CN105116573B - 一种阵列基板的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板的检测方法，该方法包括：在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；根据确定的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；若未达到预设合格率，则对阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。本发明实施例提供的方法可以保证在制成模组之前，阵列基板样品已达到预设合格率，进而使对盒之后的显示面板在预设温度下能够正常开机启动显示画面，尤其确保在低温时启动的功能不出现问题，同时节省了后段制程和模组资材。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板的检测方法。
背景技术
目前，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)具有高画面质量、体积小、重量轻等优点，广泛应用于移动电话、笔记本电脑、电视机以及显示器等产品中。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板中的TFT开关对液晶显示有着极其重要的作用，TFT开关性能的优劣直接影响着液晶显示品质的高低。但传统的使用液晶技术的LCD显示产品由于分辨率提升的原因，TFT开关的阈值电流水平越来越低，由此带来的问题是在某一特定温度，尤其是温度较低的环境下，阵列基板的显示区域及栅极驱动电路的TFT开关无法正常开启，从而出现功能性的不良。现有的在特定温度下启动测试的方法一般是将显示产品制作成模组后，投入到特定温度下的测试炉中数个小时以上，重新进行点灯开启实现，无法点亮者视为产品设计失败，但产品经历了基板到模组的制程，周期很长，问题暴露后没有足够的时间进行设计修改。
因此，如何确保在特定温度下显示面板能够正常开机启动，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板的检测方法，可以确保在预设温度下能够正常开机启动，同时节省了基板到模组的后段制程和模组资材。
因此，本发明实施例提供了一种阵列基板的检测方法，包括：
在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
根据确定的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定所述测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；
若未达到预设合格率，则对所述阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值，具体包括：
在预设温度下，对测试样品组中包含的每个阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；
根据预先确定的标准栅极开启电压值，在每个阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，根据确定的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定所述测试样品组中的TFT是否达到预设合格率，具体包括：
对确定出的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值进行正态分布统计；
在所述正态分布统计的结果中，确定大于或等于所述标准临界电流值的开启电流值所占百分比；
将确定出的所述百分比与预设合格率进行比较，若确定所述百分比小于所述预设合格率，则确定所述测试样品组中的TFT未达到预设合格率；若确定所述百分比大于或等于所述预设合格率，则确定所述测试样品组中的TFT达到预设合格率。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，采用下述方式确定标准栅极开启电压值：
在预设温度下，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，在满足所述标准显示面板中的所有像素点被点亮时，确定此时加载的栅极开启信号作为标准栅极开启电压值；所述标准显示面板组包括未切割的多个显示面板。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，具体包括：
通过在标准显示面板组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号；或，
分别对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，采用下述方式确定标准临界电流值：
将所述标准显示面板组拆解呈包含各阵列基板的母板；
在预设温度下，对各阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；
根据预先确定的所述标准栅极开启电压值，在每个所述阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个所述阵列基板与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值中的最大值作为标准临界电流值。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，对所述阵列基板的TFT设计进行改进，具体包括：
增大所述阵列基板上的各TFT的沟道区域的宽长比。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，所述预设温度的取值范围为零下60摄氏度至0摄氏度。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，所述预设温度为零下30摄氏度。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，所述预设合格率的取值范围为90％至100％。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的一种阵列基板的检测方法，该方法包括：在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；根据确定的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；若未达到预设合格率，则对阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。本发明实施例提供的方法可以保证在制成模组之前，阵列基板样品已达到预设合格率，进而使对盒之后的显示面板在预设温下能够正常开机启动显示画面，尤其确保在温度较低时启动的功能不出现问题，同时节省了基板到模组的后段制程和模组资材。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值电流的正态分布图；
图3为本发明实施例提供的测试***示意图；
图4为本发明实施例提供的对拆解标准显示面板组之后包含各阵列基板的母板的TFT特性曲线图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的阵列基板的检测方法的具体实施方式进行详细地说明。
