CN105531771A - 用于形成导电图案的组合物和方法，及其上具有导电图案的树脂结构 - Google Patents

用于形成导电图案的组合物和方法，及其上具有导电图案的树脂结构 Download PDF

Info

Publication number
CN105531771A
CN105531771A CN201480042323.5A CN201480042323A CN105531771A CN 105531771 A CN105531771 A CN 105531771A CN 201480042323 A CN201480042323 A CN 201480042323A CN 105531771 A CN105531771 A CN 105531771A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
conductive pattern
composition
conductive metal
metal compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480042323.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105531771B (zh
Inventor
田信姬
朴致成
金宰贤
郑相允
朴哲凞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Corp
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Publication of CN105531771A publication Critical patent/CN105531771A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105531771B publication Critical patent/CN105531771B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/161—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from plating step, e.g. inkjet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1658—Process features with two steps starting with metal deposition followed by addition of reducing agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2026—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
    • C23C18/204—Radiation, e.g. UV, laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0014—Shaping of the substrate, e.g. by moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405—Formaldehyde
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0236—Plating catalyst as filler in insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09118—Moulded substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light

Abstract

本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物和使用该组合物形成导电图案的方法，以及具有所述导电图案的树脂结构，所述组合物能够形成精细导电图案，该精细导电图案降低机械-物理性能的劣化并对各种高聚物树脂产品或树脂层具有优异的粘合强度的。所述用于形成导电图案的组合物包含聚合物树脂；含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，该非导电金属化合物颗粒在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm，其中，包含所述第一金属或第二金属元素或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物颗粒通过电磁辐射形成。

Description

用于形成导电图案的组合物和方法，及其上具有导电图案的树脂结构
技术领域
本发明涉及一种用于形成导电图案的组合物和使用该组合物形成导电图案的方法，以及具有所述导电图案的树脂结构，所述组合物能够形成精细导电图案，该精细导电图案降低机械-物理性能的劣化并对各种聚合物树脂产品或树脂层具有优异的粘合强度。
背景技术
随着近来微电子技术的发展，对具有在例如各种树脂产品或树脂层的高聚物树脂衬底(或产品)的表面上形成的精细导电图案的结构的需求已经增长。所述在高聚物树脂衬底的表面上的导电图案及结构可以应用于形成各种物件例如集成在移动电话中的天线、各种传感器、MEMS结构、RFID标签等。
同样地，随着对在高聚物树脂衬底表面上形成导电图案的技术的兴趣的增强，提出了关于此的几种技术。但是，还没有提出对于这些技术的更有效的方法。
例如，根据以前的技术，可以考虑通过在高聚物树脂衬底的表面形成金属层然后应用光刻法来形成导电图案的方法，或通过印制导电胶来形成导电图案的方法。但是，当根据这些技术形成导电图案时，会有所需的工艺或设备变得过于复杂或难以形成优良的精细导电图案的限制。
因此，有需要开发能够通过简单的工艺更有效地在高聚物树脂衬底的表面上形成精细导电图案的技术。
为了满足本领域的需求，已经提出了通过使用将有特殊的非导电金属化合物等与聚合物树脂混合的组合物，然后进行例如激光等的电磁波的直接辐射来形成导电图案的技术。根据此技术，将所述例如激光等的电磁波直接辐射至组合物的预定区域上以选择性地曝露(expose)非导电金属化合物的金属成分，然后对相应区域进行无电镀，从而形成所述导电图案。
但是，当应用此技术时，由于非导电金属化合物的添加导致脆性增强，在许多情况下高聚物树脂衬底(或产品)自身的例如抗冲击强度等的机械-物理性能会恶化。
另外，当通过上述技术形成导电图案时所述导电图案与高聚物树脂衬底的粘合强度差，也会发生使得难以形成优良的导电图案等的问题。
由于上述问题，上面描述的技术并未被广泛地应用，并且不断地需要相关技术的开发。
发明内容
技术问题
本发明试图提供一种用于形成导电图案的组合物以及使用该组合物形成导电图案的方法，所述组合物能够形成降低机械-物理性能劣化并对各种高聚物树脂产品或树脂层具有优异的粘合强度的精细导电图案。
另外，本发明试图提供一种具有导电图案的树脂结构，所述导电图案由用于形成导电图案的组合物等形成。
技术方案
