CN105607306A - 制造显示基板的方法、修复显示基板的方法和显示基板 - Google Patents

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李弘范
闵庚孩
白然贺
申智勋
申昊容
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Abstract

提供了一种制造显示基板的方法、一种修复显示基板的方法和一种显示基板，所述显示基板包括：栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极；有机层，设置在数据金属图案上；修复孔，穿透有机层并暴露栅极线与数据线交叉的交叉区；以及像素电极，设置在有机层上并电连接到漏电极。

Description

制造显示基板的方法、修复显示基板的方法和显示基板
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种制造显示基板的方法、一种修复显示基板的方法以及一种由所述的修复显示基板的方法修复的显示基板。
背景技术
通常，液晶显示器(LCD)面板包括薄膜晶体管(TFT)基板、相对基板和LC层。TFT基板包括多条栅极线、与栅极线交叉的多条数据线、与栅极线和数据线连接的多个TFT以及与TFT连接的多个像素电极。TFT包括从栅极线延伸的栅电极、延伸到数据线的源电极和与源电极分隔开的漏电极。
阵列基板的信号线可具有诸如短路、短路故障等的电连接故障。当产生电连接故障时，LCD面板的显示质量劣化。因此，需要修复具有电连接故障的信号线。
修复信号线的传统方法是在保护层上形成修复线。将修复线电连接到信号线以修复电连接故障。
然而，当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，修复失败的可能性会增大。另外，修复线不与数据线接触，会不能修复。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种制造能够修复的显示基板的方法。
本发明构思的示例性实施例还提供了一种修复显示基板的方法。
本发明构思的示例性实施例还提供了一种通过修复显示基板的方法而修复的显示基板。
在根据本发明构思的显示基板的示例性实施例中，所述显示基板包括：栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极；数据金属图案，包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极；有机层，设置在数据金属图案上；修复孔，穿透有机层并暴露栅极线与数据线交叉的交叉区；以及像素电极，设置在有机层上并电连接到漏电极。
在示例性实施例中，显示基板还可包括设置在交叉区上并电连接到数据线的修复线。
在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔的覆盖图案。
在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔并且与像素电极设置在同一层上的修复电极。
在示例性实施例中，显示基板还可包括覆盖修复孔和修复电极的覆盖图案。
在根据本发明构思的制造显示基板的方法的示例性实施例中，所述方法包括下述步骤：在基体基板上形成包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到栅极线的栅电极的栅极金属图案；在栅极金属图案上形成包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到数据线的源电极以及与源电极分隔开的漏电极的数据金属图案；在数据金属图案上形成有机层；图案化有机层以形成暴露栅极线与数据线交叉的交叉区的修复孔；以及在有机层上形成电连接到漏电极的像素电极。
在示例性实施例中，修复孔的大小可大于栅极线与数据线交叉的交叉区的大小。
在示例性实施例中，有机层可为滤色器。
在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的修复电极。
在示例性实施例中，修复电极可与像素电极由同一层形成。
在示例性实施例中，修复孔的大小可大于栅极线与数据线交叉的交叉区的大小。
在示例性实施例中，有机层可为滤色器。
在根据本发明构思的修复显示基板的方法的示例性实施例中，所述方法包括下述步骤：形成第一切割槽和第二切割槽以使数据线断开，其中，电连接故障导致在栅极线和数据线彼此交叉的位置处产生并且设置在第一切割槽和第二切割槽之间的短路故障；连接断开的数据线。
在示例性实施例中，连接断开的数据线的步骤可包括形成电连接断开的数据线的修复线。修复线可包括与数据线相同的材料。
在示例性实施例中，可通过激光化学气相沉积(CVD)法来形成修复线。
在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的覆盖图案。
在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复孔的修复电极。连接断开的数据线的步骤可包括连接修复电极和断开的数据线。修复电极可包括透明导电材料。
在示例性实施例中，形成第一切割槽和第二切割槽的步骤可包括将激光束照射到修复电极。
在示例性实施例中，连接断开的数据线的步骤可包括将激光束照射到修复电极以连接修复电极和数据线。
在示例性实施例中，所述方法还可包括形成覆盖修复电极的覆盖图案。
根据本示例性实施例，显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
另外，显示基板包括覆盖修复孔的覆盖图案。因此，可防止由于外来杂质而致的线缺陷。另外，由于覆盖图案填充修复孔的空间，因此可减小由于修复孔而致的高度差。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他特征和优点将变得更明显，在附图中：
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图；
图2是放大图1的部分“A”的平面图；
图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图；
图4至图8是示出制造图3的显示基板的方法的剖视图；
