CN105408972A - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升的电子部件。在线圈(L)设置有在上下方向排列的两个线圈导体并联连接而构成的并联部(20)、以及在上下方向排列的三个线圈导体并联连接而构成的并联部(22)。在从右侧俯视时区域(A1)中的并联部(20)的数目在并联部(20)的数目与并联部(22)的数目的合计中所占的比例，比在从右侧俯视时区域(A2)中的并联部(20)的数目在并联部(20)的数目与并联部(22)的数目的合计中所占的比例高。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及电子部件，更特定来说，涉及层叠型线圈部件。

背景技术

作为以往的与电子部件有关的发明，例如，已知有专利文献1所记载的电子部件。该电子部件内置通过由通孔导体连接多个线圈导体而构成的线圈。另外，在层叠方向相邻的两个线圈导体成相同形状，并通过通孔导体并联连接。在以上那样的专利文献1所记载的电子部件中，线圈的直流电阻值较小，抑制线圈中的发热，抑制电子部件的温度上升。

然而，在专利文献1所记载的电子部件中，全部的线圈导体两两并联连接。因此，存在电子部件的层叠方向的长度较长这样的问题。

专利文献1：日本特开平11－260644号公报(图36)

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升的电子部件。

本发明的一方式所涉及的电子部件的特征在于，具备：层叠体，其为在层叠方向层叠多个绝缘体层而构成的长方体状的层叠体，上述层叠体具有上述多个绝缘体层的外缘连接形成的第一侧面；线圈，其为设置在上述层叠体且通过由贯通上述绝缘体层通孔导体连接多个线圈导体而构成的线圈，上述线圈是在旋转的同时在层叠方向行进的螺旋状；第一外部电极，其至少设置在上述第一侧面；以及第二外部电极，其与上述第一外部电极相比设置在层叠方向的另一侧，并且至少设置在上述第一侧面，在上述线圈设置有设置有第一并联部以及第二并联部，上述第一并联部在层叠方向上排列的m个上述线圈导体的至少一部分并联连接而构成，上述第二并联部在层叠方向上排列的n个上述线圈导体的至少一部分并联连接而构成，m以及n是自然数，n比m大，在从上述第一侧面的法线方向俯视时与上述第一外部电极重合的第一区域中的上述第一并联部的数目在该第一并联部的数目与上述第二并联部的数目的合计中所占的比例，比在从该第一侧面的法线方向俯视时不与该第一外部电极以及上述第二外部电极重合的第二区域中的上述第一并联部的数目在该第一并联部的数目与上述第二并联部的数目的合计中所占的比例高。

根据本发明，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。

附图说明

图1是电子部件的外观立体图。

图2是电子部件的层叠体的分解立体图。

图3是图1的电子部件的A－A上的剖面结构图。

图4A是第二实施方式所涉及的电子部件的层叠体的分解立体图。

图4B是第二实施方式所涉及的电子部件的层叠体的分解立体图。

图4C是图1的电子部件的A－A上的剖面结构图。

图4D是图1的电子部件的A－A上的剖面结构图。

图5是第一变形例所涉及的电子部件的层叠体的一部分的分解立体图。

图6是第二变形例所涉及的电子部件的层叠体的一部分的分解立体图。

具体实施方式

(第一实施方式)

(电子部件的结构)

以下，参照附图对第一实施方式所涉及的电子部件10a的结构进行说明。图1是电子部件10a～10f的外观立体图。图2是电子部件10a的层叠体12的分解立体图。图3是图1的电子部件10a的A－A的剖面结构图。此外，在图3中，为了防止附图变得繁琐，省略层叠体12的影线。以下，将层叠方向定义为上下方向，将从上侧俯视时，层叠体12的两边延伸的方向定义为前后方向以及左右方向。

如图1以及图2所示，电子部件10a具备层叠体12、外部电极14a、14b、线圈L以及通孔导体v1～v3、v57～v60。

层叠体12呈长方体状，从上侧向下侧依次层叠绝缘体层16a～16z、16aa～16nn而构成。层叠体12具有上面、下面、前面、背面、右面以及左面。如图2所示，绝缘体层16a～16z、16aa～16nn呈长方形，例如，通过由Ni－Cu－Zn系铁氧体构成的磁性体材料制成。以下，将绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的上侧的面称为表面，将绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的下侧的面称为里面。层叠体12的上面是绝缘体层16a的表面。层叠体12的下面是绝缘体层16nn的里面。层叠体12的前面、背面、右面以及左面由绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的外缘连接形成。

外部电极14a横跨上面以及与上面邻接的四个侧面(前面、背面、右面以及左面)设置。即，外部电极14a覆盖上面的整体，并覆盖四个侧面的一部分。但是，外部电极14a只要至少设置在前面即可。

外部电极14b与外部电极14a相比设置在下侧，并且，横跨下面以及与下面邻接四个侧面(前面、背面、右面以及左面)设置。即，外部电极14b覆盖下面的整体，并且覆盖四个侧面的一部分。但是，外部电极14b只要至少设置在前面即可。

线圈L在从上侧俯视时成逆时针旋转并且朝向下侧行进的螺旋状，包括线圈导体18a～18z、18aa～18hh以及通孔导体v4～v56。线圈导体18a～18z、18aa～18hh以及通孔导体v4～v56例如通过以Ag为主成分的导电性材料制成。

如图2所示，线圈导体18a～18z、18aa～18hh从上侧俯视时，相互重合并形成沿绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的外缘的长方形(环状)的轨道R。即，轨道R的左右的两条边与绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的左右的两条边平行，轨道R的前后的两条边与绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的前后的两条边平行。

线圈导体18a～18z、18aa～18hh是分别设置在绝缘体层16d～16z、16aa～16kk的表面上，并逆时针旋转的线状导体。线圈导体18a～18z、18aa～18hh具有1/2周的长度。具体而言，线圈导体18a、18b、18e，、18f、18i～18k、18o～18q、18u～18w、18aa、18bb、18ee、18ff与轨道R的左侧的边以及后侧的边重合。线圈导体18c、18d、18g、18h、18l～18n、18r～18t、18x～18z、18cc、18dd、18gg、18hh与轨道R的右侧的边以及前侧的边重合。以下，在从上侧俯视线圈导体18a～18z、18aa～18hh时，将逆时针的上游侧的端部称为上游端，将逆时针的下游侧的端部称为下游端。

通孔导体v4在上下方向贯通绝缘体层16d，连接线圈导体18a的上游端和线圈导体18b的上游端。通孔导体v5在上下方向贯通绝缘体层16d，连接线圈导体18a的下游端和线圈导体18b的下游端。由此，在上下方向排列且具有相同形状的两个线圈导体18a与线圈导体18b相互并联连接，构成并联部20a。

通孔导体v6在上下方向贯通绝缘体层16e，连接线圈导体18b的下游端与线圈导体18c的上游端。

通孔导体v7、v8与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈导体18c、18d。由此，线圈导体18c、18d构成并联部20b。

通孔导体v9在上下方向贯通绝缘体层16g，连接线圈导体18d的下游端与线圈导体18e的上游端。

通孔导体v10、v11与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈导体18e、18f。由此，线圈导体18e、18f构成并联部20c。

通孔导体v12在上下方向贯通绝缘体层16i，连接线圈导体18f的下游端与线圈导体18g的上游端。

通孔导体v13、v14与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈导体18g、18h。由此，线圈导体18g、18h构成并联部20d。

通孔导体v15在上下方向贯通绝缘体层16k，连接线圈导体18h的下游端与线圈导体18i的上游端。

通孔导体v16在上下方向贯通绝缘体层16l，连接线圈导体18i的上游端与线圈导体18j的上游端。通孔导体v17在上下方向贯通绝缘体层16l，连接线圈导体18i的下游端与线圈导体18j的下游端。通孔导体v18在上下方向贯通绝缘体层16m，连接线圈导体18j的上游端与线圈导体18k的上游端。通孔导体v19在上下方向贯通绝缘体层16m，连接线圈导体18j的下游端与线圈导体18k的下游端。由此，在上下方向排列且具有相同形状的三个线圈导体18i、线圈导体18j以及线圈导体18k相互并联连接，构成并联部22a。

通孔导体v20在上下方向贯通绝缘体层16n，连接线圈导体18k的下游端与线圈导体18l的上游端。

通孔导体v21～v24与通孔导体v16～v19相同，并联连接线圈导体18l、18m、18n。由此，线圈导体18l、18m、18n构成并联部22b。

通孔导体v25在上下方向贯通绝缘体层16q，连接线圈导体18n的下游端与线圈导体18o的上游端。

通孔导体v26～v29与通孔导体v16～v19相同，并联连接线圈导体18o、18p、18q。由此，线圈导体18o、18p、18q构成并联部22c。

通孔导体v30在上下方向贯通绝缘体层16t，连接线圈导体18q的下游端与线圈导体18r的上游端。

通孔导体v31～v34与通孔导体v16～v19相同，并联连接线圈导体18r、18s、18t。由此，线圈导体18r、18s、18t构成并联部22d。

通孔导体v35在上下方向贯通绝缘体层16w，连接线圈导体18t的下游端与线圈导体18u的上游端。

通孔导体v36～v39与通孔导体v16～v19相同，并联连接线圈导体18u、18v、18w。由此，线圈导体18u、18v、18w构成并联部22e。

通孔导体v40在上下方向贯通绝缘体层16z，连接线圈导体18w的下游端与线圈导体18x的上游端。

通孔导体v41～v44与通孔导体v16～v19相同，并联连接线圈导体18x、18y、18z。由此，线圈导体18x、18y、18z构成并联部22f。

通孔导体v45在上下方向贯通绝缘体层16cc，连接线圈导体18z的下游端与线圈导体18aa的上游端。

通孔导体v46在上下方向贯通绝缘体层16dd，连接线圈导体18aa的上游端与线圈导体18bb的上游端。通孔导体v47在上下方向贯通绝缘体层16dd，连接线圈导体18aa的下游端与线圈导体18bb的下游端。由此，在上下方向排列且具有相同形状的两个线圈导体18aa和线圈导体18bb相互并联连接，构成并联部20e。

通孔导体v48在上下方向贯通绝缘体层16ee，连接线圈导体18bb的下游端与线圈导体18cc的上游端。

通孔导体v49、v50与通孔导体v46、v47相同，并联连接线圈导体18cc、18dd。由此，线圈导体18cc、18dd构成并联部20f。

通孔导体v51在上下方向贯通绝缘体层16gg，连接线圈导体18dd的下游端与线圈导体18ee的上游端。

通孔导体v52、v53与通孔导体v46、v47相同，并联连接线圈导体18ee、18ff。由此，线圈导体18ee、18ff构成并联部20g。

通孔导体v54在上下方向贯通绝缘体层16ii，连接线圈导体18ff的下游端与线圈导体18gg的上游端。

通孔导体v55、v56与通孔导体v46、v47相同，并联连接线圈导体18gg、18hh。由此，线圈导体18gg、18hh构成并联部20h。

如以上那样，在线圈L设置有并联部20a～20h、22a～22f。以下，有时总称并联部20a～20h、22a～22f为并联部20、22。

通孔导体v1～v3分别在上下方向贯通绝缘体层16a～16c，并相互连接从而构成一个通孔导体。另外，通孔导体v1～v3连接外部电极14a与线圈导体18a的上游端。

通孔导体v57～v60分别在上下方向贯通绝缘体层16kk～16nn，并相互连接从而构成一个通孔导体。另外，通孔导体v57～v60连接外部电极14b与线圈导体18hh的下游端。

