CN105870158B - Oled面板、oled器件制作方法、用于oled的像素布图的掩膜结构 - Google Patents

Oled面板、oled器件制作方法、用于oled的像素布图的掩膜结构 Download PDF

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Abstract

本发明的实施例涉及OLED面板、OLED器件制作方法、用于OLED的像素布图的掩膜结构。所述OLED包括像素结构，所述像素结构包括第一到第三子像素区，第一子像素区和第二子像素区在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区位于第一和第二子像素区的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。

Description

OLED面板、OLED器件制作方法、用于OLED的像素布图的掩膜 结构
技术领域
本发明的实施例涉及有机发光显示器件领域，尤其涉及一种OLED面板、OLED器件制作方法、用于OLED的像素布图的掩膜结构。
背景技术
当前的有机电致发光显示器为自发光型，不需要背光，这一点与液晶显示器(LCD)不同，因此可实现重量减轻和尺寸微小化。此外，有机电致发光显示器可以通过简单的工艺制成，从而提高价格竞争力。并且，有机电致发光显示器具有低驱动电压、高发光效率和宽视角，因此作为下一代显示器受到广泛关注。
有机电致发光显示器包括用于显示图像的多个有机发光显示(OLED)器件。每个OLED包括阳极、有机发光层和阴极。阳极和阴极向有机发光层提供空穴和电子，空穴和电子在有机发光层中复合而形成激子，并且在激子降到底部稳态时，产生预定波长的光。这里，可以根据有机发光层的材料特性而产生具有与例如红色、绿色和蓝色对应的波长的光。
在有机电致发光显示器中，应针对每个像素对每个实现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的有机发光层进行布图，以实现全色显示。现有技术中存在许多不用的公知方法来制造OLED器件，包括真空沉积、喷射印刷(jet-printing)、喷嘴印刷(nozzle-printing)、激光烧蚀、激光诱导热成像等等。在这些方法当中，真空沉积工艺产生具有最佳特性的器件。然而，真空沉积需要精细金属掩模板(FMM)来产生高分辨率显示所需要的布图。
FMM具有多个缺点，包括生产成本高、拉伸和维护困难，最重要的是，FMM在沉积开始之前需要与基板进行精确的对准。对于大尺寸基板(例如，大于等于第六代基板)而言，对准变得非常困难，在需要高分辨率的情况下尤其困难。并且，对准工艺还要求向蒸发腔增加复杂的附件来处理该对准工艺。
发明内容
本发明的实施例提出了一种允许在诸如薄膜晶体管(TFT)面板的基板上形成包围像素区域的沉积掩膜，进而利用倾斜沉积无掩模板地形成OLED器件的子像素结构的途径。因而，即使当母板玻璃的尺寸为第六代以上时，也不存在有机发光层的沉积期间蒸发掩模板与基板的对准困难的问题。
本发明实施例的第一方面提供一种OLED面板，包括像素结构，所述像素结构包括：
第一到第三子像素区，第一子像素区和第二子像素区在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区位于第一和第二子像素区的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
根据该第一方面的OLED面板，其像素结构可以在不利用要求精确对准的掩模板的情况下形成。
根据示例性实施例，所述像素结构还包括：
第四子像素区，其位于第一和第二子像素区的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素区和所述第四子像素区在第二方向上彼此对齐。
根据示例性实施例，所述第三子像素区的在第一方向上的两个边分别与第一子像素区和第二子像素区的在第一方向上的外侧边对齐。
根据示例性实施例，所述第四子像素区的在第一方向上的两个边分别与第一到第三子像素区的在第一方向上的外侧边对齐。
根据示例性实施例，所述第三子像素区的在第二方向上的外侧边和所述第四子像素区的在第二方向上的外侧边分别相对于成对的第一子像素区和第二子像素区的在第二方向上的两个外侧边向外偏移所述第三子像素区的宽度和所述第四子像素区的宽度，并且第一子像素区的在第一方向上的外侧边和所述第二子像素区的在第一方向上的外侧边分别相对于成对的第三子像素区和第四子像素区的在第一方向上的两个外侧边向外偏移所述第一子像素区的宽度和所述第二子像素区的宽度。
根据示例性实施例，所述OLED面板还包括：
包围所述像素结构的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁和第二沉积壁，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁和第四沉积壁，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁和第六沉积壁，其中
所述第一子像素区与所述第二沉积壁相邻，所述第二子像素区与所述第一沉积壁相邻，第三子像素区与所述第四沉积壁相邻。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁和所述第二沉积壁在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁和所述第四沉积壁在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁在第一方向上相距第三距离L3，
在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区的内侧边缘到所述第一沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α1，从所述第二子像素区的内侧边缘到所述第二沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区的内侧边缘到所述第三沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且
其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
根据示例性实施例，所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁和第六沉积壁，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第一对以及所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁和第八沉积壁，所述第七沉积壁和所述第八沉积壁的第一对以及第七沉积壁和所述第八沉积壁的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，
第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)，
其中，所述第一沉积壁相对于所述第五沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区的宽度b2，所述第二沉积壁相对于所述第六沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区的宽度b1，所述第三沉积壁相对于所述第七沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区的宽度b4，所述第四沉积壁相对于所述第八沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素区的宽度b3。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。
