CN105596002A - 磁性共振成像装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种磁性共振成像装置。该磁性共振成像装置具备：倾斜磁场产生时在铁制磁极中抑制由泄露磁场而产生的涡电流磁场与由磁化变化而产生的变动磁场的产生，并且，通过扩大拍摄空间，提高被检者的舒适性且得到良好图像的机构。在具备具有磁性体磁极的静磁场磁铁与倾斜磁场线圈的磁性共振成像装置中，与拍摄空间对置的磁性体磁极由大致圆盘状的铁制磁极与大致圆环形状的铁制磁极与大致瓦片形状的硅钢片的磁极片构成，在上述圆盘状的铁制磁极的表面层叠上述瓦片形状的硅钢片的磁极片，上述圆盘状的铁制磁极在圆周方向上被分割，通过绝缘物或空隙相互绝缘。尤其在圆盘形状的外周侧部分在圆周方向上被分割。

Description

磁性共振成像装置

技术领域

本发明涉及在磁性共振成像装置中在装置使用时产生的不需要的变动磁场降低方法。

背景技术

磁性共振成像装置(以下，称为MRI装置)是利用对置于均匀的静磁场中的被检者照射高频脉冲时产生的核磁共振现象，得到表示被检者的物理性、化学性性质的剖面图像的装置，尤其作为医疗用而被使用。

MRI装置主要由在供被检体***的拍摄空间中产生均匀的静磁场的磁铁装置、为了在拍摄空间中给予位置信息而脉冲状地产生在空间上强度倾斜的磁场的倾斜磁场线圈、对被检体照射高频脉冲的RF线圈、接收由被检体发出的磁性共振信号的接收线圈以及处理已接收的信号并显示图像的计算机***构成。

作为MRI装置性能提高的方法，有提高磁铁装置产生的静磁场的强度或均匀度。为了静磁场更强的程度能够得到更清晰的图像，另外，在静磁场宽阔的空间中更加一致的程度在整个宽阔的范围内都能够得到清晰的图像，MRI装置指向磁场的强度与均匀性的提高而继续开发。作为其他性能提高的方法，有倾斜磁场精度的提高与倾斜磁场脉冲的高速驱动。这些有助于画质的提高与拍摄时间的缩短。尤其伴随拍摄方法的多样化，产生倾斜磁场脉冲的电流波形有成为伴随高速时间变化的脉冲波形的倾向。

由于在倾斜磁场线圈中流动脉冲状的电流，不只是拍摄空间中的倾斜磁场，在拍摄空间外也产生泄露磁场，在构成磁铁装置的金属结构件物由于产生变动的磁场而产生涡电流。涡电流由于在拍摄空间内产生变动磁场，所以，会影响静磁场与倾斜磁场的分布，也会对画质产生不好的影响。尤其在近年的MRI装置中，由于伴随拍摄方法的高度化而要求高精度的磁场，所以，减少涡电流成为重要的课题。因此，一般来说，在具备超导静磁场磁铁的高磁场(0.5特斯拉以上)的MRI磁铁中，采用自行遮蔽型的倾斜磁场线圈，采用降低向拍摄空间以外的泄露磁场的结构。另一方面，在具备中低磁场(小于0.5特斯拉)的静磁场磁铁的MRI装置中，为了用输出小的驱动电源使用倾斜磁场线圈，代替不具备屏蔽线圈，在静磁场磁铁的磁极面设置成为硅钢片等的磁通量通路且涡电流产生小的磁性体磁极片。另外，在中低磁场的静磁场磁铁中使用作为磁性体的铁制磁极的情况多。这种情况下，由倾斜磁场而产生的变动磁场不只是由涡电流而产生的磁场，由具有磁性体的滞后作用特性的铁制磁极的磁化而导致的残留磁场也会对图像施加不好的影响，减少这些成为重要的课题。

作为本技术领域的背景技术有日本特开平05-182821号公报(专利文献1)。该公报中公开了通过在静磁场磁极的表面使用从倾斜磁场侧层叠软性铁氧体、层叠硅钢片的磁极片而降低由倾斜磁场线圈产生的涡电流的技术。另外，在日本特开2004-65714号公报(专利文献2)有相对于深层部在表层部以小形状设置层叠于静磁场磁极的表面上的硅钢片的磁极片而降低向铁制磁极的倾斜磁场的泄露磁场的技术。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平05-182821号公报

