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Description
しかしながら、タッチパネルを液晶パネルに設けると、液晶モジュールの全体の厚さが厚くなる。そこで、例えば特許文献1には、薄型化に適した構造の、静電容量型タッチパネル付き液晶表示素子が提案されている。
静電容量式のタッチセンサは、駆動電極と、当該駆動電極と静電容量を形成する複数の検出電極を有する。
一例として、液晶表示素子の観察側基板とその外面に配置された観察用偏光板との間にタッチパネル用導電膜(検出電極)を設けることが可能である。この構造では、タッチパネル用導電膜(検出電極)と偏光板の外面との間に、偏光板の外面をタッチ面とした静電容量型タッチパネルを形成し、薄型化が図られる。
前記複数の画素電極は、前記第1基板と前記第2基板とが互いに対向する2つの面の前記第1基板の側に配置されている。
前記表示機能層は、前記画素電極に供給される画像信号に基づいて画像表示機能を発揮する。
前記駆動電極は、前記2つの面の何れか一方の側に前記複数の画素電極と対向して配置されている。
前記複数の検出電極は、前記第2基板の、前記駆動電極と反対側の面に配置されて一方向に分離され、前記駆動電極との間に容量を形成する。
前記電極隣接層は、前記第2基板と前記複数の検出電極に接して配置されて、複数の検出電極を覆う。
この他の表示装置は、前記第2基板と前記複数の検出電極に接して配置されて、複数の検出電極を覆う保護層をさらに有する。この保護層の屈折率noは、屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに前記検出電極の屈折率npおよび前記第2基板の屈折率nsとの関係が次式(2)、すなわち、
np≦nsの場合 np≦no≦ns
np>nsの場合 ns≧no>np…式(2)
を満たす。
以下、次の順で説明を行う。
1.第1の実施の形態:第2基板、接着層および検出電極による屈折率調整する。
2.第2の実施の形態:接着層を偏光板の貼り合わせに用いる場合である。
3.第3の実施の形態:接着層と偏光板の機能が一体化する場合である。
4.第4の実施の形態:第2基板、保護層、検出電極による屈折率調整する場合である。
5.第5の実施の形態:第1基板側の電極配置例1を示す。
6.第6の実施の形態:第1基板側の電極配置例2を示す。
7.第7の実施の形態:色と検出電極との関係を規定した表示装置である。
8.第8の実施の形態:液晶表示装置のその他の具体的構成例を示す。
9.実施例1
10.実施例2
11.適用例(電子機器の実施例)
タッチセンサの検出電極(表示面側で指等が近接する電極)よりパネル内部に設けられ、検出のための静電容量を検出電極との間に形成するもう片方の電極を、駆動電極という。駆動電極は、タッチセンサ専用の駆動電極であってもよいが、より薄型化のために望ましい構成として、ここでは駆動電極は、タッチセンサの走査駆動と、画像表示装置の、いわゆるVCOM反転駆動とを同時に行う兼用電極である。なお、薄型化のためにタッチセンサの走査電極とVCOM駆動電極とは電極としては兼用されているが、後述するようにタッチセンサの走査駆動とVCOM駆動の駆動自体は互いに独立して行われる。
この場合を例として、以下、図面を用いて本実施の形態を説明する。なお、単に駆動電極というと、どちらの駆動かが紛らわしいため、ここでは対向電極と呼ぶ。
最初に、以下の他の実施形態に共通な事項として、図1〜図3を参照して、本実施形態の表示装置におけるタッチ検出の基本を説明する。
図1(A)と図2(A)は、タッチセンサ部の等価回路図、図1(B)と図2(B)は、タッチセンサ部の構造図(概略断面図)である。ここで図1は、被検出物としての指がセンサに近接していない場合、図2がセンサに近接または接触している場合をそれぞれ示す。
図1(A)および図2(A)に示すように、容量素子C1は、駆動電極E1がACパルス信号Sgを発生する交流信号源Sに接続され、検出電極E2が電圧検出器DETに接続される。このとき検出電極E2は抵抗Rを介して接地されることで、DCレベルが電気的に固定される。
