CN108231669A - 缺陷修补方法、显示面板 - Google Patents

缺陷修补方法、显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN108231669A
CN108231669A CN201810054284.0A CN201810054284A CN108231669A CN 108231669 A CN108231669 A CN 108231669A CN 201810054284 A CN201810054284 A CN 201810054284A CN 108231669 A CN108231669 A CN 108231669A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conducting wire
repairing
wire
intersection region
jumper
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810054284.0A
Other languages
English (en)
Inventor
彭英
李俊峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd filed Critical Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority to CN201810054284.0A priority Critical patent/CN108231669A/zh
Publication of CN108231669A publication Critical patent/CN108231669A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种缺陷修补方法、显示面板。由于形成在上层结构层中的第二导线上预留有修补跳线，从而当第一导线和第二导线的交叉区域中产生有缺陷时，即可通过切割第二导线在交叉区域和修补跳线之间的部分，以克服第一导线和第二导线出现跨层短路的缺陷，同时利用修补跳线实现切割后的位于交叉区域两侧的第二导线相互电性连接，进而确保第二导线的导电性能。可见，本发明提供的修补方法的操作难度低易于实现，能够使修补后的显示面板的性能符合要求。

Description

缺陷修补方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种缺陷修补方法及一种显示面板。
背景技术
在显示面板的制备过程中，常常会因为制造工艺或环境等因素导致所形成的显示面板中产生有缺陷的问题。因此，在显示面板的制备过程中，还需结合缺陷检测和缺陷修补工艺，以对所制备出的显示面板进行检测，并对产生有缺陷的区域进行修补，以尽量减少产品的报废量。
其中，针对形成在不同结构层中的两条导线而言，当在两条导线的空间交叉的区域中产生缺陷时，常常由于无法修复而直接以报废处理。具体参考图1a和图1b所示，其中图1a为两条形成在不同结构层上且在空间上相互交叉的导线，图1b为图1a所示的两条形成在不同结构层上且空间上相互交叉的导线沿着aa’方向的剖面示意图。如图1a和图1b所示，第一导线11和第二导线12在空间上相互交叉，即第一导线11和第二导线12在高度方向上的投影相互交叉。当在两条导线的交叉区域10A中存在有缺陷时，所述缺陷例如为位于第一导线11和第二导线12之间的导电颗粒，此时必然会导致第一导线11和第二导线12之间出现跨层短路的问题；或者，所述缺陷例如为第一导线11和第二导线12之间的隔离层存在破洞，此时在形成第二导线12时相应的也会在所述破洞中填充第二导线的材料，从而会使第一导线11和第二导线12搭接短路。这些都将直接导致所形成的显示面板的性能异常，例如会导致所形成的显示面板出现亮线或线缺陷的问题。
如上所述，针对不同结构层中的导线在交叉区域产生跨层短路的缺陷时，其修复难度较大甚至无法修复，而对于产生有这类缺陷的产品，通常是直接以报废处理，这也将直接造成资源的浪费和成本的增加。因此，如何对上述缺陷进行修复以减少产品的报废量尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种缺陷修补方法，以解决现有的修补方法针对跨层导线在交叉区域中的缺陷的修补难度较大甚至无法修补的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种缺陷修补方法，包括：
提供一基底，在所述基底上形成有第一导线和第二导线，所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中，且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域，在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线连接的修补跳线；
当所述交叉区域中存在有缺陷时，切断所述第二导线中在所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分，并电性连接位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
可选的，位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线通过一连接线实现电性连接，所述连接线通过化学气相沉积修复形成。