本发明实施例提供了一种阵列基板的检测方法，如图1所示，可以包括以下步骤：
S101、在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
S102、根据确定的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；若未达到预设合格率时，则执行步骤S103；
S103、对阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率；
S104、根据改进后的测试样品组中的TFT设计进行生产。
在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，首先在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；然后根据确定的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，对于测试样品组中的TFT不能达到预设合格率的情况下，对阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。本发明实施例提供的上述方法可以保证在制成模组之前，阵列基板样品已达到预设合格率，进而使对盒之后的显示面板在预设温度下能够正常开机启动显示画面，尤其确保在温度较低时启动的功能不出现问题，同时节省了基板到模组的后段制程和模组资材。
进一步地，在具体实施时，当步骤S102确定达到预设合格率时，如图1所示，执行步骤S105：根据测试样品组中的TFT设计直接进行生产。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，执行步骤S101在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值，具体可以包括：
在预设温度下，对测试样品组中包含的每个阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；该测试点可以设置在阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；
根据预先确定的标准栅极开启电压值，在每个阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值。
具体地，在测试样品组中包含的每个阵列基板的非显示区域设置有测试点，该测试点用于表征阵列基板的显示区域和栅极驱动电路的TFT，这样，在不破坏阵列基板的情况下，可以直接利用测试点的特性代替显示区域和栅极驱动电路的多个TFT的特性，方法简单；对测试点进行TFT特性曲线测量，可以得到开启电流与栅极电压的关系，根据开启电流与栅极电压的关系和预先确定的标准栅极开启电压值，可以准确的找出与标准栅极开启电压值对应的开启电流值。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，执行步骤S102根据确定的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定测试样品组中的TFT是否达到预设合格率，具体可以包括：
对确定出的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值进行正态分布统计；
在正态分布统计的结果中，确定大于或等于标准临界电流值的开启电流值所占百分比；
将确定出的百分比与预设合格率进行比较，若确定百分比小于预设合格率，则确定测试样品组中的TFT未达到预设合格率；若确定百分比大于或等于预设合格率，则确定测试样品组中的TFT达到预设合格率。
具体地，如图2所示，对确定出的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值进行正态分布统计，假设标准临界电流值为0.6uA，则在图2中，可以计算出大于或等于0.6uA的开启电流值所占的百分比(虚线右侧所占的比例)，将确定的百分比小于预设合格率，则需执行步骤S103，若确定的百分比大于或等于预设合格率，则需执行步骤S105。在判断测试样品组中的TFT是否达到预设合格率，利用正态分布统计进行比较的方法，既简单又准确。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，具体地，可以采用下述方式确定标准栅极开启电压值：
在预设温度下，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，在满足标准显示面板中的所有像素点被点亮时，确定此时加载的栅极开启信号作为标准栅极开启电压值；标准显示面板组包括未切割的多个显示面板。需要对标准显示面板组中的TFT进行测试得出标准栅极开启电压值，与现有技术相比，节省了后段制程和模组资材。
具体地，如图3所示，将标准显示面板组1放在测试装置2中(此测试装置内的环境温度可以设置为预设温度，此测试装置也可以在需要环境温度为预设温度的其它步骤中使用)，温度可以设置在零下30摄氏度，对标准显示面板组1的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，在满足标准显示面板中的所有像素点被点亮时，即标准显示面板中的所有TFT打开时，确定此时加载的栅极开启信号作为标准栅极开启电压值。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，具体可以包括：
通过在标准显示面板组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号；或，
分别对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号。
具体地，如图3所示，由信号发生器3通过与所有阵列基板电性连接的启动信号端4或直接通过利用阵列基板上的信号线，对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，进一步可以保证找到能够满足预设温度下开机启动的栅极开启电压值。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，具体地，可以采用下述方式确定标准临界电流值：
将标准显示面板组拆解呈包含各阵列基板的母板；
在预设温度下，对各阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；测试点设置在阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；
根据预先确定的标准栅极开启电压值，在每个阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个阵列基板与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
标准栅极开启电压值对应的开启电流值中的最大值作为标准临界电流值。