根据示例性实施例，h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
根据示例性实施例，h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。
本发明实施例的第二方面提供一种OLED器件制作方法，包括：
在基板上形成包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁和第二沉积壁，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁和第四沉积壁，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁和第六沉积壁；以及
沿第一方向面向所述第二沉积壁将第一子像素材料倾斜沉积到与所述第二沉积壁相邻的第一子像素区，沿第一方向面向所述第一沉积壁将第二子像素材料倾斜沉积到与所述第一沉积壁相邻的第二子像素区，沿第二方向面向所述第四沉积壁将第三子像素材料倾斜沉积到与所述第四沉积壁相邻的第三子像素区。
根据该第二方面的方法，可以在沉积OLED器件的每个子像素区的材料时，利用倾斜沉积，通过沉积掩膜的相应沉积壁的遮挡作用而仅在目标区域中形成子像素材料且不会干扰其他子像素区，实现对各子像素区的材料的无掩模板沉积。
根据示例性实施例，所述方法还包括：
沿第二方向面向所述第三沉积壁将第四子像素材料倾斜沉积到与所述第三沉积壁相邻的第四子像素区。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁和所述第二沉积壁在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁和所述第四沉积壁在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁在第一方向上相距第三距离L3，
所述第一、第二、第三子像素材料的倾斜沉积角分别为α1、α2、α3，其中α1、α2、α3分别为第一、第二、第三子像素材料的沉积方向与所述基板所成的角度并且都大于0度且小于90度，
第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
根据示例性实施例，所述第四子像素材料的倾斜沉积角为α4，其中α4为第四子像素材料的沉积方向与所述基板所成的角度并且大于0度且小于90度。
根据示例性实施例，α1、α2、α3中至少两者彼此相等。
根据示例性实施例，α4与α1、α2、α3中至少一者相等。
根据示例性实施例，所述第五沉积壁的高度h5和第六沉积壁的高度h6大于所述第一沉积壁的高度h1和第二沉积壁的高度h2，所述第一沉积壁与所述第五沉积壁具有位于同一平面内的内侧壁，所述第二沉积壁与所述第六沉积壁具有位于同一平面内的内侧壁。
根据示例性实施例，所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁和第六沉积壁，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第一对以及所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对且平行设置的两对第七沉积壁和第八沉积壁，所述第七沉积壁和所述第八沉积壁的第一对以及第七沉积壁和所述第八沉积壁的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，
第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)，
其中，所述第一沉积壁相对于所述第五沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区的宽度b2，所述第二沉积壁相对于所述第六沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区的宽度b1，所述第三沉积壁相对于所述第七沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区的宽度b4，所述第四沉积壁相对于所述第八沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素的宽度b3。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。
根据示例性实施例，所述沉积掩膜的材料选自光敏性聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、酚醛树脂、环氧树脂中的一种或多种。
根据示例性实施例，h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
根据示例性实施例，h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。
本发明实施例的第三方面提供一种用于OLED的像素布图的掩膜结构，包括：
位于基板上的包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁和第二沉积壁，与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁和第四沉积壁，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁和第六沉积壁，
根据该第二方面的掩膜结构，可以在沉积OLED器件的每个子像素区的材料时，利用倾斜沉积，通过该掩膜结构的相应沉积壁的遮挡作用而仅在目标区域中形成子像素材料且不会干扰其他子像素区，实现对各子像素区的材料的无掩模板沉积。
根据示例性实施例，所述像素布图包括与所述第三沉积壁相邻的第四子像素区。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁和所述第二沉积壁在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁和所述第四沉积壁在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁在第一方向上相距第三距离L3，
其中在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区的内侧边缘到所述第一沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α1，从所述第二子像素区的内侧边缘到所述第二沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区的内侧边缘到所述第三沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且
其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
根据示例性实施例，所述像素布图包括与所述第三沉积壁(在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第四子像素区的内侧边缘到所述第四沉积壁的顶部的连线与所述基板成角度α4，其中α4大于0度且小于90度。
根据示例性实施例，α1、α2、α3中至少两者彼此相等。
根据示例性实施例，α4与α1、α2、α3中至少一者相等。
