CN105739251A - 具有高wn/w蚀刻选择性的剥离组合物 - Google Patents
具有高wn/w蚀刻选择性的剥离组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105739251A CN105739251A CN201511020997.8A CN201511020997A CN105739251A CN 105739251 A CN105739251 A CN 105739251A CN 201511020997 A CN201511020997 A CN 201511020997A CN 105739251 A CN105739251 A CN 105739251A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- compositions
- ammonium
- microelectronic device
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000005530 etching Methods 0.000 title description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 33
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 36
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 28
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 28
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 17
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012928 buffer substance Substances 0.000 claims description 14
- -1 tetraalkylammonium cation Chemical class 0.000 claims description 14
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 6
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 6
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 150000005621 tetraalkylammonium salts Chemical class 0.000 claims description 5
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 claims description 4
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 4
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 claims description 4
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OSVXSBDYLRYLIG-UHFFFAOYSA-N chlorine dioxide Inorganic materials O=Cl=O OSVXSBDYLRYLIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001914 chlorine tetroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 claims description 4
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- NAOLWIGVYRIGTP-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trihydroxyanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC(O)=C2C(=O)C3=CC(O)=CC(O)=C3C(=O)C2=C1 NAOLWIGVYRIGTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 claims description 3
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N Gluconic acid Natural products OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 3
- DUWWHGPELOTTOE-UHFFFAOYSA-N n-(5-chloro-2,4-dimethoxyphenyl)-3-oxobutanamide Chemical compound COC1=CC(OC)=C(NC(=O)CC(C)=O)C=C1Cl DUWWHGPELOTTOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPZYXGPCHFZBHO-UHFFFAOYSA-N 1-aminopentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCN JPZYXGPCHFZBHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical group CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-[bis(carboxymethyl)amino]-2-hydroxypropyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XWSGEVNYFYKXCP-UHFFFAOYSA-N 2-[carboxymethyl(methyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(C)CC(O)=O XWSGEVNYFYKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KWYJDIUEHHCHCZ-UHFFFAOYSA-N 3-[2-[bis(2-carboxyethyl)amino]ethyl-(2-carboxyethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN(CCC(O)=O)CCN(CCC(O)=O)CCC(O)=O KWYJDIUEHHCHCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-3,3-difluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(Br)C=C GDDNTTHUKVNJRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 claims description 2
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 claims description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WOBFYGXLPOWGQU-UHFFFAOYSA-N [NH4+].C[Cl](C)(C)(C)([O-])=O Chemical compound [NH4+].C[Cl](C)(C)(C)([O-])=O WOBFYGXLPOWGQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N ammonium chlorate Chemical compound N.OCl(=O)=O KHPLPBHMTCTCHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 2
- ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N azane;iodic acid Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)=O ZRDJERPXCFOFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N azanium;chlorite Chemical compound [NH4+].[O-]Cl=O YUUVAZCKXDQEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N azanium;periodate Chemical compound [NH4+].[O-]I(=O)(=O)=O URGYLQKORWLZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TVWHTOUAJSGEKT-UHFFFAOYSA-N chlorine trioxide Chemical compound [O]Cl(=O)=O TVWHTOUAJSGEKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims description 2
