CN105469824B - 控制存储器装置的方法 - Google Patents

Abstract

公开了控制存储器装置的方法。在一个实施例中，一种方法包括：通过存储器装置来感测存储器装置的温度；通过存储器装置来生成针对单个接收的命令的响应。所述响应包括温度信息，温度信息提供关于感测到的温度的信息。在一个实施例中，所述单个接收的命令为读取状态请求命令，所述读取状态请求命令请求关于存储器装置的状态信息，所述状态信息包括温度信息。

Description

控制存储器装置的方法

本申请要求于2014年9月30日提交到韩国知识产权局的第10-2014-0132018号韩国专利申请的权益，其公开通过引用完整地包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种可容易地和/或精确地检查温度信息并控制温度的存储器装置、存储器***和控制存储器装置的方法。

背景技术

存储器装置已变得高度集成化和规模小型化。因此，温度变化的影响在增加。因此，需要基于存储器装置的温度来控制存储器装置。例如，可根据存储器装置的温度来不同地设置存储器装置的读取电压。

发明内容

本发明构思提供一种可容易地和/或精确地检查温度信息并控制温度的存储器装置、存储器***和控制存储器装置的方法。

至少一个实施例涉及一种方法。

在一个实施例中，所述方法包括：通过存储器装置来感测存储器装置的温度；通过存储器装置来生成针对单个接收的命令的响应。所述响应包括温度信息，温度信息提供关于感测到的温度的信息。

在一个实施例中，所述单个接收的命令为温度信息请求命令，所述温度信息请求命令请求温度信息。

在一个实施例中，所述单个接收的命令为读取状态请求命令，所述读取状态请求命令请求关于存储器装置的状态信息，所述状态信息包括温度信息。

在一个实施例中，所述响应包括关于存储器装置的状态信息，所述状态信息包括温度信息。

在一个实施例中，所述状态信息还包括指示存储器装置是否为忙碌和就绪中的一个状态的读取状态信息。

在一个实施例中，所述方法还包括：在任何时间接收所述单个接收的命令。

在一个实施例中，所述方法还包括：不管存储器装置是否处于就绪状态都接收所述单个接收的命令。

在一个实施例中，温度信息为多个索引值中的一个，所述多个索引值中的每个索引值与不同的温度范围相关联。

在一个实施例中，不同的温度范围是可编程的。

在一个实施例中，所述方法包括：在存储器装置的电源断开时将温度范围信息存储在存储器装置中，其中，温度范围信息表示不同的温度范围。所述方法还可包括：在存储器装置的电源接通时将存储在存储器装置中的温度范围信息加载到一个或更多个寄存器。

在一个实施例中，感测的步骤通过接收程序命令、读取命令和擦除命令中的至少一个被触发。

在一个实施例中，所述方法可包括：存储感测到的温度；针对多个感测到的温度，温度信息指示由程序命令触发的感测到的温度。

在另一个实施例中，温度信息指示最近感测到的温度。

在进一步的实施例中，温度信息指示多于一个的感测到的温度，感测到的温度中的每个与在接收到所述单个接收的命令之前的不同时间相关联。

在一个实施例中，感测的步骤通过接收所述单个接收的命令被触发。

在一个实施例中，感测的步骤周期性地感测温度。

在一个实施例中，存储器装置为垂直NAND存储器装置。

在另一个实施例中，所述方法包括：通过存储器装置来感测存储器装置的温度；通过存储器装置来生成针对读取状态命令的响应。所述响应包括状态信息，如果所述状态信息不包括温度信息，则所述状态信息指示感测到的温度在第一范围内，如果所述状态信息包括温度信息，则所述状态信息指示感测到的温度在除第一范围以外的至少一个范围内。这里，温度信息指示至少一个其他范围。

在一个实施例中，所述方法还包括：不管存储器装置是否处于就绪状态都接收所述读取状态命令。

在一个实施例中，温度信息为多个索引值中的一个，所述多个索引值中的每个索引值与不同的温度范围相关联。

在一个实施例中，感测的步骤通过接收所述读取状态命令被触发。

在一个实施例中，感测的步骤通过接收程序命令、读取命令和擦除命令中的至少一个被触发。

在一个实施例中，所述方法还可包括：存储感测到的温度；针对多个感测的温度，温度信息指示由程序命令触发的感测到的温度。

在另一个实施例中，所述方法包括：不管存储器装置的就绪状态如何，都通过控制器将单个命令发送到存储器装置；响应于所述单个命令通过控制器接收温度信息；通过控制器基于温度信息选择性地改变针对存储器装置的至少一个存储器控制特性。

在一个实施例中，所述单个命令为温度信息请求命令，所述温度信息请求命令请求温度信息。

在一个实施例中，所述单个命令为读取状态请求命令，所述读取状态请求命令请求关于存储器装置的状态信息。这里，接收的步骤接收包括温度信息的状态信息。

在一个实施例中，响应包括关于存储器装置的状态信息，所述状态信息包括温度信息。

在一个实施例中，所述状态信息还包括指示存储器装置是否为忙碌和就绪中的一个状态的读取状态信息。

在一个实施例中，温度信息指示来自多个不同的范围的温度的一个范围。

在一个实施例中，所述方法还包括：对多个不同的范围中的一个或更多个范围进行编程。

在一个实施例中，所述方法还包括：对存储器装置进行编程以改变所述多个不同的范围中的一个或更多个范围。

在一个实施例中，存储器控制特性包括：读取电压、增量阶跃脉冲程序电压、擦除电压、程序验证电压和将电压施加到存储器装置的持续时间中的一个。

在另一个实施例中，所述方法包括：响应于接收到程序命令、读取命令和擦除命令中的至少一个，通过存储器装置感测存储器装置的温度。

在另外的实施例中，所述方法包括：响应于接收到单个接收的命令，通过存储器装置感测存储器装置的温度，所述单个接收的命令请求状态信息和温度信息中的一个。

至少一个实施例涉及一种存储器装置。

在一个实施例中，所述存储器装置包括：温度传感器，被配置为感测存储器装置的温度；控制逻辑，被配置为生成针对单个接收的命令的响应。所述响应包括温度信息，温度信息提供关于感测到的温度的信息。

至少一个实施例涉及一种存储器控制器。

在一个实施例中，所述存储器控制器被配置：为不管存储器装置的就绪状态如何，都将单个命令发送到存储器装置；响应于所述单个命令接收温度信息；基于温度信息选择性地改变针对存储器装置的至少一个存储器控制特性。

附图说明

通过结合附图的以下详细描述，将会更清楚地理解本发明构思的示例实施例，其中：

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图；

图2是根据本发明构思的示例实施例的存储器***的示图；

图3和图4是根据本发明构思的示例实施例的存储器装置的示图；

图5至图7是示出根据本发明构思的示例实施例的触发温度信息的产生的方法的流程图；

图8A是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图；

图8B是根据本发明构思的示例实施例的存储器***的示图；

图9是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图；

图10是根据本发明构思的示例实施例的温度范围的示图；

图11和图12是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图；

图13、图14、图15、图16A、图16B和图16C是示出根据本发明构思的示例实施例的在存储器装置中执行基于温度信息不同地设置的操作命令的方法的示图；

图17是示出根据本发明构思的示例实施例的输出包含温度信息的响应的方法的流程图；

图18是输出图17的响应的条件的示图；

图19是根据本发明构思的示例实施例的响应的示图；

图20是示出根据本发明构思的示例实施例的操作存储器装置的方法的流程图；

图21是示出根据本发明构思的示例实施例的操作存储器***的方法的流程图；

图22A是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图；

图22B是示出响应于通过存储器控制器输入的温度感测命令输出温度信息的操作的流程图；

图23至图26是根据本发明构思的示例实施例的VNAND闪存装置的存储器单元阵列的示图；

图27是根据本发明构思的示例实施例的存储器模块的示图；

图28是根据本发明构思的示例实施例的存储卡的示图；

图29是根据本发明构思的示例实施例的固态装置(SSD)的示图；

图30是根据本发明构思的示例实施例的包括非易失性存储器***的计算***的框图；

图31是根据本发明构思的示例实施例的包括存储器***的移动终端的示例的示图。

具体实施方式

这里公开了本发明构思的详细示例实施例。然而，为了描述本发明构思的示例实施例，这里所公开的具体结构性和功能性细节仅是代表性的。然而，本发明构思的示例实施例可以以很多可选的形式来实现并且不应被解释为仅限于这里所阐述的实施例。

因此，虽然本发明构思的示例实施例能够具有各种修改和可选形式，但其实施例以附图中的示例的方式被示出并在这里将被详细描述。然而，应当理解，没有意图将本发明构思的示例实施例限制为公开的特定形式，而相反，本发明构思的示例实施例将覆盖落在本发明构思的示例实施例的范围以内的所有修改、等同物和替代物。整个附图的描述中，相同的标号指示相同的元件。

将会理解，虽然这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语只是用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本发明构思的示例实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。如这里所使用，术语“和/或”包括一个或更多个相关联的所列项的任意和所有组合。

将会理解，当一个元件被称为“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接连接到或结合到另一元件，或者可存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在介于中间的元件。用于描述元件之间的关系的其他词语(例如，“在…之间”对“直接在…之间”、“与…相邻”对“直接与…相邻”)应以同样的方式被解释。

这里使用的术语仅仅是用来描述特定实施例的目的，而不是用于限制本发明构思的示例实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式旨在包括复数形式。将会进一步理解，当这里使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

还应注意的是，在一些可选的实施方式中，记录的功能/动作可不按附图中记录的顺序发生。例如，实际上，连续示出的两个附图可基于涉及的功能/动作实质上同时执行或者有时可以以相反的顺序被执行。

这里，参照本发明构思的理想的实施例(和中间结构)的示意图，对本发明构思的示例实施例进行描述。同样地，例如，将预期到作为制造技术和/或公差的结果的示出的形状的变化。因此，本发明构思的示例实施例不应被解释为局限于这里示出的区域的特定形状，而是包括例如制造所导致的形状的偏差。

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图。参照图1，所述方法包括：通过存储器装置来感测存储器装置的温度(S110)。感测可由一个或更多个各种命令触发。例如，读取命令、程序命令、擦除命令、复位命令等可触发感测。

仍参照图1，所述方法还包括：通过存储器装置来生成针对单个接收到的命令的响应(S120)。所述响应可包括温度信息，温度信息提供关于感测到的温度的信息。在一个实施例中，所述响应可以针对特定命令，例如，读取状态命令。针对读取状态命令的响应包括状态信息，如果状态信息不包括温度信息，则状态信息可指示感测到的温度在第一范围以内。否则，如果状态信息包括温度信息，则状态信息指示感测到的温度在除第一范围以外的至少一个范围以内，并且温度信息指示至少一个其他范围。在一个实施例中，状态信息还包括指示存储器装置是否处于忙碌和就绪中的一个的读取状态信息。

代替读取状态请求，单个接收到的命令可以是温度信息请求命令，温度信息请求命令请求温度信息。

在这些实施例中，单个接收的命令可在任何时间被接收。即，不管存储器装置是否处于就绪状态，单个接收的命令都可被接收。

可通过图2的存储器***来执行图1中描述的控制存储器装置的方法。然而，本发明构思不限于此，图1中描述的控制存储器装置的方法可通过外部主机来执行。

图2是根据本发明构思的示例实施例的存储器***200的示图。存储器***200可包括存储器控制器210和存储器装置220。存储器控制器210可将用于控制存储器装置220的各种控制信号、命令、地址和数据施加到存储器装置220，并且响应于命令从存储器装置220接收响应。存储器控制器210可将控制信号(诸如，指示启用存储器装置220的芯片使能信号)施加到存储器装置220。例如，存储器控制器210可将指示存储器装置220的操作的操作命令(例如，程序命令、读取命令和擦除命令)施加到存储器装置220。例如，存储器控制器210可将待编程的数据连同地址一起施加到存储器装置220。

存储器装置220可从存储器控制器210接收控制信号、命令和数据并且执行与此对应的操作。例如，存储器装置220可响应于从存储器控制器210施加的芯片使能信号被启用。例如，存储器装置220可响应于从存储器控制器210施加的程序命令将从存储器控制器210施加的数据存储到与从存储器控制器210施加的地址对应的存储器装置220的存储区域中。例如，存储器装置220可响应于从存储器控制器210施加的读取命令将存储在存储器装置220的存储区域中的数据发送到存储器控制器210。如进一步示出的，存储器装置220可包括温度传感器221。以下将参照图4对温度传感器221进行详细描述。

图3是根据本发明构思的示例实施例的存储器装置的示图。图3示出了通过NAND闪存装置220a实现图2的存储器装置220的示例。然而，本发明构思不限于此。除NAND闪存装置220a之外，图2的存储器装置220可通过易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存储器(SRAM))或非易失性存储器装置(诸如，相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)和电阻式RAM(RRAM))来实现。

NAND闪存装置220a可包括各种引脚。例如，NAND闪存装置220a可包括就绪/忙碌信号被输出的引脚R/B#、上述芯片使能信号被输入的引脚CE#、命令锁存使能信号被输入的引脚CLE#、地址锁存使能信号被输入的引脚ALE、写入使能信号被输入的引脚WE#、写入保护信号被输入的引脚WP#以及与数据总线连接的数据输入/输出(I/O)引脚DQ。

如上所述，芯片使能信号可指示NAND闪存装置220a的启用。就绪/忙碌信号可向存储器控制器210通知NAND闪存装置220a处于目标状态。读取使能信号可启用串行数据的输出。命令锁存使能信号可通知NAND闪存装置220a用于命令的输入的总线时钟。地址锁存使能信号可通知NAND闪存装置220a用于地址的输入的总线时钟。写入使能信号可控制锁存数据的输入的操作。当写入使能信号上升到逻辑高时，数据、命令和地址可被锁存。写入保护信号可禁用NAND闪存装置220a的写入和擦除操作。命令、数据和地址可被输入到数据I/O引脚DQ，并且响应于命令的响应可从数据I/O引脚DQ被输出。图2的第一命令CMD1和响应RSP1可分别被输入到数据I/O引脚DQ和从数据I/O引脚DQ输出。图2示出了这样的示例：存储器控制器210将第一命令CMD1施加到存储器装置220，存储器装置220响应于第一命令CMD1将响应RSP1施加到存储器控制器210。

返回参照图1和图2，可通过存储器装置220来执行感测温度的操作S110。为此，存储器装置220可被实现为如图4所示。

图4是根据发明构思的示例实施例的存储器装置220b的部分示图。如将会理解的，只是为了清楚的目的，图4没有示出存储器装置的所有组件，而是只示出用于感测温度和生成温度信息的部分。参照图4，存储器装置220b可包括温度传感器221、温度信息生成器222和温度信息输出单元223。温度感测器221可感测存储器装置220b的温度并将感测的温度输出为模拟值或数字值的温度感测值SVAL。温度信息生成器222可从温度传感器221接收温度感测值SVAL并生成与温度感测值SVAL对应的温度信息T_inf。温度信息生成器222可自己生成温度感测值SVAL或者生成作为与温度感测值SVAL对应的值的温度信息T_inf。温度信息输出单元223可从温度信息生成器222接收温度信息T_inf，将温度信息T_inf包括在响应RSP1中，并输出包括温度信息T_inf的响应RSP1。温度信息输出单元223可将温度信息T_inf包括在响应RSP1的保留位中。以下将进一步详细描述温度信息输出单元223的操作。温度传感器221可以是任何公知的温度感测装置，例如，产生与感测的温度成比例的电流或电压的集成温度传感器。温度信息生成器221、温度信息输出单元223和温度信息控制单元224可以是由固件配置的硬件逻辑电路。

根据发明构思的示例实施例的生成温度信息T_inf的步骤可使用不同的方法被触发。图5至图7是示出根据发明构思的示例实施例的触发温度信息生成的方法的流程图。图5至图7中示出的方法可通过图4的存储器装置220b来执行。然而，本发明构思不限于此，图5至图7中示出的方法可根据发明构思的示例实施例通过另一个存储器装置来执行。

首先，参照图4和图5，根据发明构思的示例实施例的感测或检查温度并生成温度信息T_inf的方法S110a可包括：通过当存储器装置220b执行操作时感测或检查温度，基于当存储器装置220b执行操作时获取的温度感测值SVAL，来生成温度信息T_inf。具体地，方法S110a可包括：操作S511，将命令CMD输入到存储器装置220b；操作S512，通过存储器装置220b执行命令CMD；操作S513，确定命令CMD是否是指示操作的命令；操作S514，当命令CMD是指示操作的命令时(参照S513的“是”)，通过存储器装置220b感测温度并生成温度信息T_inf。

如上所述，存储器装置220b可接收各种命令(S511)并执行与其对应的操作(S512)。在这种情况下，存储器装置220b可确定命令CMD是否是指示操作的命令(S513)。例如，当操作被设置为程序操作时，可确定命令CMD是否是程序命令。当命令CMD是程序命令时(参照S513的“是”)时，温度信息T_inf可被生成(S514)。在这种情况下，温度信息T_inf可被生成作为当最后的程序操作通过存储器装置220b被执行时测量的存储器装置220b的温度。

可选择地，例如，当操作被设置为读取操作时，存储器装置220b可确定命令CMD是否是读取命令。当命令CMD是读取命令时(参照S513的“是”)，温度信息T_inf可以被生成(S514)。在这种情况下，温度信息T_inf可被生成作为当最后的读取操作通过存储器装置220b被执行时测量的存储器装置220b的温度。可选择地，例如，当该操作被设置为擦除操作时，存储器装置220b可确定命令CMD是否是擦除命令。当命令CMD是擦除命令时(参照S513的“是”)，温度信息T_inf可被生成(S514)。在这种情况下，温度信息T_inf可被生成作为当最后的擦除操作在存储器装置220b中被执行时测量的存储器装置220b的温度。

为了启用以上描述的操作，存储器装置220b还可包括如图4所示的温度信息控制单元224。温度信息控制单元224是这样的控制逻辑，其被配置为：接收命令CMD，确定命令CMD是否是指示操作的命令，并且当命令CMD是指示操作的命令时生成用于启用温度信息生成器222的第一控制信号XCON1。温度信息生成器222可基于随着命令CMD的施加而接收的温度感测值SVAL来生成温度信息T_inf。在这种情况下，第一控制信号XCON1可被施加到温度传感器221。温度传感器221可只在启用第一控制信号XCON1的期间生成温度感测值SVAL并减少功耗。

此外，例如，当操作被设为复位操作，存储器装置220b可确定命令CMD是否是复位命令，如果命令CMD是复位命令，则温度信息T_inf可被生成来指示当复位操作被执行时测量的存储器装置220b的温度。

此外，在一个实施例中，不只一个操作可被制定为触发感测温度的操作。

在根据发明构思的示例实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法中，用于确定存储器装置中温度变化的状态或时间点的基准可按要求被不同地设置。例如，当存储器装置的程序操作受到温度变化的特别巨大的影响时，在根据发明构思的示例实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法中，存储器装置基于程序操作中的温度变化被控制。因此，根据发明构思的示例实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法可改善或优化存储器装置的控制。

接下来，参照图4至图6，根据发明构思的示例实施例的感测或检查温度并生成温度信息T_inf的方法S110b可包括：将命令CMD输入到存储器装置220b(S611)；确定命令CMD是否是用于请求关于存储器装置220b的状态信息的命令(S612)；当命令CMD是用于请求关于存储器装置220b的状态信息的命令时(参照S612的“是”)，通过存储器装置220b来感测或检查温度并生成温度信息T_inf。例如，当存储器装置220b是图3的NAND闪存装置220a时，用于请求关于存储器装置220b的状态信息的命令可以是读取状态命令。

在这种情况下，温度信息T_inf可被生成作为当存储器装置220b接收到读取状态命令时被测量的存储器装置220b的温度。在如图1中所示的根据本实施例的控制存储器装置的方法中，读取状态命令可被设置为第一命令CMD1，并且针对读取状态命令的响应可被设置为下面将进一步详细描述的响应RSP1。当命令CMD是用于请求状态信息的命令时，温度信息控制单元224可生成以上描述的第一控制信号XCON1。

如下所述，每当期望的(或可选择地，预定的)数量的正常操作在存储器控制器和存储器装置之间被执行时(例如，每当期望的数量的操作命令被处理时)，读取状态命令和针对读取状态命令的响应可被生成。例如，每当一个读取命令被处理时，针对读取状态命令的响应可被生成。可选择地，在一个程序命令和两个读取命令被处理时，针对读取状态命令的响应可被生成来指示处理最后的读取命令的状态。因此，在根据本实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法中，可在不引起开销的所有时间检查存储器装置中的温度变化，从而能够更精准地控制存储器装置。

接下来，参照图4和图7，根据发明构思的示例实施例的感测或检查温度并生成温度信息T_inf的方法S110c可包括：在存储器装置220b中对操作时钟CLK的数量进行计数(S711)；基于计数结果来确定周期性间隔的开端是否已经开始(S712)；当间隔或时间段的开端已经开始时(参照S712的“是”)，通过存储器装置220b感测或检查温度并生成温度信息T_inf(S713)。温度信息控制单元224可对操作时钟(CLK)的数量进行计数并周期性地生成第一控制信号XCON1。

可根据对存储器装置220b的温度变化的必要控制不同地设置时间段。例如，当存储器装置220b的程序/擦除(P/E)周期小于或等于参考值时，存储器装置220b的温度变化的影响可小于当存储器装置220b的P/E周期大于参考值时存储器装置220b的温度变化的影响。因此，当存储器装置220b的P/E周期小于或等于参考值时设置的周期/间隔可长于当存储器装置220b的P/E周期大于参考值时设置的周期/间隔。因此，根据被配置为利用图7所示的生成温度信息T_inf的方法S110c来操作的存储器装置和存储器***以及包括图7所示的生成温度信息T_inf的方法S110c的控制存储器装置的方法，存储器装置的温度变化可以以与存储器装置的状态对应的间隔或周期被检查，从而能够效率地和/或精准地控制存储器装置。

此外，将理解的是，可彼此结合来采用图5至图7的实施例。

图8A是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图，图8B是根据本发明构思的示例实施例的存储器***200c的示图。可通过图8B的存储器***200c来执行图8A中示出的方法。然而，本发明构思不限于此，根据本发明构思可通过另一示例实施例的存储器***来执行图8A的方法。

参照图8A和图8B，如同图1中所示的控制存储器装置的方法，根据本实施例的控制存储器装置的方法可包括：响应于输入到存储器装置220c的单个接收的命令CMD1，将存储器装置220c的检查的或感测的温度(例如，温度感测值SVAL)生成为温度信息T_inf(S810)，并且输出包含温度信息T_inf的响应RSP1(S820)。此外，如同图1的控制存储器装置的方法，响应RSP1可以是通知存储器装置是否处于存储器装置可接收操作命令且执行操作的就绪状态的响应。此外，如同图1，命令CMD1可在任何时间被输入，并且可不管存储器装置是否处于就绪状态都被输入。

如图8A所示的控制存储器装置的方法还可包括：针对存储器装置220c建立至少两个温度范围(S800)；确定所述至少两个温度范围中的哪一个温度范围具有由检查的温度指示的温度值(例如，温度感测值SVAL)(S815)。此外，将存储器装置220c的感测的或检查的温度(例如，温度感测值SVAL)生成为温度信息T_inf的步骤S810可包括：感测或检查(感测)存储器装置220c的温度(S810_1)；生成指示包含检查的温度(例如，温度感测值SVAL)的温度范围的信息作为温度信息T_inf(S810_2)。

温度信息生成器222可响应于从温度信息控制单元224施加的第二控制信号XCON2，生成温度范围信息和温度感测值SVAL中的一个或两者作为温度信息T_inf。例如，温度信息控制单元224可利用第二控制信号XCON2指示温度信息生成器222和温度信息输出单元223在温度信息T_inf中指示温度范围。然而，当关于温度范围的信息通过温度信息生成器222被接收且存储在温度信息生成器222中时，除非关于温度范围的信息被改变，否则所述信息可不被存储。可选择地，虽然未示出，但是被配置为存储温度和/或温度信息的存储单元还可被设置在存储器装置220c中。

温度范围的数量和温度范围的值可被多样地设置。例如，可使用用于设置存储器装置220的特征的任何公知的命令。例如，温度信息控制单元224可响应于从存储器控制器210施加的用于设置温度范围的命令生成第二控制信号XCON2。例如，当存储器装置220c的错误率在特定的温度范围内增加时，用于设置温度范围的命令可通过存储器控制器210被施加到存储器装置220c以控制(例如，减小)错误率的增加。例如，用于设置温度范围的命令可以以与正常模式不同的第一模式被施加到存储器装置220c，在第一模式下存储器控制器210对存储器装置220c执行设置功能(set feature)，在正常模式下存储器装置220c执行一般操作(例如，程序、读取、擦除和复位操作)。

可选择地，温度信息控制单元224可响应于在存储器装置220c的大批量生产期间设置的信息(例如，微调信息TR_inf)生成第二控制信号XCON2。微调信息TR_inf可基于制造环境根据存储器装置220c的独有特性而被设置。例如，当存储器装置220c在特定的温度范围内很大程度上受到温度变化的影响时，可通过细分相应的温度范围来生成微调信息TR_inf。微调信息TR_inf可在用于确定将与由存储器装置220c的温度传感器感测的模拟温度值匹配的数字温度值的校准处理期间生成。例如，存储器装置可在制造期间被检验。通过这种经验检验，温度范围和针对减小或最小化错误的温度范围的微调(例如，控制特性或如同读取电压的值等)被经验性地确定且编程到存储器装置中。

可选择地，温度信息控制单元224可自己来设置温度范围并且生成第二控制信号XCON2。例如，温度信息控制单元224可基于存储器装置220c的状态信息STA来设置温度范围。例如，在存储器装置220c中，当在特定温度范围内在存储器装置220c的程序操作期间频繁发生错误时，指示错误的频繁发生的状态信息STA可被生成。在这种情况下，温度信息控制单元224可响应于状态信息STA细分和设置相应的温度范围。因此，在根据本实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法中，可根据存储器装置的环境来改善或优化存储器装置的控制。

图9是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图。可通过图8B的存储器***200c来执行图9的方法。然而，本发明构思不限于此，可根据本发明构思的示例实施例通过另一存储器***来执行图9的方法。参照图8A和图9，如同图1所示的控制存储器装置的方法，如图9所示的控制存储器装置220c的方法可包括：响应于输入到存储器装置220c的命令CMD1，将存储器装置220c的检查的信息(例如，温度感测值SVAL)生成为温度信息T_inf(S910)；并输出响应RSP1。

此外，如同图1所示的控制存储器装置的方法，响应RSP1可以是通知存储器装置220c是否处于存储器装置220c能够接收操作命令且执行操作的就绪状态的响应。

图9所示的控制存储器装置的方法还可包括：针对存储器装置220c设置第一温度范围(S900)；确定检查的温度(例如，温度感测值SVAL)是否包括在第一温度范围内(S915)。当温度感测值SVAL不被包括在第一温度范围中时(参照S915的“否”)，将温度感测值SVAL生成为温度信息T_inf的操作S910可包括生成温度信息T_inf(S910_2)。在操作S910_2中，温度信息T_inf可被生成以表示温度感测值SVAL为除了在第一温度范围内以外的值。此外，包含温度信息T_inf的响应RSP1可被输出(S920_1)。然而，当温度感测值SVAL包括在第一温度范围中时(参照S915的“是”)，响应RSP1可不包括温度信息T_inf，而相反只包括存储器装置200c的状态信息STA(见图18)并且被发送到存储器控制器210(S920_2)。即，读取状态表示温度在第一温度范围内；因此，读取状态作为温度信息。因此，基于根据本实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法，除非存储器装置220c的温度包括在特定温度范围(例如，第一温度范围)内，否则温度信息T_inf可被发送到存储器控制器210，并且当温度变化的控制不必要时，温度信息可不被发送。因此，可执行存储器装置220c的有效控制。

如上所述，温度范围可以以不同的数量被设置。图10是根据本发明构思的示例实施例的温度范围的示图。参照图10，多个温度范围可被建立，索引可被给予各个温度范围。例如，索引1可被给予低于温度A的温度范围，索引2可被给予高于等于温度A且低于温度B的温度范围。索引信息可通过多个比特被传达。例如，一个比特可用于指示两个温度范围中的一个，两个比特可用于传达四个温度范围中的一个等。

图11是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图。可通过图8B的存储器***200c来执行图11的方法。然而，本发明构思不限于此，可根据本发明构思的示例实施例通过另一存储器***或装置来执行图11的方法。参照图8B和图11，如同如图1所示的控制存储器装置的方法，根据本实施例的控制存储器装置的方法可包括：响应于输入到存储器装置220c的命令CMD1，将存储器装置220c的检查的信息(例如，温度感测值SVAL)生成为温度信息T_inf(S1110)，并且输出包含温度信息T_inf的响应RSP1(S1120)。此外，如同图1的控制存储器装置的方法，响应RSP1可以是通知存储器装置220c是否处于存储器装置220c能够接收操作命令且执行操作的就绪状态的响应。

如图11所示的控制存储器装置的方法还可包括：针对存储器装置220c设置至少两个温度范围(S1100)；确定所述至少两个温度范围中的哪一个温度范围具有由检查的温度指示的温度值(即，温度感测值SVAL)(S1115)。此外，将存储器装置220c的检查的信息(即，温度感测值SVAL)生成为温度信息T_inf的步骤S1110可包括：感测或检查(感测)存储器装置220c的温度(S1110_1)；生成指示包含检查的温度(即，温度感测值SVAL)的温度范围的索引作为温度信息T_inf(S1110_2)。在图10的示例中，当温度感测值SVAL包括在高于等于温度A且低于温度B的温度范围内时，索引2可被生成为温度信息T_inf。温度信息控制单元224可生成第二控制信号XCON2，以用于生成作为温度信息T_inf的索引。

图12是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图。可通过图2的存储器***200来执行图12的方法。然而，本发明构思不限于此，可根据本发明构思的示例实施例通过另一存储器***来执行图12的方法。参照图2和图12，如同如图1所示的控制存储器装置的方法，根据本实施例的控制存储器装置的方法可包括：响应于输入到存储器装置220的命令CMD1，将存储器装置220的感测的或检查的信息(即，温度感测值SVAL)生成为温度信息T_inf(S1210)，并且输出包含温度信息T_inf的响应RSP1。然而，如上所述，与温度感测值SVAL对应的温度范围或索引可被生成作为温度信息T_inf。此外，如同图1所示的控制存储器装置的方法，响应RSP1可以是通知存储器装置220是否处于存储器装置220能够接收操作命令且执行操作的就绪状态的响应。这种响应和信息通过存储器控制器210被接收(S1210)。在响应中，存储器控制器210可修改存储器控制特性。例如，存储器控制特性可包括读取电压、增量阶跃脉冲程序电压、擦除电压、程序验证电压和将电压施加到存储器装置的持续时间中的一个或更多个。

如图12所示的控制存储器装置的方法还可包括：将基于温度信息T_inf不同地设置的操作命令输入到存储器装置220(S1230)；在存储器装置220中执行操作命令(S1240)。

图13至图16C是示出根据本发明构思的示例实施例的在存储器装置中执行基于温度信息不同地设置的操作命令的方法的示图。首先，参照图2、图12和图13，存储器控制器210可从存储器装置220接收温度T_inf并不同地设置操作命令的存储器控制特征值。

例如，操作命令可以是读取命令。在这种情况下，由读取命令指示的读取电压可从第一电压电平变为第二电压电平，并且读取命令可被输入到存储器装置220(S1230)。例如，如图13所示，当存储器装置220是三电平单元(TLC)NAND闪存装置时，存储器装置220的每个存储器单元可被编程以具有包括在八个分布中的一个的阈值电压。例如，存储器装置220的每个存储器单元可具有擦除状态E和七个程序状态P1至P7中的一个。

在这种情况下，具有不同电压电平的七个读取电压VR1至VR7可被设置以读取存储器单元。然而，如图13中所示编程的存储器单元的阈值电压的分布可基于存储器装置220的温度变化。根据发明构思的示例实施例，存储器控制器210可基于包括在响应RSP1中的温度信息T_inf使每个读取电压VR1至VR7的电压电平增加VRa那么多。存储器装置220可响应于读取命令执行读取操作，以指示基于温度信息T_inf变化的读取电压进行读取操作(S1240)。

虽然图13示出所有读取电压VR1至VR7中的每个增加VRa那么多的示例，但是本发明构思不限于此。至少一个读取电压可不同于其他读取电压而被改变。例如，在图14中，虽然如图13中所示第一读取电压VR1至第六读取电压VR6增加VRa那么多，但用于划分第六程序状态P6和第七程序状态P7的第七读取电压VR7的电压电平可增加VRb那么多。例如，当第六程序状态P6和第七程序状态P7随着温度变化在大范围内变化时，读取电压VR1至VR7的电压电平可如图14所示被控制。虽然图13和图14示出读取电压VR1至VR7的电压电平随着温度变化增加的示例，但是本发明构思不限于此，并且读取电压VR1至VR7的电压电平可随着温度变化减小。

操作命令可以是除读取命令之外的命令。例如，操作命令可以是擦除命令。在这种情况下，如图15所示，擦除命令可被输入到存储器装置220，从而擦除状态E从第一电压电平变为第二电压电平(S1230)。存储器装置220可响应于擦除命令将擦除状态E改变为擦除状态E'并执行擦除操作(S1240)。

在本发明构思的示例实施例中，当存储器装置220在具有低错误率的温度范围内被设置为具有比预设擦除状态E更高的阈值电压的擦除状态E'时，存储器单元可在软擦除状态下被擦除。在这种情况下，在程序状态P1至P7下的程序操作所需的持续时间和功率可被减小。可选择地，存储器单元的劣化可被缓和或被防止。

例如，操作命令可以是程序命令。如图16A所示，存储器装置220可响应于程序命令使用执行包括多步(例如，多个循环)的程序的增量阶跃脉冲程序(ISPP)方案执行程序操作。图16A示出一个程序循环包括N步(N是等于或大于2的整数)的ISPP方案的示例，并且每一步包括两个程序脉冲。

例如，第一步可包括第一程序脉冲VP11和第二程序脉冲VP12，并且第二步可包括第一程序脉冲VP21和第二程序脉冲VP22。在每一步中，可以以电压电平增加到比前一步的程序脉冲高VPa的程序脉冲来执行程序操作。例如，第二步的第一程序脉冲VP21的电压电平可被设置为比第一步的第一程序脉冲VP1的电压电平高VPa。虽然在图16A中没有示出，但是每一步还可包括用于验证操作的验证脉冲。然而，验证操作在作为最后一步的第N步中可被省略。

存储器控制器210可基于包括在响应RSP1中的温度信息T_inf来不同地设置程序命令以指示以上描述的程序操作，并将程序命令发送到存储器装置220(S1230)。例如，如图16B所示，ISPP方案的步数可从N到M增加或者减少(M是等于或者大于2的整数，M≠N)。例如，当在存储器装置220中的程序错误随着温度变化增加时，ISPP方案的步数可被增加到M。然而，即使温度变化发生，当在存储器装置220中没有发生程序错误时，ISPP方案的步数可被减少，以减少或防止功耗并节省***资源。

可选择地，如图16C所示，ISPP方案的各步之间的程序脉冲被增加的范围可根据温度变化被不同地设置。参照图16C，第二步的第一程序脉冲VP21的电压电平可被设置为比第一步的第一程序脉冲VP11的电压电平高VPa1，而第二步的第二程序脉冲VP22的电压电平可被设置为比第一步的第二程序脉冲VP12的电压电平高VPa2。这里，VPa2不同于VPa1。可选择地，第一步与第二步的程序脉冲之间的电压电平之差可以是VPa1和VPa2，而第N-1步与第N步的程序脉冲之间的电压电平之差可以是VPb1和VPb2。差值VPa1和VPa2可不同于差值VPb1和VPb2。例如，VPb1和VPb2的大小可随着温度增加而减小。

此外，在根据本实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法中，存储器装置220响应于基于存储器装置220的温度信息T_inf不同地设置的复位命令被复位。例如，复位命令可包括复位存储器装置220所需的不同的设置值。设置值可基于温度信息T_inf被不同地设置并被施加到存储器装置220。

在以上描述的图12至图16C的实施例中，存储器控制特征值的改变和改变的量可被经验性地确定，例如，在制造的测试阶段期间确定。

图17是示出根据本发明构思的示例实施例的输出包括温度信息的响应的方法的流程图。参照图2和图17，输出包括温度信息T_inf的响应的方法S120a可包括：从存储器控制器210接收作为读取状态命令的第一命令CMD1(S1721)；将温度信息T_inf在与读取状态命令对应的响应RSP1的至少一个保留位中(S1722)。

当存储器装置220是图3的NAND闪存装置220a(尤其是，存储器单元三维形成的垂直NAND(VNAND)存储器装置)时，关于存储器装置220的状态信息(例如，针对读取状态命令CMD1的响应RSP1)可与图18中相同。响应RSP1可通过八个数据I/O引脚DQ0至DQ7被输出。指示存储器装置220是处于忙碌状态还是处于就绪状态的状态信息可通过八个数据I/O引脚DQ0至DQ7中的数据I/O引脚DQ5和DQ6作为响应RSP1被输出。用于响应RSP1的数据I/O引脚DQ2至DQ4可被定义为响应于所有操作命令的保留位。与读取状态命令CMD1对应的RSP1的每个位可响应于每个操作命令被不同地定义。例如，数据I/O引脚DQ0可响应于块擦除命令指示通过或者失败，而数据I/O引脚的DQ0可响应于读取命令被定义为未使用位(例如，保留位)。

例如，八个温度范围可被设置，并且所有三个保留位可被用于包括温度信息。可选择地，三个温度范围可被设置，并且三个保留位的两个可被使用。可选择地，三个温度范围可被设置，并且三个保留位中的一个可被使用。在这种情况下，例如，温度范围可被划分为低于温度A的范围、高于等于温度A并低于温度B的范围以及高于等于温度B的范围。在高于等于温度A并低于温度B的范围内，一个保留位的值可被设置为0。在剩下的两个范围中，一个保留位的值可被设置为1。当已接收到保留位具有值1的响应RSP1的存储器控制器210请求确认温度范围是低于温度A的范围还是等于或高于温度B的范围时，保留位可被设置为不同的值，并且温度落入的范围可被通知。

温度信息T_inf可被包括在响应RSP1的保留位中，并且响应RSP1可从存储器装置220被输出。然而，如上所述，响应RSP1可不包括温度信息T_inf。在这种情况下，响应RSP1可只包括关于存储器装置220的状态信息，例如，只有指示存储器装置220处于存储器装置220能够执行额外的操作指令的就绪状态的状态信息。

图19是根据本发明构思的示例实施例的响应的示图。参照图2和图19，程序命令、读取命令以及另一读取命令可分别在时间点t1、t2和t3从存储器控制器210被顺序地施加。接下来，当读取状态命令70h在时间点t4从存储器装置210被施加到存储器装置220时，存储器状态200可报告处理最后施加的命令(例如，在时间点t3施加的读取命令)的状态作为针对读取状态命令70h的响应RSP1。例如，响应RSP1可将数据I/O引脚DQ5和DQ6设置为1并通知存储器装置220处于在时间点t3施加的读取命令已经被处理并且另一个操作命令可被处理的就绪状态。

然而，如上所述，当最后的程序命令被执行时，关于存储器装置220的温度信息T_inf可被生成。因此，针对读取状态命令70h的响应RSP1可通过将在时间点t1施加的程序命令的执行期间获取的关于存储器装置220的温度信息T_inf包括在保留位中来生成。因此，根据本实施例，针对读取状态命令70h的响应RSP1可不仅包括关于存储器装置220的当前状态的信息，而且包括关于存储器装置220的前一个状态的信息。更具体地，存储器装置220可被配置或编程为生成与特定类型的最近命令(例如，在以上示例中的程序命令)相关联的温度信息。

因此，按照根据本实施例的存储器装置、存储器***和/或控制存储器装置的方法，可利用针对预设读取状态命令的序列代替用于感测温度的额外序列，将关于存储器装置的温度信息发送到存储器装置，从而减少存储器装置或者存储器***的开销。即，不需要存储器装置220与存储器控制器210之间的握手和一系列命令。相反，单个命令可触发温度信息的输出。

当针对在正常模式下预设的操作命令的处理序列而不是额外序列被用于感测存储器装置220的温度时，可如上所述减少***开销。

图20是示出根据本发明构思的示例实施例的操作存储器装置的方法的流程图，图21是示出根据本发明构思的示例实施例的操作存储器***的方法的流程图。首先，参照图2和图20，操作存储器装置220的方法可包括：使用温度传感器感测温度并生成温度信息T_inf(S2010)。温度信息T_inf可作为针对输入状态命令CMD1的响应的一个或者更多个保留位被提供。存储器装置220输出具有保留位的响应(S2020)。存储器装置220执行具有基于温度信息T_inf设置的存储器控制特性的操作命令(S2030)。生成温度信息T_inf的操作S2010可与图1的操作S110中描述的相同，并且响应于输入读取状态命令CMD1将温度信息T_inf包括在保留位中并输出包括温度信息T_inf的保留位的操作S2020可与图1的操作S120中描述的相同。此外，执行基于温度信息T_inf被不同地设置并输入的操作命令的操作S2030可与参照图13至图16C所描述的相同。

参照图2和图21，操作存储器***200的方法可包括：将读取状态命令CMD1从存储器控制器210施加到存储器装置220(S2110)；通过存储器装置220将温度信息T_inf包括在与从存储器控制器210输入的读取状态命令CMD1对应的响应的保留位中，并输出包括温度信息T_inf的保留位(S2120)；通过存储器装置210基于温度信息T_inf生成操作命令(S2130)；执行具有基于温度信息T_inf设置的存储器控制特性的操作命令(S2140)。此外，存储器控制器210可控制参照图5至图7描述的温度类型或者参照图8A和图8B描述的温度范围。由于以上参照根据先前的实施例的控制存储器装置的方法描述了图20和图21的方法，因此其进一步详细的描述被省略。

图22A是示出根据本发明构思的示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图。参照图22A，根据本实施例控制存储器装置的方法可包括：将用于感测温度的模式信号输入到存储器装置220(S2210)；确定模式信号是否指示用于对存储器模型220执行设置功能的第一模式(S2220)；当模式信号指示第一模式时(参照S2220的“是”)，通过存储器控制器210在第一模式下向存储器装置220请求温度信息T_inf，并且根据存储器控制器210的请求通过存储器装置220将温度信息T_inf额外发送到存储器控制器210(S2230)；当模式信号没有指示第一模式时(参照S2220的“否”)(例如，当模式信号指示用于执行读取和程序操作的正常模式时)，将温度信息T_inf包括在与从存储器控制器210输入到存储器装置220的读取状态命令对应的响应的保留位中，并输出包括温度信息T_inf的保留位(S2240)。当温度信息T_inf在第一模式下被请求时，存储器装置220可感测温度信息T_inf，并且存储器控制器210可在温度信息T_inf的感测期间处于等待状态。在第一模式下的温度信息T_inf可不被包括在其他信息中，而是另外被发送到存储器控制器210。在第一模式下需要多命令序列以获取温度信息。相反，当没有在第一模式下时，单个命令可导致温度信息的输出。当针对在正常模式下预设的操作命令的处理序列而不是额外的序列被用于感测存储器装置220的温度时，如上所述***开销可被减少。然而，当有必要时，温度信息T_inf可以在额外的模式(例如，第一模式)下被感测。

图22B是示出根据本发明构思的另一示例实施例的控制存储器装置的方法的流程图。参照图22B，根据本实施例的控制存储器装置的方法可包括：将操作命令输入到存储器装置(S2310)；输入用于请求关于存储器装置的状态的信息的读取状态命令，其中，所述存储器装置的状态受到在存储器装置中处理操作命令的影响(S2320)；存储器装置将温度信息包括在与读取状态命令对应的响应的保留位中并输出包括温度信息的保留位(S2330)。操作命令可以是程序命令、读取命令或者擦除命令。如以上所述的图19的示例，读取状态命令可被施加到存储器装置以请求确认在时间点t3施加的读取命令是否已被处理以及存储器装置是否进入就绪状态。因此，存储器装置可将温度信息包括在与读取状态命令对应的响应的保留位中并输出保留位。

