CN105826457B - 用于照明或显示的激光白光发光装置 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 abstract description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 4
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 208000021760 high fever Diseases 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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Abstract
本发明公开了一种用于照明或显示的激光白光发光装置。所述激发白光发光装置包括热沉基板、半导体激光器芯片和透明荧光陶瓷；所述半导体激光器芯片激射蓝光；所述半导体激光器芯片固定于所述热沉基板上；所述半导体激光器芯片由所述透明荧光陶瓷进行封装。本发明将透明荧光陶瓷与激发光源的芯片结合，避免了荧光粉和硅胶因器件发热而导致发光效率的下降或光源失效；若根据应用需要，透明荧光陶瓷的耐热性能使装置工作在高电流高温度环境，避免了在高温或高注入电流工作时器件输出功率和电光转换效率的下降。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于照明或显示的激光白光发光装置，属于照明和显示领域。
背景技术
照明起始于爱迪生发明的白炽灯，后来又陆续发明了低压钠灯、荧光灯、高压汞灯、金属卤化物灯、高压钠灯、三基色荧光灯、紧凑型荧光灯、高频无极灯和发光二极管LED等电光源。通常光源的评价标准有能效、光通量、显色指数、色温等参数，其中光源能效的高低反应了其节电能力，发光二极管LED白光光源具有高能效、长寿命等特点，被公认为是继白炽灯、日光灯之后的绿色照明光源。
目前在照明领域，多采用发光二极管LED做激发光源，激发相应的荧光粉获得白光光源。以发光二极管为基础的白光光源有四个主要方案：第一种方案是用蓝光发光二极管激发黄色荧光粉，荧光粉在蓝光的激发下发射黄光，再与透出的部分蓝光混合，由补色原理而呈现白光，该方案制备的白光显色指数比较低且白光参数随温度和工作电流变化比较大；第二种方案是由红绿蓝三基色发光二极管直接混合成白光，由于三个发光二极管的效率、光功率随注入电流、温度、时间等参数不同步变化，因此要求比较高的控制电路；第三种方案是由紫外或近紫外发光二极管激发红绿蓝三基色荧光粉，由于人视觉对紫外或近紫外光不敏感，这种白光的颜色只由荧光粉决定，因此该方案显色指数高且白光参数比较稳定，第四种方案是用蓝光激光器做光源激发黄色荧光粉，荧光粉在蓝光的激光器激发下发射黄光，再与透出的部分蓝光混合，由补色原理而呈现白光。
在以上这四种方案中，都是光源激发荧光粉产生白光，激发荧光粉发光的缺点有：1、荧光粉在高温下长时间工作衰减非常严重；2、不同颜色的荧光粉衰减不一致，使用一段时间后光源容易产生色漂移；3、荧光粉使用使都和硅胶混合使用，硅胶在长时间高温下黄变导致光效下降。因此不使用荧光粉发光是目前最大的技术难点之一。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于照明或显示的激光白光发光装置，该激光白光发光装置采用透明荧光陶瓷代替荧光粉发光，从而获得白光光源，具有高能效、高光通量和高热稳定性，因此能够避免高温时荧光粉衰减导致光源失效。
本发明提供的用于照明或显示的激光白光发光装置，包括热沉基板、半导体激光器芯片和透明荧光陶瓷；
所述半导体激光器芯片激射蓝光；
所述半导体激光器芯片固定于所述热沉基板上；
所述半导体激光器芯片由所述透明荧光陶瓷进行封装。
上述的激光白光发光装置中，所述半导体激光器芯片焊接于所述热沉基板上；
所述热沉基板由铝、铜、氮化铝或氧化铝制成。
上述的激光白光发光装置中，所述透明荧光陶瓷的出光面可为曲面，如球面。
上述的激光白光发光装置中，所述透明荧光陶瓷的出光面镀增透膜，以提高出光率，减少出光面的散射；
所述透明荧光陶瓷的入光面依次镀增透膜和反射膜，即在所述入光面上镀两层膜，所述增透膜的作用是增加激光器入光率，所述反射膜的作用是防止白光反射，提高白光出光率；
所述透明荧光陶瓷的非出光面和非入光面镀全反射膜，即所述透明荧光陶瓷与所述热沉基板的结合面镀所述全反射膜，以减少白光损失，提高白光出光率。
上述的激光白光发光装置中，所述透明荧光陶瓷的分子式为Y3Al5O12:xCe3+，其中，x为0～0.05之间的数，如0.03。
上述的激光白光发光装置中，所述透明荧光陶瓷按照包括如下步骤的方法制备：
陶瓷原料粉体和烧结助剂经烧结即得；
所述陶瓷原料粉体为Al2O3、Y2O3和CeO2；
所述烧结助剂为MgO和SiO2中的至少一种。