根据示例性实施例，所述第五沉积壁的高度h5和第六沉积壁的高度h6大于所述第一沉积壁的高度h1和第二沉积壁的高度h2，所述第一沉积壁与所述第五沉积壁具有位于同一平面内的内侧壁，所述第二沉积壁与所述第六沉积壁具有位于同一平面内的内侧壁。
根据示例性实施例，所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁和第六沉积壁，所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第一对以及所述第五沉积壁和所述第六沉积壁的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁和第八沉积壁，所述第七沉积壁和所述第八沉积壁的第一对以及第七沉积壁和所述第八沉积壁的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，
第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)，
其中，所述第一沉积壁相对于所述第五沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区的宽度b2，所述第二沉积壁相对于所述第六沉积壁沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区的宽度b1，所述第三沉积壁相对于所述第七沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区的宽度b4，所述第四沉积壁相对于所述第八沉积壁沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素的宽度b3。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。
根据示例性实施例，所述沉积掩膜的材料选自光敏性聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、酚醛树脂、环氧树脂中的一种或多种。
根据示例性实施例，h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
根据示例性实施例，h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。
根据示例性实施例，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。
根据本发明实施例的以上第一到第三方面，由于不需要使用要求与基板的精确对准的精细金属掩模板，即使当母板玻璃的尺寸为第六代以上时，也可以容易地且精确地沉积OLED器件的各子像素材料(特别地，有机发光层)而形成像素区域。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明的一个实施例在进行沉积以提供对OLED器件的像素布图期间可以用作嵌入掩膜的沉积掩膜的形状的立体示意图；
图2是根据本发明的另一实施例在进行沉积以提供对OLED器件的像素布图期间可以用作嵌入掩膜的沉积掩膜的形状的立体示意图；
图3是根据本发明的实施例在倾斜角α1下从第一子像素材料源沉积第一子像素区的材料的示意图；
图4是根据本发明的实施例在倾斜角α2下从第二子像素材料源沉积第二子像素区的材料的示意图；
图5是示出在从第一子像素材料源沉积第一子像素区的材料期间第三子像素区受到保护的示意图；
图6是示出在从第二子像素材料源沉积第二子像素区的材料期间第三子像素区受到保护的示意图；
图7是根据本发明的实施例在倾斜角α3下从第三子像素材料源沉积第三子像素区的材料的示意图；
图8是根据本发明的实施例在倾斜角α4下从第四子像素材料源沉积第四子像素区的材料的示意图；
图9是根据本发明的一个实施例在沉积完成后的由三个子像素区形成的像素区域的平面图；
图10是根据本发明的另一实施例在沉积完成后的由四个子像素区形成的像素区域的平面图；
图11是根据本发明的再一实施例在沉积完成后的由四个子像素区形成的像素区域的平面图；
图12A是根据本发明的一个实施例在沉积完成后的显示面板上的像素阵列的平面图，其中每个像素区域由三个子像素区形成；
图12B是根据本发明的另一实施例在沉积完成后的显示面板上的像素阵列的平面图，其中每个像素区域由四个子像素区形成；以及
图12C是根据本发明的再一实施例在沉积完成后的显示面板上的像素阵列的平面图，其中每个像素区域由四个子像素区形成。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
另外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性、或者固定相应部件的相对位置、或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
下面参照图1－12对本发明的示例性实施例进行说明。
如图1-8所示，在OLED器件的有机材料沉积之前，通过例如旋涂和随后的光刻蚀刻在诸如TFT面板的基板顶上形成沉积掩膜。沉积掩膜被形成为使得在像素区域周围形成沉积壁，如图1和2所示。即，在基板上形成包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜。具体而言，该沉积掩膜包括在第一方向上相距第一距离L1、相对且平行设置的成对的第一沉积壁101和第二沉积壁201，在与第一方向相交的第二方向上相距第二距离L2、相对且平行设置的成对的第三沉积壁301和第四沉积壁401，以及在第一方向上相距第三距离L3、相对且平行设置的成对的第五沉积壁501和第六沉积壁601。
在相关附图中，使用实线双箭头表示第一方向，并使用虚线双箭头表示与第一方向相交的第二方向。
第一方向可以与第二方向成任何角度。在一个示例性实施例中，第一方向与第二方向正交。
本领域技术人员公知，像素是在图案化的发光显示器结构中能够发射光的重复单元。每个像素可以由一个或多个子像素构成。例如，在全色器件中，每个像素可以由三个或更多个子像素构成。
在如图1所示的一个示例性实施例中，所形成的沉积掩膜包围每个像素区域，并且每个像素区域包括将要在接下来的步骤中形成的三个子像素区1～3。
在如图2所示的一个示例性实施例中，所形成的沉积掩膜包围每个像素区域，并且每个像素区域包括将要在接下来的步骤中形成的四个子像素区1～4。
沉积掩膜可以由光敏材料形成。在示例性实施例中，沉积掩膜可以由光致抗蚀剂形成。利用光致抗蚀剂形成沉积掩膜，可以使用成熟的光刻工艺将沉积掩膜层形成为具有所需的图案。
在示例性实施例中，沉积掩膜的材料可以选自光敏性聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、酚醛树脂、环氧树脂中的一种或多种。举例而言，光敏性聚酰亚胺可以为聚甲基戊二酰亚胺(PMGI)、由Toray制造的PW-1000、PW-1200、PW-1500等。
所述基板可以为任何适合制造OLED器件的基板。在示例性实施例中，所述基板可以为TFT面板。
在基板上形成包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜之后，如图3-7所示，沿第一方向面向第二沉积壁201以角度α1将来自第一材料源102的第一子像素材料倾斜沉积到与第二沉积壁201相邻的第一子像素区1(图3)，沿第一方向面向第一沉积壁101以角度α2将来自第二材料源202的第二子像素材料倾斜沉积到与第一沉积壁101相邻的第二子像素区2(图4)，沿第二方向面向第四沉积壁401以角度α3将来自第三材料源302的第三子像素材料倾斜沉积到与第四沉积壁401相邻的第三子像素区3，其中α1、α2、α3分别为第一、第二、第三子像素材料的沉积方向与基板所成的角度并且都大于0度且小于90度，第一、第二、第三子像素材料彼此不同。
