CN107001875B - 膜状粘接剂复合片及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种膜状粘接剂复合片，其具备：具有基材的支撑片、以及设置在所述支撑片上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂，其中，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.02～0.2N/25mm，所述膜状粘接剂具有以下特性：将固化前的所述膜状粘接剂按照总厚度为200μm的方式叠层而成的叠层体的断裂伸长率为450％以下。

Description

膜状粘接剂复合片及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及膜状粘接剂复合片、以及使用了该膜状粘接剂复合片的半导体装置的制造方法。
本申请主张2015年3月4日在日本提出申请的日本特愿2015-042647号的优先权，在此援引其内容。
背景技术
半导体装置的制造工序中，作为获得用于管芯焊接的粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片的方法之一，包括具有以下工序的方法：在通过切割而预先分割过的多个半导体芯片上粘贴膜状粘接剂，然后将该膜状粘接剂切断。在该方法中，使用在支撑片上设置有膜状粘接剂的膜状粘接剂复合片，将其1张膜状粘接剂粘贴于多个半导体芯片上。半导体芯片通过例如以下方法来制作：从半导体晶片的表面形成槽，再对背面侧进行磨削直至到达该槽。切断后的粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片连同膜状粘接剂一起从支撑片上分离(拾取)，用于管芯焊接。
在上述方法中，作为将膜状粘接剂切断的方法，已知有例如以下方法：对膜状粘接剂照射激光而切断的方法、通过对支撑片进行扩片来进行切断的方法。但是，照射激光的方法存在需要激光照射装置、并且无法以短时间效率良好地切断这样的问题。另外，进行扩片的方法存在需要扩片装置、并且切断面有时***糙这样的问题。此外，由于在扩片时力仅对与膜状粘接剂同一面的方向发生作用，因此膜状粘接剂有可能与支撑片一起仅仅是伸长而未被切断。因此，有时将膜状粘接剂冷却而变得容易切断后再进行扩片，但该情况下需要冷却工序，生产性变差。
作为能够解决这些问题的方法，公开了以下方法：使用特定厚度及拉伸断裂伸长率的膜状粘接剂，利用拾取半导体芯片时所产生的剪切力，将膜状粘接剂切断(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-179317号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，专利文献1中没有例如对于支撑片和膜状粘接剂的界面的剥离力的记载，对该方法而言，并不确定切断后的粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片是否能够切实地从支撑片上拾取。
本发明是鉴于上述情况而进行的，其课题在于提供一种膜状粘接剂复合片、使用了该膜状粘接剂复合片的半导体装置的制造方法，该膜状粘接剂复合片在支撑片上设置有膜状粘接剂，在制造半导体装置时，能够以简便的方法将粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上分离。
解决问题的方法
为了解决上述课题，本发明提供例如以下(1)～(3)的膜状粘接剂复合片及(4)的半导体装置的制造方法。
(1)本发明的第一方式的膜状粘接剂复合片具备：具有基材的支撑片、以及设置在所述支撑片上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂，其中，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.02～0.2N/25mm，
所述膜状粘接剂具有以下特性：
将固化前的所述膜状粘接剂按照总厚度为200μm的方式叠层而成的叠层体的断裂伸长率为450％以下。
(2)在上述(1)的膜状粘接剂复合片中，所述支撑片可以由所述基材构成，且所述膜状粘接剂直接接触地设置在所述基材上。
(3)在上述(1)或(2)的膜状粘接剂复合片中，在未对所述膜状粘接剂复合片照射能量线的状态下，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力可以为0.02～0.2N/25mm。
(4)本发明的第一方式的半导体装置的制造方法包括以下工序：将上述(1)～(3)中任一项所述的膜状粘接剂复合片隔着膜状粘接剂粘贴在分割过的多个半导体芯片上的工序；从与设置有膜状粘接剂的一侧相反侧对粘贴在所述半导体芯片上的所述膜状粘接剂复合片的支撑片施加力，由此隔着支撑片对膜状粘接剂施加力而切断膜状粘接剂的工序；以及，将所述半导体芯片与被粘贴在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘接剂从所述支撑片上分离的工序。
发明的效果
根据本发明，提供一种膜状粘接剂复合片、以及使用了该膜状粘接剂复合片的半导体装置的制造方法，所述膜状粘接剂复合片在支撑片上设置有膜状粘接剂，在制造半导体装置时，能够以简便的方法将粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上分离。
附图说明
[图1]是示意性地示例出本发明的制造方法中从膜状粘接剂的切断直至从半导体芯片的支撑片上分离为止的一个实施方式的剖面图。
[图2]是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的一个方式的剖面图。
[图3]是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的另一方式的剖面图。
[图4]是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的再一个方式的剖面图。
[图5]是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的再一个方式的剖面图。
[图6]是示意性地示例出本发明的膜状粘接剂复合片的一个实施方式的剖面图。
[图7]是示意性地示例出本发明的膜状粘接剂复合片的一个实施方式的剖面图。
符号说明
1、2…膜状粘接剂复合片
10…基材
11…支撑片
11a…支撑片的表面
11b…支撑片的背面
12…膜状粘接剂
13…粘合剂层
9…半导体芯片
9b…半导体芯片的背面
具体实施方式
＜＜膜状粘接剂复合片＞＞
本发明的膜状粘接剂复合片是在具有基材的支撑片上设置有厚度1～50μm的固化性的膜状粘接剂而得到的膜状粘接剂复合片，其中，上述支撑片和上述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.02～0.2N/25mm，上述膜状粘接剂具有以下特性：将固化前的上述膜状粘接剂按照总厚度为200μm的方式叠层而成的叠层体的断裂伸长率为450％以下。
图6是示意性地示例出本发明的膜状粘接剂复合片的一个实施方式的剖面图。本发明的膜状粘接剂复合片1具备：具有基材10的支撑片11、以及设置在支撑片11上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂12。图6所示的膜状粘接剂复合片1的支撑片11由基材10构成。
图7是示意性地示例出本发明的膜状粘接剂复合片的一个实施方式的剖面图。本发明的膜状粘接剂复合片2具备：具有基材10的支撑片11、设置在支撑片11上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂12、以及设置在基材10上的粘合剂层13，其中，粘合剂层13上设置有膜状粘接剂12。图7所示的膜状粘接剂复合片1的支撑片11具有基材10和粘合剂层13。
上述膜状粘接剂复合片在半导体装置的制造时将膜状粘接剂粘贴在半导体芯片的一面(主要是与电路面相反侧的面(背面))使用。在之后的工序中，半导体芯片以粘贴有膜状粘接剂的状态从支撑片上分离(拾取)。
此时，通过使上述膜状粘接剂复合片的上述断裂伸长率和膜状粘接剂的厚度为给定的范围内，即使不另行设置以切断膜状粘接剂为主要目的的工序，也可以通过进行隔着支撑片对膜状粘接剂施加力这样的通常的操作而在以膜状粘接剂为目标的部位在常温下切实地进行切断。因此，可抑制由膜状粘接剂未被切断而导致的半导体芯片的分离(拾起)不良。
另外，通过使上述膜状粘接剂复合片的上述剥离力为给定的范围内，膜状粘接剂的与目标的半导体芯片相对应的部位可切实地从支撑片上剥离，并且可以抑制膜状粘接剂的与目标外的半导体芯片相对应的部位从支撑片上剥离的现象。因此，可以抑制膜状粘接剂的目标部位未从支撑片上剥离而引起的半导体芯片的分离(拾起)不良、以及所谓的重模(double die)的发生，所述重模是指不仅目标的半导体芯片与膜状粘接剂一起从支撑片上被分离，而且与目标的半导体芯片相邻的半导体芯片也同时与膜状粘接剂一起从支撑片上被分离的现象。
因此，对于上述膜状粘接剂复合片而言，通过规定上述断裂伸长率、膜状粘接剂的厚度及上述剥离力，抑制了半导体芯片的分离不良和重模的发生。而且，通过使用上述膜状粘接剂复合片，可以省略上述这样的以切断膜状粘接剂为主要目的的工序、例如对膜状粘接剂照射激光来进行切断的工序、通过对膜状粘接剂进行扩展来进行切断的工序等，因此可以避免因进行这些工序而产生的问题，同时可以在常温下将膜状粘接剂切断，还能够减少工序数，因此能够利用将半导体装置简化的方法来进行制造。
需要说明的是，本说明书中，“膜状粘接剂的扩展”是指膜状粘接剂在与其表面平行的方向上扩展的意思。
与此相对，上述的《日本特开2013-179317号公报》(专利文献1)中虽然公开了使用具有特定厚度及拉伸断裂伸长率的膜状粘接剂，但对于支撑片和膜状粘接剂的界面的剥离力没有任何记载。在其实施例中具体公开了在通常的切割片(具有基材及粘合剂层的支撑片)上设置膜状粘接剂而成的膜状粘接剂复合片，但没有记载可发挥上述本发明的效果。
＜支撑片＞
上述支撑片具有基材，可以由基材构成(仅具有基材)，也可以具有基材和基材以外的构成部分。作为具有基材以外的构成部分的支撑片，可以示例出在基材上具有粘合剂层的支撑片。
后面叙述的膜状粘接剂被设置在支撑片上，例如使用在基材上具有粘合剂层的支撑片的情况下，膜状粘接剂被设置在粘合剂层上。
[基材]
上述基材的材质优选为各种树脂，具体可以示例出：聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE等))、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、上述任意树脂的氢化物、改性物、交联物或共聚物等。
需要说明的是，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是包括“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”两者的概念。
基材可以由1层(单层)构成，也可以由2层以上的多层构成，在由多层构成的情况下，各层的材质可以都相同，也可以都不相同，还可以仅部分相同。
基材的厚度可以根据目的适宜选择，优选为50～300μm，更优选为60～100μm。基材由多层构成的情况下，优选所有层的总厚度为这样的数值范围。
这里所说的“基材的厚度”是在任意5个部位测定厚度并以其平均值所表示的值。
在基材上设置粘合剂层的情况下，为了提高基材与粘合剂层之间的粘接性等，可以对基材表面实施基于喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。另外，基材也可以对其表面实施了底涂处理。基材在另外叠合防静电涂层、膜状粘接剂复合片而保存时，基材还可以具有防止其粘接于其它片材上、防止基材粘接到吸附台上的层等。
上述当中，从抑制切割时与刀片的摩擦引起的基材的断裂的发生这点来看，特别优选对其表面实施了电子束照射处理的基材。
[粘合剂层]
上述粘合剂层可以适宜使用公知的粘合剂层。
粘合剂层可以使用含有用于构成粘合剂层的各种成分的粘合剂组合物来形成。粘合剂组合物中的不挥发性成分彼此间的含量比率在粘合剂层中也相同。
上述粘合剂层包含通过照射能量线而聚合的成分的情况下，通过照射能量线使其粘合性降低，能够进行半导体芯片的拾取。对粘合剂层照射能量线使粘合性降低的处理可以在将膜状粘接剂复合片粘贴于被粘附物上之后进行，也可以在粘贴于被粘附物上之前预先进行。
作为能量线，通常使用紫外线、电子束等。能量线的照射量根据能量线的种类而不同，例如紫外线的情况下，以光量计优选为50～1000mJ/cm2，更优选为100～500mJ/cm2。另外，电子束的情况下，优选10～1000krad左右。
作为优选的上述粘合剂组合物，可以示例出：含有丙烯酸聚合物和能量线聚合性化合物的组合物(粘合剂组合物(i))；含有具有羟基、且侧链具有聚合性基团的丙烯酸类聚合物(例如具有羟基、且侧链经由氨基甲酸酯键而具有聚合性基团的丙烯酸类聚合物)和异氰酸酯类交联剂的组合物(粘合剂组合物(ii))，优选进一步含有溶剂的组合物。
上述粘合剂组合物除了上述成分以外，还可以进一步含有光聚合引发剂、染料、颜料、防劣化剂、防静电剂、阻燃剂、有机硅化合物、链转移剂等各种添加剂中的任意添加剂。
另外，上述粘合剂组合物还可以含有用于抑制保存中所不希望的交联反应的进行的反应抑制剂。作为上述反应抑制剂，可以示例出阻碍成为使交联反应进行的催化剂的成分的作用的物质，作为优选的反应抑制剂，可以示例出通过与上述催化剂螯合而形成螯合络合物的物质。作为优选的反应抑制剂，更具体地，可以示例出分子中具有2个以上羰基(-C(＝O)-)的物质，只要是分子中具有2个羰基的物质即可，可以示例出二羧酸、酮酸、二酮等。
粘合剂层的厚度可以根据目的适宜选择，优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。
这里所说的“粘合剂层的厚度”是在任意5个部位测定厚度并以其平均值所表示的值。
粘合剂组合物可以通过配合丙烯酸类聚合物等用于构成粘合剂层的各成分而得到，例如，除了配合成分不同这点以外，可以按照与后面叙述的粘接剂组合物的情况同样的方法来获得。
粘合剂层可以通过以下方法来形成：在上述基材的表面涂布包含用于构成粘合剂层的各成分及溶剂的粘合剂组合物，再对其进行干燥使溶剂挥发。
此时，根据需要可以通过对涂布后的粘合剂组合物加热来进行交联。加热条件例如可以设为在100～130℃下加热1～5分钟，但并不限定于此。另外，可以将在剥离材料的剥离层表面涂布粘合剂组合物并使其干燥而形成的粘合剂层贴合于基材的表面，再去除上述剥离材料，由此在基材上形成粘合剂层。
对粘合剂组合物的基材表面或剥离材料的剥离层表面的涂布可以按照公知的方法来进行，可以示例出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、帘涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、辊舐涂布机等各种涂布机的方法。
＜膜状粘接剂＞
上述膜状粘接剂是具有固化性(加热固化性)的粘接剂，优选进一步具有压敏粘接性。同时具有压敏粘接性及加热固化性的膜状粘接剂可以在未固化状态下通过轻轻地按压而粘贴在各种被粘附物上。另外，膜状粘接剂也可以通过加热使其软化而粘贴在各种被粘附物上。膜状粘接剂经过热固化而最终成为耐冲击性高的固化物，这样的固化物的剪切强度也优异、在严酷的高温/高湿度条件也能够保持足够的粘接特性。
上述膜状粘接剂的厚度为1～50μm，优选为3～25μm，更优选为5～15μm。通过使膜状粘接剂的厚度为上述下限值以上，可获得对被粘附物(半导体芯片)的足够的粘接力。另外，通过使膜状粘接剂的厚度为上述上限值以下，在进行半导体装置的制造时通常进行的隔着支撑片对膜状粘接剂施加力的操作时，可以利用该操作中产生的剪切力容易地切断膜状粘接剂，无须另行设置以切断膜状粘接剂为主要目的的工序。
这里所说的“膜状粘接剂的厚度”是在任意5个部位测定厚度并以其平均值所表示的值。
上述膜状粘接剂制成厚度为200μm的试验片时，其固化前的断裂伸长率(拉伸断裂伸长率)为450％以下，优选为445％以下。通过使上述断裂伸长率为上述上限值以下，如上述那样在进行隔着支撑片对膜状粘接剂施加力的操作时，可以容易且切实地在目标部位将膜状粘接剂切断，无须另行设置以切断膜状粘接剂为主要目的的工序。
上述断裂伸长率的下限值没有特别限定。但是，从能够更稳定地对膜状粘接剂复合片进行操作这点来看，上述断裂伸长率优选为50％以上，更优选为100％以上。
对于上述膜状粘接剂而言，优选其厚度为200μm的试验片在固化前的断裂伸长率(拉伸断裂伸长率)为50％以上且450％以下，更优选为100％以上且445％以下。
需要说明的是，在本说明书中，“断裂伸长率为X％(式中，X为正数)”是指，在后面叙述的测定方法中，对叠层体进行拉伸，叠层体在其拉伸方向上伸长了原长度(未进行拉伸时的长度)的X％的长度时、即，在叠层体的拉伸方向上的总长度达到拉伸前的长度的[1+X/100]倍时，叠层体断裂。
上述膜状粘接剂的断裂伸长率可以通过调节其含有成分的种类及量来进行适当调节。例如，可以通过调节作为含有成分的后面叙述的聚合物成分(a)的分子量、含量、构成环氧类热固性树脂(b)的成分的结构、软化点、含量、填充剂(c)的含量等来调节膜状粘接剂的断裂伸长率，但这只不过是一个例子。
满足上述断裂伸长率的条件的膜状粘接剂的试验片只要其厚度为200μm即可，通常将厚度低于200μm的固化前的膜状粘接剂、优选将用于构成本发明的膜状粘接剂复合片的厚度为1～50μm的固化前的膜状粘接剂叠层2张以上使得总厚度达到200μm的叠层体作为上述试验片。
上述膜状粘接剂由于厚度越厚其断裂伸长率越大，因此，如果厚度低于200μm的膜状粘接剂的试验片的断裂伸长率为450％以下，则以同样组成得到的厚度200μm的膜状粘接剂的试验片的断裂伸长率当然也为450％以下。
上述断裂伸长率通过以下方法求出：将作为试验片的宽度为15mm、长度为100mm、厚度为200μm的膜状粘接剂的叠层体按照固定部位间的距离为75mm的方式固定2个部位，将拉伸速度设为200mm/分，在其固定的部位间对上述试验片进行拉伸，测定试验片断裂时试验片的伸长率。
上述支撑片与上述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.02～0.2N/25mm，优选为0.02～0.15N/25mm，更优选为0.02～0.1N/25mm。通过使上述剥离力为上述下限值以上，在将半导体芯片与膜状粘接剂一起从支撑片上分离时，可抑制不仅膜状粘接剂的与作为分离对象的目标半导体芯片相对应的部位从支撑片上剥离，而且与该半导体芯片相邻的半导体芯片等目标之外的半导体芯片所对应的部位也同时从支撑片上剥离的现象。另外，通过使上述剥离力为上述上限值以下，在将半导体芯片与膜状粘接剂一起从支撑片上分离时，膜状粘接剂的与目标的半导体芯片相对应的部位切实地从支撑片上剥离。由于这样地切实地进行剥离，在如后面所述那样隔着支撑片对膜状粘接剂施加力时，不需要改变将半导体芯片分离时的条件，如将其条件变得苛刻(例如，加快施加力的夹具运动的速度)等，可以抑制进行这样的改变时所产生的半导体芯片的破裂等。
上述剥离力可以通过例如调节上述膜状粘接剂的含有成分的种类及量、构成上述支撑片的设置膜状粘接剂的面的材料、该面的状态等来进行适宜调节。
另外，膜状粘接剂的上述断裂伸长率大的情况下，上述剥离力也有变大的倾向，上述断裂伸长率小的情况下，上述剥离力也有变小的倾向。
上述剥离力可通过以下方法求出：设为将宽度25mm、长度任意的膜状粘接剂复合片通过其膜状粘接剂粘贴于被粘附物上的状态，从粘贴于被粘附物的膜状粘接剂上将支撑片以剥离速度300mm/分剥离，测定此时将支撑片向其长度方向(膜状粘接剂复合片的长度方向)剥离(进行了180°剥离)时所施加的力(剥离力)，并且在剥离时使膜状粘接剂及支撑片相互接触的面之间成180°的角度。供测定的膜状粘接剂复合片的长度只要是能够稳定地检测出测定的力的范围即可，没有特别限定，优选为200～300mm。上述剥离力可通过在温度25℃、相对湿度50％的条件下测定而求出。另外，在测定时，优选设为将膜状粘接剂复合片粘贴在被粘附物上的状态，并将其在温度25℃、相对湿度50％的条件下静置30分钟，使得膜状粘接剂复合片的粘贴状态稳定化。
膜状粘接剂含有后面叙述的能量线固化性树脂(h)、或者支撑片具有粘合剂层、粘合剂层包含通过能量线的照射而聚合的成分、且膜状粘接剂或支撑片未进行能量线照射的情况下，在对膜状粘接剂照射能量线的前后，支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力为不同的值，但在本发明中，只要在能量线照射前后的任一个值包含在上述范围内即可。该情况下，能够利用膜状粘接剂将膜状粘接剂复合片粘贴在分割过的多个半导体芯片上，然后对膜状粘接剂复合片照射能量线，将支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力调节为上述的范围。因此，在该情况下，通常只要能量线照射后的值在上述范围内即可。可是，将对膜状粘接剂复合片照射能量线的工序导入到半导体装置的制造方法会导致生产性降低。因此，不管膜状粘接剂是否含有能量线固化性树脂(h)、支撑片的粘合剂层是否含有通过能量线的照射而聚合的成分，均优选支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力在未对膜状粘接剂复合片照射能量线的状态时为上述范围内。
膜状粘接剂只要满足上述条件即可，没有特别限定。
作为优选的膜状粘接剂，可以示例出含有聚合物成分(a)的粘接剂、含有热固性树脂(b)的粘接剂。
作为热固性树脂(b)，可以举出环氧类热固性树脂、热固化性聚酰亚胺、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅树脂等，优选环氧类热固性树脂。
膜状粘接剂可通过例如以下方法来制造：将含有用于构成其的成分及溶剂的粘接剂组合物涂布在剥离膜的表面，再将其干燥使溶剂挥发而成为膜状。粘接剂组合物中的非挥发性成分彼此间的含量比率在膜状粘接剂中也相同。
[粘接剂组合物]
作为优选的粘接剂组合物，可以示例出含有聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)的组合物。以下对各成分进行说明。
(聚合物成分(a))
聚合物成分(a)是被看作聚合性化合物发生聚合反应而形成的成分，其是用于对膜状粘接剂赋予成膜性、挠性等，并且使半导体芯片等对粘接对象的粘接性(粘贴性)提高的聚合物化合物。另外，聚合物成分(a)也是不属于后面叙述的环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的成分。
聚合物成分(a)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
作为聚合物成分(a)，可以使用丙烯酸类树脂、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、橡胶类聚合物、苯氧基树脂等，优选丙烯酸类树脂。
作为上述丙烯酸类树脂，可以使用公知的丙烯酸类聚合物。
丙烯酸类树脂的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～150万。丙烯酸类树脂的重均分子量为这样的范围时，可容易地将支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力调节为上述范围。另外，如果丙烯酸类树脂的重均分子量过大，则膜状粘接剂有时无法追随被粘附物的凹凸面，有时会成为产生孔隙等的主要原因。
需要说明的是，在本说明书中，只要没有特别说明，“重均分子量”是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。
丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～70℃，更优选为-30～50℃。如果丙烯酸类树脂的Tg过低，则膜状粘接剂与支撑片的剥离力变大，有时产生半导体芯片从支撑片上的分离不良。另外，如果丙烯酸类树脂的Tg过高，则存在用于固定半导体芯片的粘接力变得不足的隐患。
作为构成丙烯酸类树脂的单体，可以示例出：
(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等烷基为链状且碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯；
(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基氧乙基酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；
(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等含有羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯。
即，上述丙烯酸类树脂是包含来自于上述单体的结构单元的树脂。这里所说的“来自于”是指发生了上述单体聚合所必须的结构变化的意思。
另外，丙烯酸类树脂也可以是共聚了丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯、N-羟甲基丙烯酰胺等单体而成的丙烯酸类树脂。
需要说明的是，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”是包括“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”两者的概念。
构成丙烯酸类树脂的单体可以仅为一种，也可以为2种以上。
丙烯酸类树脂可以具有乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团。与其它化合物的键合可以经由后面叙述的交联剂(f)来进行，也可以不经由交联剂(f)而使上述官能团与其它化合物直接键合。丙烯酸类树脂通过利用这些官能团与其它化合物键合，半导体封装的可靠性有提高的倾向。
丙烯酸类树脂的含量相对于上述粘接剂组合物的固体成分的总含量的比例(上述膜状粘接剂的丙烯酸类树脂含量)优选为5～40质量％，更优选为7～25质量％。
在本发明中，为了使膜状粘接剂从支撑片上的剥离性提高，使得具备膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上的分离变得良好，并抑制因膜状粘接剂对被粘附物的凹凸面的追随而产生孔隙等，作为聚合物成分(a)，可以单独使用丙烯酸类树脂以外的热塑性树脂(以下，有时仅简称为“热塑性树脂”)，也可以与丙烯酸类树脂组合使用。
上述热塑性树脂的重均分子量优选为1000～10万，更优选为3000～8万。
上述热塑性树脂的玻璃化转变温度(Tg)优选为-30～150℃，更优选为-20～120℃。
作为上述热塑性树脂，可以示例出聚酯、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
上述热塑性树脂可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
通过使用上述热塑性树脂，可得到上述这样的效果，但另一方面，会存在固化前的膜状粘接剂暴露于高温时的硬度降低，在未固化或半固化状态时膜状粘接剂的引线接合适应性降低的隐患。因此，粘接剂组合物的丙烯酸类树脂含量优选在考虑这样的影响的基础上进行设定。
聚合物成分(a)的含量相对于上述粘接剂组合物的固体成分的总含量的比例(上述膜状粘接剂的丙烯酸类树脂含量)不依赖于聚合物成分(a)的种类，优选为5～85质量％，更优选为7～80质量％。
(热固性树脂(b))
作为热固性树脂(b)，可以举出环氧类热固性树脂、热固化性聚酰亚胺、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅树脂等，优选环氧类热固性树脂。
环氧类热固性树脂(b)由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)构成。
环氧类热固性树脂(b)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
·环氧树脂(b1)
作为环氧树脂(b1)，可以举出公知的环氧树脂，具体可以示例出：多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚A缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等2官能以上的环氧化合物等。
另外，作为环氧树脂(b1)，可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。作为具有不饱和烃基的环氧树脂，可以示例出多官能类环氧树脂的部分环氧树脂转换为包含不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如可以通过使丙烯酸加成到环氧基团上的反应来制造。
从容易将支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力调整为上述范围的观点考虑，环氧树脂(b1)优选包含选自液态环氧树脂、半固态环氧树脂及软化点为80℃以下的固态环氧树脂中的一种或2种以上的组合。从这样的观点考虑，上述液态环氧树脂、半固态环氧树脂及软化点为80℃以下的固态环氧树脂的总含量(质量)在膜状粘接剂所含的环氧树脂(b1)的总量(质量)中所占的比例优选为45～100质量％，更优选为80～100质量％。特别是，支撑片由基材构成、且在该基材上直接接触地设置有膜状粘接剂的情况下，通过使膜状粘接剂包含选自液态环氧树脂、半固态环氧树脂及软化点为80℃以下的固态环氧树脂中的1种或2种以上的组合，容易使支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力为上述范围的下限以上。
环氧树脂(b1)的数均分子量没有特别限定，但从上述膜状粘接剂的固化性、固化后的强度及耐热性的观点考虑，优选为300～15000，更优选为400～3000，特别优选为500～1200。
环氧树脂(b1)的环氧当量优选为100～1000g/eq，更优选为300～800g/eq。
环氧树脂(b1)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
·热固化剂(b2)
热固化剂(b2)发挥作为环氧树脂(b1)的固化剂的作用。
作为热固化剂(b2)，可以示例出1分子中具有2个以上能够与环氧基团反应的官能团的化合物。作为上述官能团，可以示例出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基团被酸酐化而成的基团等，优选酚羟基、氨基、酸基团被酸酐化而成的基团，更优选酚羟基、氨基，特别优选为酚羟基。
热固化剂(b2)中，作为酚类固化剂(具有酚羟基的固化剂)，可以示例出多官能酚醛树脂、联苯酚、酚醛清漆型酚醛树脂、二环戊二烯类酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂等。
热固化剂(b2)中，作为胺类固化剂(具有氨基的固化剂)，可以示例出DICY(双氰胺)等。
热固化剂(b2)也可以是具有不饱和烃基的化合物。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(b2)，可以示例出：用包含不饱和烃基的基团取代酚醛树脂的部分羟基而成的化合物、包含不饱和烃基的基团直接键合在酚醛树脂的芳香环上而成的化合物等。热固化剂中的不饱和烃基是与上述的具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基同样的基团。
使用酚类固化剂作为热固化剂(b2)的情况下，从容易将支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力调整为上述范围这点考虑，优选软化点或玻璃化转变温度高者。
热固化剂(b2)的数均分子量优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
热固化剂(b2)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
上述粘接剂组合物(上述膜状粘接剂)中热固化剂(b2)的含量比例如下：相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。如果热固化剂(b2)的含量过少，则固化不足而有时无法获得粘接性，如果热固化剂(b2)的含量过剩，则膜状粘接剂的吸湿率提高，半导体封装的可靠性有时降低。
粘接剂组合物(上述膜状粘接剂)中环氧类热固性树脂(b)的含量比例如下：相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，优选为50～1000质量份，更优选为100～900质量份，进一步优选为150～800质量份，特别优选为500～800质量份。通过使环氧类热固性树脂(b)的含量为这样的范围，可容易地将支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力调整为上述的范围。
对于上述膜状粘接剂而言，为了改善其各种物性，除了聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)以外，还可以根据需要含有不属于上述成分的其它成分。
作为上述膜状粘接剂所含有的优选的其它成分，可以示例出：固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、不属于环氧树脂的其它热固性树脂(g)、能量线固化性树脂(h)、光聚合引发剂(i)、通用添加剂(j)等。
即，本发明的一个实施方式的膜状粘接剂包含：聚合物成分(a)、环氧系热固性树脂(b)、以及根据需要的选自固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、不属于环氧树脂的其它热固性树脂(g)、能量线固化性树脂(h)、光聚合引发剂(i)及通用添加剂(j)中的至少一种成分。
上述膜状粘接剂例如以含量(质量％)的总计不超过100质量％的方式含有上述的一种以上成分。
(固化促进剂(c))
固化促进剂(c)用于调整粘接剂组合物的固化速度。
作为优选的固化促进剂(c)，可以示例出：三乙二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(1个以上的氢原子被氢原子以外的基团取代而得到的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(1个以上的氢原子被氢原子以外的基团取代而得到的膦)；四苯基
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四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐等。
固化促进剂(c)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
使用固化促进剂(c)的情况下，粘接剂组合物(上述膜状粘接剂)中固化促进剂(c)的含量比例如下：相对于环氧类热固性树脂(b)的含量100质量份，优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的含量为这样的范围，上述膜状粘接剂在高温、高湿度条件下也具有优异的粘接特性，在暴露于严苛的回流焊条件的情况下半导体封装也能够实现高的可靠性。如果固化促进剂(c)的含量过少，则无法充分获得使用固化促进剂(c)带来的效果，如果固化促进剂(c)的含量过剩，则在高温、高湿度条件下高极性的固化促进剂(c)在膜状粘接剂中向与被粘附物的粘接界面侧移动而发生偏析，由此半导体封装的可靠性降低。
(填充材料(d))
上述膜状粘接剂通过进一步含有填充材料(d)，其热膨胀系数的调整变得容易，相对于半导体芯片、金属或有机基板，通过使固化后的膜状粘接剂的热膨胀系数最优化，可以使半导体封装的可靠性提高。
另外，上述粘接剂组合物通过进一步含有填充材料(d)，可以降低固化后的膜状粘接剂的吸湿率。
填充材料(d)优选为无机填充材料，作为优选的无机填充材料，可以示例出：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、氧化铁红、碳化硅、氮化硼等的粉末；将上述二氧化硅等球形化而得到的珠；上述二氧化硅等的单晶纤维；玻璃纤维等。
这些当中，填充材料(d)优选为球状二氧化硅、二氧化硅填料或氧化铝填料。
填充材料(d)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
使用填充材料(d)的情况下，相对于粘接剂组合物的固体成分总含量，填充材料(d)的含量比例(上述膜状粘接剂的填充材料(d)含量)优选为5～80质量％，更优选为7～60质量％，进一步优选为7～40质量％，特别优选为8～20质量％。通过使填充材料(d)的含量为这样的范围，更容易获得上述的热膨胀系数的调整这样的效果。
(偶联剂(e))
作为偶联剂(e)，通过使用具有与无机化合物反应的官能团及与有机官能团反应的官能团的偶联剂，可以使膜状粘接剂与被粘附物的粘接性及密合性提高。另外，通过使用偶联剂(e)，可以使膜状粘接剂固化而得到的固化物的耐水性提高且不会损害其耐热性。
偶联剂(e)优选为具有与聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，希望为硅烷偶联剂。
作为优选的上述硅烷偶联剂，可以示例出：3-缩水甘油基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油基丙基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
偶联剂(e)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
膜状粘接剂含有聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)及偶联剂(e)的情况下，粘接剂组合物(上述粘接剂)中偶联剂(e)的含量比例如下：相对于聚合物成分(a)及环氧类热固性树脂(b)的总含量100质量份，优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。如果偶联剂(e)的含量过少，则有时无法得到使用偶联剂(e)所带来的上述效果，如果偶联剂(e)的含量过多，则有可能产生逸出气体。
(交联剂(f))
使用具有异氰酸酯基等能够与其它化合物键合的官能团的聚合物作为聚合物成分(a)的情况下，为了使该官能团与其它化合物键合而交联，可以使用交联剂(f)。通过使用交联剂(f)来进行交联，可以调节膜状粘接剂的初期粘接力及凝聚力。
作为交联剂(f)，可以示例出有机多异氰酸酯化合物、有机多亚胺化合物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可以示例出：芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物、脂环族多异氰酸酯化合物及这些化合物的三聚物、三聚异氰酸酯化合物及加合物(与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等含活泼氢低分子化合物的反应物，例如三羟甲基丙烷加合苯二甲基二异氰酸酯等)、有机多异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，更具体地，可以示例出：2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二甲基二异氰酸酯；1,4-苯二甲基二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；将甲苯二异氰酸酯及六亚甲基二异氰酸酯中的任意之一或两者加成到三羟甲基丙烷等多元醇的所有羟基或部分羟基上而得到的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为上述有机多亚胺化合物，可以示例出：N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
使用异氰酸酯类交联剂作为交联剂(f)的情况下，作为聚合物成分(a)，优选使用含有羟基的聚合物。交联剂(f)具有异氰酸酯基、且聚合物成分(a)具有羟基的情况下，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应，可以简便地向上述膜状粘接剂中导入交联结构。
使用交联剂(f)的情况下，粘接剂组合物(上述膜状粘接剂)中交联剂(f)的含量比例如下：相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，进一步优选为0.5～5质量份。
(其它热固性树脂(g))
其它热固性树脂(g)只要不属于环氧树脂即可，可以示例出热固化性聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、有机硅树脂等。
(能量线固化性树脂(h))
为了通过照射能量线使膜状粘接剂的特性变化，可以使用能量线固化性树脂(h)。能量线固化性树脂包含能量线聚合性基团，在受到紫外线、电子束等能量线的照射时发生聚合固化。作为这样的能量线聚合性化合物，具体可以举出：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯类低聚物、环氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯及衣康酸低聚物等(甲基)丙烯酸酯类化合物。这样的化合物在分子内具有至少一个聚合性双键，其重均分子量优选为100～30000，更优选为300～10000左右。
能量线固化性树脂(h)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
(光聚合引发剂(i))
为了效率良好地进行能量线固化性树脂(h)的聚合反应，可以使用光聚合引发剂(i)。作为这样的光聚合引发剂(i)，具体可以举出：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、苯酰苯甲酸、苯酰苯甲酸甲酯、安息香双甲醚、2,4-二乙基噻唑酮、α-羟基环己基苯基甲酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、二苯甲酰、联苄、二乙酰、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苄基二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。
光聚合引发剂(i)可以单独使用一种，也可以组合使用2种以上。
(通用添加剂(j))
作为通用添加剂(j)，可以示例出公知的增塑剂、防静电剂、抗氧剂、颜料、染料、吸气剂等。
(溶剂)
粘接剂组合物通过进一步含有溶剂，可通过稀释而获得良好的操作性。
粘接剂组合物所含有的溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，可以示例出：甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基-1-丙醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲乙酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
粘接剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以是2种以上。
对于粘接剂组合物所含有的溶剂而言，从将粘接剂组合物中使用的各成分均匀混合这点考虑，优选为甲乙酮等。
粘接剂组合物可以通过配合聚合物成分(a)、环氧类热固性树脂(b)等用于构成上述膜状粘接剂的上述各成分而得到。
各成分在配合时的添加顺序没有特别限定，也可以同时添加2种以上的成分。
在使用溶剂的情况下，可以将溶剂与溶剂以外的任意配合成分混合而将该配合成分预先稀释后使用，也可以不用将溶剂以外的任意配合成分预先稀释，而通过将溶剂与这些配合成分混合而使用。
配合时将各成分混合的方法没有特别限定，可以从下述公知方法中适宜选择：使搅拌子或搅拌桨等旋转来进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波来进行混合的方法等。
对于各成分的添加及混合时的温度及时间而言，只要不使各配合成分劣化则没有特别限定，可以适宜调整，但温度优选为15～30℃。
本发明的一个实施方式的膜状粘接剂中的聚合物成分(a)、环氧树脂(b1)、热固化剂(b2)、固化促进剂(c)、填充材料(d)和偶联剂(e)的优选组合如下：聚合物成分(a)为丙烯酸类树脂、环氧树脂(b1)为双酚A型环氧树脂及多官能芳香族环氧树脂、热固化剂(b2)为联苯芳烷基型酚醛树脂、固化促进剂(c)为咪唑类、填充材料(d)为二氧化硅的粉末、偶联剂(e)为硅烷偶联剂。
上述膜状粘接剂复合片优选支撑片由基材构成、并在该基材上直接接触地设置膜状粘接剂。像这样在支撑片不具有粘合剂层、在基材上直接设置有膜状粘接剂的情况下，可以抑制膜状粘接剂中的成分转移到粘合剂层，或者相反粘合剂层中的成分转移至膜状粘接剂中等构成成分的层间移动，可高度抑制半导体装置的制造时产生工序异常、以及半导体封装的可靠性的降低。
通常，作为膜状粘接剂复合片，使用了不具有粘合剂层的复合片的情况下，在将半导体芯片以粘贴有膜状粘接剂的状态从支撑片上分离时，容易发生重模。但是，如果使用本发明的膜状粘接剂复合片，则即使是该复合片不具有粘合剂层的情况下也可以抑制重模的发生。
＜膜状粘接剂复合片的制造方法＞
上述膜状粘接剂复合片可以通过在上述支撑片上形成膜状粘接剂来制造。
支撑片为上述基材的情况下，除了使用上述粘接剂组合物来代替粘合剂组合物这点以外，可以按照与上述那样的在基材上形成粘合剂层的情况同样的方法，在基材上形成膜状粘接剂。
支撑片为在基材上具有粘合剂层的支撑片的情况下，通常难以在粘合剂层上直接涂布粘接剂组合物。因此，在该情况下，优选另外形成膜状粘接剂、并将其贴合在粘合剂层的表面的方法而在基材上形成膜状粘接剂，所述方法例如为：在剥离材料的剥离层表面涂布粘接剂组合物并使其干燥，由此形成膜状粘接剂，将该膜状粘接剂的未设置剥离材料的一侧的露出面与粘合剂层的表面贴合，再去除上述剥离材料，等等。
另外，对于具备粘合剂层的膜状粘接剂复合片而言，除了上述方法以外，还可以通过例如下述方法来制造：使用粘合剂组合物形成粘合剂层，使用粘接剂组合物形成膜状粘接剂，然后将上述粘合剂层及膜状粘接剂贴合而制成叠层体，再将基材贴合于该叠层体的上述粘合剂层的表面。
该情况下的粘合剂层及膜状粘接剂的形成条件与上述方法相同。
＜＜半导体装置的制造方法＞＞
本发明的半导体装置的制造方法是使用了上述膜状粘接剂复合片的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：隔着膜状粘接剂将上述膜状粘接剂复合片粘贴于分割过的多个半导体芯片上的工序(以下，有时简称为“粘贴工序”)；从与设置有膜状粘接剂的一侧相反侧对粘贴于上述半导体芯片的上述膜状粘接剂复合片的支撑片施加力，由此隔着支撑片对膜状粘接剂施加力而切断膜状粘接剂的工序(以下，有时简称为“切断工序”)；将上述半导体芯片和粘贴于其上的切断后的上述膜状粘接剂从上述支撑片上分离的工序(以下，有时简称为“分离工序”)。
上述制造方法是所谓的先切割法，该先切割法具有以下工序：在通过切割而预先分割过的多个半导体芯片上粘贴膜状粘接剂，然后将该膜状粘接剂进行切断。采用上述制造方法，通过使用上述膜状粘接剂复合片，能够以在制造半导体装置时被简化的方法切实地将粘贴有膜状粘接剂的半导体芯片从支撑片上分离，且不会伴有工序异常。
＜粘贴工序＞
在上述粘贴工序中，隔着膜状粘接剂将上述膜状粘接剂复合片粘贴于分割过的多个半导体芯片上。在本工序中，将1张膜状粘接剂复合片的膜状粘接剂粘贴于半导体芯片的背面。
分割过的多个半导体芯片例如可以如下制作：从半导体晶片的与上述膜状粘接剂复合片的粘贴面(背面)相反侧的表面形成槽，对上述背面进行磨削直至达到该槽。另外，分割过的多个半导体芯片也可以如下制作：在半导体晶片的上述表面或其附近通过激光照射设置改性区域，对上述背面进行磨削，通过该磨削时的冲击而在上述改性区域使晶片断裂。
＜切断工序＞
在上述切断工序中，从与设置有膜状粘接剂一侧的相反侧对上述粘贴工序后粘贴于上述半导体芯片上的膜状粘接剂复合片的支撑片施加力，由此隔着支撑片对膜状粘接剂施加力，将膜状粘接剂切断。以下，参照附图对本发明的制造方法进行说明。图1是示意性地示例出本发明的制造方法中从膜状粘接剂的切断直至从半导体芯片的支撑片上分离为止的一个实施方式的剖面图。在图1中，仅通过剖面表示了与膜状粘接剂复合片相关的构成。
如图1(a)所示，通过上述粘贴工序，膜状粘接剂复合片1的膜状粘接剂12被粘贴于多个半导体芯片9的背面9b上。而且，在本工序中，半导体装置的制造装置(省略了整体图的图示)中，顶起半导体芯片的顶起部81与膜状粘接剂复合片1中支撑片11的与设置膜状粘接剂12的面(表面)11a相反侧的面(背面)11b抵接。
在本工序中，接着如图1(b)所示，对于膜状粘接剂复合片1的支撑片11，从其背面11b沿支撑片的厚度方向施加力，从而隔着支撑片11对膜状粘接剂12施加力。这里示出的例子为：突起(栓销)811在顶起部81上突出来，突起811的前端部从支撑片11的背面11b将支撑片11顶起，由此隔着支撑片11沿突起811的突出方向对膜状粘接剂12施加力。此时，可以适宜调节突起811的突出量(顶起量)、突出速度(顶起速度)、保持突出状态的时间(顶起保持时间)等顶起条件。作为上述顶起量，可以为1～1000μm，优选为10～100μm，更优选为30～70μm。作为上述顶起速度，可以为0.1～50mm/秒，优选为0.5～20mm/秒。作为上述顶起保持时间，可以为1～1000毫秒，优选为10～100毫秒，更优选为20～50毫秒。
这里示出的是顶起支撑片11的突起811的个数为1个的情况，但也可以为2个以上，突起811的个数可以适宜选择。需要说明的是，作为隔着支撑片11对膜状粘接剂12施加力的方法，也可以适宜应用例如用基于滑块的顶起来施加力的方法等其它公知的方法。
这样，对膜状粘接剂12施加力时，通过使用了膜状粘接剂复合片1，在伴随突起811的顶起而产生的剪切力的作用下，膜状粘接剂12在目标部位(作为半导体芯片9，仅包围作为从支撑片11上分离的对象的部分的部位)被切断。
＜分离工序＞
在上述分离工序中，在上述切断工序后，如图1(c)所示，将半导体芯片9和粘贴在该半导体芯片9上的切断后的膜状粘接剂12从支撑片11上分离(拾取)。本工序(分离工序)通常在上述切断工序后立即连续地进行。这里示出的例子为：通过利用半导体装置的制造装置的提起部82将半导体芯片9提起，使粘贴于该半导体芯片9上的切断后的膜状粘接剂12从支撑片11上剥离。这样的提起半导体芯片9的方法可以为公知的方法，更具体地，可以示例出利用真空筒夹吸附半导体芯片9的表面来进行提起的方法等。
这样，在提起半导体芯片9时，通过使用了膜状粘接剂复合片1，膜状粘接剂12切实地从支撑片11上剥离。然后，膜状粘接剂12在给定的部位被切断，因此，提起的半导体芯片9与膜状粘接剂12一起从支撑片11上分离。
在本发明的制造方法中，使用与膜状粘接剂一起被分离(被拾取)的半导体芯片，然后按照与现有方法同样的方法来制造半导体装置。例如，通过膜状粘接剂将上述半导体芯片管芯焊接于基板的电路面上，根据需要在该半导体芯片上进一步叠层1个以上的半导体芯片，进行引线接合后，利用树脂将其整体进行封装，制成半导体封装件。而且，可以将该半导体封装件配置于基板上来制作目标的半导体装置。
未使用本发明的膜状粘接剂复合片的情况下，有可能在半导体装置的制造时产生以下所示的工序异常。
图2是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的一个方式的剖面图。
这里所示的膜状粘接剂复合片7是固化前的膜状粘接剂72的断裂伸长率大于本发明的断裂伸长率、且支撑片71与膜状粘接剂72的界面的剥离力也大于本发明的剥离力的复合片。使用这样的膜状粘接剂复合片7的情况下，代表性的工序异常如图2(a)所示，即使对膜状粘接剂72施加力，膜状粘接剂72也不被切断，并且在想要将半导体芯片9提起时，膜状粘接剂72不从支撑片71上剥离。其结果，如图2(b)所示那样，发生半导体芯片9的顶起不良。
图3是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的另一方式的剖面图。
这里所示的膜状粘接剂复合片7是固化前的膜状粘接剂72的断裂伸长率与本发明的断裂伸长率相同、且支撑片71与膜状粘接剂72的界面的剥离力大于本发明的剥离力的复合片。使用这样的膜状粘接剂复合片7的情况下，即使对膜状粘接剂72施加力，膜状粘接剂72也未必可切实地被切断，例如有时会如图3(a)所示那样仅在膜状粘接剂72的一部分上形成切口。另外，即使膜状粘接剂72被切断，也有可能未在形成与半导体芯片9相同形状那样的目标位置被切断。此外，无论膜状粘接剂72是否切断，在想要提起半导体芯片9时，膜状粘接剂72不会从支撑片71上剥离。
其结果，例如如图3(b)所示那样发生半导体芯片9的顶起不良。图3(b)示出的是仅在膜状粘接剂72的一部分上形成切口的情况。
图4是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的再一个方式的剖面图。
这里所示的膜状粘接剂复合片7是固化前的膜状粘接剂72的断裂伸长率大于本发明的断裂伸长率、且支撑片71与膜状粘接剂72的界面的剥离力与本发明的剥离力相同、或者小于本发明的剥离力的复合片。使用这样的膜状粘接剂复合片7的情况下，代表性的工序异常为：即使对膜状粘接剂72施加力，膜状粘接剂72也不被切断。而且，通过将半导体芯片9提起，如图4(a)所示那样，不仅膜状粘接剂72的与提起的半导体芯片9对应的部位从支撑片71上剥离，而且对应于与其相邻的半导体芯片9的膜状粘接剂72的部位也从支撑片71上剥离。其结果，目标的半导体芯片9无法提起，如图4(b)所示那样，产生半导体芯片9的顶起不良。
图5是示意性地示例出使用以往的膜状粘接剂复合片时在半导体装置的制造过程中的膜状粘接剂复合片及半导体芯片的再一个方式的剖面图。
这里所示的膜状粘接剂复合片7是固化前的膜状粘接剂72的断裂伸长率与本发明的断裂伸长率相同、且支撑片71与膜状粘接剂72的界面的剥离力与本发明的剥离力相同、或者小于本发明的剥离力的复合片。使用这样的膜状粘接剂复合片7的情况下，代表性的工序异常如图5(a)所示，通过对膜状粘接剂72施加力，膜状粘接剂72与目标的半导体芯片9、以及与其相邻的半导体芯片9一体地被切断，通过将半导体芯片9提起，这些半导体芯片9与膜状粘接剂72一起从支撑片11上剥离而被分离。其结果，如图5(b)所示那样，产生重模。
需要说明的是，为了方便起见，这里所示出的是从支撑片71上被分离的半导体芯片9为3个的情况，但也有从支撑片71上被分离的半导体芯片9为4个以上等其它个数的情况。
需要说明的是，参照附图2～5说明的工序异常是代表性的工序异常，有是根据情况的不同也会发生其它的工序异常。
与此相对，在使用了本发明的膜状粘接剂复合片的情况下，可抑制这样的工序异常的发生，其结果，可以利用比以往简便的方法廉价地制造半导体装置。
实施例
以下，通过具体的实施例更详细地对本发明进行说明。但是，本发明并不受以下所示的实施例的任何限定。
＜支撑片的制造＞
[制造例1]
(丙烯酸类聚合物的制造)
将丙烯酸月桂酯(以下，简称为“LA”)80质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(以下，简称为“HEA”)(20质量份)作为原料单体来进行聚合反应，由此得到了丙烯酸类聚合物(A)。
向该丙烯酸类聚合物(A)中加入2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(以下，简称为“MOI”)(22质量份、相对于HEA约为80摩尔％)、二丁基二月桂酸锡(以下，简称为“DBTL”)(0.13质量份)来进行加成反应，由此得到了目标的丙烯酸类聚合物。
将各成分的配合比示于表1。需要说明的是，表1中的“-”是指未配合该成分的意思。
(粘合剂组合物的制造)
相对于上述得到的丙烯酸类聚合物(100质量份)，加入光聚合引发剂(CibaSpecialty Chemicals公司制“IRGACURE 651”、苯偶酰二甲基缩酮)(3质量份)、作为反应抑制剂的乙酰丙酮(1质量份)，用甲乙酮进行稀释后，充分搅拌，再向其中加入作为异氰酸酯类交联剂的三羟甲基丙烷的亚苄基二异氰酸酯三聚体加成物(日本聚氨酯株式会社制“CORONATE L”)(7.5质量份、相对于丙烯酸类聚合物中的残存羟基1摩尔，所具有的异氰酸酯基达到1摩尔的量)，在23℃下进行搅拌，由此得到了固体成分浓度为25质量％的粘合剂组合物。
各成分的配合比示于表1。
(支撑片的制造)
作为基材，使用由单层的乙烯-甲基丙烯酸共聚物形成的层所构成的材料(Achilles公司制“EANU80-AL-ND”、厚度80μm)，对该基材进行了电晕照射处理。接着，在剥离膜(琳得科株式会社制、SP-PET381031)上涂布上述得到的粘合剂组合物，在120℃下加热干燥1分钟，从而形成了厚度10μm的粘合剂层。将该粘合剂层与上述基材的电晕照射处理面贴合，得到了在基材上具有粘合剂层及剥离膜的支撑片。
＜支撑片的制造＞
[制造例2]
(丙烯酸类聚合物的制造)
将丙烯酸2-乙基己酯(以下，简称为“2EHA”)(60质量份)、甲基丙烯酸甲酯(以下，简称为“MMA”)(30质量份)、HEA(10质量份)作为原料单体来进行聚合反应，由此得到了丙烯酸类聚合物。
各成分的配合比示于表1。
(粘合剂组合物的制造)
相对于该丙烯酸类聚合物(84质量份)，加入异氰酸酯类交联剂(TOYOCHEM公司制“BHS8515”、三羟甲基丙烷的亚苄基二异氰酸酯加成物)(16质量份)，用甲乙酮进行稀释后，充分搅拌，由此得到了粘合剂组合物。
各成分的配合比示于表1。
(支撑片的制造)
作为基材，使用由单层的乙烯-甲基丙烯酸共聚物形成的层所构成的材料(Achilles公司制“EANU80-AL-ND”、厚度80μm)，对该基材进行了电晕照射处理。接着，在剥离膜(琳得科株式会社制、SP-PET381031)上涂布上述得到的粘合剂组合物，在120℃下加热干燥1分钟，从而形成了厚度10μm的粘合剂层。将该粘合剂层与上述基材的电晕照射处理面贴合，得到了在基材上具有粘合剂层及剥离膜的支撑片。
表1
Figure BDA0001299033670000271
＜膜状粘接剂复合片的制造＞
[实施例1～4、比较例1～4]
(粘接剂组合物的制造)
以表2及3所示的量配合各成分，再用甲乙酮进行稀释，使得固体成分浓度为50质量％，得到了粘接剂组合物。
需要说明的是，表2及3中各成分的简称分别具有以下的意义。另外，“-”是指未配合该成分的意思。
·聚合物成分(a)
(a)-1：丙烯酸类树脂(日本合成化学工业株式会社制“Coponyl N-2359-6”)
(a)-2：热塑性树脂、聚酯(东洋纺绩株式会社制“VYLON 220”)
·环氧树脂(b1)
(b1)-1：双酚A型环氧树脂(JAPAN EPOXY RESINS公司制“Epikote 834”、分子量470、半固态环氧树脂)
(b1)-2：多官能芳香族环氧树脂(日本化药株式会社制“EPPN-502H”、软化点60～72℃的固态环氧树脂)
(b1)-3：均匀分散有丙烯酸橡胶微粒的双酚A型环氧树脂(日本触媒株式会社制“BPA328”、环氧当量230±10g/eq、丙烯酸橡胶含量20±1phr、液态环氧树脂)
(b1)-4：导入了柔软性骨架的环氧树脂(DIC公司制“EXA4850-150”、分子量900、液态环氧树脂)
(b1)-5：双酚A型环氧树脂((JAPAN EPOXY RESINS公司制“Epikote 1055”、分子量1600、软化点为93℃的固态环氧树脂)
·热固化剂(b2)
(b2)-1：联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制“MEH-7851-SS”、软化点67℃)
(b2)-2：酚醛清漆型酚醛树脂(昭和电工株式会社制“BRG-556”、软化点80℃)
(b2)-3：联苯芳烷基型酚醛树脂(明和化成株式会社制“MEH-7851-H”、软化点83℃)
·固化促进剂(c)
(c)-1：2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(四国化成工业株式会社制“Curezol2PHZ”)
·填充材料(d)
(d)-1：球状二氧化硅(Admatechs公司制“SC2050”)
(d)-2：球状二氧化硅(Admatechs公司制“SC2050MA”)
·偶联剂(e)
(e)-1：硅烷偶联剂、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu silicone公司制“KBM-403”)
(e)-2：硅烷偶联剂、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷(Shin-Etsu silicone公司制“KBE-403”)
(e)-3：硅烷偶联剂、含有环氧基、甲基及甲氧基的聚硅氧烷低聚物(Shin-Etsusilicone公司制“X-41-1056”、环氧当量280g/摩尔)
(e)-4：硅烷偶联剂(三菱化学制“MKC Silicate MSEP2”)
(e)-5：硅烷偶联剂、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷(Dow Corning Toray silicone制“SZ-6083”)
·其它成分(z)
(h)-1：紫外线固化性树脂、三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(日本化药株式会社制“KAYARAD R-684”)
(i)-1：光引发剂、1-羟基环己基苯基酮(Ciba Specialty Chemicals公司制“IRGACURE 184”)
(膜状粘接剂复合片的制造)
在聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的一面经过了剥离处理的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-P502010”、厚度50μm)的上述剥离处理面上涂布上述得到的粘接剂组合物，使用烘箱在100℃下干燥3分钟，由此形成了厚度为7μm的膜状粘接剂。
另一方面，作为支撑片，准备了依次叠层由低密度聚乙烯形成的层(日本聚乙烯株式会社制“Novatec LC520”、密度0.923g/cm3、MFR3.6g/10分、厚度8μm)、包含聚丙烯的层(由均聚聚丙烯树脂(Prime Polymer公司制“Prime Polypro F-300SP”、密度0.90g/cm3、MFR3.0g/10分)及苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(JSR公司制“DYNARON 8601P”、密度0.89g/cm3、MFR3.5g/10分)的混合物形成的层、厚度60μm)、以及由低密度聚乙烯形成的层(除了厚度不是8μm而是12μm这点以外，与上述相同)而成的基材(以下，有时将该基材简称为“叠层基材(1)”)。需要说明的是，上述的MFR(熔体流动速率)是按照JISK7210＝1999、低密度聚乙烯的情况下测定温度设为190℃、均聚聚丙烯树脂的情况下测定温度设为230℃、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物的情况下测定温度设为230℃、且荷重设为21.18N而测得的值。
接着，将上述得到的膜状粘接剂贴合在该支撑片的由低密度聚乙烯形成的厚度8μm的层上，除去剥离膜，由此得到了在由基材构成的支撑片上设置有膜状粘接剂的膜状粘接剂复合片(实施例1～2、比较例1～2)。
另外，作为支撑片，使用依次叠层由聚丙烯形成的层、由乙烯-甲基丙烯酸共聚合物形成的层而成的基材(Achilles公司制“HUSL1302”，以下，有时将该基材简称为“叠层基材(2)”)，将上述得到的膜状粘接剂与该支撑片的由聚丙烯形成的层贴合，除去剥离膜，由此得到了在由基材构成的支撑片上设置有膜状粘接剂的膜状粘接剂复合片(比较例3)。需要说明的是，比较例3使用了与比较例1同样的粘接剂组合物。
另外，作为支撑片，使用了从制造例2所得到的支撑片上除去剥离膜而得到的支撑片，将上述得到的膜状粘接剂与该支撑片的粘合剂层贴合，除去剥离膜，由此得到了依次叠层有基材、粘合剂层及膜状粘接剂的膜状粘接剂复合片(实施例3)。需要说明的是，实施例3使用了与实施例1同样的粘接剂组合物。
另外，作为支撑片，使用了从制造例1所得到的支撑片上除去剥离膜而得到的支撑片，将上述得到的膜状粘接剂与该支撑片的粘合剂层贴合，除去剥离膜，由此得到了依次叠层有基材、粘合剂层及膜状粘接剂的膜状粘接剂复合片(实施例4及比较例4)。需要说明的是，实施例4及比较例4使用了与实施例1同样的粘接剂组合物。如后面所叙述，对于实施例4，在“支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力的测定”及“拾取适应性的评价”中，在测定、评价之前对试料照射了紫外线。
＜环状框用双面粘合构件的制造＞
[制造例3]
准备了与上述的膜状粘接剂复合片的制造时所使用的叠层基材(1)同样的材料作为芯材。
在轻剥离型的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET3801”、厚度38μm)的剥离处理面上涂布强粘合型的丙烯酸类粘合剂(琳得科株式会社制“PA-T1”)并使其干燥，将所形成的厚度为5μm的粘合剂层与上述的芯材贴合，得到了单面胶粘带。
将丙烯酸类粘合剂(丙烯酸正丁酯及丙烯酸共聚而成的共聚物(丙烯酸正丁酯/丙烯酸＝90/10(质量比)、重均分子量600,000、玻璃化转变温度-44℃))100质量份、分子量7000的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物200质量份、异氰酸酯类交联剂10质量份、以及二苯甲酮类能量线固化反应引发剂10质量份混合，得到了能量线固化型粘合剂组合物。
将得到的能量线固化型粘合剂组合物涂布在重剥离型的剥离膜(琳得科株式会社制“SP-PET3811”、厚度38μm)的剥离处理面上，在90℃下干燥1分钟，形成了厚度为5μm的能量线固化型粘合剂层。接着，将该能量线固化型粘合剂层与上述的单面胶粘带的芯材贴合，制成厚度为90μm的双面胶粘带，制作了环状框用双面粘合构件。
＜膜状粘接剂复合片的评价＞
(评价用试料的制作)
针对上述得到的环状框用双面粘合构件，将其从轻剥离型的剥离膜至能量线固化型粘合剂层为止的层冲孔直径220mm的圆形，仅残留重剥离型的剥离膜，除去了该圆形部分。接着，使圆形部分外周的轻剥离型的剥离膜剥离，将露出的强粘合型的丙烯酸类粘合剂面与上述得到的膜状粘接剂复合片的膜状粘接剂进行了贴合。
接着，将膜状粘接剂复合片的从基材至上述能量线固化型粘合剂层为止的层冲孔直径270mm的圆形，并使其与之前冲孔的圆形部分为同心圆状，并仅残留重剥离型的剥离膜，除去了其外周部分。
通过以上操作，制作了在膜状粘接剂复合片的外周部设置有宽度25mm的环状框用双面粘合构件的评价用试料。
(支撑片与膜状粘接剂的界面的剥离力的测定)
使用在由聚苯乙烯板制成的硬质支撑体的表面粘贴有双面胶带而成的构件，将上述各实施例及比较例得到的25mm×250mm的膜状粘接剂复合片的膜状粘接剂叠合在该双面胶带上，在23℃、相对湿度50％的环境下用2kg的橡胶辊在该叠合而成的构件上往复一次，从而隔着双面胶带将膜状粘接剂复合片粘贴于硬质支撑体。然后，使用紫外线照射装置(琳得科株式会社制“Adwill RAD2000/m12”)、以照度：220mW/cm2、光量：160mJ/cm2的条件对实施例2的膜状粘接剂复合片照射了紫外线，使用同样的紫外线照射装置、以照度：200mW/cm2、光量:160mJ/cm2的条件对实施例4的膜状粘接剂复合片照射了紫外线。
接着，将粘贴后的构件在23℃、相对湿度50％的相同环境下放置了30分钟后，使用自记式拉力试验机(Autograph)作为测定装置，测定了以300mm/分的速度、180℃的角度使膜状粘接剂复合片的基材从膜状粘接剂上剥离时的剥离力(N/25mm)。将结果示于表2及3中的“剥离力”一栏。
(固化前的包含膜状粘接剂的叠层体的断裂伸长率的测定)
使用层压机将2片上述各实施例及比较例得到的膜状粘接剂贴合，再重复贴合同样的膜状粘接剂，使得总厚度达到203μm，制作了膜状粘接剂叠层而成的叠层体。
接着，使用加热至80℃的热板，对所得到的叠层体加热了30秒钟。然后，使用紫外线照射装置(琳得科株式会社制“Adwill RAD2000/m12”)、以照度：220mW/cm2、光量：160mJ/cm2的条件仅对实施例2的膜状粘接剂复合片照射了紫外线。接着，使用超级刀(荻野精机制作所制“PH1-600”)在30秒钟以内将该加热后的叠层体裁断，制作了宽度15mm、长度100mm、厚度203μm的试验片。裁断中的时间超过了30秒钟的情况下，暂时中止裁断，使用加热至80℃的热板对裁断中的上述叠层体再次进行加热后，在30秒钟以内裁断，制作了试验片。这样地在对上述叠层体加热后进行裁断是由于，使得不会在试验片的端部产生作为断裂的原因的缺损部。
接着，使用万能试验机(岛津制作所制“Autograph AG-IS 500N”)，在2个部位利用其固定夹具对上述试验片进行了固定。此时，将固定夹具的前端部间的距离(试验片的露出部位的长度、固定部位间的距离)设为75mm。然后，将引張速度设为200mm/分，在该固定部位间对试验片进行拉伸，测定了试验片的断裂伸长率(％)。将结果示于表2及3中的“固化前断裂伸长率”一栏。
(拾取适应性的评价)
将8英寸的硅晶片单片化为2mm×2mm、厚度50μm的芯片，使用层压机在60℃下将使用上述的膜状粘接剂复合片得到的评价用试料的膜状粘接剂粘贴在上述芯片的干式抛光面上。然后，使用紫外线照射装置(琳得科株式会社制“Adwill RAD2000/m12”)、以照度：220mW/cm2、光量：160mJ/cm2的条件对实施例2的膜状粘接剂复合片照射了紫外线，使用紫外线照射装置(琳得科株式会社制“Adwill RAD2000/m12”)、以照度：200mW/cm2、光量：160mJ/cm2的条件对实施例4的膜状粘接剂复合片照射了紫外线。
这样地，将1片膜状粘接剂复合片的膜状粘接剂粘贴在多个芯片上而得到了片材，使用拾取装置(Canon-machinery公司制“BESTEM-D02”)、在顶起量150μm、顶起速度20mm/分、顶起保持时间1秒钟的条件下对所得到的片材以单栓销顶起方式进行了54次带有膜状粘接剂的芯片的拾取。然后，拾取成功了54次的情况下判定为拾取适应性良好(○)、有1次拾取未成功的情况判定为拾取适应性不良(×)，拾取适应性不良的情况下，将成为其原因的异常的内容分类为产生重模和顶起不良，计数这些异常的发生次数，计算出其发生率(％)。将结果示于表2及3。
表2
Figure BDA0001299033670000331
表3
Figure BDA0001299033670000341
由上述结果可以明确，实施例1～4的膜状粘接剂复合片由于膜状粘接剂的厚度、上述剥离力及断裂伸长率均在给定的范围内，因此在对粘贴有膜状粘接剂的芯片进行拾取时，即使不另行设置以切断膜状粘接剂为主要目的的工序，也可以将膜状粘接剂切断，可以切实地将粘贴有膜状粘接剂的芯片从支撑片上拾取，且不会伴有工序异常。
与此相对，比较例1的膜状粘接剂复合片由于上述剥离力过小，因此发生了重模，拾取适应性不良。
另外，比较例2的膜状粘接剂复合片由于上述断裂伸长率过大，无法切断膜状粘接剂，发生顶起不良，拾取适应性不良。
另外，比较例3及4的膜状粘接剂复合片由于上述剥离力过大，无法使膜状粘接剂从基材(支撑片)上剥离，发生了顶起不良，拾取适应性不良。
各实施方式的各构成及它们的组合等只是一个例子，可以在不脱离本发明主旨的范围内进行构成的增加、省略、替换及其它变更。另外，本发明并不受各实施方式的限定，其仅受权利要求书的范围的限定。
工业实用性
本发明可以利用于半导体装置的制造。

Claims (4)

1.一种膜状粘接剂复合片，其具备：
具有基材的支撑片、以及
设置在所述支撑片上且厚度为1～50μm的固化性的膜状粘接剂，
其中，
所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.026～0.2N/25mm，
所述膜状粘接剂具有以下特性：
将固化前的所述膜状粘接剂按照总厚度为200μm的方式叠层而成的叠层体的断裂伸长率为450％以下，
所述断裂伸长率通过以下方法求出：将作为试验片的宽度为15mm、长度为100mm、厚度为200μm的膜状粘接剂的叠层体按照固定部位间的距离为75mm的方式固定2个部位，将拉伸速度设为200mm/分，在其固定的部位间对上述试验片进行拉伸，测定试验片断裂时试验片的伸长率，
所述剥离力通过以下方法求出：设为将宽度25mm、长度任意的膜状粘接剂复合片通过其膜状粘接剂粘贴于被粘附物上的状态，从粘贴于被粘附物的膜状粘接剂上将支撑片以剥离速度300mm/分剥离，测定此时将支撑片向其长度方向、即膜状粘接剂复合片的长度方向剥离时所施加的力，并且在剥离时使膜状粘接剂及支撑片相互接触的面之间成180°的角度。
2.根据权利要求1所述的膜状粘接剂复合片，其中，所述支撑片由所述基材构成，且所述膜状粘接剂直接接触地设置在所述基材上。
3.根据权利要求1或2所述的膜状粘接剂复合片，其中，在未对所述膜状粘接剂复合片照射能量线的状态下，所述支撑片和所述膜状粘接剂的界面的剥离力为0.026～0.2N/25mm。
4.一种半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：
将权利要求1～3中任一项所述的膜状粘接剂复合片隔着膜状粘接剂粘贴在分割过的多个半导体芯片上的工序；
从与设置有膜状粘接剂的一侧相反侧对粘贴在所述半导体芯片上的所述膜状粘接剂复合片的支撑片施加力，由此隔着支撑片对膜状粘接剂施加力而切断膜状粘接剂的工序；以及
将所述半导体芯片与被粘贴在所述半导体芯片上的切断后的所述膜状粘接剂从所述支撑片上分离的工序。
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