉辨认桥接布线，从远离触摸传感器30cm的位置目视时，也能够稍微视觉辨认桥接布线。
E：若从远离触摸传感器10cm的位置凝视，则清晰地视觉辨认桥接布线，从远离触摸传感器30cm的位置目视时，也能够清晰地视觉辨认桥接布线。
(2)电极图案的反射率
关于在上述实施例及比较例中分别制作的具有图3所示的结构的触摸传感器，使用分光光度计V-570(JASCO Corporation制)，测量了各触摸传感器相对于D65光源的反射率。
[表4]
Figure BDA0002401529270000531
*1：从第1透明层的折射率减去第2透明层的折射率的折射率差
*2：从第3透明层的折射率减去第4透明层的折射率的折射率差
如表4所示，在实施例1～16中，降低电极图案中的反射率，尤其容易进行视觉辨认的桥接布线也被隐蔽而外观更加优异。
实施例中，相对于配设于桥接布线上的隐蔽层由第3透明层及第4透明层这2层构成的实施例1～7，在配设于桥接布线上的隐蔽层由第6透明层、第3透明层及第4透明层这3层构成的实施例8～14中，相对于桥接布线的隐蔽性高，更加改善了包含桥接布线的电极图案的可见性。
并且，在第3透明层的厚度是60nm的实施例1中可知，与较厚地形成第3透明层的实施例2相比，更加改善了桥接布线的可见性。关于第3透明层中所使用的粒子，在使用了ZrO2的实施例1及使用TiO2将折射率设为1.7的实施例4中，反射率均抑制成较低，桥接布线的可见性也优异。
从通过向第4透明层添加粒子来使折射率相对于实施例1变化的实施例5～7的结果可知，通过将第4透明层的折射率设为1.6以下，能够抑制反射率，结果能够改善桥接布线的可见性。
接着，如上述那样在桥接布线上设置折射率比第3透明层低的第6透明层，在桥接布线上设置由3层构成的隐蔽层的实施例8中可知，与实施例4相比，进一步改善了桥接布线的可见性。该观点也与如实施例9那样用蒸镀膜形成第3透明层及第6透明层的情况相同。实施例9中，第3透明层的折射率提高到2.33，但是与隐蔽层是3层结构的情况下的折射率的优选的范围(1.5～2.4)是2层结构的情况不同，因此与实施例8同样地，与实施例4相比，进一步改善了桥接布线的可见性。
并且，在桥接布线上设置折射率比第3透明层低的第6透明层，在桥接布线上设置由3层构成的隐蔽层的实施例10、11中可知，也同样地相对于实施例5、7，分别进一步改善了桥接布线的可见性。
在与实施例8的对比中，在第2透明层中包含粒子而改变折射率的实施例12～13中，折射率在第2透明层的优选的折射率的范围(1.4以上且小于1.6)内，反射率及隐蔽性与实施例8相等。
并且，实施例14中，将实施例8的第1透明层的粒子代替成TiO2粒子，进而附设第7透明层，由此第1透明层的折射率在优选范围内有所提高，成为在第1透明层上层叠折射率比第1透明层低的层的结构。由此，反射率被抑制得更进一步低，从而有利于桥接布线的可见性的改善。
从实施例1与实施例15的对比可知，通过成为由保护层(第1透明层及第2透明层)及第5透明层夹持第1电极图案及第2电极图案的结构，反射率被抑制得更低。
并且，从实施例15与实施例16的对比可知，通过成为除了第2透明层以外还具有第1透明层的结构，反射率被抑制得较低，也得到了桥接布线的可见性的改善效果。
另一方面，未设置第3透明层而仅配置第4透明层的比较例1中，不仅反射率高，桥接布线的隐蔽性也显著劣化。并且，第3透明层的折射率低于第4透明层的折射率的比较例2中，反射率虽与比较例1相比良好但是高于各实施例，与各实施例相比桥接布线的隐蔽性也显著劣化。
＜图像显示装置(触摸面板)的制作＞
在由日本特开2009-047936号公报的0097～0119中记载的方法制造的液晶显示元件上贴合了在上述实施例及比较例中分别制作的具有图3所示的结构的触摸传感器，进而贴合前面玻璃板，通过公知的方法制作了静电电容型输入装置即具备触摸传感器的图像显示装置。
＜评价2＞
图像显示装置的触摸传感器中，未视觉辨认电极图案。并且，触摸传感器中也无气泡等缺陷，显示特性优异。
符号说明
10-透明薄膜基板,10A-带透明膜的基材,12-第1岛状电极部,14-第2岛状电极部,16-第1布线部,18-第2布线部(桥接布线),20-通孔,22、122-第3透明层,24、124、224-第4透明层,26、126-第6透明层,27-隐蔽层,28-第1透明层,30-第2透明层,32-第5透明层,34-第1电极图案,36-第2电极图案,40-外涂层,42-第7透明层,100、200、300、400-触摸传感器,P-第1方向(多个第1岛状电极部的排列方向),Q-第2方向(多个第2岛状电极部的排列方向)。

Claims (20)

1.一种触摸传感器，其在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案，
所述第1电极图案具有：多个第1岛状电极部，在所述透明基材上沿第1方向隔开间隔而配置；及第1布线部，电连接相邻的所述第1岛状电极部，
所述第2电极图案具有：多个第2岛状电极部，在所述透明基材上沿与所述第1方向交叉的第2方向隔开间隔而配置；及第2布线部，以桥接来电连接相邻的所述第2岛状电极部，
在所述第2布线部上依次具有：第3透明层，折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下；及第4透明层，折射率低于所述折射率p且厚度是0.5μm以上。
2.根据权利要求1所述的触摸传感器，其中，
所述第3透明层的折射率比所述第4透明层的折射率大0.01以上。
3.根据权利要求1或2所述的触摸传感器，其中，
所述第2布线部是透明电极。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的触摸传感器，其中，
在所述第1电极图案及所述第2电极图案的所述第2岛状电极部上具有保护层，
所述保护层在所述第1电极图案及所述第2电极图案的所述第2岛状电极部上依次具有：第1透明层，折射率是1.6以上且厚度是200nm以下；及第2透明层，折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上。
5.根据权利要求4所述的触摸传感器，其中，
所述第1透明层的折射率比所述第2透明层的折射率大0.01以上。
6.根据权利要求4或5所述的触摸传感器，其中，
所述保护层具有通孔，
所述第2布线部通过所述通孔电连接相邻的所述多个第2岛状电极部。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的触摸传感器，其中，
所述第1透明层、所述第2透明层、所述第3透明层及所述第4透明层是转印层。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的触摸传感器，其中，
所述第1透明层的折射率是1.6～1.9且厚度是20nm～200nm，
所述第2透明层的折射率是1.4以上且小于1.6并且厚度是0.5μm～20μm。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的触摸传感器，其中，
在所述第1透明层与所述第1电极图案及所述第2电极图案之间具有折射率是1.5以下且厚度是200nm以下的第7透明层。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的触摸传感器，其中，
在所述第2布线部与所述第3透明层之间具有厚度是200nm以下的第6透明层，所述第6透明层的折射率小于所述第3透明层的折射率。
11.根据权利要求10所述的触摸传感器，其中，
所述第6透明层的折射率p是1.6以下。
12.根据权利要求10或11所述的触摸传感器，其中，
所述第3透明层的折射率是1.5～2.4且厚度是10nm～100nm，
所述第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm，并且
所述第6透明层的折射率是1.2～1.6且厚度是10nm～100nm。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的触摸传感器，其中，
所述第6透明层是转印层。
14.根据权利要求1至9中任一项所述的触摸传感器，其中，
所述第3透明层的折射率是1.5～1.75且厚度是20nm～300nm，
所述第4透明层的折射率是1.4～1.6且厚度是0.5μm～20μm。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的触摸传感器，其中，
在所述透明基材与所述第1电极图案及所述第2电极图案之间具有折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的第5透明层。
16.一种触摸传感器的制造方法，其是权利要求1至15中任一项所述的触摸传感器的制造方法，所述制造方法具有：
通过转印材料的转印层的转印，在透明基材的同一面上具备沿彼此交叉的方向分别延伸的第1电极图案及第2电极图案的带电极图案的基材的、所述第2电极图案中的第2布线部上，形成折射率p是1.5以上且厚度是300nm以下的第3透明层的工序；及
通过转印材料的转印层的转印，在所述第3透明层上形成折射率低于所述折射率p且厚度是0.5μm以上的第4透明层的工序。
17.根据权利要求16所述的触摸传感器的制造方法，其中，
在形成所述第3透明层之前，还具有：
通过转印材料的转印层的转印，在所述带电极图案的基材上形成折射率是1.6以上且厚度是200nm以下的第1透明层的工序；及
通过转印材料的转印层的转印，在所述带电极图案的基材上形成折射率低于1.6且厚度是0.5μm以上的第2透明层的工序。
18.根据权利要求16或17所述的触摸传感器的制造方法，其中，
在形成所述第1透明层的工序及形成所述第2透明层的工序之后，并且形成所述第3透明层的工序之前，还具有：
通过转印材料的转印层的转印，在所述第2布线部上形成厚度是200nm以下且折射率小于所述第3透明层的折射率的第6透明层的工序。
19.根据权利要求18所述的触摸传感器的制造方法，其中，
所述第3透明层的折射率p是1.6以下。
20.一种图像显示装置，其具备权利要求1至15中任一项所述的触摸传感器。
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