上述的激光白光发光装置中，所述烧结包括依次进行的真空烧结和退火处理；
所述真空烧结的温度为1730～1800℃，保温时间为5～30小时，真空度为10-3～10-5Pa；
所述退火处理的条件为：在1200～1500℃的条件下保温5～40小时，然后随炉冷却。
所述烧结助剂的用量为所述陶瓷原料粉体的总质量的0～1％，如1％；
所述Al2O3、所述Y2O3与所述CeO2的摩尔比按照分子式为Y3Al5O12:xCe3+中元素Al、Y和Ce的化学计量比计算得到。
本发明激光白光发光装置可按照如下步骤进行制作：
将所述半导体激光器芯片焊接固定于热沉基板上，将烧结制备的透明荧光陶瓷进行镀膜处理，然后将镀膜后的透明荧光陶瓷对所述半导体激光器芯片进行封装，并固定于所述热沉基板上，即得到了所述激光白光发光装置。
所述半导体激光器芯片通过激发镀膜后的透明荧光陶瓷，即能使透明荧光陶瓷产生白光。
透明荧光陶瓷在制作用于照明或显示的激光白光发光装置中的应用也是本发明的保护范围。
本发明提供的用于照明或显示的激光白光发光装置，利用激射波长位于蓝光的半导体激光器代替现有的发光二极管作为激发光源，用以激发透明荧光陶瓷使其发白光，其优点主要表现在如下方面：
1、半导体激光器芯片更容易实现高功率和高电光转换效率输出，而核心器件性能的提高将直接导致所制备的白光光源性能的提高。
2、本发明将透明荧光陶瓷与激发光源的芯片结合，避免了荧光粉和硅胶因器件发热而导致发光效率的下降或光源失效；若根据应用需要，透明荧光陶瓷的耐热性能使装置工作在高电流高温度环境，避免了在高温或高注入电流工作时器件输出功率和电光转换效率的下降。
3、本发明将透明荧光陶瓷与激发光源的芯片结合，透明荧光陶瓷的耐热稳定性使激光白光装置的功率提高。
4、由于半导体激光器的光斑很容易整形，甚至可耦合进入光纤输出，所以可采用该方式制作出具有特殊用途的固态白光装置。
附图说明
图1是制作本发明用于照明或显示的激光白光发光装置的流程图。
图2是本发明用于照明或显示的激光白光发光装置的透明荧光陶瓷示意图。
图3是本发明用于照明或显示的激光白光发光装置的结构示意图。
图4是本发明用于照明或显示的激光白光发光装置白光光源的发光光形示意图。
图5是本发明用于照明或显示的激光白光发光装置的光谱分布曲线图。
图中各标记如下：
1透明荧光陶瓷、2出光增透膜层、3入光增透膜层、4入光全反射膜层、5热沉基板结合全反射膜层、6热沉基板、7半导体激光器芯片、8激光白光装置发光方向。
具体实施方式
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。
下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
图1为制备用于照明或显示的激光白光发光装置的流程图，按照图1所示的流程进行制备：
制备透明荧光陶瓷：
准确称取Al2O3、Y2O3和CeO2并进行充分研磨，其中，摩尔比CeO2、Y2O3、Al2O3的摩尔比为18：291：5(其中x＝0.03)。向研磨好的粉体中加入烧结助剂MgO，其质量用量为总原料粉体的1％，，然后在真空度为10-4Pa的条件下进行真空烧结，烧结温度为1780℃，保温时间为20小时；最后在1400℃下保温25小时进行退火，随炉冷却即得到透明荧光陶瓷Y3Al5O12:xCe3+，x＝0.03。
对透明荧光陶瓷进行镀膜处理：
将透明荧光陶瓷1的出光面镀增透膜，得到出光增透膜层2，入光面依次镀入光增透膜层3和入光全反射膜层4，非出光和入光面镀全反射膜得到全反射膜层，即热沉基板结合全反射膜层5，如图2所示。
将激射波长位于蓝光的半导体激光器芯片7用焊料(锡膏等)焊接在热沉基板6上，再将镀膜处理后的透明荧光陶瓷1固定于热沉基板(由氮化铝基板.氧化铝基板或铜基板等其他高导热材质制成)6上，并对半导体激光器芯片7实现封装，使透明荧光陶瓷的出光面为球面，即得到本发明用于照明或显示的激光白光发光装置，如图3所示。
本发明制备的用于照明或显示的激光白光发光装置，使用时，半导体激光器激发透明荧光陶瓷产生白光，如图4所示。
本发明激光白光发光装置的积分球测试结果如表1中所示。
表1 激光白光发光装置积分球测试数据
由表1中的数据可以看出，相对于目前行业主流白光发光装置来说，采用本发明的激光白光发光装置所得到的白光具有高能效、高光通量和高热稳定性的优点。
本发明激光白光发光装置的光谱分布图如图5所示，由该图可以看出，采用本发明的白光所得到的发射光谱连续性好、显色性好。
由上述分析可以看出，本发明激光白光发光装置产生的白光具有高能效、高光通量和高热稳定性的特点。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种用于照明或显示的激光白光发光装置，其特征在于：所述激发白光发光装置包括热沉基板、半导体激光器芯片和透明荧光陶瓷；
所述半导体激光器芯片激射蓝光；
所述半导体激光器芯片固定于所述热沉基板上；
所述半导体激光器芯片由所述透明荧光陶瓷进行封装；
所述半导体激光器芯片焊接于所述热沉基板上；
所述热沉基板由铝、铜、氮化铝或氧化铝制成；
所述透明荧光陶瓷的出光面为曲面；
所述透明荧光陶瓷的出光面镀增透膜；
所述透明荧光陶瓷的入光面依次镀增透膜和反射膜；
所述透明荧光陶瓷的非出光面和非入光面镀全反射膜；
所述透明荧光陶瓷的分子式为Y3Al5O12:xCe3＋，其中，x为0.03；
所述透明荧光陶瓷按照包括如下步骤的方法制备：
陶瓷原料粉体和烧结助剂经烧结即得；
所述陶瓷原料粉体为Al2O3、Y2O3和CeO2；
所述烧结助剂为MgO和SiO2中的至少一种；
所述烧结包括依次进行的真空烧结和退火处理；
所述真空烧结的温度为1730~1800℃，保温时间为5~30小时，真空度为10-1~10-4Pa；
所述退火处理的条件为：在1200~1500℃的条件下保温5~40小时，然后随炉冷却。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610329920.7A CN105826457B (zh) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | 用于照明或显示的激光白光发光装置 |
| PCT/CN2016/094605 WO2017197794A1 (zh) | 2016-05-18 | 2016-08-11 | 用于照明或显示的激光白光发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610329920.7A CN105826457B (zh) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | 用于照明或显示的激光白光发光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105826457A CN105826457A (zh) | 2016-08-03 |
| CN105826457B true CN105826457B (zh) | 2018-01-09 |
Family
ID=56530913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610329920.7A Active CN105826457B (zh) | 2016-05-18 | 2016-05-18 | 用于照明或显示的激光白光发光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105826457B (zh) |
| WO (1) | WO2017197794A1 (zh) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105826457B (zh) * | 2016-05-18 | 2018-01-09 | 中国人民大学 | 用于照明或显示的激光白光发光装置 |
| CN107726056A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 广州市新晶瓷材料科技有限公司 | 高色域激光白光光源的制作方法 |
| CN107726084A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 广州市新晶瓷材料科技有限公司 | 具有新型激光光源的手电筒 |
| CN107726055A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 广州市新晶瓷材料科技有限公司 | 白光激光光源封装方法 |
| CN107732648A (zh) * | 2016-08-11 | 2018-02-23 | 广州市新晶瓷材料科技有限公司 | 基于氮化铝陶瓷的激光光源封装方法 |
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| CN107859883A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 广州市新晶瓷材料科技有限公司 | 一种激光白光光源装置 |
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| CN105826457A (zh) | 2016-08-03 |
| WO2017197794A1 (zh) | 2017-11-23 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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