专利文献2：日本特开2004-65714号公报

如专利文献1所示，在离倾斜磁场线圈最近的静磁场磁极表面上设置电阻值大，滞后作用特性小的软性铁氧体，能够降低由涡电流与磁化变化而产生的变动磁场。可是，软性铁氧体的饱和磁化比硅钢片等低，由于磁通量不饱和而需要层叠的厚度。在不能充分取得将软性铁氧体于硅钢片合并的厚度的情况下，倾斜磁场的泄露磁场到达静磁场磁极表面(铁制磁极)上，成为由涡电流与磁化变化而产生的变动磁场对画质施加影响的原因。

在专利文献2中，通过将静磁场磁极表层部的硅钢片制的磁极片变小，降低在硅钢片表面上产生的涡电流。由于硅钢片比软性铁氧体饱和磁化大，所以，容易抑制层叠厚度。可是，为了更有效地抑制涡电流的产生，使磁极片变小时，外表的电阻增加，增加用于绝缘的间隙，降低占积率，外表的饱和磁化也降低。因此，为了抑制到达铁制磁极的倾斜磁场的泄露磁场，需要增加占积率降低程度的硅钢片的厚度。

如此，在现有技术中，可不断降低静磁场磁极表面的涡电流产生，也需要在铁制磁极的表面上厚地设置硅钢片或软性铁氧体。为了使拍摄空间宽敞，倾斜磁场线圈与铁制磁极的间隔尽量狭窄的结构由于不需要增加静磁场磁铁的磁性能量所以是有效的。另一方面，为了倾斜磁场线圈在拍摄空间内有效地产生倾斜磁场，倾斜磁场线圈与软性铁氧体或硅钢片表面之间的间隔宽阔为好。

如此，在现有技术中，可减小在静磁场磁极表面上产生的涡电流，另一方面，对铁制磁极的倾斜磁场的泄露磁场有增加的倾向。由此，有由在铁制磁极上产生的涡电流与磁化变化产生的变动磁场对画质产生影响的情况。

发明内容

本发明是鉴于这样的事实而发明的装置，其课题在于提供具备在倾斜磁场发生时在铁制磁极中，抑能够制由泄露磁场而产生的涡电流磁场与由磁化变化而产生的变动磁场的产生，并且，通过使拍摄空间变得宽敞，提高被检者的舒适性且得到良好画质的机构的MRI装置。

为了解决上述课题，在本发明中，在具备具有磁性体磁极的静磁场磁铁与倾斜磁场线圈的MRI装置中，与拍摄空间对置的磁性体磁极由大致圆盘状的铁制磁极、大致圆环形状的铁制磁极与大致瓦片形状的硅钢片的磁极片构成，在上述圆盘状的铁制磁极的表面层叠上述瓦片形状的硅钢片的磁极片，上述圆盘状的铁制磁极在圆周方向上被分割，通过绝缘物或空隙而相互绝缘。尤其在圆盘形状的外周侧部分沿圆周方向被分割。

本发明的效果如下。

根据本结构的MRI装置，能不扩大构成静磁场磁铁的圆盘形状的铁制磁极与倾斜磁场线圈之间的间隔地抑制在磁性体磁极上产生的涡电流。即，能够实现抑制涡电流磁场以及残留磁场、得到良好画质的MRI装置。

