CN106876436A - 阵列基板及其修复方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板及其修复方法，属于阵列基板修复技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板修复时可能因修复线与栅线导通而造成修复不良的问题。本发明的阵列基板包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层，所述第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开；且所述阵列基板还包括：设于第一绝缘层与彩膜层间的遮蔽结构，所述遮蔽结构由金属材料构成，且位于第一引线上方无第二引线的位置，在第一引线宽度方向上遮蔽结构覆盖第一引线。

Description

阵列基板及其修复方法

技术领域

本发明属于阵列基板修复技术领域，具体涉及一种阵列基板及其修复方法。

背景技术

如图1、图2所示，显示装置的阵列基板包括多条交叠设置且通过栅绝缘层51相互隔开的栅线1和数据线2，数据线2比栅线1更远离基底9，且二者交叠处通过栅绝缘层51隔开。

若某像素(图中未示出)的驱动电路(图中未示出)发生不良，可能导致栅线1与数据线2发生短路不良。如图3所示，为修复短路不良，现有方法是通过激光在短路点21两侧将数据线2切断，并在修复区中沉积钨粉形成修复线3，修复线3两端通过钝化层52中的过孔(通过激光形成)与数据线2的两个位于短路点21两侧的位置分别连接(如图12所示)，从而数据线2信号可沿修复线3绕过短路点21传递，消除短路不良(当然此时短路像素会变成暗点)。可见，修复线3与栅线1有交叠，但因为二者间有栅绝缘层51、钝化层52等，故它们正常情况下不会导通。

但是，在有机发光二极管(OLED)阵列基板中有彩膜层8(可包括彩色滤光膜和黑矩阵)，彩膜层8厚度较大(一般厚数微米)，若修复线3制备在彩膜层8上则其与数据线2连接处容易断线，为此，如图3、图12所示，需要先通过激光将修复区的彩膜层8剥离。

但是，由于彩膜层8厚度大，将其剥离所需的激光能量也大，故很难保证既将彩膜层8完全剥离又不损伤其下方的绝缘层，因此如图4所示，在剥离彩膜层8时很容易将栅线1上方的栅绝缘层51和钝化层52也剥离掉，这样修复线3就会与栅线1接触并导通，导致数据线2与栅线1仍然通过修复线3短路，造成维修不良。

发明内容

本发明至少部分解决现有的阵列基板修复时可能因修复线与栅线导通而造成修复不良的问题，提供一种可避免修复不良的阵列基板及其修复方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层，所述第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开；且所述阵列基板还包括：

设于第一绝缘层与彩膜层间的遮蔽结构，所述遮蔽结构由金属材料构成，且位于第一引线上方无第二引线的位置，在第一引线宽度方向上遮蔽结构覆盖第一引线。

优选的是，所述遮蔽结构在第一引线长度方向上的两端通过第一绝缘层中的过孔与第一引线连接。

优选的是，所述遮蔽结构与第二引线同层设置。

优选的是，每条所述第一引线上方设有多个遮蔽结构。

优选的是，所述第一引线为栅线，第一绝缘层为栅绝缘层，第二引线为数据线。

优选的是，所述第二引线与彩膜层间还设有第二绝缘层。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种上述阵列基板的修复方法，所述阵列基板修复方法包括：

S1、查找所述第二引线上的不良点；

S2、激光剥离修复区的彩膜层；所述修复区连接所述不良点两侧的第二引线且与第一引线交叠，所述修复区与第一引线的交叠处设有遮蔽结构；

S3、在所述修复区中形成连接所述不良点两侧的第二引线的修复线，所述修复线在遮蔽结构上方跨过第一引线。

优选的是，所述不良点为第二引线与第一引线发生短路的短路点；且在所述步骤S1后，还包括：分别在所述短路点两侧将第二引线切断，所述切断的位置位于修复区与第二引线的两个交点之间。

优选的是，对上述遮蔽结构两端与第一引线相连的阵列基板；在所述步骤S1后，还包括：分别在对应所述修复线的位置两侧将遮蔽结构切断，所述切断位置位于遮蔽结构与第一引线的两个连接点之间。

优选的是，对上述具有第二绝缘层的阵列基板；所述步骤S2包括：激光剥离所述修复区的彩膜层和第二绝缘层。

本发明的阵列基板中，在第一引线与彩膜层(可包括彩色滤光膜和黑矩阵)间设有独立的金属的遮蔽结构，故在进行修复时，可让修复线在遮蔽结构处与第一引线交叠，这样，即使在剥离彩膜层时相应绝缘层损坏，遮蔽结构也不会损坏(因为其由金属材料)构成，故修复线只能与独立的遮蔽结构导通，而不会与第一引线导通，从而避免了修复不良。