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- OUDSFQBUEBFSPS-UHFFFAOYSA-N ethylenediaminetriacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCCN(CC(O)=O)CC(O)=O OUDSFQBUEBFSPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000011087 fumaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- HIQXJRBKNONWAH-UHFFFAOYSA-N methylidenephosphane Chemical compound P=C HIQXJRBKNONWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QATBRNFTOCXULG-UHFFFAOYSA-N n'-[2-(methylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CNCCNCCN QATBRNFTOCXULG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZUHZZVMEUAUWHY-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpropan-1-amine Chemical compound CCCN(C)C ZUHZZVMEUAUWHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 claims description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940075579 propyl gallate Drugs 0.000 claims description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O.C[N+](C)(C)C LUVHDTDFZLTVFM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- GTDKXDWWMOMSFL-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)C GTDKXDWWMOMSFL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O.C[N+](C)(C)C ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;perchlorate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZCWKIFAQRXNZCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;periodate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]I(=O)(=O)=O HLQAWDQQEJSALG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 17
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 6
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 4
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 4
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N Acetic anhydride Chemical compound CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 101000658124 Apomastus schlingeri Mu-cyrtautoxin-As1a Proteins 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N glutaric acid Chemical compound OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100340271 Caenorhabditis elegans ida-1 gene Proteins 0.000 description 1
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Chemical group 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 101100001794 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) aps-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJMDYLWCYJJYMO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UJMDYLWCYJJYMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960004275 glycolic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RECVMTHOQWMYFX-UHFFFAOYSA-N oxygen(1+) dihydride Chemical compound [OH2+] RECVMTHOQWMYFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTMHPRAIXMAOOB-UHFFFAOYSA-N phosphoramidic acid Chemical compound NP(O)(O)=O PTMHPRAIXMAOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 238000002560 therapeutic procedure Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3947—Liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/395—Bleaching agents
- C11D3/3956—Liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3245—Aminoacids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
一种具有高WN/W蚀刻选择性的剥离组合物。用于清洁集成电路衬底的组合物,所述组合物包含:水;氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;腐蚀抑制剂,其包含具有通式RˊNH2的伯烷基胺,其中Rˊ是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;任选的水可混溶的有机溶剂;任选的有机酸;任选的缓冲物质;任选的氟化物离子源;和任选的金属螯合剂。
Description
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2014年12月30日提交的较早提交的美国专利申请序列号62/097,647的优先权权益,其公开内容通过引用全部并入本文。
背景技术
本发明涉及可用于微电子工业以清洁半导体晶片衬底的组合物。特别地,本发明涉及包含浴(bath)稳定剂的碱性剥离或清洁组合物,其用于通过去除污染物而不损坏集成电路来清洁具有钨金属线和通孔(via)的晶片。
半导体电路中的互连电路由被绝缘介电材料围绕的导电金属电路组成。在过去,从原硅酸四乙酯(TEOS)气相沉积的硅酸盐玻璃广泛用作介电材料,而铝合金用于金属互连器。
对较高加工速度的需要已经导致电路元件的较小的尺寸(sizing),以及用较高性能的材料替代TEOS和铝合金。由于铜的较高导电性,铝合金已经被铜或铜合金替代。TEOS和氟化的硅酸盐玻璃(FSG)已经被所谓的低k电介质,包括低极性材料例如有机聚合物、混合的有机/无机材料、有机硅酸盐玻璃(OSG)和碳掺杂的氧化物(CDO)玻璃替代。包含在这些材料中的多孔性,即充气孔,进一步降低材料的介电常数。
在集成电路的双重镶嵌加工期间,光刻法用于将图案成像在装置晶片上。光刻技术包括涂覆、曝光和显影步骤。用正性或负性光刻胶物质涂覆晶片并随后用掩模覆盖,所述掩模在随后的工艺中限定待保持或去除的图案。将掩模适当放置后,掩模已将一束单色辐射,例如紫外(UV)光或深UV(DUV)光(≈250nm或193nm)导向通过掩模,以使暴露的光刻胶材料或多或少地可溶于选择的冲洗溶液中。然后去除或“显影”可溶性光刻胶材料,从而留下与掩模相同的图案。
随后,将气相等离子体蚀刻用于将显影的光刻胶涂层的图案转印至下面的层,其可以包括硬掩膜(hardmask)、层间电介质(ILD)和/或蚀刻停止层。等离子体蚀刻后的残余物通常沉积在后端布线(back-end-of-the-line,BEOL)的结构上,如果不去除就可能妨碍随后的硅化或接触形成。等离子体蚀刻后的残余物通常包括在衬底上和等离子体气体中存在的化学元素。例如,如果使用WN硬掩膜,例如作为ILD上的覆盖层(cappinglayer),那么等离子体蚀刻后的残余物包括含钨物质,其难以利用常规的湿法清洁化学作用去除。此外,常规清洁化学作用经常损坏ILD,吸收到ILD孔中,从而增大介电常数,和/或腐蚀金属结构。例如,缓冲的氟化物和基于溶剂的化学作用无法完全去除含WN和W的残余物,而含羟胺和氨-过氧化物化学作用腐蚀金属线路诸如,例如铜或钨。
