CN105518820B - 熔丝元件及熔丝单元 - Google Patents

Abstract

本发明题为熔丝元件及熔丝单元。提供不仅使用为提高额定值而具备像样的大小的熔丝元件，而且维持绝缘性能的熔丝单元。具有：熔丝元件（2）；以及外壳（3），具备收纳熔丝元件（2）的收纳空间（8）和导出熔丝元件（2）的两端的导出口（7），在收纳空间（8）中空心支撑熔丝元件（2），在收纳空间（8）内，设有遮蔽达到导出口（7）的内壁面（8a）而免受来自受熔丝元件（2）的熔断部位（12）的飞散物的影响的遮蔽部（10）。

Description

熔丝元件及熔丝单元

技术领域

本发明涉及安装在电流路径上，当流过超过额定值的电流时自发热而熔断从而截断该电流路径的熔丝元件及熔丝单元（fuse element），尤其涉及快速熔断性优异的熔丝元件以及熔断后的绝缘性优异的熔丝单元。本申请以在日本于2013年8月28日申请的日本专利申请号特愿2013－177071以及在日本于2014年8月14日申请的日本专利申请号特愿2014－165154为基础主张优先权，通过参照这些申请，引用至本申请。

背景技术

一直以来，使用当流过超过额定值的电流时自发热而熔断，从而截断该电流路径的熔丝元件。作为熔丝元件，多使用例如将焊锡封入玻璃管的夹固定型熔丝、或在陶瓷衬底表面印刷了Ag电极的贴片型熔丝、使铜电极的一部分变细而装入塑料外壳的螺纹固定或***型熔丝等。

另外，作为高电压对应的电流熔丝单元，有向空心外壳内装入消弧材料的熔丝单元、或将熔丝元件以螺旋状卷绕在散热材料的周围而使之发生时间滞后的熔丝单元。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002−319345号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在使用这种熔丝元件的熔丝单元中，随着所搭载的电子设备、电池等的高容量化、高额定化，要求提高电流额定值。另外，在熔丝单元中，随着所搭载的电子设备、电池等的小型化，同样要求小型化。

在此，为了提高熔丝单元的额定值，需要取得熔丝元件的导体电阻的降低和电流路径截断时的绝缘性能的平衡。即，为了使更多电流流过，需要降低导体电阻，因而需要增大熔丝元件的截面积。另一方面，如图19（A）（B）所示，在电流路径截断之际，有可能因发生的电弧放电而构成熔丝元件80的金属体80a向周围飞散，从而重新形成电流路径81，熔丝元件的截面积越大，该风险就越高。

另外，在现有的高电压对应的电流熔丝中，消弧材料的封入或螺旋熔丝的制造都需要复杂的材料、加工工艺，不利于熔丝单元的小型化、电流的高额定值化这一方面。

如以上那样，希望开发出不仅使用为提高额定值而具备像样的大小的熔丝元件，而且能够维持绝缘性能，且能以简易的结构实现小型化、制造工序的简化的熔丝单元。

用于解决课题的方案

为了解决上述的课题，本发明所涉及的熔丝单元具有：熔丝元件；以及外壳，具备收纳上述熔丝元件的收纳空间和导出上述熔丝元件的两端的导出口，在上述收纳空间中空心支撑上述熔丝元件，在上述收纳空间内，设有遮蔽达到上述导出口的内壁面而免受上述熔丝元件的熔断飞散物的遮蔽部，上述熔丝元件以低熔点金属层为内层、以高熔点金属层为外层。

另外，本发明所涉及的熔丝单元具有：熔丝元件；以及外壳，具备收纳上述熔丝元件的收纳空间和导出上述熔丝元件的两端的导出口，在上述收纳空间中空心支撑上述熔丝元件，在上述收纳空间内，设有遮蔽达到上述导出口的内壁面而免受上述熔丝元件的熔断飞散物的遮蔽部，上述遮蔽部为设在上述熔丝元件，并从该熔丝元件的熔断部位向与电流流过的方向正交的上述收纳空间的内壁面侧突出的突出部，上述突出部向上述熔丝元件的熔化导体的飞散方向伸出，防止对上述内壁面的附着。

另外，本发明所涉及的熔丝元件，被空心支撑在外壳内的收纳空间，并且两端从上述外壳的导出口导出，在熔丝元件中，设有遮蔽上述外壳的达到上述导出口的内壁面而免受熔断飞散物的突出部。

发明效果

依据本发明，在收纳空间内中，以遮盖空心支撑熔丝元件的达到导出口的内壁面的方式设有遮蔽部，因此能够防止熔化导体连续附着到达到导出口的内壁面的情况。因而，依据本发明，能够防止熔断的熔丝元件的两端因熔丝元件的熔化导体连续附着到达到导出口的内壁面而短路的状态。

附图说明

图1是适用本发明的熔丝单元的外观立体图。

图2是示出熔丝元件的外观立体图，（A）示出在低熔点金金属层层叠高熔点金属层的熔丝元件，（B）示出用高熔点金属层来覆盖低熔点金金属层的熔丝元件。

图3是示出具备由设在外壳内壁面的突起构成的遮蔽部的熔丝单元的截面图。

图4是示出图3所示的熔丝单元的外壳壳体的内部的立体图。

图5是示出图3所示的熔丝单元中，熔丝元件熔断的状态的截面图。

图6是示出具备由设在熔丝元件的突出部构成的遮蔽部的熔丝单元的截面图。

图7是示出设在图6所示的熔丝单元的熔丝元件的外观立体图。

图8是示出图6所示的熔丝单元中，熔丝元件熔断的状态的截面图。

图9是示出遍及全周而设置突出部的熔丝元件的图。（A）是外观立体图，（B）是平面图。

图10是示出具备由设在外壳内壁面的突起及设在熔丝元件的突出部构成的遮蔽部的熔丝单元的截面图。

图11是示出图10所示的熔丝单元中，熔丝元件熔断的状态的截面图。

图12是示出适用本发明的熔丝元件的其他结构的立体图。

图13是示出使用图12所示的熔丝元件的熔丝单元的截面图。

图14是示出参考例所涉及的熔丝单元的截面图。

图15是示出使用在连接部形成多个弯曲部的熔丝元件的熔丝单元的截面图。

图16是示出使用将端面21闭塞的熔丝元件的熔丝单元的截面图。

图17是示出具备多个熔断部的熔丝元件的立体图。

图18是示出线状的熔丝元件的立体图。

图19是示出现有的熔丝单元的截面图，（A）示出可溶导体的熔断前，（B）示出可溶导体的熔断后。

具体实施方式

以下，参照附图，对适用本发明的熔丝元件、熔丝单元进行详细说明。此外，本发明并不仅限于以下的实施方式，显然在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。此外，附图是示意性的，各尺寸的比例等有不同于现实的情况。具体尺寸等应该参考以下的说明进行判断。此外，应当理解到附图相互之间也包含彼此尺寸的关系或比例不同的部分。

适用本发明的熔丝单元1，如图1所示，具有熔丝元件2和收纳该熔丝元件2的外壳3。熔丝单元1的熔丝元件2的两端从外壳3的导出口7导出，与装入熔丝单元1的电路的端子连接，由此构成该电路的电流路径的一部分。

[熔丝元件]

熔丝元件2因流过超过额定值的电流而利用自发热（焦耳热）熔断，从而截断装入熔丝单元1的电路的电流路径。熔丝元件2能够使用利用自发热来迅速熔断的任何金属，例如，能够优选使用以Sn为主成分的无铅焊锡等的低熔点金属。

另外，熔丝元件2也可以含有低熔点金属和高熔点金属。例如，如图2所示，熔丝元件2形成为由内层和外层构成的层叠结构体，作为内层具有低熔点金属层2a，并作为外层具有在低熔点金属层2a层叠（图2（A））或者覆盖低熔点金属层2a（图2（B））的高熔点金属层2b。

低熔点金属层2a优选为以Sn为主成分的金属，是一般称为“无铅焊锡”的材料。低熔点金属层2a的熔点不必一定高于回流炉的温度，也可以在200℃左右熔化。高熔点金属层2b为层叠在低熔点金属层2a的表面的金属层，例如，是Ag或Cu或以这些中的任一种为主成分的金属，具有在利用回流炉安装熔丝单元1的情况下也不会熔化的较高的熔点。

熔丝元件2通过向成为内层的低熔点金属层2a层叠作为外层的高熔点金属层2b，即便回流温度超过低熔点金属层2a的熔化温度的情况下，也不至于作为熔丝元件2而熔断，另外，抑制低熔点金属的流出，从而能够维持熔丝元件2的形状。因此，熔丝单元1能够通过回流效率良好地进行安装。

另外，熔丝元件2在流过既定的额定电流的期间，也不会因自发热而熔断。而且，当流过比额定值高的值的电流时，因自发热而熔化，从而截断经由熔丝单元1连接的电路的电流路径。此时，熔丝元件2中，熔化的低熔点金属层2a侵蚀高熔点金属层2b，从而高熔点金属层2b在比熔化温度低的温度下熔化。因此，熔丝元件2能够利用低熔点金属层2a对高熔点金属层2b的侵蚀作用在短时间内熔断。

另外，熔丝元件2通过在成为内层的低熔点金属层2a层叠高熔点金属层2b而构成，因此与现有的由高熔点金属构成的贴片型熔丝等相比能够显著降低熔断温度。因此，与同一尺寸的贴片型熔丝等相比，熔丝元件2能够增大截面积并显著提供电流额定值。另外，比具有相同的电流额定值的现有的贴片型熔丝更能谋求小型化、薄型化，且速熔断性优异。

另外，熔丝元件2能够提高对于向装入熔丝单元1的电***瞬间施加异常高的电压的浪涌的耐性（耐脉冲性）。即，熔丝元件2例如在100A的电流流过数毫秒（msec）这样的情况下也不会熔断。在此，在极短时间流过的大电流流过导体的表层（表皮效应），从而熔丝元件2由于作为外层设有电阻值低的Ag镀层等的高熔点金属层2b，所以容易流过因浪涌而施加的电流，能够防止自发热造成的熔断。因此，熔丝元件2与现有的由焊锡合金构成的熔丝相比，能够显著提高对于浪涌的耐性。

[制造方法]

熔丝元件2能够通过利用镀层技术在低熔点金属层2a的表面成膜高熔点金属2b来制造。熔丝元件2例如通过对长尺状的焊锡箔的表面实施Ag镀层能够效率良好地制造，并且在使用时，按照尺寸进行切断，从而能够方便使用。

另外，熔丝元件2也可以通过粘合低熔点金属箔和高熔点金属箔而制造。熔丝元件2例如能够通过在压延的2块Cu箔或者Ag箔之间，夹着同样压延的焊锡箔进行冲压而制造。在该情况下，低熔点金属箔优选选择比高熔点金属箔柔软的材料。由此，能够吸收厚度的偏差而使低熔点金属箔和高熔点金属箔无间隙地密合。另外，低熔点金属箔因冲压而膜厚变薄，因此预先加厚即可。因冲压而低熔点金属箔从熔丝元件端面伸出的情况下，优选切断而弄齐形状。

此外，熔丝元件2也能利用蒸镀等的薄膜形成技术或其他众所周知的层叠技术来在低熔点金属层2a层叠高熔点金属层2b。

另外，熔丝元件2也可以交替形成多层的低熔点金属层2a和高熔点金属层2b。在该情况下，最外层也可以是低熔点金属层2a和高熔点金属层2b的任一种。

另外，熔丝元件2在以高熔点金属层2b为最外层时，也可以进一步在该最外层的高熔点金属层2b的表面形成防氧化膜。熔丝元件2通过用防氧化膜进一步覆盖最外层的高熔点金属层2b，例如在形成Cu镀层或Cu箔作为高熔点金属层2b的情况下，也能防止Cu的氧化。因而，熔丝元件2能够防止因Cu的氧化而熔断时间变长的情况，从而能够在短时间内熔断。

[外壳]

收纳熔丝元件2的外壳3，例如，如图1所示，由上表面开口的壳体5和覆盖壳体5的上表面的盖体6构成。外壳3具有使与安装有熔丝单元1的电路的电极连接的熔丝元件2的两端导出到外侧的导出口7。外壳3闭塞除导出熔丝元件2的两端的导出口7以外的部分，防止安装用焊锡等对壳体5内浸入。外壳3能够使用具备绝缘性、耐热性、抗蚀性的工程塑料等来形成。

外壳3从壳体5的开口的上表面侧收纳熔丝元件2，被盖体6闭塞而形成。外壳3通过用盖体6闭塞壳体5，形成熔丝元件2导出的导出口7。熔丝元件2从导出口7导出两端，从而在外壳3内的收纳空间8被以空心支撑。

通过导出口7而两端被支撑的熔丝元件2，在流过超过额定值的电流时，因自发热（焦耳热）而例如电流方向的中间部熔断，从而截断装入熔丝单元1的电路的电流路径。

[遮蔽部]

熔丝单元1在外壳3的收纳空间8内设有遮蔽达到导出口7的内壁面8a而免受熔丝元件2的熔断飞散物的遮蔽部10。遮蔽部10能够设在外壳的内壁面8a或熔丝元件2或者其双方。

[第1方式]

第1方式所涉及的遮蔽部10是形成在构成收纳空间8的外壳3的内壁面8a的突起11。如图3、图4所示，突起11形成在外壳3的、与熔丝元件2的电流流过的方向正交的内壁面8a。即，突起11在收纳空间8内以遮盖遍及以空心支撑熔丝元件2的一对导出口7、7间的内壁面8a的方式立设。

由此，如图5所示，突起11的一面11a与熔丝元件2的熔断部位12对置，相反侧的另一面11b成为一面11a的阴暗区被从熔断部位12遮蔽。因此，熔丝单元1在熔丝元件2熔断，并且熔化导体13在外壳3的内壁面8a飞散的情况下，熔化导体13也附着到突起11的一面11a侧，而在成为一面11a的阴暗区的另一面11b侧不附着。

而且，突起11在收纳空间8内以遮盖遍及空心支撑熔丝元件2的一对导出口7、7间的内壁面8a的方式立设，因此能够防止熔化导体13连续地附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a。因此，熔丝单元1能够防止熔丝元件2的熔化导体13连续地附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a而使熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

突起11优选在内壁面8a遍及包围熔丝元件2的全周而形成。通过遍及全周而形成，突起11在熔化导体13向所有方向飞散的情况下，也遮盖遍及导出口7、7间的内壁面8a，能够防止熔断的熔丝元件2的两端的短路。

另外，突起11优选形成在与熔丝元件2的熔断部位12分离的位置。在接近熔断部位12的位置形成的情况下，突起11有可能另一面11b不会被一面11a充分地遮盖而附着从熔断部位12飞散的熔化导体13。熔丝元件2在大部分情况下，在长度方向的中央部熔断，因此突起11优选形成在比熔丝元件2的长度方向的中央部更偏向导出口7侧的位置。

由此，关于突起11，因熔丝元件2的熔断而飞散的熔化导体13附着到与熔断部位12对置的一面11a，而不会附着到与一面11a的相反侧的另一面11b。

另外，突起11如果设在导出口7的附近，则能可靠地防止熔化导体13对另一面11b的附着，能够防止熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a而使熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

另外，突起11至少形成一个即可，但是如图3、图4所示，优选在外壳3的内壁面8a形成多个。通过在遍及导出口7、7间的内壁面8a形成多个突起11，即便熔化导体13的飞散波及广泛也能可靠地防止熔化导体13对突起11的另一面11b的附着。如果至少在一个突起部11中防止熔化导体13对另一面11b的附着，就能防止熔化导体13连续地附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a，从而能够防止熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

[第2方式]

第2方式所涉及的遮蔽部10是设在熔丝元件2的突出部16。如图6、图7所示，突出部16从熔丝元件2的熔断部位12向与电流流过的方向正交的外壳3的内壁面8a侧突出。即，突出部16在收纳空间8内从熔丝元件2的熔断部位12伸出，从而外壳3的遍及导出口7、7间的内壁面8a的至少一部分成为从熔断部位12被遮蔽的突出部16的阴暗区。

由此，如图8所示，突出部16从熔丝元件2的熔断部位12突出，从而背后的内壁面8a成为阴暗区而被从熔断部位12遮蔽。因此，关于熔丝单元1，即便熔丝元件2熔断并且熔化导体13向外壳3的内壁面8a飞散的情况下，熔化导体13也附着到突出部16，而对成为其阴暗区的内壁面8a不附着。

而且，突出部16在收纳空间8内向遍及以空心支撑熔丝元件2的一对导出口7、7间的内壁面8a侧突出而形成，因此能够防止熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a。因而，熔丝单元1能够防止因熔丝元件2的熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a而使熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

如图9所示，突出部16优选遍及熔丝元件2的全周而形成。通过遍及全周而形成，即便熔化导体13向所有的方向飞散的情况下，突出部16也遮盖遍及导出口7、7间的内壁面8a，从而能够防止熔断的熔丝元件2的两端的短路。

图9所示的熔丝元件2通过上下弯曲从熔断部位12向上下方向形成第1突出部16a（图9（A）），并且在宽度方向中央侧比突出部16a更窄小而形成从熔断部位12向侧面方向突出的第2突出部16b（图9（B）），由此，遍及熔丝元件2的全周而形成突出部16。另外，图9所示的熔丝元件2中宽度方向上窄小的中央部成为高电阻，成为在流过超过额定值的大电流时的熔断部位12。

另外，突出部16也与突起11同样，优选形成在与熔丝元件2的熔断部位12分离的位置。在接近熔断部位12的位置形成的情况下，突出部16不能从熔断部位12充分地遮盖外壳3的内壁面8a，有可能因从熔断部位12飞散的熔化导体13而使导出口7、7之间短路。熔丝元件2在大部分情况下，在长度方向的中央部熔断，因此突出部16优选形成在比熔丝元件2的长度方向的中央部靠导出口7侧的位置。

由此，突出部16向熔丝元件2的熔化导体13的飞散方向伸出，因此附着熔丝元件2的熔断而飞散的熔化导体13，能够防止对成为突出部16的阴暗区的内壁面8a的附着。

另外，突出部16如果设在导出口7的附近，则能防止熔化导体13对导出口7附近的附着，从而能够防止熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a而使熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

另外，突出部16也可以形成多个从熔断部位12向熔丝元件2的上下方向突出的第1突出部16a及从熔断部位12向熔丝元件2的宽度方向突出的第2突出部16b。通过形成多个突出部16，即便熔化导体13的飞散波及广泛也能可靠地防止熔化导体13对成为突出部16的阴暗区的内壁面8a的附着。如果通过至少一个突出部16防止遍及导出口7、7间的熔化导体13的附着，则能防止熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

[第3方式]

作为遮蔽部10，熔丝单元1也可以具备设在上述的外壳3的内壁面8a的突起11以及设在熔丝元件2的突出部16这二者。

例如，如图10、图11所示，遮蔽部10在外壳3的盖体6设有突起11，并且通过将熔丝元件2的长度方向的两侧向导出口7侧弯曲设置从熔断部位12向上方突出的突出部16。

突起11以遮盖遍及空心支撑熔丝元件2的一对导出口7、7间的盖体6侧的内壁面8a的方式立设。突起11的一面11a与熔丝元件2的熔断部位12对置，相反侧的另一面11b成为一面11a的阴暗区而被从熔断部位12遮蔽。因而，如图11所示，熔丝单元1即便熔丝元件2熔断、熔化导体13向外壳3的内壁面8a飞散的情况下，熔化导体13也附着到突起11的一面11a侧，而对成为一面11a的阴暗区的另一面11b侧不附着，因此能够防止因熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a而使熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

另外，突出部16从熔丝元件2的熔断部位12到导出口7，向与电流流过的方向正交的外壳3的上侧突出。即，突出部16在收纳空间8内从熔丝元件2的熔断部位12伸出，从而遍及外壳3的导出口7、7间的壳体5的内壁面8a的至少一部分，成为从熔断部位12被遮蔽的突出部16的阴暗区。

由此，如图11所示，突出部16从熔丝元件2的熔断部位12突出，背后的壳体5的内壁面8a进入突出部16的阴暗区中被从熔断部位12遮蔽，因此，即便熔丝元件2熔断、熔化导体13向外壳3的内壁面8a飞散的情况下，熔化导体13也附着到突出部16，而对成为其阴暗区的内壁面8a不附着。因而，突出部16能够防止熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的内壁面8a，从而能够防止因熔丝元件2的熔化导体13连续附着到遍及导出口7、7间的壳体5的内壁面8a而使熔断的熔丝元件2的两端短路的情况。

[熔丝元件的结构]

如上所述，熔丝单元1能够采用将熔丝元件2形成为由内层和外层构成的层叠结构体，由成为外层的高熔点金属层2b覆盖成为内层的低熔点金属层2a的单元（图2（B））。而且，熔丝元件2能够通过利用镀层技术来在低熔点金属层2a的表面成膜高熔点金属2b而制造。熔丝元件2例如能够通过对长尺状的焊锡箔的表面实施Ag镀层而效率良好地制造，在使用时，通过按照尺寸进行切断，如图2（B）所示，在切断面露出被高熔点金属层2b包围的低熔点金属层2a。

如图12所示，熔丝元件2在该低熔点金属层2a被高熔点金属层2b覆盖的结构中，设有露出低熔点金属层2a的端面21，设有该端面21的端部成为与外部电路连接的端子部22。如图13所示，端子部22在熔丝元件2收纳于外壳3时，从导出口7导出到外部。另外，端子部22具有在安装熔丝单元1的印刷衬底23的台面24上经由焊锡等的接合材料25连接的连接部26。此外，在台面24上形成有焊料保护层27。

而且，端子部22的端面21从连接部26突出。由此，熔丝元件2在连接部26与台面24连接时，也防止端面21与接合材料25接触。因此，熔丝单元1在利用回流等来加热安装在印刷衬底23时，露出于端面21的低熔点金属层2a与熔化的接合材料25接触而被引入，从而能够防止流出。

即，熔丝元件2以长尺状形成并且以既定长度切断，从而在端面21露出成为内层的低熔点金属层2a。因而，低熔点金属层2a在熔丝单元1加热安装时熔化，因此如图14所示，若与同样熔化的接合材料25接触，则被引入到润湿性优异的台面24上，有可能从熔丝元件2内流出。若低熔点金属层2a流出，则熔丝元件2不能维持形状，还有可能出现伴随截面积的窄小化而导致电阻值上升及额定值的变动、熔断特性或截断时的绝缘特性劣化等。

因此，熔丝元件2通过使端面21从经由接合材料25连接到台面24的连接部26突出，防止低熔点金属层2a与接合材料25接触而造成的低熔点金属的流出。由此，熔丝元件2能够防止形状的变动，并能维持既定的额定值、熔断特性及绝缘特性。

熔丝元件2也可以使端子部22的端面21从连接部26至少弯曲一次而突出。通过使端面21从连接部26至少弯曲一次，在连接部26连接到台面24时也能防止低熔点金属层2a与接合材料25接触，另外，在接合材料25传到端子部22而到达端面21的情况下，也能通过弯曲部28来将低熔点金属的流出抑制到最小限。

另外，熔丝元件2通过使端子部22的端面21多次从连接部26弯曲而用接合材料25遮蔽端面21也可。例如，如图15所示，熔丝元件2通过使端面21从连接部26弯曲2次，朝着外壳3的壳体5侧用接合材料25遮蔽。由此，防止从端面21露出的低熔点金属层2a与接合材料25接触，并且能够防止低熔点金属的流出。

另外，如图16所示，熔丝元件2也可以闭塞端子部22的端面21。图16所示的熔丝元件2例如通过对端子部22的前端进行热冲压，利用构成外层的高熔点金属层2b来闭塞构成内层的低熔点金属层2a。闭塞端面21的高熔点金属层2b由于界面在既定温度、压力下被冲压而一体化，从而能够可靠地防止低熔点金属层2a的熔出。此外，熔丝元件2如果露出于端面21的低熔点金属层2a被闭塞，则闭塞的方法就不限于热冲压。

此外，如图17所示，熔丝元件2也可以形成截面被窄小化的熔断部30。熔断部30借助截面积狭小化而高电阻化。因此，熔丝元件2通过形成熔断部30，能够在任意的部位设定熔断部位。

熔断部30例如以大致矩形板状形成，并且能够通过利用冲裁、切除等除去长度方向的中央部而形成。另外，如图17所示，熔断部30既可以通过对熔丝元件2的内侧进行冲裁而形成多个，或者也可以利用冲裁、切除等除去熔丝元件2的外缘部而仅形成一个。

另外，如图18所示，熔丝元件2除了以板状形成以外，也可以线状形成。线状的熔丝元件2能够通过例如利用电解镀敷法等来对丝状焊锡实施Ag镀层等而效率良好地形成。而且，如上所述在线状的熔丝元件2中，也通过使端子部22从连接部26突出、从连接部26弯曲、或者闭塞端面21，防止丝状焊锡的熔出。另外，通过铆接线状的熔丝元件2的一部分等而将截面积窄小化，从而能够形成熔断部30。

符号说明

1　熔丝单元；2　熔丝元件；2a　低熔点金属层；2b　高熔点金属层；3　外壳；5壳体；6　盖体；7　导出口；8　收纳空间；10　遮蔽部；11　突起；12　熔断部位；13　熔化导体；16　突出部；21　端面；22　端子部；23　印刷衬底；24　台面；25　接合材料；26　连接部；27　焊料保护层；28　弯曲部；30　熔断部。

Claims (23)

1.一种熔丝单元，其中具有：

熔丝元件；以及

外壳，具备收纳所述熔丝元件的收纳空间和导出所述熔丝元件的两端的导出口，在所述收纳空间中空心支撑所述熔丝元件，

在所述收纳空间内，设有遮蔽部，所述遮蔽部遮蔽达到所述导出口的内壁面，从而使所述内壁面免受所述熔丝元件的熔断飞散物，

所述熔丝元件以低熔点金属层为内层、以高熔点金属层为外层，该熔丝元件设置露出所述低熔点金属层的端面，将设有所述端面的端部作为与外部电路连接的端子部。

2.如权利要求1所述的熔丝单元，其中，

所述遮蔽部是所述收纳空间的、形成在与所述熔丝元件的电流流过的方向正交的内壁面的突起，

因所述熔丝元件的熔断而飞散的所述熔断飞散物附着到所述突起的与熔断部位对置的一面，而在所述一面的相反侧的另一面不附着。

3.如权利要求2所述的熔丝单元，其中，

所述突起遍及所述内壁面的、包围所述熔丝元件的全周而形成。

4.如权利要求2或3所述的熔丝单元，其中，

所述突起形成在所述熔丝元件的与熔断部位分离的位置。

5.如权利要求2或3所述的熔丝单元，其中，

所述突起设在所述导出口的附近。

6.如权利要求2或3所述的熔丝单元，其中，

所述突起在所述内壁面形成有多个。

7.一种熔丝单元，其中具有：

熔丝元件；以及

外壳，具备收纳所述熔丝元件的收纳空间和导出所述熔丝元件的两端的导出口，在所述收纳空间中空心支撑所述熔丝元件，

在所述收纳空间内，设有遮蔽部，所述遮蔽部遮蔽达到所述导出口的内壁面，从而使所述内壁面免受所述熔丝元件的熔断飞散物，

所述遮蔽部为设在所述熔丝元件、并从该熔丝元件的熔断部位向与电流流过的方向正交的所述收纳空间的内壁面侧突出的突出部，

所述突出部向所述熔丝元件的熔化导体的飞散方向伸出，防止对所述内壁面的附着。

8.如权利要求7所述的熔丝单元，其中，

所述突出部遍及所述熔丝元件的全周而形成。

9.如权利要求7或8所述的熔丝单元，其中，

所述突出部形成在与所述熔丝元件的熔断部位分离的位置。

10.如权利要求7或8所述的熔丝单元，其中，

所述突出部设在所述导出口的附近。

11.如权利要求7或8所述的熔丝单元，其中，

所述突出部在所述熔丝元件形成有多个。

12.如权利要求1所述的熔丝单元，其中，

所述遮蔽部为形成在所述收纳空间的、与所述熔丝元件的电流流过的方向正交的内壁面的突起、以及设在所述熔丝元件并从该熔丝元件的熔断部位向与电流流过的方向正交的所述收纳空间的内壁面侧突出的突出部，

因所述熔丝元件的熔断而飞散的熔化导体附着到所述突起的与所述熔断部位对置的一面，而在所述一面的相反侧的另一面不附着，

所述突出部向所述熔丝元件的熔化导体的飞散方向伸出，防止对所述内壁面的附着。

13.如权利要求1所述的熔丝单元，其中，

所述端子部具有与外部电路的台面连接的连接部，所述端面从所述连接部突出。

14.如权利要求13所述的熔丝单元，其中，

所述端面从所述连接部至少弯曲1次。

15.如权利要求1所述的熔丝单元，其中，

所述端子部具有与外部电路的台面连接的连接部，所述端面被闭塞。

16.一种熔丝元件，被空心支撑在外壳内的收纳空间，并且两端从所述外壳的导出口导出，在所述熔丝元件中，

设有突出部，所述突出部遮蔽所述外壳的达到所述导出口的内壁面，从而使所述内壁面免受熔断飞散物，

所述熔丝元件以低熔点金属层为内层、以高熔点金属层为外层，该熔丝元件设置露出所述低熔点金属层的端面，将设有所述端面的端部作为与外部电路连接的端子部。

17.如权利要求16所述的熔丝元件，其中，

所述突出部遍及所述熔丝元件的全周而连续或间断地形成。

18.如权利要求16或17所述的熔丝元件，其中，

所述突出部形成在与所述熔丝元件的熔断部位分离的位置。

19.如权利要求16或17所述的熔丝元件，其中，

所述突出部设在所述导出口的附近。

20.如权利要求16或17所述的熔丝元件，其中，

所述突出部形成有多个。

21.如权利要求16所述的熔丝元件，其中，

所述端子部具有与外部电路的台面连接的连接部，所述端面从所述连接部突出。

22.如权利要求21所述的熔丝元件，其中，

所述端面从所述连接部至少弯曲1次。

23.如权利要求16所述的熔丝元件，其中，

所述端子部具有与外部电路的台面连接的连接部，所述端面被闭塞。