可选的，所述修补跳线的宽度尺寸和所述第二导线的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm，以及所述连接线的宽度尺寸和所述第二导线的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm。
可选的，利用激光切割工艺切断所述第二导线中位于所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分。
可选的，在所述第一导线和所述第二导线之间还形成有一隔离层，在所述隔离层对应所述交叉区域的部分中形成有缺陷，使所述第一导线在对应所述交叉区域的部分和所述第二导线在对应所述交叉区域的部分相互连接。
可选的，所述第二导线和所述修补跳线的形成方法包括：
在所述基底上沉积一导电材料层，并在所述导电材料层上形成一图形化的掩膜层，所述掩膜层中对应有所述第二导线的图形和所述修补跳线的图形；
以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述导电材料层，以在同一结构层中同时形成所述第二导线和所述修补跳线。
本发明的另一目的在于，提供一种显示面板，包括：
基底，在所述基底上形成有第一导线和第二导线，所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中，且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域，在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线电性连接的修补跳线；
当所述交叉区域中存在有缺陷时，所述第二导线在所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分中形成有一分隔开口，并且位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线电性连接。
可选的，所述显示面板还包括一连接线，所述连接线的两端分别连接所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
可选的，所述第二导线和所述修补跳线形成在同一结构层中，并且所述修补跳线直接连接至所述第二导线。
可选的，所述第一导线和所述第二导线分别为扫描线和数据线。
在本发明提供的缺陷修补方法中，在第二导线中对应交叉区域的两侧上预留修补跳线，从而当交叉区域中产生有缺陷时，即可通过对第二导线执行切割工艺，以摒除第二导线中与第一导线连接的部分，并进一步利用预留出的修补跳线，使断开后的位于交叉区域两侧的第二导线可通过修补跳线电性连接，如此，即可在确保第二导线的导电性能的基础上，克服第一导线和第二导线出现跨层短路的问题。本发明提供的修补方法的修补难度较低易于实现，根据本发明提供的修补方法，可使修补后的显示面板的性能符合规格要求，有效减少了产品的报废量。
附图说明
图1a为两条形成在不同结构层上且空间上相互交叉的导线；
图1b为图1a所示的两条形成在不同结构层上且空间上相互交叉的导线沿着aa’方向的剖面示意图；
图2为本发明实施例一中的缺陷修补方法的流程示意图；
图3a为本发明实施例一中的一种具有空间交叉的导线在其修补过程中的俯视图；
图3b为图3a所示的本发明实施例一中的一种具有空间交叉的导线在其修补过程中沿着aa’方向上的剖面示意图；
图4为本发明实施例二中的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
本发明的核心思想在于提供一种缺陷修补方法，以对不同结构层的导线在交叉区域中产生跨层短路的缺陷进行修补，从而不需要将产品进行报废，减少了资源的浪费可节省成本。
具体的，所述缺陷的修补方法包括：
提供一基底，在所述基底上形成有第一导线和第二导线，所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中，且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域，在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线连接的修补跳线；
当所述交叉区域中存在有缺陷时，切断所述第二导线中位于所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分，并电性连接位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
即，本发明提供的缺陷修补方法中，通过在第二导线对应交叉区域的两侧上分别形成一修补跳线，从而当所述交叉区域中存在有缺陷时，则可利用相应的修补工艺，使第二导线中的修补跳线和第二导线中对应交叉区域的部分相互断开，并使交叉区域两侧的修补跳线相互电性连接，从而可避免修复后的第一导线和第二导线出现跨层短路的问题，并使交叉区域两侧的第二导线通过修补跳线实现电性连接，确保第二导线的性能。
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的缺陷修补方法、显示面板作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
实施例一