以上所述的存储器装置可以是以下所描述的VNAND闪存装置。以下将参照图23至图26描述VNAND闪存装置的存储器单元阵列的示例。VNAND闪存装置的存储器单元阵列可包括多个存储器块，任何一个存储器块(例如，第一存储器块BLK1)在图23中被示出。

参照图23，第一存储器块BLK1可包括基底SUB、多个单元串CST、虚设字线DWL、正常字线NWL、位线BL、接地选择线GSL以及共源极线CSL。在以下描述中，为了简洁，包括在第一存储器块BLK1中的单元串CST、字线WL和位线BL以特定的数量被提供。然而，发明构思不限于此，并且包括在第一存储器块BLK1中的单元串CST、字线WL和位线BL可以以各种数量被提供。此外，包括在单元串CST中的正常单元的数量也将在以下作为示例被描述。

单元串CST可被连接在位线BL与共源极线CSL之间。如上所述，单元串CST可从基底SUB沿垂直方向Z延伸。单元串CST可包括可串联连接在位线BL与共源极线CSL之间的串选择晶体管SST、虚设单元DC、多个正常单元NC和接地选择晶体管GST。例如，单元串CST11可包括串联连接在位线BL1与共源极线CSL之间的串选择晶体管SST、虚设单元DC、正常单元NC1至NCn和接地选择晶体管GST。

串选择晶体管SST可被连接到沿列方向Y延伸的串选择线SSL并被控制。接地选择晶体管GST可被连接到沿行方向X和列方向Y延伸的接地选择线GSL并被控制。例如，单元串CST11的串选择晶体管SST可被连接到串选择线SSL1并被控制，并且单元串CST12的串选择晶体管SST可被连接到串选择线SSL2并被控制。此外，单元串CST11、CST12、CST21和CST22的接地选择晶体管GST可被共同连接到共享的接地选择线GSL并被控制。

虚设单元DC可被连接到可沿行方向X和列方向Y上延伸的虚设字线DWL并被控制。每个正常单元NC可被连接到可沿行方向X和列方向Y上延伸的正常字线NWL并被控制。例如，单元串CST11、CST12、CST21和CST22的虚设单元DC可被共同连接到共享的虚设字线DWL并被控制。可设置虚设单元DC以改善每个单元串CST的操作特性。例如，虚设单元DC可被用于减少单元线CSL上的每个单元串CST的选择晶体管SST的劣化的影响，或者防止在单元串CST的正常单元NC的操作期间单元由于施加到串选择晶体管SST和正常单元NC的电压之差而导致的单元串CST的劣化。

数据可被写入正常单元NC1至NCn。单元串CST11、CST12、CST21和CST22的正常单元NC1至NCn可被共同连接到共享的正常字线NWL并被控制。

位线BL可被连接到沿行方向X排列的多个单元串CST。例如，单元串CST11和单元串CST12可被连接到位线BL1，并且单元串CST21和单元串CST22可被连接到位线BL2。如上所述，存储器单元阵列可包括比图23所示更多数量的位线BL和更多数量的单元串CST。

虽然图23示出每个单元串CST只包括一个虚设单元DC的示例，但本发明构思不限于此。参照示出第一存储器块BLK1的另一个示例的图24，沿垂直方向Z从基底SUB堆叠的多个层被分别示出为可分别连接到每个单元串CST的串选择晶体管SST、虚设单元DC、正常单元NC和接地选择晶体管GST的串选择线SSL、虚拟字线DWL、正常字线NWL和接地选择线GST。为了简洁，对应的晶体管或单元没有在每个层中被示出。

如图24所示，虚设字线DWL可通过与串选择线SSL相邻布置的两层DWLa和DWLb来实现。此外，参照示出第一存储器块BLK1的另一个示例的图25，虚设字线DWL可通过与串选择线SSL相邻布置的两层DWLa和DWLb以及与接地选择线GSL相邻布置的两层DWLc和DWLd来实现。然而，发明构思不限于此，虚设字线DWL可包括与串选择线SSL相邻布置的一层和与接地选择线GSL相邻布置的一层。可设置由虚设单元DC或虚设字线DWL指示的层以减少或最小化在存储器装置220操作期间施加到串选择线SSL、虚设字线DWL、正常字线NWL和接地选择线GSL的电压对单元串CST的不期望的影响。

图26是沿着图24的线A-A’截取的图24的存储器单元阵列的剖面图。参照图26，不同于第一导电类型的第二导电类型的阱WEL可被形成在第一导电类型的基底SUB上。第一导电类型可以是p型，第二导电类型可以是n型。然而，发明构思不限于此。绝缘图案IPT和导电图案CPT可在彼此相邻布置的一对阱WEL上交替堆叠。绝缘图案IPT可由氧化硅形成，导电图案CPT可由多晶硅(poly-Si)形成。绝缘图案IPT和导电图案CPT可利用化学气相沉积(CVD)工艺来形成。以上所述的串选择晶体管SST、虚设单元DC、正常单元NC和接地选择晶体管GST的栅极可通过导电图案CPT来实现。

被配置为连接基底SUB、接触插塞CPL和漏极的通道结构CST可在通过交替堆叠绝缘图案IPT和导电图案CPT获得的两个堆叠结构之间形成。通道结构CST可包括柱CSTa和通道区域CSTb。通道结构CST的柱CSTa可由绝缘材料形成。

因此，包括在单元串CST中的串选择晶体管SST、虚设单元DC、正常单元NC和接地选择晶体管GST可共享同一通道。如图26所示，通道结构CST可沿垂直于基底SUB的方向Z延伸。通道结构CST可具有在形成导电图案CPT之后形成通道结构CST的通道最后(channel-last)结构(例如，位成本(bit-cost)可扩展(BiCS)结构)或者在形成通道结构CST之后形成导电图案CPT的通道优先(channel-first)结构(例如，太比特(terabit)单元阵列晶体管(TCAT)结构)。

在具有以上所述的结构的VNAND闪存装置中，每个存储器单元可具有电荷被存储在三维圆柱薄绝缘体层中的电荷撷取闪存(CTF，charge-trap-flash)结构。这里，三维CTF单元可尤其对温度变化敏感。在根据本实施例的存储器装置、存储器***和控制存储器装置的方法中，存储器装置的温度变化可被有效地感测并优化地控制。

图27是根据本发明构思的示例实施例的存储器模块2700的示图。参照图27，存储器模块2700可包括存储器芯片2721至存储器芯片2724和控制芯片2710。存储器芯片2721至存储器芯片2724可存储数据。控制芯片2710可响应于从外部存储器控制器发送的各种信号控制存储器芯片2721至存储器芯片2724。例如，控制芯片2710可启用与外部发送的芯片选择信号对应的存储器芯片2721至存储器芯片2724中的一个，并且对从存储器芯片2721至存储器芯片2724中的每个读取的数据执行错误检查和校正操作。例如，存储器芯片2721至存储器芯片2724中的每个可以是图2的存储器装置220。因此，根据本实施例的存储器模块2700可在不引起开销的情况下利用针对存储器模块2700的操作状态的优化方法来从存储器芯片2721至存储器芯片2724接收温度并将温度发送到控制芯片2710。控制芯片2710可从存储器芯片2721至存储器芯片2724接收温度信息并将温度信息发送到外部存储器控制器。

图28是根据本发明构思的示例实施例的存储卡2800的示图。存储卡2800可以是可与诸如移动装置或台式计算机的电子装置连接并被使用的便携式存储器装置。如图28所示，存储卡2800可包括存储器控制器2810、存储器装置2820和端口区域2830。存储卡2800可经由端口区域2830与外部主机(未示出)进行通信，存储器控制器2810可控制存储器装置2820。存储器控制器2810可从被配置为存储程序的只读存储器(ROM)(未示出)读取程序。根据本实施例，存储器控制器2810可将用于控制电压电平和/或电压上升时间点的各种信息提供给存储器装置2820，存储器装置2820可基于接收的信息来控制提供给字线的电压的上升时间点。

图29是根据本发明构思的示例实施例的固态装置(SSD)2900的示图。参照图29，根据本实施例的SSD 2900可包括NAND控制器2910和多个NAND芯片2920。NAND控制器2910可对与通道CH1、CH2、…和CHi连接的多个NAND芯片2920执行上述控制操作。

图30是根据本发明构思的示例实施例的包括非易失性存储器***的计算***3000的框图。根据本实施例的计算***3000可以是移动装置或台式计算机，并且包括包含中央处理器(CPU)、RAM 3020、用户接口3030和装置驱动器3040的主机3010，其中，CPU、RAM3020、用户接口3030和装置驱动器3040中的每个可电连接到总线3060。非易失性存储器***3050可与装置驱动器3040连接。主机3010可控制整个计算***3000并执行与用户通过用户接口3030输入的命令对应的操作。RAM 3020可起到主机3010的数据存储器的作用，主机3010可通过装置驱动器3040将用户数据写入到非易失性存储器***3050或从非易失性存储器***3050读取用户数据。此外，虽然图30示出了在主机3010的外部设置用于控制非易失性存储器***3050的操作和管理的装置驱动器3040的示例，但装置驱动器3040可被设置在主机3010中。计算***3000可利用上述方法来控制非易失性存储器***3050。

图31是根据本发明构思的示例实施例的包括存储器***的移动终端3100的示例的示图。根据本发明构思的示例实施例的存储器***可被安装在图31的移动终端3100中。移动终端3100可以是功能不受限但可利用应用的程序被极大改变和扩展的智能电话。移动终端3100可包括：嵌入式天线3110，被配置为与无线基站交换射频(RF)信号；显示屏3120，被配置为显示由相机3130捕获的图像或通过天线3110接收且解码的图像。显示屏3120可以是液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)屏幕。移动终端3100可包括具有控制按钮和触摸面板的操作面板3140。此外，当显示屏3120为触摸屏时，操作面板3140还可包括显示屏3120的触摸感测面板。移动终端3100可包括被配置为输出语音和声音的扬声器3180或其他类型的声音输出单元以及语音和声音被输入的麦克风3150或其他类型的声音输入单元。移动终端3100还可包括被配置为捕获视频和静止图像的相机3130(例如，电荷耦合器件(CCD)相机)。此外，移动终端3100可包括：存储介质3170，被配置为将编码的或解码的数据连同由相机3130捕获、通过电子邮件接收或者以其他形式获得的视频或静止图像一起存储；槽3160，被配置为将存储介质3170安装在移动终端3100中。移动终端3100可以以上述控制方法来控制存储介质3170。

虽然已经参照本发明构思的示例实施例具体地示出和描述了本发明构思，但将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下可进行形式上和细节上的各种修改。

Claims (18)

1.一种控制存储器装置的方法，包括：

将用于感测温度的模式信号输入到存储器装置；

通过存储器装置来感测存储器装置的温度；

在模式信号指示正常模式的情况下，通过存储器装置来生成针对单个接收的命令的响应，当感测到的温度在第一范围内时，所述响应不包括温度信息，当感测到的温度在与第一范围不同的第二范围内时，所述响应的至少一个保留位包括温度信息，温度信息提供关于感测到的温度的信息，所述单个接收的命令为读取状态请求命令，所述读取状态请求命令请求关于存储器装置的状态信息，所述状态信息包括温度信息，

其中，感测的步骤通过接收程序命令、读取命令和擦除命令中的至少一个被触发，

其中，每当预定的数量的正常操作被执行时，读取状态请求命令被生成，

其中，第一范围和第二范围基于针对存储器装置的错误的发生而被设置。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述状态信息还包括指示存储器装置是否为忙碌和就绪中的一个状态的读取状态信息。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：在任何时间接收所述单个接收的命令。

4.如权利要求1所述的方法，还包括：不管存储器装置是否处于就绪状态都接收所述单个接收的命令。

5.如权利要求1所述的方法，其中，温度信息为多个索引值中的一个，所述多个索引值中的每个索引值与不同的温度范围相关联。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

存储感测到的温度，

其中，针对多个感测到的温度，温度信息指示由程序命令触发的感测到的温度。

7.如权利要求1所述的方法，其中，感测的步骤通过接收所述单个接收的命令被触发。

8.如权利要求1所述的方法，其中，温度信息指示来自多个不同的范围的温度的一个范围。

9.一种控制存储器装置的方法，包括：

将用于感测温度的模式信号输入到存储器装置；

通过存储器装置来感测存储器装置的温度；

在模式信号指示正常模式的情况下，通过存储器装置来生成针对读取状态命令的响应，所述响应包括状态信息，如果所述状态信息不包括温度信息，则所述状态信息指示感测到的温度在第一范围内，如果所述响应的至少一个保留位中的所述状态信息包括温度信息，则所述状态信息指示感测到的温度在除第一范围以外的至少一个范围内，温度信息指示至少一个其他范围，

其中，感测的步骤通过接收程序命令、读取命令和擦除命令中的至少一个被触发，

其中，每当预定的数量的正常操作被执行时，读取状态命令被生成，

其中，第一范围和所述至少一个范围基于针对存储器装置的错误的发生而被设置。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：不管存储器装置是否处于就绪状态都接收所述读取状态命令。

11.如权利要求9所述的方法，其中，温度信息为多个索引值中的一个，所述多个索引值中的每个索引值与不同的温度范围相关联。

12.如权利要求9所述的方法，其中，感测的步骤通过接收所述读取状态命令被触发。

13.如权利要求9所述的方法，还包括：

存储感测到的温度，

其中，针对多个感测到的温度，温度信息指示由程序命令触发的感测到的温度。

14.一种控制存储器装置的方法，包括：

将用于感测温度的模式信号输入到存储器装置；

不管存储器装置的就绪状态如何，都通过控制器将单个命令发送到存储器装置；

在模式信号指示正常模式的情况下，响应于所述单个命令通过控制器接收响应，当感测到的温度在第一范围内时，所述响应不包括温度信息，当感测到的温度在与第一范围不同的第二范围内时，所述响应的至少一个保留位包括温度信息；

通过控制器基于温度信息选择性地改变针对存储器装置的至少一个存储器控制特性，

其中，所述方法还包括：通过存储器装置来感测存储器装置的温度，温度信息提供关于感测到的温度的信息，

其中，感测的步骤通过接收程序命令、读取命令和擦除命令中的至少一个被触发，

其中，每当预定的数量的正常操作被执行时，所述单个命令被生成，

其中，第一范围和第二范围基于针对存储器装置的错误的发生而被设置。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述单个命令为温度信息请求命令，所述温度信息请求命令请求温度信息。

16.如权利要求14所述的方法，其中，

所述单个命令为读取状态请求命令，所述读取状态请求命令请求关于存储器装置的状态信息；

接收的步骤接收包括温度信息的状态信息。

17.如权利要求14所述的方法，其中，接收的步骤包括接收包括温度信息的关于存储器装置的状态信息。

18.如权利要求14所述的方法，其中，存储器控制特性包括：读取电压、增量阶跃脉冲程序电压、擦除电压、程序验证电压和将电压施加到存储器装置的持续时间中的一个。

Images