附图说明

图1为现有的一种阵列基板产生不良时的结构示意图；

图2为图1中沿AA’线的剖面结构示意图；

图3为现有的一种阵列基板进行修复后的结构示意图；

图4为发生修复不良时图3中沿BB’线的剖面结构示意图；

图5为本发明的实施例的一种阵列基板的结构示意图；

图6为图5中沿CC’线的一种剖面结构示意图；

图7为图5中沿CC’线的另一种剖面结构示意图；

图8为本发明的实施例的一种阵列基板进行修复后的结构示意图；

图9为图8中沿DD’线的一种剖面结构示意图；

图10为本发明的实施例的另一种阵列基板进行修复后的结构示意图；

图11为图10中沿EE’线的一种剖面结构示意图；

图12为现有阵列基板中修复线与数据线连接处的局部剖面结构示意图；

其中，附图标记为：1、栅线；2、数据线；21、短路点；3、修复线；4、遮蔽结构；51、栅绝缘层；52、钝化层；8、彩膜层；9、基底。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层经同一构图工艺形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离必然相等。

实施例1：

如图5至图11所示，本实施例提供一种阵列基板，包括基底9，以及在远离基底9的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层8，第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开；且阵列基板还包括：

设于第一绝缘层与彩膜层8间的遮蔽结构4，遮蔽结构4由金属材料构成，且位于第一引线上方无第二引线的位置，在第一引线宽度方向上遮蔽结构覆盖第一引线。

也就是说，本实施例的阵列基板中，在第一引线与彩膜层8(可包括彩色滤光膜和黑矩阵)间设有独立的金属的遮蔽结构4，故在进行修复时，可让修复线3在遮蔽结构4处与第一引线交叠，这样，即使在剥离彩膜层8时相应绝缘层损坏，遮蔽结构4也不会损坏(因为其由金属材料)构成，故修复线3只能与独立的遮蔽结构4导通，而不会与第一引线导通，从而避免了修复不良。

具体的，本实施例的阵列基板中具有彩膜层8，故其优选为有机发光二极管(OLED)阵列基板，因为这类阵列基板的彩膜层8一般是直接设在阵列基板中的。当然，如果阵列基板为COA(Color On Array)模式的液晶显示阵列基板等，也是可行的。

当然，在该阵列基板中，还应具有驱动电路、像素(如像素电极、公共电极、阴极、阳极、有机发光层等)等其它结构，在此不再进行详细描述。

优选的，以上第一引线为栅线1，第一绝缘层为栅绝缘层51，第二引线为数据线2。

优选的，在第二引线(数据线2)与彩膜层8间还设有第二绝缘层，该第二绝缘层可为钝化层52。

其中，当具有第二绝缘层时，以上遮蔽结构4优选位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。

在以下内容中，均以第一引线为栅线1，第一绝缘层为栅绝缘层51，第二引线为数据线2，第二绝缘层为钝化层52为例进行说明。当然，应当理解，如果第一引线为数据线、第二引线为栅线，或者引线为其它类型，也都是可行的。

优选的，遮蔽结构4与数据线2同层设置。

也就是说，如图5、图6所示，由于遮蔽结构4与数据线2都位于栅绝缘层51以上，二者的层位置可相同(即都位于栅绝缘层51和钝化层52之间)，故它们可由同一个材料层经同一次构图工艺形成，以简化阵列基板的制备工艺。

当然，在具有钝化层52时，遮蔽结构4也可位于钝化层52之上，这样其就与数据线2不同层了，故此时遮蔽结构4需要单独制备。

优选的，遮蔽结构4在栅线1长度方向上的两端通过栅绝缘层51中的过孔与其下方的栅线1连接。

也就是说，遮蔽结构4也可如图6所示直接位于栅绝缘层51上。但遮蔽结构4也可如图7所示，其两个端部通过栅绝缘层51中的过孔与栅线1连接，即遮蔽结构4可形成“桥状”。“桥状”的遮蔽结构4有利于降低栅线1的电阻，而在发生不良需要修复时，只要将该“桥状”遮蔽结构4的两端部与中部切断，仍可实现避免修复线3与栅线1短路的效果。

优选的，每条栅线1上方设有多个遮蔽结构4。

显然，每条栅线1会与多条数据线2有交叠，而每条数据线2都可能发生不良，故如图5所示，优选每条栅线1上方设置多个遮蔽结构4(最优选在每两条数据线2之间均而有一个遮蔽结构4)，这样不论哪条数据线2发生不良，都可在较近范围内找到用于使修复线3通过的遮蔽结构4。

本实施例还提供一种上述阵列基板的修复方法，其方法包括：

S11、查找数据线2上的不良点；

S12、激光剥离修复区的彩膜层8；修复区连接不良点两侧的数据线2且与栅线1交叠，修复区与栅线1的交叠处设有遮蔽结构4；

S13、在修复区中形成连接不良点两侧的数据线2的修复线3，修复线3在遮蔽结构4上方跨过栅线1。

也就是说，如图8、图9所示，当本实施例的阵列基板的数据线2中产生不良点而需要进行修复时，则先通过激光剥离除去修复区中的彩膜层8，之后在修复区中通过沉积钨粉等方式形成修复线3，该修复线3(或者说修复区)将不良点两侧的数据线2连接起来，使数据线2中的信号可经修复线3绕过不良点传递。

其中，该修复线3(或者说修复区)要跨过栅线1，故其在遮蔽结构4处与栅线1交叠，从而即使在剥离彩膜层8时导致栅线1上方的绝缘层(如钝化层52，此时栅绝缘层51位于遮蔽结构4下方，故不会损坏)损坏，则修复线3也只会与遮蔽结构4连接，但不会与栅线1导通，从而避免了栅线1与数据线2短路，消除了修复不良。

优选的，不良点为数据线2与栅线1发生短路的短路点21；且在步骤S11后，还包括：分别在短路点21两侧将数据线2切断，切断的位置位于修复区与数据线2的两个交点之间。

也就是说，如果以上不良点为短路点21(如因驱动电路短路)，则除形成修复线3外，还要保证短路点21处没有信号，故如图9、图10所示，还需要通过激光在短路点21两侧将数据线2切断。当然，为保证修复线3能传递信号，故以上切断应位于修复区(或者说修复线3)与数据线2的两交点的内侧。

当然，如果数据线2的不良点为断路点，则也可不进行本步骤。

优选的，当遮蔽结构4两端通与栅线1连接时，则在步骤S11后，还包括：分别在修复线3两侧将遮蔽结构4切断，切断位置位于遮蔽结构4与栅线1的两个连接点之间。

也就是说，如果遮蔽结构4为以上描述的两端与栅线1连接的形式，则如图10、图11所示，在修复过程中，还需要在对应修复线3的位置两侧将遮蔽结构4切断，即将遮蔽结构4中部与其两端部切断，从而保证数据线2即使与遮蔽结构4的中部发生连接也不会与栅线1导通。当然，为实现以上效果，以上切断点必须位于遮蔽结构4与栅线1的两个连接点的内侧。

优选的，当数据线2与彩膜层8间设有钝化层52时，则步骤S12包括：

激光剥离修复区的彩膜层8和钝化层52。

显然，如果数据线2上方还有钝化层52，则修复线3与数据线2会被钝化层52隔开，故在现有技术中，还要在将彩膜层8剥离后，继续在数据线2上方的钝化层52中形成过孔，以使修复线3与数据线2能通过过孔连接。而在本实施例的阵列基板修复方法中，由于有遮蔽结构4，故不必用钝化层52实现栅线1与修复线3的绝缘，因此，可在剥离彩膜层8时增大激光能量，将修复区的全部钝化层52都剥离掉，这样即可实现修复线3与数据线2的连接，从而可简化修复工艺。

当然，若此时遮蔽结构4不是位于栅绝缘层51与钝化层52之间，而是设在钝化层52上，则在剥离过程中，遮蔽结构4下方的钝化层52会被保留下来而不能被剥离掉，但其不影响本发明的实现。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括基底，以及在远离基底的方向上依次设置的多条第一引线、第一绝缘层、多条第二引线、彩膜层，所述第一引线与第二引线相互交叠且被第一绝缘层隔开，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设于第一绝缘层与彩膜层间的遮蔽结构，所述遮蔽结构由金属材料构成，且位于第一引线上方无第二引线的位置，在第一引线宽度方向上遮蔽结构覆盖第一引线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述遮蔽结构在第一引线长度方向上的两端通过第一绝缘层中的过孔与第一引线连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述遮蔽结构与第二引线同层设置。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

每条所述第一引线上方设有多个遮蔽结构。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一引线为栅线，第一绝缘层为栅绝缘层，第二引线为数据线。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二引线与彩膜层间还设有第二绝缘层。

7.一种阵列基板修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，所述阵列基板修复方法包括：

S1、查找所述第二引线上的不良点；

S2、激光剥离修复区的彩膜层；所述修复区连接所述不良点两侧的第二引线且与第一引线交叠，所述修复区与第一引线的交叠处设有遮蔽结构；

S3、在所述修复区中形成连接所述不良点两侧的第二引线的修复线，所述修复线在遮蔽结构上方跨过第一引线。

8.根据权利要求7所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述不良点为第二引线与第一引线发生短路的短路点；且在所述步骤S1后，还包括：

分别在所述短路点两侧将第二引线切断，所述切断的位置位于修复区与第二引线的两个交点之间。

9.根据权利要求7所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求2的阵列基板；且在所述步骤S1后，还包括：

分别在对应所述修复线的位置两侧将遮蔽结构切断，所述切断位置位于遮蔽结构与第一引线的两个连接点之间。

10.根据权利要求7所述的阵列基板修复方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求6的阵列基板；所述步骤S2包括：

激光剥离所述修复区的彩膜层和第二绝缘层。