CN105676554A - 液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN105676554A CN201610261510.3A CN201610261510A CN105676554A CN 105676554 A CN105676554 A CN 105676554A CN 201610261510 A CN201610261510 A CN 201610261510A CN 105676554 A CN105676554 A CN 105676554A
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Abstract

本发明提供一种液晶显示面板及其制作方法，该液晶显示面板通过对TFT阵列基板(100)上的所述遮光层(120)结构进行改进，使得遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带，所述数条遮光带交叉形成数个呈矩阵式排布的开口，每一开口对应所述彩色滤光层中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带对应各个相邻的色阻块(221)之间的区域设置，利用遮光层(120)取代彩色滤光片基板中的黑色矩阵，使得遮光层(120)同时具备防止背光照射在TFT上产生光漏电流和遮挡漏光区域的作用，相比于现有技术，能够改善液晶显示面板的漏光问题，有效地提升液晶显示面板的对比度，并且提升背光源利用效率，保持TFT特性。

Description

液晶显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板及其制作方法。
背景技术
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。
传统的液晶显示面板通常是由一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。其中薄膜晶体管阵列基板上制备薄膜晶体管阵列，用于驱动液晶的旋转，控制每个像素的显示，而彩色滤光片基板上设有彩色滤光层，用于形成每个像素的色彩。
如图1所示，为现有的液晶显示面板的TFT阵列基板的结构示意图，包括基板110’及在基板110’上由下而上依次设置的遮光层(LightshieldingLayer)120’、第一缓冲层130’、第二缓冲层140’、TFT150’、平坦化层160’、底层透明电极170’、钝化层180’、及顶层透明电极190’。其中，TFT150’包括由下至上依次设置的半导体层151’、栅极绝缘层152’、栅极153’、第一层间介质层154’、第二层间介质层155’、源极156’、及漏极157’，源极156’与漏极157’分别贯穿栅极绝缘层152’、第一层间介质层154’、及第二层间介质层155’与半导体层151’的两端连接。遮光层120’设置于TFT层150’中半导体层151’沟道下方的对应位置，通常使用金属钼(Mo)制作，宽度稍大于半导体层151’中的沟道区域，作用是对半导体层151’中的沟道区域进行遮光，防止因光电效应导致沟道区域产生光漏电流，引起TFT性能下降和液晶显示面板缺陷。
现有技术中，液晶显示面板中彩色滤光片基板上的彩色滤光层由红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元交替排列组成，在红色色阻单元、绿色阻单元、及蓝色色阻单元的间隙处设有黑色矩阵(BlackMatrix，BM)。黑色矩阵的材料一般为树脂光刻胶，用于遮挡漏光区域，减少漏光，提升液晶显示面板的色彩对比度。通常为了遮挡线路边缘折射的光线，黑色矩阵的宽度需大于线路的宽度。
如图2所示，为现有的液晶显示面板的结构示意图，包括对应设置的TFT阵列基板100’和彩色滤光片基板200’，及夹设于TFT阵列基板100’和彩色滤光片基板200’之间的液晶层300’，其中TFT阵列基板100’由下至上依次设置第一衬底基板110’、及TFT150’，彩色滤光基板200’由上至下依次设置第二衬底基板210’、黑色遮光矩阵220’、及彩色滤光层230’。背光源发射的光线经过TFT阵列基板100’射入液晶层300’，经折射后射入彩色滤光片基板200’进行滤光，之后向外发射对应颜色的光线。
由于彩色滤光片基板与TFT阵列基板各道制程存在制程精度、及多次温度变化玻璃收缩等多种因素，彩色滤光片基板与TFT阵列基板的制程精度误差会放大，同时在面板的对组制程中彩色滤光片基板与TFT阵列基板对组时存在精度误差，所以最终的液晶显示面板成品中常出现黑色矩阵不能完全对漏光区域遮挡而漏光的问题，影响产品品味与对比度；当对屏幕进行触摸或拍击时，彩色滤光片基板与TFT阵列基板发生相对位移，会导致原来应该被黑色矩阵遮挡的区域不能被完全遮挡，产品出现漏光；当光线穿透TFT阵列基板射入彩色滤光片基板上的黑色矩阵时，光线会被黑色矩阵吸收，造成背光源利用效率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示面板，在保证TFT不产生光漏电流的同时，改善液晶显示面板的漏光问题，提升液晶显示面板对比度，同时提升背光源利用效率，保持TFT特性。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板的制作方法，在保证TFT不产生光漏电流的同时，改善液晶显示面的漏光问题，提升液晶显示面板对比度，同时提升背光源利用效率，保持TFT特性。