如图3所示，沿第一方向面向第二沉积壁201以角度α1将来自第一材料源102的第一子像素材料倾斜沉积到第一子像素区1。在来自第一材料源102的材料的沉积期间，沉积壁101在沉积壁101与沉积壁201之间形成被遮挡的区域，但沉积壁101的高度被选择为使得应沉积第一子像素材料的区域(第一子像素区1)未被遮盖，从而仅在与第二沉积壁201相邻的第一子像素区1中沉积第一子像素材料。该被遮挡的区域与第一沉积壁101相邻。第一沉积壁101的高度为h1，第一沉积壁101和第二沉积壁201相距的距离为L1，第一子像素区1的沿第一方向的宽度为b1。第一沉积壁101的高度h1可以使用下式(1)计算。
h1＝(L1-b1)×tan(α1)…(1)
如图4所示，沿第一方向面向第一沉积壁101以角度α2将来自第二材料源202的第二子像素材料倾斜沉积到第二子像素区2。在来自第二材料源202的材料的沉积期间，沉积壁201在沉积壁201与沉积壁101之间形成被遮挡的区域，但沉积壁201的高度被选择为使得应沉积第二子像素材料的区域(第二子像素区2)未被遮盖，从而仅在与第一沉积壁101相邻的第二子像素区2中沉积第二子像素材料。该被遮挡的区域与第二沉积壁201相邻。第二沉积壁201的高度为h2，第一沉积壁101和第二沉积壁201相距的距离为L1，第二子像素区2的沿第一方向的宽度为b2。第二沉积壁201的高度h2可以使用下式(2)计算。
h2＝(L1-b2)×tan(α2)…(2)
如图5所示，在从第一材料源102沉积第一子像素区1的材料(即，第一子像素材料)的期间，第五沉积壁501和第六沉积壁601保护第三子像素区3。第五沉积壁501和第六沉积壁601相距第三距离L3，其高度分别为h5和h6。从图5可以看出，为了确保第三子像素区3在第一子像素材料的沉积期间受到保护而不在第三子像素区3上沉积任何材料，第五沉积壁501的高度h5需要满足以下关系式(3)。
h5>L3×tan(α1)…(3)
如图6所示，在从第二材料源202沉积第二子像素区2的材料(即，第二子像素材料)的期间，第五沉积壁501和第六沉积壁601保护第三子像素区3。从图6可以看出，为了确保第三子像素区3在第二子像素材料的沉积期间受到保护而不在第三子像素区3上沉积任何材料，第六沉积壁601的高度h6需要满足以下关系式(4)。
h6>L3×tan(α2)…(4)
如图7所示，沿第二方向面向第四沉积壁401以角度α3将来自第三材料源302的第三子像素材料倾斜沉积到第三子像素区3。在来自第三材料源302的材料的沉积期间，沉积壁301在沉积壁301与沉积壁401之间形成被遮挡的区域，但沉积壁301的高度被选择为使得应沉积第三子像素材料的区域(第三子像素区3)未被遮盖，从而仅在与第四沉积壁401相邻的第三子像素区3中沉积第三子像素材料。该被遮挡的区域与第三沉积壁301相邻。第三沉积壁301的高度为h3，第三沉积壁301和第四沉积壁401相距的距离为L2，第三子像素区3的沿第二方向的宽度为b3。第三沉积壁301的高度h3可以使用下式(5)计算。
h3＝(L2-b3)×tan(α3)…(5)
图3-7所示例的实施例中，首先形成第一子像素区1，然后形成第二子像素区2，最后形成第三子像素区3。然而，本发明并不限制各子像素的形成顺序，可以根据实际情况调整各子像素的形成顺序。
用于形成各子像素区1～3的倾斜角度可以根据实际需要来确定。
在一个示例性实施例中，上述倾斜角α1、α2、α3可以彼此不相等。在另一个示例性实施例中，上述α1、α2、α3中至少两者彼此相等。这样，可以根据像素设计以及具体的工艺条件和需要来调整α1、α2、α3中的每一个，这可以更灵活地实现子像素材料的沉积。
在特定实施例中，上述α1、α2、α3可以彼此相等。在这种情况下，在沉积完一种像素材料、准备沉积下一种子像素材料时，可以仅使材料容器或基板相对旋转，以固定的同一角度α沉积各子像素材料，从而简化生产工艺。
在图1所示的示例性实施例中，使用常规三个子像素设计，其中三个子像素被沉积壁101、201、301、401、501和601包围，这三个子像素形成一个像素。例如，每个子像素可以为蓝色、红色或绿色。此外，一个像素也可以由四个子像素形成。图2所示的示例性实施例中，四个子像素被沉积壁101、201、301、401、501和601包围，这四个子像素形成一个像素。可以基于具体的显示设计来选择每个子像素的位置和尺寸。
如图8所示，当一个像素由四个子像素形成时，可以沿第二方向面向第三沉积壁301以角度α4将来自第四材料源402的第四子像素材料倾斜沉积到第四子像素区4。在来自第四材料源402的材料的沉积期间，沉积壁401在沉积壁301与沉积壁401之间形成被遮挡的区域，但沉积壁401的高度被选择为使得应沉积第四子像素材料的区域(第四子像素区4)未被遮盖，从而仅在与第三沉积壁301相邻的第四子像素区4中沉积第四子像素材料。该被遮挡的区域与第四沉积壁401相邻。第四沉积壁401的高度为h4，第三沉积壁301和第四沉积壁401相距的距离为L2，第四子像素区4的沿第二方向的宽度为b4。第四沉积壁401的高度h4可以使用下式(6)计算。
h4＝(L2-b4)×tan(α4)…(6)
在一个示例性实施例中，第四子像素材料可以与第一至第三子像素材料都不同。例如，该实施例可以被应用于其中包括R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)、W(白色)四个子像素的RGBW像素布局中，或者应用于其他需要四个子像素的像素布局中。
在一个示例性实施例中，第四子像素材料可以与其他三个子像素材料之一相同，例如，可以与第三子像素材料相同。从而，可以根据需要进行各种参数的补偿。
在一个示例性实施例中，α4与α1、α2、α3、α4中任一者都不相等。
在另一个示例性实施例中，α4与α1、α2、α3中至少一者相等。
在图1所示例的实施例和图2所示例的实施例中，第五沉积壁501的高度h5和第六沉积壁601的高度h6大于第一沉积壁的高度h1和第二沉积壁的高度h2，并且，第一沉积壁101与第五沉积壁501具有位于同一平面内的内侧壁，第二沉积壁201与第六沉积壁601具有位于同一平面内的内侧壁。
图9是根据图1所示例的实施例在沉积完成后的像素的平面图；图10是根据图2所示例的实施例在沉积完成后的像素的平面图。
如图9所示，在沉积完成后，子像素区1、2、3形成矩形像素区。如图10所示，子像素区1、2、3、4也形成矩形像素区。四个子像素区可以彼此不同，或者可以使其中的两者相同。例如，在四子像素布图中，每个像素可以具有子像素区1、子像素区2和两个子像素区3(此时子像素区4的材料被子像素区3的材料替代)。
下面结合图11描述本发明的另一个示例性实施例。在图11中，沉积壁用粗实线表示。
如图11所示，所述沉积掩膜可以包括两对第五沉积壁501和第六沉积壁601，第五沉积壁501和第六沉积壁601的第一对以及第五沉积壁501和第六沉积壁601的第二对分别位于成对的第一沉积壁101和第二沉积壁201的相反两侧。所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对且平行设置的两对第七沉积壁701和第八沉积壁801，第七沉积壁701和第八沉积壁801的第一对以及第七沉积壁701和第八沉积壁801的第二对分别位于成对的第三沉积壁301和第四沉积壁401的相反两侧。
在图11所示的实施例中，与图1和图2所示的实施例相似地，第一到第六沉积壁的高度同样要满足上述关系式(1)～(6)。此外，当以角度α3倾斜沉积第三子像素区3的第三子像素材料时，第七沉积壁701的高度h7需要被设计为完全遮挡第三子像素材料；同样，当以角度α4倾斜沉积第四子像素区4的第四子像素材料时，第八沉积壁801的高度h8需要被设计为完全遮挡第四子像素材料。通过与前面针对第五沉积壁和第六沉积壁(图5和图6)的相似的分析，可以确定，第七沉积壁101的高度h7和第八沉积壁802的高度h8需要满足以下关系式(7)和(8)。