在如以上那样构成的电子部件10a中，如图3所示，将从前侧(前面的法线方向)俯视时与外部电极14a、14b重合的区域分别定义为区域A1、A3。另外，将从前侧俯视时不与外部电极14a、14b重合的区域定义为区域A2。这里，从前侧俯视时与外部电极14a重合的区域是从层叠体12的上表面到外部电极14a中向前面、背面、右面以及左面折回的部分的下端之间的区域。另外，从前侧俯视时与外部电极14b重合的区域是从层叠体12的下面到外部电极14b中向前面、背面、右面以及左面折回的部分的上端之间的区域。

在区域A1中，与并联部22的数目相比并联部20的数目较多，与构成并联部22的线圈导体的数目相比构成并联部20的线圈导体的数目较多。在本实施方式中，线圈L在区域A1中仅由并联部20构成。

在区域A3中，与并联部22的数目相比并联部20的数目较多，与构成并联部22的线圈导体的数目相比构成并联部20的线圈导体的数目较多。在本实施方式中，线圈L在区域A3中仅由并联部20构成。

另一方面，在区域A2中，与并联部20的数目相比并联部22的数目较多，与构成并联部20的线圈导体的数目相比构成并联部22的线圈导体的数目较多。在本实施方式中，线圈L由两个并联部20以及六个并联部22构成，具体而言，在区域A2中由并联部20d、20e、22a～22f构成。因此，在区域A2包含有四个构成并联部20d、20e的线圈导体，且包含有十八个构成并联部22a～22f的线圈导体。

在区域A1～A3中，并联部20、22通过如上述那样配置，区域A1中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第一比例比区域A2中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第二比例高。在本实施方式中，第一比例为1(＝3/3)，第二比例为0.25(＝2/8)。另外，区域A3中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第三比例比区域A2中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第二比例高。在本实施方式中，第三比例为1(＝3/3)，第二比例为0.25(＝2/8)。

(电子部件的制造方法)

参照附图对如以上那样构成的电子部件10a的制造方法进行说明。

首先，形成应该成为图2所示的绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的陶瓷生片。具体而言，将以规定的比例称量三氧化二铁(Fe₂O₃)、氧化锌(ZnO)以及氧化铜(CuO)以及氧化镍(NiO)后的各个材料作为原材料投入球磨机，并进行湿式调和。使得到的混合物干燥后进行粉碎，并以800℃煅烧一小时得到的粉末。在球磨机湿式粉碎得到的煅烧粉末之后，进行干燥后进行破碎，得到铁氧体陶瓷粉末。

对该铁氧体陶瓷粉末加入结合剂(乙酸乙烯、水溶性丙烯酸等)、增塑剂、润湿剂、分散剂并利用球磨机进行混合，其后，通过减压进行脱泡。通过刮涂法在载片上将得到的陶瓷浆料形成为片状并使其干燥，制成应该成为绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的陶瓷生片。

接下来，在应该成为绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的陶瓷生片的各个形成通孔导体v1～v60。具体而言，对应该成为绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的陶瓷生片照射激光束来形成通孔。接下来，通过打印涂覆等方法对该通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或者它们的合金等的导电膏。

接下来，在应该成为绝缘体层16d～16z、16aa～16kk的陶瓷生片上形成线圈导体18a～18z、18aa～18hh。具体而言，利用丝网印刷法、光刻法等方法在应该成为绝缘体层16d～16z、16aa～16kk的陶瓷生片上涂覆以Ag、Pd、Cu、Au或者它们的合金等为主成分的导电膏，从而形成线圈导体18a～18z、18aa～18hh。此外，形成线圈导体18a～18z、18aa～18hh的工序和对通孔填充导电膏的工序也可以在相同的工序中进行。

接下来，如图2所示，依次层叠、压接应该成为绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的陶瓷生片。应该成为绝缘体层16a～16z、16aa～16nn的陶瓷生片的层叠、压接在一个一个地层叠并预压接之后，通过静水压冲压机等对未烧制的母层叠体进行加压来进行正式压接。由此，得到未烧制的母层叠体。

接下来，通过切削刀将母层叠体切削为规定尺寸的层叠体12。由此得到未烧制的层叠体12。对该未烧制的层叠体12进行脱粘合剂处理以及烧制。脱粘合剂处理例如，在低氧环境气中以500℃的条件进行两小时。烧制例如，以870℃～900℃的条件进行2.5小时。

接下来，对层叠体12实施滚筒抛光，进行磨边。其后，在层叠体12的表面，例如，通过浸渍法等方法涂覆以及烧结主成分为银的电极膏，形成应该成为外部电极14a、14b的银电极。银电极的烧结以800℃进行一小时。

最后，通过在银电极的表面实施镀Ni以及镀Sn，形成外部电极14a、14b。经由以上的工序，图1所示那样的电子部件10a完成。

(效果)

根据如以上那样构成的电子部件10a，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。更详细地说，在专利文献1所记载的电子部件中，全部的线圈导体两两并联连接。这样，若并联连接全部的线圈导体相同的数目，则虽然能够抑制电子部件的温度上升，但电子部件的层叠方向的长度变长。

因此，在电子部件10a中，在散热性相对较高的区域A1、A3中与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制，在散热性相对较低的区域A2中与元件的大型化的抑制相比优先元件的温度上升的抑制。更详细地说，区域A1、A3是从前侧俯视时与外部电极14a、14b重合的区域。另外，区域A2是从前侧俯视时不与外部电极14a、14b重合的区域。外部电极14a、14b一般来说由金属制成，所以具有较高的散热性。因此，在电子部件10a中，区域A1、A3中的散热性比区域A2中的散热性高。

另外，在并联部22a～22f中并联连接三个线圈导体，在并联部20a～20h中并联连接两个线圈导体。因此，并联部22a～22f中的直流电阻值比并联部20a～20h中的直流电阻值小。即，并联部22a～22f中的发热量比并联部20a～20h中的发热量少。

另外，在并联部20a～20h中，并联连接两个线圈导体，在并联部22a～22f中，并联连接三个线圈导体。因此，并联部20a～20h的上下方向的宽度比并联部22a～22f的上下方向的宽度小。这样，在并联部20中，与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制。在并联部22中，与元件的大型化的抑制相比优先元件的温度上升的抑制。

因此，在电子部件10a中，区域A1中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第一比例比区域A2中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第二比例高。并且，区域A3中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第三比例比区域A2中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第二比例高。

由此，在区域A1、A3中，并联部20的比例相对较高所以与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制，在区域A2中，并联部20的比例相对较低所以与元件的大型化的抑制相比优先元件的温度上升的抑制。如以上那样，在电子部件10a中，根据层叠体12的区域A1～A3的特性，在区域A1～A3的各个中优先元件的大型化的抑制或者元件的温度上升的抑制的任意一个。

另外，在电子部件10a中，通过调整并联部20a～20h的数目和并联部22a～22f的数目，能够调整线圈L的阻抗。具体而言，通过增多并联部20a～20h的数目，或者，减少并联部22a～22h的数目，能够提高线圈L的阻抗。另外，通过减少并联部20a～20h的数目，或者，增多并联部22a～22h的数目，能够降低线圈L的阻抗。

(计算机模拟)

本申请发明者为了使电子部件10a起到的效果更明确，进行了以下说明的计算机模拟。更详细地说，制成具有图2所示的结构的第一模型，并且制成具有调换图2的并联部20和并联部22的结构的第二模型。即，在第二模型中，并联连接两个线圈导体的并联部20被并联连接三个线圈导体的并联部22从上下方向夹住。另外，制成线圈全部由并联部20构成的第三模型，并且制成线圈全部由并联部22构成的第四模型。以下，记载第一模型～第四模型的条件。此外，在第一模型～第四模型中，线圈的匝数为16匝。另外，第一模型～第四模型的左右方向的长度以及前后方向的长度为0.5mm。另外，第一模型～第四模型的外部电极14a、14b的形状以及尺寸相同。

第一模型

上侧的并联部20的圈数：4匝

上侧的并联部20的线圈导体的数目：16个

并联部22的圈数：8匝

并联部22的线圈导体的数目：48个

下侧的并联部20的圈数：4匝

下侧的并联部20的线圈导体的数目：16个

第二模型

上侧的并联部22的圈数：4匝

上侧的并联部22的线圈导体的数目：24个

并联部20的圈数：8匝

并联部20的线圈导体的数目：32个

下侧的并联部22的圈数：4匝

下侧的并联部222h的线圈导体的数目：24个

第三模型

并联部20的圈数：16匝

并联部20的线圈导体的数目：32个

第四模型

并联部22的圈数：16匝

上侧的并联部22的线圈导体的数目：48个

本申请发明者计算以上那样的第一模型～第四模型的上下方向的长度。另外，本申请发明者针对第一模型～第四模型，使计算机对流过1.3A的电流时的温度上升进行运算。表1是示出了模拟结果的表。在表1示出了第一模型～第四模型的温度上升、上下方向的长度、电感值以及温度上升除以电感值后的值。此外，温度上升以第二模型的温度上升为基准(100)。另外，温度上升除以电感值后的值也以第二模型的温度上升除以电感值后的值为基准(100)。

[表1]

根据表1，第三模型仅由发热量较大上下方向的宽度较小的并联部20构成。因此，可知在第三模型中，上下方向的长度变短，而温度上升增大。另一方面，第四模型仅由发热量较小上下方向的宽度较大的并联部22构成。因此，可知在第四模型中，温度上升变小，而上下方向的长度变长。

因此，在第一模型以及第二模型中，线圈由并联部20以及并联部22构成。由此，第一模型以及第二模型的温度上升均比第三模型的温度上升低，并且，比第四模型的温度上升高。另外，第一模型以及第二模型的上下方向的长度比第三模型的上下方向的长度长，并且，比第四模型的上下方向的长度短。即，在第一模型以及第二模型中，与第三模型以及第四模型相比，能够取得元件的大型化的抑制与元件的温度上升的抑制的平衡。

接下来，比较第一模型和第二模型。第一模型的上下方向的长度与第二模型的上下方向的长度相等。但是，第一模型的温度上升比第二模型的温度上升小。因此，可知通过不如第二模型那样使并联部20、22简单地混杂地配置，而如第一模型那样根据区域A1～A3的各个的特性配置并联部20、22，在第一模型中，能够维持上下方向的长度，并抑制元件的温度上升。根据以上的理由，在第一模型中，与第二模型相比，能够更有效地实现元件的大型化的抑制与元件的温度上升的抑制的兼得。

另外，根据表1，对于温度上升除以电感值后的值来说，第一模型最小。因此，可知在第一模型中，能够有效地实现每1μH(每单位电感值)的元件的温度上升的抑制。

(第二实施方式)

以下，参照附图对第二实施方式所涉及的电子部件10b的结构进行说明。图4A以及图4B是第二实施方式所涉及的电子部件10b的层叠体12的分解立体图。电子部件10b的外观立体图引用图1。

如图4A以及图4B所示，电子部件10b具备层叠体12、外部电极14a、14b、线圈L以及通孔导体v1～v3、v74～v77。

层叠体12呈长方体状，如图4A以及图4B所示，从上侧到下侧依次层叠绝缘体层16a～16z、16aa～16mm构成。电子部件10b的层叠体12以及绝缘体层16a～16z、16aa～16mm与电子部件10a的层叠体12以及绝缘体层16a～16z、16aa～16nn相同所以省略说明。另外，电子部件10b的外部电极14a、14b与电子部件10a的外部电极14a、14b相同所以省略说明。

线圈L从上侧俯视时成逆时针旋转并且朝向下侧行进的螺旋状，包括线圈导体18a～18z、18aa～18gg以及通孔导体v4～v73。线圈导体18a～18z、18aa～18gg以及通孔导体v4～v73例如，通过以Ag为主成分的导电性材料制成。

如图2所示，从上侧俯视时，线圈导体18a～18z、18aa～18gg相互重合形成沿绝缘体层16a～16z、16aa～16mm的外缘的长方形(环状)的轨道R。即，轨道R的左右的两条边与绝缘体层16a～16z、16aa～16mm的左右的两条边平行，轨道R的前后的两条边与绝缘体层16a～16z、16aa～16mm的前后的两条边平行。

线圈导体18a～18z、18aa～18gg是分别设置在绝缘体层16d～16z、16aa～16jj的表面上，并逆时针旋转的线状导体。线圈导体18a～18z、18aa～18gg分别具有1/2周的长度，包括线圈部18a－1～18z－1、18aa－1～18gg－1以及线圈部18a－2～18z－2、18aa－2～18gg－2。

线圈部18a－1、18d－2、18e－1、18h－2、18i－1、18j－1、18n－2、18o－1、18p－1、18t－2、18u－1、18v－1、18z－2、18aa－1、18dd－2、18ee－1与轨道R的后侧的边重合。线圈部18a－2、18b－1、18e－2、18f－1、18i－2、18j－2、18k－1、18o－2、18p－2、18q－1、18u－2、18v－2、18w－1、18aa－2、18bb－1、18ee－2、18ff－1与轨道R的左侧的边重合。线圈部18b－2、18c－1、18f－2、18g－1、18k－2、18l－1、18m－1、18q－2、18r－1、18s－1、18w－2、18x－1、18y－1、18bb－2、18cc－1、18ff－2、18gg－1与轨道R的前侧的边重合。线圈部18c－2、18d－1、18g－2、18h－1、18l－2、18m－2、18n－1、18r－2、18s－2、18t－1、18x－2、18y－2、18z－1、18cc－2、18dd－1、18gg－2与轨道R的右侧的边重合。以下，在从上侧俯视线圈导体18a～18z、18aa～18gg时，将逆时针的上游侧的端部称为上游端，将逆时针的下游侧的端部称为下游端。

通孔导体v4在上下方向贯通绝缘体层16d，连接线圈部18a－1的下游端以及线圈部18a－2的上游端与线圈部18b－1的上游端。通孔导体v5在上下方向贯通绝缘体层16d，连接线圈部18a－2的下游端与线圈部18b－1的下游端以及线圈部18b－2的上游端。由此，在上下方向排列的两个线圈部18a－2与线圈部18b－1相互并联连接，构成联部20a。

通孔导体v6、v7与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈部18b－2、18c－1。由此，线圈部18b－2、18c－1构成并联部20b。

通孔导体v8、v9与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈部18c－2、18d－1。由此，线圈部18c－2、18d－1构成并联部20c。

通孔导体v10、v11与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈部18d－2、18e－1。由此，线圈部18d－2、18e－1构成并联部20d。

通孔导体v12、v13与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈部18e－2、18f－1。由此，线圈部18e－2、18f－1构成并联部20e。

通孔导体v14、v15与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈部18f－2、18g－1。由此，线圈部18f－2、18g－1构成并联部20f。

通孔导体v16、v17与通孔导体v4、v5相同，并联连接线圈部18g－2、18h－1。由此，线圈部18g－2、18h－1构成并联部20g。

通孔导体v18在上下方向贯通绝缘体层16k，连接线圈部18h－1的下游端以及线圈部18h－2的上游端与线圈部18i－1的上游端。通孔导体v19在上下方向贯通绝缘体层16k，连接线圈部18h－2的下游端与线圈部18i－1的下游端以及线圈部18i－2的上游端。通孔导体v20在上下方向贯通绝缘体层16l，连接线圈部18i－1的上游端与线圈部18j－1的上游端。通孔导体v21在上下方向贯通绝缘体层16l，连接线圈部18i－1的下游端以及线圈部18i－2的上游端与线圈部18j－1的下游端以及线圈部18j－2的上游端。由此，在上下方向排列的三个线圈部18h－2、线圈部18i－1以及线圈部18j－1相互并联连接，构成并联部22a。

通孔导体v21～v24与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18i－2、18j－2、18k－1。由此，线圈部18i－2、18j－2、18k－1构成并联部22b。

通孔导体v25～v28与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18k－2、18l－1、18m－1。由此，线圈部18k－2、18l－1、18m－1构成并联部22c。

通孔导体v28～v31与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18l－2、18m－2、18n－1。由此，线圈部18l－2、18m－2、18n－1构成并联部22d。

通孔导体v32～v35与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18n－2、18o－1、18p－1。由此，线圈部18n－2、18o－1、18n－1构成并联部22e。

通孔导体v35～v38与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18o－2、18p－2、18q－1。由此，线圈部18o－2、18p－2、18q－1构成并联部22f。

通孔导体v39～v42与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18q－2、18r－1、18s－1。由此，线圈部18q－2、18r－1、18s－1构成并联部22g。

通孔导体v42～v45与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18r－2、18s－2、18t－1。由此，线圈部18r－2、18s－2、18t－1构成并联部22h。

通孔导体v46～v49与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18t－2、18u－1、18v－1。由此，线圈部18t－2、18u－1、18t－1构成并联部22i。

通孔导体v49～v52与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18u－2、18v－2、18w－1。由此，线圈部18u－2、18v－2、18w－1构成并联部22j。

通孔导体v53～v56与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18w－2、18x－1、18y－1。由此，线圈部18w－2、18x－1、18y－1构成并联部22k。

通孔导体v56～v59与通孔导体v18～v21相同，并联连接线圈部18x－2、18y－2、18z－1。由此，线圈部18x－2、18y－2、18z－1构成并联部22l。

通孔导体v60在上下方向贯通绝缘体层16cc，连接线圈部18z－1的下游端以及线圈部18z－2的上游端与线圈部18aa－1的上游端。通孔导体v61在上下方向贯通绝缘体层16cc，连接线圈部18z－2的下游端与线圈部18aa－1的下游端以及线圈部18aa－2的上游端。由此，在上下方向排列的两个线圈部18z－2和线圈部18aa－1相互并联连接，构成并联部20h。

通孔导体v62、v63与通孔导体v60、v61相同，并联连接线圈部18aa－2、18bb－1。由此，线圈部18aa－2、18bb－1构成并联部20i。

通孔导体v64、v65与通孔导体v60、v61相同，并联连接线圈部18bb－2、18cc－1。由此，线圈部18bb－2、18cc－1构成并联部20j。

通孔导体v66、v67与通孔导体v60、v61相同，并联连接线圈部18cc－2、18dd－1。由此，线圈部18cc－2、18dd－1构成并联部20k。

通孔导体v68、v69与通孔导体v60、v61相同，并联连接线圈部18dd－2、18ee－1。由此，线圈部18dd－2、18ee－1构成并联部20l。

通孔导体v70、v71与通孔导体v60、v61相同，并联连接线圈部18ee－2、18ff－1。由此，线圈部18ee－2、18ff－1构成并联部20m。

通孔导体v72、v73与通孔导体v60、v61相同，并联连接线圈部18ff－2、18gg－1。由此，线圈部18ff－2、18gg－1构成并联部20n。

如以上那样，在线圈L设置有并联部20a～20n、22a～22l。而且，在并联部20a～20n中，在上下方向排列的两个线圈导体的一部分(线圈部)并联连接。另外，在并联部22a～22l中，在上下方向排列的三个线圈导体的一部分(线圈部)并联连接。另外，与并联部20a～20n、22a～22l的各个对应的线圈导体在从上侧俯视时，在并联连接的线圈部以外的部分并不重合。

通孔导体v1～v3分别在上下方向贯通绝缘体层16a～16c，并相互连接从而构成一个通孔导体。另外，通孔导体v1～v3连接外部电极14a与线圈导体18a的上游端。

通孔导体v74～v77分别在上下方向贯通绝缘体层16jj～16mm，并相互连接从而构成一个通孔导体。另外，通孔导体v74～v77连接外部电极14b与线圈导体18gg的下游端。

在如以上那样构成的电子部件10b中，与电子部件10a相同，线圈L在区域A1中仅由并联部20a～20c构成。另外，线圈L在区域A3中仅由并联部20l～20n构成。另一方面，线圈L在区域A2中由并联部20d～20g、22a～22l、20h～20k构成。因此，区域A1中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第一比例比区域A2中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第二比例高。并且，区域A3中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第三比例比区域A2中的并联部20的数目在并联部20的数目与并联部22的数目的合计中所占的第二比例高。

根据如以上那样构成的电子部件10b，与电子部件10a相同，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。

另外，在电子部件10b中，抑制在线圈导体间产生短路。更详细地说，在线圈导体18a～18z、18aa～18gg中，在相邻的线圈导体彼此中未并联连接的线圈部的电位不同。因此，在线圈导体18a～18z、18aa～18gg中，若在相邻的线圈导体彼此中未并联连接的线圈部经由绝缘体层对置，则有在这些线圈部间产生离子迁移的担心。其结果，有在线圈导体间产生短路的担心。

因此，并联部20a～20n、22a～22l的各个所包含的线圈导体18a～18z、18aa～18gg在从上侧俯视时，并联连接的线圈部以外的部分并不重合。由此，在上下方向相邻的线圈导体18a～18z、18aa～18gg中，未并联连接的线圈部并不经由绝缘体层对置。其结果，抑制由于未并联连接的部分经由多个绝缘层对置，而在线圈导体18a～18z、18aa～18gg中产生短路。

(第三实施方式)

以下，参照附图对第三实施方式所涉及的电子部件10c的结构进行说明。图4C是图1的电子部件10c的A－A上的剖面结构图。

电子部件10c在设置在区域A1～A3的各个的并联部20的数目以及并联部22的数目方面与电子部件10a不同。

在电子部件10c中，在区域A1从上侧向下侧依次设置有并联部20a以及并联部22a。由此，设置于区域A1的并联部20a、22a中并联部20a设置在最上侧。另外，在区域A1中，并联部20的数目(一个)与并联部22(一个)的数目相等。

在区域A3从上侧向下侧依次设置有并联部22h以及并联部20d。由此，设置于区域A3的并联部20d、22h中并联部20d设置在最下侧。另外，在区域A3中，并联部20的数目(一个)与并联部22的数目(一个)相等。

在区域A2从上侧向下侧依次排列设置并联部20b、并联部22b～22g以及并联部20c。由此，设置于区域A2的并联部20b、20c、22b～22g中并联部20b设置在最上侧。设置于区域A2的并联部20b、20c、22b～22g中并联部20c设置在最下侧。另外，区域A2中的并联部22的数目(六个)比区域A1中的并联部22的数目(一个)多。区域A2中的并联部22的数目(六个)比区域A3中的并联部22的数目(一个)多。

另外，将在上下方向连续地排列的至少一个以上的并联部20的集合作为第一组。具体而言，并联部20a属于第一组G11。并联部20b属于第一组G12。并联部20c属于第一组G13。并联部20d属于第一组G14。

另外，将在上下方向连续地排列的至少一个以上的并联部22的集合作为第二组。具体而言，并联部22a属于第二组G21。并联部22b～22g属于第二组G22。并联部22h属于第二组G23。

以上那样的第一组G11～G14的数目与第二组G21～G23的数目的合计在四个以上，在本实施方式中为七个。而且，第一组G11～G14与第二组G21～G23在上下方向交替地排列。在本实施方式中，按照第一组G11、第二组G21、第一组G12、第二组G22、第一组G13、第二组G23、第一组G14的顺序从上侧向下侧排列。

根据如以上那样构成的电子部件10c，与电子部件10a相同，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。

另外，根据电子部件10c，由于以下的理由，也能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。在电子部件10c中，外部电极14a覆盖上面。因此，在区域A1中，随着接近上面而散热性变高。因此，在区域A1的上端附近中，能够与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制。因此，设置于区域A1的并联部20a、22a中，与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制的并联部20a设置在最上侧。由此，根据电子部件10c，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。此外，在区域A3中，根据与区域A1相同的理由，也能够实现元件的大型化的抑制，并实现元件的温度上升的抑制。

另外，根据电子部件10c，根据以下的理由，也能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。在电子部件10c中，外部电极14a设置在区域A2的上侧。因此，在区域A2中，随着向上侧行进而散热性提高。因此，在区域A2的上端附近，能够与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制。因此，设置于区域A2的并联部20b、20c、22b～22g中，与元件的温度上升的抑制相比优先元件的大型化的抑制的并联部20b设置在最上侧。由此，根据电子部件10c，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。

第四实施方式)

以下，参照附图对第四实施方式所涉及的电子部件10d的结构进行说明。图4D是图1的电子部件10d的A－A上的剖面结构图。

电子部件10d在设置在区域A1～A3的各个的并联部20的数目以及并联部22的数目方面与电子部件10c不同。

在电子部件10d中，在区域A1从上侧向下侧依次排列设置并联部20a、20b以及并联部22a、22b。由此，设置于区域A1的并联部20a、20b、22a、22b中并联部20a设置在最上侧。另外，在区域A1中，并联部20的数目(两个)与并联部22(两个)的数目相等。

在区域A3从上侧向下侧依次设置有并联部22h、22i以及并联部20d、20e。由此，设置于区域A3的并联部20d、20e、22h、22i中并联部20e设置在最下侧。另外，在区域A3中，并联部20的数目(两个)与并联部22的数目(两个)相等。

在区域A2从上侧向下侧依次排列设置并联部20c、并联部22c～22g。由此，设置于区域A2的并联部20c、22c～22g中并联部20c设置在最上侧。另外，区域A2中的并联部22的数目(五个)比区域A1中的并联部22的数目(两个)多。区域A2中的并联部22的数目(五个)比区域A3中的并联部22的数目(两个)多。并且，区域A1中的并联部20的数目(两个)比区域A2中的并联部20的数目(一个)多。区域A3中的并联部20的数目(两个)比区域A2中的并联部20的数目(一个)多。

根据如以上那样构成的电子部件10d，与电子部件10a、10c相同，能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升。

(第一变形例)

以下，参照附图对第一变形例所涉及的电子部件10e进行说明。图5是第一变形例所涉及的电子部件10e的层叠体12的一部分的分解立体图。对于电子部件10e的外观立体图引用图1。

在电子部件10a～10d中，在上下方向排列的两个线圈导体的至少一部分并联连接从而构成并联部20，在上下方向排列的三的线圈导体的至少一部分并联连接从而构成并联部22。

另一方面，在电子部件10e中，通过并联连接在上下方向排列的两个线圈导体的至少一部分来构成并联部20，通过并联连接在上下方向排列的四个线圈导体的至少一部分来构成并联部22。电子部件10e的并联部20与电子部件10b的并联部20相同所以省略说明。

线圈导体18a～18i是分别设置在绝缘体层16a～16i的表面上，并逆时针旋转的线状导体。线圈导体18a～18i分别具有1/2周的长度，包括线圈部18a－1～18i－1以及线圈部18a－2～18i－2。

线圈部18a－2、18b－1、18c－1、18d－1、18i－2与轨道R的后侧的边重合。线圈部18b－2、18c－2、18d－2、18e－1与轨道R的左侧的边重合。线圈部18e－2、18f－1、18g－1、18h－1与轨道R的前侧的边重合。线圈部18a－1、18f－2、18g－2、18h－2、18i－1与轨道R的右侧的边重合。以下，在从上侧俯视线圈导体18a～18j时，将逆时针的上游侧的端部称为上游端，将逆时针的下游侧的端部称为下游端。

线圈部18a－2、18b－1、18c－1、18d－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22a。线圈部18b－2、18c－2、18d－2、18e－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22b。线圈部18e－2、18f－1、18g－1、18h－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22c。线圈部18f－2、18g－2、18h－2、18i－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22d。

以上那样的并联部22也可以置换为电子部件10b的并联部22。此外，虽然图5中的绝缘体层16a～16j与图2以及图4A中的绝缘体层16a～16j为了方便附加了相同的符号，但并不是同一绝缘体层。

(第二变形例)

以下，参照附图对第二变形例所涉及的电子部件10f进行说明。图6是第二变形例所涉及的电子部件10f的层叠体12的一部分的分解立体图。对于电子部件10f的外观立体图引用图1。

电子部件10f在并联部22的结构方面与电子部件10e不同。更详细地说，线圈导体18a～18i是分别设置在绝缘体层16a～16i的表面上，并逆时针旋转的线状导体。线圈导体18a～18i分别具有1/2周的长度，包括线圈部18a－1～18i－1以及线圈部18a－2～18i－2。

线圈部18a－1、18b－1、18g－2、18h－2、18i－1、18j－1与轨道R的后侧的边重合。线圈部18a－2、18b－2、18c－1、18d－1、18i－2、18j－2与轨道R的左侧的边重合。线圈部18c－2、18d－2、18e－1、18f－1与轨道R的前侧的边重合。线圈部18e－2、18f－2、18g－1、18h－1与轨道R的右侧的边重合。以下，在从上侧俯视线圈导体18a～18j时，将逆时针的上游侧的端部称为上游端，将逆时针的下游侧的端部称为下游端。

线圈部18a－2、18b－2、18c－1、18d－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22a。线圈部18c－2、18d－2、18e－1、18f－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22b。线圈部18e－2、18f－2、18g－1、18h－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22c。线圈部18g－2、18h－2、18i－1、18j－1通过通孔导体并联连接，从而构成并联部22d。

以上那样的并联部22也可以置换为电子部件10b的并联部22。此外，虽然图6中的绝缘体层16a～16j与图2以及图4A中的绝缘体层16a～16j为了方便附加了相同的符号，但并不是同一绝缘体层。

(其他的实施方式)

本发明所涉及的电子部件并不限定于上述电子部件10a～10f，在其主旨的范围内能够变更。

此外，也可以组合电子部件10a～10f的结构。

另外，在电子部件10a～10d中，并联部20通过并联连接两个线圈导体的至少一部分而构成，并联部22通过并联连接三个线圈导体的至少一部分而构成。然而，并联连接线圈导体的数目并不限定于此。并联部20通过并联连接m个线圈导体的至少一部分而构成，并联部22通过并联连接n个线圈导体的至少一部分而构成。此时，需要m以及n为自然数，且n比m大。另外，在m＝1的情况下，在并联部20仅设置有一个线圈导体。该情况下，虽然线圈导体并未并联连接，但为了方便，称为并联连接了一个线圈导体的并联部20。

此外，在电子部件10a、10b、10e、10f中，也可以在区域A1设置并联部22。另外，在电子部件10a、10b、10e、10f中，也可以不在区域A2设置并联部20。

此外，也可以在绝缘体层上设置中继线圈L的两端与外部电极14a、14b的连接的引出导体。例如，在图2所示的电子部件10a中，线圈L经由通孔导体v1～v3与外部电极14a连接，线圈L经由通孔导体v57～v60与外部电极14b连接。也可以代替通孔导体v1～v3，而设置从线圈导体18a的上游端向绝缘体层16d的右侧的边引出的引出导体。同样地，也可以代替通孔导体v57～v60，而设置从线圈导体18hh的下游端向绝缘体层16kk的后侧的边引出的引出导体。该情况下，引出导体并不是线圈L的一部分，而从环状的轨道R突出。即，在整体与轨道R重合的情况下为线圈导体，在至少一部分从轨道R突出的情况下为引出导体。

此外，存在并联部20、22横跨两个区域的情况。例如，存在并联部22的两个线圈设置在区域A1，并联部22的一个线圈设置在区域A2的情况。该情况下，设置于区域A1、A2的并联部22的数目利用分数表现即可。具体而言，该并联部22的1/3设置于区域A1，并联部22的2/3设置于区域A2。对于并联部20也一样。

如以上那样，本发明对电子部件有用，特别是，在能够抑制元件的大型化，并抑制元件的温度上升这一点优异。

附图标记的说明

A1～A3…区域，L…线圈，10a～10f…电子部件，12…层叠体，14a、14b…外部电极，16a～16z、16aa～16nn…绝缘体层，18a～18z、18aa～18hh…线圈导体，20a～20n，22a～22l…并联部。

Claims (10)

1.一种电子部件，其特征在于，具备：

层叠体，其为在层叠方向层叠多个绝缘体层而构成的长方体状的层叠体，上述层叠体具有上述多个绝缘体层的外缘连接形成的第一侧面；

线圈，其为设置在上述层叠体且通过由贯通上述绝缘体层通孔导体连接多个线圈导体而构成的线圈，上述线圈是在旋转的同时在层叠方向行进的螺旋状；

第一外部电极，其至少设置在上述第一侧面；以及

第二外部电极，其与上述第一外部电极相比设置在层叠方向的另一侧，并且至少设置在上述第一侧面，

在上述线圈设置有第一并联部以及第二并联部，上述第一并联部在层叠方向上排列的m个上述线圈导体的至少一部分并联连接而构成，上述第二并联部在层叠方向上排列的n个上述线圈导体的至少一部分并联连接而构成，

m以及n是自然数，

n比m大，

在从上述第一侧面的法线方向俯视时与上述第一外部电极重合的第一区域中的上述第一并联部的数目在该第一并联部的数目与上述第二并联部的数目的合计中所占的比例，比在从该第一侧面的法线方向俯视时不与该第一外部电极以及上述第二外部电极重合的第二区域中的上述第一并联部的数目在该第一并联部的数目与上述第二并联部的数目的合计中所占的比例高。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，

在从上述第一侧面的法线方向俯视时与上述第二外部电极重合的第三区域中的上述第一并联部的数目在该第一并联部的数目与上述第二并联部的数目的合计中所占的比例，比在从该第一侧面的法线方向俯视时不与该第一外部电极以及上述第二外部电极重合的第二区域中的上述第一并联部的数目在该第一并联部的数目与上述第二并联部的数目的合计中所占的比例高。

3.根据权利要求1或者2所述的电子部件，其特征在于，

上述线圈在上述第一区域中仅由上述第一并联部构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其特征在于，

在上述第一并联部中，具有相同形状的m个上述线圈导体并联连接，

在上述第二并联部中，具有相同形状的n个上述线圈导体并联连接。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其特征在于，

在上述第一并联部中，在层叠方向上排列的m个上述线圈导体的一部分并联连接，

在上述第二并联部中，在层叠方向排列的n个上述线圈导体的一部分并联连接，

在从层叠方向俯视时，与上述第一并联部对应的线圈导体的并联连接的部分以外的部分不重合，

在从层叠方向俯视时，与上述第二并联部对应的线圈导体的并联连接的部分以外的部分不重合。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件，其特征在于，

上述线圈导体在从层叠方向俯视时形成环状的轨道。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子部件，其特征在于，

上述层叠体具有位于层叠方向的一侧的第一表面、以及位于层叠方向的另一侧的第二表面，

上述第一外部电极横跨上述第一表面以及上述第一侧面而设置，

上述第二外部电极横跨上述第二表面以及上述第一侧面而设置。

8.根据权利要求7所述的电子部件，其特征在于，

设置于上述第一区域的上述第一并联部以及上述第二并联部中上述第一并联部设置在层叠方向的最靠近上述一侧。

9.根据权利要求7或者8中所述的电子部件，其特征在于，

设置于上述第二区域的上述第一并联部以及上述第二并联部中上述第一并联部设置在层叠方向的最靠近上述一侧。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的电子部件，其特征在于，

将在层叠方向排列的至少一个以上的上述第一并联部的集合作为第一组，

将在层叠方向排列的至少一个以上的上述第二并联部的集合作为第二组，

上述第一组的数目与上述第二组的数目的合计在四以上，

上述第一组与上述第二组在层叠方向上交替排列。