具体地，如图4所示，对拆解之后包含各阵列基板的母板进行特性曲线测试，得到开启电流与栅极电压的关系，根据开启电流与栅极电压的关系和预先确定的标准栅极开启电压值，可以准确的找出对应的最大开启电流值，以图4为例，预先确定的标准栅极开启电压值为10V，根据开启电流与栅极电压的关系和预先确定的标准栅极开启电压值，可以找到对应的开启电流值的范围在0.4～0.6uA，取上限0.6uA为准。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，执行步骤S103对阵列基板的TFT设计进行改进，具体可以采用下述方式：
增大阵列基板上的各TFT的沟道区域的宽长比。
具体地，由于TFT沟道区域的宽长比与标准栅极开启电压值对应的开启电流值成正比，可以直接调整沟道区域的宽长比，工艺简单，节省成本，假设开启电流值为0.4uA，而标准临界电流值为0.6uA，则将TFT的沟道区域的宽长比调整至原宽长比设计值的1.5倍即可。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，预设温度的取值范围可以设置为零下60摄氏度至0摄氏度。
进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，预设温度可以设置为零下30摄氏度。对于预设温度的设置，可以根据具体情况而定，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板的检测方法中，预设合格率的取值范围可以设置为90％至100％。此预设合格率一般是根据客户的要求而定，在此不做限定。
本发明实施例提供的一种阵列基板的检测方法，该方法包括：在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值；根据确定的每个阵列基板的与标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；若未达到预设合格率，则对阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。本发明实施例提供的方法可以保证在制成模组之前，阵列基板样品已达到预设合格率，进而使对盒之后的显示面板在预设温度下能够正常开机启动显示画面，尤其确保在温度较低时启动的功能不出现问题，同时节省了基板到模组的后段制程和模组资材。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种阵列基板的检测方法，其特征在于，包括：
在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值；所述标准栅极开启电压值为满足标准显示面板组中的所有像素点被点亮时加载的栅极开启信号，所述标准显示面板组包括未切割的多个显示面板；
根据确定的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定所述测试样品组中的TFT是否达到预设合格率；所述标准临界电流值为所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值中的最大值；
若未达到预设合格率，则对所述阵列基板的TFT设计进行改进，并重新制作测试样品组进行检测，直至改进后的测试样品组中的TFT达到预设合格率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在预设温度下，根据预先确定的标准栅极开启电压值，确定测试样品组中包含的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值，具体包括：
在预设温度下，对测试样品组中包含的每个阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；
根据预先确定的标准栅极开启电压值，在每个阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据确定的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值与预先确定的标准临界电流值，确定所述测试样品组中的TFT是否达到预设合格率，具体包括：
对确定出的每个阵列基板的与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值进行正态分布统计；
在所述正态分布统计的结果中，确定大于或等于所述标准临界电流值的开启电流值所占百分比；
将确定出的所述百分比与预设合格率进行比较，若确定所述百分比小于所述预设合格率，则确定所述测试样品组中的TFT未达到预设合格率；若确定所述百分比大于或等于所述预设合格率，则确定所述测试样品组中的TFT达到预设合格率。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用下述方式确定标准栅极开启电压值：
在预设温度下，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，在满足所述标准显示面板中的所有像素点被点亮时，确定此时加载的栅极开启信号作为标准栅极开启电压值；所述标准显示面板组包括未切割的多个显示面板。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，对标准显示面板组的阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号，具体包括：
通过在标准显示面板组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号；或，
分别对所有阵列基板加载从小到大的一组栅极开启信号。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，采用下述方式确定标准临界电流值：
将所述标准显示面板组拆解呈包含各阵列基板的母板；
在预设温度下，对各阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测量；所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT；
根据预先确定的所述标准栅极开启电压值，在每个所述阵列基板得到的TFT特性曲线中确定每个所述阵列基板与所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值；
所述标准栅极开启电压值对应的开启电流值中的最大值作为标准临界电流值。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述阵列基板的TFT设计进行改进，具体包括：
增大所述阵列基板上的各TFT的沟道区域的宽长比。
8.如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述预设温度的取值范围为零下60摄氏度至0摄氏度。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预设温度为零下30摄氏度。
10.如权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述预设合格率的取值范围为90％至100％。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171229 Termination date: 20210924 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |