KR102090198B1 - 파인 메탈 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
파인 메탈 마스크 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법은 베이스 부재의 일면의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계, 상기 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계, 상기 베이스 부재의 타면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계, 및 상기 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 파인 메탈 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중 유기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고, 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 여러 개의 서브 픽셀이 하나의 픽셀을 이룬다. 유기 발광 표시 장치를 제조하는 과정에서 각각의 서브 픽셀은 여러 가지 방법에 의하여 형성시킬 수 있는데, 이중 하나의 방법이 증착법이다.
증착 방법을 이용하여 서브 픽셀을 형성하기 위해서는 기판 상에 형성될 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 가지는 파인 메탈 마스크(FMM: fine metal mask)를 정렬한다. 파인 메탈 마스크에서 패턴과 대응되는 부분에는 관통부들이 형성된다. 이러한 파인 메달 마스크로 유기물을 기판 상에 증착하여 소망하는 패턴의 박막을 형성하게 된다.
그러나, 종래의 파인 메탈 마스크를 제조하는 방법은 하측과 상측 각각을 식각하여 완료하는 것이 일반적이다. 이러한 방법에 의해 제조된 종래의 파인 메탈 마스크에서 유기물이 증착되는 부분과 대응되는 관통부의 수직 단면의 형상이 반원이 중첩된 형상이다. 그러므로, 관통부의 일부분이 돌출된 형상이 일반적이므로, 관통부 내부의 둔턱의 높이를 감소시키기가 어려운 문제점이 있다.
본 발명의 일 실시예는 둔턱의 높이가 감소될 수 있게 한 파인 메탈 마스크 및 그 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법은 베이스 부재의 일면의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계, 상기 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계, 상기 베이스 부재의 타면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계, 및 상기 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계는, 제1 포토 레지스트로 상기 제1 인입부를 채우는 단계, 하프톤 마스크(Halftone mask)를 상기 베이스 부재의 하면에 인접하게 배치하는 단계, 및 상기 하프톤 마스크를 노광하여 상기 제1 인입부의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 하프톤 마스크는, 상기 제1 인입부의 중간 부분과 대응되는 부분과 대응되는 부분은 빛을 투과시키지 않도록 형성되고, 상기 제1 인입부의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분과 대응되는 부분은 빛을 투과시키도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 부재의 하측의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계는, 상기 베이스 부재의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스 부재의 하측을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 부재의 상면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계는, 상기 베이스 부재의 상면에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스 부재의 상측을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 단계 이전에는, 제2 포토 레지스트로 상기 제1 인입부를 채우는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 인입부는 상기 베이스 부재의 하면에 형성되고, 상기 제2 인입부는 상기 베이스 부재의 상면에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 파인 메탈 마스크는 판형으로 이루어진 베이스 부재, 및 상기 베이스 부재를 관통하도록 형성된 관통홀을 포함하며, 상기 관통홀은, 하방으로 갈수록 내부폭이 좁아지게 형성된 상부와, 상기 상부와 연통되어 내부폭이 동일하게 유지되는 형상으로 이루어진 하부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 하부를 형성하는 내벽면은 상기 베이스 부재의 상면 또는 하면을 기준으로 수직방향으로 형성된 평면일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법에 의해 제조된 파인 메탈 마스크에서는 관통홀 내부의 둔턱의 높이가 파인 메탈 마스크의 관통부의 둔턱의 높이보다 감소될 수 있다. 이와 같이 둔턱의 높이가 감소되어 둔턱에 의해 발생되는 쉐도우 폭을 종래의 파인 메탈 마스크보다 감소시킬 수 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크는 종래의 파인 메탈 마스크보다 쉐도우 폭이 감소됨으로써, 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 제조하는데 있어서 더욱 유리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크를 사용하여 기판 상에 유기막을 증착하는 경우가 종래의 파인 메탈 마스크로 기판 상에 유기막을 증착하는 경우 보다, 기판 상에 유기막이 균일하게 증착되는 면적이 넓어지게 된다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 개구율이 향상될 수 있으므로, 수명을 향상시키는데 있어서 더욱 유리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법을 순차적으로 도시한 순서도.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법의 각 단계를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 베이스 부재의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴이 형성되고, 상면에 제2 포토 레지스트 패턴이 형성된 상태를 도시한 단면도.
도 3은 베이스 부재의 하측을 1차로 식각하여 제1 인입부를 형성하는 과정을 도시한 단면도.
도 4는 제1 인입부에 제1 포토 레지스트를 채워 넣은 상태를 도시한 단면도.