すると検出電極E2に、図3(A)に示すような出力波形(検出信号Vdet)が現れる。
なお、詳細は後述するが、本発明の実施形態では、駆動電極E1が液晶駆動のための対向電極(画素電極に対向する、複数画素で共通の電極)に相当する。ここで対向電極は液晶駆動のため、いわゆるVcom反転駆動と称される交流駆動がなされる。よって、本発明の実施形態では、Vcom反転駆動のためのコモン駆動信号Vcomを、駆動電極E1をタッチセンサのために駆動するACパルス信号Sgとしても用いる。
この接触状態では、容量素子C1とC2を介した交流信号の放電経路が形成される。よって、容量素子C1とC2の充放電に伴って、容量素子C1,C2に、それぞれ交流電流I1,I2が流れる。そのため、初期検出信号Vdet0は、容量素子C1とC2の比等で決まる値に分圧され、パルス波高値が低下する。
図1および図2に示す電圧検出器DETは、この検出信号の低下を、例えば閾値Vthを用いて検出することにより、指の接触を検出する。
図4(A)〜図4(C)に、本実施形態に関わる表示装置の電極と、その駆動や検出のための回路の配置に特化した平面図を示す。また、図4(D)に、本実施形態に関わる表示装置の概略的な断面構造を示す。図4(D)は、例えば行方向(画素表示ライン方向)の6画素分の断面を表している。図5は、画素の等価回路図である。
図4に図解する表示装置は、「表示機能層」としての液晶層を備える液晶表示装置である。
図4(D)では断面構造を見易くするために、この本発明の主要な構成である、対向電極、画素電極および検出電極についてはハッチングを付すが、それ以外の部分(基板、絶縁膜および機能膜等)についてはハッチングを省略している。このハッチングの省略は、これ以降の他の断面構造図においても同様である。
各画素は、図5に示すように、画素のセレクト素子としての薄膜トランジスタ(TFT;thin film transistor、以下、TFT23と表記)と、液晶層6の等価容量C6と、保持容量(付加容量ともいう)Cxとを有する。液晶層6を表す等価容量C6の一方側の電極は、画素ごとに分離されてマトリクス配置された画素電極22であり、他方側の電極は複数の画素で共通な対向電極43である。
対向電極43には、コモン駆動信号Vcomが与えられる。コモン駆動信号Vcomは、中心電位を基準として正と負の電位を、1水平期間(1H)ごとに反転した信号である。
TFT23のゲートは行方向、即ち表示画面の横方向に並ぶ全ての画素PIXで電気的に共通化され、これにより走査線SCNが形成されている。走査線SCNは、不図示の垂直駆動回路から出力され、TFT23のゲートを開閉するためのゲートパルスが供給される。そのため走査線SCNはゲート線とも称せられる。
TFT基板21に、各画素電極22を駆動するための図示しない表示ドライバ(垂直駆動回路、水平駆動回路等)が形成されている。また、TFT基板21に、図5に示すTFT23、ならびに、信号線SIGおよび走査線SCN等の配線が形成されている。TFT基板21に、後述するタッチ検出動作を行う検出回路が形成されていてもよい。
対向電極43は、タッチ検出動作を行うタッチセンサの一部を構成するセンサ駆動電極としても兼用されるものであり、図1および図2における駆動電極E1に相当する。
対向電極43は、合計でn個に分割されている。よって、対向電極43_1,43_2,…,43_m,…,43_nは、行方向に長い帯状のパターンを有して面状配置され、当該面内で互いの離間距離をとって平行に敷き詰められている。
このn分割された対向電極43_1〜43_nの分割配置ピッチが、(サブ)画素ピッチ、あるいは、画素電極の配置ピッチの自然数倍に設定されていることが望ましい。
本発明は、シフト駆動する、しないに拘らず、表示装置全体で透明電極の配置に起因したパターンの不可視化を図るために、駆動基板2側の屈折率の不均一を対向基板4側において調整するための構成を提供する。
以下、Vcom駆動回路9内のACパルス信号Sgを発生する交流信号源Sと、センサ検出部8の基本構成である電圧検出器DETとの回路例を説明する。
