CN205960636U - 浪涌电流控制电路及供电装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种浪涌电流控制电路及供电装置,其中浪涌电流控制电路包括电容、第一电阻、第二电阻、场效应晶体管和保险丝,其中,第一电阻、电容和第二电阻串联连接在信号输入端和接地端之间;所述场效应晶体管的栅极与所述电容和第二电阻之间的公共点连接,源极与信号输入端连接,漏极通过保险丝与信号输出端连接。本实用新型还提供了一种供电装置,通过电阻电容网络控制场效应晶体管工作在可变电阻区,使输出端的电源信号缓慢上升,大大减小上电的浪涌电流。
Description
技术领域
本实用新型属于显示器领域,更具体地,涉及一种浪涌电流控制电路及供电装置。
背景技术
在显示面板驱动设计的过程中,为了防止驱动电路在某些极端条件下(如某个节点短路)由于大电流而损坏,需要在电源输入端放置一个保险丝。那么这个保险丝的选择对于该产品以后的可靠性就产生了很大的影响:假如该保险丝选得宽松(允许电流大),则很难起到保护作用;选得紧(允许电流小),则影响后端电路正常工作。
考虑到电路电源输入端一般会放置电容作稳压和滤波作用,在电源上电瞬间电流由于前端电容未充满电而以浪涌(Inrush)形式快速冲入直至将这些电容充电至稳态值。这一过程会在保险丝上瞬间流过一个较高的峰值电流,而这个电流一般会比显示面板正常连续工作时吸收的电流要大。
因此,在显示面板驱动设计中选择保险丝时通常要考量这个Inrush电流与显示面板正常连续工作是可能需要的最大工作电流。如果Inrush电流小于显示面板正常工作电流,则以显示面板正常工作电流做参照选择保险丝;反之则以Inrush电流为参照。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种浪涌电流控制电路及供电装置。
根据本实用新型的一方面,提供一种浪涌电流控制电路,其特征在于,包括电容、第一电阻、第二电阻、场效应晶体管和保险丝,其中,第一电阻、电容和第二电阻串联连接在信号输入端和接地端之间;所述场效应晶体管的栅极与所述电容和第二电阻之间的公共点连接,源极与信号输入端连接,漏极通过保险丝与信号输出端连接。
优选地,上电过程中的上升斜率由所述电容和第二电阻控制。
优选地,所述电容和第二电阻控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
优选地,工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小,所述信号输出端的电源信号上升斜率降低。
优选地,所述场效应晶体管为P沟道增强型MOS管。
根据本实用新型的另一方面,提供一种供电装置,用于向负载供电,包括:供电模块,与外部电源连接,用于将外部电源转换成向负载供电的电源信号;浪涌电流控制电路,与所述供电模块以及所述负载连接,用于将所述电源信号提供给所述负载;其中,浪涌电流控制电路,包括电容、第一电阻、第二电阻、场效应晶体管和保险丝,其中,第一电阻、电容和第二电阻串联连接在信号输入端和接地端之间;所述场效应晶体管的栅极与所述电容和第二电阻之间的公共点连接,源极与信号输入端连接,漏极通过保险丝与信号输出端连接。
优选地,上电过程中的上升斜率由所述电容和第二电阻控制。
优选地,所述电容和第二电阻控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
优选地,工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小,所述信号输出端的电源信号上升斜率降低。
优选地,所述场效应晶体管为P沟道增强型MOS管。
本实用新型提供的浪涌电流控制电路,通过电容和第二电阻控制双极性晶体管工作在饱和区,进而控制场效应晶体管工作在可变电阻区,使信号输出端的电源信号缓慢上升,大大减小上电的浪涌电流。
附图说明
通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述,本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:
图1示出了根据本实用新型实施例的浪涌电流控制电路的原理图;
图2示出了根据本实用新型实施例的浪涌电流控制电路的输出信号的波形图;
图3示出了根据本实用新型实施例的浪涌电流控制装置的模块示意图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本实用新型的各种实施例。在各个附图中,相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见,附图中的各个部分没有按比例绘制。
本实用新型可以各种形式呈现,以下将描述其中一些示例。
图1示出了根据本实用新型实施例的浪涌电流控制电路的原理图。如图1所示,所述浪涌电流控制电路用于控制浪涌电流,包括电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、场效应晶体管Q1和保险丝X1。
其中,第一电阻R1、电容C1和第二电阻R2串联连接在信号输入端和接地端之间;
在本实施例中,该信号输入端输入的是供电模块提供的直流电源信号。
所述场效应晶体管Q1的栅极G与所述电容C1和第二电阻R2之间的公共点连接,源极S与信号输入端连接,漏极D通过保险丝X1与信号输出端连接。
在本实施例中,场效应晶体管Q1为P沟道增强型MOS晶体管,具有开启电压UGS(th),其中,UGS(th)<0。当UGS<UGS(th)时,场效应晶体管Q1处于导通状态,即可变电阻区;当UGS>UGS(th)时,场效应晶体管Q1处于截止状态。
在上电的瞬间,场效应晶体管Q1的源极电压US等于电源电压,电容C1的下极板聚集一定电荷,使场效应晶体管Q1的栅极电压UG等于电源电压,因此场效应晶体管Q1的栅极电压UG等于源极电压US,此时,UGS>UGS(th),场效应晶体管Q1处于截止状态。
然后,场效应晶体管Q1的栅极电压逐渐通过第二电阻R2释放,进而导致场效应晶体管Q1的栅极电压UG小于源极电压US,当UGS<UGS(th)时场效应晶体管Q1导通,工作在可变电阻区,实现了输出端电源信号的缓慢上升,从而可以以负载正常工作电流为参考标准选择相应的保险丝。图2示出了本实用新型实施例的浪涌电流控制电路的输出信号的波形图,如图2所示,信号输出端的输出电压Vout在上电过程中逐渐缓慢的上升,直至达到信号输入端的输入电压Vin。
本实用新型提供的浪涌电流控制电路,通过电容和第二电阻控制场效应晶体管工作在可变电阻区,使信号输出端的电源信号缓慢上升,大大减小上电的浪涌电流,进而可以以负载正常工作时的工作电流为参考标准,选择相应的保险丝,保护负载。
图3示出了根据本实用新型实施例的供电装置的模块示意图。如图3所示,所述供电装置用于向负载30提供电源信号,包括供电模块10和浪涌电流控制电路11。
其中,供电模块10与外部电源连接,用于将外部电源转换成向负载供电的电源信号。
在本实施例中,若外部电源是220V的交流电压,而负载需要12V或5V的直流电压,所述供电模块用于将220V的交流电压转换成12V或5V的直流电压。负载可以是液晶显示面板,也可以是其他用电设备。
浪涌电流控制电路11与所述供电模块10以及所述负载20连接,用于将电源信号提供给所述负载20。
所述浪涌电流控制电路11包括电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、场效应晶体管Q1和保险丝X1。
其中,第一电阻R1、电容C1和第二电阻R2串联连接在信号输入端和接地端之间;
在本实施例中,该信号输入端输入的是供电模块提供的直流电源信号。
所述场效应晶体管Q1的栅极G与所述电容C1和第二电阻R2之间的公共点连接,源极S与信号输入端连接,漏极D通过保险丝X1与信号输出端连接。
在本实施例中,场效应晶体管Q1为P沟道增强型MOS晶体管,具有开启电压UGS(th),其中,UGS(th)<0。当UGS<UGS(th)时,场效应晶体管Q1处于导通状态,即可变电阻区;当UGS>UGS(th)时,场效应晶体管Q1处于截止状态。
在上电的瞬间,场效应晶体管Q1的源极电压US等于电源电压,电容C1的下极板聚集一定电荷,使场效应晶体管Q1的栅极电压UG等于电源电压,因此场效应晶体管Q1的栅极电压UG等于源极电压US,此时,UGS>UGS(th),场效应晶体管Q1处于截止状态。
然后,场效应晶体管Q1的栅极电压逐渐通过第二电阻R2释放,进而导致场效应晶体管Q1的栅极电压UG小于源极电压US,当UGS<UGS(th)时场效应晶体管Q1导通,工作在可变电阻区,实现了输出端电源信号的缓慢上升,使保险丝X1达到负载正常工作时的保护要求。
在本实施例中,由于浪涌电流降低,此时浪涌电流小于负载正常工作时的工作电流,以负载正常工作时的工作电流为参考标准,选择相应的保险丝X1,保护负载。
本实用新型提供的供电装置,利用浪涌电流控制电路中的电容和第二电阻控制场效应晶体管工作在可变电阻区,使信号输出端的电源信号缓慢上升,大大减小上电的浪涌电流,进而可以以负载正常工作时的工作电流为参考标准,选择相应的保险丝,保护负载。
依照本实用新型的实施例如上文所述,这些实施例并没有详尽叙述所有的细节,也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然,根据以上描述,可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例,是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用,从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型的保护范围应当以本实用新型权利要求所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种浪涌电流控制电路,其特征在于,包括电容、第一电阻、第二电阻、场效应晶体管和保险丝,
其中,第一电阻、电容和第二电阻串联连接在信号输入端和接地端之间;
所述场效应晶体管的栅极与所述电容和第二电阻之间的公共点连接,源极与信号输入端连接,漏极通过保险丝与信号输出端连接。
2.根据权利要求1所述的浪涌电流控制电路,其特征在于,上电过程中的上升斜率由所述电容和第二电阻控制。
3.根据权利要求2所述的浪涌电流控制电路,其特征在于,所述电容和第二电阻控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
4.根据权利要求3所述的浪涌电流控制电路,其特征在于,工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小,所述信号输出端的电源信号上升斜率降低。
5.根据权利要求1所述的浪涌电流控制电路,其特征在于,所述场效应晶体管为P沟道增强型MOS管。
6.一种供电装置,用于向负载供电,其特征在于,包括:
供电模块,与外部电源连接,用于将外部电源转换成向负载供电的电源信号;
浪涌电流控制电路,与所述供电模块以及所述负载连接,用于将所述电源信号提供给所述负载;
其中,所述浪涌电流控制电路包括电容、第一电阻、第二电阻、场效应晶体管和保险丝,
其中,第一电阻、电容和第二电阻串联连接在信号输入端和接地端之间;
所述场效应晶体管的栅极与所述电容和第二电阻之间的公共点连接,源极与信号输入端连接,漏极通过保险丝与信号输出端连接。
7.根据权利要求6所述的供电装置,其特征在于,上电过程中的上升斜率由所述电容和第二电阻控制。
8.根据权利要求7所述的供电装置,其特征在于,所述电容和第二电阻控制所述场效应晶体管工作在可变电阻区。
9.根据权利要求8所述的供电装置,其特征在于,工作在可变电阻区的场效应晶体管的阻值逐渐减小,所述信号输出端的电源信号上升斜率降低。
10.根据权利要求6所述的供电装置,其特征在于,所述场效应晶体管为P沟道增强型MOS管。
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CN113746076A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 三星Sdi株式会社 | 浪涌电流限制器和包括该浪涌电流限制器的*** |
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