图9是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；
图10是放大图9的部分“A”的平面图；
图11是沿图10的线I-I'截取的剖视图；
图12是示出修复图11的显示基板的方法的剖视图；
图13是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；
图14是放大图13的部分“A”的平面图；
图15是沿图14的线I-I'截取的剖视图；
图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图；
图17是放大图16的部分“B”的平面图；
图18是沿图17的线II-II'截取的剖视图；
图19至图23是示出制造图18的显示基板的方法的剖视图；
图24是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；
图25是放大图24的部分“B”的平面图；
图26是沿图25的线II-II'截取的剖视图；
图27是示出修复图26的显示基板的方法的剖视图；
图28是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图；
图29是放大图28的部分“B”的平面图；
图30是沿图29的线II-II'截取的剖视图。
具体实施方式
以下，将参照附图详细地解释本发明。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图。图2是放大图1的部分“A”的平面图。图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图1至图3，显示基板包括栅极线GL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一修复孔RH1、第二修复孔RH2、第一存储线Cst1、第二存储线Cst2、第一开关元件SW1、第二开关元件SW2、第三开关元件SW3、高像素电极PE1和低像素电极PE2。
栅极线GL在第一方向D1上延伸。栅极线GL可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，栅极线GL可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅极线GL可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。栅极线GL电连接到第一开关元件SW1的第一栅电极GE1、第二开关元件SW2的第二栅电极GE2和第三开关元件SW3的第三栅电极GE3。另外，栅极线GL的部分可形成第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
第一数据线DL1在与第一方向D1基本上垂直的第二方向D2上延伸。第一数据线DL1可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，第一数据线DL1可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第一数据线DL1可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。第一数据线DL1电连接到第一开关元件SW1的第一源电极SE1以及第二开关元件SW2的第二源电极SE2。
高像素电极PE1被设置为在第二方向D2上与栅极线GL相邻并且在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间。高像素电极PE1通过第一接触孔CNT1电连接到第一开关元件SW1的第一漏电极DE1。
低像素电极PE2被设置为关于栅极线GL与高像素电极PE1相对并且在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间。低像素电极PE2通过第二接触孔CNT2电连接到第二开关元件SW2的第二漏电极DE2以及第三开关元件SW3的第三漏电极DE3。
第一电压可被施加到高像素电极PE1。与第一电压不同的第二电压可被施加到低像素电极PE2。例如，第一电压可高于第二电压，像素的与高像素电极PE1对应的部分可作为高像素被驱动，像素的与低像素电极PE2对应的另一部分可作为低像素被驱动。
第一存储线Cst1在第一方向D1上延伸。第一存储线Cst1与高像素电极PE1叠置。第一存储线Cst1可与栅极线GL由同一层来形成。因此，第一存储线Cst1可与栅极线GL设置在同一层上。第一存储线Cst1可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，第一存储线Cst1可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第一存储线Cst1可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。
第二存储线Cst2可与数据线DL由同一层形成。因此，第二存储线Cst2可与数据线DL设置在同一层上。第二存储线Cst2可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，第二存储线Cst2可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第二存储线Cst2可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。第二存储线Cst2电连接到第三开关元件SW3的第三源电极SE3。
第二绝缘层120形成在第一数据线DL1和第二存储线Cst2上。第二绝缘层120可包括诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机材料。例如，第二绝缘层120包括氧化硅(SiOx)并且可具有大约的厚度。另外，第二绝缘层120可包括具有彼此不同的材料的多个层。
有机层130形成在第二绝缘层120上。有机层130可使显示基板的上表面平坦化，从而可防止由于台阶而导致的诸如信号线的断开之类的问题。有机层130可以是包括有机材料的绝缘层。例如，有机层130可以是滤色器层。
像素电极形成在有机层130上。像素电极可包括高像素电极PE1和低像素电极PE2。
高像素电极PE1和低像素电极PE2可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，高像素电极PE1和低像素电极PE2可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
修复孔形成为穿过有机层130。修复孔可包括第一修复孔RH1和第二修复孔RH2。第一修复孔RH1设置在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中。第二修复孔RH2设置在第二数据线DL2与栅极线GL交叉的交叉区中。
第一修复孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1的大小可大于第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
第一开关元件SW1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和使第一源电极SE1连接到第一漏电极DE1的第一沟道部C1。
第一沟道部C1可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第一沟道部C1可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
第二开关元件SW2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和使第二源电极SE2连接到第二漏电极DE2的第二沟道部C2。
第二沟道部C2可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第二沟道部C2可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
第三开关元件SW3包括第三栅电极GE3、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和使第三源电极SE3连接到第三漏电极DE3的第三沟道部C3。
第三沟道部C3可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第三沟道部C3可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，不可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于修复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
图4至图8是示出制造图3的显示基板的方法的剖视图。
参照图4，在基体基板100上形成栅极金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻栅极金属层。因此，形成栅极图案。栅极图案包括第一存储线Cst1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
基体基板100可包括具有相对高的透射率、耐热性和耐化学性的材料。例如，基体基板100可包括从由玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯以及它们的混合物组成的组中选择的任意一种。
栅极图案可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，栅极图案可包括不透明的铜(Cu)。
在其上形成有栅极图案的基体基板上设置第一绝缘层110。在栅极图案上设置第一绝缘层110。第一绝缘层110覆盖第一存储线Cst1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3，并使第一存储线Cst1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3绝缘。
参照图5，在其上形成有第一绝缘层110的基体基板100上形成半导体层和数据金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻半导体层和数据金属层。因此，形成包括第一沟道部C1、第二沟道部C2和第三沟道部C3的沟道层AP和数据图案。半导体层可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的硅半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，半导体层可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
数据图案包括第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3、第一数据线DL1和第二数据线DL2。例如，同时图案化半导体层和金属层，然后去除图案化的金属层的一部分。因此，形成第一源电极SE1和与第一源电极SE1分隔开的第一漏电极DE1。另外，可通过去除图案化的金属层的一部分来形成第二源电极SE2和与第二源电极SE2分隔开的第二漏电极DE2。另外，可通过去除图案化的金属层的一部分来形成第三源电极SE3和与第三源电极SE3分隔开的第三漏电极DE3。
在其上形成有数据图案和沟道层AP的基体基板100上形成第二绝缘层120。
可根据包括在第二绝缘层120中的成分而通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、CVD工艺、ALD工艺、PECVD工艺、HDP-CVD工艺或真空蒸镀工艺来形成第二绝缘层120。在数据图案上设置第二绝缘层120。第二绝缘层120覆盖第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线(参照图1的DL1)，并使第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线(参照图1的DL1)绝缘。
参照图6，在其上形成有第二绝缘层120的基体基板100上形成有机层130。有机层130可以是滤色器层。在第二绝缘层120上形成光致抗蚀剂，接着使用掩模来曝光光致抗蚀剂，然后使用显影液来显影光致抗蚀剂。因此，可形成有机层130。
在第二绝缘层120上设置有机层130。当有机层130为滤色器层时，滤色器层向穿过液晶层的光提供颜色。滤色器层可包括红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层。滤色器层与单元像素对应。彼此相邻的滤色器层可具有不同的颜色。滤色器层可在相邻的单元像素的边界处与相邻的滤色器层叠置。另外，滤色器层可在相邻的单元像素的边界处与相邻的滤色器层分隔开。
参照图7，将有机层130图案化以形成第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1。
在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中设置第一修复孔RH1。第一修复孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1的大小可大于第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
第一接触孔CNT1形成为穿过有机层130和第二绝缘层120。第一接触孔CNT1暴露第一漏电极DE1的一部分。
参照图8，在其上形成有第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1的基体基板100上形成透明电极层140。透明电极层140可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，透明电极层140可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
参照图3，将透明电极层140图案化以形成高像素电极PE1。
高像素电极PE1可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，高像素电极PE1可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
高像素电极PE1通过第一接触孔CNT1电连接到第一漏电极DE1。
当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，不可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于修复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
图9是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图。图10是放大图9的部分“A”的平面图。图11是沿图10的线I-I'截取的剖视图。
参照图9至图11，在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区处产生短路故障10。
第一切割槽CH1和第二切割槽CH2形成为使第一数据线DL1断开。电连接故障导致在栅极线与数据线彼此交叉的交叉区处产生并且设置在第一切割槽和第二切割槽之间的短路故障10。具体地，沿与第一数据线DL1的纵向方向基本上垂直的第一方向D1将激光束照射到第一数据线DL1上，以形成第一切割槽CH1和第二切割槽CH2。激光束可以是脉冲激光束。例如，脉冲激光束的波长的示例可为大约1063nm、大约532nm、大约355nm等。
此后，修复线RL形成在第一修复孔RH1中。修复线RL电连接断开的第一数据线DL1。修复线RL可包括与第一数据线DL1相同的材料。修复线RL可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，修复线RL可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，修复线RL可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。
修复线RL可通过激光化学气相沉积(CVD)法来形成。激光CVD法将激光束局部地照射到目标上以在照射激光束的位置沉积蒸发的材料。即，将激光束照射到断开的第一数据线DL1上以在第一修复孔RH1中沉积修复线RL。可被用于修复线RL的材料与可被用于第一数据线DL1的材料基本上相同。修复线RL在第一连接点CP1和第二连接点CP2上电连接到第一数据线DL1。
修复线RL形成在第一修复孔RH1中，并电连接通过第一切割槽CH1和第二切割槽CH2彼此电绝缘的第一数据线DL1。因此，修复线RL可修复短路故障10，从而修复显示基板。
图12是示出修复图11的显示基板的方法的剖视图。
参照图12，形成第一切割槽CH1和第二切割槽CH2以使第一数据线DL1断开。电连接故障导致在栅极线与数据线彼此交叉的交叉区处产生并且设置在第一切割槽与第二切割槽之间的短路故障10。具体地，沿与第一数据线DL1的纵向方向基本上垂直的第一方向D1将激光束照射到第一数据线DL1上，以形成第一切割槽CH1和第二切割槽CH2。激光束可以是脉冲激光束。例如，脉冲激光束的波长的示例可为大约1063nm、大约532nm、大约355nm等。
通过第一切割槽CH1和第二切割槽CH2使第一数据线DL1绝缘。
参照图11，在第一修复孔RH1中形成修复线RL。修复线RL电连接断开的第一数据线DL1。修复线RL在第一连接点CP1和第二连接点CP2上电连接到第一数据线DL1。
可通过激光化学气相沉积(CVD)法来形成修复线RL。激光CVD法将激光束局部地照射到目标上，以在照射激光束的位置沉积蒸发的材料。即，将激光束照射到断开的第一数据线DL1上以在第一修复孔RH1中沉积修复线RL。可被用于修复线RL的材料与可被用于第一数据线DL1的材料基本上相同。
修复线RL形成在第一修复孔RH1中，并电连接通过第一切割槽CH1和第二切割槽CH2彼此电绝缘的第一数据线DL1。因此，修复线RL可修复短路故障10，从而修复显示基板。
图13是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图。图14是放大图13的部分“A”的平面图。图15是沿图14的线I-I'截取的剖视图。
参照图13至图15，形成第一覆盖图案CL1。第一覆盖图案CL1覆盖形成有修复线RL的第一修复孔RH1。
第一覆盖图案CL1覆盖第一修复孔RH1和修复线RL。第一覆盖图案CL1可与柱状隔离件(未示出)设置在同一层上。
第一覆盖图案CL1覆盖第一修复孔RH1。因此，可防止由于外来杂质而致的线缺陷。另外，由于第一覆盖图案CL1填充第一修复孔RH1的空间，因此可减小由于第一修复孔RH1而致的高度差。
图16是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示基板的平面图。图17是放大图16的部分“B”的平面图。图18是沿图17的线II-II'截取的剖视图。
参照图16至图17，显示基板包括栅极线GL、第一数据线DL1、第二数据线DL2、第一修复孔RH1、第二修复孔RH2、第一修复电极RE1、第二修复电极RE2、第一存储线Cst1、第二存储线Cst2、第一开关元件SW1、第二开关元件SW2、第三开关元件SW3、高像素电极PE1和低像素电极PE2。
栅极线GL在第一方向D1上延伸。栅极线GL可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，栅极线GL可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，栅极线GL可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。栅极线GL电连接到第一开关元件SW1的第一栅电极GE1、第二开关元件SW2的第二栅电极GE2和第三开关元件SW3的第三栅电极GE3。另外，栅极线GL的部分可形成第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
第一数据线DL1在与第一方向D1基本上垂直的第二方向D2上延伸。第一数据线DL1可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，第一数据线DL1可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第一数据线DL1可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。第一数据线DL1电连接到第一开关元件SW1的第一源电极SE1和第二开关元件SW2的第二源电极SE2。
高像素电极PE1被设置为在第二方向D2上与栅极线GL相邻并且在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间。高像素电极PE1通过第一接触孔CNT1电连接到第一开关元件SW1的第一漏电极DE1。
低像素电极PE2被设置为关于栅极线GL与高像素电极PE1相对并且在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间。低像素电极PE2通过第二接触孔CNT2电连接到第二开关元件SW2的第二漏电极DE2和第三开关元件SW3的第三漏电极DE3。
第一电压可被施加到高像素电极PE1。与第一电压不同的第二电压可被施加到低像素电极PE2。例如，第一电压可高于第二电压，像素的与高像素电极PE1对应的部分可作为高像素被驱动，像素的与低像素电极PE2对应的另一部分可作为低像素被驱动。
第一存储线Cst1在第一方向D1上延伸。第一存储线Cst1与高像素电极PE1叠置。第一存储线Cst1可与栅极线GL由同一层来形成。因此，第一存储线Cst1可与栅极线GL设置在同一层上。第一存储线Cst1可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，第一存储线Cst1可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第一存储线Cst1可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。
第二存储线Cst2可与数据线DL由同一层形成。因此，第二存储线Cst2可与数据线DL设置在同一层上。第二存储线Cst2可具有包括铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)以及它们的混合物的单层结构。另外，第二存储线Cst2可具有多层结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第二存储线Cst2可包括铜层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。第二存储线Cst2电连接到第三开关元件SW3的第三源电极SE3。
第二绝缘层1120形成在第一数据线DL1和第二存储线Cst2上。第二绝缘层1120可包括诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的无机材料。例如，第二绝缘层1120包括氧化硅(SiOx)，并且可具有大约的厚度。另外，第二绝缘层1120可包括具有彼此不同的材料的多个层。
有机层1130形成在第二绝缘层1120上。有机层1130可使显示基板的上表面平坦化，从而可防止由于台阶而致的诸如信号线的断开之类的问题。有机层1130可以是包括有机材料的绝缘层。例如，有机层1130可以是滤色器层。
像素电极形成在有机层1130上。像素电极可包括高像素电极PE1和低像素电极PE2。
高像素电极PE1和低像素电极PE2可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，高像素电极PE1和低像素电极PE2可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
修复孔形成为穿过有机层1130。修复孔可包括第一修复孔RH1和第二修复孔RH2。第一修复孔RH1设置在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中。第二修复孔RH2设置在第二数据线DL2与栅极线GL交叉的交叉区中。
第一修复孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1的大小可大于第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
第一修复电极RE1形成在第一修复孔RH1上。第一修复电极RE1覆盖第一修复孔RH1。第一修复电极RE1可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，第一修复电极RE1可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
第一修复电极RE1可包括与高像素电极PE1和低像素电极PE2相同的材料。第一修复电极RE1可与高像素电极PE1和低像素电极PE2设置在同一层上。
第一沟道部C1可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第一沟道部C1可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
第二开关元件SW2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和使第二源电极SE2连接到第二漏电极DE2的第二沟道部C2。
第二沟道部C2可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第二沟道部C2可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
第三开关元件SW3包括第三栅电极GE3、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和使第三源电极SE3连接到第三漏电极DE3的第三沟道部C3。
第三沟道部C3可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第三沟道部C3可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，不可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于修复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
另外，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括覆盖修复孔的修复电极。因此，可以能够在不形成修复线的情况下修复其上产生故障的线。例如，将激光束照射到修复电极上以修复其上产生故障的线。
当形成修复线时，修复线形成在其上产生故障的线上。然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括形成在每个修复孔上的修复电极。
图19至图23是示出制造图18的显示基板的方法的剖视图。
参照图19，在基体基板1100上形成栅极金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻栅极金属层。因此，形成栅极图案。栅极图案包括第一存储线Cst1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
基体基板1100可包括具有相对高的透射率、耐热性和耐化学性的材料。例如，基体基板1100可包括从由玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯以及它们的混合物组成的组中选择的任意一种。
栅极图案可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，栅极图案可包括不透明的铜(Cu)。
在其上形成有栅极图案的基体基板上设置第一绝缘层1110。在栅极图案上设置第一绝缘层1110。第一绝缘层1110覆盖第一存储线Cst1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3，并使第一存储线Cst1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3绝缘。
参照图20，在其上形成有第一绝缘层1110的基体基板1100上形成半导体层和数据金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻半导体层和数据金属层。因此，形成包括第一沟道部C1、第二沟道部C2和第三沟道部C3的沟道层AP和数据图案。半导体层可包括由非晶硅(a-Si:H)组成的硅半导体层和由n+非晶硅(n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，半导体层可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
数据图案包括第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3、第一数据线DL1和第二数据线DL2。例如，同时图案化半导体层和金属层，然后去除图案化的金属层的一部分。因此，形成第一源电极SE1和与第一源电极SE1分隔开的第一漏电极DE1。另外，可通过去除图案化的金属层的一部分来形成第二源电极SE2和与第二源电极SE2分隔开的第二漏电极DE2。另外，可通过去除图案化的金属层的一部分来形成第三源电极SE3和与第三源电极SE3分隔开的第三漏电极DE3。
在其上形成有数据图案和沟道层AP的基体基板1100上形成第二绝缘层1120。
可根据包括在第二绝缘层1120中的成分而通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、CVD工艺、ALD工艺、PECVD工艺、HDP-CVD工艺或真空蒸镀工艺来形成第二绝缘层1120。在数据图案上设置第二绝缘层1120。第二绝缘层1120覆盖第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线(参照图16的DL1)，并使第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线(参照图16的DL1)绝缘。
参照图21，在其上形成有第二绝缘层1120的基体基板1100上形成有机层1130。有机层1130可以是滤色器层。在第二绝缘层1120上形成光致抗蚀剂，接着使用掩模来曝光光致抗蚀剂，然后使用显影液来显影光致抗蚀剂。因此，可形成有机层1130。
在第二绝缘层1120上设置有机层1130。当有机层1130为滤色器层时，滤色器层向穿过液晶层的光提供颜色。滤色器层可包括红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层。滤色器层与单元像素对应。彼此相邻的滤色器层可具有不同的颜色。滤色器层可在相邻的单元像素的边界处与相邻的滤色器层叠置。另外，滤色器层可在相邻的单元像素的边界处与相邻的滤色器层分隔开。
参照图22，将有机层1130图案化以形成第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1。
在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中设置第一修复孔RH1。第一修复孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1的大小可大于第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
第一接触孔CNT1形成为穿过有机层1130和第二绝缘层1120。第一接触孔CNT1暴露第一漏电极DE1的一部分。
参照图23，在其上形成有第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1的基体基板1100上形成透明电极层1140。透明电极层1140可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，透明电极层1140可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
参照图18，将透明电极层1140图案化以形成高像素电极PE1和第一修复电极RE1。
高像素电极PE1可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，高像素电极PE1可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
高像素电极PE1通过第一接触孔CNT1电连接到第一漏电极DE1。
在第一修复孔RH1上形成第一修复电极RE1。第一修复电极RE1覆盖第一修复孔RH1。第一修复电极RE1可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，第一修复电极RE1可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
第一修复电极RE1可包括与高像素电极PE1和低像素电极PE2相同的材料。第一修复电极RE1可与高像素电极PE1和低像素电极PE2设置在同一层上。
当滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，不可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于修复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
另外，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括覆盖修复孔的修复电极。因此，可以能够在不形成修复线的情况下修复其上产生故障的线。例如，将激光束照射到修复电极上以修复其上产生故障的线。
当形成修复线时，在其上产生故障的线上形成修复线。然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括形成在每个修复孔上的修复电极。
图24是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图。图25是放大图24的部分“B”的平面图。图26是沿图25的线II-II'截取的剖视图。
参照图24至图26，在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区处产生短路故障1010。
第一切割槽CH1和第二切割槽CH2形成为使第一数据线DL1断开。电连接故障导致在栅极线与数据线彼此交叉的交叉区处产生并且设置在第一切割槽和第二切割槽之间的短路故障1010。具体地，沿与第一数据线DL1的纵向方向基本上垂直的第一方向D1将激光束照射到第一数据线DL1上，以形成第一切割槽CH1和第二切割槽CH2。激光束可以是脉冲激光束。例如，脉冲激光束的波长的示例可为大约1063nm、大约532nm、大约355nm等。
第一修复电极RE1在第一连接点CP1和第二连接点CP2上电连接到第一数据线DL1。激光束照射到第一修复电极RE1上以形成第一连接点CP1和第二连接点CP2。
第一修复电极RE1形成在第一修复孔RH1上，并电连接通过第一切割槽CH1和第二切割槽CH2而彼此电绝缘的第一数据线DL1。因此，第一修复电极RE1可修复短路故障1010以修复显示基板1100。
图27是示出修复图26的显示基板的方法的剖视图。
参照图27，形成第一切割槽CH1和第二切割槽CH2以使第一数据线DL1断开。电连接故障导致在栅极线与数据线彼此交叉的交叉区处产生并且设置在第一切割槽和第二切割槽之间的短路故障1010。具体地，沿与第一数据线DL1的纵向方向基本上垂直的第一方向D1将激光束照射到第一数据线DL1上，以形成第一切割槽CH1和第二切割槽CH2。激光束可以是脉冲激光束。例如，脉冲激光束的波长的示例可为大约1063nm、大约532nm、大约355nm等。
通过第一切割槽CH1和第二切割槽CH2使第一数据线DL1绝缘。
参照图26，形成电连接第一修复电极RE1和第一数据线DL1的第一连接点CP1和第二连接点CP2。
将激光束照射到第一修复电极RE1上以形成第一连接点CP1和第二连接点CP2。第一修复电极RE1电连接断开的第一数据线DL1。第一修复电极RE1在第一连接点CP1和第二连接点CP2上电连接到第一数据线DL1。
第一修复电极RE1覆盖第一修复孔RH1。第一修复电极RE1可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。另外，第一修复电极RE1可包括钛(Ti)和/或钼钛(MoTi)。
第一修复电极RE1可包括与高像素电极PE1和低像素电极PE2相同的材料。第一修复电极RE1可与高像素电极PE1和低像素电极PE2设置在同一层上。
第一修复电极RE1形成在第一修复孔RH1上，并电连接通过第一切割槽CH1和第二切割槽CH2彼此电绝缘的第一数据线DL1。因此，第一修复电极RE1可修复短路故障1010，从而修复显示基板1100。
图28是示出根据本发明构思的示例性实施例的通过修复显示基板的方法修复的显示基板的平面图。图29是放大图28的部分“B”的平面图。图30是沿图29的线II-II'截取的剖视图。
参照图28至图30，形成第一覆盖图案CL1。第一覆盖图案CL1覆盖其中形成有第一修复电极RE1的第一修复孔RH1。
第一覆盖图案CL1覆盖第一修复孔RH1。第一覆盖图案CL1可与柱状隔离件(未示出)设置在同一层上。
第一覆盖图案CL1覆盖第一修复孔RH1。因此，可防止由于外来杂质而致的线缺陷。另外，由于第一覆盖图案CL1填充第一修复孔RH1的空间，因此可减小由于第一修复孔RH1而致的高度差。
根据本示例性实施例，显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
另外，显示基板包括覆盖第一修复孔的覆盖图案。因此，可防止由于外来杂质而致的线缺陷。另外，由于覆盖图案填充修复孔的空间，因此可减小由于修复孔RH1而致的高度差。
上文是本发明的举例说明并且不被解释为对其的限制。尽管已经描述了本发明的一些示例性实施例，但本领域技术人员将容易地认识到，在实质上不脱离本发明的新颖性教导和优点的情况下，在示例性实施例中能够进行许多修改。因此，所有这些修改意图被包括在由权利要求所限定的本发明的范围内。在权利要求中，功能性限定意图涵盖在这里描述为执行所述功能的结构，并且不仅涵盖结构性等同物而且涵盖等同的结构。因此，将理解的是，上文是本发明的举例说明而不被解释为局限于公开的具体示例性实施例，而且对公开的示例实施例的修改以及其他示例实施例意图包括在所附权利要求的范围内。本发明构思由权利要求限定，权利要求的等同物将被包括在其中。

Claims (20)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
栅极金属图案，包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到所述栅极线的栅电极；
数据金属图案，包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到所述数据线的源电极以及与所述源电极分隔开的漏电极；
有机层，设置在所述数据金属图案上；
修复孔，穿透所述有机层并暴露所述栅极线与所述数据线交叉的交叉区；以及
像素电极，设置在所述有机层上并电连接到所述漏电极。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
修复线，设置在所述交叉区上并电连接到所述数据线。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
覆盖图案，覆盖所述修复孔。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
修复电极，覆盖所述修复孔并且与所述像素电极设置在同一层上。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
覆盖图案，覆盖所述修复孔和所述修复电极。
6.一种制造显示基板的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
在基体基板上形成包括在第一方向上延伸的栅极线和电连接到所述栅极线的栅电极的栅极金属图案；
在所述栅极金属图案上形成包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线、电连接到所述数据线的源电极以及与所述源电极分隔开的漏电极的数据金属图案；
在所述数据金属图案上形成有机层；
图案化所述有机层以形成暴露所述栅极线与所述数据线交叉的交叉区的修复孔；以及
在所述有机层上形成电连接到所述漏电极的像素电极。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述修复孔的大小大于所述栅极线与所述数据线交叉的所述交叉区的大小。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有机层为滤色器。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤：
形成覆盖所述修复孔的修复电极。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述修复电极与所述像素电极由同一层形成。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述修复孔的大小大于所述栅极线与所述数据线交叉的所述交叉区的大小。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述有机层为滤色器。
13.一种修复显示基板的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
形成第一切割槽和第二切割槽以使数据线断开，其中，电连接故障导致在栅极线和所述数据线彼此交叉的位置处产生并且设置在所述第一切割槽和所述第二切割槽之间的在所述栅极线和所述数据线之间的短路故障；以及
连接断开的数据线。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，连接所述断开的数据线的步骤包括形成电连接所述断开的数据线的修复线，并且
所述修复线包括与所述数据线相同的材料。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，通过激光化学气相沉积法来形成所述修复线。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤：
形成覆盖修复孔的覆盖图案。
17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成覆盖修复孔的修复电极，
连接所述断开的数据线的步骤包括连接所述修复电极和所述断开的数据线，并且
所述修复电极包括透明导电材料。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，形成所述第一切割槽和所述第二切割槽的步骤包括将激光束照射到所述修复电极。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，连接所述断开的数据线的步骤包括将激光束照射到所述修复电极以连接所述修复电极和所述数据线。
20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成覆盖所述修复电极的覆盖图案。
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