도 5는 하프톤 마스크로 제1 인입부를 식각하는 과정을 도시한 단면도.
도 6은 베이스 부재에서 제1 인입부 내부를 2차로 식각한 상태를 도시한 단면도.
도 7은 베이스 부재의 상측을 식각하여 제2 인입부를 형성하는 과정을 도시한 단면도.
도 8은 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 과정을 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크를 도시한 단면도.
도 10은, 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크로 기판 상에 유기물을 증착하는 과정을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법의 각 단계를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 베이스 부재의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴이 형성되고, 상면에 제2 포토 레지스트 패턴이 형성된 상태를 도시한 단면도.
도 3은 베이스 부재의 하측을 1차로 식각하여 제1 인입부를 형성하는 과정을 도시한 단면도.
도 4는 제1 인입부에 제1 포토 레지스트를 채워 넣은 상태를 도시한 단면도.
도 5는 하프톤 마스크로 제1 인입부를 식각하는 과정을 도시한 단면도.
도 6은 베이스 부재에서 제1 인입부 내부를 2차로 식각한 상태를 도시한 단면도.
도 7은 베이스 부재의 상측을 식각하여 제2 인입부를 형성하는 과정을 도시한 단면도.
도 8은 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 과정을 도시한 단면도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크를 도시한 단면도.
도 10은, 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크로 기판 상에 유기물을 증착하는 과정을 개략적으로 도시한 단면도.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 제1실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법은 베이스 부재의 일면의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계(S10), 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계(S20), 베이스 부재의 타면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계(S30), 및 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 단계(S40)를 포함한다.
이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법의 각 단계를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 한편, 제1 인입부는 상기 베이스 부재의 하면에 형성되고, 제2 인입부는 상기 베이스 부재의 상면에 형성된 것으로 가정하여 설명한다.
도 2 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법의 각 단계를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 베이스 부재(110)의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴(P1)이 형성되고, 상면에 제2 포토 레지스트 패턴(P2)이 형성된 상태를 도시한 단면도이고, 도 3은 베이스 부재(110)의 하측을 1차로 식각하여 제1 인입부(M1)를 형성하는 과정을 도시한 단면도이다.
우선, 도 2 및 도 3을 참조하면, 베이스 부재(110)의 일면의 일부분에 제1 인입부(M1)를 형성하는 단계(S10, 도1 참조)를 상세하게 설명한다. 이 단계는, 베이스 부재(110)의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴(P1)을 형성하는 단계와, 제1 포토 레지스트 패턴(P1)을 마스크로 하여 베이스 부재(110)의 하측을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
베이스 부재(110)의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴(P1)을 형성하는 방법은 일예로 베이스 부재(110)의 하면에 포토 레지스트(Photo resist)를 균일하게 도포하고, 미도시된 마스크를 배치하며, 이러한 마스크의 외부로부터 빛을 조사하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 방법이 사용될 수 있다.
한편, 제1 포토 레지스트 패턴(P1)을 마스크로 하여 베이스 부재(110)의 하측을 식각하는 단계에서는, 식각액(E)에 의한 습식 식각(wet etching)으로 제1 포토 레지스트 패턴(P1)이 형성되지 않은 부분이 일정 깊이로 식각되도록 할 수 있다. 단, 베이스 부재(110)의 하측을 습식 식각(wet etching)에 의한 방법으로 식각하는 것으로 반드시 한정하지는 않는다.
도 4는 제1 인입부(M1, 도 3 참조)에 제1 포토 레지스트(B1)를 채워 넣은 상태를 도시한 단면도이고, 도 5는 하프톤 마스크(200)로 제1 인입부(M1, 도 3 참조)를 식각하는 과정을 도시한 단면도이며, 도 6은 베이스 부재(110)에서 제1 인입부(M1, 도 3 참조) 내부를 2차로 식각한 상태를 도시한 단면도이다.
다음으로, 제1 인입부(M1, 도 3 참조)에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계(S20, 도 1 참조)를 상세하게 설명한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 포토 레지스트(B1)로 제1 인입부(M1, 도 3 참조)를 채운다. 여기서, 제1 인입부(M1, 도 3 참조)에 채워지는 제1 포토 레지스트(B1)는 일반적인 식각 공정에서 사용되는 포토 레지스트일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 하프톤 마스크(200, Halftone mask)를 베이스 부재(110)의 하면에 인접하게 배치하고, 하프톤 마스크(200)를 노광하여 제1 인입부(M1)의 중간 부분(B1a)을 제외한 나머지 가장자리 부분(B1b)을 식각할 수 있다.
여기서, 하프톤 마스크(200)는 제1 인입부(M1)의 중간 부분(B1a)과 대응되는 부분과 대응되는 부분은 빛을 투과시키지 않도록 형성된다. 그리고, 제1 인입부(M1)의 중간 부분(B1a)을 제외한 나머지 가장자리 부분(B1b)과 대응되는 부분은 빛을 투과시키도록 형성된 것일 수 있다.
하프톤 마스크(200)의 상세한 구조는 일예로, 하판(201)과 상판(202)을 포함할 수 있다. 하판(201)은 외부로부터 조사되는 빛을 대략 70% 이상 투과하는 소재로 이루어질 수 있다. 하판(201)의 소재는 일예로 실리사이드(Mosi), 크롬(Cr), 규소(Si), 몰리브덴(Mo), 탄탈(Ta), 티타늄(TI), 알루미늄(Al), 지르코늄(Zr), 인듐(In), 마그네슘(Mg), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 네오디뮴(Nd) 및 게르마늄(Ge) 중 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있다.
그리고, 상판(202)은 차광 소재로 이루어질 수 있다. 상판(202)의 소재의 일예로 크롬일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 상판(202)은 하판(201) 상에 형성된다. 상판(202)은 하판(201)의 중간 부분에만 형성된다. 즉, 이러한 차광 소재로 이루어진 하판(201)에 의해 식각 과정에서 제1 인입부(M1)의 중간 부분(B1a)은 식각이 되지 않는다. 그리고, 제1 인입부(M1)의 중간 부분(B1a)을 제외한 나머지 가장자리 부분(B1b)은 하프톤 마스크(200)의 상판(202)에 의해 베이스 부재(110)의 바닥면으로부터 일정한 높이만큼 식각이 이루어질 수 있다. 이에 따라, 도 6의 G영역에 도시된 바와 같이, 베이스 부재(110)의 바닥면으로부터 균일한 높이로 식각이 이루어짐으로써, 제1 인입부(M1)의 내벽면이 평면으로 형성되고, 제1 인입부(M1)의 천정도 평면으로 형성된다.
여기서, 하프톤 마스크(200, 도 5 참조)가 반드시 하판(201, 도 5 참조)과 상판(202, 도 5 참조)으로 이루어진 것으로 한정하지는 않으며, 일부 영역은 빛을 투과시키고, 나머지 영역은 빛을 투과시키지 않도록 이루어진 구조이면 어느 구조를 사용하여도 무방할 수 있다.
도 3으로 되돌아가서, 1차로 식각된 제1 인입부(M1)의 수직 단면의 형상은 원호(Arc) 형상일 수 있다. 그리고, 도 6에 도시된 바와 같이, 하프톤 마스크(200)를 사용하여 2차로 식각된 제1 인입부(M1)의 형상은 직사각형 형상이 된다.
도 7은 베이스 부재(110)의 상측을 식각하여 제2 인입부(M2)를 형성하는 과정을 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 베이스 부재(110)의 타면의 일부분에 제2 인입부(M2)를 형성하는 단계(S30, 도 1 참조)의 일예를 상세하게 설명한다. 베이스 부재(110)의 상면의 일부분에 제2 인입부(M2)를 형성하는 단계(S30, 도 1 참조)는 베이스 부재(110)의 상면에 제2 포토 레지스트 패턴(P2)을 형성하는 단계, 및 제2 포토 레지스트 패턴(P2)을 마스크로 하여 베이스 부재(110)의 상측을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
이와 같이 베이스 부재(110)의 상면의 일부분에 제2 인입부(M2)를 형성하는 단계(S30, 도 1 참조)는, 전술한 베이스 부재(110)의 하면의 일부분에 제1 인입부(M1)를 형성하는 단계(S20, 도 1 참조)와 유사하게 식각액(E)에 의한 습식 식각 방법이 사용될 수 있으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 8은 베이스 부재(110)의 제1 인입부(M1)와 제2 인입부(M2)를 연통시키는 과정을 도시한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 최종적으로, 베이스 부재(110)의 제1 인입부(M1, 도 6 참조)와 제2 인입부(M2)를 연통시키는 단계(S40, 도 1 참조)를 실시한다. 이 단계에서는 식각액(E)으로 제2 인입부(M2)를 재차 식각하여 1 인입부와 제2 인입부(M2)를 연통시킨다. 그리고, 베이스 부재(110)의 제1 인입부(M1, 도 6 참조)와 제2 인입부(M2)를 연통시키는 단계(S40, 도 1 참조) 이후에는, 베이스 부재(110)의 상하면 각각에 잔존하는 제1 포토 레지스트 패턴(P1) 또는 제 2 포토 레지스트 패턴(P2)을 제거할 수 있다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 파인 메탈 마스크 제조 방법은 제2 포토 레지스트(B2)로 제1 인입부(M1, 도 6 참조)를 채우는 단계를 더 포함할 수 있다.
제2 포토 레지스트(B2)로 제1 인입부(M1, 도 6 참조)를 채우는 단계는 베이스 부재(110)의 제1 인입부(M1, 도 6 참조)와 제2 인입부(M2)를 연통시키는 단계(S40, 도 1 참조) 이전에 실시될 수 있다. 이와 같이 제1 인입부(M1, 도 6 참조)에 제2 포토 레지스트(B2)를 채우고 나서 식각을 진행함으로써, 제1 인입부(M1, 도 6 참조)의 내벽이 식각액(E)에 의해 식각되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 제1 인입부(M1, 도 6 참조)의 형상이 설계에 맞게 더욱 정확하게 형성될 수 있다. 여기서, 제1 인입부(M1, 도 6 참조)에 채워지는 제2 포토 레지스트(B2)는 일반적인 식각 장비에서 사용되는 포토 레지스트일 수 있으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이하에서는 전술한 파인 메탈 마스크 제조 방법에 의해 제조된 본 발명의 일실시예에 따른 파인 메탈 마스크(100)의 구조에 대해 상세하게 설명한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크(100)를 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 파인 메탈 마스크(100)는 베이스 부재(110)와, 관통부(H1, H2)를 포함한다.
베이스 부재(110)는 판형으로 이루어진다. 베이스 부재(110)는 파인 메탈 마스크(100)의 몸체가 된다. 이러한 베이스 부재(110)는 미도시 되었으나 스틱(Stick) 형상으로 이루어질 수 있다. 스틱 형상의 베이스 부재(110)들이 미도시된 프레임에 인장된 상태로 나란하게 결합될 수 있다.
관통부(H1, H2)는 베이스 부재(110)를 관통하도록 형성된다. 관통부(H1, H2)는 베이스 부재(110)에 패턴 형성될 수 있다. 관통부(H1, H2)는 유기 발광 표시 장치의 한 개의 서브 화소(sub pixel)와 대응되는 크기로 이루어질 수 있다. 일반적인 유기 발광 표시 장치는 그린발광화소, 블루발광화소, 및 레드발광화소, 3개의 서브 화소가 하나의 그룹을 이루어서 색이 표현될 수 있다. 관통부(H1, H2)의 크기는 각각의 발광화소 하나의 크기와 유사한 크기로 이루어질 수 있다.
여기서, 유기 발광 표시 장치는 그린발광화소, 블루발광화소, 및 레드발광화소, 3개의 화소가 하나의 그룹을 이루어서 색을 표현한다고 기재하였으나, 이는 설명의 편의를 위해 가정한 것 일뿐, 설계에 따라 그룹에 백색발광화소를 추가하거나, 어느 한 색상의 발광화소를 가감하는 것도 가능하다.
이러한 관통부(H1, H2)는 상부(H1)과 하부(H2)로 이루어진다. 상부(H1)는 하방으로 갈수록 내부폭이 좁아지게 형성된다. 즉, 상부(H1)에서 하부(H2)의 경계 부분의 내부폭은 가장 좁게 이루어질 수 있다.
하부(H2)는 상부(H1)과 연통되어 내부폭이 동일하게 형성된다. 즉, 하부(H2)을 형성하는 내벽면(111, 도 10 참조)은 베이스 부재(110)의 상면 또는 하면을 기준으로 수직 방향으로 형성된 평면이다.
전술한 바와 같이 미도시된 종래의 파인 메탈 마스크의 관통부의 형상은 하부의 수직 단면의 형상이 반원인 것이 일반적이므로, 하부는 하방으로 갈수록 내부폭이 넓어지는 형상으로 이루어진다. 이에 따라, 상부와 하부의 경계 부분의 내부폭이 가장 좁게 형성될 수 있다.
그러나, 종래의 파인 메탈 마스크와 다르게, 와 같은 구조로 이루어진 본 발명에 따른 파인 메탈 마스크(100)에서는, 하부(H2)의 수직 단면의 형상이 상하 방향으로 뻗은 평면(111, 도 10 참조)으로 이루어져 있다. 그러므로, 상부(H1)과 하부(H2)의 경계 부분의 내부폭이 하부(H2)의 내부폭과 동일하게 이루어진다. 이에 따라, 즉, 관통홀(H1, H2) 내부의 둔턱의 높이를 종래의 파인 메탈 마스크의 관통부의 둔턱의 높이보다 감소시킬 수 있다. 그리고, 둔턱의 높이가 감소되어 둔턱에 의해 발생되는 쉐도우(shadow)의 폭(F)을 종래의 파인 메탈 마스크보다 감소시킬 수 있다.
도 10은, 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크(100)로 기판(10) 상에 유기물(20)을 증착하는 과정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크(100)는 종래의 파인 메탈 마스크보다 쉐도우(shadow)의 폭(F)이 감소됨으로써, 고해상도의 유기 발광 표시 장치를 제조하는데 유리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 파인 메탈 마스크(100)를 사용하여 기판(10) 상에 유기물(20)을 증착하는 경우가 종래의 파인 메탈 마스크로 기판(10) 상에 유기물(20)을 증착하는 경우 보다, 기판(10) 상에서 유기물(20)이 균일하게 증착되는 면적이 현저하게 넓어지게 된다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치 제조과정에 있어서, 개구율이 향상될 수 있으므로, 유기 발광 소자의 수명을 향상시키는데 있어서 더욱 유리할 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
10: 기판 20: 유기물
100: 파인 메탈 마스크 110: 베이스 부재
111: 내벽면 200: 하프톤 마스크
201: 하판 202: 상판
B1: 제1 포토 레지스트 B2: 제1 포토 레지스트
E: 식각액 M1: 제1 인입부
M2: 제2 인입부 P1: 제1 포토 레지스트 패턴
P2: 제2 포토 레지스트 패턴 H1: 상부
H2: 하부 F: 쉐도우의 폭
100: 파인 메탈 마스크 110: 베이스 부재
111: 내벽면 200: 하프톤 마스크
201: 하판 202: 상판
B1: 제1 포토 레지스트 B2: 제1 포토 레지스트
E: 식각액 M1: 제1 인입부
M2: 제2 인입부 P1: 제1 포토 레지스트 패턴
P2: 제2 포토 레지스트 패턴 H1: 상부
H2: 하부 F: 쉐도우의 폭
Claims (9)
- 베이스 부재의 일면의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계,
상기 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계,
상기 베이스 부재의 타면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계, 및
상기 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 단계를 포함하고,
상기 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계는,
제1 포토 레지스트로 상기 제1 인입부를 채우는 단계,
하프톤 마스크(Halftone mask)를 상기 베이스 부재의 하면에 인접하게 배치하는 단계, 및
상기 하프톤 마스크를 노광하여 상기 제1 인입부의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 식각하는 단계를 포함하는 파인 메탈 마스크 제조 방법. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 하프톤 마스크는,
상기 제1 인입부의 중간 부분과 대응되는 부분과 대응되는 부분은 빛을 투과시키지 않도록 형성되고, 상기 제1 인입부의 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분과 대응되는 부분은 빛을 투과시키도록 형성된 파인 메탈 마스크 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 부재의 하측의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계는,
상기 베이스 부재의 하면에 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및
상기 제1 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스 부재의 하측을 식각하는 단계를 포함하는 파인 메탈 마스크 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 베이스 부재의 상면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계는,
상기 베이스 부재의 상면에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및
상기 제2 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 베이스 부재의 상측을 식각하는 단계를 포함하는 파인 메탈 마스크 제조 방법. - 베이스 부재의 일면의 일부분에 제1 인입부를 형성하는 단계,
상기 제1 인입부에서 중간 부분을 제외한 나머지 가장자리 부분을 균일한 깊이로 식각하는 단계,
상기 베이스 부재의 타면의 일부분에 제2 인입부를 형성하는 단계,
제2 포토 레지스트로 상기 제1 인입부를 채우는 단계, 및
상기 베이스 부재의 제1 인입부와 제2 인입부를 연통시키는 단계를 포함하는 파인 메탈 마스크 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 인입부는 상기 베이스 부재의 하면에 형성되고,
상기 제2 인입부는 상기 베이스 부재의 상면에 형성된 파인 메탈 마스크 제조 방법. - 판형으로 이루어진 베이스 부재, 및
상기 베이스 부재를 관통하도록 형성된 관통홀을 포함하며,
상기 관통홀은,
하방으로 갈수록 내부폭이 좁아지게 형성된 상부와, 상기 상부와 연통되어 내부폭이 동일하게 형성된 하부를 포함하고,
상기 하부를 형성하는 내벽면은 상기 베이스 부재의 상면 또는 하면을 기준으로 수직 방향으로 형성된 평면인 파인 메탈 마스크. - 삭제
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