図6は、本発明にかかる実施形態において、交流信号源S(図1,図2及び図4参照)として用いることが可能なセンサ駆動部9Aの詳細構成を示す図である。
センサ駆動部9Aは、図6に示すように、制御部91と、第1スイッチSW1と、第2スイッチSW2と、ラッチ回路92と、バッファ回路93と、第3スイッチSW3とを有しており、交流信号源として機能するように構成されている。センサ駆動部9Aは、たとえば、数[kHz]〜数十[kHz]の周波数の交流矩形波であって、コモン駆動信号VcomであるACパルス信号Sg(図3(B)参照)を、対向電極43へ印加する。
センサ駆動部9Aにおいて、制御部91は、図6に示すように、第1スイッチSW1と、第2スイッチSW2と、第3スイッチSW3とのそれぞれのスイッチング動作を制御する回路として構成されている。
上記のようなセンサ駆動部9A(交流信号源S)は、たとえば、液晶表示装置1の駆動基板において表示領域の周辺に位置するVcom駆動回路9(図4参照)を構成するように設けることができる。あるいは、図4(D)に示すように、対向基板4の表示領域の周辺にセンサ駆動部9Aを設けてもよい。
電圧検出器DETは、図7に示すように、OPアンプ回路81と、整流回路82と、出力回路83とを含む。
電圧検出器DETにおいて、OPアンプ回路81は、図7に示すように、OPアンプ84と、抵抗R,R1,R2と、キャパシタC3とを含み、信号増幅回路のほか、フィルタ回路として機能するように構成されている。つまり、OPアンプ回路81は、検出電極44から出力された検出信号Vdetを増幅後、その検出信号Vdetにおいて所定の周波数成分を除去して、整流回路82へ出力する。
図8は、第1の実施の形態に関わる液晶表示装置1の特に表示面側を強調して示す概略断面図である。
図8に図解する断面構造において、図4(D)と共通する構成は同一符号を付している。図8には、図4(D)の検出電極44と保護層45の接着部の構造が強調して示されている。
この接着部においては、ガラス基板41の液晶層6と反対側の面(以下、第2基板表示側面41A)の上に、複数の検出電極44が等間隔に配列されている。検出電極44は透明電極材料から形成され、図4の平面図に示すように列方向に長い平行ストライプ配置を有する。そのため、検出電極44の隙間に電極材料に接しない領域(電極間領域)が存在する。
この電極間領域と検出電極44を覆って接着層48が形成され、その上に保護層45が貼られている。保護層45は無機材料、有機材料、または無機材料と有機材料のハイブリッド材料等を適当な膜厚(0.1〜100[μm]程度)として各種コーティング手法で形成してもよいし、透明樹脂製のシートのようなものでもよい。
第2基板はガラスに限定されないので、以下、同一符号“41”を用いて第2基板を表す。
np≦nsの場合 np≦na≦ns
np>nsの場合 np≧na>ns …式(1)
を満たす必要がある。
より好ましくは、屈折率naは、検出電極44の屈折率npと第2基板41の屈折率nsの丁度中間を基準に微調整されることが望ましい。多くの場合、両屈折率の丁度中間に屈折率naを設定すると、大きな屈折率差は生じない。
第2基板41である板(ガラス)の屈折率を1.52、検出電極44(ITO)の屈折率を1.8とした場合には、接着層48の屈折率は1.52〜1.8の間であり、さらに好ましくは1.6〜1.7の間が好ましく、理想的には1.62〜1.68の間が好ましい。
具体的には、屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに、上記ベース部材(第2基板41、または、その最表層)の屈折率nsと検出電極の屈折率npとの差をΔNとする。下地がガラスの例では、ΔN=0.28である。
この屈折率差ΔNを100[%]とすると、その中心(1.66)から−21%〜+14%(下地がガラスの場合、屈折率が−0.06〜+0.04)の範囲が望ましく、屈折率差ΔNの中心から−14%から+7%(下地がガラスの場合、屈折率が−0.04〜+0.02)の範囲がさらに望ましい。
この場合、画素電極22が細かく人の目には解像できないため、検出電極44単体で不可視化する必要がある。検出電極44の屈折率を式(1)のように定義することにより、界面での反射率が均一化され、反射表示、透過表示においても視認し難くなり、検出電極44単体においても不可視化することが可能となる。
図9は、第2の実施の形態に関わる液晶表示装置1の断面図である。図9は図8と同様に表面側を強調して示す概略図である。
図9が図8と異なるのは、接着層48が、第2基板41の検出電極形成面に第2偏光板62を貼り付けるために用いられていることである。第2偏光板62を設けることにより外光の光を約半分にすることが可能であるため、より視認されなくなる。また、液晶表示装置1や有機ELの表示装置では画像表示のために偏光板を設けることがあるため、第2偏光板62は表示のためにも兼用できる。第2偏光板62としては、直線偏光板でもよいが、円偏光板を用いてもよい。
図10は、第3の実施の形態に関わる液晶表示装置1の断面図である。図10は図8や図9と同様に表面側を強調して示す概略図である。
図10が図9と異なるのは、第2偏光板62を第2基板41上に直接形成するため、光学的機能と屈折率調整機能とを一体化した電極隣接層63を形成していることである。
特に、本実施の形態で表示装置が液晶表示装置1である場合に、第2基板41、電極隣接層63(接着層48+第2偏光板62)が、偏光板62それ本来の光学的機能に加えて屈折率調整の部材として兼用されているため、追加部材を最小限にして構成することが可能となる。
この第3の実施の形態の一例として、第2基板41の電極間領域および検出電極44の上から偏光機能を有する材料を塗布して形成することが考えられる。
液晶材料を塗布する場合には、下地としてラビング等により配向処理された配向膜を用いる必要があり、配向膜を検出電極形成面上に設けることにより、屈折率調整の部材として兼用できる。
すなわち、この塗布型の偏光材料と第2基板41との間に設けられる配向膜を用いて電極隣接層63を形成する。
ラビング処理は、レーヨン、綿、ポリアミド、ポリメチルメタアクリレート等の素材から選ばれた材料でなるラビング布を金属ロールに捲きつけ、これをフィルムに接した状態で回転させるか、ロールを固定したままフィルムを搬送する。このとき、フィルム面をラビングで摩擦する方法が通常採用される。
図11は、第4の実施の形態に関わる液晶表示装置1の断面図である。図11は図8〜図10と同様に表面側を強調して示す概略図である。
図11が図9と異なるのは、接着層48は電極隣接層とせずに、接着層48と第2基板41間に保護層45を設けていることである。保護層45は、第2基板41の電極間領域と検出電極44を覆い、電極隣接層として機能する。
保護層45は検出電極44を保護する機能も兼ねており、硬いものが好ましい。
また、検出電極44はパターニングされているため、パターンのエッジ部分が散乱して見えることがあるが、保護層45を設けることによりエッジの形状を滑らかにすることが可能である。
np≦nsの場合 np≦no≦ns
np>nsの場合 np≧no>ns …式(2)
を満たす必要がある。
より好ましくは、屈折率noは、検出電極44の屈折率npと第2基板41の屈折率nsの丁度中間を基準に微調整されることが望ましい。多くの場合、両屈折率の丁度中間に屈折率naを設定すると、大きな屈折率差は生じない。
また、接着層48に珪素酸化物または珪素窒化物を含む化合物を用いると、薄くても強度的に十分な保護層45を実現し、これにより薄型化することができる。
本第5の実施の形態と次の第6の実施の形態は、検出電極44の平面電極配置構成を例示する。液晶表示装置1全体で電極パターンの不可視化を行うには、材料の種類による透過率の調整のほかに、2次元平面における透過率の調整も重要である。
以下に述べる2つの実施の形態は、上述した第1〜第4の実施の形態と重複適用により、より大きな効果を発揮する。材料選択の余地を拡大し、より最適化が可能となるからである。
図12に示すように、表示部の有効表示領域内に、検出電極44がほぼ充填されている。
検出電極44の未配置領域(電極間領域)が、有効表示領域の20[%]以下とすることにより、マクロで見た際の第2基板41と検出電極44の反射率差が小さくなり、電極パターンがより視認されにくくなる。特に、検出電極44の配置ピッチとカラーフィルタによる色配列がずれている、つまり、同色の色領域でも検出電極44との重なり具合が異なる場合でも、不可視化することが可能となる。
図13は、第6の実施の形態に関わる検出電極44の配置平面図である。
図13に示す検出電極44はx方向の幅が細い。これは静電容量の最適化の要請から、このように検出電極44を細くする必要があるなどの理由に基づく。そのような場合、透明電極材料の充填率を上げる目的で、検出電極44間に同じ材料の浮遊電極46を敷き詰めている。浮遊電極46は好ましくは、y方向で画素ピッチの自然数倍で分断されている。これは、検出感度を上げるためには検出電極44間の隙間における電位変化が、比較的電位変動しやすい浮遊電極46を介して伝達しやすくする要請に基づく。
このように検出感度との兼ね合いで検出電極44を太く出来ない場合は、浮遊電極46を配置することが望ましい。
なお浮遊電極46のパターンは図示例に限らない。
つぎに、検出電極44の幅と検出感度との関係、さらには、浮遊電極46の作用について説明する。
図15は、第7の実施形態に関わる液晶表示装置の透過平面図である。この図16は、例えば図4(D)において、対向電極43と検出電極44を、裏面(TFT基板21の下面)側から見たときの透過平面図である。図15は、種々のパターンのうち、カラーフィルタ42、検出電極44、浮遊電極46および信号線SIGのみ示す。
本例では、検出電極44を構成する透明電極材料における青(B)の光の透過率が他の色より低いという事情に基づいて、透明電極材料からなる検出電極44を避けて青(B)の出射領域の位置を対応させ、青(B)の光の出射効率を高める意図がある。これにより、各色で光透過率が揃えられる。
なお、色と検出電極44の関係は、他の事情がある場合、その事情に適合して任意に設定可能である。
この検出電極44を蛇行させるなど、検出電極44の配線パターンを平行ストライプ状以外としてもよいこと自身は、他の実施形態においても適用可能である。
図16〜図19は、横電界モード液晶表示装置の構造例を示す。
図4の構造は、画素電極22と対向電極43が液晶層6を介在して対面しており、この2つの電極間の印加電圧に応じて縦方向の電界を液晶層6に与えていた。
横電界モードでは、画素電極22と駆動電極(対向電極43)が駆動基板2側に配置される。
TFT基板21は、その画素電極22側を液晶層6に隣接させ、ガラス基板41と貼り合わされている。液晶層6は不図示のスペーサで強度的に保たれている。
一方、TFT基板21の背面には第1偏光板61が貼られ、これと偏光の向きが異なる第2偏光板62が、基材49の表示面側に貼られている。
第2偏光板62の表示面側に不図示の保護層が形成される。
透過率は95[%]以上(波長450〜650[nm]の範囲)が好ましく、透過率が低いと屈折率を合わせてもスジ状に見えてしまう。
また、接着層48は高屈折率を有する接着剤が望ましい。
図17では検出電極44が基材49に予め形成されて、例えばロール状の部材として貼られるが、図18ではガラス基板41の表示面側に検出電極44を形成し、その上に第2偏光板62が貼られる。
図16〜図19以外の構造の液晶表示装置、さらには透明電極を用いる他の表示装置にも本発明の適用が可能である。また、液晶表示装置の場合、透過型、反射型、半透過型のいずれでもよい。第2偏光板62は直線偏光板に限らず円偏光板でもよい。
より具体的な実施例1においては、以下の条件で液晶表示装置1を作製した。
画素数:QVGA
ガラス厚:0.5[mm]
液晶モード:FFS
その後、電極隣接層および第2偏光板62を貼り付け、目視による評価を行なった。
表1に評価結果をまとめた。表中の記号意味を、表の下に示す。
他の実施例2においては、以下の条件で液晶表示装置1を作製した。
画素数:QVGA
ガラス厚:0.5[mm]
液晶モード:FFS
その後、CVDによりSiOxまたはSiNxを成膜し、成膜温度および成膜レートを変更することにより屈折率を調整したものを成膜した。
その後、電極隣接層および第2偏光板62を貼り付け、目視による評価を行なった。
表2に評価結果をまとめた。表中の記号意味は表1と同じである。
次に、図20〜図23を参照して、上記第1〜第8の実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記第1〜第7に関わる表示装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記第1〜第7の実施の形態に関わる表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。ここでは、その主な電子機器について説明する。
図20に図解するデジタルカメラ310は、保護カバー314内の撮像レンズ、フラッシュ用の発光部311、表示部313、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター312等を有する。デジタルカメラ310は、上記第1〜第8の実施形態で説明したタッチセンサ付の表示パネルを有する表示装置を、表示部313に用いることにより作製される。
図21に図解するパーソナルコンピュータ340は、本体341に、文字等を入力するとき操作されるキーボード342を有し、本体カバーには画像を表示する表示部343を有する。パーソナルコンピュータ340は、上記第1〜第8の実施形態で説明したタッチセンサ付の表示パネルを有する表示装置を、表示部343に用いることにより作製される。
図22に図解するビデオカメラ320は、本体部321、前方を向いた側面に設けられた被写体撮影用のレンズ322、撮影時のスタート/ストップスイッチ323、モニタ324等を有する。ビデオカメラ320は、上記第1〜第8の実施形態で説明したタッチセンサ付の表示パネルを有する表示装置を、モニタ324に用いることにより作製される。
図23に図解する携帯端末装置330は、上側筐体331、下側筐体332、連結部(ここではヒンジ部)333、ディスプレイ334、サブディスプレイ335、ピクチャーライト336、カメラ337等を有する。携帯端末装置330は、上記第1〜第8の実施形態で説明したタッチセンサ付の表示パネルを有する表示装置を、ディスプレイ334やサブディスプレイ335に用いることにより作製される。
また、検出電極44の間に屈折率調整層(接着層48や保護層45)を配置することにより、電極が見えにくくなったタッチパネル付の表示装置を提供することができる。
また、本発明の実施の形態の適用例(電子機器)によれば、表示装置全体で透明電極パターンの不可視化を達成した表示装置を有する電子機器を提供することができる。
Claims (16)
- 互いに対向する第1基板および第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とが互いに対向する2つの面の前記第1基板の側に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に供給される画像信号に基づいて画像表示機能を発揮する表示機能層と、
前記2つの面の何れか一方の側に前記複数の画素電極と対向して配置された駆動電極と、
前記第2基板の、前記駆動電極と反対側の面に配置されて一方向に分離され、前記駆動電極との間に容量を形成する複数の検出電極と、
前記第2基板と前記複数の検出電極に接して配置されて、複数の検出電極を覆う電極隣接層と、
を有し、
前記電極隣接層が、前記第2基板の屈折率と等しい屈折率から前記検出電極の屈折率と等しい屈折率までの範囲内の屈折率を有し、
前記検出電極は、単数または複数の色が割り当てられた画素領域を開口する開口部を有する
表示装置。 - 前記電極隣接層の屈折率naは、屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに前記検出電極の屈折率npおよび前記第2基板の屈折率nsとの関係が次式(1)、すなわち、
np≦nsの場合 np≦na≦ns
np>nsの場合 np≧na>ns …式(1)
を満たす請求項1に記載の表示装置。 - 前記電極隣接層の屈折率が、屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに、前記第2基板の屈折率と、前記検出電極の屈折率との中間となっている
請求項1に記載の表示装置。 - 屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに、前記電極隣接層の屈折率が、前記第2基板の屈折率と前記検出電極の屈折率との間において、屈折率差の中心から屈折率差全体の大きさの−21%から+14%で規定される範囲内となっている
請求項1に記載の表示装置。 - 屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに、前記電極隣接層の屈折率が、前記第2基板の屈折率と前記検出電極の屈折率との間において、屈折率差の中心から屈折率差全体の大きさの−14%から+7%で規定される範囲内となっている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記電極隣接層は、偏光板または偏光板を含む光学機能層を、前記検出電極が配置された前記第2基板の面に接着する接着層である
請求項1に記載の表示装置。 - 前記電極隣接層は塗布型の偏光材料の下地層として設けられた配向膜により形成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記電極隣接層は、前記複数の検出電極を保護する保護層である
請求項1に記載の表示装置。 - 前記保護層は、珪素酸化物と珪素窒化物の何れかの一方より構成され、または、珪素酸化物と珪素窒化物の何れか一方を含む化合物により構成される
請求項8に記載の表示装置。 - 前記接着層は、珪素酸化物と珪素窒化物の何れか一方を含む化合物により構成される
請求項6に記載の表示装置。 - 前記複数の検出電極が接する前記第2基板の面の有効表示領域内において、前記複数の検出電極が接していない領域の面積が、前記有効表示領域の20%以下である
請求項1に記載の表示装置。 - 前記開口部が、青の画素領域を開口する前記検出電極の位置に形成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記複数の検出電極のそれぞれで電圧変化を検出可能な検出回路を有する
請求項1に記載の表示装置。 - 前記駆動電極が、前記複数の検出電極の分離配置方向と直交する方向で複数の駆動電極に分離され、
前記表示機能層へ印加される電圧の基準となる電圧と、前記容量が一部の検出電極で変化したことを検出するための駆動電圧とを、前記複数の駆動電極に供給する駆動回路を有する
請求項1に記載の表示装置。 - 前記表示装置は、前記第1基板と前記第2基板との間に封入された前記表示機能層としての液晶層を有する液晶表示装置である
請求項1に記載の表示装置。 - 互いに対向する第1基板および第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板とが互いに対向する2つの面の前記第1基板の側に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に供給される画像信号に基づいて画像表示機能を発揮する表示機能層と、
前記2つの面の何れか一方の側に前記複数の画素電極と対向して配置された駆動電極と、
前記第2基板の、前記駆動電極と反対側の面に配置されて一方向に分離され、前記駆動電極との間に容量を形成する複数の検出電極と、
前記第2基板と前記複数の検出電極に接して配置されて、複数の検出電極を覆う保護層と、
を有し、
前記保護層の屈折率noは、屈折率を規定する際の波長を550nmとしたときに前記検出電極の屈折率npおよび前記第2基板の屈折率nsとの関係が次式(2)、すなわち、
np≦nsの場合 np≦no≦ns
np>nsの場合 ns≧no>np…式(2)
を満たし、
前記検出電極は、単数または複数の色が割り当てられた画素領域を開口する開口部を有する
表示装置。
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