CN106062935A - 一种组合物及使用其的有机薄膜晶体管 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种组合物，其含有：包含具有式(1)所示基团的重复单元的高分子化合物(A)；因电磁波或电子射线的照射、或者加热而分解产生酸的化合物(B)；和在酸的存在下与羟基反应的化合物(C)。[式中，R表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团。R’表示烷基等。n表示0以上的整数。R”表示亚烷基等]。

Description

一种组合物及使用其的有机薄膜晶体管
技术领域
本发明涉及一种组合物及使用其的有机薄膜晶体管。
背景技术
与以往的使用无机半导体材料的薄膜晶体管相比，使用有机半导体材料的有机薄膜晶体管能够在低温进行制造，因此能够使用以塑料基板为代表的柔性基板。另外，通过使用高分子化合物作为有机半导体材料，从而能够利用以旋涂法、喷墨印刷法为代表的涂布法进行成膜，由此能够进行简易的制造工艺。因此，使用有机半导体材料的有机薄膜晶体管的研究开发正在盛行。
作为有机薄膜晶体管的1种的场效应型有机薄膜晶体管具有栅电极、源电极、漏电极、有机半导体层及栅绝缘层。
就底栅型的场效应型有机薄膜晶体管而言，由于有机半导体层位于有机薄膜晶体管的最上层，因此为了将有机半导体层从外界气体隔绝而通常具有外涂层(也称作保护层。)。另一方面，就顶栅型的场效应型有机薄膜晶体管而言，由于栅绝缘层位于有机薄膜晶体管的最上层，因此栅绝缘层通常还作为外涂层发挥功能。
为了将有机薄膜晶体管的漏电极与显示器件的电极接合，而在栅绝缘层或外涂层上形成过孔(也称作接触孔、通孔。)。
作为在有机薄膜晶体管的栅绝缘层中使用的材料，已知含有环氧树脂和硅烷偶联剂的组合物(专利文献1)。
另外，作为在有机薄膜晶体管的栅绝缘层中使用的材料，已知含有聚乙烯基苯酚和三聚氰胺化合物的组合物(非专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-305950
非专利文献
非专利文献1：Appl.Phys.Lett.89，093507(2006)
发明内容
然而，当在由上述材料形成的栅绝缘层或外涂层上形成过孔的情况下，工艺较为烦杂。即，需要在栅绝缘层或外涂层上形成抗蚀层的工序、对抗蚀层的一部分或多个部分进行UV曝光的工序、通过对抗蚀层进行显影而形成图案的工序、对栅绝缘层或外涂层进行蚀刻的工序、和在蚀刻后剥离除去抗蚀层的工序，使形成过孔的工艺烦杂。
为此，本发明的目的在于提供能够利用简易的工艺在栅绝缘层或外涂层上形成过孔的材料。
本发明提供下述的组合物、使用该组合物的膜的制造方法、利用该制造方法制造的膜、在绝缘层中具有该膜的有机薄膜晶体管及组合物中含有的高分子化合物。
[1]一种组合物，其含有：包含具有下述式(1)所示基团的重复单元的高分子化合物(A)；因电磁波或电子射线的照射、或者加热而分解产生酸的化合物(B)；和在酸的存在下与羟基反应的化合物(C)。
[式中，
R表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团。
R’表示烷基或环烷基，这些基团也可以具有取代基。存在的多个R’可以相同也可以不同，还可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环，
n表示0以上的整数，
R”表示亚烷基、亚环烷基或亚芳基，这些基团也可以具有取代基。在存在多个R”的情况下，它们可以相同也可以不同。R’和R”可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。]
[2]根据[1]所述的组合物，其中，上述具有式(1)所示基团的重复单元为下述式(2)所示的重复单元。
[式中，
R、R’、R”及n表示与上述相同的含义。
R1表示氢原子或甲基。
a表示0以上的整数。
Ra表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、-CO-所示的基团、-COO-所示的基团、-NHCO-所示的基团或-NHCOO-所示的基团，这些基团也可以具有取代基。在存在多个Ra的情况下，它们可以相同也可以不同。]
[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，上述化合物(B)为磺酸酯化合物、三嗪化合物、锍盐或碘鎓盐。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的组合物，其中，上述化合物(C)为三聚氰胺化合物或脲化合物。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的组合物，其还含有溶剂。
[6]一种膜的制造方法，其包括：通过将[5]所述的组合物涂布在基材上而形成膜的工序；对膜的一部分或多个部分照射电磁波或电子射线的工序；通过对照射了电磁波或电子射线的膜的一部分或多个部分进行显影而使膜形成图案的工序；和通过对形成图案后的膜进行加热而使膜中含有的化合物进行交联的工序。
[7]一种膜的制造方法，其包括：通过将[5]所述的组合物涂布在基材上而形成膜的工序；对膜的一部分或多个部分照射电磁波或电子射线的工序；通过对照射了电磁波或电子射线的膜的一部分或多个部分进行显影而使膜形成图案的工序；和通过在对形成图案后的膜照射电磁波或电子射线后对其进行加热而使膜中含有的化合物进行交联的工序。
[8]根据[6]或[7]所述的膜的制造方法，其中，上述电磁波为紫外线。
[9]一种膜，其是利用[6]～[8]中任一项所述的制造方法制造而成的。
[10]一种有机薄膜晶体管，其在绝缘层中具有[9]所述的膜。
[11]根据[10]所述的有机薄膜晶体管，其中，上述绝缘层为栅绝缘层和/或外涂层。
[12]一种高分子化合物，其包含具有下述式(1)所示基团的重复单元。
[式中，
R表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团。
R’表示烷基或环烷基，这些基团也可以具有取代基。存在的多个R’可以相同也可以不同，还可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。
R”表示亚烷基、亚环烷基或亚芳基，这些基团也可以具有取代基。在存在多个R”的情况下，它们可以相同也可以不同。R’和R”可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。]
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的底栅顶接触型有机薄膜晶体管的结构的剖面示意图。
图2是表示本发明的另一个实施方式的底栅底接触型有机薄膜晶体管的结构的剖面示意图。
具体实施方式
以下，根据需要参照附图详细地说明本发明的优选实施方式。予以说明，在附图的说明中，对相同的要素标记相同的符号，并省略重复的说明。