为实现上述目的，本发明首先提供一种液晶显示面板，包括：相对设置的TFT阵列基板与彩色滤光片基板，及夹设于所述TFT阵列基板与彩色滤光片基板之间的液晶层；
所述TFT阵列基板包括：第一衬底基板、设置于所述第一衬底基板上的遮光层、以及设于所述遮光层上方的TFT阵列；
所述彩色滤光片基板包括：第二衬底基板、以及设置于所述第二衬底基板靠近第一衬底基板一侧的彩色滤光层；
所述彩色滤光层包括：数个呈矩阵式排列的色阻块；
所述遮光层包括：数条横向与纵向排列的遮光带，所述数条遮光带交叉形成数个呈矩阵式排布的开口，每一开口对应所述彩色滤光层中的一个色阻块，所述数条遮光带对应各个相邻的色阻块之间的区域设置。
所述遮光层与接地端电性连接。
所述遮光层的材料为金属钼。
所述TFT阵列包括：设置于所述第一衬底基板和遮光层上的绝缘缓冲层、于所述遮光层上方的绝缘缓冲层上设置的数个呈阵列式排布的TFT、设置于所述TFT上的平坦化层、设置于所述平坦化层上的底层电极、设置于所述底层电极上的钝化层、以及设置于所述钝化层上的顶层电极；
所述TFT包括：设于所述绝缘缓冲层上的半导体层、设置于所述半导体层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极、设置于所述栅极绝缘层及栅极上的层间介电层、及设置于所述层间介电层上的源极与漏极；
所述源极与漏极分别通过贯穿层间介电层和栅极绝缘层的两过孔与所述半导体层的两端相接触。
所述彩色滤光片基板还包括：设置于所述第二衬底基板与彩色滤光层之间的黑色矩阵，所述黑色矩阵包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应所述数个遮光带的位置设置。
本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一第二衬底基板，在所述第二衬底基板上形成数个呈矩阵式排列的色阻块，形成彩色滤光层，制成彩色滤光片基板；
步骤2、提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上沉积遮光层材料，形成遮光薄膜，图案化所述遮光薄膜形成遮光层；
所述遮光层包括：数条横向与纵向排列的遮光带，所述数条遮光带交叉形成数个呈矩阵式排布的开口，每一开口对应所述彩色滤光层中的一个色阻块，所述数条遮光带对应各个相邻的色阻块之间的区域设置；
步骤3、在所述遮光层上形成TFT阵列，制成TFT阵列基板；
步骤4、将所述彩色滤光片基板与TFT阵列基板对组成盒，并在彩色滤光片基板与TFT阵列基板之间形成液晶层，完成液晶显示面板的制作。
所述步骤1还包括：在所述第二衬底基板与彩色滤光层之间形成黑色矩阵，所述黑色矩阵包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应各个相邻的色阻块之间的区域设置。
所述步骤2中遮光层与接地端电性连接。
所述步骤2中遮光层的材料为金属钼。
所述步骤3中的TFT阵列的制作包括：在所述遮光层上形成绝缘缓冲层，于所述遮光层上方的绝缘缓冲层上形成数个呈阵列式排布的TFT，于所述TFT上依次形成层叠设置的平坦化层、底层电极、钝化层、及顶层电极；
所述TFT包括：设于所述绝缘缓冲层上的半导体层、设置于所述半导体层上的栅极绝缘层、设置于所述栅极绝缘层上的栅极、设置于所述栅极绝缘层及栅极上的层间介电层、及设置于所述层间介电层上的源极与漏极；所述源极与漏极分别通过贯穿层间介电层和栅极绝缘层的两过孔与所述半导体层的两端相接触。
本发明的有益效果：本发明提供的液晶显示面板，该液晶显示面板通过对TFT阵列基板上的所述遮光层结构进行改进，使得遮光层包括：数条横向与纵向排列的遮光带，所述数条遮光带交叉形成数个呈矩阵式排布的开口，每一开口对应所述彩色滤光层中的一个色阻块，所述数条遮光带对应各个相邻的色阻块之间的区域设置，利用遮光层取代彩色滤光片基板中的黑色矩阵，使得遮光层同时具备防止背光照射在TFT上产生光漏电流和遮挡漏光区域的作用，相比于现有技术，能够改善彩色滤光片基板与TFT阵列基板的制程精度误差、彩色滤光片基板与TFT阵列基板的对组精度误差、及液晶显示面板受外力作用造成的液晶显示面板的漏光问题，有效地提升液晶显示面板的对比度，并且提升背光源利用效率，保持TFT特性。本发明提供的液晶显示面板的制作方法，能够在保证TFT不产生光漏电流的同时，改善液晶显示面板的漏光问题，提升液晶显示面板对比度，同时提升背光源利用效率，保持TFT特性。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的液晶显示面板的TFT阵列基板的结构示意图；
图2为现有的液晶显示面板的结构示意图；
图3为本发明的液晶显示面板的第一实施例的结构示意图；
图4为本发明的液晶显示面板的第二实施例的结构示意图；
图5为本发明的液晶显示面板的TFT阵列基板的结构示意图；
图6为本发明的液晶显示面板的遮光层的俯视图；
图7为本发明的液晶显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明提供一种液晶显示面板，包括：相对设置的TFT阵列基板100与彩色滤光片基板200，及夹设于TFT阵列基板100与彩色滤光片基板200之间的液晶层300。
请参阅图5，所述TFT阵列基板100包括：第一衬底基板110、设置于所述第一衬底基板110上的遮光层120、以及设于所述遮光层上方的TFT阵列；
所述TFT阵列包括：设置于所述第一衬底基板110和遮光层120上的绝缘缓冲层130、于所述遮光层120上方的绝缘缓冲层130上设置的数个呈阵列式排布的TFT150、设置于所述TFT150上的平坦化层160、设置于所述平坦化层160上的底层电极170、设置于所述底层电极170上的钝化层180、以及设置于所述钝化层180上的顶层电极190。
具体地，所述绝缘缓冲层130为氮化硅(SiNX)层、和氧化硅(SiOX)层中的一种或多种的叠加，优选地，所述绝缘缓冲层130包括：自下而上层叠设置的氮化硅绝缘缓冲层131、及氧化硅绝缘缓冲层132。
所述底层电极170和顶层电极190分别为所述液晶显示面板的公共电极与像素电极，所述底层电极170和顶层电极190均为透明电极，材料优选氧化铟锡(IndiumTinOxides，ITO)。
进一步地，所述TFT150包括：设于所述绝缘缓冲层130上的半导体层151、设置于所述半导体层151上的栅极绝缘层152、设置于所述栅极绝缘层152上的栅极153、设置于所述栅极绝缘层152及栅极153上的层间介电层154、设置于所述层间介电层154上的源极156与漏极157、所述源极156与漏极157分别通过贯穿层间介电层154和栅极绝缘层130的两过孔与所述半导体层151的两端相接触。
具体地，所述半导体层151包括：位于中间的多晶硅沟道区和位于两端的接触区，以及夹在多晶硅沟道区与接触区之间的轻掺杂区。所述层间介电层154为氮化硅层、和氧化硅层中的一种或多种的叠加，优选地，层间介电层154包括：自下而上依次叠加的氧化硅层间介电层1541、及氮化硅层间介电层1542。所述所述顶层电极190通过贯穿所述钝化层180、底层电极170、及平坦化层160的过孔与所述漏极157相接触。
请参阅图3，所述彩色滤光片基板200包括：第二衬底基板210、设置于所述第二衬底基板210靠近第一衬底基板110一侧的彩色滤光层220；
所述彩色滤光层220包括：数个呈矩阵式排列的色阻块221。
具体地，所述色阻块221包括：依次交替排列的红色色阻块R、绿色色阻块G、及蓝色色阻块B，此外根据需要所述色阻块221还可以进一步包括白色色阻块、以及黄色色阻块等各种颜色的色阻块。
需要说明的是，请参阅图6，并结合图3，所述遮光层120包括：数条横向与纵向排列的遮光带121，所述数条遮光带121交叉形成数个呈矩阵式排布的开口122，每一开口122对应所述彩色滤光层220中的一个色阻块221，所述数条遮光带121对应各个相邻的色阻块121之间的区域设置。
具体地，所述遮光层120采用金属钼材料制作，受温度影响较小，且具有较高的光反射性，代替传统液晶显示面板中的黑色矩阵。
进一步地，当液晶显示器的背光源向液晶显示面板发射背光时，遮光层120能够将背光源向TFT150的沟道区域发射的光线有效地进行遮挡，防止背光照射在TFT150上产生光漏电流，使液晶显示面板出现不良，不同于现有技术中遮光层120，本发明的遮光层120的结构还具有黑色矩阵的作用能够遮挡液晶显示面板中的对应数据线、栅极线等位置的漏光，并且由于遮光层120的光反射性，会将被其遮挡的光线反射，这部分反射光线可以进行重复利用，以此来提升背光源的利用效率。
同时，由于遮光层120制作在TFT阵列基板100一侧，当彩色滤光片基板200与TFT阵列基板100存在制程精度误差或对组精度误差时，遮光层120的遮光效果不受影响，能够改善彩色滤光片基板与TFT阵列基板的制程精度误差、及彩色滤光片基板与TFT阵列基板的对组精度误差造成的漏光现象，能够有效地提升液晶显示面板的对比度；由于遮光层120制作在TFT阵列基板200一侧，当对液晶显示面板进行触摸或拍击时，即使彩色滤光片基板200与TFT阵列基板100发生了相对位移，遮光层120也能够进行有效遮光防止漏光，能够有效地提升液晶显示面板的对比度。
此外，所述遮光层120还与液晶显示面板的接地端电性连接，构成屏蔽层，能够增强TFT150的静电防护能力与抗电磁干扰能力，防止外界的静电及电磁波对TFT150的影响，保持TFT特性。
进一步地，请参阅图4，在本发明的第二实施例中，所述彩色滤光片基板200保留了黑色矩阵230，该黑色矩阵230设置于所述第二衬底基板210与彩色滤光层220之间，所述黑色矩阵230包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应所述数个遮光带121的位置设置，该黑色矩阵230能够进一步改善液晶显示面板在大视角的漏光现象，使液晶显示面板可应用于高端显示领域中，黑色矩阵230的膜层厚度可适当降低，具体依据产品的实际需要进行设计，所述黑色矩阵230的膜层厚度与挡光效果成正比。
请参阅图7，基于上述液晶显示面板，本发明提供一种液晶显示面板的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、请参阅图3，提供一第二衬底基板210，在所述第二衬底基板210上形成数个呈矩阵式排列的色阻块221，形成彩色滤光层220，制成彩色滤光片基板200。
具体地，所述色阻块221包括：依次交替排列的红色色阻块R、绿色色阻块G、及蓝色色阻块B，此外根据需要所述色阻块221还可以进一步包括白色色阻块、以及黄色色阻块等各种颜色的色阻块。
步骤2、请参阅图5，并结合图6，提供一第一衬底基板110，在所述第一衬底基板110上沉积遮光层材料，形成遮光薄膜，图案化所述遮光薄膜形成遮光层120。
所述遮光层120包括：数条横向与纵向排列的遮光带121，所述数条遮光带121交叉形成数个呈矩阵式排布的开口122，每一开口122对应所述彩色滤光层220中的一个色阻块221，所述数条遮光带121对应各个相邻的色阻块121之间的区域设置。
具体地，所述遮光层120采用金属钼材料制作，受温度影响较小，且具有较高的光反射性，代替传统液晶显示面板中的黑色矩阵。
进一步地，当液晶显示器的背光源向液晶显示面板发射背光时，遮光层120能够将背光源向TFT150的沟道区域发射的光线有效地进行遮挡，防止背光照射在TFT150上产生光漏电流，使液晶显示面板出现不良，不同于现有技术中遮光层120，本发明的遮光层120的结构还具有黑色矩阵的作用能够遮挡液晶显示面板中的对应数据线、栅极线等位置的漏光，并且由于遮光层120的光反射性，会将被其遮挡的光线反射，这部分反射光线可以进行重复利用，以此来提升背光源的利用效率。
此外，所述遮光层120还与液晶显示面板的接地端电性连接，构成屏蔽层，能够增强TFT150的静电防护能力与抗电磁干扰能力，防止外界的静电及电磁波对TFT150的影响，保持TFT特性。
步骤3、在所述遮光层120上形成TFT阵列，制成TFT阵列基板100。
所述TFT阵列的制作包括：在所述遮光层120上形成绝缘缓冲层130、于所述遮光层120上方的绝缘缓冲层130上形成数个呈阵列式排布的TFT150、于所述TFT150上依次形成层叠设置的平坦化层160、底层电极170、钝化层180、及顶层电极190。
具体地，所述绝缘缓冲层130为氮化硅(SiNX)层、和氧化硅(SiOX)层中的一种或多种的叠加，优选地，所述绝缘缓冲层130包括：自下而上层叠设置的氮化硅绝缘缓冲层131、及氧化硅绝缘缓冲层132。
所述底层电极170和顶层电极190分别所述液晶显示面板的公共电极与像素电极，所述底层电极170和顶层电极190均为透明电极，材料优选氧化铟锡(IndiumTinOxides，ITO)。
进一步地，所述TFT150包括：设于所述绝缘缓冲层130上的半导体层151、设置于所述半导体层151上的栅极绝缘层152、设置于所述栅极绝缘层152上的栅极153、设置于所述栅极绝缘层152及栅极153上的层间介电层154、设置于所述层间介电层154上的源极156与漏极157、所述源极156与漏极157分别通过贯穿层间介电层154和栅极绝缘层130的两过孔与所述半导体层151的两端相接触。
具体地，所述半导体层151包括：位于中间的多晶硅沟道区和位于两端的接触区，以及夹在多晶硅沟道区与接触区之间的轻掺杂区。所述层间介电层154为氮化硅层、和氧化硅层中的一种或多种的叠加，优选地，层间介电层154包括：自下而上依次叠加的氧化硅层间介电层1541、及氮化硅层间介电层1542。所述所述顶层电极190通过贯穿所述钝化层180、底层电极170、及平坦化层160的过孔与所述漏极157相接触。
步骤4、将所述彩色滤光片基板200与TFT阵列基板100对组成盒，并在彩色滤光片基板200与TFT阵列基板100之间形成液晶层300，完成液晶显示面板的制作。
进一步地，请参阅图4，在本发明的第二实施例中，所述步骤1还包括：在所述第二衬底基板210与彩色滤光层220之间形成黑色矩阵230，所述黑色矩阵230包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应各个相邻的色阻块121之间的区域设置，该黑色矩阵230能够进一步改善液晶显示面板在大视角的漏光现象，使液晶显示面板可应用于高端显示领域中，黑色矩阵230的膜层厚度可适当降低，具体依据产品的实际需要进行设计，所述黑色矩阵230的膜层厚度与挡光效果成正比。
综上所述，本发明提供的一种液晶显示面板，该液晶显示面板通过对TFT阵列基板上的所述遮光层结构进行改进，使得遮光层包括：数条横向与纵向排列的遮光带，所述数条遮光带交叉形成数个呈矩阵式排布的开口，每一开口对应所述彩色滤光层中的一个色阻块，所述数条遮光带对应各个相邻的色阻块之间的区域设置，利用遮光层取代彩色滤光片基板中的黑色矩阵，使得遮光层同时具备防止背光照射在TFT上产生光漏电流和遮挡漏光区域的作用，相比于现有技术，能够改善彩色滤光片基板与TFT阵列基板的制程精度误差、彩色滤光片基板与TFT阵列基板的对组精度误差、及液晶显示面板受外力作用造成的液晶显示面板的漏光问题，有效地提升液晶显示面板的对比度，并且提升背光源利用效率，保持TFT特性。本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法，能够在保证TFT不产生光漏电流的同时，改善液晶显示面板的漏光问题，提升液晶显示面板对比度，同时提升背光源利用效率，保持TFT特性。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)，及夹设于所述TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)之间的液晶层(300)；
所述TFT阵列基板(100)包括：第一衬底基板(110)、设置于所述第一衬底基板(110)上的遮光层(120)、以及设于所述遮光层(120)上方的TFT阵列；
所述彩色滤光片基板(200)包括：第二衬底基板(210)、以及设置于所述第二衬底基板(210)靠近第一衬底基板(110)一侧的彩色滤光层(220)；所述彩色滤光层(220)包括：数个呈矩阵式排列的色阻块(221)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)的材料为金属钼。
4.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述TFT阵列包括：设置于所述第一衬底基板(110)和遮光层(120)上的绝缘缓冲层(130)、于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上设置的数个呈阵列式排布的TFT(150)、设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)；
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；
所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩色滤光片基板(200)还包括：设置于所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间的黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应所述数个遮光带(121)的位置设置。
6.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一第二衬底基板(210)，在所述第二衬底基板(210)上形成数个呈矩阵式排列的色阻块(221)，形成彩色滤光层(220)，制成彩色滤光片基板(200)；
步骤2、提供一第一衬底基板(110)，在所述第一衬底基板(110)上沉积遮光层材料，形成遮光薄膜，图案化所述遮光薄膜形成遮光层(120)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
步骤3、在所述遮光层(120)上形成TFT阵列，制成TFT阵列基板(100)；
步骤4、将所述彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)对组成盒，并在彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)之间形成液晶层(300)，完成液晶显示面板的制作。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1还包括：在所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间形成黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置。
8.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
9.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)的材料为金属钼。
10.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中TFT阵列的制作包括：在所述遮光层(120)上形成绝缘缓冲层(130)，于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上形成数个呈阵列式排布的TFT(150)，于所述TFT(150)上依次形成层叠设置的平坦化层(160)、底层电极(170)、钝化层(180)、及顶层电极(190)；
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触。
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