图2为本发明实施例一中的缺陷修补方法的流程示意图，图3a为本发明实施例一中的一种具有空间交叉的导线在其修补过程中的俯视图，图3b为图3a所示的本发明实施例一中的一种具有空间交叉的导线在其修补过程中沿着aa’方向上的剖面示意图。应当说明的是，为更清楚地体现本发明的优点，图3a和图3b仅为示意性地示出了其中的部分结构，例如图3a中省略了隔离层的图示，以更为明晰地体现出空间交叉的两条导线的位置。以下结合图2、图3a和图3b所示，对本实施例中的缺陷修补方法进行详细说明。
首先，执行步骤S110，如图3a和图3b所示，提供一基底100，在所述基底100上形成有第一导线110和第二导线120，所述第二导线120位于所述第一导线110上方的结构层中，且所述第一导线110和所述第二导线120在所述基底100上的投影相互交叉而具备一交叉区域100A，在所述第二导线120对应所述交叉区域100A的两侧上分别设置有与所述第二导线120电性连接的修补跳线121。
即，第一导线110和第二导线120分别形成在不同的结构层中，第一导线110位于下层结构层中，所述第二导线120位于上层结构层中，在不存在缺陷的情况下，所述第一导线110和所述第二导线120相互隔离，以避免信号相互干扰。同时，在所述第二导线120上还设置有与之电性连接的修补跳线121，以便于当交叉区域100A中出现有缺陷时，可利用所述修补跳线121避免第二导线120出现断路，以及防止第一导线110和第二导线120跨层短路。
具体的，所述第二导线120和所述修补跳线121形成在同一结构层中，且两者之间直接连接。可以理解的是，所述修补跳线121即为所述第二导线120的一部分。其中，所述第二导线120和所述修补跳线121可同时形成，其形成方法例如为：
步骤一，沉积一导电材料层在所述基底100上；
步骤二，在所述导电材料层上形成图像化的掩膜层，所述掩膜层中对应有第二导线的图形和所述修补跳线的图形；
步骤三，以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述导电材料层，以在同一结构层中同时形成所述第二导线120和所述修补跳线121，所述修补跳线121连接至所述第二导线120。
即，本实施例中，在同一工艺步骤中同时形成第二导线120和修补跳线121，而不需要再额外执行其他的工艺步骤，从而可基于原有的工艺流程形成所述修补跳线121。并且，所形成的修补跳线121直接连接至所述第二导线120上，因此，当交叉区域100A中产生有缺陷而需要执行修补工艺时，也不需要再额外增加一道第二导线和修补跳线之间的连接步骤。作为一个非限制性的例子，交叉区域100A的两侧各设置一条修补跳线121，这两条修补跳线121的尺寸相同，例如是具有相同的长度和相同的线宽，以使两条修补跳线121在实现电性导通时，具备相同的导电性能。以及，两条修补跳线121与交叉区域100A的距离相同(对称分布于交叉区域100A两侧)。应理解，上述修补跳线121的数量、尺寸和分布位置可以根据实际情况调整。比如，交叉区域100A的两侧也可以各自设置多条修补跳线121，当交叉区域100A产生有缺陷时，可在所述交叉区域100A的两侧各任意取一条修补跳线，并使分别位于所述交叉区域100A两侧的两条修补跳线相互连接即可。
继续参考图2和图3所示，在所述第一导线110和所述第二导线120之间还形成有一隔离层130，通过所述隔离层130以使所述第一导线110和所述第二导线120在不同的结构层中相互隔离。
当第一导线110和第二导线120的交叉区域100A中产生有缺陷时，例如，在所述隔离层130对应所述交叉区域100A的部分中形成有缺陷，使所述第一导线110在对应所述交叉区域100A的部分和所述第二导线120在对应所述交叉区域100A的部分连接。具体的，在制备第一导线110之后以及在形成层间介质层130的过程中，导电颗粒粘附在所述交叉区域100A中，从而嵌入在所述层间介质层130对应所述交叉区域100A的部分中，由于所述导电颗粒的尺寸足够大，而从层间介质层130中凸出并连接至后续所形成的第二导线120上，此时，即会导致第一导线110和第二导线120跨层短路；或者，在所述隔离层130对应所述交叉区域100A的部分中产生有破洞，而暴露出所述第一导线110时，则后续在形成第二导线120时，相应的会在所述破洞中也形成有第二导线的导电材料，从而使第一导线110和第二导线120跨层短路。
此时，执行步骤S120，继续参考图3a和图3b所示，切断所述第二导线120中位于所述交叉区域100A和所述修补跳线121之间的部分，并电性连接位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线121。
即，由于交叉区域100A处的缺陷修复难度较大甚至无法修复，从而通过在所述交叉区域100A两侧的位置上切断所述第二导线，使所述交叉区域100A从所述第二导线120中剔除，进而使第二导线120和第一导线110相互断开。并进一步利用修补跳线121使断开后的位于交叉区域100A两侧的第二导线120相互连接，确保所述第二导线120的导电性能。相互连接的修补跳线121即可参与后续的导电过程，其中，所述修补跳线121的宽度尺寸和所述第二导线120的宽度尺寸的绝对差值优选为小于等于1μm。即相当于，所述修补跳线121和所述第二导线120的宽度尺寸相同或接近相同，从而可确保所述修补跳线121具有和所述第二导电120相同或相近的导电性能，使得电信号在经由所述第二导线120至所述修补跳线121，或电信号在经由所述修补跳线121至所述第二导线120时，均具备稳定均衡的导电效能。
进一步的，可利用激光切割工艺切断所述第二导线120中位于所述交叉区域100A和所述修补跳线121之间的部分，例如图3a所示的切割线123a即为切割区域，以及，如图3b所示，切割后即可在所述第二导线120中形成分隔开口123。
具体的，激光切割工艺具有加工速度快，精度较高，从而能够精确地对特定位置进行切割，避免对第二导线之外的其他区域造成影响。并且所述激光切割工艺为非接触切割，进而在实现切断所述第二导线的基础上，不会与第二导电接触，避免了对第二导线造成影响，例如可防止污染物被带到第二导线上等。
更进一步的，位于交叉区域100A两侧的修补跳线121可通过一连接线122实现电性连接。其中，可具体通过化学气相沉积在所述修补跳线121之间修复沉积所述连接线122，并使所述连接线122的两端分别连接至所述交叉区域100A两侧的两条修补跳线121。较佳的，所述连接线122的材质与所述第二导线120的材质相同，例如均采用金属形成。此外，所述连接线122的宽度尺寸和所述第二导线120的宽度尺寸的绝对差值优选为小于等于1μm。与所述修补跳线121类似的，当所述连接线122和所述第二导线120具备相同或相近的宽度尺寸时，即可确保所述连接线122的导电性能与所述第二导线120的导电性能相同或相近，因此即使在采用连接线122实现第二导线120的电性连通时，仍然不会对第二导线120的导电性能造成影响。
实施例二
本发明还提供了一种显示面板，在显示面板中存在有较多位于不同结构层中的导线，其位于不同结构层中的导线之间存在空间交叉(即，在高度方向上的投影相互交叉)，例如，数据线和电源线、以及扫描线和数据线等。而这些导线之间在对应其交叉区域中也可能出现有缺陷，进而导致跨层短路的问题，例如，数据线和电源线的交叉区域中可能出现有缺陷，或者扫描线和数据线的交叉区域中可能存在有缺陷。此时，由于在上层结构层中的导线上预留有修补跳线，从而可通过修补工艺克服跨层短路的问题。
本实施例中以显示面板中的扫描线和数据线为第一导线和第二导线，对本发明中的显示面板进行详细说明。
图4为本发明实施例二中的显示面板的结构示意图。如图4所示，所述显示面板包括：
基底，在所述基底上形成有第一导线210和第二导线220，所述第二导线220位于所述第一导线210上方的结构层中，且所述第一导线210和所述第二导线220在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域200A，在所述第二导线220对应所述交叉区域200A的两侧上分别设置有与所述第二导线220连接的修补跳线221。
当所述交叉区域200A中存在有缺陷时，所述数据线220在所述交叉区域200A和所述修补跳线221之间的部分中形成有一分隔开口223，并且位于所述交叉区域200A两侧的所述修补跳线222相互连接。
即，当显示面板的扫描线210和数据线220的交叉区域200A中产生有缺陷时，由于数据线220在交叉区域200A和修补跳线221之间形成有分隔开口223，并且交叉区域200A两侧的修补跳线221相互连接，从而使所述显示面板中的数据线220通过修补跳线221实现其导电性能，并且可避免扫描线210和数据线220跨层短路。
本实施例中，所述数据线220和所述修补跳线221形成在同一结构层中，并且所述修补跳线221直接连接至所述数据线220。可以理解的是，所述修补跳线221为预留形成在数据线220上的，而使修补跳线221构成数据线220的一部分。
继续参考图4所示，所述显示面板还包括一连接线222，所述连接线222的两端分别连接所述交叉区域200A两侧的所述修补跳线221。即，通过所述连接线222实现交叉区域200A两侧的修补跳线221的电性连接。较佳的方案中，所述连接线222、所述修补跳线221和所述数据线220的材质相同。更进一步的，所述连接线222的宽度尺寸和所述数据线220的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm，以及所述修补跳线221的宽度尺寸和所述数据线220的宽度尺寸的绝对差值也小于等于1μm。即相当于，所述修补跳线221、所述连接线222和所述数据线220的宽度尺寸相同或接近相同，从而可使所述修补跳线221、所述连接线222和所述数据线220能够具备相同或相近的导电性能，进而确保电信号不论是在修补跳线221、所述连接线222或者所述数据线220中传导时的传导性能均一致，确保电性号传输的稳定性。
此外，所述显示面板还包括一隔离层(图中未示出)，所述隔离层位于所述扫描线210和所述数据线220之间，从而可通过所述隔离层实现扫描线210和所述数据线220的隔离。进一步的，所述交叉区域200A所产生的缺陷，例如为所述隔离层在对应所述交叉区域200A的部分中形成的缺陷，由于所述缺陷的存在使所述扫描线210在对应所述交叉区域200A的部分和所述数据线220在对应所述交叉区域200A的部分相互连接。
需说明的是，本实施例中仅是以扫描线和数据线为例。应当认识到，在其他实施例中，位于不同结构层且空间相交的导线组例如还可以是数据线和电源线等。此外，在显示面板中的多组空间相交的导线组中，可以仅在其中一组导线组中的位于上层结构层的导线上设置修补跳线，也可以在多组导线组中位于上层结构层的导线上均设置修补跳线。
综上所述，本发明提供的缺陷修补的方法中，由于形成在上层结构层中的第二导线上预留有修补跳线，从而可通过对第二导线执行切割工艺，以摒除第二导线中与第一导线连接的部分，并进一步利用预留出的修补跳线，使断开后的位于交叉区域两侧的第二导线可通过修补跳线电性连接，如此，即可在确保第二导线的导电性能的基础上，避免第一导线和第二导线出现跨层短路的问题。可见，本发明提供的修补方法的修补难度较低，易于实现，从而可有效减少产品的报废量。
相应的，本发明提供的显示面板中，位于上层结构层的第二导线上也预留有修补跳线，从而在执行修补之后，在上层结构层的第二导线中形成有分隔开口，避免了不同结构层之间的导线出现跨层短路；并使上层结构层中的导线能够通过修补跳线实现其导电性能。可见，本发明中的显示面板中，能够克服不同结构层之间的导线出现跨层短路的问题，使修补后的显示面板的性能符合规格要求，进而不需要将产品以报废处理。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种缺陷修补方法，其特征在于，包括：
提供一基底，在所述基底上形成有第一导线和第二导线，所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中，且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域，在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线连接的修补跳线；
当所述交叉区域中存在有缺陷时，切断所述第二导线中在所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分，并电性连接分别位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
2.如权利要求1所述的缺陷修补方法，其特征在于，位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线通过一连接线实现电性连接，所述连接线通过化学气相沉积修复形成。
3.如权利要求2所述的缺陷修补方法，其特征在于，所述修补跳线的宽度尺寸和所述第二导线的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm，以及所述连接线的宽度尺寸和所述第二导线的宽度尺寸的绝对差值小于等于1μm。
4.如权利要求1所述的缺陷修补方法，其特征在于，利用激光切割工艺切断所述第二导线中位于所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分。
5.如权利要求1所述的缺陷修补方法，其特征在于，在所述第一导线和所述第二导线之间还形成有一隔离层。
6.如权利要求1所述的缺陷修补方法，其特征在于，所述第二导线和所述修补跳线的形成方法包括：
在所述基底上沉积一导电材料层，并在所述导电材料层上形成一图形化的掩膜层，所述掩膜层中对应有所述第二导线的图形和所述修补跳线的图形；
以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述导电材料层，以在同一结构层中同时形成所述第二导线和所述修补跳线。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：
基底，在所述基底上形成有第一导线和第二导线，所述第二导线位于所述第一导线上方的结构层中，且所述第一导线和所述第二导线在所述基底上的投影相互交叉而具备一交叉区域，在所述第二导线对应所述交叉区域的两侧上分别设置有与所述第二导线电性连接的修补跳线；
当所述交叉区域中存在有缺陷时，所述第二导线在所述交叉区域和所述修补跳线之间的部分中形成有一分隔开口，并且位于所述交叉区域两侧的所述修补跳线电性连接。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括一连接线，所述连接线的两端分别连接所述交叉区域两侧的所述修补跳线。
9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二导线和所述修补跳线形成在同一结构层中，并且所述修补跳线直接连接至所述第二导线。
10.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一导线和所述第二导线分别为扫描线和数据线。
CN201810054284.0A 2018-01-19 2018-01-19 缺陷修补方法、显示面板 Pending CN108231669A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810054284.0A CN108231669A (zh) 2018-01-19 2018-01-19 缺陷修补方法、显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810054284.0A CN108231669A (zh) 2018-01-19 2018-01-19 缺陷修补方法、显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108231669A true CN108231669A (zh) 2018-06-29

Family

ID=62668053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810054284.0A Pending CN108231669A (zh) 2018-01-19 2018-01-19 缺陷修补方法、显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108231669A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024113297A1 (zh) * 2022-12-01 2024-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605495B1 (en) * 2002-08-01 2003-08-12 Au Optronics Corp. Method of forming a thin film transistor liquid crystal display
CN101452908A (zh) * 2007-11-28 2009-06-10 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其修补方法
CN102087426A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 华映视讯（吴江）有限公司 修补结构以及主动元件阵列基板
CN106876436A (zh) * 2017-03-06 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其修复方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605495B1 (en) * 2002-08-01 2003-08-12 Au Optronics Corp. Method of forming a thin film transistor liquid crystal display
CN101452908A (zh) * 2007-11-28 2009-06-10 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其修补方法
CN102087426A (zh) * 2009-12-08 2011-06-08 华映视讯（吴江）有限公司 修补结构以及主动元件阵列基板
CN106876436A (zh) * 2017-03-06 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其修复方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024113297A1 (zh) * 2022-12-01 2024-06-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及液晶显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103034008B (zh) 液晶面板的防静电结构及其制造方法、连接线的修复方法
CN104680957B (zh) 显示设备及其制造和测试方法
CN103914176B (zh) 一种显示装置及其断线修复方法
CN104932128A (zh) 一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法
CN104602446A (zh) 基板结构及其制作方法
CN102221752A (zh) 液晶面板及其制造方法、维修该液晶面板的方法
KR20140054069A (ko) 박막 기기를 개별 셀들로 분할하는 방법 및 장치
CN104900633A (zh) 一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置
CN104090435B (zh) 一种显示面板的修复方法及显示面板
EP2316143B1 (de) Oled-struktur und ein verfahren zur herstellung einer oled-struktur
CN108231669A (zh) 缺陷修补方法、显示面板
CN105870131B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示器件
CN107589604A (zh) 一种有源矩阵衬底的缺陷修正方法及显示装置的制造方法
CN107980167A (zh) 电容、平板显示器及电容的制作方法
CN112885245B (zh) 显示装置及其制造方法
CN107589603A (zh) 一种有源矩阵衬底及显示装置
CN107124821A (zh) 一种过孔及其制造方法和印制电路板
CN101788729A (zh) 液晶显示装置及其修补的方法
CN108614378A (zh) 阵列基板、液晶显示器及电子设备
CN109192700A (zh) 一种tft阵列基板的断线修复方法
CN103794737B (zh) Oled平面照明装置的制作方法
DE102021200044A1 (de) Anschlussträger, optoelektronische vorrichtung und verfahren zum herstellen eines anschlussträgers
CN106252358A (zh) 具有静电保护功能的显示面板
CN100437223C (zh) 显示器、显示器电路的修复结构及其制造方法
CN216748707U (zh) 一种触摸屏

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180629

RJ01 Rejection of invention patent application after publication