CN105589234A - 一种面板的检测方法及其检测*** - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种面板的检测方法及其检测***，该方法包括：对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；若确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断阵列基板的TFT合格；若否，则判断未合格。本发明实施例提供的方法可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。

Description

一种面板的检测方法及其检测***

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种面板的检测方法及其检测***。

背景技术

目前，液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有高画面质量、体积小、重量轻等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。

薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板中的TFT开关对液晶显示有着极其重要的作用，TFT开关性能的优劣直接影响着液晶显示品质的高低。但传统的使用液晶技术的LCD显示产品在进行信赖性测试时会出现大量的高温污渍或者相邻像素相互干扰(crosstalk)的问题，此批量性不良会给市场端造成低竞争力影响。现有的高温信赖性测试方法一般是将产品制作成模组以后，投入到温控箱(高温存储设备)中数个小时以上，出现高温不良后会浪费大量模组资材。但此时产品的基板设计早已在前段完成，产品也经历了从基板到模组的流程，周期很长，问题暴露后没有足够的时间进行设计和工艺变更。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种面板的检测方法，可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。

因此，本发明实施例提供了一种面板的检测方法，包括：

对测试样品组进行高温信赖性测试，确定所述测试样品组中出现缺陷的面板；所述测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；

将所述测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值；

若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格；若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值，具体包括：

对所述出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，采用下述方式确定测试样品组中出现缺陷的面板：

对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号；

在所述测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号，具体包括：

通过在所述测试样品组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载栅极开启信号；或，

分别对所有阵列基板加载栅极开启信号。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，采用下述方式确定标准关态电流值：

对未出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定所述未出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值作为标准关态电流值。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格时，对所述阵列基板的TFT设计或工艺条件进行改进，并重新制作测试样品组进行检测直至改进后的测试样品组中所有阵列基板的TFT合格。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，对阵列基板的TFT设计进行改进，具体包括：

调整阵列基板上的各TFT的栅极与有源层的位置对应关系；或，

调整有源层的尺寸大小。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，对阵列基板的工艺条件进行改进，具体包括：

调整阵列基板上的栅极绝缘层、有源层、钝化层或欧姆接触层的工艺参数。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，所述设定阈值为15pA。

本发明实施例提供了一种面板的检测***，包括：

测试单元，用于对测试样品组进行高温信赖性测试，确定所述测试样品组中出现缺陷的面板；所述测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；

确定单元，用于将所述测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值；

判断单元，用于若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格；若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测***中，测试单元，具体用于对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号；

在所述测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述面板的检测***中，确定单元，具体用于对出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种面板的检测方法及其检测***，该方法包括：对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；若确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断阵列基板的TFT合格；若否，则判断未合格。本发明实施例提供的方法可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的面板的检测方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的测试装置示意图之一；

图3为本发明实施例提供的测试装置示意图之二；

图4为本发明实施例提供的阵列基板的TFT特性曲线图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明实施例提供的面板的检测方法及其检测***的具体实施方式进行详细地说明。

本发明实施例提供了一种面板的检测方法，如图1所示，可以包括以下步骤：

S101、对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组(Q-panel)；

S102、将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；

S103、确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值是否小于或等于设定阈值；若是，则执行步骤S104；

S104、判断测试样品组中阵列基板的TFT合格；

若否，则执行步骤S105；

S105、判断测试样品组中阵列基板的TFT未合格。

在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，首先对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；然后将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定与出现缺陷的面板对应的阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；之后若确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断测试样品组中阵列基板的TFT合格；若否，判断测试样品组中阵列基板的TFT未合格。本发明实施例提供的检测方法可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，在执行步骤S101时，具体地，可以采用下述方式确定测试样品组中出现缺陷的面板，即对测试样品组进行高温信赖性测试的具体过程如下：

首先，对测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号；

然后，在测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。

具体地，如图2所示，将测试样品组1(标准面板组Q-panel)放置在测试装置2内(此测试装置可以进行高温信赖性测试，测试装置内的环境温度可以设置从小到大依次上升至预设温度，并且，测试装置设有对应Q-panel大小的背光源)，该预设温度可以设置在50摄氏度至70摄氏度之间，即该预设温度处于高温环境，较佳地，该预设温度可以设置在60摄氏度左右。对测试样品组1中所有阵列基板加载栅极开启信号，在满足测试样品组中的所有像素点被点亮时，即阵列基板中的所有TFT打开时，控制温度上升至预定温度，在温度上升的过程中存在若干个面板出现不良现象，例如高温污渍或者相邻像素相互干扰现象，确定上述若干个面板作为出现缺陷的面板，便于下一步测试。与现有技术相比，无需将标准面板组制作成模组后才能放置于测试装置中，节省了后段制程和模组资材。需要说明的是，对于预设温度的设置，可以根据实际情况而定，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，对测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号，具体可以包括：

通过在测试样品组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载栅极开启信号；或，分别对所有阵列基板加载栅极开启信号。

具体地，如图2所示，对所有阵列基板加载栅极开启信号，可以由信号发生器3通过与所有阵列基板电性连接的启动信号端4或直接通过利用阵列基板上的信号线来进行操作，方法简单，便于控制。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，执行步骤S102根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值，具体可以包括：

首先，对出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；测试点设置在阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

然后，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值。

具体地，在出现缺陷的面板中阵列基板的非显示区域设置有测试点，该测试点用于表征阵列基板的显示区域和栅极驱动电路的TFT，这样，在不破坏阵列基板的情况下，可以直接利用测试点的特性代替显示区域和栅极驱动电路的多个TFT的特性，方法简单；对测试点进行TFT特性曲线测试，可以得到漏极电流与栅极电压的关系，根据漏极电流与栅极电压的关系，可以准确的找出与栅极截止电压值对应的漏电流值。以图3为例，对测试样品组进行拆解之后包含各阵列基板的母板5放置在测试装置6内(此测试装置包括TFT测试***，可以进行TFT特性曲线测试，测试装置内的环境温度可以设置为预设温度，即预设温度可以设置在50摄氏度至70摄氏度之间，较佳地，该预设温度可以设置在60摄氏度左右)，在预定温度下，利用测试装置6中的TFT测试***7对母板5进行特性曲线测试，如图4所示，得到漏极电流与栅极电压的关系，根据漏极电流与栅极电压的关系，可以准确的找出与栅极截止电压值(图4示出的栅极截止电压值为-8V)对应的漏电流值。这种实施方式可以适用于ADS模式、TN模式等面板。当然，当面板为TN模式时，进行TFT特性曲线测试可以不需要在非显示区域设置测试点，直接可以对显示区域的TFT进行测试，在此不做限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，执行步骤S103确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值是否小于或等于设定阈值时，具体地，可以将设定阈值设置为15pA。即将确定出的漏电流值与预先确定的标准关态电流值进行比较，若确定出的漏电流值与预先确定的标准关态电流值相差大于15pA，则确定阵列基板的TFT未合格；若确定出漏电流值与预先确定的标准关态电流值相差小于或等于15pA，则确定阵列基板的TFT合格。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，具体地，可以采用下述方式确定标准关态电流值：

对未出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；测试点设置在阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定未出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值作为标准关态电流值。

需要说明的是，未出现缺陷的面板可以是在对测试样品组进行高温信赖性测试确定的，将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板再进行TFT特性曲线测试。具体地，在未出现缺陷的面板中阵列基板的非显示区域设置有测试点，该测试点用于表征阵列基板的显示区域和栅极驱动电路的TFT，这样，在不破坏阵列基板的情况下，可以直接利用测试点的特性代替显示区域和栅极驱动电路的多个TFT的特性，方法简单；对测试点进行TFT特性曲线测试，可以得到漏极电流与栅极电压的关系，根据漏极电流与栅极电压的关系，可以准确的找出与栅极截止电压值对应的漏电流值。此时将找到的漏电流值作为标准关态电流值。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，当判断测试样品组中阵列基板的TFT合格时，可以根据测试样品组中的TFT设计和工艺条件直接进行生产。反之，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，当判断测试样品组中阵列基板的TFT未合格时，可以对阵列基板的TFT设计或工艺条件进行改进，并重新制作测试样品组进行检测直至改进后的测试样品组中所有阵列基板的TFT合格；最后，根据改进后的阵列基板的TFT设计或工艺条件进行生产。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，执行步骤对阵列基板的TFT设计进行改进，具体可以采用下述方式：

调整阵列基板上的各TFT的栅极与有源层的位置对应关系；或，调整有源层的尺寸大小。

具体地，可以直接调整阵列基板上的各TFT的栅极与有源层的位置对应关系，例如将有源层相对于栅极的位置向左/右偏移一些；也可以直接改变有源层的尺寸大小；这两种方式均很简单，节省成本，当然，也可以对阵列基板的TFT的其它设计进行改进，可以根据实际情况而定，在此不做限定。

进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测方法中，对阵列基板的工艺条件进行改进，具体包括：

调整阵列基板上的栅极绝缘层、有源层、钝化层或欧姆接触层的工艺参数。例如在快速沉积栅极绝缘层的过程中，增加氨气，可以减少内部缺陷，或者降低功率，可以改善膜质(膜层密度大)；在快速沉积a-Si有源层的过程中，减薄厚度，可以改善膜质，a-Si受光照影响小，或者增加压力，可以改善钝化层界面态；在形成N+欧姆接触层图形的过程中，减小刻蚀功率，增加时间，增加SF₆气体，可以提高N+欧姆接触层刻蚀均一性，改善与钝化层接触面，等等。当然，调整阵列基板上的膜层的工艺参数，不仅包括上述列举的膜层，也可以为其它膜层，可以根据实际情况而定，在此不做限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述面板的检测***，包括：

测试单元，用于对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；

确定单元，用于将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；

判断单元，用于若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格；若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。

本发明实施例提供的检测***可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测***中，测试单元，具体用于对测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号；在测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测***中，确定单元，具体用于对出现缺陷的显示面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；测试点设置在阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值。

本发明实施例提供的一种面板的检测方法及其检测***，该方法包括：对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；若确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断阵列基板的TFT合格；若否，则判断未合格。本发明实施例提供的方法可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种面板的检测方法，其特征在于，包括：

对测试样品组进行高温信赖性测试，确定所述测试样品组中出现缺陷的面板；所述测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；

将所述测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值；

若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格；若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值，具体包括：

对所述出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用下述方式确定测试样品组中出现缺陷的面板：

对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号；

在所述测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号，具体包括：

通过在所述测试样品组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载栅极开启信号；或，

分别对所有阵列基板加载栅极开启信号。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用下述方式确定标准关态电流值：

对未出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定所述未出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值作为标准关态电流值。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格时，对所述阵列基板的TFT设计或工艺条件进行改进，并重新制作测试样品组进行检测直至改进后的测试样品组中所有阵列基板的TFT合格。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，对阵列基板的TFT设计进行改进，具体包括：

调整阵列基板上的各TFT的栅极与有源层的位置对应关系；或，

调整有源层的尺寸大小。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，对阵列基板的工艺条件进行改进，具体包括：

调整阵列基板上的栅极绝缘层、有源层、钝化层或欧姆接触层的工艺参数。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定阈值为15pA。

10.一种面板的检测***，其特征在于，包括：

测试单元，用于对测试样品组进行高温信赖性测试，确定所述测试样品组中出现缺陷的面板；所述测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；

确定单元，用于将所述测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值；

判断单元，用于若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格；若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。

11.如权利要求10所述的检测***，其特征在于，测试单元，具体用于对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号；

在所述测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。

12.如权利要求11所述的检测***，其特征在于，确定单元，具体用于对出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；

根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值。