本发明的一个示例性实施方案提供了一种通过电磁辐射形成导电图案的组合物，包含：聚合物树脂；以及含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，所述非导电金属化合物颗粒在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm，其中，包含所述第一金属或第二金属元素或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物颗粒通过电磁辐射形成。
所述非导电金属化合物颗粒的具体实例可以包括选自CuCrO2、NiCrO2、AgCrO2、CuMoO2、NiMoO2、AgMoO2、NiMnO2、AgMnO2、NiFeO2、AgFeO2、CuWO2、AgWO2、NiWO2、AgSnO2、NiSnO2以及CuSnO2中的一种或多种化合物，使得可以通过电磁辐射良好地形成金属核以形成更优良的导电图案。
另外，所述用于形成导电图案的组合物可以对波长约为1000nm至1200nm的激光电磁波展现25％以下或大约10％至25％的反射率。
另外，在所述用于形成导电图案的组合物中，金属核可以通过以大约5W至20W的平均功率辐射波长约为1000nm至1200nm的激光电磁波来形成。通过控制激光电磁波的辐射条件，金属核可以更有效地在所述组合物的聚合物树脂上形成，从而可以形成更优良的导电图案。
另外，在所述用于形成导电图案的组合物中，所述聚合物树脂可以包括热固性树脂或热塑性树脂，而且其具体实例可以包括选自ABS树脂；例如聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂等的聚对苯二甲酸亚烷基酯树脂；聚碳酸酯树脂；聚丙烯树脂以及聚邻苯二甲酰胺树脂中的一种或多种。
另外，在所述用于形成导电图案的组合物中，相对于全部组合物，所包含的非导电金属化合物颗粒约为0.5wt％至7wt％，所述聚合物树脂可以以剩余量被包含。
另外，除了上述聚合物树脂和预定的非导电金属化合物颗粒以外，所述用于形成导电图案的组合物还可以包含选自热稳定剂、UV稳定剂、阻燃剂、润滑剂、抗氧化剂、无机填充剂、着色剂、冲击改性剂以及功能改性剂中的一种或多种添加剂。
同时，本发明的另一个示例性实施方案提供了一种利用上述用于形成导电图案的组合物，通过在例如树脂产品、树脂层等的高聚物树脂衬底上直接电磁辐射形成导电图案的方法。所述用于形成导电图案的方法可以包括将上述用于形成导电图案的组合物模塑成树脂产品或将所述组合物应用于另一种产品以形成树脂层；对所述树脂产品或树脂层的预定区域辐射电磁波以由非导电金属化合物颗粒生成包含第一、第二金属元素或它们的离子的金属核；以及对生成有所述金属核的区域进行化学还原或电镀以形成导电金属层。
在用于形成导电图案的方法中的生成金属核的步骤中，波长约为1000nm至1200nm的激光电磁波可以以大约5W至20W的平均功率辐射，因此，可以良好地形成所述金属核并且可以形成更优良的导电图案。
另外，当进行通过电磁辐射生成金属核的步骤时，部分非导电金属化合物颗粒曝露在树脂产品或树脂层的预定区域的表面上，并且金属核由此生成，从而形成被活化以具有更高粘合强度的表面(此处称为“粘合-活化表面”)。然后，导电金属层可以通过无电镀形成在所述粘合-活化表面上。一旦经过无电镀，当导电金属离子被化学还原时，金属核就具有种子的作用，与电镀溶液中的导电金属离子形成强结合。因此，所述导电金属层可以有选择地以更容易的方式形成。
同时，本发明的另一个示例性实施方案提供了一种具有通过上述用于形成导电图案的组合物以及用于形成导电图案的方法获得的导电图案的树脂结构。所述树脂结构可以包含高聚物树脂衬底；含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，其在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为约0.1μm至20μm并分散在所述高聚物树脂衬底中；包含金属核的粘合-活化表面，所述金属核含有第一、第二金属元素或它们的离子并曝露在所述高聚物树脂衬底的预定区域的表面上；以及形成在所述粘合-活化表面上的导电金属层。
在所述树脂结构中，在其上形成有粘合-活化表面以及导电金属层的预定区域可以对应于电磁波在高聚物树脂衬底上辐射的区域。
另外，在所述树脂结构中，导电金属层可以通过粘合沉积在树脂衬底上，其中，在根据标准ISO2409的测试下，待测的目标金属层的剥离面积为金属层面积的0％(等级0)或大于0％且小于等于5％(等级1)。
另外，通过ASTMD256测定的所述树脂结构的冲击强度可以约为4.0J/cm以上。
有益效果
根据本发明，提供了一种用于形成导电图案的组合物和利用该组合物形成所述导电图案的方法，以及具有所述导电图案的树脂结构，其中所述组合物能够通过激光电磁辐射的简单工艺在例如各种高聚物树脂产品或树脂层的高聚物树脂衬底上形成精细导电图案。
具体地，根据本发明用于形成导电图案的组合物使用具有特殊三维结构及预定范围的粒径的非导电金属化合物颗粒，从而更有效地形成降低高聚物树脂产品或树脂层本身的机械-物理性能例如冲击强度等的劣化并具有优良粘合强度的精细导电图案。
因此，所述用于形成导电图案的组合物或用于形成导电图案的方法可以有效地用于形成例如移动电话壳体等的各种树脂产品上的天线用导电图案、RFID标签、各种传感器、MEMS结构等。
附图说明
图1说明了根据本发明的一个示例性实施方案包含在用于形成导电图案的组合物中的非导电金属化合物的示例性三维结构。
图2说明了显示根据本发明的另一个示例性实施方案用于形成导电图案的示例性方法的各个步骤的示意图。
图3是显示了根据本发明的另一个示例性实施方案在用于形成导电团的示例性方法中包含通过电磁辐射形成在高聚物树脂衬底表面上的金属核的粘合-活化表面的电镜图像。
图4和5分别示出了在制备实施例1中获得的具有可控粒径的CuCrO2粉末的电镜图像和X-射线衍射图谱。
图6和7分别示出了在实施例1中获得包含CuCrO2颗粒的树脂衬底之后，树脂衬底的X-射线衍射分析结果和断裂面的电镜图像。
图8和9分别示出了在实施例1中激光辐射之后用以检验金属核以及包含所述金属核的粘合-活化表面是否形成于高聚物树脂衬底表面上的X-射线衍射分析结果和电镜图像。
图10和11分别示出了在对比实施例1中激光辐射之后用以检验金属核是否形成于树脂结构上的X-射线衍射分析结果以及激光-辐射表面的电镜图像。
图12示出了在形成导电图案的过程中激光辐射之后实施例2、4和6中的高聚物树脂衬底表面的电镜图像。
具体实施方式
在下文中，将会描述根据本发明的具体示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物、使用该组合物形成导电图案的方法以及具有所述导电图案的树脂结构。
根据本发明的一个示例性实施方案，提供了一种通过电磁辐射用于形成导电图案的组合物，包括：聚合物树脂；含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒其在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm，其中，包含所述第一金属、第二金属元素或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物颗粒通过电磁辐射形成。
所述用于形成导电图案的组合物包含具有由或P63/mmc空间群限定的晶体结构的特殊三维结构并且具有约为0.1μm至20μm或约为0.3μm至10μm或约为0.5μm至3μm的特定粒径的非导电金属化合物颗粒。为颗粒的主要组成的非导电金属化合物的示例性三维结构在图1中说明。
参照图1，所述非导电金属化合物可以具有包括多个第一层(共边八面体层)和第二层的三维结构，其中，所述第一层包含第一和第二金属元素中的至少一种金属并且具有共边八面体彼此二维连接的结构，所述第二层包含与所述第一层不同的金属并且布置在邻近的第一层之间，而且所述三维结构可以称为晶体结构中的或P63/mmc空间群。
在包含非导电金属化合物颗粒的用于形成导电图案的组合物用于模塑高聚物树脂产品或树脂层，并且辐射例如激光的电磁波之后，可以由所述非导电金属化合物形成包含第一或第二金属元素或它们的离子的金属核。所述金属核可以选择性地曝露于辐射电磁波的预定区域，以在高聚物树脂衬底的表面上形成粘合-活化表面。然后当用包含导电金属离子等的电镀溶液进行无电镀时，使用包括第一、第二金属元素或它们的离子的金属核等作为种子，可以在所述包含金属核的粘合-活化表面上形成导电金属层。通过此过程，所述金属导电层，也就是精细导电图案可以选择性地只形成在高聚物树脂衬底经电磁波辐射的预定区域上。
具体地，可以形成所述金属核以及粘合-活化表面并因此通过电磁辐射形成更优良的导电图案的因素之一是根据一个示例性实施方案包含在所述组合物中非导电金属化合物的特殊的三维结构，例如，图示性地示于图1中的三维结构。
在非导电金属化合物的三维结构中，所述第一层包含第一和第二金属中的至少一种金属元素，其中，所述第一层(共边八面体层)具有共边的八面体彼此二维地连接的结构。另外，所述非导电金属化合物的三维结构与多个上述第一层一起，包括布置在邻近的第一层之间的第二层。所述第二层包含与所述第一层不同的金属，例如，第一和第二金属中不包含在所述第一层中的的剩余金属元素，所述第二层的金属在邻近的第一层之间彼此连接八面体的顶点，从而将它们的二维结构彼此连接。
在更具体地示例性实施方案中，所述具有分层的三维结构的非导电金属化合物可以包括X(氧、氮或硫)和所述第一和第二金属元素，以成为通常由ABX2(A和B各自独立地为第一和第二金属元素，X为氧、氮或硫)表示的化合物。在具有通式的化合物中，第一和第二金属元素中的至少一种金属与X原子可以形成共边八面体，而且所述八面体可以排列在二维地连接的结构中，从而形成第一层。另外，如上所述，第一层中不包含的剩余金属可以形成邻近的第一层之间的第二层，而且形成第二层的金属可以在第一层之间将二维地连接的结构彼此连接。
此处，形成所述第二层的第一或第二金属元素可以是选自能够通过电磁辐射从非导电金属化合物中释放出来的Cu、Ag和Ni中的一种或多种金属元素。另外，形成所述第一层的第一或第二金属元素可以是选自不同于形成第二层的金属元素的Cr、Mo、Mn、Fe、Sn和W中的一种或多种金属元素。
在电磁辐射之前，具有如上所述的特殊分层三维结构的非导电金属化合物展现出非导电性并与聚合物树脂具有优异的相容性，而且在用于还原或电镀处理的溶液中化学稳定以保持非导电性。因此，将所述非导电金属化合物的颗粒与高聚物树脂衬底均匀地混合并保持化学稳定状态以在未被电磁波辐射的区域中展现非导电性。
相反地，所述第一、第二金属元素或它们的离子等可以容易地由辐射电磁波例如激光等的预定区域中的非导电金属化合物生成。此处，认为非导电金属化合物中金属或它们的离子的容易释放归因于如上所述的第一层和第二层顺序地排列在非导电金属化合物中的分层三维结构。由于所述具有分层三维结构的非导电金属化合物与具有非分层三维结构的化合物相比，第二层的空位形成能较低，第二层中包含的第一或第二金属元素或它们的离子可以更容易地释放。照此，所述金属或它们的离子通过电磁辐射更容易从非导电金属化合物中释放，这是引起所述金属核以及粘合-活化表面形成的因素之一。
然而，本发明人的实验结果证实所述金属核以及粘合-活化表面的形成并不仅仅归因于非导电金属化合物的特殊三维结构。作为连续的实验和研究的结果，本发明人发现在上述特殊三维结构的非导电金属化合物中，可以选择并包括例如CuCrO2、NiCrO2、AgCrO2、CuMoO2、NiMoO2、AgMoO2、NiMnO2、AgMnO2、NiFeO2、AgFeO2、CuWO2、AgWO2、NiWO2、AgSnO2、NiSnO2、CuSnO2等的具体化合物，因此，一个示例性实施方案的化合物能够对特定波长的例如激光等的电磁波展现更强的吸收和敏感性。另外，还发现当控制下面将要描述的例如激光等的电磁波的辐射条件时，可以最终形成金属核以及粘合-活化表面，而且通过例如激光的电磁辐射、后续的还原、电镀处理等可以形成更优良的精细导电图案。
与所述示例性实施方案不同，当即使用于形成导电图案的组合物具有上述分层三维结构时，使用下面将要描述的对比实施例中的例如CuNiO2等的不适合的非导电金属化合物，或未将例如激光等的电磁波的辐射条件控制在合适的范围内时，无法形成所述金属核或无法适当地形成包含金属核并具有较大粗糙度的粘合-活化表面，而且无法形成对聚合物树脂具有优异的粘合强度的优良导电图案。
因此，由于非导电金属化合物的上述特殊三维结构和它的性能，以及对上述用于形成金属核的所有条件的控制和相应的粘合-活化表面，与其它包含具有例如尖晶石的不同三维结构的化合物的组合物或其它没有形成金属核的组合物相比，一个示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物能够容易地形成更优良的精细导电图案。另外，由于所述性能，当使用根据一个示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物时，与使用包含具有例如尖晶石等的未分层三维结构的非导电金属化合物的其他组合物的情况相比，可以在降低非导电金属化合物的使用量(更具体地，第一或第二金属元素的使用量或含量)的同时更容易地形成优良且精细的导电金属层。
同时，具有上述特殊三维结构的非导电金属化合物的颗粒的具体粒径范围可以是约为0.1μm至20μm或约为0.3μm至10μm或约为0.5μm至3μm。本发明人的实验结果证实由于非导电金属化合物的颗粒具有特定粒径范围，可以将由添加非导电金属化合物颗粒造成聚合物树脂的例如冲击强度等的机械-物理性能劣化最小化。一般认为此证实由下列技术原理引起。
根据三维结构和它的晶体结构(见图1)的特性，具有上述或P63/mmc空间群晶体结构的材料可以具有c轴比a轴长且纵横比高的板形结构。由于所述晶体结构，当具有所述或P63/mmc空间群的非导电金属化合物颗粒的粒径增加时，由上述高纵横比等可以更大程度地反映粒径的增加程度。因此，非导电金属化合物颗粒的聚合物树脂中的分散性会更大程度的恶化，而且脆性会显著增强，因此，聚合物树脂的例如冲击强度等的机械物理性能会更大程度地恶化。但是，当将非导电金属化合物颗粒的粒径如上所述控制为大约20μm以下时，上述问题会减少，因此，由非导电金属化合物颗粒的添加造成的聚合物树脂的机械物理性能的劣化会降低。
但是，当非导电金属化合物颗粒的粒径显著减小时，特定表面面积会大程度的增加以增强吸水性等，并因此，会发生与例如聚碳酸树脂等的聚合物树脂的副作用。所述副作用可以导致较差的物理性能或聚合物树脂的粘度增强。另外，会产生大量的灰尘，在加工过程中造成不便。但是，当非导电金属化合物颗粒的粒径范围被适当地控制时，上述问题会减少，而且可以抑制聚合物树脂物理性能的劣化，从而减少加工过程中的不便。
除此之外，证实如上所述在特殊三维结构中具有最佳粒径范围的非导电金属化合物颗粒即使在例如相对较低功率的激光等的电磁波辐射条件下也可以对电磁波更敏感地做出反应，使得可以更有效地形成金属核，而且可以更好地形成包含所述金属核并具有增大的粗糙度的粘合-活化表面。因此，可以有利地在金属核以及粘合-活化表面上形成展现出更优异的粘合强度的精细导电图案。
另外，由于所述非导电金属化合物颗粒由于上述粒径范围可以更敏感地对电磁波做出反应，即使向聚合物树脂中添加的非导电金属化合物颗粒本身的量减少，也可以更有效的形成导电图案。由于上面的描述，通常非导电金属化合物颗粒的深色容易被以最少量添加的颜料或着色剂遮蔽，从而容易提供具有所需的颜色的高聚物树脂产品。
为了获得具有特定粒径范围的非导电金属化合物的颗粒，将包含形成所述颗粒的第一和第二金属元素的前体互相混合并在高温下烧制，从而获得非导电金属化合物，然后，通过研磨过程等使所述化合物破裂。在通过破裂过程获得具有所需粒径范围的非导电金属化合物的颗粒之后，可以干燥所获得的颗粒并用于上述形成导电图案的组合物。同时，由于所述破裂过程的进行条件和方法可以遵从例如普通无机颗粒(金属氧化物颗粒等)的研磨工艺等的一般破裂工艺，而且所述非导电金属化合物颗粒可以通过其他普通金属氧化物颗粒的其他一般制备工艺来制备，将省略其附加描述。
同时，如上所述的一个示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物对具有对应红外区域的波长(例如约为1000nm至1200nm或约为1060nm至1070nm，例如约1064nm的波长)的激光电磁波可以展现大约25％以下或大约10％至25％的反射率。
对激光电磁波相对较低的反射率可以反应出对通常在形成金属核以及随后的导电图案时应用的激光电磁波的高吸收和敏感性。因此，当使用显示出上述低反射率范围的根据一个示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物时，可以良好地形成金属核以及包含所述金属核且粗糙度更大的粘合-活化表面，所以，可以形成更优良的导电图案。
另外，所述用于形成导电图案的组合物的低反射率可以通过使用具有上述特殊三维结构的非导电金属化合物来获得，具体地，通过使用例如CuCrO2、NiCrO2、AgCrO2、CuMoO2、NiMoO2、AgMoO2、NiMnO2、AgMnO2、NiFeO2、AgFeO2、CuWO2、AgWO2、NiWO2、AgSnO2、NiSnO2、CuSnO2等的具体化合物，并通过将所述具体非导电金属化合物与下面将描述的合适的聚合物树脂、它们的组合物等相结合来获得。
同时，在如上所述根据一个示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物中，具有与红外区域相对应的波长的激光电磁波，例如波长约为1000nm至1200nm或约为1060nm至1070nm或约为1064nm的激光电磁波，以大约5W至20W或大约7W至15W的平均功率辐射，使得所述金属核可以在电磁波辐射的部分形成。由于以上述范围控制例如激光等的电磁波的辐射条件，在激光辐射的部分明显良好地形成金属核以及包含所述金属核并具有较大粗糙度的粘合-活化表面，并因此，可以形成更优良的导电图案。同时，所述可使金属核等形成的电磁波的辐射条件可以根据有待实际使用的非导电金属化合物和聚合物树脂或它们的组合物的具体种类进行不同的控制。
在如上所述根据一个示例性实施方案的用于形成导电图案的组合物中，任何能够形成各种高聚物树脂产品或树脂层的热固性树脂或热塑性树脂都可以没有特别限制地用作所述聚合物树脂。具体地，具有上述特殊三维结构和粒径的非导电金属化合物颗粒可以展现与各种聚合物树脂良好的相容性和均匀的分散性，而且可以几乎不劣化聚合物树脂的机械-物理性能例如冲击强度等。因此，根据一个示例性实施方案的组合物可以包括各种聚合物树脂，而且可以被模塑成各种树脂产品或树脂层。所述聚合物树脂的具体实例可以包括ABS树脂；例如聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂等的聚对苯二甲酸亚烷基酯树脂；聚碳酸酯树脂；聚丙烯树脂以及聚邻苯二甲酰胺树脂等，还可以包括除此之外的各种聚合物树脂。在这些具体实例中，ABS树脂或聚碳酸酯树脂优选地用作所述聚合物树脂以更好地确保金属核以及优良的导电图案的形成。
另外，在所述用于形成导电图案的组合物中，相对于全部组合物，所包含的非导电金属化合物可以是大约0.5wt％至7wt％或大约1wt％至6wt％，且以剩余量包含所述聚合物树脂。根据上述量的范围，可以良好地保持由所述组合物形成的高聚物树脂产品或树脂层的机械-物理性能等，而且可以通过电磁波辐射在预定区域内形成导电图案。如前文所述，根据一个示例性实施方案的组合物可以包含具有特殊三维结构和粒径范围的非导电金属化合物颗粒，使得即使所述非导电金属化合物颗粒的含量较低，也可以通过电磁波辐射有利地形成金属核以及具有优异粘合强度的导电图案。因此，通过减少非导电金属化合物颗粒的含量，可以更良好地保持树脂产品或树脂层的物理性能，而且可以隐藏添加剂的颜色，从而可以容易地提供显示出良好的颜色的高聚物树脂产品。
另外，除了上述聚合物树脂和预定的非导电金属化合物之外，所述用于形成导电图案的组合物还可以包含选自热稳定剂、UV稳定剂、阻燃剂、润滑剂、抗氧化剂、无机填充剂、着色剂、冲击改性剂以及功能改性剂中的一种或多种添加剂。除了上述材料之外，所有公知的可用于模压树脂产品的组合物的各种添加剂都可以没有特别限制地使用。
同时，根据本发明的另一个示例性实施方案，提供了利用上述用于形成导电图案的组合物通过直接电磁辐射在例如树脂产品或树脂层等的高聚物树脂衬底上形成导电图案的方法。所述用于形成导电图案的方法可以包括：将如上所述用于形成导电图案的组合物模塑成树脂产品或将所述组合物应用于另一种产品上以形成树脂层；向所述树脂产品或树脂层的预定区域辐射电磁波以由非导电金属化合物颗粒生成包含第一或第二金属元素或它们的离子的金属核；以及对生成有金属核的区域进行化学还原或电镀以形成导电金属层。
在下文中，将会参照附图描述根据另一个示例性实施方案的用于形成导电图案的方法的各个步骤。以供参考，图2图示地说明了用于形成导电图案的方法的一个实施例，包括向树脂产品或树脂层(所述高聚物树脂衬底)的预定区域辐射电磁波(也就是，形成金属核以及包含该金属核的粘合-活化表面；第一和第二幅图片)并形成所述导电金属层的步骤。另外，图3是示出了用于形成导电图案的方法的一个实施例中通过电磁辐射形成在高聚物树脂衬底的预定区域的表面上的金属核以及包含该金属核的粘合-活化表面的电子显微镜图像。
在用于形成导电图案的方法中，首先，可以将上述用于形成导电图案的组合物模塑成树脂产品或应用于另一种产品上以形成树脂层。在树脂产品的模塑及树脂层的形成中，用于使用聚合物树脂组合物模塑产品的一般方法或用于形成树脂层的一般方法可以没有特别限制地应用。例如在使用所述组合物模塑树脂产品的过程中，将用于形成导电图案的组合物挤出并冷却以形成小球或颗粒，将这些小球或颗粒经过注射成型以具有所需的形状，从而制造各种高聚物树脂产品。
由此形成的高聚物树脂产品或树脂层具有如上所述均匀分散在由聚合物树脂形成的树脂衬底中并具有特殊三维结构和粒径范围的非导电金属化合物颗粒，具体地，由于所述非导电金属化合物具有与各种聚合物树脂优异的相容性、足够的溶解度以及化学稳定性，该化合物可以均匀地分散在全部树脂衬底中并保持非导电性。
在形成所述高聚物树脂产品或树脂层之后，如图2的第一幅图所示，可以向将要形成导电图案的树脂产品或树脂层的预定区域上辐射例如激光等的电磁波。当辐射电磁波时，所述第一或第二金属或它们的离子可以从非导电金属化合物中释放，而且可以生成包含该第一或第二金属元素或它们的离子的金属核，还可以形成包含该金属核的粘合-活化表面(见图2的第二幅图)。
更具体地，当进行通过电磁辐射生成金属核的步骤时，部分非导电金属化合物颗粒曝露在树脂产品或树脂层预定区域的表面上，并由此生成金属核，从而可以形成被活化至具有更高粘合强度的粘合-活化表面(见图3)。所述粘合-活化表面可以包含金属核同时具有较大粗糙度。由于所述粘合-活化表面仅仅选择性地形成在经电磁波辐射的特定区域上，在下面将要描述的电镀步骤等之后，导电金属离子通过包含在金属核以及粘合-活化表面中的第一或第二金属离子的化学还原被化学还原和/或被无电镀，使得所述导电金属层可以更有利地形成在聚合物树脂衬底的预定区域上。更具体地，一旦经过无电镀，当导电金属离子被化学还原时，金属核起一种种子的作用，与电镀溶液中包含的导电金属离子形成强粘合。因此，所述导电金属层可以选择性地以更容易的方式形成。
具体地，由于所述非导电金属化合物颗粒具有特定的粒径范围，该颗粒即使在例如相对较低功率的激光等的电磁波辐射条件下也可以更敏感地反应，使得可以更有效地形成具有较大粗糙度和金属核的粘合-活化表面，而且可以在树脂产品或树脂层上由所述粘合-活化表面和金属核形成具有增大的粘合强度的导电金属层(导电图案)。
同时，在如上所述生成金属核的步骤中，可以辐射激光电磁波，例如，可以以大约5W至20W或大约7W至15W的平均功率辐射具有与红外区域相对应的波长的激光电磁波，例如，波长为大约1000nm至1200nm或大约1060nm至1070nm或大约1064nm的激光电磁波。
通过辐射激光电磁波，可以更好地确保由非导电金属化合物形成金属核，而且所述包含金属核的粘合-活化表面可以选择性地生成和曝露在预定区域上。
同时，在上述生成金属核的步骤之后，如图2的第三幅图所示，可以通过对形成有金属核和粘合-活化表面的区域进行化学还原或电镀进行形成导电金属层的步骤。由于还原和电镀步骤，所述导电金属层可以选择性地形成在曝露金属核和粘合-活化表面的预定区域或其它区域上，因此，化学稳定的非导电金属化合物可以保持非导电性。因此精细导电图案可以选择性地只形成在高聚物树脂衬底的预定区域上。
更具体地，所述形成导电金属层的步骤可以通过无电镀进行，因此，可以在所述粘合-活化表面上形成优良的导电金属层。
在一个实施例中，在还原或电镀的步骤中，生成金属核的树脂产品或树脂层的预定区域可以用包含还原剂的酸性或碱性溶液处理，而且所述溶液可以包含选自甲醛、次磷酸盐、二甲氨基硼烷(DMAB)、二乙氨基硼烷(DEAB)以及肼中的一种或多种作为还原剂。另外，在还原或电镀步骤中，所述导电金属层可以通过包括用含有上述还原剂和导电金属离子等的无电镀溶液处理的无电镀来形成。
由于进行了还原或电镀步骤，金属核中包含的第一或第二金属离子减少，或包含在无电镀溶液中的导电金属离子在金属核作为种子形成的区域中被化学还原，并因此，优良的导电图案可以选择性地形成在预定区域上。此处，所述金属核以及粘合-活化表面可以与经化学还原的导电金属离子形成强粘合，所以，导电图案可以更容易地选择性地形成在预定区域上。
同时，根据另一个实施方案，提供了一种具有导电图案的树脂结构，该导电图案利用如上所述用于形成导电图案的组合物和用于形成导电图案的方法获得。所述树脂结构可以包含高聚物树脂衬底；含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，其在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm并分散在所述高聚物树脂衬底中；包含金属核的粘合-活化表面，所述金属核曝露在高聚物树脂衬底的预定区域的表面上且含有第一或第二金属元素或它们的离子；以及形成在所述粘合-活化表面上的导电金属层。
在所述树脂结构中，形成有粘合-活化表面和导电金属层的预定区域可以对应于辐射电磁波的高聚物树脂衬底的区域。另外，包含在粘合-活化表面的金属核中的第一或第二金属元素或它们的离子可以源于所述非导电金属化合物颗粒。同时，所述导电金属层可以源于第一或第二金属元素或源于包含在无电镀溶液中的导电金属离子。
同时，在所述树脂结构中，所述导电金属层通过使用具有特定粒径范围的非导电金属化合物颗粒形成，使得导电金属层可以以增大的粘合强度形成在高聚物树脂衬底上。例如，所述导电金属层可以通过粘合形成在高聚物树脂衬底上，其中，在根据标准ISO2409的测试下，待测的目标金属层的剥离面积为金属层面积的0％(ISO等级0)或大于0％且小于等于5％(ISO等级1)。
另外，不管所添加的非导电金属化合物，通过ASTMD256测定的所述树脂结构的冲击强度可以为大约4.0J/cm以上。因此，通过使用所述树脂结构，可以提供具有导电图案形成在高聚物树脂衬底上并保持优异的机械-物理性能的高聚物树脂产品等。
另外，所述树脂结构还可以包含源于非导电金属化合并分散于高聚物树脂衬底中的残留物。所述残留物可以具有如下结构，其中，来源于所述非导电金属化合物的三维结构中的至少一部分第一或第二金属的释放的空缺为化合物的至少一部分。
上述树脂结构可以成为具有用于天线的导电图案的例如移动电话壳体等各种树脂产品或树脂层，或成为具有导电图案的例如RFID标签、各种传感器、MEMS结构等的各种树脂产品或树脂层。
[实施例]
在下文中，将会参照本发明的具体实施例更详细地描述本发明的效果。同时，这些实施例仅仅是为了说明，并不限制本发明的范围。
制备实施例1：非导电金属化合物CuCrO 2 的合成
通过球磨6小时将原材料CuO与Cr2O3以2:1的摩尔比均匀地互相混合。此后，将所得混合物在大气压和1050℃的条件下烧制2小时以合成化学式为CuCrO2的粉末。在所述合成之后，通过控制另外的粉碎处理时间来制备将要用于下面实施例中的具有可控粒径的CuCrO2粉末。所述CuCrO2粉末的电镜图像和X-射线衍射图谱分别在图4和5中示出。
所述电镜和X-射线衍射分析说明了非导电金属化合物具有板形晶体结构，而且所述分层三维结构(在晶体结构中的或P63/mmc空间群)在图1中示出。
实施例1：通过直接激光辐射形成导电图案
通过使用聚碳酸酯树脂作为基础树脂、由制备实施例1获得的非导电金属化合物颗粒(CuCrO2；粒径：2.5μm)作为LDS添加剂以及热稳定剂(IR1076,PEP36)、UV稳定剂(UV329)、润滑剂(EP184)、冲击改性剂(S2001)等作为用于加工和稳定的添加剂来制备通过电磁波辐射来形成导电图案的组合物。
基于聚碳酸酯树脂，将5wt％的LDS添加剂和5wt％的其他添加剂互相混合以获得所述组合物，然后在260℃至280℃的温度下利用挤出机挤出。所挤出的球型树脂结构在大约260℃至270℃下经过注射成型以获得根据ASTM标准的悬臂梁条形(izodbartype)的直径为100mm且厚度为2mm的衬底。
由此获得的树脂衬底经过X-射线衍射分析(XRD)且其分析结果在图6中示出。另外，非导电金属化合物颗粒在衬底中的分布利用电镜进行了分析且其分析结果在图7中示出。以供参考，图7是衬底断裂面的电镜图像，而且图7的右边的图像是左边图像的局部放大图。参照图6和7，证实非导电金属化合物没有退化地有利地分散于聚碳酸酯树脂中，在激光辐射之前(图6)，这些非导电金属化合物颗粒均匀地分散在聚碳酸酯树脂中(图7)。
另外，如下面实验实施例2所述根据ASTMD256标准测定注射成型树脂结构的悬臂梁缺口冲击强度。
同时，如上制造的树脂衬底利用Nd-YAG激光器在40kHz和10W的条件下以波长为1064nm的激光辐射以活化表面。在激光辐射之后，利用电镜和XRD分析并确认包含铜的金属核是否形成在聚碳酸酯树脂中，且其结果分别在图8和9中示出。参照图8和9，证实在激光辐射之后，源于CuCrO2颗粒的一部分Cu及其离子被还原以形成金属种子(即金属核)，并形成包含该金属核及具有较大粗糙度的粘合-活化表面。
然后，将表面被激光辐射活化的树脂衬底经过如下无电镀加工。将3g硫酸铜、14g罗谢尔盐和4g氢氧化钠溶解于100ml去离子水中制备电镀溶液。将1.6ml的甲醛作为还原剂加入40ml由此制备的电镀溶液中。将表面由激光激活的树脂衬底浸入所述电镀溶液中4至5小时，然后用蒸馏水洗涤。如下面将要描述的实验实施例1根据标准ISO2409评价由此形成的导电图案(或镀层)的粘合性能。
实施例2：通过直接激光辐射形成导电图案
除了用3wt％的非导电金属化合物颗粒(CuCrO2颗粒)作为LDS添加剂以外，以与实施例1中相同的方式制备用于形成导电图案的组合物，并由该组合物制造具有导电图案的树脂结构。
实施例3和4：通过直接激光辐射形成导电图案
除了用粒径为1.2μm的非导电金属化合物颗粒(CuCrO2颗粒)作为LDS添加剂以外，分别以与实施例1和2中相同的方式制备用于形成导电图案的组合物，并由该组合物制造具有导电图案的树脂结构。
实施例5至8：通过直接激光辐射形成导电图案
除了分别用5wt％(实施例5)、3wt％(实施例6)、2wt％(实施例7)以及1wt％(实施例8)的粒径为0.5μm的非导电金属化合物颗粒(CuCrO2颗粒)作为LDS添加剂以外，以与实施例1中相同的方式制备用于形成导电图案的组合物，并由该组合物制造具有导电图案的树脂结构。
实施例9：通过直接激光辐射形成导电图案
除了用粒径为5μm的非导电金属化合物颗粒(CuCrO2颗粒)作为LDS添加剂以外，以与实施例1中相同的方式制备用于形成导电图案的组合物，并由该组合物制造具有导电图案的树脂结构。
对比实施例1：通过直接激光辐射形成导电图案
除了用粒径为0.5μm的CuNiO2代替CuCrO2作为非导电金属化合物，并以3W代替10W的功率进行激光辐射以外，以与实施例1中相同的方式制备用于形成导电图案的组合物，并由该组合物制造具有导电图案的树脂结构。
在激光辐射之后，利用电镜和XRD分析并证实包含铜的金属核是否形成在聚碳酸酯树脂中，且其分析结果分别在图10和11中示出。参照图10和11，由于不适当的激光辐射条件，非导电金属化合物即使在激光辐射之后也几乎没有曝露在激光中，而且非导电金属氧化物对激光的敏感性不足，因此没有形成源于铜等的金属种子(即金属核)。
实验实施例1：树脂衬底对激光的反射率的评价以及导电图案的粘合性的 评价
首先，利用UV-vis-NIR光谱仪测定实施例5至7以及对比实施例1中在激光辐射之前树脂衬底对波长为1064nm的激光的反射率。所测定的结果总结在下表1中。
参照下表1，发现实施例5至7的衬底对激光显示出相对较低的反射率，表明对激光的高吸收和敏感性，然而对比实施例1的衬底显示出对激光的高反射率以及低吸收和敏感性。由以上结果证实了，相比于对比实施例的组合物，使用实施例中的组合物可以形成金属核以及优良的导电图案。
[表1]
然后，在实施例1至8和对比实施例1中形成导电图案之后，根据标准ISO2409利用预定胶带按照对剥离程度的评价来评价各个导电图案对高聚物树脂衬底的粘合。
在下列ISO等级标准下进行导电图案的剥离面积的评价作为评价结果。
1、等级0：当在评价下的导电图案的剥离面积为目标导电图案面积的0％时。
2、等级1：当在评价下导电图案的剥离面积大于目标导电图案面积的0％且小于等于5％时。
3、等级2：当在评价下的导电图案的剥离面积大于目标导电图案面积的5％且小于等于15％时。
4、等级3：当在评价下的导电图案的剥离面积大于目标导电图案面积的15％且小于等于35％时。
5、等级4：当评价下的导电图案的剥离面积大于目标导电图案面积的35％且小于等于65％时。
6、等级5：当在评价下的导电图案的剥离面积大于目标导电图案面积的65％时。
如下表2所示，在实施例1至8中，有导电图案形成的全部面积中剥离的导电图案的面积极小，其粘合性被评价为等级0或1，并因此证实导电图案对高聚物树脂衬底具有良好的粘合性。同时，证实了在对比实施例1中形成了粘合性差的导电图案，其容易被去除。
[表2]
同时，利用SEM观察在根据实施例2、4、6形成导电图案的过程中激光辐射之后高聚物树脂衬底的表面，且其观察结果在图12中示出。
参照图12，证实了当非导电金属颗粒的粒径为大约0.5μm至2.5μm时，由于其粒径变小，一般颗粒对激光辐射反应灵敏，由此形成具有大的粗糙度的粘合-活化表面。一般认为由于大的粗糙度能够形成表现出更优良的粘合强度的导电图案。
实验实施例2：对树脂结构的机械性能的评价
利用标准ASTMD256测定根据实施例1、3、5和9的树脂结构的冲击强度，并与不添加非导电金属化合物颗粒的聚合物树脂本身(聚碳酸酯树脂)比较，其结果在下表3中示出。
[表3]
参照上表3，证实在实施例的树脂结构中即使向树脂结构中添加非导电金属化合物颗粒，也要在激光辐射下才能形成导电图案，并保持与普通高聚物树脂衬底相当的优异的冲击强度。

Claims (16)

1.一种用于通过电磁辐射形成导电图案的组合物，包含：
聚合物树脂；以及
含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，其在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm，
其中，包含所述第一金属、第二金属元素或它们的离子的金属核由所述非导电金属化合物颗粒通过电磁辐射形成。
2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述非导电金属化合物颗粒包括选自CuCrO2、NiCrO2、AgCrO2、CuMoO2、NiMoO2、AgMoO2、NiMnO2、AgMnO2、NiFeO2、AgFeO2、CuWO2、AgWO2、NiWO2、AgSnO2、NiSnO2以及CuSnO2中的一种或多种化合物。
3.如权利要求1所述的组合物，其中，该组合物对波长为1000nm至1200nm的激光电磁波展现出25％以下的反射率。
4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述金属核通过以5W至20W的平均功率辐射波长为1000nm至1200nm的激光电磁波形成。
5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述聚合物树脂包括热固性树脂或热塑性树脂。
6.如权利要求5所述的组合物，其中，所述聚合物树脂包括选自ABS树脂、聚对苯二甲酸亚烷基酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚丙烯树脂以及聚邻苯二甲酰胺树脂中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的组合物，其中，相对于全部组合物，所包含的非导电金属化合物颗粒为0.5wt％至7wt％。
8.如权利要求1所述的组合物，还包含选自热稳定剂、UV稳定剂、阻燃剂、润滑剂、抗氧化剂、无机填充剂、着色剂、冲击改性剂以及功能改性剂中的一种或多种添加剂。
9.一种通过直接电磁辐射形成导电图案的方法，包括：
将权利要求1至8中的任一项所述的用于形成导电图案的组合物模塑成树脂产品或将所述组合物应用于另一种产品以形成树脂层；
对所述树脂产品或树脂层的预定区域辐射电磁波以由非导电金属化合物颗粒生成包含第一、第二金属元素或它们的离子的金属核；以及
对生成有所述金属核的区域进行化学还原或电镀以形成导电金属层。
10.如权利要求9所述的方法，其中，在生成金属核的过程中，以5W至20W的平均功率辐射波长为1000nm至1200nm的激光电磁波。
11.如权利要求9所述的方法，其中，在生成金属核的过程中，部分非导电金属化合物颗粒曝露在树脂产品或树脂层的预定区域的表面上，由此生成金属核，并且从而形成具有更高粘合强度的粘合-活化表面。
12.如权利要求11所述的方法，其中，导电金属层通过无电镀在所述粘合-活化表面上形成。
13.一种具有导电图案的树脂结构，包含：
高聚物树脂衬底；
含有第一金属元素和第二金属元素的非导电金属化合物颗粒，其在晶体结构中具有或P63/mmc空间群且粒径为0.1μm至20μm并分散在所述高聚物树脂衬底中；
包含金属核的粘合-活化表面，所述金属核含有第一或第二金属元素或它们的离子并曝露在所述高聚物树脂衬底的预定区域的表面上；以及
形成在所述粘合-活化表面上的导电金属层。
14.如权利要求13所述的树脂结构，其中，在其上形成有所述粘合-活化表面以及导电金属层的预定区域对应于向高聚物树脂衬底辐射电磁波的区域。
15.如权利要求13所述的树脂结构，其中，所述导电金属层通过粘合形成在高聚物树脂衬底上，其中，在根据标准ISO2409的测试下，目标金属层的剥离面积为金属层面积的0％(ISO等级0)或大于0％且小于等于5％(ISO等级1)。
16.如权利要求13所述的树脂结构，其中，通过ASTMD256测定的冲击强度为约4.0J/cm以上。
CN201480042323.5A 2013-09-27 2014-09-22 用于形成导电图案的组合物和方法，及其上具有导电图案的树脂结构 Active CN105531771B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130115256 2013-09-27
KR10-2013-0115256 2013-09-27
PCT/KR2014/008789 WO2015046840A1 (ko) 2013-09-27 2014-09-22 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105531771A true CN105531771A (zh) 2016-04-27
CN105531771B CN105531771B (zh) 2018-06-05

Family

ID=53030356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480042323.5A Active CN105531771B (zh) 2013-09-27 2014-09-22 用于形成导电图案的组合物和方法，及其上具有导电图案的树脂结构

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9668342B2 (zh)
EP (1) EP2991080A4 (zh)
JP (1) JP6254272B2 (zh)
KR (1) KR101598084B1 (zh)
CN (1) CN105531771B (zh)
TW (1) TWI507467B (zh)
WO (1) WO2015046840A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112620948A (zh) * 2019-09-24 2021-04-09 凤凰电机公司 激光照射装置及使用其的表面粗糙化处理方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101574736B1 (ko) * 2013-04-26 2015-12-07 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101610346B1 (ko) * 2013-04-26 2016-04-07 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101823660B1 (ko) 2013-08-09 2018-01-30 주식회사 엘지화학 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101633846B1 (ko) 2013-11-25 2016-06-27 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101658173B1 (ko) * 2014-04-16 2016-09-20 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR102045835B1 (ko) * 2016-03-11 2019-11-18 주식회사 엘지화학 합성 소재에 대한 도금과 마킹을 동시에 수행하기 위한 방법 및 그 시스템
CN106102334A (zh) * 2016-06-21 2016-11-09 海弗斯（深圳）先进材料科技有限公司 一种圆极化卫星天线电路板的制作方法
DE102018101156A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 CURO GmbH Bruchdetektion mittels RFID

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995020689A1 (fr) * 1994-01-31 1995-08-03 Laude Lucien Diego Procede de metallisation de matieres plastiques, et produits ainsi obtenus
JP2006309202A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
CN101410754A (zh) * 2006-03-31 2009-04-15 索尼德国有限责任公司 在衬底上施加金属、金属氧化物和/或半导体材料的图案的方法
CN101747650A (zh) * 2009-12-17 2010-06-23 比亚迪股份有限公司 塑料组合物及其应用以及塑料表面选择性金属化的方法
CN102071423A (zh) * 2009-12-30 2011-05-25 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
WO2011072506A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Byd Company Limited Surface metallizing method, method for preparing plastic article and plastic article made therefrom
CN102950836A (zh) * 2011-08-29 2013-03-06 深圳富泰宏精密工业有限公司 塑料制品及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19723734C2 (de) 1997-06-06 2002-02-07 Gerhard Naundorf Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2000031463A (ja) 1998-03-23 2000-01-28 Hoya Corp 透明電極の形成方法
US6703186B1 (en) 1999-08-11 2004-03-09 Mitsuboshi Belting Ltd. Method of forming a conductive pattern on a circuit board
JP2001291721A (ja) 2000-04-06 2001-10-19 Nec Corp 配線構造、導電パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2002158418A (ja) 2000-11-22 2002-05-31 Seiko Epson Corp 配線基板及びその製造方法
JP2002158229A (ja) 2000-11-22 2002-05-31 Seiko Epson Corp 多層配線及びその配線方法
DE10132092A1 (de) 2001-07-05 2003-01-23 Lpkf Laser & Electronics Ag Leiterbahnstrukturen und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR100957737B1 (ko) 2005-06-29 2010-05-12 하리마 카세이 가부시키가이샤 전기 도전성 회로의 형성 방법
KR100651519B1 (ko) 2005-12-08 2006-11-30 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 회로패턴 형성방법
US8309640B2 (en) 2008-05-23 2012-11-13 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. High dielectric constant laser direct structuring materials
CN102391633B (zh) * 2009-12-17 2013-12-04 比亚迪股份有限公司 塑料组合物及其应用以及塑料表面选择性金属化的方法
TWI432115B (zh) 2010-10-19 2014-03-21 Lg Chemical Ltd 包含導電圖案之觸控面板及其製備方法
JP2013544296A (ja) 2010-10-25 2013-12-12 サビック・イノベーティブ・プラスチックス・アイピー・ベスローテン・フェンノートシャップ レーザダイレクトストラクチャリング材料の改善された無電解メッキ性能
CN104098138B (zh) * 2013-04-02 2016-04-13 比亚迪股份有限公司 金属化合物和聚合物制品及制备方法以及油墨组合物和表面选择性金属化方法
KR101574736B1 (ko) 2013-04-26 2015-12-07 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
KR101633846B1 (ko) * 2013-11-25 2016-06-27 주식회사 엘지화학 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995020689A1 (fr) * 1994-01-31 1995-08-03 Laude Lucien Diego Procede de metallisation de matieres plastiques, et produits ainsi obtenus
US5599592A (en) * 1994-01-31 1997-02-04 Laude; Lucien D. Process for the metallization of plastic materials and products thereto obtained
JP2006309202A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Toray Ind Inc 感光性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
CN101410754A (zh) * 2006-03-31 2009-04-15 索尼德国有限责任公司 在衬底上施加金属、金属氧化物和/或半导体材料的图案的方法
CN101747650A (zh) * 2009-12-17 2010-06-23 比亚迪股份有限公司 塑料组合物及其应用以及塑料表面选择性金属化的方法
WO2011072506A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Byd Company Limited Surface metallizing method, method for preparing plastic article and plastic article made therefrom
CN102071423A (zh) * 2009-12-30 2011-05-25 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
CN102950836A (zh) * 2011-08-29 2013-03-06 深圳富泰宏精密工业有限公司 塑料制品及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112620948A (zh) * 2019-09-24 2021-04-09 凤凰电机公司 激光照射装置及使用其的表面粗糙化处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2991080A4 (en) 2016-10-19
TW201527378A (zh) 2015-07-16
CN105531771B (zh) 2018-06-05
EP2991080A1 (en) 2016-03-02
KR20150035410A (ko) 2015-04-06
WO2015046840A1 (ko) 2015-04-02
JP2016534504A (ja) 2016-11-04
KR101598084B1 (ko) 2016-02-26
TWI507467B (zh) 2015-11-11
US20160128188A1 (en) 2016-05-05
US9668342B2 (en) 2017-05-30
JP6254272B2 (ja) 2017-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105531771A (zh) 用于形成导电图案的组合物和方法，及其上具有导电图案的树脂结构
JP6162879B2 (ja) 導電性パターン形成用組成物、これを用いた導電性パターンの形成方法と、導電性パターンを有する樹脂構造体
JP6259071B2 (ja) 導電性パターン形成用組成物、これを用いた導電性パターンの形成方法と、導電性パターンを有する樹脂構造体
KR101633846B1 (ko) 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체
US9659682B2 (en) Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon
EP3139387B1 (en) Composition for forming conductive pattern and resin structure having conductive pattern
CN105723469A (zh) 用于形成导电图案的组合物、使用该组合物形成导电图案的方法及具有导电图案的树脂结构
CN106688047B (zh) 用于形成导电图案的组合物、使用该组合物形成导电图案的方法以及具有导电图案的树脂结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant