CN106384751A - 一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。
背景技术
随着红外探测技术的不断发展，红外隐身技术也在不断提高，通过使在特定波段上目标与环境背景具有相似的发射率，从而导致红外目标对比度的下降，难以识别。若一个热成像***能在多波段对目标和环境的辐射特征进行同时探测，通过对比不同辐射波长下的辐射特征，就可以对复杂的背景进行抑制，实现红外探测不受环境的制约，准确地提取目标特征，提高对目标的探测效果，在目标搜寻、导弹预警探测、情报侦察等军事和相关的民用领域有着广阔的应用前景。
叠层双色HgCdTe材料的制备是实现双色探测器的基础，传统的短/中波双色探测器采用碲锌镉(CdZnTe)作为衬底材料，材料的成本很高，机械强度较差，生长过程中温度控制较难，并且在(211)晶向的衬底磨抛工艺方面难度很大，表面损伤较多，这就导致外延HgCdTe后表面缺陷密度较高；同时其难以实现大尺寸材料制备，限制了双色器件向大面阵方向发展。Si衬底作为一种替代衬底材料具有：更大面积的衬底、更低的衬底材料成本、与Si读出电路的自动热应力匹配、较高的机械强度和平整度及潜在的实现单片式红外焦平面(IRFPA)的能力等特点，是一种极佳的替代衬底材料。同时Si基单色HgCdTe材料经过多年的研究发展，在短波和中波方面已经基本成熟，甚至获得了质量很好的长波HgCdTe材料；其中短波、中波器件规模达到2k×2k同时性能可以和碲锌镉基器件媲美。但是，现在并没有一种硅基短/中波双色碲镉汞材料。
此外，在器件结构方面，美国Raytheon公司、Teledyne公司等均采用原位掺杂直接成结的叠层结构，DRS公司直接采用粘接技术，这些技术路线在具体实现起来尤其是原位掺杂技术难度较大，并且与现有的器件工艺路线不兼容。法国Sofradir公司采用半平面双注入结构，材料的生长过程相对简单，热处理工艺难度降低，器件工艺也和目前工艺兼容，同样可以实现同时探测，并且目前没有证据表明其芯片性能比原位掺杂成结叠层结构的性能差。
发明内容
为了填补现有技术中尚未出现硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白，本发明提供了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。
本发明提供的一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；
所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；
所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；
所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。
本发明还提供了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，包括以下步骤：
在硅衬底上依次生长砷钝化层、碲化锌缓冲层、以及碲化镉缓冲层，得到硅基复合衬底；
在所述硅基复合衬底上依次生长碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层。
本发明有益效果如下：
本发明实施例通过在硅基复合衬底上由下到上依次生长特殊组分的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，得到硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
附图说明
图1是本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的结构示意图；
图2是本发明实施例实例1的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的结构示意图；
图3是本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料制备方法的流程图；
图4是本发明实施例碲镉汞短波吸收层温度设定曲线示意图；
图5为本发明半平面双注入器件结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
为了填补现有技术中尚未出现硅基短/中波双色碲镉汞材料的空白，本发明提供了一种硅基短/中波双色碲镉汞材料及其制备方法，以下结合附图以及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不限定本发明。
根据本发明的实施例，提供了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，图1是本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的结构示意图，如图1所示，根据本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；
所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；
所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；
所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。
由于器件采用背照式，即光从Si衬底方向射入，因此需要先生长短波吸收层，而后再进行中波吸收层的生长；而为了防止短波吸收层和中波吸收层之间产生串音，需在两层之间生长一层碲镉汞阻挡层进行起到隔离作用。
同Si基单色HgCdTe材料相同，Si基复合衬底是叠层双色HgCdTe材料及器件的基础。在材料设计上面，Si基复合衬底的设计没有太大差别，即在Si衬底表面分别生长砷(As)钝化层、碲化锌(ZnTe)缓冲层及碲化镉(CdTe)缓冲层。优选的，所示硅衬底为Si(211)衬底。
作为一种具体的实施方式，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4；所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3。
各层材料的厚度经过我们前期理论计算及实验的结果，碲镉汞短波吸收层需不小于4.5μm，一般为5～6μm；碲镉汞阻挡层的目的是为了防止电流在中波及长波吸收层之间流动产生串音，通过异质结模型计算后，在0.5-0.55组分的情况下，应不小于1μm，一般为1.0～1.2μm；碲镉汞中波吸收层的厚度设计要同时兼顾吸收层效率及器件工艺过程中刻蚀、电极等工艺的实现难度，为4.5～4.8μm。
作为一种具体的实施方式，所述碲镉汞短波吸收层的厚度为5μm；所述碲镉汞阻挡层的厚度为1.2μm；所述碲镉汞中波吸收层的厚度为4.5μm。
为了更加详细的说明本发明硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，给出实例1。图2是本发明实施例实例1的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的结构示意图，如图2所示，G层为Si衬底；F层为As钝化层，保持材料的极性，确保B面生长；E层为迁移增强(ZnTe)缓冲层，主要为了维持材料能够沿(211)晶向生长，同时保证二维生长；D层为缓冲层，主要阻挡失配位错，确保HgCdTe外延层的高质量；C层为碲镉汞短波吸收层；B层为碲镉汞阻挡层，防止短波和中波层之间串音；A层为碲镉汞中波吸收层。
根据本发明的实施例，提供了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，图3是本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料制备方法的流程图，如图3所示，根据本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法包括如下处理：
步骤301，在硅衬底上依次生长砷钝化层、碲化锌缓冲层、以及碲化镉缓冲层，得到硅基复合衬底。
具体的，步骤301具体包括以下步骤：
进行外延级Si衬底清洗，去掉Si衬底的自然氧化层，形成人为氧化层；
对Si衬底进行氧化层去除，并进行As钝化；
采用迁移增强的方式生长ZnTe缓冲层，并随后进行CdTe缓冲层的生长。
更加具体的，进行外延级Si衬底清洗，去掉Si衬底的自然氧化层，形成人为氧化层包括以下步骤：
步骤a：将Si衬底在三氯乙烯溶液中浸泡，然后依次用丙酮、乙醇、去离子水冲洗；
步骤b：将去离子水：H2O2：NH4OH＝5:1:1的比例进行混合，将Si衬底浸入其中，最后用去离子水冲洗；
步骤c：用稀释的氢氟酸溶液进行腐蚀，去除Si衬底的表面氧化层；
步骤d：将离子水：H2O2：盐酸＝4:1:1的比例进行混合，将Si衬底浸入其中，最后用去离子水冲洗；
步骤e：如果Si衬底表面呈亲水性，重新执行步骤d的处理，否则，用氮气吹干Si衬底表面，形成新的表面氧化层。
更加具体的，对Si衬底进行氧化层去除，并进行As钝化包括以下步骤：
对Si衬底进行氧化层去除，在氧化层去除后的降温过程中向Si衬底的表面喷一层As以饱和Si衬底表面的悬挂键。
更加具体的，采用迁移增强的方式生长ZnTe缓冲层，并随后进行CdTe缓冲层的生长包括以下步骤：
在As钝化层的衬底表面钝化一层Te，保持B面生长；
在一定的温度条件下，交替打开Zn源与Te源；
在一定的温度条件下进行退火，使生长的ZnTe缓冲层恢复单晶状态；
在ZnTe缓冲层上，在一定温度条件下，外延CdTe缓冲层；
CdTe缓冲层生长一段时间后，开启Te束流保护，并在一定的温度条件下进行退火；
在一定的温度条件下继续生长CdTe缓冲层，每隔预定时间退火一次，直到预先设置的生长时间结束。
步骤302，在所述硅基复合衬底上依次生长碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层。
具体的，步骤302包括以下步骤：
按设定的第一标准调整Hg源、CdTe源、Te源的束流，并控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度，以在碲化镉缓冲层上生长碲镉汞短波吸收层；
待碲镉汞短波吸收层生长结束后，关闭除Hg源以外的所有源，控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第二预设温度，同时将CdTe源的源温调整到适合碲镉汞阻挡层生长的温度，待CdTe源温及硅衬底的温度稳定后，并按设定的第二标准调整Hg源、CdTe源和Te源的束流，以在碲镉汞短波吸收层上生长碲镉汞阻挡层；
待碲镉汞阻挡层生长结束后，关闭除Hg源以外的所有源，控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度，同时将CdTe源的源温调整到适合碲镉汞中波吸收层生长的温度，待CdTe源温及硅衬底的温度稳定后，并按设定的第三标准调整Hg源、CdTe源和Te源的束流，以在碲镉汞阻挡层上生长碲镉汞中波吸收层。
具体的，所述第一预设温度为180℃，所述第二预设温度比第一预设温度高2～5度；所述第三预设温度比第二预设温度低3～5度。
其中，所述第一标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.3×10-4～1.5×10- 4Torr、1.1×10-6～1.3×10-6Torr、1.5×10-6Torr；所述第二标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.3×10-4～1.5×10-4Torr、1.4×10-6～1.6×10-6Torr、1.5×10-6Torr；所述第二标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.3×10-4～1.5×10-4Torr、0.9×10-6～1.1×10-6Torr、1.5×10-6Torr。
优选的，所述第一标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.4×10-4Torr、1.2×10-6Torr、1.5×10-6Torr；所述第二标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.4×10- 4Torr、1.5×10-6Torr、1.5×10-6Torr；所述第三标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.4×10-4Torr、1.0×10-6Torr、1.5×10-6Torr。
更加具体的，所述控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度包括以下步骤：
在所述碲镉汞短波吸收层的厚度达到预设厚度之前，通过碲镉汞短波吸收层的温度设定曲线得到各时刻需要补偿的温度值，根据所述温度值补偿碲化镉缓冲层的表面温度，使碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度；
在所述碲镉汞短波吸收层的厚度达到预设厚度时，碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度，进行恒温生长；
更加具体的，所述控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度包括以下步骤：
在所述碲镉汞中波吸收层的厚度达到预设厚度之前，通过碲镉汞中波吸收层的温度设定曲线得到各时刻需要补偿的温度值，根据所述温度值补偿碲化镉缓冲层表面温度，使碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度；
在所述碲镉汞中波吸收层的厚度达到预设厚度之后，碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度，进行恒温生长。
图4是本发明实施例碲镉汞短波吸收层温度设定曲线示意图，本发明实施例碲镉汞中波吸收层温度设定曲线与碲镉汞短波吸收层温度设定曲线类似。
利用本发明实施例的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料制备方法得到的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料为半平面双注入结构，图5为本发明半平面双注入器件结构示意图，在图5中SW HgCdTe表示碲镉汞短波吸收层，HgCdTe buffer表示碲镉汞阻挡层，MWHgCdTe表示碲镉汞中波吸收层。本发明实施例将Si基材料和半平面双注入结构的优势结合起来，得到器件工艺兼容度高、成本低、大尺寸的短/中波双色探测器材料。
为了更加详细的说明本发明实施例硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料制备方法，给出实例2。
步骤1：外延级(Epi-Ready)(211)晶向Si片清洗；通过改进的RCA工艺先去掉Si衬底的自然氧化层，形成人为氧化层，从而降低Si衬底的去氧化层温度；具体工艺如下：
i.Si片在135℃三氯乙烯溶液中浸泡5min，然后用丙酮，乙醇，去离子水(DIW)各冲洗3min，去除有机物污染物；
ii.SC-1处理：去离子水(DIW)/双氧水(H2O2)/氨水(NH4OH)的体积比为5:1:1。加热到70±5℃浸没Si片约15min，用DIW冲洗多遍，去除表面的金属离子等颗粒杂质。
iii.用稀释的氢氟酸(HF)(2％)溶液腐蚀，去除表面氧化层。
iv.SC-2处理，DIW/H2O2/盐酸(HCl)的体积比为4:1:1。加热到70±5℃，加浸入Si片约15min；用DIW冲洗多遍，如果表面呈疏水性，重新进入iv.处理；随后用干燥的氮气(N2)吹干，可形成新的表面氧化层。新形成的氧化层有效保护Si片免受二次污染并可降低Si片的热脱氧温度，为下一步工艺提供良好准备。
步骤2：Si衬底的氧化层去除及As钝化；经过步骤1的处理，可将Si衬底的去氧化层温度降到900度以下，氧化层去除后得到原子级洁净的Si衬底；在氧化层去除后的降温过程中向Si的表面喷一层As以饱和Si表面的悬挂键从而实现对衬底表面极性的控制，保证外延B面(Te面)生长模式。
步骤3：迁移增强(MEE)生长ZnTe；具体工艺如下：
i.在As钝化的衬底表面钝化一层Te，保持B面生长
ii.约300℃条件下，交替打开Zn源与Te源，源束流值约为5.0E-7Torr，开源时间间隔10s，每20s为一周期，约60周期后停止
iii.在Te束流保护下，约360℃条件下退火10min。使生长的ZnTe层恢复单晶状态，提高晶体质量，有效降低位错密度。
步骤4：进行CdTe缓冲层的生长；CdTe层生长工艺如下：
i.在ZnTe缓冲层上，约280℃条件下，外延CdTe层。CdTe源束流值约为5.0E-7Torr，生长速度约为0.6μm/h
ii.生长3小时后，开Te束流保护，约400℃退火60s
iii.约280℃条件下继续生长CdTe层，每1小时退火一次，退火条件如ii所示。总生长15小时后，可获得约9μm的高质量的CdTe复合衬底材料
步骤5：HgCdTe短波吸收层的生长；HgCdTe短波吸收层的生长是实现本发明专利的难点之一，因为由于CdTe和HgCdTe表面发射率的不同和HgCdTe成核过程的放吸热反应导致基HgCdTe生长初期表面温度的巨大变化，极难获得恒定的衬底表面温度；而HgCdTe薄膜材料的质量对生长温度非常敏感。为了获得恒定的表面生长温度，需要通过温度设定曲线来补偿表面温度的变化。不同于HgCdTe中波吸收层材料的外延，HgCdTe短波吸收层由于更高的Cd组分，需要更高的衬底温度及更小的温度差，在工艺过程中需要更加精确的控制。在生长最初的1小时结束后，衬底表面的温度不再发生变化，此后即可进行恒定设定温度生长，本层HgCdTe的组分控制在0.4-0.41之间，即Hg源、CdTe源、Te源束流分别控制在1.4×10- 4Torr、1.2×10-6Torr、1.5×10-6Torr，厚度控制在5μm左右。
步骤6：HgCdTe阻挡层的生长；HgCdTe阻挡层的组分控制在0.5-0.55，即Hg源、CdTe源、Te源束流分别控制在1.4×10-4Torr、1.5×10-6Torr、1.5×10-6Torr，厚度控制在1.2μm左右；由于HgCdTe阻挡层的生长条件与短波吸收层有所不同，在HgCdTe短波吸收层生长结束后关闭除Hg以外的所有源，升高衬底温度2-5度，同时将CdTe源的源温调整到适合HgCdTe阻挡层材料的温度，约5-10分钟待CdTe源温及衬底温度稳定后继续生长；
步骤7：HgCdTe中波吸收层材料的生长；HgCdTe中波吸收层的组分控制在0.3左右，即Hg源、CdTe源、Te源束流分别控制在1.4×10-4Torr、1.0×10-6Torr、1.5×10-6Torr，厚度控制在4.5μm左右；由于HgCdTe中波吸收层的生长条件与HgCdTe阻挡层有所不同，且由于在中波材料生长前，下面的Si、CdTe、短波HgCdTe吸收层及HgCdTe阻挡层材料均透过中波红外波段，因此在中波吸收层生长时需要设定类似于短波吸收层生长时的衬底温度设定曲线，用于保持材料表面温度的恒定。我们在高组分HgCdTe生长结束后关闭除Hg以外的所有源，降低衬底温度3-5度，同时运行温度设定程序并将CdTe源的源温调整到适合HgCdTe长波吸收层的温度，5-10分钟待CdTe源温及衬底温度稳定后继续生长。
本发明实施例采用基于半平面双注入Si基短/中波叠层双色结构可以将Si基材料和半平面双注入结构的优势结合起来，实现器件工艺兼容度高、成本低、大尺寸的短/中波双色探测器材料。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层；
所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；
所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；
所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。
2.如权利要求1所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，所述硅基复合衬底由下到上依次包括：硅衬底、在所述硅衬底上依次排列的砷钝化层、碲化锌缓冲层、以及碲化镉缓冲层。
3.如权利要求1或2所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，
所述碲镉汞短波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.4；
所述碲镉汞阻挡层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.5；
所述碲镉汞中波吸收层为Hg1-xCdxTe，其中x＝0.3。
4.如权利要求1或2所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，
所述碲镉汞短波吸收层的厚度为5～6μm；
所述碲镉汞阻挡层的厚度为1.0～1.2μm；
所述碲镉汞中波吸收层的厚度为4.5～4.8μm。
5.如权利要求4所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，其特征在于，
所述碲镉汞短波吸收层的厚度为5μm；
所述碲镉汞阻挡层的厚度为1.2μm；
所述碲镉汞中波吸收层的厚度为4.5μm。
6.权利要求1～5任一项所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅衬底上依次生长砷钝化层、碲化锌缓冲层、以及碲化镉缓冲层，得到硅基复合衬底；
在所述硅基复合衬底上依次生长碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层。
7.如权利要求6所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，其特征在于，在所述硅基复合衬底上依次生长碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层包括以下步骤：
按设定的第一标准调整Hg源、CdTe源、Te源的束流，并控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度，以在所述碲化镉缓冲层上生长碲镉汞短波吸收层；
待碲镉汞短波吸收层生长结束后，关闭除Hg源以外的所有源，控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第二预设温度，同时将CdTe源的源温调整到适合碲镉汞阻挡层生长的温度，待CdTe源温及硅衬底的温度稳定后，并按设定的第二标准调整Hg源、CdTe源和Te源的束流，以在碲镉汞短波吸收层上生长碲镉汞阻挡层；
待碲镉汞阻挡层生长结束后，关闭除Hg源以外的所有源，控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度，同时将CdTe源的源温调整到适合碲镉汞中波吸收层生长的温度，待CdTe源温及硅衬底的温度稳定后，并按设定的第三标准调整Hg源、CdTe源和Te源的束流，以在碲镉汞阻挡层上生长碲镉汞中波吸收层。
8.如权利要求6所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，其特征在于，所述第二预设温度比第一预设温度高2～5度；所述第三预设温度比第二预设温度低3～5度。
9.如权利要求8所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，其特征在于，
所述第一标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.3×10-4～1.5×10-4Torr、1.1×10-6～1.3×10-6Torr、1.5×10-6Torr；
所述第二标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.3×10-4～1.5×10-4Torr、1.4×10-6～1.6×10-6Torr、1.5×10-6Torr；
所述第二标准为：Hg源、CdTe源、Te源的束流分别为1.3×10-4～1.5×10-4Torr、0.9×10-6～1.1×10-6Torr、1.5×10-6Torr。
10.如权利要求7所述的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的制备方法，其特征在于，所述控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度包括以下步骤：
在所述碲镉汞短波吸收层的厚度达到预设厚度之前，通过碲镉汞短波吸收层的温度设定曲线得到各时刻需要补偿的温度值，根据所述温度值补偿碲化镉缓冲层的表面温度，使碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度；
在所述碲镉汞短波吸收层的厚度达到预设厚度时，碲化镉缓冲层的表面温度保持在第一预设温度，进行恒温生长；
所述控制碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度包括以下步骤：
在所述碲镉汞中波吸收层的厚度达到预设厚度之前，通过碲镉汞中波吸收层的温度设定曲线得到各时刻需要补偿的温度值，根据所述温度值补偿碲化镉缓冲层表面温度，使碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度；
在所述碲镉汞中波吸收层的厚度达到预设厚度之后，碲化镉缓冲层的表面温度保持在第三预设温度，进行恒温生长。
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