<通用的术语的说明>
以下，在本说明书中通用的术语只要无特殊说明则为以下含义。
“高分子化合物”是指在分子中包含2个以上相同结构单元的化合物，“重复单元”是指包含2个以上的结构单元。所谓的二聚物也属于高分子化合物。高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量通常为1×103～1×108。
另一方面，“低分子化合物”是指在分子中不包含2个以上相同结构单元的化合物。
高分子化合物可以为均聚物；嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物等共聚物中任一种，也可以为其他形态。
烷基可以为直链烷基、支链烷基中的任一种。直链烷基的碳原子数通常为1～30，支链烷基的碳原子数通常为3～30。予以说明，烷基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。环烷基的碳原子数通常为3～30。予以说明，环烷基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。
作为烷基，可列举例如：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基、正辛基、正十二烷基、正十六烷基等直链烷基；异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-乙基己基、3，7-二甲基辛基、2-己基癸基、2-辛基十二烷基、2-癸基十四烷基等支链烷基。作为环烷基，可列举例如环戊基、环己基。
烷基可以具有取代基，作为取代基，可列举环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、卤素原子。环烷基可以具有取代基，作为取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、卤素原子。作为具有取代基的烷基，可列举例如甲氧基乙基、苄基、三氟甲基、全氟己基。
烷氧基可以为直链烷氧基、支链烷氧基中的任一种。直链烷氧基的碳原子数通常为1～30，支链烷氧基的碳原子数通常为3～30。予以说明，烷氧基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。环烷氧基的碳原子数通常为3～30。予以说明，环烷氧基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。
作为烷氧基，可列举例如：甲氧基、乙氧基、正丙基氧基、正丁基氧基、正己基氧基、正辛基氧基、正十二烷基氧基、正十六烷基氧基等直链烷氧基；异丙基氧基、异丁基氧基、仲丁基氧基、叔丁基氧基、2-乙基己基氧基、3，7-二甲基辛基氧基、2-己基癸基氧基、2-辛基十二烷基氧基、2-癸基十四烷基氧基等支链烷氧基。作为环烷氧基，可列举例如环戊基氧基、环己基氧基。
烷氧基可以具有取代基，作为取代基，可列举环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、卤素原子。环烷氧基可以具有取代基，作为取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、卤素原子。
芳基为从芳香族烃中除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后剩余的原子团。芳香族烃的碳原子数通常为6～60，优选为6～20。予以说明，芳香族烃基的碳数不包含取代基的碳数。
作为芳香族烃，包括苯、包含苯的烃稠环化合物、选自苯及包含苯的烃稠环化合物中的2个以上直接键合而成的化合物。
作为芳基，可列举例如苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基、4-苯基苯基。
芳基可以具有取代基，作为取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、1价杂环基、卤素原子，优选烷基或环烷基，更优选烷基。
1价杂环基为从杂环式化合物除去与构成环的碳原子直接键合的1个氢原子后剩余的原子团。杂环式化合物的碳原子数通常为2～30，优选为3～20。予以说明，1价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数。1价杂环基优选为1价芳香族杂环基。
杂环式化合物是指在具有环式结构的有机化合物中构成环的元素不仅为碳原子而且在环内还包含氧原子、硫原子、硒原子、氮原子、磷原子、硼原子、砷原子等杂原子的化合物。
作为杂环式化合物，包括单环的杂环式化合物、包含杂环式化合物的稠环化合物、选自单环的杂环式化合物及包含杂环式化合物的稠环化合物中的2个以上直接键合而成的化合物。
1价杂环基可以具有取代基，作为取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、卤素原子，优选烷基或环烷基，更优选烷基。
作为1价杂环基，可列举例如2-呋喃基、3-呋喃基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-吡咯基、3-吡咯基、2-噁唑基、2-噻唑基、2-咪唑基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-苯并呋喃基、2-苯并噻吩基、2-噻吩并噻吩基、4-(2，1，3-苯并噻二唑)基。
作为卤原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
亚烷基可以为直链亚烷基、支链亚烷基中的任一种。直链亚烷基的碳原子数通常为1～20，支链亚烷基的碳原子数通常为3～20。予以说明，亚烷基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。亚环烷基的碳原子数通常为3～20。予以说明，亚环烷基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。
亚烷基可以具有取代基，作为取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、氰基、烷基羰基、环烷基羰基、烷基羰基氧基、环烷基羰基氧基、烷基氧基羰基、环烷基氧基羰基。
作为亚烷基，可列举例如、亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚异丙基、亚异丁基、二甲基亚丙基。作为亚环烷基，可列举例如亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基。
亚芳基为从芳香族烃中除去2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子后剩余的原子团。芳香族烃的碳原子数通常为6～20。