h7>L4×tan(α3)…(7)
h8>L4×tan(α4)…(8)
如图11所示，第一沉积壁101相对于第五沉积壁501沿第一方向向像素区域的外侧偏移第二子像素区2的宽度b2，第二沉积壁201相对于第六沉积壁601沿第一方向向像素区域的外侧偏移第一子像素区1的宽度b1，第三沉积壁301相对于第七沉积壁701沿第二方向向像素区域的外侧偏移第四子像素区4的宽度b4，第四沉积壁401相对于第八沉积壁801沿第二方向向像素区域的外侧偏移第三子像素3的宽度b3。
在此，“内侧”和“外侧”是相对于OLED器件的每个相应像素区域的内侧和外侧。
此外，需要指出的是，在本发明的附图1、2、9～11中，为了清楚起见，各子像素区与沉积掩膜的各相应沉积壁的内侧壁之间绘制有间隔，但实际上，各子像素区与沉积掩膜的各相应沉积壁的内侧壁之间可以如图3、4、7、8所绘制的那样没有间隔。
在图11所示的实施例中，第一到第八沉积壁可以根据具体的需要而设计其高度。第一到第八沉积壁的高度可以彼此不同，也可以至少两者相同。
在特定实施例中，第一沉积壁到第八沉积壁具有相同的高度。在该实施例中，所有沉积壁具有相同高度，这使得沉积掩膜的形成工艺更加简单，从而降低生产成本。
在所有的子像素区的沉积完成后，可以使用粘性的粘合剂材料或其他手段从基板去除沉积掩膜。例如，可以在沉积掩膜的顶部施加粘合剂膜，然后向上将粘合剂膜与沉积掩膜一起移除，从而使沉积掩膜同时从基板分离。但本发明并不限于此，在最终形成的OLED器件或OLED面板中，沉积掩膜也可以被保留。
图12A是示出在去除沉积掩膜之后，在图9所示的实施例中形成的位于显示面板上的各子像素图案的平面图。在沉积所有的子像素材料之后，该图案化的显示区域包含多个像素，每个像素包括三个子像素。
这里，需要注意，图12A中各像素周边的虚线仅仅是为了区分各像素区域，并不一定代表沉积壁。
图12B是示出在去除沉积掩膜之后，在图10所示的实施例中形成的位于显示面板上的各子像素图案的平面图。在沉积所有的子像素材料之后，该图案化的显示区域包含多个像素，每个像素包括四个子像素。
这里，需要注意，图12B中各像素周边的虚线仅仅是为了区分各像素区域，并不一定代表沉积壁。
图12C是示出在去除沉积掩膜之后，在图11所示的实施例中形成的位于显示面板上的各子像素图案的平面图。在沉积所有的子像素材料之后，该图案化的显示区域包含多个像素，每个像素包括四个子像素。
这里，需要注意，图12C中各子像素周边的实线仅仅是为了区分各子像素区域，并不代表沉积壁。
在本发明实施例中，第一到第四子像素材料可以为OLED的有机发光层材料，或者也可以是在顶发射型OLED器件中为每个颜色提供所需的微腔长度的层。
对沉积掩膜的各沉积壁的厚度和长度没有特别的限制，可以根据具体的像素设计而设定沉积壁的厚度和长度。
本发明实施例还提供了一种用于OLED的像素布图的掩膜结构。该掩膜结构可以在上述对OLED器件进行像素布图的方法中使用。
具体地，如图1-11所示，该掩膜结构包括位于基板上的包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括：在第一方向上相距第一距离L1、相对且平行设置的成对的第一沉积壁101和第二沉积壁201，与第一方向相交的第二方向上相距第二距离L2、相对且平行设置的成对的第三沉积壁301和第四沉积壁401，以及在第一方向上相距第三距离L3、相对且平行设置的成对的第五沉积壁501和第六沉积壁601。
如图1、2、9～11所示，所述像素布图包括与第二沉积壁201相邻的第一子像素区1、与第一沉积壁101相邻的第二子像素区2以及与第四沉积壁401相邻的第三子像素区3。如图3和4所示，在沿第一方向切割而得到的切面中，从第一子像素区1的内侧边缘到第一沉积壁101的顶部的连线与基板成角度α1，从第二子像素区2的内侧边缘到第二沉积壁201的顶部的连线与基板成角度α2。如图所示，在沿第二方向切割而得到的切面中，从第三子像素区3的内侧边缘到第三沉积壁301的顶部的连线与基板成角度α3。α1、α2、α3都大于0度且小于90度。
如上面详细描述的以及如图3～7所示，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，第一子像素区1和第二子像素区2的沿第一方向的宽度分别为b1和b2，第三子像素区3的沿第二方向的宽度为b3，则满足以下关系：
h1＝(L1-b1)×tan(α1)；
h2＝(L1-b2)×tan(α2)；
h3＝(L2-b3)×tan(α3)；
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
根据示例性实施例，如图2、8、10、11所示，所述像素布图可以还包括与第三沉积壁301相邻的第四子像素区4。如图8所示，在沿第二方向切割而得到的切面中，从第四子像素区4的内侧边缘到第四沉积壁401的顶部的连线与基板成角度α4，其中α4大于0度且小于90度。第四子像素区4的沿第二方向的宽度为b4，则满足以下关系：
h4＝(L2-b4)×tan(α4)。
根据示例性实施例，α1、α2、α3彼此不相等。
根据示例性实施例，α1、α2、α3中至少两者彼此相等。
根据示例性实施例，α4与α1、α2、α3、α4中任一者都不相等。
根据示例性实施例，α4与α1、α2、α3中至少一者相等。
根据示例性实施例，如图1、2、9、10所示，第五沉积壁501的高度h5和第六沉积壁601的高度h6大于第一沉积壁101的高度h1和第二沉积壁102的高度h2，第一沉积壁101与第五沉积壁501具有位于同一平面内的内侧壁，第二沉积壁201与第六沉积壁601具有位于同一平面内的内侧壁。
根据示例性实施例，如图11所示，沉积掩膜可以包括两对第五沉积壁501和第六沉积壁601，第五沉积壁501和第六沉积壁601的第一对以及第五沉积壁501和第六沉积壁601的第二对分别位于成对的第一沉积壁101和第二沉积壁201的相反两侧。沉积掩膜可以还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对且平行设置的两对第七沉积壁701和第八沉积壁801。第七沉积壁701和第八沉积壁801的第一对以及第七沉积壁701和第八沉积壁801的第二对分别位于成对的第三沉积壁301和第四沉积壁401的相反两侧。
为了在第三和第四像素区的沉积期间不在第一和第二像素区中沉积任何材料，第七沉积壁701的高度h7和第八沉积壁801的高度h8需要满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)。
如图11所示，第一沉积壁101可以相对于第五沉积壁501沿第一方向向像素区域的外侧偏移第二子像素区2的宽度b2，第二沉积壁201可以相对于第六沉积壁601沿第一方向向像素区域的外侧偏移第一子像素区1的宽度b1，第三沉积壁301可以相对于第七沉积壁701沿第二方向向像素区域的外侧偏移第四子像素区4的宽度b4，第四沉积壁401可以相对于第八沉积壁801沿第二方向向像素区域的外侧偏移第三子像素3的宽度b3。
根据示例性实施例，第一沉积壁到第八沉积壁可以具有相同的高度。
根据示例性实施例，第一方向可以与第二方向正交。
根据示例性实施例，沉积掩膜可以由光致抗蚀剂材料形成。
根据示例性实施例，沉积掩膜的材料可以选自光敏性聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、酚醛树脂、环氧树脂中的一种或多种。
根据示例性实施例，基板可以为TFT面板。
如图1、2、9～11、12A-12C所示，本发明实施例的OLED面板所包括的像素结构包括第一到第三子像素区1～3，第一子像素区1和第二子像素区2在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区3位于第一和第二子像素区的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
根据本发明实施例的像素结构可以在不利用要求精确对准的掩模板的情况下形成。
根据示例性实施例，如图2、10、11、12B、12C所示，该像素结构可以还包括第四子像素区4，其位于第一和第二子像素区的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，第三子像素区3和第四子像素区4在第二方向上彼此对齐。
根据示例性实施例，第四子像素区4的材料可以与第一到第三子像素区之一的材料相同。例如，第四子像素区4的材料可以与第三子像素区3的材料相同。
根据示例性实施例，如图1、2、9、10所示，第三子像素区3的在第一方向上的两个边可以分别与第一子像素区1和第二子像素区2的在第一方向上的外侧边对齐。
根据示例性实施例，如图2、10所示，第四子像素区4的在第一方向上的两个边可以分别与第一到第三子像素区的在第一方向上的外侧边对齐。
根据示例性实施例，如图11、12C所示，第三子像素区3的在第二方向上的外侧边和第四子像素区4在第二方向上的外侧边可以分别相对于成对的第一子像素区1和第二子像素区2的在第二方向上的两个外侧边向外偏移第三子像素区3的宽度和第四子像素区4的宽度，并且第一子像素区1的在第一方向上的外侧边和第二子像素区2的在第一方向上的外侧边分别相对于成对的第三子像素区3和第四子像素区4的在第一方向上的两个外侧边向外偏移第一子像素区1的宽度和第二子像素区2的宽度。
根据示例性实施例，第一方向可以与第二方向正交。
根据示例性实施例，第一到第四子像素区的材料可以为OLED的有机发光层材料。
在本说明书中，典型的子像素区可以具有范围为1～200μm的宽度b，其中优选范围为5～50μm，优选值为15μm。
沉积角α可以具有1～89度的范围，优选范围为15～60度，优选值为30度。
沉积壁101和201之间的距离L1可以等于沉积壁501和601之间的距离L3，可以在2～400μm的范围内，优选范围为12～105μm，优选值为35μm；沉积壁301和401之间的距离L2可以在3～600μm的范围内，优选范围为18～160μm，优选值为50μm。
基于上述数值或数值范围以及上述各式(1)-(8)，沉积壁高度h1、h2可以具有0.02～10000μm的范围，优选范围为1.8～95μm，优选值为11μm；沉积壁高度h3、h4、h5、h6可以具有0.05～34000μm的范围，优选范围为4.8～165μm，优选值为20μm。
以上值对于图9所代表的布图是适用的。对于图10所代表的布图，L2、L4的优选值可以为65μm，而h3、h4、h5、h6的优选值可以为37μm，其余的值和范围可以与图9所代表的布图适用的值和范围相同。
对于图11所表示的布图，像素宽度和沉积角与上述分别相同，而L1、L2、L3、L4可以具有4～800μm的范围，优选范围为20～200μm，优选值为60μm；所有的第一到第八沉积壁可以具有相同高度，该高度在0.07～45000μm的范围内，优选范围为5.4～346μm，优选值为34μm。
然而，需要说明的是，这里给出的各参数的范围仅仅是示例性的，并不旨在限制本发明。本领域技术人员可以根据实际需要对上述范围和数值进行适当的修改。
根据本发明实施例，由于不需要使用要求与基板精确对准的精细金属掩模板，即使当母板玻璃的尺寸为第六代以上时，也可以容易地且精确地沉积各子像素材料(特别地，有机发光层)而形成像素区域。
本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (36)

1.一种OLED面板，包括像素结构，其特征在于所述像素结构包括：
第一到第四子像素区(1，2，3，4)，第一子像素区(1)和第二子像素区(2)在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区(3)位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸，第四子像素区(4)位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素区(3)和所述第四子像素区(4)在第二方向上彼此对齐，
所述第三子像素区(3)的在第二方向上的外侧边和所述第四子像素区(4)的在第二方向上的外侧边分别相对于成对的第一子像素区(1)和第二子像素区(2)的在第二方向上的两个外侧边向外偏移所述第三子像素区(3)的宽度和所述第四子像素区(4)的宽度，并且第一子像素区(1)的在第一方向上的外侧边和所述第二子像素区(2)的在第一方向上的外侧边分别相对于成对的第三子像素区(3)和第四子像素区(4)的在第一方向上的两个外侧边向外偏移所述第一子像素区(1)的宽度和所述第二子像素区(2)的宽度，
其中，每组第一到第四子像素区(1，2，3，4)形成一个像素区。
2.根据权利要求1所述的OLED面板，其特征在于还包括：
包围所述像素结构的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁(101)和第二沉积壁(201)，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁(301)和第四沉积壁(401)，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，其中
所述第一子像素区(1)与所述第二沉积壁(201)相邻，所述第二子像素区(2)与所述第一沉积壁(101)相邻，第三子像素区(3)与所述第四沉积壁(401)相邻。
3.根据权利要求2所述的OLED面板，其特征在于
所述第一沉积壁(101)和所述第二沉积壁(201)在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁(301)和所述第四沉积壁(401)在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)在第一方向上相距第三距离L3，
在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区(1)的内侧边缘到所述第一沉积壁(101)的顶部的连线与基板成角度α1，从所述第二子像素区(2)的内侧边缘到所述第二沉积壁(201)的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区(3)的内侧边缘到所述第三沉积壁(301)的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且
其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
4.根据权利要求3所述的OLED面板，其特征在于，
h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
5.根据权利要求4所述的OLED面板，其特征在于，
h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
6.一种OLED面板，包括像素结构，其特征在于所述像素结构包括：
第一到第四子像素区(1，2，3，4)，第一子像素区(1)和第二子像素区(2)在第一方向上对齐且都沿与第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素区(3)位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸，第四子像素区(4)位于第一和第二子像素区(1，2)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素区(3)和所述第四子像素区(4)在第二方向上彼此对齐，
所述OLED面板还包括：包围所述像素结构的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁(101)和第二沉积壁(201)，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁(301)和第四沉积壁(401)，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，其中
所述第一子像素区(1)与所述第二沉积壁(201)相邻，所述第二子像素区(2)与所述第一沉积壁(101)相邻，第三子像素区(3)与所述第四沉积壁(401)相邻，
所述第一沉积壁(101)和所述第二沉积壁(201)在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁(301)和所述第四沉积壁(401)在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)在第一方向上相距第三距离L3，
在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区(1)的内侧边缘到所述第一沉积壁(101)的顶部的连线与基板成角度α1，从所述第二子像素区(2)的内侧边缘到所述第二沉积壁(201)的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区(3)的内侧边缘到所述第三沉积壁(301)的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且
其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)，其中
所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第一对以及所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁(701)和第八沉积壁(801)，所述第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第一对以及第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，
第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)，
其中，所述第一沉积壁(101)相对于所述第五沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区(2)的宽度b2，所述第二沉积壁(201)相对于所述第六沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区(1)的宽度b1，所述第三沉积壁(301)相对于所述第七沉积壁(701)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区(4)的宽度b4，所述第四沉积壁(401)相对于所述第八沉积壁(801)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素区(3)的宽度b3，
其中，每组第一到第四子像素区(1，2，3，4)形成一个像素区。
7.根据权利要求6所述的OLED面板，其特征在于
所述第三子像素区(3)的在第二方向上的外侧边和所述第四子像素区(4)的在第二方向上的外侧边分别相对于成对的第一子像素区(1)和第二子像素区(2)的在第二方向上的两个外侧边向外偏移所述第三子像素区(3)的宽度和所述第四子像素区(4)的宽度，并且第一子像素区(1)的在第一方向上的外侧边和所述第二子像素区(2)的在第一方向上的外侧边分别相对于成对的第三子像素区(3)和第四子像素区(4)的在第一方向上的两个外侧边向外偏移所述第一子像素区(1)的宽度和所述第二子像素区(2)的宽度。
8.根据权利要求6所述的OLED面板，其特征在于，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。
9.根据权利要求6所述的OLED面板，其特征在于，
h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
10.根据权利要求9所述的OLED面板，其特征在于，
h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
11.根据权利要求8所述的OLED面板，其特征在于，
所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。
12.根据权利要求11所述的OLED面板，其特征在于，
所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。
13.一种OLED器件制作方法，其特征在于包括：
在基板上形成包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁(101)和第二沉积壁(201)，在与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁(301)和第四沉积壁(401)，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)；
沿第一方向面向所述第二沉积壁(201)将第一子像素材料倾斜沉积到与所述第二沉积壁(201)相邻的第一子像素区(1)，沿第一方向面向所述第一沉积壁(101)将第二子像素材料倾斜沉积到与所述第一沉积壁(101)相邻的第二子像素区(2)，沿第二方向面向所述第四沉积壁(401)将第三子像素材料倾斜沉积到与所述第四沉积壁(401)相邻的第三子像素区(3)，沿第二方向面向所述第三沉积壁(301)将第四子像素材料倾斜沉积到与所述第三沉积壁(301)相邻的第四子像素区(4)，
其中，所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第一对以及所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁(701)和第八沉积壁(801)，所述第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第一对以及第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁(301)和所述第四沉积壁(401)的相反两侧，
其中，所述第一沉积壁(101)相对于所述第五沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区(2)的宽度b2，所述第二沉积壁(201)相对于所述第六沉积壁(601)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区(1)的宽度b1，所述第三沉积壁(301)相对于所述第七沉积壁(701)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区(4)的宽度b4，所述第四沉积壁(401)相对于所述第八沉积壁(801)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素区(3)的宽度b3。
14.根据权利要求13所述的OLED器件制作方法，其特征在于
所述第一沉积壁(101)和所述第二沉积壁(201)在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁(301)和所述第四沉积壁(401)在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)在第一方向上相距第三距离L3，
所述第一、第二、第三子像素材料的倾斜沉积角分别为α1、α2、α3，其中α1、α2、α3分别为第一、第二、第三子像素材料的沉积方向与所述基板所成的角度并且都大于0度且小于90度，
第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
15.根据权利要求13所述的OLED器件制作方法，其特征在于
所述第四子像素材料的倾斜沉积角为α4，其中α4为第四子像素材料的沉积方向与所述基板所成的角度并且大于0度且小于90度。
16.根据权利要求14所述的OLED器件制作方法，其特征在于，α1、α2、α3中至少两者彼此相等。
17.根据权利要求15所述的OLED器件制作方法，其特征在于，α4与α1、α2、α3中至少一者相等。
18.根据权利要求14所述的OLED器件制作方法，其特征在于，
第七沉积壁(701)和第八沉积壁(801)的高度分别为h7和h8，满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)。
19.根据权利要求18所述的OLED器件制作方法，其特征在于，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。
20.根据权利要求13所述的OLED器件制作方法，其特征在于，所述沉积掩膜的材料选自光敏性聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、酚醛树脂、环氧树脂中的一种或多种。
21.根据权利要求14所述的OLED器件制作方法，其特征在于，
h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
22.根据权利要求21所述的OLED器件制作方法，其特征在于，
h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
23.根据权利要求19所述的OLED器件制作方法，其特征在于，
所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。
24.根据权利要求23所述的OLED器件制作方法，其特征在于，
所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。
25.一种用于OLED的像素布图的掩膜结构，其特征在于包括：
位于基板上的包围每个像素区域的图案化的沉积掩膜，所述沉积掩膜包括在第一方向上相对设置的成对的第一沉积壁(101)和第二沉积壁(201)，与第一方向相交的第二方向上相对设置的成对的第三沉积壁(301)和第四沉积壁(401)，以及在第一方向上相对设置的成对的第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，
所述像素布图包括与所述第二沉积壁(201)相邻的第一子像素区(1)、与所述第一沉积壁(101)相邻的第二子像素区(2)、与所述第四沉积壁(401)相邻的第三子像素区(3)、以及与所述第三沉积壁(301)相邻的第四子像素区(4)，
其中，所述沉积掩膜包括两对第五沉积壁(501)和第六沉积壁(601)，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第一对以及所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)的第二对分别位于成对的所述第一沉积壁和所述第二沉积壁的相反两侧，所述沉积掩膜还包括在第二方向上相距第四距离L4、相对设置的两对第七沉积壁(701)和第八沉积壁(801)，所述第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第一对以及第七沉积壁(701)和所述第八沉积壁(801)的第二对分别位于成对的所述第三沉积壁和所述第四沉积壁的相反两侧，
其中，所述第一沉积壁(101)相对于所述第五沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第二子像素区(2)的宽度b2，所述第二沉积壁(201)相对于所述第六沉积壁(501)沿所述第一方向向所述像素区域的外侧偏移第一子像素区(1)的宽度b1，所述第三沉积壁(301)相对于所述第七沉积壁(701)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第四子像素区(4)的宽度b4，所述第四沉积壁(401)相对于所述第八沉积壁(801)沿所述第二方向向所述像素区域的外侧偏移第三子像素区(3)的宽度b3，
其中，每组第一到第四子像素区(1，2，3，4)形成一个像素区。
26.根据权利要求25所述的掩膜结构，其特征在于，
所述第一沉积壁(101)和所述第二沉积壁(201)在第一方向上相距第一距离L1，所述第三沉积壁(301)和所述第四沉积壁(401)在第二方向上相距第二距离L2，所述第五沉积壁(501)和所述第六沉积壁(601)在第一方向上相距第三距离L3，
在沿所述第一方向切割而得到的切面中，从所述第一子像素区(1)的内侧边缘到所述第一沉积壁(101)的顶部的连线与所述基板成角度α1，从所述第二子像素区(2)的内侧边缘到所述第二沉积壁(201)的顶部的连线与所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第三子像素区(3)的内侧边缘到所述第三沉积壁(301)的顶部的连线与所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于0度且小于90度，并且
其中，第一到第六沉积壁的高度分别为h1、h2、h3、h4、h5、h6，则满足以下关系：
h5>L3×tan(α1)；
h6>L3×tan(α2)。
27.根据权利要求25所述的掩膜结构，其特征在于，
在沿所述第二方向切割而得到的切面中，从所述第四子像素区(4)的内侧边缘到所述第四沉积壁(401)的顶部的连线与所述基板成角度α4，其中α4大于0度且小于90度。
28.根据权利要求26或27所述的掩膜结构，其特征在于，α1、α2、α3中至少两者彼此相等。
29.根据权利要求27所述的掩膜结构，其特征在于，α4与α1、α2、α3中至少一者相等。
30.根据权利要求26所述的掩膜结构，其特征在于，
第七沉积壁和第八沉积壁的高度分别为h7和h8，满足以下关系：
h7>L4×tan(α3)；
h8>L4×tan(α4)。
31.根据权利要求30所述的掩膜结构，其特征在于，所述第一沉积壁到所述第八沉积壁具有相同的高度。
32.根据权利要求25所述的掩膜结构，其特征在于，所述沉积掩膜的材料选自光敏性聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、酚醛树脂、环氧树脂中的一种或多种。
33.根据权利要求26所述的掩膜结构，其特征在于，
h1、h2的范围为0.02～10000μm，h3、h4、h5、h6的范围为0.05～34000μm。
34.根据权利要求33所述的掩膜结构，其特征在于，
h1、h2的范围为1.8～95μm，h3、h4、h5、h6的范围为4.8～165μm。
35.根据权利要求31所述的掩膜结构，其特征在于，
所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为0.07～45000μm。
36.根据权利要求35所述的掩膜结构，其特征在于，
所述第一沉积壁到所述第八沉积壁中的每一个的高度的范围为5.4～346μm。
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