除了期望去除含钨硬掩膜和/或含钨等离子体蚀刻后的残余物之外,还优选去除在等离子体蚀刻后工艺期间沉积的其他材料,例如图案化的装置侧壁上的聚合物残余物和在装置的开放通孔结构(openviastructure)中的含铜残余物。迄今为止,没有一种湿法清洁组合物成功地去除所有的残余物和/或硬掩膜材料,同时与ILD、其他低k介电材料和金属互连材料相容。
新材料例如低k电介质集成到微电子装置中对清洁性能提出了新的要求。同时,不断缩小的装置尺寸降低了对临界尺寸变化以及装置元件损伤的容忍度。可以改变蚀刻条件以满足新材料的需要。同样,必须改变等离子体蚀刻后的清洁组合物。重要的是,清洁剂不应损坏装置上的下层介电材料或腐蚀金属互连材料,例如铜、钨、钴、铝、钌及其硅化物。
出于这一点,本发明的一个目的是提供用于从微电子装置中选择性地和有效地去除含钨的等离子体蚀刻后的残余物、聚合物侧壁残余物、含铜通孔残余物和/或含钨硬掩膜层的改进的水性组合物,所述组合物与ILD和金属互连材料相容。
本发明的另一个目的是提供改进的水性组合物,其相对于常规的含过氧化物清洁组合物具有延长的浴寿命(bath-life)。
发明简述
本发明大体上涉及清洁组合物和使用其的方法。本发明一方面涉及用于从其上具有等离子体蚀刻后的残余物和/或含钨硬掩膜的微电子装置中清除所述残余物和/或硬掩膜,同时不损害微电子装置表面上的金属和ILD材料的氧化水性组合物和方法。
本发明的氧化水性清洁组合物包含水;氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;任选的水可混溶的有机溶剂;任选的有机酸;任选的缓冲物质;任选的氟化物离子源(fluorideionsource);和任选的金属螯合剂。
另一方面,本发明提供了从其上具有WN硬掩膜和W金属的微电子装置中去除所述WN硬掩膜的材料的方法,所述方法包括将微电子装置与水性清洁组合物接触足够的时间以至少部分地从微电子装置清除所述WN硬掩膜,其中所述水性清洁组合物包含水;氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;任选的水可混溶的有机溶剂;任选的有机酸;任选的缓冲物质;任选的氟化物离子源;和任选的金属螯合剂,其中获得>6.0的WN/W选择性。
附图说明
本发明将在下文中结合附图进行描述,其中同样的数字表示同样的元件:
图1是显示在其蚀刻WN相对于W的选择性方面、在本发明组合物功效方面的浴寿命的图表;和
图2是显示图1中所示浴的pH稳定性的图表。
发明详述
以下详细说明仅提供优选的示例性实施方式,而不意欲限制本发明的范围、适用性或构造。更确切地说,优选的示例性实施方式的以下详细描述将为本领域技术人员提供使能够实施本发明的优选的示例性实施方式的描述。在不偏离如所附权利要求所述的本发明的精神和范围的情况下,可以在要素的功能和排列中进行各种改变。
本发明一方面涉及清洁组合物,其包含氧化物质的铵盐作为氧化剂和作为腐蚀抑制剂的正辛胺。优选地,本发明涉及用于从其上具有含钨等离子体蚀刻后的残余物、聚合物侧壁残余物、含金属通孔和线路残余物和/或硬掩膜层的微电子装置中清除所述残余物和/或层的氧化水性组合物,所述组合物与微电子装置表面上的超低k(ULK)介电材料例如OSG和多孔CDO以及金属互连材料例如铜和钨相容。
为便于提及,“微电子装置”对应于为用于微电子、集成电路或电脑芯片应用而制造的半导体衬底、平板显示器和微机电***(MEMS)。应理解,术语“微电子装置”不意图在任何情况下是限制性的,且包括将最终变成微电子装置或微电子组件的任何衬底。
本文使用的“蚀刻后的残余物”和“等离子体蚀刻后的残余物”对应于气相等离子体蚀刻工艺例如BEOL双重镶嵌加工后剩余的材料。蚀刻后的残余物可以在性质上是有机的、有机金属的、有机硅的或无机的,例如含硅材料、硬掩膜覆盖层材料(例如含钨材料)、含氮材料、含氧材料、聚合物残余物材料、含铜残余物材料、蚀刻气体残余物例如氯气和氟气、及其组合。
如本文所定义,“低k介电材料”对应于用作分层的微电子装置中的介电材料的任何材料,其中所述材料的介电常数小于约3.5。优选地,低k介电材料包括低极性材料例如含硅有机聚合物、含硅混合的有机/无机材料、有机硅酸盐玻璃(OSG)、TEOS、氟化的硅酸盐玻璃(FSG)、二氧化硅和碳掺杂的氧化物(CDO)玻璃。应理解,低k介电材料可以具有不同的密度和不同的孔隙度。
如本文所定义,术语“聚合物侧壁残余物”对应于在等离子体蚀刻加工之后留在图案化装置的侧壁上的残余物。该残余物在性质上基本上是聚合物的,然而应理解,无机物质例如含钨、硅和/或铜的物质也可能存在于残余物中。
如本文所使用,“约”意欲对应于设定值的±5%。
如本文所使用,用于从其上具有含钨的蚀刻后的残余物、聚合物侧壁残余物、含铜通孔和线路残余物和/或硬掩膜层的微电子装置中清除所述残余物和/或材料的“适合性”对应于至少部分地从微电子装置中去除所述残余物和/或材料。优选地,利用本发明的组合物从微电子装置中去除至少约90%的一种或多种所述材料、更优选至少95%的一种或多种所述材料、和最优选至少99%的一种或多种所述材料。
如本文所使用,“硬掩膜”或“硬掩膜覆盖层”对应于沉积在介电材料上以在等离子体蚀刻步骤期间保护所述介电材料的材料。硬掩膜覆盖层通常是氮化硅、氮氧化硅和其他类似的化合物。本文进一步设想的硬掩膜覆盖层包括氮化钨。
本发明的组合物可以在在下文中更充分描述的各种各样的具体制剂中具体化。
在所有这些组合物中,其中所述组合物的具体组分就包括为零的下限的重量百分比范围来论述,应理解这些组分可以在组合物的各种具体实施方式中存在或不存在,以及在存在这些组分的情况下,它们可以以基于其中使用这些组分的组合物的总重量低到0.001重量百分比的浓度存在。
众所周知,难以利用现有技术的含过氧化物组合物蚀刻氮化钨化合物。本发明人发现了一种不含过氧化氢的清洁组合物,其相对于金属诸如例如钨,从其上选择性具有含钨残余物、含钨硬掩膜材料(例如氮化钨)、或两者的微电子装置的表面有效地和选择性地去除所述含钨残余物、含钨硬掩膜材料(例如氮化钨)、或两者。此外,所述组合物相对于现有技术的过氧化氢组合物具有明显更长的浴寿命,并且将大幅度去除聚合物侧壁残余物和含铜残余物。如本文所详细描述的,本发明的组合物可以配制成从微电子装置表面大幅度去除硬掩膜层,而不明显损坏下面的低k介电材料和金属互连材料。
一方面,本发明涉及用于清洁硬掩膜层和/或选自含钨残余物、聚合物残余物、含铜残余物及其组合的等离子体蚀刻后的残余物的氧化清洁组合物,所述组合物包含水;氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;任选的水可混溶的有机溶剂;任选的有机酸;任选的缓冲物质;任选的氟化物离子源;和任选的金属螯合剂。
在本发明的宽泛的实践中,本发明的清洁组合物可以包含、由以下组成或基本上由以下组成:水;氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;任选的水可混溶的有机溶剂;任选的有机酸;任选的缓冲物质;任选的氟化物离子源;和任选的金属螯合剂。
水
本发明的清洁组合物是基于水的,并因此包含水。在本发明中,水以多种方式起作用,诸如,例如,溶解组合物的一种或多种固体组分、作为组分的载体、作为去除残余物的助剂、作为组合物的粘度调节剂和作为稀释剂。优选地,所述清洁组合物所使用的水是去离子(DI)水。
据信对于大部分应用,水将构成,例如约10到约90wt.%的水。本发明的其他优选实施方式可以包含约18到约90wt.%的水。本发明的其他优选实施方式可以包含约35到约60wt.%的水。本发明的其他优选实施方式可以包含约12到约25wt.%的水。本发明的其他优选实施方式可以包含某种含量的水以实现其他组分的期望的重量百分比。
氧化剂
本发明的清洁组合物优选包含氧化剂,其包含氧化物质的铵盐。本文设想的氧化剂包括,但不限于,亚氯酸铵(NH4ClO2)、氯酸铵(NH4ClO3)、碘酸铵(NH4IO3)、过硼酸铵(NH4BO3)、高氯酸铵(NH4ClO4)、高碘酸铵(NH4IO3)、过硫酸铵((NH4)2S2O8)、四甲基亚氯酸铵((N(CH3)4)ClO2)、四甲基氯酸铵((N(CH3)4)ClO3)、四甲基碘酸铵((N(CH3)4IO3)、四甲基过硼酸铵((N(CH3)4)BO3)、四甲基高氯酸铵((N(CH3)4)ClO4)、四甲基高碘酸铵((N(CH3)4)IO4)、四甲基过硫酸铵((N(CH3)4)S2O8)及其组合。在优选的实施方式中,氧化剂是过硫酸铵或包含过硫酸铵。
本发明清洁组合物中氧化剂的浓度可以为清洁组合物总重量的约0.1重量%到约5重量%。在另一个实施方式中,氧化剂的浓度可以为清洁组合物总重量的约0.5重量%到约2重量%。在又一个实施方式中,氧化剂的浓度可以为清洁组合物总重量的约0.5重量%到约1.5重量%。
本文设想可以将氧化剂直接加入清洁组合物中。本发明的一个优选的方面涉及包含过硫酸铵,且在使用前可以储存至少6小时、更优选至少12小时、甚至更优选至少24小时的组合物。
根据本发明的清洁组合物基本上不含过氧化氢。
腐蚀抑制剂
本发明清洁组合物优选包含腐蚀抑制剂,其包含多胺和/或具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基。在一个具体的实施方式中,伯烷基胺在烷基中包含约4到约30个碳原子,且更优选在烷基中包含约8到约20个碳原子。所述烷基可以是未取代或取代的,例如被上文描述的与烃基有关的取代基取代,参考上文。
伯烷基胺的代表性实例包括脂族伯脂肪族胺。典型的脂肪族胺包括烷基胺例如正己胺、正辛胺、正癸胺、正十二胺、正十四胺、正十五胺、正十六胺、正十八胺(硬脂胺)等。优选的伯烷基胺腐蚀抑制剂是正辛胺。
多胺的代表性实例包括3,3'-亚氨基双(N,N-二甲基丙胺)、双(3-氨基丙基)胺、五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、聚乙烯亚胺(polyethylenimine)(PEI)等。优选的多胺是聚乙烯亚胺(PEI)。
在本发明的某些实施方式中,存在第二(即辅助的)腐蚀抑制剂以进一步减少钨金属的腐蚀。在这种实施方式中,第二腐蚀抑制剂优选是包含羧基的有机酸和/或其酸酐,包括甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、马来酸、富马酸、苯甲酸、邻苯二甲酸、1,2,3-苯三甲酸、羟基乙酸、乳酸、马来酸、柠檬酸、乙酸酐和水杨酸。