予以说明，亚芳基的碳原子数不包含取代基的碳原子数。亚芳基可以具有取代基，作为取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、1价杂环基、卤素原子，优选烷基或环烷基，更优选烷基。
作为亚芳基，可列举例如亚苯基、亚萘基、亚蒽基、二甲基亚苯基、三甲基亚苯基、亚苯基亚甲基、亚苯基二亚甲基、亚苯基三亚甲基、亚苯基四亚甲基、甲基亚萘基、二甲基亚萘基、三甲基亚萘基、乙烯基亚萘基、次乙基(ethenyl)亚萘基、甲基亚蒽基、乙基亚蒽基。
<组合物>
本发明的组合物含有高分子化合物(A)、化合物(B)和化合物(C)。
<高分子化合物(A)>
高分子化合物(A)包含具有下述式(1)所示基团的重复单元。
式(1)中，R表示在酸的作用下能够从氧原子脱离的1价有机基团。
R优选表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团。即，R优选表示在对式(1)的-COOR所示的基团作用酸的情况下R从氧原子脱离而生成-COOH所示的基团时的活化能为80kJ以下的1价有机基团。
在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能例如可以利用差示扫描量热测定法来测定。
R优选表示在不足100℃的温度且酸的作用下能够从氧原子脱离的1价有机基团。
在对-COOR所示的基团作用酸的情况下，R从氧原子脱离而生成-COOH所示的基团。此时，高分子化合物(A)显示酸性，其结果使对碱溶液的溶解性提高。
作为在酸的作用下能够从氧原子脱离的1价有机基团，可列举例如：具有氢呋喃基、氢吡喃基、烷氧基或环烷氧基作为取代基的烷基；以及具有烷氧基或环烷氧基作为取代基的环烷基。这些基团也可以具有取代基。
以上例示的1价有机基团在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下。另外，以上例示的1价有机基团通常在不足100℃的温度且酸的作用下能够从氧原子脱离。
作为氢呋喃基及氢吡喃基可以具有的取代基，可列举例如羟基、烷氧基、环烷氧基、烷基及环烷基。
氢呋喃基是指除去与构成二氢呋喃或四氢呋喃的环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团，作为氢呋喃基可以具有的取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、羟基。
作为氢呋喃基，可列举例如二氢呋喃基、四氢呋喃基。
氢吡喃基是指除去与构成二氢吡喃或四氢吡喃的环的碳原子直接键合的1个氢原子后的基团，作为氢呋喃基可以具有的取代基，可列举烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、羟基。
作为氢吡喃基，可列举例如二氢吡喃基、四氢吡喃基、4-甲氧基四氢吡喃基。
作为具有烷氧基或环烷氧基作为取代基的烷基以及具有烷氧基或环烷氧基作为取代基的环烷基可以进一步具有的取代基，可列举例如乙基、丙基。
作为具有烷氧基作为取代基的烷基，可列举例如1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-甲氧基丙基、1-乙氧基丙基。
R优选为四氢-2-吡喃基。
式(1)中，R’表示烷基或环烷基，这些基团也可以具有取代基。R’优选为烷基。
存在的多个R’可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。作为所形成的环，可列举例如环丙烷环(与亚环丙基对应)、环丁烷环(与亚环丁基对应)、环戊烷环(与亚环戊基对应)、环己烷环(与亚环己基对应)。
R’优选为甲基，更优选使两个R’为甲基。
即，更优选使式(1)中的下式所示的基团为二甲基亚甲基。
式(1)中，n表示0以上的整数。n优选为1。
式(1)中，R”表示亚烷基、亚环烷基或亚芳基，这些基团也可以具有取代基。R”优选为亚烷基。
R’和R”也可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。
所形成的环包括单环、稠多环、桥环。所形成的环也可以具有烷基等取代基。
作为所形成的环，可列举环丙烷环、环丁烷环、环戊烷环、金刚烷环。
作为式(1)中的下式所示的基团，可列举以下的基团。
式中，R′及R′’分别表示与上述同样的含义，m表示0以上的整数。在存在多个R′的情况下，它们可以相同也可以不同。在存在多个R′’的情况下，它们可以相同也可以不同。
作为R’，可列举甲基、乙基等烷基。
m优选为0。
作为式(1)中的下式所示的基团，更具体而言，可列举例如1-甲基-1，2-亚环丙基、1-乙基-1，2-亚环丙基、1-甲基-1，2-亚环丙基、1-乙基-1，2-亚环丁基、1-甲基-1，2-亚环丁基、1-乙基-1，2-亚环戊基、1-甲基-1，2-亚环戊基、1-乙基-1，2-亚环戊基、2-甲基-1，2-金刚烷二基、2-乙基-1，2-金刚烷二基、2-甲基-2，4-金刚烷二基、2-乙基-2，4-金刚烷二基。
具有式(1)所示基团的重复单元优选为下述式(2)所示的重复单元。
式(2)中，R1表示氢原子或甲基。R1优选为氢原子。
式(2)中，a表示0以上的整数。a优选为1。
式(2)中，Ra表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、-CO-所示的基团、-COO-所示的基团、-NHCO-所示的基团或-NHCOO-所示的基团。Ra优选为亚烷基、亚环烷基或亚芳基，更优选为亚烷基或亚芳基。
作为Ra所示的亚烷基，可列举例如亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚异丙基、亚异丁基、二甲基亚丙基。
作为Ra所示的亚环烷基，可列举例如亚环丙基、亚环丁基、亚环戊基、亚环己基。
作为Ra所示的亚芳基，可列举例如亚苯基、亚萘基、亚蒽基、二甲基亚苯基、三甲基亚苯基、亚苯基亚甲基、亚苯基二亚甲基、亚苯基三亚甲基、亚苯基四亚甲基、甲基亚萘基、二甲基亚萘基、三甲基亚萘基、乙烯基亚萘基、次乙基亚萘基、甲基亚蒽基、乙基亚蒽基，由于要使得使用本发明的组合物得到的栅绝缘层或外涂层的介电损耗角正切优异，因此优选为亚苯基。
高分子化合物(A)例如可以通过在光聚合引发剂或热聚合引发剂的存在下使成为具有式(1)所示基团的重复单元的原料的聚合性单体聚合(均聚或共聚)来制造。作为成为具有式(1)所示基团的重复单元的原料的聚合性单体，优选成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体。
作为光聚合引发剂，可列举例如：苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、4-异丙基-2-羟基-2-甲基苯丙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮、二苯甲酮、(邻苯甲酰基)苯甲酸甲酯、1-苯基-1，2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-1，2-丙二酮-2-(O-苯甲酰基)肟、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻***、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻辛醚、苯偶酰、苯偶酰二甲基缩酮、苯偶酰二乙基缩酮、丁二酮等羰基化合物；甲基蒽醌、氯蒽醌、氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮等蒽醌衍生物及噻吨酮衍生物；二苯基二硫醚、二硫代氨基甲酸酯等硫化合物。
在使用光能作为引发聚合(均聚或共聚)的能量的情况下，对聚合性单体照射的光的波长通常为360nm以上，优选为360nm以上且450nm以下。
作为热聚合引发剂，只要为成为自由基聚合的引发剂的化合物即可，可列举例如：2，2’-偶氮二异丁腈、2，2’-偶氮二异戊腈、2，2’-偶氮二(2，4-二甲基戊腈)、4，4’-偶氮二(4-氰基戊酸)、1，1’-偶氮二(环己烷甲腈)、2，2’-偶氮二(2-甲基丙烷)、2，2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二盐酸盐等偶氮系化合物；过氧化甲乙酮、过氧化甲基异丁基酮、过氧化环己酮、过氧化乙酰基丙酮等过氧化酮化合物；过氧化异丁基、过氧化苯甲酰、过氧化2，4-二氯苯甲酰、过氧化邻甲基苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化对氯苯甲酰等过氧化二酰化合物；2，4，4-三甲基戊基-2-过氧化氢、过氧化氢二异丙基苯、过氧化氢枯烯、过氧化氢叔丁基等过氧化氢化合物；过氧化二枯基、过氧化叔丁基枯基、过氧化二叔丁基、三(叔丁基过氧化)三嗪等过氧化二烷基化合物；1，1-二-叔丁基过氧化环己烷、2，2-二(叔丁基过氧化)丁烷等过氧化缩酮化合物；过氧化特戊酸叔丁酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化六氢对苯二甲酸二叔丁酯、过氧化壬二酸二叔丁酯、过氧化-3，5，5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化乙酸叔丁酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化三甲基己二酸二叔丁酯等过氧酸烷基酯化合物；过氧化二碳酸二异丙酯、过氧化二碳酸二仲丁酯、叔丁基过氧化异丙基碳酸酯等过氧化碳酸酯化合物。
作为成为式(2)所示重复单元的原料的单体，可列举例如4-[二甲基-(2-吡喃基氧基羰基)]甲基氧基苯乙烯、甲基丙烯酸α-甲基-4-[二甲基-(2-吡喃基氧基羰基)]甲基氧基苄酯、4-[1，1-二甲基-2-(2-吡喃基氧基羰基)]乙基氧基苯乙烯、甲基丙烯酸α-甲基-4-[1，1-二甲基-2-(2-吡喃基氧基羰基)]乙基氧基苄酯。
高分子化合物(A)可以通过使成为具有式(1)所示基团的重复单元的原料的聚合性单体与成为其他重复单元的原料的聚合性单体共聚来制造。作为成为具有式(1)所示基团的重复单元的原料的聚合性单体，优选成为式(2)所示的重复单元的原料的聚合性单体。
作为成为其他重复单元的原料的聚合性单体，可列举例如丙烯酸酯及其衍生物、甲基丙烯酸酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、有机羧酸的乙烯酯及其衍生物、有机羧酸的烯丙酯及其衍生物、富马酸的二烷基酯及其衍生物、马来酸的二烷基酯及其衍生物、衣康酸的二烷基酯及其衍生物、有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物、末端不饱和烃及其衍生物、包含不饱和烃基的有机锗衍生物、乙烯基-1，3-二氧戊环-2-酮及其衍生物。
成为其他重复单元的原料的聚合性单体的种类可以根据栅绝缘层或外涂层所要求的特性进行适当选择。为了使得对溶剂的耐久性优异且有机薄膜晶体管的磁滞变小，而选择像苯乙烯及其衍生物那样的分子密度高且形成硬质膜的聚合性单体。另外，为了使与栅电极、邻接的层的密合性优异，而选择像甲基丙烯酸酯及其衍生物、丙烯酸酯及其衍生物那样的赋予增塑性的聚合性单体。
丙烯酸酯及其衍生物可以是单官能的丙烯酸酯，也可以是多官能的丙烯酸酯。作为丙烯酸酯及其衍生物，可列举例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸环己酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸苄酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-2-羟基丙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-2-羟基丁酯、丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇五丙烯酸酯、丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、丙烯酸2，2，3，3，3-五氟丙酯、丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、丙烯酸3-全氟丁基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羟基丙酯、丙烯酸1H，1H，3H-四氟丙酯、丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯、丙烯酸1H，1H，7H-十二氟庚酯、丙烯酸1H，1H，9H-十六氟壬酯、丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、丙烯酸1H，1H，3H-六氟丁酯、N，N-二甲基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-丙烯酰基吗啉。
甲基丙烯酸酯及其衍生物可以是单官能的甲基丙烯酸酯，也可以是多官能的甲基丙烯酸酯。作为甲基丙烯酸酯及其衍生物，可列举例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸癸酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-3-羟基丙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丁酯、甲基丙烯酸-2-羟基苯基乙酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、丙二醇二甲基丙烯酸酯、1，4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇五甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2，2，2-三氟乙酯、甲基丙烯酸2，2，3，3，3-五氟丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟丁基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟丁基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、甲基丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-5-甲基己基)乙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-5-甲基己基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸2-(全氟-7-甲基辛基)乙酯、甲基丙烯酸3-(全氟-7-甲基辛基)-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸1H，1H，3H-四氟丙酯、甲基丙烯酸1H，1H，5H-八氟戊酯、甲基丙烯酸1H，1H，7H-十二氟庚酯、甲基丙烯酸1H，1H，9H-十六氟壬酯、甲基丙烯酸1H-1-(三氟甲基)三氟乙酯、甲基丙烯酸1H，1H，3H-六氟丁酯、N，N-二甲基甲基丙烯酰胺、N，N-二乙基甲基丙烯酰胺、N-丙烯酰基吗啉。
作为苯乙烯及其衍生物，可列举例如苯乙烯、2，4-二甲基-α-甲基苯乙烯、邻甲基苯乙烯、间甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、2，4-二甲基苯乙烯、2，5-二甲基苯乙烯、2，6-二甲基苯乙烯、3，4-二甲基苯乙烯、3，5-二甲基苯乙烯、2，4，6-三甲基苯乙烯、2，4，5-三甲基苯乙烯、五甲基苯乙烯、邻乙基苯乙烯、间乙基苯乙烯、对乙基苯乙烯、邻氯苯乙烯、间氯苯乙烯、对氯苯乙烯、邻溴苯乙烯、间溴苯乙烯、对溴苯乙烯、邻甲氧基苯乙烯、间甲氧基苯乙烯、对甲氧基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、2-乙烯基联苯、3-乙烯基联苯、4-乙烯基联苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基对三联苯、1-乙烯基蒽、α-甲基苯乙烯、邻异丙烯基甲苯、间异丙烯基甲苯、对异丙烯基甲苯、2，4-二甲基-α-甲基苯乙烯、2，3-二甲基-α-甲基苯乙烯、3，5-二甲基-α-甲基苯乙烯、对异丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯乙烯、二乙烯基苯、二乙烯基联苯、二异丙基苯、4-氨基苯乙烯。
作为有机羧酸的乙烯基酯及其衍生物，可列举例如：乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯。
作为有机羧酸的烯丙基酯及其衍生物，可列举例如：乙酸烯丙酯、苯甲酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、对苯二甲酸酸二烯丙酯、间苯二甲酸二烯丙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯。
作为富马酸的二烷基酯及其衍生物，可列举例如：富马酸二甲酯、富马酸二乙酯、富马酸二异丙酯、富马酸二仲丁酯、富马酸二异丁酯、富马酸二正丁酯、富马酸二-2-乙基己酯及富马酸二苄酯。
作为马来酸的二烷基酯及其衍生物，可列举例如：马来酸二甲酯、马来酸二乙酯、马来酸二异丙酯、马来酸二仲丁酯、马来酸二异丁酯、马来酸二正丁酯、马来酸二-2-乙基己酯、马来酸二苄酯。
作为衣康酸的二烷基酯及其衍生物，可列举例如：衣康酸二甲酯、衣康酸二乙酯、衣康酸二异丙酯、衣康酸二仲丁酯、衣康酸二异丁酯、衣康酸二正丁酯、衣康酸二-2-乙基己酯、衣康酸二苄酯。
作为有机羧酸的N-乙烯基酰胺衍生物，可列举例如：N-甲基-N-乙烯基乙酰胺。
作为末端不饱和烃及其衍生物，可列举例如：1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、乙烯基环己烷、氯乙烯及烯丙醇。
作为包含不饱和烃基的有机锗衍生物，可列举例如：烯丙基三甲基锗、烯丙基三乙基锗、烯丙基三丁基锗、三甲基乙烯基锗、三乙基乙烯基锗。
作为乙烯基-1，3-二氧戊环-2-酮及其衍生物，可列举例如4-乙烯基-1，3-二氧戊环-2-酮、5-甲基-4-乙烯基-1，3-二氧戊环-2-酮。
作为成为其他重复单元的原料的聚合性单体，优选丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、烯丙基三甲基锗或4-乙烯基-1，3-二氧戊环-2-酮。
高分子化合物(A)中所含的具有式(1)所示基团的重复单元相对于高分子化合物(A)中所含的全部重复单元优选为20摩尔％以上且70摩尔％以下，更优选为30摩尔％以上且60摩尔％以下。作为具有式(1)所示基团的重复单元，优选式(2)所示的重复单元。
高分子化合物(A)的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为3000～1000000，更优选为5000～500000。
作为高分子化合物(A)，可列举例如聚(甲基丙烯酸α-甲基-4-[二甲基-(2-吡喃基氧基羰基)]甲基氧基苄酯-共聚-苯乙烯)、聚(甲基丙烯酸α-甲基-4-[二甲基-(2-吡喃基-氧基羰基)]甲基氧基苄酯-共聚-丙烯腈)、聚(甲基丙烯酸α-甲基-4-[二甲基-(2-吡喃基-氧基羰基)]甲基氧基苄酯-共聚-4-甲氧基苯乙烯)、聚(甲基丙烯酸α-甲基-4-[二甲基-(2-吡喃基-氧基羰基)]甲基氧基苄酯-共聚-2，3，4，5，6-五氟苯乙烯)、聚(甲基丙烯酸α-甲基-4-[二甲基-(2-吡喃基-氧基羰基)]甲基氧基苄酯-共聚-甲基丙烯酸甲酯)。
本发明的组合物中所含的高分子化合物(A)可以仅为1种，也可以包含2种以上。
<化合物(B)>
化合物(B)为因电磁波或电子射线的照射、或者加热而分解产生酸的化合物。
作为电磁波，可列举例如红外线、可见光线、紫外线，优选为紫外线。电磁波的波长优选为450nm以下，更优选为200nm以上且410nm以下。
在化合物(B)为因加热而分解产生酸的化合物的情况下，产生酸的温度通常为200℃以下，优选为100℃以上且200℃以下，更优选为120℃以上且200℃以下。
作为化合物(B)，可列举例如磺酸酯化合物、三嗪化合物、碘鎓盐、锍盐。
作为磺酸酯化合物，优选氟代烷基磺酸酯化合物或甲苯磺酸酯化合物。
作为氟代烷基磺酸酯化合物，可列举例如N-羟基萘二甲酰亚胺三氟甲磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚胺全氟丁基三氟甲磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚胺三氟甲磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚胺全氟丁基三氟甲磺酸酯。
作为甲苯磺酸酯化合物，可列举例如α-(对甲苯磺酰基氧基甲基)苯偶姻、α-(对甲苯磺酰基氧基)邻硝基甲苯、α-(对甲苯磺酰基氧基)对硝基甲苯。
作为三嗪化合物，可列举例如2，4-双(三氯甲基)-6-甲基-1，3，5-三嗪、2，4，6-三(三氯甲基)-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-苯基-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-(4’-甲氧基苯基)-1，3，5-三嗪、2，4-双(三氯甲基)-6-(3’，4’-二甲氧基苯基)-1，3，5-三嗪。
作为碘鎓盐，可列举例如二苯基碘鎓六氟磷酸盐、二苯基碘鎓六氟锑酸盐、甲苯基异丙苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐。
作为锍盐，可列举例如三苯基锍磷酸盐、对(苯硫基)苯基二苯基锍六氟磷酸盐、三苯基锍六氟锑酸盐、对(苯硫基)苯基二苯基锍六氟锑酸盐、4，4’-双[二(β-羟基乙氧基)苯基锍]苯基硫醚-双-六氟锑酸盐、4-[4-(4-叔丁基苯甲酰基)苯硫基]苯基-二(4-甲基苯基)锍六氟磷酸盐。
化合物(B)可以为日本特开平9-118663号公报中记载的化合物、日本特开2007-262401号公报中记载的化合物。
另外，化合物(B)为因电磁波或电子射线的照射而分解且因加热而分解产生酸的化合物，且可以为产生酸的温度超过200℃的化合物。此时，优选并用因加热而分解产生酸的温度为200℃以下的化合物(B)。
本发明的组合物中所含的化合物(B)可以仅为1种，也可以包含2种以上。
<化合物(C)>
化合物(C)为在酸的存在下与羟基反应的化合物。
作为化合物(C)，可列举例如三聚氰胺化合物、脲化合物。
作为三聚氰胺化合物，可列举例如：六甲氧基甲基三聚氰胺、六乙氧基甲基三聚氰胺、六丁氧基甲基三聚氰胺等烷氧基甲基三聚氰胺(优选六烷氧基甲基三聚氰胺)；聚(三聚氰胺-共聚-甲醛)甲基化物。
作为脲化合物，可列举例如四甲氧基甲基甘脲、四乙氧基甲基甘脲。
本发明的组合物中所所含的化合物(C)可以仅为1种，也可以包含2种以上。
本发明的组合物中的化合物(B)的含量相对于高分子化合物(A)100重量份通常为0.01重量份～30重量份的范围。另外，化合物(C)的含量相对于高分子化合物(A)100重量份通常为1重量份～50重量份的范围。
<含有溶剂的组合物>
本发明的组合物可以进一步含有溶剂、添加剂等。
作为溶剂，可列举例如：四氢呋喃、***等醚溶剂；己烷等脂肪族烃溶剂；环己烷等脂环式烃溶剂；戊烯等不饱和烃溶剂；二甲苯等芳香族烃溶剂；丙酮等酮溶剂；乙酸丁酯等乙酸酯溶剂；异丙醇等醇溶剂；氯仿等卤素溶剂。也可以为将这些溶剂混合的混合溶剂。
在本发明的组合物含有溶剂的情况下，溶剂的含量相对于高分子化合物(A)100重量份通常为100重量份～900重量份的范围。
作为添加剂，可列举例如敏化剂、流平剂、粘度调节剂。
在本发明的组合物含有添加剂的情况下，添加剂的含量相对于高分子化合物(A)100重量份通常为0.01重量份～20重量份的范围。
本发明的组合物在形成有机薄膜晶体管的绝缘层方面非常有用。在有机薄膜晶体管的绝缘层中，优选用于形成栅绝缘层和/或外涂层，更优选用于形成栅绝缘层。
由于本发明的组合物含有包含具有式(1)所示基团的重复单元的高分子化合物(A)，因此具有所形成的绝缘层的有机薄膜晶体管的漏电流少，介电损耗角正切也小。
<有机薄膜晶体管>
图1是表示本发明的一个实施方式的底栅顶接触型有机薄膜晶体管的结构的剖面示意图。该有机薄膜晶体管具备：基板1、形成于基板1上的栅电极2、形成于栅电极2上的栅绝缘层3、形成于栅绝缘层3上的有机半导体层4、夹着槽部而形成于有机半导体层4上的源电极5及漏电极6、以及覆盖元件整体的外涂层7。
底栅顶接触型有机薄膜晶体管例如可如下地制备：在基板上形成栅电极，在栅电极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成源电极和漏电极，最后形成外涂层。本发明的组合物可以适合用于形成栅绝缘层。另外，本发明的组合物也可以适合用于形成外涂层。
图2是表示本发明的一个实施方式的底栅底接触型有机薄膜晶体管的结构的剖面示意图。该有机薄膜晶体管具备：基板1、形成于基板1上的栅电极2、形成于栅电极2上的栅绝缘层3、夹着槽部而形成于栅绝缘层3上的源电极5及漏电极6、形成于源电极5及漏电极6上的有机半导体层4、以及覆盖元件整体的外涂层7。
底栅底接触型有机薄膜晶体管例如可如下地制备：在基板上形成栅电极，在栅电极上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成源电极及漏电极，在源电极及漏电极上形成有机半导体层，最后形成外涂层。本发明的组合物可以适合用于形成栅绝缘层。另外，本发明的组合物也可以适合用于形成外涂层。
<膜的制造方法>
有机薄膜晶体管的栅绝缘层和/或外涂层的形成例如可以通过以下工序进行：制备含有高分子化合物(A)、化合物(B)、化合物(C)和溶剂的本发明的组合物(以下，也称作绝缘层涂布液。)，在基材上涂布绝缘层涂布液，并根据需要进行干燥，由此形成膜的工序；使用掩模等，对膜的一部分或多个部分照射电磁波或电子射线，并根据需要进行热处理的工序；使用碱显影液等对照射了电磁波或电子射线的膜的一部分或多个部分进行显影，由此使膜形成图案的工序；和对形成图案后的膜、即未照射电磁波或电子射线的部分进行加热等，由此使该膜中含有的化合物交联的工序。作为除加热以外的交联手段，可列举电磁波或电子射线的照射。另外，也可以通过在电磁波或电子射线的照射后进行加热而使其交联。
电磁波或电子射线的照射在常温、例如20℃～35℃进行。
本发明的组合物具有光敏性，可以对由绝缘层涂布液形成的膜(以下，也称作涂膜。)形成图案。涂膜只要为本发明的组合物中含有的化合物还未交联的状态，则容易溶解，因此可以以高精度且短时间内形成微细的图案。
在涂膜中，化合物(B)会在照射了电磁波或电子射线的部分发生分解而产生酸，高分子化合物(A)所具有的式(1)所示的基团中的R(在酸的作用下能够从氧原子脱离的1价有机基团，例如在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团)从氧原子脱离，生成碱可溶性基团。也可以通过加热来促进脱离反应。
之后，将涂膜浸渍在碱显影液中，由此将照射了电磁波或电子射线的部分溶解除去，并在涂膜上转印与未照射电磁波或电子射线的部分对应形状的图案。被溶解除去的部分变成过孔。
之后，对转印图案后的涂膜进行加热等，由此使该膜中含有的化合物交联。通过加热到化合物(B)的热分解温度以上的温度，从而化合物(B)发生热分解而产生酸，高分子化合物(A)所具有的式(1)所示的基团中的氧原子与叔碳原子的键断裂，生成羟基。在化合物(B)发生热分解而产生的酸的存在下该羟基与化合物(C)发生反应，由此形成交联结构。
化合物(B)的分解可以通过电磁波或电子射线的照射来进行，也可以通过在电磁波或电子射线的照射之后施以加热来进行。
在此，“基材”是指在其上形成绝缘层而形成的有机薄膜晶体管的构成构件。在基材的最上层形成栅电极、源电极、漏电极及有机半导体层中的至少一者。
绝缘层涂布液中含有的溶剂只要为使高分子化合物(A)、化合物(B)及化合物(C)溶解的溶剂，则并无特别限制，优选在常压下的沸点为100℃以上且200℃以下的溶剂。作为在常压下的沸点为100℃以上且200℃以下的溶剂，可列举例如2-庚酮(沸点151℃)、丙二醇单甲基醚乙酸酯(沸点146℃)。在绝缘层涂布液中可以含有流平剂、表面活性剂、固化催化剂等。
可以将绝缘层涂布液利用旋涂法、模涂法、丝网印刷法、喷墨印刷法等公知的涂布法涂布在基材上，并根据需要使其干燥。利用干燥可以除去所涂布的树脂组合物中含有的溶剂。
掩模为具有透过电磁波或电子射线的透过部分、和隔绝电磁波或电子射线的隔绝部分的构件。
所照射的电磁波的波长优选为450nm以下，更优选为200nm以上且410nm以下。作为电磁波，优选紫外线。
紫外线的照射例如可以使用为了制造半导体而使用的曝光装置、为了使UV固化性树脂固化而使用的UV灯来进行。电子射线的照射例如可以使用超小型电子射线照射管来进行。
加热可以使用加热器及烘箱等来进行。
本发明的组合物的光敏性通常为正型，因此，作为显影液，通常使用碱溶液。碱溶液可以为为了对正型抗蚀剂进行显影而通常使用的碱显影液。
碱溶液为在水性介质中溶解有碱性盐的溶液。碱溶液为pH10以上、优选pH10～14、更优选pH11～14的碱溶液。
作为在显影液即碱溶液中含有的水性介质，可列举例如水、含有水及水溶性有机溶剂的溶剂。作为水溶性有机溶剂，可列举例如丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、四氢呋喃。水性介质中的水溶性有机溶剂的含量通常为50重量％以下，优选为40重量％以下，更优选为30重量％以下。
作为在显影液即碱溶液中含有的碱性盐，可列举例如四甲基氢氧化铵(TMAH)、单乙醇胺、胆碱、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钾。
在对形成图案后的膜进行加热的情况下，在因热分解产生酸的化合物(B)的热分解温度以上的温度通常加热5分钟以上且120分钟以下，优选加热10分钟以上且60分钟以下。为了使所形成的绝缘层的交联性及绝缘性优异，形成图案后的膜的加热温度优选为80℃以上且250℃以下，更优选为100℃以上且230℃以下。
在有机薄膜晶体管的栅绝缘层上可以形成自组织化单分子膜层。该自组织化单分子膜层例如可通过利用在溶剂中溶解1～10重量％的烷基氯硅烷化合物或烷基烷氧基硅烷化合物而成的溶液对栅绝缘层进行处理而形成。
作为烷基氯硅烷化合物，可列举例如：甲基三氯硅烷、乙基三氯硅烷、丁基三氯硅烷、癸基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷。
作为烷基烷氧基硅烷化合物，可列举例如：甲基三甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷。
基板1、栅电极2、源电极5、漏电极6及有机半导体层4利用通常所使用的材料及方法来构成即可。基板的材料可使用树脂、塑料的板或膜、玻璃板、硅板等。电极的材料可使用铬、金、银、铝、钼等，可利用蒸镀法、溅射法、印刷法、喷墨法等公知的方法来形成电极。
作为用于形成有机半导体层4的有机半导体化合物，使用π共轭聚合物，例如可以使用聚吡咯系聚合物、聚噻吩系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚烯丙胺系聚合物、芴系聚合物、聚咔唑系聚合物、聚吲哚系聚合物、聚(对亚苯基亚乙烯基)系聚合物。
另外，作为用于形成有机半导体层4的有机半导体化合物，也使用具有在溶剂中的溶解性的低分子化合物，例如可以使用并五苯等多环芳香族衍生物、酞菁衍生物、苝衍生物、四硫富瓦烯衍生物、四氰基醌二甲烷衍生物、富勒烯化合物、碳纳米管化合物。具体而言，可列举2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二(亚乙基硼酸酯)与2，6-二溴-(4，4-双-十六烷基-4H-环戊[2，1-b；3，4-b′]-二噻吩的缩合化合物、9，9-二-正辛基芴-2，7-二(亚乙基硼酸酯)与5，5′-二溴-2，2′-联噻吩的缩合化合物等。
有机半导体层的形成通过例如以下方式来进行，即，使有机半导体化合物溶解于溶剂而制备有机半导体涂布液，将有机半导体涂布液涂布在栅绝缘层上，并根据需要使其干燥。
作为在有机半导体涂布液中使用的溶剂，只要是使有机半导体化合物溶解或分散的溶剂，则没有特别限制，优选为常压下的沸点为50℃以上且200℃以下的溶剂。作为溶剂，可列举例如：氯仿、甲苯、苯甲醚、2-庚酮、丙二醇单甲基醚乙酸酯。有机半导体涂布液可与上述绝缘层涂布液同样地利用旋涂法、模涂法、丝网印刷法、喷墨法等公知的方法涂布于栅绝缘层上。
出于保护有机半导体层且提高表面平滑性的目的，本发明的有机薄膜晶体管也可以具有外涂层。外涂层可以为由本发明的组合物形成的层。
由本发明的组合物形成的绝缘层可以在其上层叠平坦的膜等而可以容易地形成层叠结构。例如，在绝缘层上可适于搭载有机电致发光元件。
实施例
以下，利用实施例对本发明进行说明，但本发明不受实施例的限定。
合成例1
(化合物1的合成)
将上部带有三通阀的蛇形冷凝管和电磁感应型搅拌叶片安装到1000ml的三颈烧瓶上。在该三颈烧瓶中加入3-氨基苯酚(东京化成工业(株)制)20.00g、乙基-2-溴异丁酸(东京化成工业(株)制)71.50g、氢氧化钠(和光纯药工业(株)制)36.65g、甲基异丁基酮(和光纯药工业(株)制)400ml后，将三颈烧瓶浸入50℃的油浴中，边利用机械搅拌器使搅拌叶片搅拌，边使其反应6小时。
将所得的反应溶液冷却至室温后，边继续搅拌，边利用气密注射器以30分钟滴加丙烯酰氯(东京化成工业(株)制)21g。滴加结束后，边在室温下搅拌，边使其反应12小时。
在所得的反应溶液中加入离子交换水100ml后，添加浓盐酸直至水层的pH达到2为止。将所得的反应混合物1000ml移入分液漏斗中，对有机层进行分液。在所得的有机层中加入离子交换水200ml后，加入碳酸氢钠直至水层达到中性为止，对水层进行分液。利用稀盐酸使所得的水层变成酸性后，利用甲基异丁基酮200ml对所得的析出物进行萃取，并对有机层进行分液。将所得的有机层用离子交换水50ml清洗3次后，利用无水硫酸镁进行干燥。干燥后，滤取盐，并将所得的有机层移入500ml茄型烧瓶，利用旋转蒸发器进行浓缩，得到褐色的粘稠物。
在加入有所得的褐色的粘调物的茄型烧瓶中加入搅拌子，再加入3，4-二氢-2H-吡喃(Aldrich制)100ml，之后，进行搅拌。在所得的反应溶液中加入催化剂量的浓盐酸，边利用磁力搅拌器使搅拌子搅拌，边在室温使其反应12小时。
在所得的反应混合物中加入饱和碳酸氢钠水溶液100ml进行中和后，加入甲基异丁基酮200ml，对有机层进行萃取。将用饱和碳酸氢钠水溶液50ml对所得的有机层进行清洗、分液的操作重复2次后，利用无水硫酸镁进行干燥。之后，滤取不溶物，利用旋转蒸发器蒸馏除去甲基异丁基酮，由此得到以粘稠的液体的形式存在的化合物1。化合物1的获得量为30.0g。
化合物1
合成例2
(高分子化合物1的合成)
在50ml耐压容器(ACE制)中加入5.00g化合物1、苯乙烯(和光纯药制)1.56g、4-乙烯基苯甲醚(Aldrich制)2.68g、2，2’-偶氮二(2-甲基丙腈)0.05g、2-庚酮(东京化成工业(株)制)14.06g后，为了除去溶存氧而利用氩气进行鼓泡，并将其盖严。将耐压容器浸入80℃的油浴中，使其反应6小时，由此得到溶解有高分子化合物1的粘稠的2-庚酮溶液。高分子化合物1为包含下述重复单元的高分子化合物。括弧的添加数字表示重复单元的摩尔分率。
高分子化合物1
实施例1
(有机薄膜晶体管绝缘层材料及MIM元件的制造)
在10ml的样品瓶中加入合成例2中得到的高分子化合物1的2-庚酮溶液1.00g、作为光产酸剂的下述式所示的化合物(绿化学制“MBZ-101”)0.02g、六甲氧基甲基三聚氰胺(三和化学制“MW-390”)0.042g、2-庚酮2.00g，边搅拌边使其溶解，由此制备涂布溶液1。
MBZ-101
将所得的涂布溶液1用孔径0.45μm的膜滤器过滤后，旋涂在带铬电极的玻璃基板上。之后，使其在热板上以90℃干燥1分钟，由此形成涂布层。之后，使用光刻机(CANON(株)制、PLA-521)，从设有25μm见方的开口部的掩模通过对涂布层照射1600mJ/cm2的UV光(波长365nm)。之后，使其在热板上以90℃后烘烤2分钟，将其浸渍在正型显影液(5wt％胆碱水溶液)中，除去曝光部，由此进行显影。将所得的玻璃基板用离子交换水进行清洗，再用旋转干燥器进行干燥后，在氮气气氛下使其在热板上以150℃硬烘烤30分钟，由此得到具有过孔的栅绝缘层。
<抗蚀特性的评价>
对涂布溶液1的抗蚀特性进行了评价。通过使用涂布溶液1，从而能够以25μm角的分辨率在栅绝缘层形成过孔。
使用金属掩模在所得的栅绝缘层上利用蒸镀形成铝电极，由此制作MIM(MetalInsulator Metal)元件。
<MIM元件的电特性的评价>
使用真空探针(Nagase Electronic Equipments Service Co.，LTD制、BCT22MDC-5-HT-SCU；)对所制作的MIM元件的介电损耗角正切及耐压进行了测定。在此，在电极间施加电场，利用漏电流达到1×10-6A/cm2的电解强度对耐压进行了评价。
表1
由此可知：通过使用本发明的组合物，能够利用简易的工艺在栅绝缘层或外涂层形成过孔。另外，可知：利用本发明的组合物形成的栅绝缘层或外涂层的介电损耗角正切及耐压优异。
产业上的可利用性
根据本发明，可以提供能够利用简易的工艺在栅绝缘层或外涂层形成过孔的材料。另外，根据本发明的优选实施方式，可以提供能够形成介电损耗角正切及耐压优异的栅绝缘层或外涂层的材料。
符号说明
1…基板、
2…栅电极、
3…栅绝缘层、
4…有机半导体层、
5…源电极、
6…漏电极、
7…外涂层。

Claims (12)

1.一种组合物，其含有：包含具有下述式(1)所示基团的重复单元的高分子化合物(A)；因电磁波或电子射线的照射、或者加热而分解产生酸的化合物(B)；和在酸的存在下与羟基反应的化合物(C)，
式中，
R表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团，
R’表示烷基或环烷基，这些基团也可具有取代基，存在的多个R’可以相同也可以不同，还可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环，
n表示0以上的整数，
R”表示亚烷基、亚环烷基或亚芳基，这些基团也可以具有取代基，在存在多个R”的情况下，它们可以相同也可以不同，R’和R”可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述具有式(1)所示基团的重复单元为下述式(2)所示的重复单元，
式中，
R、R’、R”及n表示与上述相同的含义，
R1表示氢原子或甲基，
a表示0以上的整数，
Ra表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、-CO-所示的基团、-COO-所示的基团、-NHCO-所示的基团或-NHCOO-所示的基团，这些基团也可以具有取代基，在存在多个Ra的情况下，它们可以相同也可以不同。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述化合物(B)为磺酸酯化合物、三嗪化合物、锍盐或碘鎓盐。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的组合物，其中，所述化合物(C)为三聚氰胺化合物或脲化合物。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的组合物，其还含有溶剂。
6.一种膜的制造方法，其包括：
通过将权利要求5所述的组合物涂布在基材上而形成膜的工序；
对膜的一部分或多个部分照射电磁波或电子射线的工序；
通过对照射了电磁波或电子射线的膜的一部分或多个部分进行显影而使膜形成图案的工序；和
通过对形成图案后的膜进行加热而使膜中含有的化合物进行交联的工序。
7.一种膜的制造方法，其包括：
通过将权利要求5所述的组合物涂布在基材上而形成膜的工序；
对膜的一部分或多个部分照射电磁波或电子射线的工序；
通过对照射了电磁波或电子射线的膜的一部分或多个部分进行显影而使膜形成图案的工序；和
通过在对形成图案后的膜照射电磁波或电子射线后对其进行加热而使膜中含有的化合物进行交联的工序。
8.根据权利要求6或7所述的膜的制造方法，其中，所述电磁波为紫外线。
9.一种膜，其是利用权利要求6～8中任一项所述的制造方法制造而成的。
10.一种有机薄膜晶体管，其在绝缘层中具有权利要求9所述的膜。
11.根据权利要求10所述的有机薄膜晶体管，其中，所述绝缘层为栅绝缘层和/或外涂层。
12.一种高分子化合物，其包含具有下述式(1)所示基团的重复单元，
式中，
R表示在酸的作用下从氧原子脱离时的活化能为80kJ以下的1价有机基团，
R’表示烷基或环烷基，这些基团也可以具有取代基，存在的多个R’可以相同也可以不同，还可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环，
n表示0以上的整数，
R”表示亚烷基、亚环烷基或亚芳基，这些基团也可以具有取代基，在存在多个R”的情况下，它们可以相同也可以不同，R’和R”可以相互键合而与它们所键合的碳原子一起形成环。
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