JP7306373B2 - ドライエッチング残渣を除去するための洗浄液及びこれを用いた半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
よって、基板の配線材料および層間絶縁膜を防食しつつ、ドライエッチング残渣とドライエッチングストッパー層を除去する洗浄技術が求められている。さらに、洗浄後の製膜工程に好ましくない現象である、酸化アルミニウムなどのドライエッチングストッパー層のサイドエッチングを抑制する必要がある。
また、配線材料のダメージを防ぐために防食剤が使用されることもあるが、配線材料表面に吸着した防食剤は、洗浄後の製膜工程に不具合が生じないように除去する必要がある。含窒素複素環式化合物は代表的なコバルト防食剤であるが、一般的な洗浄液で配線材料表面から除去することは容易ではない。
すなわち、本発明は以下の通りである。
前記アミン化合物(A)が、n-ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、1,4-ブタンジアミン、ジブチルアミン、3-アミノ-1-プロパノール、N,N-ジエチル-1,3-ジアミノプロパン、及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンからなる群より選択される1以上を含有し、かつ前記水溶性有機溶媒(B)の20℃における粘度が10mPa・s以下であり、pHが9.0~14の範囲にある、前記洗浄液である。
<2> 前記アミン化合物(A)の含有量が0.2~4.0質量%である、上記<1>に記載の洗浄液である。
<3> 前記水の含有量が28~59質量%である、上記<1>または<2>に記載の洗浄液である。
<4> 前記水溶性有機溶媒(B)が、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びN,N-ジメチルイソブチルアミドからなる群より選択される1以上を含有する、上記<1>から<3>のいずれかに記載の洗浄液である。
<5> 前記アミン化合物(A)が、3-アミノ-1-プロパノール、N,N-ジエチル-1,3-ジアミノプロパン、及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンからなる群より選択される1以上を含有する、上記<1>から<4>のいずれかに記載の洗浄液である。
<6> ドライエッチング残渣を除去するための、上記<1>から<5>のいずれかに記載の洗浄液である。
<7> 上記<1>から<6>のいずれかに記載の洗浄液を用いて、コバルトを含む半導体基板を洗浄する工程を含む、半導体基板の製造方法である。
<8> 前記半導体基板が、コバルトを含有する金属配線層と、層間絶縁膜と、酸化アルミニウムを含有するドライエッチングストッパー層とを含む、上記<7>に記載の半導体基板の製造方法である。
本発明で使用するアミン化合物(A)は、コバルト防食性の観点から、特定のアミン化合物から選択される1以上を含有する。
具体的には、n-ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、1,4-ブタンジアミン、ジブチルアミン、3-アミノ-1-プロパノール、N,N-ジエチル-1,3-ジアミノプロパン及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンが挙げられる。これらのなかでも、高温条件でも揮発が少ない3-アミノ-1-プロパノール、N,N-ジエチル-1,3-ジアミノプロパン、及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンが好ましい。これらは、市販品を容易に入手でき、また好適に使用できる。
洗浄液中のアミン化合物(A)の含有量は、0.2~20質量%の範囲であり、0.2~8.0質量%の範囲が好ましく、0.2~4.0質量%の範囲がより好ましく、0.5~4.0質量%の範囲が特に好ましく、これらの範囲にあることで、ドライエッチング残渣の除去性と酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性が両立できる。
使用量が多すぎる場合、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性が高くなり、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層のサイドエッチングが増大する場合がある。一方、使用量が少なすぎる場合、ドライエッチング残渣と酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性が不充分となることがある。
本発明で使用する水溶性有機溶媒(B)は、20℃における粘度が10mPa・s以下の水に可溶な溶媒である。
具体的には、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(以下、DGME)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(以下、DGMB)、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(以下、TGME)、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、DPGMG)、及びN,N-ジメチルイソブチルアミド(以下、DMIB)が好ましく挙げられる。これらは、市販品を容易に入手でき、また好適に使用でき、2種以上を組み合わせて使用することもできる。
洗浄液中の水溶性有機溶媒(B)の含有量は、40~70質量%の範囲であり、45~65質量%の範囲が好ましい。使用量が少なすぎる場合、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性が高くなり、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層のサイドエッチングが増大する場合がある。また、コバルトの防食性が不充分となることもある。一方、使用量が多すぎる場合、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性が低下し、洗浄時間が長くなる場合がある。
本発明で使用される水としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水、超純水など特に限定はないが、好ましくはイオン交換水、より好ましくは超純水である。
洗浄液中の水の含有量は、28~59質量%の範囲が好ましく、34~54質量%の範囲がより好ましい。
本発明の洗浄液は、前記アミン化合物(A)、水溶性有機溶媒(B)、及び水を一般的な方法で均一に攪拌して調製することができる。
洗浄液のpHは9.0~14であり、11~13が好ましい。pHが低くなりすぎると、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性やコバルトの防食性が低下し、pHが高くなりすぎると酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層の除去性が高くなり、酸化アルミニウムを含むドライエッチングストッパー層のサイドエッチングが増大する場合がある。
pH調整は、アミン化合物(A)の含有量のみで調整してもよいが、本発明の目的を損なわない範囲で酸を添加してもよい。
本発明の洗浄液が使用される半導体基板は、コバルトを含有する金属配線層、層間絶縁膜、及びドライエッチングストッパー層を有していることが好ましく、基板表面にドライエッチング後の残渣が存在する。特に、半導体基板がドライエッチング残渣としてマスクパターン残渣(有機物系化合物残渣)を有する場合において効果的である。また、上記層間絶縁膜は、低誘電率膜(Low-k膜)を含んでいてもよい。また、上記ドライエッチングストッパー層は、酸化アルミニウムを含むことが好ましい。
本発明の半導体基板の製造方法は、上記本発明の洗浄液を用いて、コバルトを含む半導体基板を洗浄する工程を含む。
例えば、ドライエッチング処理後の半導体基板に対して、本発明の洗浄液を浸漬処理又は枚葉処理の方法で使用することができる。処理温度は、通常10~70℃であり、40~60℃が好ましい。処理時間は、通常0.5~10分であり、1~5分が好ましい。本発明の洗浄液を使用した後のリンス液としては、水でリンスするだけでも十分であるが、アルコールのような有機溶剤やアンモニア水を使用してもよい。
ドライエッチング残渣除去性評価用(評価I):有機物(炭素、水素、酸素、窒素)からなる下層反射防止膜(膜厚:400Å)、
ドライエッチングストッパー層除去性評価用(評価II):酸化アルミニウム膜(膜厚:3000Å)、
金属配線防食性評価用(評価III):コバルト膜(膜厚:2000Å)を使用した。
層間絶縁膜防食性評価用(評価IV):ケイ素、炭素、水素、酸素からなるLow-k膜(膜厚:3000Å)
下層反射防止膜及びLow-k膜は、それぞれシリコンウェハ上にスピンコーティングして成膜した。
酸化アルミニウム膜は、シリコンウェハ上に物理気相成長法で成膜した。
コバルト膜は、シリコンウェハ上に5000Åの酸化シリコン、250Åのチタンの順で堆積させ、その上に化学気相成長法で成膜した。
[処理条件]
1×1cm、または2×2cmサイズの上記評価基板の試験片を60℃の洗浄液10gに浸漬させ、処理後の試験片を水リンスした。
[膜厚測定]
下層反射防止膜、酸化アルミニウム膜、及びLow-k膜の膜厚は、光学式膜厚計n&k1280(n&kテクノロジー製)で測定した。コバルトの膜厚減少量は、ICP-AES iCAP6300(Thermo Scientific製)を用いて、処理後の洗浄液中の金属濃度から算出した。
(膜厚減少量[Å]=洗浄液中の金属溶解量[g]×108÷密度[g/cm3]÷試験片の表面積[cm2])
エッチングレート[Å/min]は、膜厚減少量を処理時間(酸化アルミニウム膜は1分、コバルト膜は4分、Low-k膜は5分)で除することで算出した。
判定;
(評価I):ドライエッチング残渣の除去性
下層反射防止膜の除去時間(下層反射防止膜が剥離し、下地材が目視できた時点の時間)で判定した。
G:15分未満
A:15分~30分未満
P:30分~60分
(評価II):酸化アルミニウム膜の除去性
酸化アルミニウム膜のエッチングレートで判定した。
G:15~50Å/min未満
A1:10~15Å/min未満
A2:50~60Å/min
P1:10Å/min未満。
P2:60Å/min超。
G、A1及びA2判定を合格とする。
(評価III):コバルトの防食性
コバルト膜のエッチングレートで判定した。
G:1Å/min未満。
P:1Å/min以上。
G判定を合格とする。
(評価IV):Low-k膜の防食性
Low-k膜のエッチングレートで判定した。
G:1Å/min未満。
P:1Å/min以上。
G判定を合格とする。
洗浄液のpHを、HORIBA製pH METER F-52で測定した。測定温度は、25℃とした。
[粘度]
洗浄液の粘度を、柴田科学製ウベローデ粘度計で測定した。測定温度は、20℃とした。
表1又は表2に示した組成の洗浄液を使用して、上記評価基板を処理して評価を行った。表1又は表2中の濃度の単位は、質量%を表す。評価IVは実施例1~22について評価し、全てG判定であった。
DGBE:ジエチレングリコールモノブチルエーテル(20℃における粘度が7mPa・s)
TGME:トリエチレングリコールモノメチルエーテル(20℃における粘度が8mPa・s)
DPGME:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(20℃における粘度が4mPa・s)
DMIB:N,N-ジメチルイソブチルアミド(20℃における粘度が1mPa・s)
2:ドライエッチングストッパー層
3:金属配線層(コバルト)
4:層間絶縁膜
Claims (8)
- アミン化合物(A)0.2~20質量%、水溶性有機溶媒(B)40~70質量%、及び水を含有する洗浄液であって、
前記アミン化合物(A)が、n-ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、1,4-ブタンジアミン、ジブチルアミン、N,N-ジエチル-1,3-ジアミノプロパン、及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンからなる群より選択される1以上を含有し、かつ前記水溶性有機溶媒(B)の20℃における粘度が10mPa・s以下であり、pHが9.0~14の範囲にある、前記洗浄液。 - 前記アミン化合物(A)の含有量が0.2~4.0質量%である、請求項1に記載の洗浄液。
- 前記水の含有量が28~59質量%である、請求項1または2に記載の洗浄液。
- 前記水溶性有機溶媒(B)が、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びN,N-ジメチルイソブチルアミドからなる群より選択される1以上を含有する、請求項1から3のいずれかに記載の洗浄液。
- 前記アミン化合物(A)が、N,N-ジエチル-1,3-ジアミノプロパン、及びビス(ヘキサメチレン)トリアミンからなる群より選択される1以上を含有する、請求項1から4のいずれかに記載の洗浄液。
- ドライエッチング残渣を除去するための、請求項1から5のいずれかに記載の洗浄液。
- 請求項1から6のいずれかに記載の洗浄液を用いて、コバルトを含む半導体基板を洗浄する工程を含む、半導体基板の製造方法。
- 前記半導体基板が、コバルトを含有する金属配線層と、層間絶縁膜と、酸化アルミニウムを含有するドライエッチングストッパー層とを含む、請求項7に記載の半導体基板の製造方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003262963A (ja) | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤及びその使用方法 |
JP2011159658A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Advanced Technology Materials Inc | タングステン配線半導体用洗浄剤 |
JP2011243610A (ja) | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法 |
JP2013157516A (ja) | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Advanced Technology Materials Inc | 銅配線半導体用洗浄剤 |
WO2016076033A1 (ja) | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法 |
JP2016127291A (ja) | 2014-12-30 | 2016-07-11 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 高いwn/w選択率を有するストリッピング組成物 |
WO2017119350A1 (ja) | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
WO2017208767A1 (ja) | 2016-06-03 | 2017-12-07 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法 |
JP2018021093A (ja) | 2016-08-01 | 2018-02-08 | 花王株式会社 | スクリーン版用洗浄剤組成物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3089089B2 (ja) * | 1992-04-06 | 2000-09-18 | 旭化成工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
CN100338530C (zh) * | 2001-11-02 | 2007-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 剥离抗蚀剂的方法 |
KR101017738B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2011-02-28 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물 |
WO2005043245A2 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-12 | Mallinckrodt Baker Inc. | Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors |
US20120048295A1 (en) * | 2009-03-11 | 2012-03-01 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning formulation for removing residues on surfaces |
SG10201500387RA (en) | 2010-01-29 | 2015-04-29 | Entegris Inc | Cleaning agent for semiconductor provided with metal wiring |
EP3104398B1 (en) * | 2013-12-06 | 2020-03-11 | Fujifilm Electronic Materials USA, Inc. | Cleaning formulation and method for removing residues on surfaces |
US10073351B2 (en) * | 2014-12-23 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003262963A (ja) | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離剤及びその使用方法 |
JP2011159658A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Advanced Technology Materials Inc | タングステン配線半導体用洗浄剤 |
JP2011243610A (ja) | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Fujifilm Corp | 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法 |
JP2013157516A (ja) | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Advanced Technology Materials Inc | 銅配線半導体用洗浄剤 |
WO2016076033A1 (ja) | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | コバルトのダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法 |
JP2016127291A (ja) | 2014-12-30 | 2016-07-11 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 高いwn/w選択率を有するストリッピング組成物 |
WO2017119350A1 (ja) | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
WO2017208767A1 (ja) | 2016-06-03 | 2017-12-07 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法 |
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