据信对于大部分应用,腐蚀抑制剂将占组合物的约0.01到约5重量%;优选它占组合物的约0.01到约4重量%;最优选约0.01到约3重量%。
水可混溶的溶剂
本发明的清洁组合物任选包括一种或多种水可混溶的有机溶剂。在本发明的各种实施方式中,衬底上的金属线通常决定是否使用水可混溶的有机溶剂。例如,当衬底上存在铝线时,水和氟化物离子的组合通常将趋向蚀刻铝。在这种实施方式中,使用水可混溶的有机溶剂可以明显降低(如果没有消除)铝的蚀刻。
可以使用的水可混溶的有机溶剂的实例是乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、三丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、二乙二醇正丁醚(例如可以以商业名DowanolDB商购的)、己氧基丙胺、聚(氧乙烯)二胺、二甲亚砜、四氢糠醇、甘油、醇类、亚砜、或其混合物。优选的溶剂是醇类、二醇类或其混合物。最优选的溶剂是二醇类诸如,例如,丙二醇。
据信对于大部分应用,当存在时,水可混溶的有机溶剂的量将占组合物的约1到75重量%。优选地,溶剂占组合物的5到约70重量%,最优选占约5到约60重量%。
缓冲物质
此外,本发明的清洁组合物任选包含缓冲物质来控制组合物的pH,通常控制在约3到约7和更通常约3.5到约6.5的范围内。
可以包括任选的缓冲物质以使pH稳定。优选地,缓冲剂包括弱酸的四烷基铵盐,其中四烷基铵盐包括由[NR1R2R3R4]+表示的四烷基铵阳离子,其中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同且选自C1-C6直链或支链烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)或C6-C10取代或未取代的芳基(例如苄基),以及弱酸包括:硼酸;和羧酸例如乳酸、马来酸、抗坏血酸、苹果酸、苯甲酸、富马酸、琥珀酸、草酸、丙二酸、扁桃酸、马来酸酐、乙酸、丙酸、柠檬酸、邻苯二甲酸、其他脂族和芳族羧酸,以及上述酸的组合。优选地,所述缓冲物质包括柠檬酸的四甲基铵盐或硼酸的四甲基铵盐。可商购的四烷基铵氢氧化物可与上述酸物质组合用于生产弱酸的优选的四烷基铵盐。例如,可使用四乙基氢氧化铵(TEAH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)和四丁基氢氧化铵(TBAH)。不可商购的四烷基铵氢氧化物可以以本领域普通技术人员已知的类似于用于制备TMAH、TEAH、TPAH和TBAH的公开的合成方法的方式来制备。最优选地,当存在金属螯合剂时包括缓冲物质以稳定组合物的pH,使得金属不腐蚀并使得过氧化物不快速分解。
在本发明的上下文中,保持稳定的pH是优选的,因为这对于实现延长的浴寿命(即大于6.0小时)是重要的。
据信对于大部分应用,缓冲剂将占组合物的约0.05到约20重量%;优选地,它占组合物的约0.1到约15重量%;最优选约0.2到约10重量%。
其他任选组分
可用于清洁组合物的另一种任选成分是金属螯合剂;它可以起到增大组合物将金属保留在溶液中的能力和增强金属残余物溶解的作用。用于该目的的螯合剂的典型实例是以下有机酸及其异构体和盐:(乙二胺)四乙酸(EDTA)、丁二胺四乙酸、(1,2-环己二胺-)四乙酸(CyDTA)、二乙三胺五乙酸(DETPA)、乙二胺四丙酸、(羟乙基)乙二胺三乙酸(HEDTA)、N,N,N',N'-乙二胺四(亚甲基膦)酸(EDTMP)、三乙四胺六乙酸(TTHA)、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸(DHPTA)、甲基亚氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、氨三乙酸(NTA)、柠檬酸、酒石酸、葡糖酸、糖二酸(saccharicacid)、甘油酸、草酸、邻苯二甲酸、马来酸、扁桃酸、丙二酸、乳酸、水杨酸、儿茶酚、没食子酸、没食子酸丙酯、连苯三酚、8-羟基喹啉和半胱氨酸。优选的螯合剂是氨基羧酸例如EDTA、CyDTA和氨基膦酸例如EDTMP。
据信对于大部分应用,螯合剂将以组合物的0到约5重量%的量;优选以约0.1到约2重量%的量存在于组合物中。
本发明的清洁组合物还任选包含一种或多种氟化物离子源。氟化物离子的主要功能是增加WN硬掩膜的蚀刻率。提供根据本发明的氟化物离子源的典型化合物是氢氟酸及其盐、氟化铵、季铵氟化物诸如,例如,四甲基氟化铵和四丁基氟化铵、氟硼酸盐、氟硼酸、四丁基四氟硼酸铵和六氟化铝。
在优选的实施方式中,氟化物离子源是氟化铵;然而,当使用氟化铵时,优选从体系中去除铵离子。尽管这可以通过使所制备的清洁组合物在室温下保持长时间段来实现,但它们也可通过加热溶液来去除。
在选择氟化物离子源时,应考虑所述源是否趋向于释放离子,所述离子将趋向于不利地影响被清洁的表面。例如,在清洁半导体元件时,清洁组合物中钠或钙离子的存在可对元件表面具有不良影响。
对于大部分应用,据信用作清洁组合物中的氟化物离子源的化合物的量将占约0.1到约5重量%。优选地,所述化合物占约0.1到约3重量%和最优选地,占约0.1到约2.5重量%。然而,应理解,所使用的氟化物离子的量通常将取决于被清洁的具体衬底。例如,在某些清洁应用中,当清洁包含对氟化物蚀刻具有高耐受性的介电材料的衬底时,氟化物离子的量可以相对地高。相反,在其他应用中,氟化物离子的量应相对地低,例如当清洁包含对氟化物蚀刻具有低耐受性的介电材料的衬底时。
其他通常已知的组分例如染料、杀生物剂等可以以常规的量(例如,多达组合物总体的约5重量%的量)包含在清洁组合物中。
本发明的清洁组合物通常通过在室温下在容器中将组分混合在一起,直到所有固体都已溶解于水基介质来制备。
需要时(在制造区,等)可以通过将水添加至清洁组合物浓缩物来稀释浓缩的氧化水性清洁组合物。清洁组合物优选在(水:清洁组合物)约0.1:1至约20:1,优选约1:1至约10:1的范围内稀释。
本发明的氧化水性清洁组合物相对于现有技术的包含过氧化物的浴具有延长的浴寿命。优选地,浴寿命在45℃时为大于9小时。如本文所使用,术语“浴寿命”通常是指与新鲜浴的性能相比,在具体的工艺温度下在浴中保持剥离剂的性能(例如,pH、蚀刻率、残余物去除能力)。
此外,所述清洁组合物优选从微电子装置的上表面、侧壁和通孔和线路选择性去除WN硬掩膜和/或等离子体蚀刻后的残余物,而不损害装置上存在的ILD和/或金属互连层。与本发明的使用有关的另一个优点是,不需要清洁后烘焙步骤以去除可吸收到ILD材料的孔中的挥发性材料。
本发明的氧化水性清洁组合物容易地通过简单添加各成分并混合至均匀状态来配制。此外,所述氧化水性清洁组合物可以容易地配制成单包装制剂或在使用时混合的多部分制剂,优选多部分制剂。多部分制剂的单个部分可以在工具处或在工具上游的储槽中混合。在本发明的宽泛实践中,各成分的浓度可以以所述氧化水性清洁组合物的特定倍数(即更稀释或更浓缩的)宽泛改变,且应理解,本发明的氧化水性清洁组合物可以不同地和选择性地包含、由以下组成或基本上由以下组成:与本文公开一致的成分的任意组合。
性能
当用在包括W金属线和WN硬掩膜的衬底上时,本发明的组合物令人惊讶地表现出优异的WN/N选择性。术语“选择性”通常用于指两种材料的蚀刻率的比率。根据本发明的组合物优选地表现出>6:1的湿蚀刻率WN/W选择性,更优选地表现出>10:1的湿蚀刻率WN/W选择性,和更优选地表现出>50:1的湿蚀刻率WN/W选择性。
本发明的组合物表现出以下性能特征:
WN蚀刻率>/min
W蚀刻率</min
氧化物蚀刻率</min
WN/W蚀刻率选择性>6:1
工艺温度<70℃
浴寿命>6hr
因此,在另一个实施方式中,本发明提供从其上具有WN硬掩膜和W金属的微电子装置中去除所述WN硬掩膜的材料的方法,所述方法包括将所述微电子装置与水性清洁组合物接触足够的时间以至少部分地从微电子装置中清除所述WN硬掩膜,其中所述水性清洁组合物包含水;氧化剂,其包含过硫酸铵;腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;任选的水可混溶的有机溶剂;任选的有机酸;任选的缓冲物质;任选的氟化物离子源;和任选的金属螯合剂,其中获得>6.0的WN/W选择性。
在等离子体蚀刻后的清洁和/或含钨硬掩膜去除的应用中,将所述氧化水性清洁组合物以任何适合的方式施加至待清洁的装置,例如通过将所述氧化水性清洁组合物喷到待清洁的装置的表面上;通过将待清洁的装置浸渍到所述氧化水性清洁组合物的静态或动态体积中;通过将待清洁的装置与另外的材料(例如衬垫或纤维吸附剂施加器元件)接触,其将所述氧化水性清洁组合物吸收在其上;或通过使得所述氧化水性清洁组合物与待清洁的装置去除性接触的其他任何合适手段、方式或技术。此外,本文设想批量或单个晶片加工。
在将本发明的组合物用于从其上具有等离子体蚀刻后的残余物的微电子装置中去除所述残余物时,所述氧化水性清洁组合物通常在约25℃到约70℃、优选约30℃到约60℃的温度下与所述装置接触约1分钟到约60分钟的时间。这种接触时间和温度是说明性的,且在本发明的宽泛实践内,可以使用对于从所述装置至少部分地去除蚀刻后的残余物材料和/或硬掩膜层而言有效的其他任何适合的时间和温度条件。从微电子装置“至少部分地去除”残余物材料和/或硬掩膜层对应于去除至少90%的所述材料,优选去除至少95%。最优选地,利用本发明组合物去除至少99%的所述残余物材料和/或硬掩膜层。
实现期望的去除作用后,将优选是水可混溶的所述氧化水性清洁组合物容易地从曾经施加其的装置去除,例如通过冲洗、洗涤或其他去除步骤,如可以是本发明组合物的给定最终用途应用所期望和有效的。例如,所述装置可以用包括去离子水的冲洗溶液冲洗和/或干燥(例如,旋转干燥、N2、蒸汽干燥等)。
本发明的另一方面涉及从微电子装置表面去除等离子体蚀刻后的残余物材料的两步法。第一步包括将本发明的氧化水性清洁组合物在约25℃到约70℃,优选约30℃到约60℃范围的温度下与所述装置接触约1分钟到约60分钟的时间。此后,将所述装置在约20℃到约25℃范围的温度下与稀释的氢氟酸组合物接触15秒到约60秒。稀释的氢氟酸组合物的稀释度可以是约100:1-约1000:1(水:HF),优选约400:1-约600:1。优选地,在与氧化水性清洁组合物接触之后和与稀释的HF接触之前,将所述装置用冲洗组合物(例如去离子水)冲洗。