附图说明

图1是表示作为本发明的第一实施方式的MRI装置的静磁场磁极部分的局部主视图。

图2是作为本发明的第一实施方式的MRI装置的示意外观立体图。

图3是表示作为本发明的第一实施方式的MRI装置的结构与倾斜磁场的磁通量分布的局部剖视图。

图4是表示利用现有技术的在静磁场发生源中具有超导线圈的MRI装置的磁极结构中的静磁场分布与倾斜磁场分布以及涡电流流道的局部剖视图。

图5是表示利用现有技术的在主要的静磁场发生源中具有永久磁铁的MRI装置的磁极结构中的静磁场分布与倾斜磁场分布以及涡电流流道的局部剖视图。

图6是由MRI装置的数值模拟而来的现有技术的磁极结构与由第一实施方式的磁极结构中的涡电流而产生的磁通量密度的时间变化的比较。

图7是表示第二实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部主视图。

图8是表示第二实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部剖视图。

图9是表示第三实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部主视图。

图10是表示第三实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部剖视图。

图11是表示第四实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部主视图。

图12是表示第四实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部剖视图。

图13是表示第五实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部主视图。

图14是表示第五实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部剖视图。

图15是表示第六实施方式的静磁场磁铁的磁极结构的局部主视图。

图16是第六实施方式的静磁场的剖视图。

图17是在永久磁铁型MRI装置中的第七实施方式的静磁场的局部主视图。

图18是第七实施方式的静磁场磁铁的局部剖视图。

图19是表示第七实施方式其他实施例的静磁场磁铁的局部剖视图。

图中：1—磁极，2—返回磁轭，3—拍摄空间，4—静磁场以及表示其方向的箭头，5—被检者，6—可动式床，7—磁极圆盘部，7a—圆盘内侧部，7b—圆盘外侧部，7c—圆盘中心部，7d—圆盘外周部，7e—圆盘部拍摄区域侧，7f—圆盘部磁极侧，8—磁极突起部，9—硅钢片模块，10—大致圆形线圈，11—真空容器，12—辐射护罩，13—氦容器，14—倾斜磁场线圈，15—表示X方向倾斜磁场的强度的箭头，16—X倾斜磁场线圈，17—由X倾斜磁场线圈而产生的磁通量，18—Y倾斜磁场线圈，19—Z倾斜磁场线圈，20—RF线圈，21—外装外罩，22、22a、22b、22c、22d、22e—作为绝缘结构的空隙或绝缘结构物，23—在磁极圆盘部产生的涡电流，24—在现有技术中的磁极圆盘部产生的涡电流，25—由静磁场磁铁而产生的磁通量密度，26—由永久磁铁而产生的静磁场发生源，27—由现有技术的磁极结构而产生的涡电流磁场的时间变化模拟结果，28—由本发明的磁极结构而产生的涡电流磁场的时间变化模拟结果(磁极圆盘部的圆周方向上分割的角度为45度的情况)，29—由本发明的磁极结构而产生的涡电流磁场的时间变化模拟结果(磁极圆盘部的圆周方向上分割的角度为90度的情况)，30—绝缘螺栓。

具体实施方式

以下，使用附图进行说明实施方式。

(实施例1)

如图2所示，一般性的中磁场MRI装置具备用大致C字形状的返回磁轭2将圆盘形状的上下磁极1连结的形状，在位于上下磁极1间的拍摄空间3中，沿箭头4所示的方向产生静磁场。被检者5通过可动式床6被输送到拍摄空间3中拍摄图像。通过本形状，中磁场的MRI装置相对于一般性的高磁场的水平磁场型MRI，供被检者5***的拍摄空间3不用结构部件包围周围宽阔的范围，能够使被检者获得更好的解放感。由此，能够除去被检者5的不舒适感的同时，通过使床6移动而能够总是在拍摄空间3的中心拍摄患部，而且，具备在拍摄中操作者等能够从装置外部辅助被检者5的拍摄的特征。

磁极1如图3所示，使用铁等的磁性体的磁极圆盘部7、大致圆环形状且使用与磁极圆盘部相同的磁性体的磁极突起部8以及大致瓦片形状地将硅钢片等的导磁率与电阻大的薄片形状的磁性体层叠而成的硅钢片模块9与连接上下磁极的返回磁轭共同形成磁性回路。静磁场由使用超导材料的大致圆环形状的线圈10或图中未图示的被磁化的永久磁铁产生。在圆环形状的线圈使用超导线圈的情况下，如图3所示，线圈10收存于从外侧依次为真空容器11、辐射护罩12、液体氦容器13等的具有绝热结构的容器内，通过未图示的液体氦以及冷冻机等维持为极低温度。

在硅钢片模块9的拍摄空间3侧，以在拍摄空间3内与距离中心的距离成比例的强度设置脉冲状地产生与静磁场的方向4同一方向的倾斜磁场5的倾斜磁场线圈14。倾斜磁场线圈在拍摄空间3中，为了在正交的三方向上独立地产生倾斜磁场，在上下由三组线圈对构成，例如在图3中，将纸面的左右方向作为x方向、将垂直于纸面的方向作为y方向、将纸面的上下方向作为z方向时，由在拍摄空间3上产生x方向的倾斜磁场15的X倾斜磁场线圈16而产生的磁通量为如虚线17所表示的那样的分布。产生作为纸面垂直方向的y方向的倾斜磁场的Y倾斜磁场线圈用18表示，z方向的Z倾斜磁场线圈用19表示，该三个线圈由树脂等形成为一体的大致圆盘形状，用上下磁极构成一对倾斜磁场线圈14。在倾斜磁场线圈14且拍摄空间3侧设置产生高频电磁脉冲的大致圆盘形状的RF线圈20。用FRP树脂制等的外罩21覆盖该线圈的结构构成磁极1。并且，也存在RF线圈20与倾斜磁场线圈14一体的情况，或者兼做外罩21的情况。

除此以外，未图示，MRI装置中包括用于驱动倾斜磁场线圈14、RF线圈20的电源装置、用于控制电源或将由RF线圈12得到的信号图像化的计算机***。

在图1中，用局部主视图表示在下侧的磁极中、磁极圆盘部7与磁极突起部8、硅钢片模块9、绝热结构容器和收存于其内部的超导线圈10、磁极突起部8与硅钢片模块9以及作为本发明第一实施例的设置于在圆周方向上分割的磁极圆盘部7与磁极圆盘部分割之间的间隙或者绝缘结构件的结构。

如图1所示，在磁极圆盘部7上通过随时间变动的倾斜磁场，如同路径23那样产生涡电流，在磁极圆盘部7的与拍摄空间对置的表面上设置绝缘结构，例如，通过间隙或FRP等的绝缘结构物防止该涡电流23在磁极圆盘部7整体上形成大的涡电流流道。磁极圆盘部7由于通常由铁等的电阻小、磁性滞后作用特性小的部件构成，所以，与在此产生的涡电流23产生位于拍摄空间内的涡电流磁场同时，由伴随涡电流的时间变化的变动磁场而产生残留磁场，成为画质劣化的原因。

因此，将与铁等比较电阻率大且比导磁率大的硅钢片模块9粘贴于磁极圆盘部7的表面上，硅钢片的比导磁率在磁性未饱和的约1.7～1.8特斯拉以下范围内大，在其以上急剧变小。另外，硅钢片一般为厚度为1mm以下的薄板，由于需要将层叠的部件加工并使用，所以，作为结构上的粘贴的基体，磁极圆盘部7使用饱和磁化大的铁。

如图4所示，在现有的中磁场MRI装置中，在一体的铁制的磁极圆盘部7上，在圆周方向上同心圆状地设置磁极突起部8。磁极突起部当为了容易制作时，为了涡电流的降低，为将圆环在圆周上分割为几个的结构。在本结构中，由倾斜磁场线圈而产生的磁通量17在磁极圆盘部整体上产生大的涡电流道径24。

特别地，磁极圆盘部7由于相比于磁极突起部8圆周方向的截面积大，是磁性未饱和的铁制，所以不产生涡电流是重要的课题。因此，硅钢片模块9以倾斜磁场不直接通过磁极圆盘部的方式设置。可是，由只由硅钢片模块不能遮蔽的泄露的磁场而产生涡电流24，本发明者发现了由该涡电流而产生的磁场与残留磁场影响图像的现象。

特别地，将超导线圈10作为发生源的静磁场的磁通量密度25在磁极圆盘部的外周附近变高，该部分的磁化也变大。这种情况由于磁极圆盘部的板厚为数公分至数十公分，所以，磁化变大则比导磁率变小，涡电流流动的流道截面积变大，流道电阻降低。因此，会考虑尤其在磁极圆盘部的外周部分能够容易地形成长时间常数的涡电流流道。

另一方面，如图5所示，在将永久磁铁26作为静磁场25的发生源的情况下，磁极圆盘部7的倾斜磁场侧的表面即使在外周部磁通量密度也不会变高。因此，由于即使在外周侧磁化也不会变大、导透磁率也不会变小，因此，即使在产生了涡电流的情况下也以短时间常数衰减，因此，图4中的超导线圈相比于起磁力的情况对画质的影响小。

相对于此，如图1与图3所示，在本发明的第一实施例中，将磁极圆盘部7在圆周方向上分割，在其间设置绝缘结构22，即使由于来自倾斜磁场线圈的磁通量17而在磁极圆盘部如路径23那样产生涡电流，涡电流道由于在磁极圆盘部7的表面上在被绝缘结构22分割的范围内为一周，因此，能降低发生量且较短地抑制时间常数。特别地，通过在磁极圆盘部7的外周部分在圆周方向上分割，能够降低较长的时间常数的涡电流的产生。并且，由于即使分割磁极突起部，如果电位相同则作为绝缘结构配置部件的情况下的、该绝缘结构件可以为极薄(1mm左右以下)的薄片或涂膜状，因此，磁极突起部与磁极圆盘部的形状可以与现有的相同，由形状的变化而导致的对静磁场均匀度的影响能够忽略。

在图6中，表示关于拍摄空间中的一点，模拟涡电流磁场的时间变化的例子。通过磁场模拟对由现有技术而产生的磁极结构的涡电流磁通量密度的时间变化27、由本发明的第一实施例而产生的磁极结构的涡电流磁场的时间变化28、29进行分析并比较。分别为28是每45°将圆周方向分割的结果，29是每90°将圆周方向分割的结果。通过本发明可以了解涡电流磁场在时间常数、值方面，利用本发明而制作的磁极形状均能够降低60～70％左右。

(实施例2)

图7表示本发明中的第二实施方式的局部主视图，图8表示局部剖视图。在图7中只表示由磁极圆盘部7与磁极突起部8以及磁极圆盘部的分割而产生的间隙或者绝缘结构物。

图8表示以包含三个倾斜磁场轴中的X轴且位于绝缘结构22位置上的平面剖切的剖视图。磁极圆盘部通过半径方向的绝缘结构22在圆周方向上被分割，各自的部分具备大致扇型形状。在本实施例中，将所有的绝缘结构作为间隙设置，由于在平面上构成，所以，加工与组装容易，由缝隙降低涡电流的效果期待与实施例1相同。并且，通过使圆周方向的分割与磁极突起部8的圆周方向的分割位置一致，不会产生越过已分割部分的涡电流。并且，在图中圆周方向上每90°分割，但考虑涡电流降低的效果，能够任意选择45°或180°等角度。

(实施例3)

图9表示本发明中的第三实施方式的局部主视图，图10表示局部剖视图在。在图9中，只表示由磁极圆盘部7与磁极突起部8以及磁极圆盘部的分割而产生的间隙或绝缘结构22。图10表示以包含X轴且位于间隙部22位置上的平面剖切的剖视图。在本实施方式中，磁极圆盘部7被分为圆盘内侧部7a与圆盘外侧部7b。内侧圆盘部为一体的圆盘形状，圆盘外侧部为在表面上存在凸部的扇形形状。即，在本实施例中，外侧圆盘部具备嵌入内侧圆盘部的结构，并且，外侧圆盘部如果是图9，则通过将四个扇形形状的磁性体部件组装而形成。另外，圆盘内侧部与圆盘外侧部之间通过空隙或绝缘部件22a以及22b电绝缘。根据本实施方式，通过在磁极圆盘部中磁化比较小的中心部分为圆盘形状，能够避免由空隙而产生的对静磁场分布的影响。磁极圆盘部的外周部分通过半径方向的空隙或绝缘结构物能够抑制长时间常数的涡电流的产生。(实施例4)

图11表示本发明中的第四实施方式的局部主视图，图12表示局部剖视图。在图10中，只表示由磁极圆盘部与磁极突起部以及磁极圆盘部的分割而产生的空隙或者绝缘结构物。图12表示以包含X轴且位于空隙位置中的平面剖切的剖视图。在本实施方式中，磁极圆盘部被分为圆盘中心部7c与圆盘外周部7d。另外，圆盘中心部与圆盘外周部之间通过空隙或绝缘部件22c电绝缘。根据本实施方式，通过在涡电流的时间常数短的中心部分不设置空隙或者绝缘部件，能够不对静磁场的磁通量密度分布的均匀性施加影响地抑制长时间常数的涡电流的产生。

(实施例5)

图13中表示本发明中的第五实施方式的局部主视图，图14表示局部剖视图。在图13中只表示由磁极圆盘部与磁极突起部以及磁极圆盘部的分割而产生的空隙或者绝缘结构物。图14表示利用包含X轴的平面的在空隙位置中的剖视图。在本实施方式中，磁极圆盘部与第四实施方式相同，磁极突起部8为在绕倾斜磁场轴Z轴的圆周方向上旋转22.5度的形状。另外，在磁极突起部与磁极圆盘部之间配置空隙或绝缘构造物22d。通过固定磁极突起部的绝缘结构的螺栓30，磁极突起部将磁极圆盘部结合。可是，由于在磁极突起部上使用铁等的导电性部件，因此，通过绝缘结构物22d与绝缘螺栓30能够防止在被分割的磁极圆盘部间形成大的涡电流流道。并且，本实施方式在第一、第二、第三、第四任意的情况下同样都能使用。另外，在磁极突起部与磁极圆盘部的圆周方向上分割的角度除了实施例1～5所表示的90度或45度以外也能够任意选择。

(实施例6)

图15中表示本发明中的第六实施方式的局部主视图，图16中表示局部剖视图。在图15中只表示由磁极圆盘部与磁极突起部以及磁极圆盘部的分割而产生的空隙或绝缘结构物。图16表示由包含Y轴的垂直平面而产生的剖视图，Y轴在该情况下是将拍摄中心作为原点朝向返回磁轭侧的方向。在本实施方式中，磁极圆盘部的外周侧的空隙或绝缘结构物22不是圆周对称，在返回磁轭侧密集，在与返回磁轭相反侧稀疏。这在磁极圆盘部中，由于静磁场的磁通量密度在返回磁轭的方向集中地分布，磁通量密度大，在比导磁率小的返回磁轭侧较多地配置空隙或绝缘结构物，从而能抑制长时间常数的涡电流的产生，并且，在磁极圆盘部的圆周方向上能够使涡电流的大小与时间常数均匀。并且，在本实施方式中，磁极圆盘部的结构为第四实施例，但在第一～第五任意实施例的磁极圆盘部结构中都适用。

(实施例7)

图17中表示本发明中的第七实施方式的局部主视图，图18与图19中表示第七实施方式的局部剖视图。在图17中只表示由磁极圆盘部与硅钢片模块与磁极突起部以及磁极圆盘部的分割而产生的空隙或绝缘结构物。第七实施方式关于作为静磁场的发生源而使用永久磁铁26的情况进行表示。即使在本实施方式中，由于在圆周方向上分割磁极圆盘部也能够降低较长的时间常数的涡电流的产生，由永久磁铁而产生的磁通量密度分布由于在磁极圆盘部的外周部分与中心部分不会大地变化，所以，在限于外周部分的空隙或绝缘结构物中效果不大。因此，如图17所示通过从中心部分至外周部分的半径方向的空隙或绝缘结构物22能够降低较长的时间常数的涡电流。另外，相比较于在静磁场发生源上使用超导线圈的情况，由于磁极圆盘部的拍摄区域侧表面圆的磁化小、比导磁率也大，因此，倾斜磁场的泄露磁场在磁极圆盘部的表面附近急剧衰减。因此，如图19所示，将磁极圆盘部分割为圆盘部拍摄区域侧7e与圆盘部磁极侧7f，在限于圆盘部拍摄区域侧的圆周方向上用空隙或绝缘结构物分割。另外，圆盘部拍摄区域侧与圆盘部磁极侧之间用空隙或绝缘结构物22e相互电绝缘。通过本实施方式，能够使由将磁极圆盘部分割而产生的空隙或绝缘结构物变少，能够降低对均匀的静磁场的分布所施加的影响。

Claims (11)

1.一种磁性共振成像装置，其特征在于，

具备：

以拍摄空间为中心对置地配置的一对静磁场磁铁；

以上述拍摄空间为中心对置地配置的一对倾斜磁场线圈；以及

在上述拍摄空间内产生高频磁场的RF线圈，

上述静磁场磁铁具备在与上述拍摄空间对置的表面上具有绝缘结构的大致圆盘形状的磁性体磁极圆盘部，

上述绝缘结构相对于上述圆盘部的中心放射状地设置。

2.根据权利要求1所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

上述绝缘结构由薄片状或涂料等的薄膜状的绝缘材料构成。

3.根据权利要求1或2所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

还具备在上述磁性体圆盘部的半径方向上延伸的绝缘结构。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

上述磁性体圆盘部在其中心轴方向位于内部的位置上设有具有与该中心轴垂直的底面的圆板状的绝缘结构。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

上述磁性体圆盘部在从其中心轴观察的外周侧在圆周方向上被分割。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

上述磁性体圆盘部沿与分割在圆周方向上被分割的磁极突起部的角度相同或者其整数倍的角度放射状地设置上述绝缘结构。

7.根据权利要求6所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

在上述圆周方向上被分割的磁性体圆盘部通过在上述圆周方向上被分割的磁极突起部互相连结。

8.根据权利要求7所述的磁性共振成像装置，其特征在于，

在上述圆周方向上被分割的磁性体圆盘部和在上述圆周方向上被分割的磁极突起部通过上述绝缘结构互相连结。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的磁性共振成像装置，其特征在于，上述磁性体圆盘部在圆周方向不同的角度位置上具备上述绝缘结构。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的磁性共振成像装置，其特征在于，具备作为上述静磁场磁铁的磁场发生源的超导线圈。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的磁性共振成像装置，其特征在于，具备作为上述静磁场磁铁的主要磁场发生源的永久磁铁。