TWI637671B - 轉印膜、轉印膜的製造方法、透明積層體、透明積層體的製造方法、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種轉印膜，可形成不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。本發明提供一種轉印膜及其製造方法、透明積層體及其製造方法、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置，轉印膜依序具有暫時支撐體、於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接配置的第一硬化性透明樹脂層、及於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接配置的第二硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總個體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
Description
本發明是有關於一種轉印膜、轉印膜的製造方法、透明積層體、透明積層體的製造方法、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置。詳細而言，本發明是有關於一種能以靜電電容的變化的形式檢測手指的接觸位置的靜電電容型輸入裝置及可用於該靜電電容型輸入裝置中的透明積層體、用於製造透明積層體的轉印膜及轉印膜的製造方法、使用該轉印膜的透明積層體的製造方法、以及具備該靜電電容型輸入裝置作為構成要素的圖像顯示裝置。
於行動電話、汽車導航(car navigation)、個人電腦(personal computer，PC)、售票機、銀行的終端等電子設備中，近年來於液晶裝置等的表面上配置有平板(tablet)型的輸入裝置，一面參照液晶裝置的圖像顯示區域中顯示的指示圖像，一面使手指或觸控筆(touch pen)等接觸顯示有該指示圖像的部位，藉此
可進行與指示圖像相對應的資訊的輸入。
此種輸入裝置(觸控面板)中，有電阻膜型、靜電電容型等。然而，電阻膜型的輸入裝置由於為膜與玻璃的2片結構且為將膜下壓而使之短路(short)的結構，故有運作溫度範圍窄、或不耐經時變化的缺點。
相對於此，靜電電容型的輸入裝置具有只要簡單地於一片基板上形成透光性導電膜即可的優點。於該靜電電容型的輸入裝置中，例如有以下類型：使電極圖案於相交叉的方向上延伸，於手指等接觸時，偵測電極間的靜電電容變化而檢測輸入位置(例如參照下述專利文獻1~專利文獻3)。
於使用該些靜電電容型輸入裝置時，例如存在以下問題：於光源反射眩光時的自正反射附近稍許偏離的位置，透明電極圖案顯眼而外觀不良等視認性的問題。相對於此，於專利文獻1中記載：於基板上形成氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)圖案，僅於ITO圖案的上側將包含SiO2等低折射率介電質材料的層、與包含Nb2O5等高折射率介電質材料的層交替積層，藉此藉由該些各層的光干涉效果使透明電極圖案隱密(stealth)化，成為中性(neutral)的色調。
於專利文獻2中記載：於基板上形成ITO圖案之前，僅於ITO圖案的下側積層SiO2等的低折射率層與Nb2O5等的高折射率層後形成ITO圖案，藉此可防止透明電極圖案形狀顯現。
於專利文獻3中記載：於基板上形成ITO圖案之前，僅於ITO
圖案的下側積層SiO2等的低折射率層與Nb2O5等的高折射率層後形成ITO圖案，藉此可使透明電極圖案或圖案彼此的交叉部不顯眼。
作為該些文獻中記載的透明絕緣層或透明保護膜等透明膜的形成方法，已知有各種方法。此處，於液晶顯示器或有機電致發光(Electroluminescence，EL)顯示器上具備靜電電容型觸控面板的智慧型電話(smartphone)或平板PC中，已開發、發表了前面板(直接以手指接觸的面)使用康寧(Corning)公司的大猩猩玻璃(Gorilla Glass)所代表的強化玻璃者。另外，於前面板的一部分中形成有用以設置感壓(利用按壓而非靜電電容變化的機械機構)開關的開口部者已上市銷售。該些強化玻璃由於強度高，加工困難，故於形成開口部時通常於強化處理前形成開口部後，進行強化處理。
於專利文獻4或專利文獻5中，作為透明絕緣層或透明保護膜的形成方法，於使用有機材料的情形時僅記載了進行塗佈的方法。然而，若欲藉由專利文獻4或專利文獻5中記載的塗佈法使用專利文獻3或專利文獻4中記載的材料於所述具有開口部的強化處理後的基板上形成透明絕緣層或透明保護膜，則存在以下的問題：產生抗蝕劑成分自開口部中的洩漏或滲出，而需要進行將滲出部分去除的步驟，導致生產效率明顯降低。
另一方面，於專利文獻6及專利文獻7中記載有一種彩色濾光片用轉印材料，且提出將轉印材料層壓(laminate)於基板
上。然而該些文獻中，雖提及用於液晶顯示裝置中，但關於改善其ITO圖案視認性則未作研究，另外，亦未記載對靜電電容型的輸入裝置應用轉印材料。
近年來，為了消除看到透明電極圖案的問題，已知有將如下透明積層體用於靜電電容型的輸入裝置中的方法，所述透明積層體為將第一透明膜、透明電極圖案、第二透明膜、透明保護膜依序積層且將各層的折射率控制於特定範圍內的構成(參照專利文獻8)。專利文獻8中，第二透明膜及透明保護膜是分別使用不同的轉印膜依序轉印。
[專利文獻1]日本專利特開2010-86684號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-152809號公報
[專利文獻3]日本專利特開2010-257492號公報
[專利文獻4]國際公開WO2010-061744號公報
[專利文獻5]日本專利特開2010-061425號公報
[專利文獻6]日本專利特開2007-334045號公報
[專利文獻7]日本專利特開2008-107779號公報
[專利文獻8]日本專利特開2014-10814號公報
相對於此，本發明者等人對該些專利文獻1~專利文獻
3中記載的層構成進行了研究，結果得知，看到透明電極圖案，依然無法完全解決看到透明電極圖案的問題。
本發明所欲解決之課題在於提供一種轉印膜，其可形成不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。
本發明者等人發現，藉由使用如下轉印膜，可解決於透明電極圖案上轉印有第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性樹脂層的構成的透明積層體的看到透明電極圖案的問題，所述轉印膜以各構件直接接觸的方式鄰接而具有暫時支撐體、以及以特定的組成含有金屬氧化物粒子的第一硬化性透明樹脂層及以特定的組成含有金屬氧化物粒子的第二硬化性透明樹脂層、或低折射率的第一硬化性透明樹脂層及以特定的組成含有金屬氧化物粒子的高折射率的第二硬化性透明樹脂層。
用以解決所述課題之具體手段即本發明如下。
<1>一種轉印膜，依序具有暫時支撐體、於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層、以及於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<2>一種轉印膜，依序具有：
暫時支撐體；第一硬化性透明樹脂層，於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置；及第二硬化性透明樹脂層，於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<3>如<1>或<2>所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層的折射率為1.5~1.53。
<4>如<1>至<3>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.6以上。
<5>如<1>至<4>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.65以上。
<6>如<1>至<5>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的膜厚為500nm以下。
<7>如<1>至<6>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的膜厚為110nm以下。
<8>如<1>至<7>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
<9>如<1>至<8>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第
一硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物及光聚合起始劑。
<10>如<1>至<9>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
<11>如<1>至<10>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層含有折射率1.55以上的金屬氧化物粒子作為金屬氧化物粒子。
<12>如<1>至<11>中任一項所記載的轉印膜，較佳為金屬氧化物粒子的折射率為1.9以上。
<13>如<1>至<12>中任一項所記載的轉印膜，較佳為金屬氧化物粒子為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物及銻/錫氧化物的任一種或兩種以上。
<14>如<1>至<13>中任一項所記載的轉印膜，較佳為金屬氧化物粒子為氧化鋯，且相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有40質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<15>如<1>至<13>中任一項所記載的轉印膜，較佳為金屬氧化物粒子為氧化鈦，且相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有30質量%~70質量%的金屬氧化物粒子。
<16>如<1>至<15>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物。
<17>如<1>至<16>中任一項所記載的轉印膜，較佳為
第一硬化性樹脂層及第二硬化性樹脂層均為熱硬化性樹脂層。
<18>如<1>至<17>中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性樹脂層及第二硬化性樹脂層含有丙烯酸系樹脂。
<19>一種轉印膜的製造方法，包括：於暫時支撐體上，(b)以暫時支撐體與第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的第一硬化性透明樹脂層上直接形成第二熱硬化性透明樹脂層的步驟，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<20>一種轉印膜的製造方法，包括：於暫時支撐體上，(b)以暫時支撐體與第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的第一硬化性透明樹脂層上直接形成第二熱硬化性透明樹脂層的步驟，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<21>一種透明積層體的製造方法，包括以下步驟：於透明
電極圖案上依序積層如<1>至<18>中任一項所記載的轉印膜的第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
<22>如<21>所記載的透明積層體的製造方法，較佳為更包括將暫時支撐體去除的步驟。
<23>如<21>或<22>所記載的透明積層體的製造方法，較佳為透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
<24>一種透明積層體，其是利用如<21>至<23>中任一項所記載的透明積層體的製造方法所製造。
<25>一種透明積層體，具有透明電極圖案、與透明電極圖案鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層、及與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<26>一種透明積層體，具有：透明電極圖案；第二硬化性透明樹脂層，與透明電極圖案鄰接而配置；及第一硬化性透明樹脂層，與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透
明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
<27>如<25>或<26>所記載的透明積層體，較佳為透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
<28>如<27>所記載的透明積層體，較佳為於透明膜基板的兩面上分別具有透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
<29>如<27>所記載的透明積層體，較佳為於透明電極圖案的與形成有第二硬化性透明樹脂層之側為相反側，更具有含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜、或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜。
<30>如<29>所記載的透明積層體，較佳為將透明膜配置於透明電極圖案與透明膜基板之間。
<31>如<25>至<30>中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
<32>一種靜電電容型輸入裝置，其是使用如<1>至<18>中任一項所記載的轉印膜而製作，或含有如<24>至<31>中任一項所記載的透明積層體。
<33>一種圖像顯示裝置，具備如<32>所記載的靜電電容型輸入裝置作為構成要素。
進而，以下構成亦為本發明的較佳態樣。
[1]一種轉印膜，依序具有暫時支撐體、於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層、及於第一硬
化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.6以上。
[2]如[1]所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層的折射率為1.5~1.53。
[3]如[1]或[2]所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.65以上。
[4]如[1]至[3]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的膜厚為500nm以下。
[5]如[1]至[4]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層的膜厚為110nm以下。
[6]如[1]至[5]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
[7]如[1]至[6]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物及光聚合起始劑。
[8]如[1]至[7]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
[9]如[1]至[8]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層含有折射率1.55以上的微粒子。
[10]如[1]至[9]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第二硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物。
[11]如[1]至[10]中任一項所記載的轉印膜，較佳為第一硬化
性樹脂層及第二硬化性樹脂層均為熱硬化性樹脂層。
[12]一種轉印膜的製造方法，包括：於暫時支撐體上，(b)以暫時支撐體與第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的第一硬化性透明樹脂層上直接形成第二熱硬化性透明樹脂層的步驟，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.55以上。
[13]一種透明積層體的製造方法，包括以下步驟：於透明電極圖案上依序積層如[1]至[12]中任一項所記載的轉印膜的第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
[14]如[13]所記載的透明積層體的製造方法，較佳為更包括將暫時支撐體去除的步驟。
[15]如[13]或[14]所記載的透明積層體的製造方法，較佳為透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
[16]一種透明積層體，其是利用如[13]至[15]中任一項所記載的透明積層體的製造方法所製造。
[17]一種透明積層體，具有透明電極圖案、與透明電極圖案鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層、及與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，第二硬化性透
明樹脂層的折射率為1.6以上。
[18]如[17]所記載的透明積層體，較佳為透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
[19]如[18]所記載的透明積層體，較佳為於透明膜基板的兩面上分別具有透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
[20]如[17]至[19]中任一項所記載的透明積層體，較佳為於透明電極圖案的與形成有第二硬化性透明樹脂層之側為相反側，更具有折射率為1.6~1.78且膜厚為55nm~110nm的透明膜。
[21]如[20]所記載的透明積層體，較佳為將透明膜配置於透明電極圖案與透明膜基板之間。
[22]如[17]至[21]中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
[23]一種靜電電容型輸入裝置，其是使用如[1]至[11]中任一項所記載的轉印膜而製作，或含有如[16]至[22]中任一項所記載的透明積層體。
[24]一種圖像顯示裝置，具備如[23]所記載的靜電電容型輸入裝置作為構成要素。
根據本發明，可提供一種轉印膜，其可形成不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。
1‧‧‧透明基板(透明膜基板或前面板)
2‧‧‧遮罩層
3‧‧‧透明電極圖案(第一透明電極圖案)
3a‧‧‧墊部分
3b‧‧‧連接部分
4‧‧‧透明電極圖案(第二透明電極圖案)
5‧‧‧絕緣層
6‧‧‧其他導電性要素
7‧‧‧第一硬化性透明樹脂層(較佳為具有透明保護層的功能)
8‧‧‧開口部
10‧‧‧靜電電容型輸入裝置
11‧‧‧透明膜
12‧‧‧第二硬化性透明樹脂層(亦可具有透明絕緣層的功能)
13‧‧‧透明積層體
21‧‧‧依序積層有透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層的區域
22‧‧‧非圖案區域
26‧‧‧暫時支撐體
29‧‧‧保護剝離層(保護膜)
30‧‧‧轉印膜
α‧‧‧圓錐角
圖1A為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的構成的一例的剖面概略圖。
圖1B為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的構成的另一例的剖面概略圖。
圖2為表示本發明的透明積層體的一例的說明圖。
圖3為表示本發明的透明電極圖案與非圖案區域的關係的一例的說明圖。
圖4為表示形成有開口部的透明基板的一例的俯視圖。
圖5為表示形成有遮罩層的透明積層體的一例的俯視圖。
圖6為表示形成有第一透明電極圖案的透明積層體的一例的俯視圖。
圖7為表示形成有第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的透明積層體的一例的俯視圖。
圖8為表示形成有與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素的透明積層體的一例的俯視圖。
圖9為表示金屬奈米線剖面的說明圖。
圖10為表示透明電極圖案的端部的圓錐形狀的一例的說明圖。
圖11為表示本發明的透明積層體的構成的一例的剖面概略圖。
圖12為表示本發明的轉印膜的構成的一例的剖面概略圖。
以下，對本發明的轉印膜、轉印膜的製造方法、透明積層體、透明積層體的製造方法、靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置加以說明。以下記載的構成要件的說明有時是根據本發明的具代表性的實施態樣或具體例來進行，但本發明不限定於此種實施態樣或具體例。再者，本說明書中使用「~」所表示的數值範圍是指包含「~」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。
本說明書中，各層的折射率只要未特別明確記載，則是指550nm的波長下的折射率。
[轉印膜]
本發明的轉印膜的第1態樣依序具有暫時支撐體、於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層、及於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
本發明的轉印膜的第2態樣依序具有暫時支撐體、於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層、及於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體
成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
藉由設定為此種構成，可形成不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。雖不拘於任何理論，但藉由減小透明電極圖案(較佳為ITO)與第二硬化性透明樹脂層的折射率差、以及第二硬化性透明樹脂層與第一硬化性透明樹脂層的折射率差，光反射減少而不易看到透明電極圖案，可改善視認性。尤其於本發明的轉印膜的第2態樣中，相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，且相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，藉此意味著使第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率。對於本領域技術人員而言，可理解含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子的第二硬化性透明樹脂層的折射率高於含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子的第一硬化性透明樹脂層的折射率。因此，本領域技術人員可理解相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分而第一硬化性透明樹脂層含有10質量%以下的金屬氧化物粒子的數值意義(臨界性)。再者，關於第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%的金屬氧化物粒子的態樣，記載於後述實施例1中。
以下，對本發明的轉印膜的較佳態樣加以說明。再者，本發
明的轉印膜較佳為靜電電容型輸入裝置的透明絕緣層用或透明保護層用。
<暫時支撐體>
本發明的轉印膜具有暫時支撐體。
暫時支撐體可使用具有可撓性且於加壓下、或加壓及加熱下不產生明顯的變形、收縮或伸長的材料。此種支撐體的例子可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜、三乙酸纖維素膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜等，其中尤佳為雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯膜。
對暫時支撐體的厚度並無特別限制，通常為5μm~200μm的範圍，就操作容易性、通用性等方面而言，尤其較佳為10μm~150μm的範圍。
另外，暫時支撐體可為透明，亦可含有染料化矽、氧化鋁溶膠、鉻鹽、鋯鹽等。
另外，可藉由日本專利特開2005-221726號公報中記載的方法等對暫時支撐體賦予導電性。
<第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層>
本發明的轉印膜的第1態樣具有於暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層、及於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.6以上。
本發明的轉印膜的第2態樣依序具有於暫時支撐體上以直接
接觸的方式鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層、及於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層可為熱硬化性，亦可為光硬化性，亦可為熱硬化性且光硬化性。其中，就轉印後進行熱硬化而可賦予膜的可靠性的觀點而言，較佳為第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層至少為熱硬化性透明樹脂層，就轉印後進行光硬化而容易製膜、且製膜後進行熱硬化而可賦予膜的可靠性的觀點而言，更佳為第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層為熱硬化性透明樹脂層且光硬化性透明樹脂層。
再者，本說明書中為便於說明，於將本發明的轉印膜的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層轉印至透明電極圖案上，使該些層進行光硬化後該些層失去光硬化性的情形時，無論該些層是否具有熱硬化性，均分別繼續稱為第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層。進而，有時亦使該些層進行光硬化後進行熱硬化，但於該情形時，亦無論該些層是否具有硬化性，均分別繼續稱為第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層。
(第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的材料)
只要滿足如上所述的折射率的範圍，則第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的材料並無特別限制。
本發明的轉印膜可為負型材料亦可為正型材料。
於本發明的轉印膜為負型材料的情形時，較佳為於第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層中含有金屬氧化物粒子、樹脂(較佳為鹼可溶性樹脂)、聚合性化合物、聚合起始劑或聚合起始系。進而，可使用添加劑等，但不限於此。
本發明的轉印膜中，第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層可為透明樹脂膜，亦可為無機膜。
無機膜可使用日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報等中所用的無機膜，就控制折射率的觀點而言，較佳為使用該些文獻中記載的低折射率材料與高折射率材料的積層結構的無機膜、或低折射率材料與高折射率材料的混合膜的無機膜。低折射率材料及高折射率材料可較佳地使用所述日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報中所用的材料，將該些文獻的內容併入至本說明書中。
無機膜亦可為SiO2與Nb2O5的混合膜，於該情形時，更佳為藉由濺鍍所形成的SiO2與Nb2O5的混合膜。
本發明中，第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層較佳為樹脂膜，更佳為透明樹脂膜。
控制透明樹脂膜的折射率的方法並無特別限制，可單獨使用所需折射率的透明樹脂膜，亦可使用添加有金屬氧化物粒子或者金屬微粒子或金屬氧化物微粒子等微粒子的透明樹脂膜。
為了調節折射率或透光性，用於透明樹脂膜的樹脂組成物較佳為含有金屬氧化物粒子。由於金屬氧化物粒子的透明性高，具有透光性，故可獲得折射率高且透明性優異的正型感光性樹脂組成物。
金屬氧化物粒子較佳為折射率高於包含去除該粒子的材料的樹脂組成物的折射率，具體而言，更佳為於具有400nm~750nm的波長的光下的折射率為1.50以上的粒子，尤佳為折射率為1.55以上的粒子，進而尤佳為折射率為1.70以上的粒子，進而更尤佳為1.90以上的粒子，最佳為2.00以上的粒子。
此處，所謂於具有400nm~750nm的波長的光下的折射率為1.50以上，是指於具有所述範圍的波長的光下的平均折射率為1.50以上，無需使於具有所述範圍的波長的所有光下的折射率為1.50以上。另外，平均折射率為將對具有所述範圍的波長的各光的折射率的測定值之總和除以測定點的個數所得的值。
再者，金屬氧化物粒子的金屬中，亦包含硼(B)、矽(Si)、鍺(Ge)、砷(As)、銻(Sb)、碲(Te)等半金屬。
透光性且折射率高的金屬氧化物粒子較佳為含有鈹(Be)、鎂
(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鐿(Yb)、鑥(Lu)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋅(Zn)、硼(B)、鋁(Al)、矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銻(Sb)、鉍(Bi)、碲(Te)等原子的氧化物粒子，更佳為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物、銻/錫氧化物，進而佳為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋯，尤佳為氧化鈦、氧化鋯。二氧化鈦尤其較佳為折射率高的金紅石型。為了賦予分散穩定性，該些金屬氧化物粒子亦可利用有機材料對表面進行處理。
就樹脂組成物的透明性的觀點而言，金屬氧化物粒子的平均一次粒徑較佳為1nm~200nm，尤佳為3nm~80nm。此處，粒子的平均一次粒徑是指藉由電子顯微鏡來測定任意200個粒子的粒徑並加以算術平均所得的值。另外，於粒子的形狀並非球形的情形時，將最長邊設定為粒徑。
另外，金屬氧化物粒子可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
樹脂組成物中的金屬氧化物粒子的含量只要考慮由樹脂組成物所得的光學構件所要求的折射率、或透光性等而適當決定即可。
對於本發明的轉印膜，就將折射率控制於第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的折射率的範圍內的觀點而言，較佳為透明樹脂膜含有ZrO2粒子及TiO2粒子中的至少一種，更佳為ZrO2粒子。
關於用於透明樹脂膜的樹脂(稱為黏合劑、聚合物)或其他添加劑，只要不違背本發明的主旨則並無特別限制，可較佳地使用本發明的轉印膜中的第二硬化性透明樹脂層中所用的樹脂或其他添加劑。
較佳為第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層含有丙烯酸系樹脂。
第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層所用的樹脂(稱為黏合劑、聚合物)較佳為鹼可溶性樹脂，鹼可溶性樹脂可使用日本專利特開2011-95716號公報的段落[0025]、日本專利特開2010-237589號公報的段落[0033]~段落[0052]中記載的聚合物。更佳為第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層含有作為鹼可溶性樹脂且丙烯酸系樹脂的樹脂。
聚合性化合物可使用日本專利第4098550號的段落[0023]~段落[0024]中記載的聚合性化合物。
聚合起始劑或聚合起始系可使用日本專利特開2011-95716號公報中記載的[0031]~[0042]中記載的聚合性化合物。
進而，亦可於第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層中使用添加劑。添加劑例如可列舉：日本專利第4502784號公報的段落[0017]、日本專利特開2009-237362號公報的段落[0060]~段落[0071]中記載的界面活性劑，或日本專利第4502784號公報的段落[0018]中記載的防熱聚合劑，進而日本專利特開2000-310706號公報的段落[0058]~段落[0071]中記載的其他添加
劑。
另外，藉由塗佈來製造感光性膜時的溶劑可使用日本專利特開2011-95716號公報的段落[0043]~段落[0044]中記載的溶劑。
以上，以本發明的轉印膜為負型材料的情形為中心進行了說明，但本發明的轉印膜亦可為正型材料。於本發明的轉印膜為正型材料的情形時，第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層中例如可使用日本專利特開2005-221726號公報中記載的材料等，但不限於此。
(第一硬化性透明樹脂層)
本發明的轉印膜中，第一硬化性透明樹脂層的折射率較佳為1.5~1.53，更佳為1.5~1.52，尤佳為1.51~1.52。
本發明的轉印膜中，關於第一硬化性透明樹脂層的層厚，就使用第一硬化性透明樹脂層形成靜電電容型輸入裝置的透明保護層時發揮充分的表面保護能力的觀點而言，所述層厚較佳為1μm以上，更佳為1μm~10μm，尤佳為2μm~9μm，進而尤佳為3μm~8μm。
第一硬化性透明樹脂層的材料可無特別限制地使用任意的聚合物成分或任意的聚合性化合物成分，就用作靜電電容型輸入裝置的透明保護膜的觀點而言，較佳為表面硬度、耐熱性高的材料，第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層所含的鹼可溶性樹脂或聚合性化合物中，亦可較佳地使用公知的感光性矽氧烷樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料等。
對於本發明的轉印膜，就提高光硬化後的膜的強度等的觀點，或自形成第一硬化性透明樹脂層後直至形成第二硬化性透明樹脂層前之間使第一硬化性透明樹脂層進行光硬化而提高第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率，使第一硬化性透明樹脂層與第二硬化性透明樹脂層的界面明確而進一步改善透明電極圖案的視認性的觀點而言，較佳為第一硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物及光聚合起始劑。
第一硬化性透明樹脂層中，相對於第一硬化性透明樹脂層的固體成分，較佳為含有1質量%以上的光聚合起始劑，更佳為含有2質量%以上的光聚合起始劑，尤佳為含有3質量%以上的光聚合起始劑。
另外，就自形成所述第一硬化性透明樹脂層後直至形成第二硬化性透明樹脂層前之間適當地進行第一硬化性透明樹脂層的光硬化的觀點而言，較佳為第一硬化性透明樹脂層中的光聚合起始劑的含量多於第二硬化性透明樹脂層中的光聚合起始劑的含量，第一硬化性透明樹脂層中的光聚合起始劑的含量較佳為設定為第二硬化性透明樹脂層中的光聚合起始劑的含量的1.5倍以上，更佳為設定為1.5倍~5倍，尤佳為設定為2倍~4倍。
第一硬化性透明樹脂層可含有金屬氧化物粒子亦可不含金屬氧化物粒子。為了將第一硬化性透明樹脂層的折射率控制於所述範圍內，可根據所使用的聚合物或聚合性化合物的種類而以任意的比例含有金屬氧化物粒子。第一硬化性透明樹脂層中，
相對於第一硬化性透明樹脂層的固體成分，較佳為含有0質量%~35質量%的金屬氧化物粒子，更佳為含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，尤佳為不含金屬氧化物粒子。就降低第一硬化性透明樹脂層的折射率而容易解決看到透明電極圖案的問題的觀點而言，較佳為相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分而第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，更佳為含有0質量%~5質量%的金屬氧化物粒子，尤佳為含有0質量%~1質量%的金屬氧化物粒子，進而尤佳為不含金屬氧化物粒子。
本說明書中，測定後述透明膜、第一硬化性透明樹脂層或第二硬化性透明樹脂層的金屬氧化物粒子的含量的方法如下。
將轉印膜或後述透明積層體的剖面切削後，利用透射式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)來觀察剖面。於層內的任意3個部位對後述透明膜、第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的膜剖面積中的金屬氧化物粒子的佔有面積之比例進行測定，將其平均值視為體積分率(volume fraction，VR)。
利用下述式對體積分率(VR)與重量分率(weight fraction，WR)進行換算，藉此算出後述透明膜、第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層內的金屬氧化物粒子的重量分率(WR)。
WR=1/(1.1*(1/(D*VR)-1)+1)
D：金屬氧化物粒子的比重
於金屬氧化物粒子為氧化鈦的情形時可計算為D=4.0，於金屬氧化物粒子為氧化鋯的情形時可計算為D=6.0。
(第二硬化性透明樹脂層)
本發明的轉印膜具有第二硬化性透明樹脂層，該第二硬化性透明樹脂層是於第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置，折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，且折射率為1.6以上。
本發明的轉印膜較佳為第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.65以上。
另一方面，第二硬化性透明樹脂層的折射率的上限值並無特別限制，實用上較佳為1.85以下，亦可為1.74以下。
尤其於透明電極為ITO的情形時，較佳為第二硬化性透明樹脂層含有氧化鋯或氧化鈦作為後述金屬氧化物粒子。於透明電極為In及Zn的氧化物(氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO))的情形時，折射率較佳為1.7以上且1.85以下。於硬化性透明樹脂層的折射率超過1.75的情形時，較佳為第二硬化性透明樹脂層具有金紅石型二氧化鈦作為後述金屬氧化物粒子。金紅石型二氧化鈦例如可較佳地使用石原產業公司製造的LDC-003。
本發明的轉印膜中，第二硬化性透明樹脂層的膜厚較佳為500nm以下，更佳為110nm以下。第二硬化性透明樹脂層的
厚度尤佳為55nm~110nm，進而尤佳為60nm~110nm，進而更尤佳為70nm~110nm。
對於本發明的轉印膜，就進行硬化而提高膜的強度等的觀點而言，較佳為第二硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物。
第二硬化性透明樹脂層較佳為含有折射率1.55以上的微粒子。第二硬化性透明樹脂層可含有金屬氧化物粒子亦可不含金屬氧化物粒子，就將第二硬化性透明樹脂層的折射率控制於所述範圍內的觀點而言，較佳為含有金屬氧化物粒子，更佳為含有折射率1.55以上的金屬氧化物粒子。第二硬化性透明樹脂層中，可根據所使用的聚合物或聚合性化合物的種類而以任意的比例含有金屬氧化物粒子，第二硬化性透明樹脂層中，相對於第二硬化性透明樹脂層的固體成分，較佳為含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，更佳為含有40質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，尤佳為含有50質量%~90質量%的金屬氧化物粒子，進而尤佳為含有55質量%~85質量%的金屬氧化物粒子。於金屬氧化物粒子為氧化鋯的情形時，較佳為相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分而第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，更佳為含有40質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，尤佳為含有50質量%~90質量%的金屬氧化物粒子，進而尤佳為含有55質量%~85質量%的金屬氧化物粒子，進而更尤佳為含有超過57.0質量%且72.4質量%以下的金屬氧化物粒子，最佳為含有59.9質量%~72.4質量%的金屬氧化物粒子。於
金屬氧化物粒子為氧化鈦的情形時，較佳為相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分而第二硬化性透明樹脂層含有30質量%~70質量%的金屬氧化物粒子。
(光硬化性樹脂層的黏度)
較佳為光硬化性樹脂層的於100℃下測定的黏度在2000Pa．sec~50000Pa．sec的範圍內。
此處，各層的黏度可如以下般測定。可藉由大氣壓及減壓乾燥自光硬化性樹脂層用塗佈液中去除溶劑而製成測定樣品，例如使用百部龍(Vibron)(DD-III型：東洋鮑德溫(Toyo Baldwin)(股)製造)作為測定器，於測定起始溫度50℃、測定結束溫度150℃、升溫速度5℃/min及頻率1Hz/deg的條件下進行測定，使用100℃的測定值。
於圖12中示出本發明的轉印膜的較佳構成的一例。圖12為本發明的轉印膜30的概略圖，所述轉印膜30是將暫時支撐體26、第一硬化性透明樹脂層7、第二硬化性透明樹脂層12及保護剝離層(保護膜)29依序彼此鄰接進行積層而成。
[轉印膜的製造方法]
本發明的轉印膜可依據日本專利特開2006-259138號公報的段落[0094]~段落[0098]中記載的感光性轉印材料的製作方法來製作。其中，本發明的轉印膜較佳為藉由以下的本發明的轉印膜的製造方法所製造。
本發明的轉印膜的製造方法的第1態樣包括：於暫時支
撐體上，(b)以暫時支撐體與第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的第一硬化性透明樹脂層上直接形成第二硬化性透明樹脂層的步驟，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
本發明的轉印膜的製造方法的第2態樣包括：於暫時支撐體上，(b)以暫時支撐體與第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的第一硬化性透明樹脂層上直接形成第二硬化性透明樹脂層的步驟，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
藉由此種構成，可將第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率提高至10%以上，使第一硬化性透明樹脂層與第二硬化性樹脂層的界面明確而進一步改善透明電極圖案的視認性。尤其即便於第一硬化性透明樹脂層與第二硬化性樹脂層中所用的聚合物及聚合性化合物相同的情形時，亦可藉由此種構成使兩者的界面明確。
[透明積層體]
本發明的透明積層體的第1態樣具有透明電極圖案、與透明電極圖案鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層、及與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
本發明的透明積層體的第2態樣具有透明電極圖案、與透明電極圖案鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層、及與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層，且相對於第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子。
藉由設定為此種構成，可解決看到透明電極圖案的問題。
關於本發明的透明積層體，就可容易地形成第一硬化性透明樹脂層與第二硬化性透明樹脂層的界面、進一步改善透明電極圖案的視認性的觀點而言，較佳為第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
<透明積層體的構成>
本發明的透明積層體亦可於透明電極圖案的與形成有第二硬化性透明樹脂層之側為相反側，更具有含有金屬氧化物且膜厚為
55nm~110nm的透明膜、折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜、或公知的硬塗層，就進一步改善透明電極圖案的視認性的觀點而言，較佳為更具有折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜。再者，本說明書中，於未特別說明而記載為「透明膜」的情形時，是指所述「含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜」或「折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜」。
本發明的透明積層體較佳為於含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜的與形成有透明電極圖案之側為相反側，更具有透明基板。透明基板較佳為透明膜基板。於該情形時，較佳為將透明膜配置於透明電極圖案與透明膜基板之間。
另外，本發明的透明積層體較佳為透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
於圖11中示出本發明的透明積層體的構成的一例。
於圖11中，本發明的透明積層體13具有透明基板1、含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜11、折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜11，進而於面內具有將透明電極圖案4、第二硬化性透明樹脂層12及第一硬化性透明樹脂層7依序積層而成的區域21。
所謂面內，是指相對於與透明積層體的透明基板平行的面而大致平行的方向。所謂於面內含有將透明電極圖案4、第二硬化性
透明樹脂層12及第一硬化性透明樹脂層7依序積層而成的區域，是指將透明電極圖案4、第二硬化性透明樹脂層12及第一硬化性透明樹脂層7依序積層而成的區域於與透明積層體的透明基板平行的面內的正射影存在於與透明積層體的透明基板平行的面內。
此處，於將本發明的透明積層體用於後述靜電電容型輸入裝置的情形時，透明電極圖案有時是於列方向與行方向的大致正交的2個方向上分別作為第一透明電極圖案及第二透明電極圖案而設置(例如參照圖3)。例如於圖3的構成中，本發明的透明積層體中的透明電極圖案可為第二透明電極圖案4，亦可為第一透明電極圖案3的墊部分3a。換言之，於以下的本發明的透明積層體的說明中，有時以「4」代表透明電極圖案的符號來表示，但本發明的透明積層體中的透明電極圖案不限定於用於本發明的靜電電容型輸入裝置中的第二透明電極圖案4，例如亦可用作第一透明電極圖案3的墊部分3a。
本發明的透明積層體較佳為含有未形成透明電極圖案的非圖案區域。本說明書中，所謂非圖案區域，是指未形成透明電極圖案4的區域。
圖11中，示出本發明的透明積層體含有非圖案區域22的態樣。
本發明的透明積層體較佳為於未形成透明電極圖案的非圖案區域22的至少一部分中，於面內含有將透明基板、透明膜及第二硬化性透明樹脂層依序積層而成的區域。
本發明的透明積層體較佳為於將透明基板、透明膜及第二硬化性透明樹脂層依序積層而成的區域中，透明膜及第二硬化性透明樹脂層彼此鄰接。
其中，於非圖案區域22的其他區域中，只要不違反本發明的主旨則亦可將其他構件配置於任意的位置，例如於將本發明的透明積層體用於後述靜電電容型輸入裝置的情形時，可積層遮罩層2、或絕緣層5或導電性要素6等。
本發明的透明積層體較佳為透明基板及透明膜彼此鄰接。
於圖11中，示出於透明基板1上鄰接而積層透明膜11的態樣。
其中，只要不違背本發明的主旨，則亦可於透明基板與透明膜之間積層第三透明膜。例如較佳為於透明基板與透明膜之間含有折射率為1.5~1.52的第三透明膜(圖11中未圖示)。
本發明的透明積層體中，透明膜的厚度為55nm~110nm，較佳為60nm~110nm，更佳為70nm~110nm。
此處，透明膜可為單層結構，亦可為2層以上的積層結構。於透明膜為2層以上的積層結構的情形時，所謂透明膜的膜厚是指所有層的合計膜厚。
本發明的透明積層體較佳為透明膜及透明電極圖案彼此鄰接。
於圖11中，示出於透明膜11的一部分區域上鄰接而積層透
明電極圖案4的態樣。
如圖11所示，關於透明電極圖案4的端部，對其形狀並無特別限制，亦可具有圓錐形狀，例如亦可具有透明基板側的面較與透明基板為相反側的面更廣般的圓錐形狀。
此處，透明電極圖案的端部為圓錐形狀時的透明電極圖案的端部的角度(以下亦稱為圓錐角)較佳為30°以下，更佳為0.1°~15°，尤佳為0.5°~5°。
關於本說明書中的圓錐角的測定方法，可拍攝透明電極圖案的端部的顯微鏡照片，使該顯微鏡照片的圓錐部分近似於三角形，直接測定而求出圓錐角。
於圖10中示出透明電極圖案的端部為圓錐形狀的情形的一例。圖10中的圓錐部分的近似三角形的底面為800nm，高度(與底面大致平行的上底部分的膜厚)為40nm，此時圓錐角α為約3°。圓錐部分的近似三角形的底面較佳為10nm~3000nm，更佳為100nm~1500nm，尤佳為300nm~1000nm。再者，圓錐部分的近似三角形的高度的較佳範圍與透明電極圖案的膜厚的較佳範圍相同。
本發明的透明積層體較佳為於面內含有透明電極圖案及第二硬化性透明樹脂層彼此鄰接的區域。
於圖11中示出以下態樣：於將透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層依序積層的區域21中，透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層彼此鄰
接。
另外，本發明的透明積層體較佳為藉由透明膜及第二硬化性透明樹脂層將透明電極圖案及未形成透明電極圖案的非圖案區域22兩者連續地直接或介隔其他層而被覆。
此處所謂「連續地」，是指透明膜及第二硬化性透明樹脂層為連續膜而非圖案膜。即，就不易看到透明電極圖案的觀點而言，較佳為透明膜及第二硬化性透明樹脂層不具有開口部。
另外，相較於藉由透明膜及第二硬化性透明樹脂層介隔其他層將透明電極圖案及非圖案區域22被覆，更佳為直接被覆。介隔其他層而被覆的情形時的「其他層」可列舉後述本發明的靜電電容型輸入裝置所含的絕緣層5，或於如後述本發明的靜電電容型輸入裝置般含有2層以上的透明電極圖案的情形時，可列舉第2層透明電極圖案等。
於圖11中示出以下態樣：橫跨透明膜11上的未積層透明電極圖案4的區域、與透明電極圖案4之上，兩者分別鄰接而積層第二硬化性透明樹脂層12。
另外，於透明電極圖案4的端部為圓錐形狀的情形時，較佳為沿著圓錐形狀(以與圓錐角相同的傾斜度)積層第二硬化性透明樹脂層12。
圖11中示出以下態樣：於第二硬化性透明樹脂層12的與形成有透明電極圖案的表面為相反側的表面上，積層有第一硬化性透明樹脂層7。
<透明積層體的材料>
(透明基板)
本發明的透明積層體較佳為具有透明基板。透明基板可為透明玻璃基板，亦可為透明膜基板，透明基板較佳為折射率1.5~1.55的透明膜基板。透明基板的折射率尤佳為1.5~1.52。
此處，於在透明基板上與透明電極一併而形成有邊緣狀遮光層的靜電電容型輸入裝置的感測器中，為了獲得邊緣部分的遮光性，於邊緣部分與邊緣框內部分之間產生大的階差。由於該階差，於透明基板上貼合轉印材料時，容易產生氣泡(起泡)，必須設法於轉印材料之側充分地追隨於階差。作為此種設法的一例，例如已知使用在暫時支撐體上除了轉印層以外還積層有熱塑性樹脂層的轉印材料(參照日本專利特開2014-10814號公報)。另一方面，於日本專利特開2013-214173號公報或日本專利特開2011-123915號公報中記載的膜感測器中，並未於基材上形成邊緣狀遮光層，故並無階差追隨性的問題，即便不使用積層有熱塑性樹脂層的轉印膜亦容易進行轉印。本發明的轉印膜可尤佳地用於製造透明基板為透明膜基板的透明積層體或靜電電容型輸入裝置的情形。於製造透明基板為透明膜基板的透明積層體或靜電電容型輸入裝置的情形時，相較於使用積層有熱塑性樹脂層的轉印膜，使用未積層熱塑性樹脂層的本發明的轉印膜就以下方面而言更佳：在轉印時在膜受到加熱．加壓時，樹脂不易自膜的邊緣滲出。
於透明基板為透明玻璃基板(亦稱為玻璃的透光性基板)的
情形時，可使用康寧公司的大猩猩玻璃(Gorilla Glass)所代表的強化玻璃等。另外，透明基板可較佳地使用日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報中所用的材料，將該些文獻的內容併入至本說明書中。
於透明基板為透明膜基板的情形時，透明膜基板較佳為透明樹脂膜。形成透明樹脂膜的樹脂材料更佳為使用光學上並無變形者、或透明度高者，具體的原材料中，例如可列舉：聚(甲基)丙烯酸系樹脂、三乙醯纖維素(Triacetyl cellulose，TAC)系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯系樹脂、環烯烴系樹脂等。該些樹脂中，就通用性等觀點而言，較佳為三乙醯纖維素(TAC)系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系樹脂及環烯烴系樹脂。透明樹脂膜的厚度較佳為2μm~200μm的範圍內，更佳為2μm~100μm的範圍內。若厚度為2μm以上，則膜基板的機械強度充分，輥的處理操作變容易。另一方面，若厚度為200μm以下，則彎曲特性提高，輥的處理操作變容易。
(透明電極圖案)
透明電極圖案的折射率較佳為1.75~2.1。
透明電極圖案的材料並無特別限制，可使用公知的材料。例如可由氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)等透光性的導電性金屬氧化膜來製作。Zn的氧化物
(IZO)或以該些氧化物為主成分的透明導電膜具有蝕刻速度大於ITO膜的優點，故根據用途而備受關注。此種金屬膜可列舉：ITO膜；Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo等的金屬膜；SiO2等的金屬氧化膜等。此時，各要素的膜厚可設定為10nm~200nm。另外，因藉由煅燒將非晶質的ITO膜製成多晶的ITO膜，故亦可減小電阻。另外，第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及後述的導電性要素6亦可使用感光性膜來製造，所述感光性膜具有使用導電性纖維的光硬化性樹脂層。除此以外，於藉由ITO等來形成第一導電性圖案等的情形時，可參考日本專利第4506785號公報的段落[0014]~段落[0016]等。其中，透明電極圖案較佳為ITO膜或IZO膜，尤其較佳為ITO膜。
本發明的透明積層體較佳為透明電極圖案為折射率1.75~2.1的ITO膜。
(硬塗層)
於透明基板與透明電極圖案之間，亦可導入硬塗層來代替所述含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜、或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜。硬塗層能以真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等乾式製程(dry progress)的方式或藉由濕式法(塗敷法)等而形成。濕式法(塗敷法)可使用：利用輥式塗佈機、反輥塗佈機、凹版塗佈機、微凹版塗佈機、刮刀式塗佈機、棒式塗佈機、線棒塗佈機、模式塗佈機、浸漬塗佈機的塗佈方法。
硬塗層是以易滑性或提高硬度的觀點而導入，例如是藉由以下硬化物而形成，所述硬化物是利用熱、紫外線(Ultraviolet，UV)或電離輻射使含有四乙氧基矽烷等反應性矽化合物或多官能(甲基)丙烯酸酯等的硬化性組成物進行硬化而成。另外，亦可添加膠體二氧化矽(colloidal silica)等的無機粒子，硬塗層的折射率是調整為1.45~1.55左右。
(於透明基板的兩面上形成透明電極圖案)
透明電極圖案可形成於透明基板的單面或兩面上。於在透明基板的兩面上形成電極圖案時，形成於透明基板與透明電極圖案之間的硬塗層及光學調整層能以厚度或層構成成為兩面對稱的方式形成，也可非對稱地形成。於在兩面上形成透明電極圖案的情形時，較佳為將本發明的轉印膜所含的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層轉印至兩面上。
即，本發明的積層體較佳為於透明膜基板的兩面上分別具有透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。該情形的透明積層體的構成的一例為圖1A所示的態樣。
(第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層)
第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的較佳範圍與本發明的轉印膜中的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的較佳範圍相同。
(透明膜)
本發明的透明積層體較佳為透明膜的折射率為1.6~1.80，更
佳為1.6~1.78，尤佳為1.65~1.74。此處，透明膜可為單層結構亦可為2層以上的積層結構。於透明膜為2層以上的積層結構的情形時，所謂透明膜的折射率，是指整個層的折射率。
只要滿足此種折射率的範圍，則透明膜的材料並無特別限制。
透明膜的材料的較佳範圍及折射率等物性的較佳範圍與第二硬化性透明樹脂層的該些較佳範圍相同。
本發明的透明積層體就光學均質性的觀點而言，較佳為透明膜與第二硬化性透明樹脂層是由相同材料所構成。
透明膜較佳為含有金屬氧化物，更佳為含有5質量%~80質量%的金屬氧化物粒子作為金屬氧化物，尤其更佳為含有10質量%~70質量%的金屬氧化物粒子作為金屬氧化物。
本發明的透明積層體較佳為透明膜為透明樹脂膜。透明樹脂膜中所用的金屬氧化物粒子或樹脂(黏合劑)或其他添加劑只要不違背本發明的主旨，則並無特別限制，可較佳地使用本發明的轉印膜中的第二硬化性透明樹脂層中所用的樹脂或其他添加劑。
本發明的透明積層體中，透明膜亦可為無機膜。無機膜中所用的材料可較佳地使用本發明的轉印膜中的第二硬化性透明樹脂層中所用的材料。
(第三透明膜)
就接近透明基板的折射率而改善透明電極圖案的視認性的觀點而言，第三透明膜的折射率較佳為1.5~1.55，更佳為1.5~1.52。
[透明積層體的製造方法]
本發明的透明積層體的製造方法包括以下步驟：於透明電極圖案上依序積層本發明的轉印膜的第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
藉由此種構成，可一併轉印透明積層體的第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層，可容易地以良好的生產性製造不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。
再者，本發明的透明積層體的製造方法中，第二硬化性透明樹脂層是於透明電極圖案上、及非圖案區域中的透明膜上直接或介隔其他層而製膜。
本發明的透明積層體的製造方法較佳為透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
(透明基板的表面處理)
另外，為了提高之後的轉印步驟中的由層壓所得的各層的密接性，可預先對透明基板(透明膜基板或前面板)的非接觸面實施表面處理。表面處理較佳為實施使用矽烷化合物的表面處理(矽烷偶合處理)。矽烷偶合劑較佳為具有與感光性樹脂相互作用的官能基者。例如藉由噴淋(shower)來噴附矽烷偶合液(N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷0.3質量%水溶液，商品名：KBM603，信越化學(股)製造)20秒鐘，並進行純水噴淋清洗。其後，通過加熱而進行反應。可使用加熱槽，層壓機的基板預加熱亦可促進反應。
(透明電極圖案的製膜)
關於透明電極圖案，可使用後述本發明的靜電電容型輸入裝置的說明中的第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6的形成方法等，將透明電極圖案製膜於透明基板上、或含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜上，較佳為使用感光性膜的方法。
(第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的製膜)
形成第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的方法可列舉包括以下步驟的方法：保護膜去除步驟，自本發明的轉印膜中去除保護膜；轉印步驟，將去除了保護膜的本發明的轉印膜的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層轉印至透明電極圖案上；曝光步驟，對經轉印至透明電極圖案上的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層進行曝光；以及顯影步驟，對經曝光的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層進行顯影。
-轉印步驟-
轉印步驟為將去除了保護膜的本發明的轉印膜的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層轉印至透明電極圖案上的步驟。
此時，較佳為包括以下步驟的方法：將本發明的轉印膜的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層層壓於透明電極圖
案上後，去除暫時支撐體。
第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層對透明電極圖案表面的轉印(貼合)可藉由將第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層重疊於透明電極圖案表面上並進行加壓、加熱而進行。貼合時，可使用層壓機、真空層壓機、及可進一步提高生產性的自動切割層壓機(auto-cut laminator)等公知的層壓機。
-曝光步驟、顯影步驟及其他步驟-
關於曝光步驟、顯影步驟及其他步驟的例子，亦可將日本專利特開2006-23696號公報的段落編號[0035]~段落編號[0051]中記載的方法較佳地用於本發明中。
曝光步驟為對經轉印至透明電極圖案上的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層進行曝光的步驟。
具體可列舉：在形成於透明電極圖案上的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的上方配置既定的遮罩，其後介隔遮罩自遮罩上方對第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層進行曝光的方法；或不使用遮罩而對第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層進行全面曝光的方法。
此處，關於曝光的光源，只要可照射可使第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層硬化的波長範圍的光(例如365nm、405nm等)，則可適當選定而使用。具體可列舉超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等。曝光量通常為5mJ/cm2~200mJ/cm2左右，較佳為10mJ/cm2~100mJ/cm2左右。
顯影步驟為對經曝光的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層、或者用於透明電極圖案的蝕刻的具有光硬化性樹脂層的感光性膜的光硬化性樹脂層進行顯影的步驟。
本發明中，顯影步驟並非藉由顯影液對經圖案曝光的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層進行圖案顯影的狹義含意的顯影步驟，而是亦包括以下情形的顯影步驟：於全面曝光後僅將熱塑性樹脂層或中間層去除，第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層自身不形成圖案。
顯影可使用顯影液來進行。顯影液並無特別限制，可使用日本專利特開平5-72724號公報中記載的顯影液等公知的顯影液。另外，顯影液較佳為進行光硬化性樹脂層溶解型的顯影行為，例如較佳為以0.05mol/L~5mol/L的濃度而含有pKa=7~13的化合物。另一方面，第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層自身不形成圖案的情形的顯影液較佳為進行不溶解非鹼顯影型著色組成物層型的顯影行為，例如較佳為以0.05mol/L~5mol/L的濃度而含有pKa=7~13的化合物。顯影液中，亦可進一步少量添加與水具有混合性的有機溶劑。與水具有混合性的有機溶劑可列舉：甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單***、乙二醇單正丁醚、苄醇、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、ε-己內酯、γ-丁內酯、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、六甲基磷醯胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己內醯胺、N-甲基吡咯啶酮等。有機溶劑的濃度較佳為0.1質量%~30質量%。另外，顯影液
中，可進一步添加公知的界面活性劑。界面活性劑的濃度較佳為0.01質量%~10質量%。
顯影的方式可為覆液顯影、噴淋顯影、噴淋及旋轉顯影、浸漬顯影等的任一種。此處若對噴淋顯影加以說明，則藉由噴淋對曝光後的第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層噴附顯影液，可將未硬化部分去除。另外，於在用於透明電極圖案的蝕刻的具有光硬化性樹脂層的感光性膜上設有熱塑性樹脂層或中間層的情形時，較佳為於顯影之前藉由噴淋等來噴附光硬化性樹脂層的溶解性低的鹼性的溶液，預先將熱塑性樹脂層、中間層等去除。另外，較佳為於顯影後藉由噴淋來噴附清洗劑等，一面用刷子(brush)等進行摩擦一面去除顯影殘渣。顯影液的液溫度較佳為20℃~40℃，另外，顯影液的pH值較佳為8~13。
靜電電容型輸入裝置的製造方法亦可更包括後曝光步驟、後烘烤步驟等其他步驟。於第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層為熱硬化性透明樹脂層的情形時，較佳為進行後烘烤步驟。
另外，圖案化曝光或全面曝光可將暫時支撐體剝離後進行，亦可於剝離暫時支撐體之前進行曝光，然後將暫時支撐體剝離。可為介隔遮罩的曝光，亦可為使用雷射等的數位曝光。
(透明膜的製膜)
於本發明的透明積層體在透明電極圖案的與形成有第二硬化性透明樹脂層之側為相反側更具有含有金屬氧化物且膜厚為55
nm~110nm的透明膜、或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜的情形時，透明膜是於透明電極圖案上直接或介隔第三透明膜等其他層而製膜。
透明膜的製膜方法並無特別限制，較佳為藉由轉印或濺鍍來製膜。
其中，本發明的透明積層體較佳為透明膜是將形成於暫時支撐體上的透明硬化性樹脂膜轉印至透明基板上進行製膜而成，更佳為於轉印後硬化而進行製膜而成。轉印及硬化的方法可列舉；使用後述本發明的靜電電容型輸入裝置的說明中的感光性膜，與本發明的透明積層體的製造方法中的轉印第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的方法同樣地進行轉印、曝光、顯影及其他步驟的方法。該情形時，較佳為使金屬氧化物粒子分散於感光性膜中的光硬化性樹脂層中，藉此將透明膜的折射率調整至所述範圍內。
另一方面，於透明膜為無機膜的情形時，較佳為藉由濺鍍而形成。即，本發明的透明積層體亦較佳為透明膜是藉由濺鍍而形成。
濺鍍的方法可較佳地使用日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報中所用的方法，將該些文獻的內容併入至本說明書中。
(第三透明膜的製膜)
第三透明膜的製膜方法與於透明基板上製造含有金屬氧化物
且膜厚為55nm~110nm的透明膜、或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜的方法相同。
[靜電電容型輸入裝置]
本發明的靜電電容型輸入裝置是使用本發明的轉印膜進行製作而成，或具有本發明的透明積層體。
本發明的靜電電容型輸入裝置較佳為具有透明積層體，該透明積層體具有透明電極圖案、與透明電極圖案鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層、及與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層，且第二硬化性透明樹脂層的折射率高於第一硬化性透明樹脂層的折射率，第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.6以上。
以下，對本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳態樣加以詳細說明。
本發明的靜電電容型輸入裝置具有透明基板(相當於本發明的透明積層體中的透明基板)及於透明基板的非接觸側至少具有下述(3)~(5)、(7)及(8)的要素，較佳為具有本發明的透明積層體。
(3)多個墊部分經由連接部分於第一方向上延伸而形成的多個第一透明電極圖案
(4)與第一透明電極圖案電性絕緣、包含於與第一方向交叉的方向上延伸而形成的多個墊部分的多個第二電極圖案
(5)將第一透明電極圖案與第二電極圖案電性絕緣的絕緣層
(7)以覆蓋(3)~(5)的要素的全部或一部分的方式形成的第二硬化性透明樹脂層
(8)以覆蓋(7)的要素的方式鄰接而形成的第一硬化性透明樹脂層
此處，(7)第二硬化性透明樹脂層相當於本發明的透明積層體中的第二硬化性透明樹脂層。另外，(8)第一硬化性透明樹脂層相當於本發明的透明積層體中的第一硬化性透明樹脂層。再者，第一硬化性透明樹脂層較佳為通常公知的靜電電容型輸入裝置中的所謂透明保護層。
本發明的靜電電容型輸入裝置中，(4)第二電極圖案可為透明電極圖案，亦可不為透明電極圖案，較佳為透明電極圖案。
本發明的靜電電容型輸入裝置亦可更具有下述(6)的要素。
(6)與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的至少一者電性連接、且與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素
此處，於(7)第二電極圖案並非透明電極圖案、且不具有(6)其他導電性要素的情形時，(7)第一透明電極圖案相當於本發明的透明積層體中的透明電極圖案。
於(7)第二電極圖案為透明電極圖案、且不具有(6)其他導電性要素的情形時，(3)第一透明電極圖案及(7)第二電極圖案中的至少一個相當於本發明的透明積層體中的透明電極圖案。
於(7)第二電極圖案並非透明電極圖案、且具有(6)其他
導電性要素的情形時，(3)第一透明電極圖案及(6)其他導電性要素中的至少一個相當於本發明的透明積層體中的透明電極圖案。
於(7)第二電極圖案為透明電極圖案、且具有(6)其他導電性要素的情形時，(3)第一透明電極圖案、(7)第二電極圖案及(6)其他導電性要素中的至少一個相當於本發明的透明積層體中的透明電極圖案。
本發明的靜電電容型輸入裝置較佳為進而於(3)第一透明電極圖案與透明基板之間、(4)第二透明電極圖案與透明基板之間或(6)其他導電性要素與透明基板之間具有(2)透明膜。此處，就進一步改善透明電極圖案的視認性的觀點而言，較佳為(2)透明膜相當於本發明的透明積層體中的含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜、或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜。
本發明的靜電電容型輸入裝置較佳為進而視需要而具有(1)遮罩層及/或裝飾層。遮罩層是在以手指或觸控筆等接觸的區域的周圍，亦為了無法從接觸側看到透明電極圖案的牽引配線、或進行裝飾而以黑色邊緣的形式設置。裝飾層是以裝飾為目的而設置，例如較佳為設置白色的裝飾層。
(1)遮罩層及/或裝飾層較佳為含有於(2)透明膜與透明基板之間、(3)第一透明電極圖案與透明基板之間、(4)第二透明電極圖案與透明基板之間或(6)其他導電性要素與透明基板之
間。(1)遮罩層及/或裝飾層更佳為與透明基板鄰接而設置。
再者，於透明基板為透明膜基板的情形時，(1)遮罩層及/或裝飾層較佳為進而與配置於透明基板的視認側的蓋玻璃(cover glass)一體化。此種態樣的情況下，就自本發明的轉印膜轉印第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層時可減少導致氣泡混入等的階差的觀點而言，本發明的透明積層體較佳為不具有(1)遮罩層及/或裝飾層。
即便於本發明的靜電電容型輸入裝置含有此種各種構件的情形時，亦可藉由含有與透明電極圖案鄰接而配置的第二硬化性透明樹脂層、及與第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置的第一硬化性透明樹脂層，而使透明電極圖案不顯眼，可改善透明電極圖案的視認性的問題。進而，如上文所述，藉由設定為使用含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜、與第二硬化性透明樹脂層來夾持透明電極圖案的構成，可進一步改善透明電極圖案的視認性的問題。
<靜電電容型輸入裝置的構成>
首先，對於本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳構成，與構成裝置的各構件的製造方法一併進行說明。圖1A為本發明的透明積層體或靜電電容型輸入裝置的較佳構成的一例，且為表示僅於一個方向上設有透明電極圖案的靜電電容型輸入裝置的構成的剖面圖。圖1A中示出靜電電容型輸入裝置10由以下構件構成的態
樣：透明基板(透明膜基板)1、於透明基板1的兩面上對稱地分別設置的含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜11、透明電極圖案4、其他導電性要素6、第二硬化性透明樹脂層12以及第一硬化性透明樹脂層7。本發明的透明積層體或靜電電容型輸入裝置不限定於圖1A的構成，於透明基板1的僅一個面上設有透明膜11、透明電極圖案4、其他導電性要素6、第二硬化性透明樹脂層12及第一硬化性透明樹脂層7的態樣亦較佳。
另外，表示後述圖3中的X-X'剖面的圖1B為於列方向與行方向的大致正交的2個方向分別設有第一透明電極圖案及第二透明電極圖案作為透明電極圖案的靜電電容型輸入裝置的一例，且為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳構成的剖面圖。圖1B中示出靜電電容型輸入裝置10由以下構件構成的態樣：透明基板1、含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜11、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、第二硬化性透明樹脂層12及第一硬化性透明樹脂層7。
透明基板(透明膜基板或前面板)1可使用作為本發明的透明積層體中的透明電極圖案的材料而列舉者。另外，圖1A中，將透明基板1的設有各要素之側稱為非接觸面。本發明的靜電電容型輸入裝置10中，使手指等接觸透明基板1的接觸面(非接觸面的相反面)等而進行輸入。
另外，於透明基板1的非接觸面上設有遮罩層2。遮罩層2為形成於觸控面板透明基板的非接觸側的顯示區域周圍的邊緣狀圖案，是為了不看到牽引配線等而形成。
本發明的靜電電容型輸入裝置10中，如圖2所示，以覆蓋透明基板1的一部分區域(圖2中輸入面以外的區域)的方式設有遮罩層2。進而，於透明基板1中，可如圖2所示般於一部分中設置開口部8。於開口部8中，可設置按壓的機械開關。
於透明基板1的接觸面上，形成有多個墊部分經由連接部分於第一方向上延伸而形成的多個第一透明電極圖案3、與第一透明電極圖案3電性絕緣且包含於與第一方向交叉的方向上延伸而形成的多個墊部分的多個第二透明電極圖案4、以及將第一透明電極圖案3與第二透明電極圖案4電性絕緣的絕緣層5。第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及後述的導電性要素6可使用作為本發明的透明積層體中的透明電極圖案的材料而列舉者，較佳為ITO膜。
另外，第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的至少一者可橫跨透明基板1的非接觸面及遮罩層2的與透明基板1為相反側的面的兩個區域而設置。第二透明電極圖案較佳為橫跨透明基板1的非接觸面及遮罩層2的與透明基板1為相反側的面的兩個區域而設置。如此，即便於橫跨必需一定厚度的遮罩層與透明基板背面來層壓感光性膜的情形時，藉由使用後述具有特定的層構成的感光性膜，即便不使用真空層壓機等昂貴的設備，亦
可利用簡單的步驟來進行於遮罩部分邊界不產生泡的層壓。
使用圖3對第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4加以說明。圖3為表示本發明的第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的一例的說明圖。如圖3所示，第一透明電極圖案3是墊部分3a經由連接部分3b於第一方向上延伸而形成。另外，第二透明電極圖案4是藉由絕緣層5而與第一透明電極圖案3電性絕緣，且由在與第一方向交叉的方向(圖3中的第二方向)上延伸而形成的多個墊部分所構成。此處，於形成第一透明電極圖案3的情形時，亦可一體地製作墊部分3a與連接部分3b，亦可僅製作連接部分3b，且一體地製作墊部分3a與第二透明電極圖案4(圖案化)。於一體地製作墊部分3a與第二透明電極圖案4(圖案化)的情形時，如圖3所示般將連接部分3b的一部分與墊部分3a的一部分連結，且以藉由絕緣層5將第一透明電極圖案3與第二透明電極圖案4電性絕緣的方式形成各層。
另外，圖3中的未形成第一透明電極圖案3或第二透明電極圖案4或後述其他導電性要素6的區域相當於本發明的透明積層體中的非圖案區域22。
較佳為於遮罩層2的與透明基板1為相反側的面側設置有其他導電性要素6。其他導電性要素6為與第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的至少一者電性連接、且與第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4不同的要素。
另外，較佳為以將各構成要素全部覆蓋的方式設置有第
一硬化性透明樹脂層7。第一硬化性透明樹脂層7亦能以覆蓋各構成要素的僅一部分的方式構成。絕緣層5與第一硬化性透明樹脂層7可為相同材料，亦可為不同材料。構成絕緣層5的材料可較佳地使用作為本發明的透明積層體中的第一硬化性透明樹脂層或第二硬化性透明樹脂層的材料而列舉者。
<靜電電容型輸入裝置的製造方法>
於製造本發明的靜電電容型輸入裝置的過程中形成的態樣例可列舉圖4~圖8的態樣。圖4為表示形成有開口部8的透明基板1的一例的俯視圖。圖5為表示形成有遮罩層2的透明基板的一例的俯視圖。圖6為表示形成有第一透明電極圖案3的透明基板的一例的俯視圖。圖7為表示形成有第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的透明基板的一例的俯視圖。圖8為表示形成有與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素6的透明基板的一例的俯視圖。該些圖表示使以下說明具體化的例子，本發明的範圍不受該些圖式的限定性解釋。
於靜電電容型輸入裝置的製造方法中，於形成第二硬化性透明樹脂層12及第一硬化性透明樹脂層7的情形時，可藉由使用本發明的轉印膜於任意地形成有各要素的透明基板1的表面上轉印第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層而形成。
於靜電電容型輸入裝置的製造方法中，較佳為遮罩層2、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、絕緣層5及其他導電性要素6的至少一個要素是使用依序具有暫時支撐體及光硬
化性樹脂層的感光性膜而形成。
若使用本發明的轉印膜或感光性膜來形成各要素，則即便在具有開口部的透明基板中，抗蝕劑成分亦不會自開口部分中洩漏，尤其在必須將遮光圖案最大限度地形成至透明基板的邊界的遮罩層中，抗蝕劑成分不會自玻璃端滲出，故不會污染基板背側，可利用簡便的步驟來製造具有薄層/輕量化的優點的觸控面板。
於使用感光性膜來形成遮罩層、絕緣層、使用導電性光硬化性樹脂層的情形的第一透明電極圖案、第二透明電極圖案及導電性要素等永久材料的情形時，可將感光性膜層壓於任意的被轉印構件上後，視需要以圖案狀進行曝光，負型材料的情況下對非曝光部分進行顯影處理而加以去除，正型材料的情況下對曝光部分進行顯影處理而加以去除，藉此獲得圖案。關於顯影，可利用不同的溶液將熱塑性樹脂層與光硬化性樹脂層顯影去除，亦可利用相同的溶液將熱塑性樹脂層與光硬化性樹脂層顯影去除。視需要亦可組合刷子或高壓噴射等公知的顯影設備。顯影後，視需要亦可進行後曝光、後烘烤。
(感光性膜)
對製造本發明的靜電電容型輸入裝置時可較佳地使用的本發明的轉印膜以外的感光性膜加以說明。感光性膜較佳為具有暫時支撐體及光硬化性樹脂層，且於暫時支撐體與光硬化性樹脂層之間具有熱塑性樹脂層。若使用具有熱塑性樹脂層的感光性膜來形成遮罩層等，則轉印光硬化性樹脂層而形成的要素不易產生氣
泡，圖像顯示裝置不易產生圖像不均等，可獲得優異的顯示特性。
感光性膜可為負型材料亦可為正型材料。
-光硬化性樹脂層以外的層、製作方法-
感光性膜中的暫時支撐體可使用與本發明的轉印膜中所用的暫時支撐體相同者。感光性膜中所用的熱塑性樹脂層可使用日本專利特開2014-10814號公報的[0056]~[0060]中記載者。再者，亦可與熱塑性樹脂層一併而使用公知的中間層或氧阻斷層。另外，關於感光性膜的製作方法，亦可使用與本發明的轉印膜的製作方法相同的方法。
-光硬化性樹脂層-
感光性膜根據其用途而於光硬化性樹脂層中添加添加物。即，於將感光性膜用於形成遮罩層的情形時，使光硬化性樹脂層中含有著色劑。另外，於感光性膜具有導電性光硬化性樹脂層的情形時，使光硬化性樹脂層中含有導電性纖維等。
於感光性膜為負型材料的情形時，較佳為於光硬化性樹脂層中含有鹼可溶性樹脂、聚合性化合物、聚合起始劑或聚合起始系。進而，可使用導電性纖維、著色劑、其他添加劑等，但不限於此。
--鹼可溶性樹脂、聚合性化合物、聚合起始劑或聚合起始系--
感光性膜所含的鹼可溶性樹脂、聚合性化合物、聚合起始劑或聚合起始系可使用與本發明的轉印膜中所用者相同者。
--導電性纖維(用作導電性光硬化性樹脂層的情形)--
於將積層有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜用於形成透明電極圖案、或其他導電性要素的情形時，可將以下的導電性纖維等用於光硬化性樹脂層中。
導電性纖維的結構並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為實心結構及中空結構的任一種。
此處，有時將實心結構的纖維稱為「線」，且有時將中空結構的纖維稱為「管」。另外，有時將平均短軸長度為5nm~1,000nm、且平均長軸長度為1μm~100μm的導電性纖維稱為「奈米線」。
另外，有時將平均短軸長度為1nm~1,000nm、平均長軸長度為0.1μm~1,000μm、且具有中空結構的導電性纖維稱為「奈米管」。
導電性纖維的材料只要具有導電性，則並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為金屬及碳的至少任一種，該些材料中，導電性纖維尤佳為金屬奈米線、金屬奈米管及碳奈米管的至少任一種。
金屬奈米線的材料並無特別限制，例如較佳為選自由長週期表(國際純粹與應用化學聯合會(International Union of Pure and Applied Chemistry，IUPAC)1991)的第4週期、第5週期及第6週期所組成的組群中的至少一種金屬，更佳為選自第2族~第14族中的至少一種金屬，進而佳為選自第2族、第8族、第9族、第10族、第11族、第12族、第13族及第14族中的至少一
種金屬，尤佳為作為主成分而含有。
金屬例如可列舉：銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛、該些金屬的合金等。該些金屬中，就導電性優異的方面而言，較佳為主要含有銀，或含有銀與銀以外的金屬的合金。
所謂主要含有銀，是指於金屬奈米線中含有50質量%以上、較佳為90質量%以上的銀。
以與銀的合金而使用的金屬可列舉鉑、鋨、鈀及銥等。該些金屬可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
金屬奈米線的形狀並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可取圓柱狀、長方體狀、剖面成為多角形的柱狀等任意的形狀，於必需高透明性的用途中，較佳為圓柱狀、使剖面的多角形的角變圓的剖面形狀。
金屬奈米線的剖面形狀可藉由以下方式研究：於任意的基材上塗佈金屬奈米線水分散液，利用透射式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy，TEM)對剖面進行觀察。
所謂金屬奈米線的剖面的角，是指將剖面的各邊延長、與自相鄰的邊所作的垂線相交的點的周邊部。另外，所謂「剖面的各邊」，是設定為將該些相鄰的角與角連結的直線。於該情形時，將「剖面的外周長度」相對於「剖面的各邊」的合計長度之比例作為銳利度。銳利度例如於如圖9所示的金屬奈米線剖面中，可由實線所示的剖面的外周長度與點線所示的五角形的外周長度之比
例來表示。將該銳利度為75%以下的剖面形狀定義為圓角的剖面形狀。銳利度較佳為60%以下，更佳為50%以下。若銳利度超過75%，則角上存在電子，電漿子吸收增加，或有時導致殘留黃色等而透明性劣化。另外，有時導致圖案的邊緣部的直線性降低而產生粗糙。銳利度的下限較佳為30%，更佳為40%。
金屬奈米線的平均短軸長度(有時稱為「平均短軸徑」、「平均直徑」)較佳為150nm以下，更佳為1nm~40nm，進而佳為10nm~40nm，尤佳為15nm~35nm。
若平均短軸長度小於1nm，則有時耐氧化性劣化，耐久性變差，若平均短軸長度超過150nm，則有時產生由金屬奈米線所引起的散射，無法獲得充分的透明性。
金屬奈米線的平均短軸長度是使用透射式電子顯微鏡(TEM；日本電子(股)製造的JEM-2000FX)觀察300個金屬奈米線，並根據其平均值而求出金屬奈米線的平均短軸長度。再者，關於金屬奈米線的短軸並非圓形的情形的短軸長度，將最長的長度作為短軸長度。
金屬奈米線的平均長軸長度(有時稱為「平均長度」)較佳為1μm~40μm，更佳為3μm~35μm，進而佳為5μm~30μm。
若平均長軸長度小於1μm，則難以形成緻密的網路(network)，有時無法獲得充分的導電性，若平均長軸長度超過40μm，則金屬奈米線過長而於製造時纏繞，有時於製造過程中產
生凝聚物。
金屬奈米線的平均長軸長度例如是使用透射式電子顯微鏡(TEM；日本電子(股)製造的JEM-2000FX)觀察300個金屬奈米線，並根據其平均值而求出金屬奈米線的平均長軸長度。再者，於金屬奈米線彎曲的情形時，考慮以其為弧的圓，將根據其半徑及曲率所算出的值作為長軸長度。
就塗佈液的穩定性或塗佈時的乾燥或圖案化時的顯影時間等製程適合性的觀點而言，導電性光硬化性樹脂層的層厚較佳為0.1μm~20μm，更佳為0.5μm~18μm，尤佳為1μm~15μm。就導電性及塗佈液的穩定性的觀點而言，導電性纖維相對於導電性光硬化性樹脂層的總固體成分之含量較佳為0.01質量%~50質量%，更佳為0.05質量%~30質量%，尤佳為0.1質量%~20質量%。
--著色劑(用作遮罩層的情形)--
另外，於將感光性膜用作遮罩層的情形時，可於光硬化性樹脂層中使用著色劑。本發明中所用的著色劑可較佳地使用公知的著色劑(有機顏料、無機顏料、染料等)。另外，本發明中，除了黑色著色劑以外，可使用紅色、藍色、綠色等顏料的混合物等。
於將光硬化性樹脂層用作黑色的遮罩層的情形時，就光學濃度的觀點而言，較佳為含有黑色著色劑。黑色著色劑例如可列舉：碳黑、鈦碳、氧化鐵、氧化鈦、石墨等，其中較佳為碳黑。
於將光硬化性樹脂層用作白色的遮罩層的情形時，可使
用日本專利特開2005-7765公報的段落[0015]或段落[0114]中記載的白色顏料。為了用作其他顏色的遮罩層，亦可混合日本專利第4546276號公報的段落[0183]~段落[0185]等中記載的顏料或染料而使用。具體而言，可較佳地使用日本專利特開2005-17716號公報的段落編號[0038]~段落編號[0054]中記載的顏料及染料、日本專利特開2004-361447號公報的段落編號[0068]~段落編號[0072]中記載的顏料、日本專利特開2005-17521號公報的段落編號[0080]~段落編號[0088]中記載的著色劑等。
著色劑(較佳為顏料、更佳為碳黑)理想的是以分散液的形式使用。該分散液可藉由以下方式製備：將預先混合著色劑與顏料分散劑所得的組成物添加至後述有機溶劑(或載劑)中加以分散。所謂載劑，是指於塗料處於液體狀態時使顏料分散的媒質的部分，包括為液狀且與顏料結合而形成塗膜的成分(黏合劑)、及將其溶解稀釋的成分(有機溶劑)。
使顏料分散時所使用的分散機並無特別限制，例如可列舉：朝倉邦造著的「顏料的事典」(第一版，朝倉書店，2000年，438項)中記載的捏合機、輥磨機、磨碎機(attritor)、超級磨機、溶解器、均質攪拌機、砂磨機等公知的分散機。繼而，亦可藉由該文獻310頁記載的機械磨碎利用摩擦力來進行微粉碎。
著色劑就分散穩定性的觀點而言，較佳為數量平均粒徑為0.001μm~0.1μm的著色劑，更佳為0.01μm~0.08μm的著色劑。另外，此處所謂「粒徑」，是指將粒子的電子顯微鏡照片圖像
設定為同面積的圓時的直徑，另外，所謂「數量平均粒徑」是對多個粒子求出粒徑，是指100個該粒徑的平均值。
關於含有著色劑的光硬化性樹脂層的層厚，就與其他層的厚度差的觀點而言，較佳為0.5μm~10μm，更佳為0.8μm~5μm，尤佳為1μm~3μm。著色感光性樹脂組成物的固體成分中的著色劑的含有率並無特別限制，就充分縮短顯影時間的觀點而言，較佳為15質量%~70質量%，更佳為20質量%~60質量%，進而佳為25質量%~50質量%。
本說明書中所謂總固體成分，是指自著色感光性樹脂組成物中去掉溶劑等所得的不揮發成分的總質量。
另外，於使用感光性膜來形成絕緣層的情形時，就維持絕緣性的觀點而言，光硬化性樹脂層的層厚較佳為0.1μm~5μm，更佳為0.3μm~3μm，尤佳為0.5μm~2μm。
--其他添加劑--
進而，光硬化性樹脂層亦可使用其他添加劑。添加劑可使用與本發明的轉印膜中所用者相同者。
另外，藉由塗佈來製造感光性膜時的溶劑可使用與本發明的轉印膜中所用者相同者。
以上，以感光性膜為負型材料的情形為中心進行了說明，但感光性膜亦可為正型材料。於感光性膜為正型材料的情形時，光硬化性樹脂層中例如可使用日本專利特開2005-221726號公報中記載的材料等，但不限於此。
-熱塑性樹脂層及光硬化性樹脂層的黏度-
較佳為熱塑性樹脂層的於100℃下測定的黏度在1000Pa．sec~10000Pa．sec的範圍內，光硬化性樹脂層的於100℃下測定的黏度在2000Pa．sec~50000Pa．sec的範圍內，且進而滿足下式(A)。
式(A)：熱塑性樹脂層的黏度<光硬化性樹脂層的黏度
此處，各層的黏度可如以下般測定。可藉由大氣壓及減壓乾燥自熱塑性樹脂層或光硬化性樹脂層用塗佈液中去除溶劑而製成測定樣品，例如使用百部龍(Vibron)(DD-III型：東洋鮑德溫(Toyo Baldwin)(股)製造)作為測定器，於測定起始溫度50℃、測定結束溫度150℃、升溫速度5℃/min及振動頻率(frequency of vibration)1Hz/deg的條件下進行測定，使用100℃的測定值。
(利用感光性膜的遮罩層、絕緣層的形成)
遮罩層2、絕緣層5可藉由使用感光性膜將光硬化性樹脂層轉印至透明基板1等上而形成。例如於形成黑色的遮罩層2的情形時，可藉由以下方式形成：使用具有黑色光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，將黑色光硬化性樹脂層轉印至透明基板1的表面上。於形成絕緣層5的情形時，可藉由以下方式形成：使用具有絕緣性的光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，將光硬化性樹脂層轉印至形成有第一透明電極圖案的透明基板1的表面上。
進而，藉由在形成必需遮光性的遮罩層2時使用具有於光硬化性樹脂層與暫時支撐體之間具有熱塑性樹脂層的特定層構成的感光性膜，可防止感光性膜層壓時的氣泡產生，形成並無漏光的高品質的遮罩層2等。
(利用感光性膜的第一透明電極圖案及第二透明電極圖案、其他導電性要素的形成)
第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6可使用蝕刻處理或具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜、或者使用感光性膜作為舉離(lift-off)材料而形成。
-蝕刻處理-
於藉由蝕刻處理來形成第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6的情形時，首先於形成有遮罩層2等的透明基板1的非接觸面上藉由濺鍍而形成ITO等的透明電極層。繼而，於透明電極層上使用具有蝕刻用光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，藉由曝光．顯影而形成蝕刻圖案。其後，對透明電極層進行蝕刻而使透明電極圖案化，將蝕刻圖案去除，藉此可形成第一透明電極圖案3等。
即便於使用感光性膜作為蝕刻抗蝕劑(蝕刻圖案)的情形時，亦可與所述方法同樣地獲得抗蝕劑圖案。蝕刻可應用日本專利特開2010-152155公報的段落[0048]~段落[0054]等中記載的公知的方法應用蝕刻、抗蝕劑剝離。
例如，蝕刻的方法可列舉通常所進行的浸漬於蝕刻液中
的濕式蝕刻法。濕式蝕刻中所用的蝕刻液只要根據蝕刻的對象而適當選擇酸性類型或鹼性類型者。酸性類型的蝕刻液可例示：鹽酸、硫酸、氫氟酸、磷酸等酸性成分單獨的水溶液，酸性成分與氯化鐵、氟化銨、過錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。酸性成分亦可使用將多種酸性成分組合而成者。另外，鹼性類型的蝕刻液可例示：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺、氫氧化四甲基銨般的有機胺的鹽等鹼成分單獨的水溶液，鹼成分與過錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。鹼成分亦可使用將多種鹼成分組合而成者。
蝕刻液的溫度並無特別限定，較佳為45℃以下。本發明中用作蝕刻遮罩(蝕刻圖案)的樹脂圖案是使用所述光硬化性樹脂層而形成，藉此對此種溫度範圍的酸性及鹼性的蝕刻液發揮特別優異的耐性。因此，於蝕刻步驟中防止樹脂圖案剝離，選擇性地蝕刻不存在樹脂圖案的部分。
蝕刻後，為了防止線污染，視需要亦可進行清洗步驟．乾燥步驟。關於清洗步驟，例如於常溫下藉由純水對形成有各層的透明基板進行10秒鐘~300秒鐘的清洗而進行清洗步驟，關於乾燥步驟，只要使用鼓風並適當調整鼓風壓(0.1kg/cm2~5kg/cm2左右)進行乾燥步驟即可。
繼而，樹脂圖案的剝離方法並無特別限定，例如可列舉：於30℃~80℃、較佳為50℃~80℃下將形成有各層的透明基板於攪拌中的剝離液中浸漬5分鐘~30分鐘的方法。本發明中用作蝕刻遮罩的樹脂圖案如上文所述，於45℃以下顯示出優異的耐
化學液性，但若化學液溫度達到50℃以上，則顯示出因鹼性的剝離液而膨潤的性質。根據此種性質，若使用50℃~80℃的剝離液來進行剝離步驟，則有縮短步驟時間、樹脂圖案的剝離殘渣變少的優點。即，藉由在蝕刻步驟與剝離步驟之間對化學液溫度設定差值，本發明中用作蝕刻遮罩的樹脂圖案於蝕刻步驟中發揮良好的耐化學液性，另一方面，於剝離步驟中顯示出良好的剝離性，故可同時滿足耐化學液性與剝離性這相背的兩特性。
剝離液例如可列舉：使氫氧化鈉、氫氧化鉀等無機鹼成分或三級胺、四級銨鹽等有機鹼成分溶解於水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯啶酮或該等的混合溶液中而成者。亦可使用該些剝離液藉由噴霧法、噴淋法、覆液法等進行剝離。
-具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜-
於使用具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜來形成第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6的情形時，可藉由在透明基板1的表面上轉印導電性光硬化性樹脂層而形成。
若使用具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜來形成第一透明電極圖案3等，則即便於具有開口部的透明基板中，抗蝕劑成分亦不會自開口部分中洩漏，不會污染基板背側，可利用簡便的步驟來製造具有薄層/輕量化的優點的觸控面板。
進而，藉由在形成第一透明電極圖案3等時使用具有於導電性光硬化性樹脂層與暫時支撐體之間具有熱塑性樹脂層的特定層
構成的感光性膜，可防止感光性膜層壓時的氣泡產生，形成導電性優異且電阻小的第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6。
-感光性膜的作為舉離材料的使用-
另外，亦可使用感光性膜作為舉離材料，形成第一透明電極層、第二透明電極層及其他導電性構件。於該情形時，藉由在使用感光性膜進行圖案化後，於形成有各層的透明基板整個面上形成透明導電層後，連同所堆積的透明導電層一起進行光硬化性樹脂層的溶解去除，可獲得所需的透明導電層圖案(舉離法)。
[圖像顯示裝置]
本發明的圖像顯示裝置具備本發明的靜電電容型輸入裝置。
本發明的靜電電容型輸入裝置、及具有該靜電電容型輸入裝置作為構成要素的圖像顯示裝置可應用：『最新觸控面板技術』(2009年7月6日發行，技術時代(Techno Times)(股)，三谷雄二監製)、『觸控面板的技術與開發』(CMC出版(2004，12))、平板顯示器(Flat Panel Display，FPD)國際2009論壇T-11(International 2009 Forum T-11)演講教科書、賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corporation)應用筆記(application note)AN2292等中揭示的構成。
以下列舉實施例對本發明加以更具體說明。以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不
偏離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍不限定於以下所示的具體例。再者，只要無特別說明，則「份」、「%」為質量基準。
[實施例1~實施例7、實施例10~實施例14、比較例1及比較例2]
<1.透明膜的形成>
對膜厚100μm、折射率1.53的環烯烴樹脂膜使用高頻振盪機，於輸出電壓100%、輸出250W、直徑1.2mm的線電極、電極長240mm、工作電極間1.5mm的條件下進行3秒鐘電暈放電處理，進行表面改質。將所得的膜作為透明膜基板。
繼而，使用狹縫狀噴嘴將下述表1中所示的材料-3的材料塗敷於透明膜基板上後，進行紫外線照射(累計光量300mJ/cm2)，於約110℃下乾燥，藉此製作折射率1.60、膜厚80nm的透明膜。
再者，下述表1及下述通式(1)中，「%」、「wt%」均表示質量%。
ZrO2：已知太陽能(Solar)股份有限公司製造的ZR-010(氧化鋯分散液，商品名納農(nanon)5 ZR-010)的顏料濃度為30質量%，例如於與太陽能(Solar)股份有限公司的納農(nanon)5 ZR-010有關的目錄(北村化學產業股份有限公司，No.1202033，2012年2月發行)中有記載。
另外，關於金屬氧化物粒子相對於各材料的固體成分之量、即製膜後的金屬氧化物粒子的量，計算出材料-3為28.1質量%，
材料-4為37.9質量%，材料-5為43.9質量%，材料-6為57.0質量%，材料-7為59.9質量%，材料-8為65.8質量%，材料-9為72.4質量%，材料-10為25.1質量%。
<2.透明電極圖案的形成>
將所述獲得的於透明膜基板上積層有透明膜的膜導入至真空腔室內，使用SnO2含有率為10質量%的ITO靶(銦：錫=95：5(莫耳比))，藉由直流(Direct Current，DC)磁控濺鍍(magnetron supttering)(條件：透明膜基板的溫度150℃、氬壓0.13Pa、氧壓0.01Pa)形成厚度40nm、折射率1.82的ITO薄膜，獲得於透明膜基板上形成有透明膜及透明電極層的膜。ITO薄膜的表面電阻為80Ω/□(Ω每方塊)。
(蝕刻用感光性膜E1的製備)
於厚度75μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜暫時支撐體上，使用狹縫狀噴嘴來塗佈包含下述配方H1的熱塑性樹脂層用塗佈液，使之乾燥。繼而，塗佈包含下述配方P1的中間層用塗佈液並使之乾燥。進而，塗佈包含下述配方E1的蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液並使之乾燥。如此而於暫時支撐體上獲得包含乾燥膜厚為15.1
μm的熱塑性樹脂層、乾燥膜厚為1.6μm的中間層、及膜厚2.0μm的蝕刻用光硬化性樹脂層的積層體，最後壓接保護膜(厚度12μm的聚丙烯膜)。如此而製作暫時支撐體、熱塑性樹脂層、中間層(氧阻斷膜)及透明硬化性樹脂層成一體的轉印材料。
(蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液：配方E1)
．甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸共聚物
(共聚物組成(質量%)：31/40/29，質量平均分子量60000，酸值163mgKOH/g)：16質量份
．單體1(商品名：BPE-500，新中村化學工業(股)製造)：5.6質量份
．六亞甲基二異氰酸酯的四環氧乙烷單甲基丙烯酸酯0.5莫耳加成物：7質量份
．作為於分子中具有1個聚合性基的化合物的環己烷二甲醇單丙烯酸酯：2.8質量份
．2-氯-N-丁基吖啶酮：0.42質量份
．2,2-雙(鄰氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基聯咪唑：2.17質量份
．孔雀綠草酸鹽：0.02質量份
．隱色結晶紫：0.26質量份
．啡噻嗪：0.013質量份
．界面活性劑(商品名：美佳法(Megafac)F-780F，大日本油墨(股)製造)：0.03質量份
．甲基乙基酮：40質量份
．1-甲氧基-2-丙醇：20質量份
再者，蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液E1的溶劑去除後的100℃的黏度為2500Pa．sec。
(熱塑性樹脂層用塗佈液：配方H1)
．甲醇：11.1質量份
．丙二醇單甲醚乙酸酯：6.36質量份
．甲基乙基酮：52.4質量份
．甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸-2-乙基己酯/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚合組成比(莫耳比)=55/11.7/4.5/28.8，分子量=10萬，Tg≒70℃)：5.83質量份
．苯乙烯/丙烯酸共聚物(共聚合組成比(莫耳比)=63/37，重量平均分子量=1萬，Tg≒100℃)：13.6質量份
．單體1(商品名：BPE-500，新中村化學工業(股)製造)：9.1質量份
．氟系聚合物：0.54質量份
所述氟系聚合物為40份的C6F13CH2CH2OCOCH=CH2、55份的H(OCH(CH3)CH2)7OCOCH=CH2及5份的H(OCHCH2)7OCOCH=CH2的共聚物，重量平均分子量為3萬，甲基乙基酮30質量%溶液(商品名：美佳法(Megafac)F780F，大日本油墨化學工業(股)製造)。
(中間層用塗佈液：配方P1)
．聚乙烯醇：32.2質量份
(商品名：PVA205，可樂麗(Kuraray)(股)製造，皂化度=88%，聚合度550)
．聚乙烯基吡咯啶酮：14.9質量份
(商品名：K-30，日本ISP(ISP Japan)(股)製造)
．蒸餾水：524質量份
．甲醇：429質量份
(透明電極圖案的形成)
將於透明膜基板上形成有透明膜及透明電極層的膜清洗，層壓去除了保護膜的蝕刻用感光性膜E1(透明膜基板的溫度：130℃，橡膠輥溫度120℃，線壓100N/cm，搬送速度2.2m/min)。剝離暫時支撐體後，將曝光遮罩(具有透明電極圖案的石英曝光遮罩)面與所述蝕刻用光硬化性樹脂層之間的距離設定為200μm，以曝光量50mJ/cm2(i射線)進行圖案曝光。
繼而，使用三乙醇胺系顯影液(含有30質量%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2(富士膜(股)製造)稀釋至10倍所得的溶液)於25℃下進行100秒鐘處理，使用含界面活性劑的清洗液(以純水將商品名：T-SD3(富士膜(股)製造)稀釋至10倍所得的溶液)於33℃下進行20秒鐘處理，利用旋轉刷、超高壓清洗噴嘴來進行殘渣去除，進而於130℃下進行30分鐘的後烘烤處理，獲得於透明膜基板上形成有透明膜、透明電極層及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的膜。
將於透明膜基板上形成有透明膜、透明電極層及蝕刻用光硬
化性樹脂層圖案的膜浸漬於放入有ITO蝕刻劑(鹽酸、氯化鉀水溶液。液溫30℃)的蝕刻槽中，進行100秒鐘處理，將未由蝕刻用光硬化性樹脂層覆蓋的露出區域的透明電極層溶解去除，獲得帶有蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的附透明電極圖案的膜。
繼而，將帶有蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的附透明電極圖案的膜浸漬於放入有抗蝕劑剝離液(N-甲基-2-吡咯啶酮、單乙醇胺、界面活性劑(商品名：蘇菲諾(Surfinol)465，空氣產品(Air Products)製造)，液溫45℃)的抗蝕劑剝離槽中，進行200秒鐘處理，將蝕刻用光硬化性樹脂層去除，獲得於透明膜基板上形成有透明膜及透明電極圖案的膜。
<3.各實施例及比較例的轉印膜的製作>
於厚度50μm的作為聚對苯二甲酸乙二酯膜的暫時支撐體上，使用狹縫狀噴嘴，將以成為所述表1所記載的組成的方式製備的第一硬化性透明樹脂層用的材料-1、材料-2及材料-11的任一種一面變更塗佈量，一面以成為下述表2所記載的所需膜厚的方式調整，進行塗佈、乾燥，於暫時支撐體上形成第一硬化性透明樹脂層。
於第一硬化性透明樹脂層經塗佈．乾燥的時刻，對該第一硬化性透明樹脂層使用切片機(microtome)自表面切削切片。對該切片0.1mg添加KBr粉末2mg，於黃色燈下充分混合，製成後述雙鍵消耗率的測定中的UV未硬化品的測定試樣。
於實施例1~實施例7、實施例10~實施例12、實施例
14、比較例1中，將第一硬化性透明樹脂層製膜後，進行UV燈照射(曝光量300mJ/cm2，金屬鹵化物燈)。其中，實施例13中不進行UV燈照射。
於第一硬化性透明樹脂層經塗佈．乾燥．硬化的時刻，對該第一硬化性透明樹脂層使用切片機自表面切削切片。對該切片0.1mg添加KBr粉末2mg，於黃色燈下充分混合，製成後述雙鍵消耗率的測定中的塗佈．乾燥．硬化後的測定試樣。
(雙鍵消耗率的測定)
使用傅立葉變換紅外(Fourier Transform-Infrared，FT-IR)裝置(日本塞莫-尼科萊特(Thermo Nicolet Japan)製造，尼科萊特(Nicolet)710)測定400cm-1~4000cm-1的波長範圍，求出來源於C=C鍵的810cm-1的峰值強度。求出僅經塗佈．乾燥的UV未硬化品的峰值強度(=雙鍵殘存量)A、及塗佈．乾燥．硬化後的各膜切片的峰值強度B。對各實施例及比較例中形成的第一硬化性透明樹脂層依照下述式來計算雙鍵消耗率。
式：雙鍵消耗率={1-(B/A)}×100%
《評價基準》
A：雙鍵消耗率為10%以上
B：雙鍵消耗率小於10%
再者，雙鍵消耗率成為第一層與第二層的界面混合程度的指標。
(第二硬化性透明樹脂層的形成)
其後，將以成為所述表1所記載的組成的方式製備的第二硬化性透明樹脂層用的材料-3~材料-10的任一種一面變更塗佈量，一面以成為下述表2所記載的所需膜厚的方式調整，進行塗佈、乾燥，於第一硬化性透明樹脂層上形成第二硬化性透明樹脂層。
(保護膜的壓接)
對於在暫時支撐體上設有第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的積層體，於其第二硬化性透明樹脂層上最後壓接保護膜(厚度12μm的聚丙烯膜)。
如此而製作暫時支撐體、第一硬化性透明樹脂層、第二硬化性透明樹脂層及保護膜成一體的轉印膜。將所得的轉印膜作為各實施例及比較例的轉印膜。
<4.各實施例及比較例的透明積層體的製作>
使用剝離了保護膜的各實施例及比較例的轉印膜，以第二硬化性透明樹脂層將於透明膜基板上形成有透明膜及透明電極圖案的膜的透明膜及透明電極圖案覆蓋的方式，依序轉印第二硬化性透明樹脂層、第一硬化性透明樹脂層及暫時支撐體(透明膜基板的溫度：40℃，橡膠輥溫度110℃，線壓3N/cm，搬送速度2m/min)。
其後，使用具有超高壓水銀燈的近接式曝光機(日立高新技
術電子工程(Hitachi High-Tech Electronics Engineering)(股)製造)，自暫時支撐體側以i射線、100mJ/cm2進行全面曝光。然後，從第一硬化性透明樹脂層上剝離暫時支撐體。
繼而，將轉印有第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的膜於150℃下進行30分鐘加熱處理(後烘烤)，獲得於透明膜基板上積層有透明膜、透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層的透明積層體。
將所得的透明積層體作為各實施例及比較例的透明積層體。
[實施例8]
於實施例1中，使第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層成為下述表2中記載的種類及膜厚，除此以外，與實施例1的轉印膜的製作同樣地進行操作，製作實施例8的轉印膜。
於實施例1中，使用實施例8的轉印膜代替實施例1的轉印膜，且使用厚度100μm、折射率1.49的三乙醯纖維素(TAC)樹脂膜代替環烯烴樹脂膜作為透明膜基板，除此以外，與實施例1的透明積層體的製造同樣地進行操作，製作實施例8的透明積層體。
[實施例9]
於實施例1中，使第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層成為下述表2中記載的種類及膜厚，除此以外，與實施例1的轉印膜的製作同樣地進行操作，製作實施例9的轉印膜。
於實施例1中，使用實施例9的轉印膜代替實施例1的轉印
膜，且使用厚度100μm、折射率1.6的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂膜代替環烯烴樹脂膜作為透明膜基板，除此以外，與實施例1的透明積層體的製造同樣地進行操作，製造實施例9的透明積層體。
[比較例2]
於實施例1中，不形成第二硬化性透明樹脂層，除此以外，與實施例1同樣地進行操作，製作比較例2的轉印膜。
於實施例1中，使用比較例2的轉印膜代替實施例1的轉印膜，且以第一硬化性透明樹脂層將於透明膜基板上形成有透明膜及透明電極圖案的膜的透明膜及透明電極圖案覆蓋的方式，轉印第一硬化性透明樹脂層，除此以外，與實施例1的透明積層體的製造同樣地進行操作，製造比較例2的透明積層體。
[實施例15]
於實施例1中，使第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層成為下述表2中記載的種類及膜厚，除此以外，與實施例1的轉印膜的製作同樣地進行操作，製作實施例15的轉印膜。
與實施例1同樣地對實施例1中所用的環烯烴樹脂膜的兩面進行表面改質，與實施例1同樣地於其兩面上形成透明膜。進而，於在透明膜基板上形成有透明膜的膜的兩面上，與實施例1同樣地形成透明電極圖案。
於所得的依序形成有透明電極圖案、透明膜、透明膜基板、透明膜及透明電極圖案的膜的一個表面側的透明電極圖案上，於實施例1中使用實施例15的轉印膜代替實施例1的轉印膜，除此
以外，同樣地進行操作，轉印第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
其後，於所得的依序形成有透明電極圖案、透明膜、透明膜基板、透明膜及透明電極圖案、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層的膜的另一表面側的透明電極圖案上，於實施例1使用實施例15的轉印膜代替實施例1的轉印膜，除此以外，同樣地轉印第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層。
將如此所得的於用作透明膜基板的環烯烴樹脂膜的兩面上對稱地依序形成有透明膜、透明電極層、第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層的透明積層體作為實施例15的透明積層體。
[實施例16]
與實施例1同樣地對環烯烴樹脂膜的兩面進行表面改質，於表面改質後的膜的兩面上塗佈1μm的下述硬塗層形成組成物HCl。其後，藉由紫外線照射進行硬化，形成硬塗層。用作透明膜的硬塗層HCl的折射率為1.80，且金屬氧化物粒子相對於透明膜的總固體成分之含量為24.5質量%。
(硬塗層形成組成物HCl)
將於透明膜基板的兩面上形成有硬塗層的膜導入至真空腔室內，使用ZnO2含有率為10質量%的IZO靶(銦：鋅=95：5(莫耳比))，藉由DC磁控濺鍍(條件：氬壓0.13Pa、氧壓0.01Pa)於兩面的硬塗層上於150℃下濺鍍IZO，進而於150℃下進行1小時熱處理，藉此形成結晶性優異的透明電極層。所得的透明電極層為厚度60nm、折射率1.91的IZO薄膜。IZO薄膜的表面電阻為22Ω/□。
其後，與實施例1同樣地對所得的透明電極層進行蝕刻，獲得依序形成有IZO透明電極圖案、硬塗層、透明膜基板、硬塗層及IZO透明電極圖案的膜。
繼而，於實施例1中，使第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層成為下述表2中記載的種類及膜厚，除此以外，與實施例1的轉印膜的製作同樣地進行操作，製作實施例16的轉印膜。再者，第二硬化性透明樹脂層中所用的材料-12為以下的組成物。另外，計算出金屬氧化物粒子相對於材料-12的固體成分之量、即製膜後的金屬氧化物粒子的量為38.8質量%。
(材料-12)
於實施例15中，使用實施例16的轉印膜代替實施例15的轉印膜，且使用依序形成有IZO透明電極圖案、硬塗層、透明膜基板、硬塗層及IZO透明電極圖案的膜代替依序形成有透明電極圖案、透明膜、透明膜基板、透明膜及透明電極圖案的膜，除此以外，與實施例15同樣地進行操作，製作實施例16的透明積層體。
[透明積層體的評價]
<透明電極圖案的視認性的評價>
使於透明膜基板上積層有透明膜、透明電極圖案、第二硬化
性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層的各實施例及比較例的透明積層體(其中，比較例2的透明積層體不具有第二硬化性透明樹脂層)經由透明接著帶(3M公司製造，商品名：OCA帶(tape)8171CL)而與黑色PET材料接著，將整個基板遮光。
透明電極圖案視認性是藉由以下方式進行：於暗室中，對於螢光燈(光源)及所製作的基板，使光自硬化性透明樹脂層面側入射，自傾斜方向目測觀察其反射光。
《評價基準》
A：完全看不到透明電極圖案。
B：稍許可見透明電極圖案，但幾乎看不到。
C：可見透明電極圖案(不易看清)。
D：可見透明電極圖案，但實用上可容許。
E：清晰可見透明電極圖案(容易看清)。
將所得的結果記載於下述表2中。
<鉛筆硬度的評價>
進行日本工業標準(Japanese Industrial Standards，JIS)K 5400中記載的鉛筆硬度評價作為耐傷性的指標。將各實施例及比較例的轉印膜轉印至作為吉奧馬(Geomatec)公司製造的PET膜的透明膜基板上，使利用與實施例1相同的方法將第二硬化性透明樹脂層及第一硬化性透明樹脂層製膜所得的樣品膜於溫度25℃、相對濕度60%下調濕1小時後，使用JIS S 6006中規定的2H的試驗用鉛筆，以500g的荷重進行n=7的評價。
《評價基準》
A：損傷小於3個。
B：損傷為3個以上且小於5個。
C：損傷為5個以上且小於6個。
E：損傷為6個以上。
將所得的結果記載於下述表2中。
由所述表2得知，使用本發明的轉印膜所製作的本發明的透明積層體不存在看到透明電極圖案的問題。
另一方面，於使用以下轉印膜的比較例1中，所得的透明積層體的透明電極圖案清晰可見，所述轉印膜由於第二硬化性透明樹脂層相對於第二硬化性透明樹脂層的總固體成分而含有25.1質量%的金屬氧化物粒子，故金屬氧化物粒子的含量低於本發明的範圍。
於使用不含第二硬化性透明樹脂層的轉印膜的比較例2中，所得的透明積層體的透明電極圖案清晰可見。
進而，藉由以下方法來測定各實施例及比較例的透明積層體的第一硬化性透明樹脂層或第二硬化性透明樹脂層的金屬氧化物粒子的含量，結果為所述表2中記載的值。
切削透明積層體的剖面後，利用TEM(透射式電子顯微鏡)觀察剖面。於層內的任意3個部位測定第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的膜剖面積中的金屬氧化物粒子的佔有面積的比例，將其平均值視為體積分率(VR)。
利用下述式對體積分率(VR)與重量分率(WR)進行換算，藉此算出第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層內的金屬氧化物粒子的重量分率(WR)。
WR=1/(1.1*(1/(D*VR)-1)+1)
D：金屬氧化物粒子的比重
於金屬氧化物粒子為氧化鈦的情形時，可計算為D=4.0，於金屬氧化物粒子為氧化鋯的情形時，可計算為D=6.0。
再者，各實施例及比較例的轉印膜或透明積層體的透明膜、第一硬化性透明樹脂層及第二硬化性透明樹脂層的金屬氧化物粒子的含量亦可根據所述表1及表2的各材料的組成來算出。
《圖像顯示裝置(觸控面板)的製作》
於利用日本專利特開2009-47936號公報的[0097]~[0119]中記載的方法所製造的液晶顯示元件上，貼合含有上文中製造的各實施例、比較例的透明積層體的膜，進而貼合前面玻璃板，藉此利用公知的方法製作具備靜電電容型輸入裝置作為構成要素的含有各實施例、比較例的透明積層體的圖像顯示裝置。
《靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置的評價》
含有各實施例的透明積層體的靜電電容型輸入裝置及圖像顯示裝置不存在看到透明電極圖案的問題。
第一硬化性透明樹脂層、第二硬化性透明樹脂層中亦無氣泡等缺陷，可獲得顯示特性優異的圖像顯示裝置。
Claims (32)
- 一種轉印膜，依序具有：暫時支撐體；第一硬化性透明樹脂層，於所述暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置；以及第二硬化性透明樹脂層，於所述第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置，且所述第二硬化性透明樹脂層的折射率高於所述第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，所述第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
- 一種轉印膜，依序具有：暫時支撐體；第一硬化性透明樹脂層，於所述暫時支撐體上以直接接觸的方式鄰接而配置；以及第二硬化性透明樹脂層，於所述第一硬化性透明樹脂層上以直接接觸的方式鄰接而配置，且相對於所述第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二 硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，所述第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第一硬化性透明樹脂層的折射率為1.5~1.53。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.6以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第二硬化性透明樹脂層的折射率為1.65以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第二硬化性透明樹脂層的膜厚為500nm以下。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第二硬化性透明樹脂層的膜厚為110nm以下。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第一硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物及光聚合性起始劑。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第二硬化性透明樹脂層含有折射率1.55以上的金屬氧化物粒子作為所述金屬氧化物粒子。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述金屬氧化物粒子的折射率為1.9以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述金屬氧化物粒子為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物及銻/錫氧化物的任一種或兩種以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述金屬氧化物粒子為氧化鋯，且相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有40質量%~95質量%的所述金屬氧化物粒子。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述金屬氧化物粒子為氧化鈦，且相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有30質量%~70質量%的所述金屬氧化物粒子。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第二硬化性透明樹脂層含有聚合性化合物。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第一硬化性樹脂層及所述第二硬化性樹脂層均為熱硬化性樹脂層。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜，其中所述第一硬化性樹脂層及所述第二硬化性樹脂層含有丙烯酸系樹脂。
- 一種轉印膜的製造方法，包括： 於暫時支撐體上，(b)以所述暫時支撐體與所述第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使所述第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的所述第一硬化性透明樹脂層上直接形成第二熱硬化性透明樹脂層的步驟，且所述第二硬化性透明樹脂層的折射率高於所述第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，所述第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
- 一種轉印膜的製造方法，包括：於暫時支撐體上，(b)以所述暫時支撐體與所述第一硬化性透明樹脂層彼此直接接觸的方式，形成含有聚合性化合物及光聚合起始劑的第一硬化性透明樹脂層的步驟；(c)藉由曝光使所述第一硬化性透明樹脂層硬化的步驟；及(d)於硬化後的所述第一硬化性透明樹脂層上直接形成第 二熱硬化性透明樹脂層的步驟，且相對於所述第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，所述第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
- 一種透明積層體的製造方法，包括以下步驟：於透明電極圖案上，依序積層如申請專利範圍第1項或第2項所述的轉印膜的所述第二硬化性透明樹脂層及所述第一硬化性透明樹脂層。
- 如申請專利範圍第20項所述的透明積層體的製造方法，更包括將所述暫時支撐體去除的步驟。
- 如申請專利範圍第20項所述的透明積層體的製造方法，其中所述透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
- 一種透明積層體，其是利用如申請專利範圍第20項所述的透明積層體的製造方法所製造。
- 一種透明積層體，具有：透明電極圖案；第二硬化性透明樹脂層，與所述透明電極圖案鄰接而配置；及 第一硬化性透明樹脂層，與所述第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置，且所述第二硬化性透明樹脂層的折射率高於所述第一硬化性透明樹脂層的折射率，相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，所述第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
- 一種透明積層體，具有：透明電極圖案；第二硬化性透明樹脂層，與所述透明電極圖案鄰接而配置；及第一硬化性透明樹脂層，與所述第二硬化性透明樹脂層鄰接而配置，且相對於所述第一硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第一硬化性透明樹脂層含有0質量%~10質量%的金屬氧化物粒子，相對於所述第二硬化性透明樹脂層的總固體成分，所述第二硬化性透明樹脂層含有28.1質量%~95質量%的金屬氧化物粒子，所述第一硬化性透明樹脂層的膜厚為1μm以上。
- 如申請專利範圍第24項或第25項所述的透明積層體，其中所述透明電極圖案為形成於透明膜基板上的透明電極圖案。
- 如申請專利範圍第26項所述的透明積層體，其中於所述透明膜基板的兩面上分別具有所述透明電極圖案、所述第二硬化性透明樹脂層及所述第一硬化性透明樹脂層。
- 如申請專利範圍第26項所述的透明積層體，其中於所述透明電極圖案的與形成有所述第二硬化性透明樹脂層之側為相反側，更具有含有金屬氧化物且膜厚為55nm~110nm的透明膜、或折射率為1.6~1.80且膜厚為55nm~110nm的透明膜。
- 如申請專利範圍第28項所述的透明積層體，其中將所述透明膜配置於所述透明電極圖案與所述透明膜基板之間。
- 如申請專利範圍第24項或第25項所述的透明積層體，其中所述第一硬化性透明樹脂層的雙鍵消耗率為10%以上。
- 一種靜電電容型輸入裝置，其是使用如申請專利範圍第1項至第17項中任一項所述的轉印膜而製作，或含有如申請專利範圍第23項至第30項中任一項所述的透明積層體。
- 一種圖像顯示裝置，具備如申請專利範圍第31項所述的靜電電容型輸入裝置作為構成要素。
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