实施例
制备清洁组合物的通用程序
作为本实施例的主题的所有组合物都通过用1”Teflon涂覆的搅拌棒混合600mL烧杯中的500g材料来制备。然后可以以任何顺序添加组分。
蚀刻率测量
对于以下实施例,如下测定蚀刻率大小:
在3分钟时间段内从40℃到65℃测量蚀刻率。W和WN蚀刻率(ER)通过4点探测(probe),TEOS薄膜通过椭率计测量。通过处理前后的厚度差除以浸渍时间计算蚀刻率。
实施例组合物
表1.评估钨腐蚀抑制剂
148A | 148B | 148D | 148E | 148F | 149B* | 149A | 148Q | |
APS | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
H2O | 95 | 30 | 95 | 95 | 95 | 94.5 | 91.5 | 88.5 |
乙酸铵 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 6 | 9 |
PG | 60 | |||||||
lupasol | 0.15 | 0.5 | ||||||
CTAB | 0.2 | |||||||
辛胺 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |||||
WNER | >100 | 0.7 | >67 | |||||
WER | 58 | 103 | 51.7 | 0.3 | 34.7 | 10 | 25 | 36 |
WN/N选择性 | >1.7 | >6.7 | ||||||
氧化物ER | <1 | |||||||
工艺温度(℃) | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 55 | 55 | 55 |
表2.评估钨腐蚀抑制剂
161M | 161L | 161K | 161J | 161I | 161N | 161O | 161P | 161Q | |
AFS | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 |
乙酸铵 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 |
乙酸 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
辛胺 | 0 | 0.3 | 0 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
DIW | 93.7 | 93.4 | 92.7 | 92.4 | 92.9 | 92.4 | 92.4 | 92.4 | 92.4 |
柠檬酸 | 1 | 1 | 0.5 | ||||||
丙二酸 | 1 | ||||||||
IDA | 1 | ||||||||
己二酸 | 1 | ||||||||
H2SO4 | 0.45 | ||||||||
pH | 4.75 | 4.88 | 4.27 | 4.43 | 4.63 | 4.3 | 4.48 | 4.6 | 4.4 |
WNE/R | >67 | >67 | >67 | >67 | >67 | >67 | >67 | 39.3 | 49.6 |
W E/R | 64.4 | 25.83333 | 64.2 | 5 | 10.86 | 1.26 | 19.8 | 5.8 | 1.16 |
工艺温度(℃) | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
在有机酸的帮助下,W蚀刻率可以进一步降低。因此,有机酸可以用作辅助性的W腐蚀抑制剂。
优选的组合物
以下组合物是优选的。
制剂165K
165K | |
APS | 3 |
乙酸铵 | 1.3 |
乙酸 | 1 |
辛胺 | 0.3 |
DIW | 91.4 |
TEAH(35%) | 3 |
参考图1和2,能够看出保持稳定的pH对于浴寿命延长是重要的。制剂165K表现出有前途的WN蚀刻能力并保持高的WN/W选择性。165K的浴寿命在45℃下高于9小时。
氟化物离子的影响
以下数据显示了将氟化物离子添加至包含过硫酸铵的组合物中提高了WN蚀刻率。
表3.氟化物对于WN蚀刻率的影响
163A | 164B | 164C | 164D | 164H | |
APS | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
乙酸铵 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 | 1.3 |
乙酸 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
辛胺 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
DIW | 94.4 | 94.25 | 93.9 | 94 | 94.15 |
氟化氢铵 | 0.15 | ||||
NH4F(40%) | 0.5 | 0.4 | |||
HF(49%) | 0.25 | ||||
pH | 4.64 | 4.51 | 4.65 | 4.64 | 4.31 |
WN E/R | 43.4 | >67 | 63.6 | 64.34 | >67 |
W E/R | 8.8 | 15 | 17.67 | 3.67 | 20.7 |
工艺温度(℃) | 45 | 45 | 45 | 45 | 45 |
尽管本发明的原理已经结合优选实施方案进行描述,但是应明确理解这种描述仅以举例方式进行,而不作为本发明范围的限制。
Claims (20)
1.用于清洁集成电路衬底的组合物,所述组合物包含:
a.水;
b.氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;
c.腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;
d.任选的水可混溶的有机溶剂;
e.任选的有机酸;
f.任选的缓冲物质;
g.任选的氟化物离子源;和
h.任选的金属螯合剂。
2.权利要求1所述的组合物,其中所述金属螯合剂存在且选自(乙二胺)四乙酸(EDTA)、丁二胺四乙酸、(1,2-环己二胺-)四乙酸(CyDTA)、二乙三胺五乙酸(DETPA)、乙二胺四丙酸、(羟乙基)乙二胺三乙酸(HEDTA)、N,N,N',N'-乙二胺四(亚甲基膦)酸(EDTMP)、三乙四胺六乙酸(TTHA)、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸(DHPTA)、甲基亚氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、氨三乙酸(NTA)、柠檬酸、酒石酸、葡糖酸、糖二酸、甘油酸、草酸、邻苯二甲酸、马来酸、扁桃酸、丙二酸、乳酸、水杨酸、儿茶酚、没食子酸、没食子酸丙酯、连苯三酚、8-羟基喹啉和半胱氨酸。
3.权利要求2所述的组合物,其中所述金属螯合剂选自EDTA、CyDTA和EDTMP。
4.用于清洁集成电路衬底的组合物,所述组合物由以下组成:
约12到约25wt.%的水;
约0.50到约2.0wt.%的氧化剂,其包含氧化物质的铵盐;
约0.01到约3.0wt.%的腐蚀抑制剂,其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺,其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基;
约5到约60wt.%的水可混溶的有机溶剂;
约0.2到约10wt.%的缓冲物质;和
约0.1到约3wt.%的氟化物离子源。
5.前述权利要求任一项所述的组合物,其具有3.0-6.5的pH。
6.前述权利要求任一项所述的组合物,其中所述氧化物质的铵盐选自亚氯酸铵(NH4ClO2)、氯酸铵(NH4ClO3)、碘酸铵(NH4IO3)、过硼酸铵(NH4BO3)、高氯酸铵(NH4ClO4)、高碘酸铵(NH4IO3)、过硫酸铵((NH4)2S2O8)、四甲基亚氯酸铵((N(CH3)4)ClO2)、四甲基氯酸铵((N(CH3)4)ClO3)、四甲基碘酸铵((N(CH3)4IO3)、四甲基过硼酸铵((N(CH3)4)BO3)、四甲基高氯酸铵((N(CH3)4)ClO4)、四甲基高碘酸铵((N(CH3)4)IO4)、四甲基过硫酸铵((N(CH3)4)S2O8)及其组合。
7.权利要求6所述的组合物,其中所述氧化物质的铵盐是过硫酸铵。
8.前述权利要求任一项所述的组合物,其中所述缓冲物质包含弱酸的四烷基铵盐,其中
所述四烷基铵盐包括由[NR1R2R3R4]+表示的四烷基铵阳离子,其中R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同且选自C1-C6直链或支链烷基或C6-C10取代或未取代的芳基,和
所述弱酸选自硼酸、乳酸、马来酸、抗坏血酸、苹果酸、苯甲酸、富马酸、琥珀酸、草酸、丙二酸、扁桃酸、马来酸酐、乙酸、丙酸、柠檬酸、邻苯二甲酸、芳族羧酸及其组合。
9.权利要求8所述的组合物,其中所述缓冲物质是柠檬酸的四甲基铵盐或硼酸的四甲基铵盐。
10.前述权利要求任一项所述的组合物,其中所述腐蚀抑制剂选自正己胺、正辛胺、正癸胺、正十二胺、正十四胺、正十五胺、正十六胺和正十八胺(硬脂胺)。
11.权利要求10所述的组合物,其中所述腐蚀抑制剂是正辛胺。
12.前述权利要求任一项所述的组合物,其中所述腐蚀抑制剂选自3,3'-亚氨基双(N,N-二甲基丙胺)、双(3-氨基丙基)胺、五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、和聚乙烯亚胺(PEI)。
13.权利要求12所述的组合物,其中所述腐蚀抑制剂是聚乙烯亚胺。
14.前述权利要求任一项所述的组合物,其中所述水可混溶的有机溶剂选自乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、三丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、二乙二醇正丁醚、己氧基丙胺、聚(氧乙烯)二胺、二甲亚砜、四氢糠醇、甘油、醇类、亚砜及其混合物。
15.权利要求14所述的组合物,其中所述水可混溶的有机溶剂是二醇。
16.前述权利要求任一项所述的组合物,其中所述氟化物离子源选自氢氟酸和/或其盐、氟化铵、四甲基氟化铵、四丁基氟化铵、氟硼酸盐、氟硼酸、四丁基四氟硼酸铵和六氟化铝。
17.从其上具有WN硬掩膜和W金属的微电子装置中去除所述WN硬掩膜的材料的方法,所述方法包括将所述微电子装置与根据前述权利要求任一项所述的水性清洁组合物接触足够的时间以至少部分地从所述微电子装置清除所述WN硬掩膜,其中获得>6.0的WN/W选择性。
18.权利要求17所述的方法,其中所述接触包括选自以下的工艺:将所述水性组合物喷到所述微电子装置的表面上;将所述微电子装置浸渍到足够体积的水性组合物中;将所述微电子装置的表面与用所述水性组合物饱和的另外的材料接触;和将所述微电子装置与循环的水性组合物接触。
19.权利要求17或18所述的方法,其进一步包括在与所述水性组合物接触后用去离子水冲洗所述微电子装置。
20.权利要求19所述的方法,其进一步包括将所述微电子装置与稀氢氟酸接触。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462097647P | 2014-12-30 | 2014-12-30 | |
US62/097,647 | 2014-12-30 | ||
US14/976,737 US10301580B2 (en) | 2014-12-30 | 2015-12-21 | Stripping compositions having high WN/W etching selectivity |
US14/976,737 | 2015-12-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105739251A true CN105739251A (zh) | 2016-07-06 |
CN105739251B CN105739251B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=55409658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201511020997.8A Active CN105739251B (zh) | 2014-12-30 | 2015-12-30 | 具有高wn/w蚀刻选择性的剥离组合物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10301580B2 (zh) |
EP (1) | EP3040409B1 (zh) |
JP (1) | JP6339555B2 (zh) |
KR (1) | KR101884367B1 (zh) |
CN (1) | CN105739251B (zh) |
MY (1) | MY173068A (zh) |
PH (1) | PH12016000003B1 (zh) |
SG (1) | SG10201510714XA (zh) |
TW (1) | TWI573867B (zh) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106350308A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-25 | 重庆合川盐化工业有限公司 | 一种用于清洁金属和瓷器的盐复合物及对金属和瓷器进行清洁的方法 |
CN106479696A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-03-08 | 惠晶显示科技(苏州)有限公司 | 用于液晶显示面板玻璃酸刻所生结垢物的清洗液及其制备方法 |
CN107229193A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-10-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种清洗剂、其制备方法和应用 |
CN109136948A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-04 | 济南大学 | 一种复合型金属表面除锈清洗剂的制备方法 |
CN109267079A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-25 | 济南大学 | 一种中性金属表面除锈清洗剂的制备方法 |
CN109295466A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-01 | 济南大学 | 一种用于桥梁钢表面除锈剂的制备方法 |
CN109423291A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 |
CN110272742A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-24 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于钨字线凹进的蚀刻溶液 |
CN110383179A (zh) * | 2018-02-14 | 2019-10-25 | 默克专利股份有限公司 | 光刻胶去除剂组合物 |
CN111164183A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-05-15 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 |
CN112384597A (zh) * | 2018-07-06 | 2021-02-19 | 恩特格里斯公司 | 选择性蚀刻材料的改进 |
CN113039634A (zh) * | 2018-11-15 | 2021-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 用于使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻的加工***和平台 |
CN113817471A (zh) * | 2017-09-06 | 2021-12-21 | 恩特格里斯公司 | 用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法 |
CN113950520A (zh) * | 2019-06-13 | 2022-01-18 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 |
CN114258424A (zh) * | 2019-06-13 | 2022-03-29 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 蚀刻组合物 |
US11549086B2 (en) | 2017-07-25 | 2023-01-10 | Shanghai Sinyang Semiconductor Materials Co., Ltd. | Cleaning agent and preparation method and use thereof |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6970675B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2021-11-24 | 富士フイルム株式会社 | 処理液および積層体の処理方法 |
US10312073B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Selective removal of carbon-containing and nitrogen-containing silicon residues |
WO2019082681A1 (ja) * | 2017-10-23 | 2019-05-02 | メック株式会社 | 膜形成基材の製造方法、膜形成基材及び表面処理剤 |
JP7306373B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2023-07-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | ドライエッチング残渣を除去するための洗浄液及びこれを用いた半導体基板の製造方法 |
WO2020102228A1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | Entegris, Inc. | Silicon nitride etching composition and method |
CN113287187A (zh) * | 2019-01-11 | 2021-08-20 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 氧化铪腐蚀抑制剂 |
FR3093001B1 (fr) * | 2019-02-22 | 2022-06-10 | Prevor Int | Composition pour enlever des residus chimiques et ses utilisations |
CN114761878A (zh) * | 2019-10-17 | 2022-07-15 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于euv掩模保护结构的蚀刻组合物及方法 |
IL294958A (en) * | 2020-01-30 | 2022-09-01 | Showa Denko Kk | A method for removing metal compounds |
US20210317389A1 (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-14 | William Quan | Chemical product for rapid removal of food burned on to the surfaces of cooktops |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1914309A (zh) * | 2004-03-05 | 2007-02-14 | 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司 | 改进的用于cmp后清洗的酸性化学处理剂 |
CN101290482A (zh) * | 2007-04-19 | 2008-10-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液 |
CN101366107A (zh) * | 2005-10-05 | 2009-02-11 | 高级技术材料公司 | 用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂 |
CN101971296A (zh) * | 2007-12-21 | 2011-02-09 | 朗姆研究公司 | 用于带有盖层的衬底的沉积后清洁方法和配方 |
CN103154321A (zh) * | 2010-10-06 | 2013-06-12 | 高级技术材料公司 | 选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 |
CN104145324A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-11-12 | 高级技术材料公司 | 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09279189A (ja) | 1996-04-08 | 1997-10-28 | Nippon Steel Corp | 半導体基板用洗浄液 |
US6276996B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
US6551935B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-04-22 | Micron Technology, Inc. | Slurry for use in polishing semiconductor device conductive structures that include copper and tungsten and polishing methods |
JP4159944B2 (ja) | 2003-07-31 | 2008-10-01 | 花王株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
US7022255B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use |
US7419911B2 (en) * | 2003-11-10 | 2008-09-02 | Ekc Technology, Inc. | Compositions and methods for rapidly removing overfilled substrates |
JP2006210857A (ja) | 2005-01-24 | 2006-08-10 | Lee Kigen | 不純物除去用洗浄液組成物及びこれを用いた不純物除去方法 |
EP1946358A4 (en) * | 2005-11-09 | 2009-03-04 | Advanced Tech Materials | COMPOSITION AND METHOD FOR RECYCLING SEMICONDUCTOR WAFERS WITH LOW DIELECTRICITY CONSTANT MATERIALS |
KR100678482B1 (ko) | 2006-01-17 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 표면의 세정용액 및 이를 사용하는 반도체 소자의제조방법들 |
US20100112728A1 (en) * | 2007-03-31 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Methods for stripping material for wafer reclamation |
JP2009075285A (ja) | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法 |
EP2342738A4 (en) * | 2008-10-02 | 2013-04-17 | Advanced Tech Materials | USE OF TENSID / DETOINT MIXTURES FOR INCREASED METAL LOADING AND SURFACE PASSIVATION OF SILICON SUBSTRATES |
TW201634701A (zh) * | 2010-04-15 | 2016-10-01 | 安堤格里斯公司 | 廢棄印刷電路板之回收利用方法 |
JP5508130B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法 |
CN112442374A (zh) * | 2013-07-31 | 2021-03-05 | 恩特格里斯公司 | 用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂 |
-
2015
- 2015-12-21 US US14/976,737 patent/US10301580B2/en active Active
- 2015-12-24 TW TW104143648A patent/TWI573867B/zh active
- 2015-12-28 MY MYPI2015704776A patent/MY173068A/en unknown
- 2015-12-28 JP JP2015256427A patent/JP6339555B2/ja active Active
- 2015-12-28 EP EP15202819.7A patent/EP3040409B1/en active Active
- 2015-12-29 SG SG10201510714XA patent/SG10201510714XA/en unknown
- 2015-12-29 KR KR1020150188390A patent/KR101884367B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-30 CN CN201511020997.8A patent/CN105739251B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-04 PH PH12016000003A patent/PH12016000003B1/en unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1914309A (zh) * | 2004-03-05 | 2007-02-14 | 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司 | 改进的用于cmp后清洗的酸性化学处理剂 |
CN101366107A (zh) * | 2005-10-05 | 2009-02-11 | 高级技术材料公司 | 用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂 |
CN101290482A (zh) * | 2007-04-19 | 2008-10-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液 |
CN101971296A (zh) * | 2007-12-21 | 2011-02-09 | 朗姆研究公司 | 用于带有盖层的衬底的沉积后清洁方法和配方 |
CN103154321A (zh) * | 2010-10-06 | 2013-06-12 | 高级技术材料公司 | 选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 |
CN104145324A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-11-12 | 高级技术材料公司 | 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106350308B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-02-26 | 重庆合川盐化工业有限公司 | 一种用于清洁金属和瓷器的盐复合物及对金属和瓷器进行清洁的方法 |
CN106350308A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-25 | 重庆合川盐化工业有限公司 | 一种用于清洁金属和瓷器的盐复合物及对金属和瓷器进行清洁的方法 |
CN106479696A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-03-08 | 惠晶显示科技(苏州)有限公司 | 用于液晶显示面板玻璃酸刻所生结垢物的清洗液及其制备方法 |
US11549086B2 (en) | 2017-07-25 | 2023-01-10 | Shanghai Sinyang Semiconductor Materials Co., Ltd. | Cleaning agent and preparation method and use thereof |
CN107229193B (zh) * | 2017-07-25 | 2019-04-23 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种清洗剂、其制备方法和应用 |
CN107229193A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-10-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种清洗剂、其制备方法和应用 |
CN109423291B (zh) * | 2017-08-25 | 2022-09-30 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 |
CN109423291A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液 |
CN113817471B (zh) * | 2017-09-06 | 2022-11-15 | 恩特格里斯公司 | 用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法 |
CN113817471A (zh) * | 2017-09-06 | 2021-12-21 | 恩特格里斯公司 | 用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法 |
CN111164183A (zh) * | 2017-09-29 | 2020-05-15 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 |
CN111164183B (zh) * | 2017-09-29 | 2021-07-20 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 |
CN110383179B (zh) * | 2018-02-14 | 2021-10-29 | 默克专利股份有限公司 | 光刻胶去除剂组合物 |
CN110383179A (zh) * | 2018-02-14 | 2019-10-25 | 默克专利股份有限公司 | 光刻胶去除剂组合物 |
CN110272742A (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-24 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于钨字线凹进的蚀刻溶液 |
CN112384597A (zh) * | 2018-07-06 | 2021-02-19 | 恩特格里斯公司 | 选择性蚀刻材料的改进 |
CN113039634A (zh) * | 2018-11-15 | 2021-06-25 | 东京毅力科创株式会社 | 用于使用自限制和溶解度受限反应的原子层湿法蚀刻的加工***和平台 |
CN109295466A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-02-01 | 济南大学 | 一种用于桥梁钢表面除锈剂的制备方法 |
CN109267079A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-25 | 济南大学 | 一种中性金属表面除锈清洗剂的制备方法 |
CN109136948A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-04 | 济南大学 | 一种复合型金属表面除锈清洗剂的制备方法 |
CN113950520A (zh) * | 2019-06-13 | 2022-01-18 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 |
CN114258424A (zh) * | 2019-06-13 | 2022-03-29 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 蚀刻组合物 |
CN114258424B (zh) * | 2019-06-13 | 2023-07-04 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 蚀刻组合物 |
CN113950520B (zh) * | 2019-06-13 | 2024-03-01 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 在半导体器件制造期间相对于p-掺杂硅和硅-锗选择性去除多晶硅的液体组合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3040409A1 (en) | 2016-07-06 |
MY173068A (en) | 2019-12-24 |
TW201623598A (zh) | 2016-07-01 |
US10301580B2 (en) | 2019-05-28 |
SG10201510714XA (en) | 2016-07-28 |
PH12016000003A1 (en) | 2017-07-17 |
TWI573867B (zh) | 2017-03-11 |
JP2016127291A (ja) | 2016-07-11 |
EP3040409B1 (en) | 2017-12-27 |
JP6339555B2 (ja) | 2018-06-06 |
PH12016000003B1 (en) | 2017-07-17 |
KR101884367B1 (ko) | 2018-08-01 |
CN105739251B (zh) | 2020-12-25 |
US20160186105A1 (en) | 2016-06-30 |
KR20160082231A (ko) | 2016-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105739251A (zh) | 具有高wn/w蚀刻选择性的剥离组合物 | |
KR102266832B1 (ko) | TiN 하드 마스크 및 에치 잔류물 제거 | |
JP4750807B2 (ja) | 半導体基材用洗浄剤 | |
TWI713458B (zh) | 用於移除蝕刻後殘留物之具有鎢及鈷相容性之水性及半水性清洗劑 | |
JP6329909B2 (ja) | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 | |
CN101366107B (zh) | 用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂 | |
KR100822156B1 (ko) | 잔재물을 제거하기 위한 수성 세정 조성물 및 이것을사용하는 방법 | |
KR100942009B1 (ko) | 포토레지스트, 에칭 잔류물 및 barc를 제거하기 위한제제 | |
TWI626305B (zh) | 清潔配方 | |
TWI838332B (zh) | 用於移除半導體基材上的殘餘物之清潔調配物 | |
WO2006110645A2 (en) | Fluoride liquid cleaners with polar and non-polar solvent mixtures for cleaning low-k-containing microelectronic devices | |
TW200428512A (en) | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing | |
JP2007519942A (ja) | レジスト、barc、およびギャップフィル材料を剥離する化学物質ならびに方法 | |
JP2021536669A (ja) | セリア粒子向けのcmp後洗浄用組成物 | |
JP2009231354A (ja) | 半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法 | |
EP3599633B1 (en) | Post etch residue cleaning compositions and methods of using the same | |
TWI804519B (zh) | 蝕刻組成物 | |
JP2014132094A (ja) | 酸性、有機溶媒ベースの多目的マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 | |
TWI743026B (zh) | 無胺之化學機械研磨後(post cmp)組成物及其使用方法 | |
JP5007089B2 (ja) | レジストの剥離方法 | |
TW202330894A (zh) | 微電子裝置清潔組合物 | |
JP5730790B6 (ja) | 酸性、有機溶媒ベースの多目的マイクロエレクトロニクス洗浄組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170602 Address after: Arizona, USA Applicant after: Versum Materials US, LLC Address before: Pennsylvania Applicant before: Air Products and Chemicals, Inc. |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |