CN105316656B - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保持区域中的某一方被供给原料气体时向另一方供给吹扫气体的吹扫气体供给部、在基板保持件中被保持在第一基板保持区域与第二基板保持区域之间且划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的划分用基板、以及输出控制信号使得将包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环分别进行多次的控制部。

Description

成膜装置
本公开享有2014年7月28日申请的日本专利申请第2014-153094号以及2015年5月7日申请的日本专利申请第2015-094907号的优先权，在此将该日本申请的全部内容作为参照文献而引入。
技术领域
本发明涉及一种在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下进行成膜的成膜装置。
背景技术
在对半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板进行成膜的方法中，存在以下的ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)：向晶圆的表面供给作为成膜原料的气体(原料气体)，使晶圆的表面吸附原料气体的原子层、分子层，之后供给将该原料气体氧化、还原的反应气体来生成反应生成物，重复这些处理来使反应生成物的层沉积。有时使用在纵型的反应容器内容纳有将多个晶圆保持为架状的晶圆舟的状态下供给各气体的成膜装置来进行该ALD。
在制造半导体装置时，存在多种半导体装置各制造少量半导体的情况，在该情况下，将个数比较少的相同批次的晶圆保持在上述晶圆舟的保持区域(槽)中来进行上述ALD。在该晶圆舟中，为了防止由晶圆的个数变化引起形成于晶圆的膜的状态变化，而在未保持晶圆的上述槽中保持虚拟晶圆。
但是，在这样的处理中，存在虚拟晶圆的消耗个数变多的问题。另外，当要利用上述成膜装置进行一次成膜处理时，除了进行成膜处理所需的时间以外，还需要相对于装置搬入搬出晶圆舟的时间、相对于晶圆舟的槽搬入搬出晶圆和虚拟晶圆的时间、在进行成膜处理前将反应容器内抽成真空的时间以及在进行成膜处理前对晶圆加热的时间等。因而，当搭载于晶圆舟的晶圆的个数少时，处理某些个数的晶圆所需的成膜处理的次数增加，除了上述的进行成膜处理所需的时间以外，还需要与该次数相应的时间(开销时间)，因此，结果是，存在导致装置的生产率降低的问题。还考虑等到能够将大量的进行同种成膜处理的晶圆输送到晶圆舟为止进行成膜处理，但是，在该情况下，开始处理的定时推迟，因此难以实现装置的生产率的提高。
例如，已知以包围晶圆舟的方式在反应容器内设置隔板来对该反应容器内进行划分的成膜装置。在该成膜装置中，向划分出的各个区域供给的气体互不相同，并且，按顺序反复向该区域中的每个区域并行地供给原料气体、吹扫气体、反应气体、吹扫气体来进行处理。由此，以定时各错开一个步骤的方式在划分出的各区域中单独地进行ALD，从而能够使每单位时间供给到各区域的气体的量变大。但是，即使这样进行处理，也无法解决上述的装置的生产率的问题、虚拟晶圆的浪费的问题。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供如下一种技术：在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下进行成膜的成膜装置中，能够实现装置的生产率的提高。
用于解决问题的方案
本发明的成膜装置在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：
第一原料气体供给部、第二原料气体供给部，该第一原料气体供给部、第二原料气体供给部分别限定性地向沿着上述基板保持件中的基板的排列方向的第一基板保持区域和第二基板保持区域供给上述原料气体；
反应气体供给部，其向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域供给反应气体；
吹扫气体供给部，其在上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的某一方被供给上述原料气体时，向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的另一方供给用于防止被供给上述原料气体的吹扫气体；
划分用基板，其在上述基板保持件中被保持在上述第一基板保持区域与上述第二基板保持区域之间，将上述基板保持件划分为第一基板保持区域和第二基板保持区域；以及
控制部，其输出控制信号，使得将第一循环和第二循环分别进行多次，该第一循环包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给，该第二循环包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给。
一种成膜装置，在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：
第一反应气体供给部、第二反应气体供给部，该第一反应气体供给部、第二反应气体供给部分别限定性地向沿着上述基板保持件中的基板的排列方向的上述第一基板保持区域和第二基板保持区域供给反应气体；
原料气体供给部，其向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域供给原料气体；
吹扫气体供给部，其在上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的某一方被供给上述反应气体时，向另一方供给用于防止被供给上述反应气体的吹扫气体；
划分用基板，其在上述基板保持件中被保持在上述第一基板保持区域与上述第二基板保持区域之间，将上述基板保持件划分为第一基板保持区域和第二基板保持区域；以及
控制部，其输出控制信号，使得将第一循环和第二循环分别进行多次，该第一循环包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给，该第二循环包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给。
本发明的其它成膜装置在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：
第一原料气体供给部，其以第一流量限定性地向沿着上述基板保持件中的基板的排列方向的第一基板保持区域和第二基板保持区域中的上述第一基板保持区域供给上述原料气体；
第二原料气体供给部，其与从上述第一原料气体供给部进行的上述原料气体的供给并行地，以大于上述第一流量的第二流量限定性地向上述第二基板保持区域供给上述原料气体；
压力调整用气体供给部，其在上述第一基板保持区域和第二基板保持区域被供给原料气体时，向第一基板保持区域供给用于调整该第一基板保持区域和第二基板保持区域的压力分布的压力调整用气体；
划分用基板，其在上述基板保持件中被保持在上述第一基板保持区域与上述第二基板保持区域之间，划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域；以及
控制部，其输出控制信号，使得将以下循环分别进行多次：包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环。
附图说明
附图作为本说明书的一部分而被引入，用于表示本公开的实施方式，与上述一般性说明和后述的实施方式的详细说明一起说明本公开的概念。
图1是本发明的实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。
图2是上述成膜装置的横剖俯视图。
图3是表示上述成膜装置的喷嘴与载置于晶圆舟的晶圆的关系的说明图。
图4是设置于上述成膜装置的气体供给***的结构图。
图5是表示上述成膜装置的处理的步骤的时序图。
图6是上述成膜装置的处理工序图。
图7是上述成膜装置的处理工序图。
图8是上述成膜装置的处理工序图。
图9是上述成膜装置的处理工序图。
图10是表示上述成膜装置的其它结构例的概要图。
图11是表示上述成膜装置的处理工序的例子的表。
图12是表示上述成膜装置的处理工序的例子的表。
图13是表示上述成膜装置的处理工序的例子的表。
图14是表示上述成膜装置的处理工序的例子的表。
图15是表示上述成膜装置的处理工序的例子的表。
图16是表示上述成膜装置的其它结构例的概要图。
图17是表示上述成膜装置的其它结构例的概要图。
图18是表示评价试验的结果的图表。
图19是表示上述成膜装置的其它处理的步骤的时序图。
图20是表示上述成膜装置的其它处理的步骤的时序图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本发明的实施方式。在下述的详细说明中，为了能够充分理解本公开而提供大量具体的详细说明。然而，显而易见的是，即使没有这样的详细说明本领域技术人员也能够实现本公开。在其它例中，为了避免难以理解各种实施方式，并未详细地示出公知的方法、过程、***、结构要素。
参照图1和图2来说明本发明的实施方式所涉及的成膜装置1。图1、图2分别是成膜装置1的纵剖侧视图、横剖俯视图。图中11例如是由石英形成为纵型的圆筒状的反应容器，该反应容器11内的上部侧被石英制的顶板12所密封。另外，在反应容器11的下端侧连结有歧管2，该歧管2例如由不锈钢形成为圆筒状。歧管2的下端被开口为基板搬入搬出口21，构成为被设置于舟皿升降机22的石英制的盖体23气密地关闭。在盖体23的中央部贯通地设置有旋转轴24，在该旋转轴24的上端部搭载有作为基板保持件的晶圆舟3。
晶圆舟3例如具备三根支柱30，能够支承晶圆W以及作为划分用基板的虚拟晶圆(日文：ダミーウエハ)10的外缘部来将该晶圆W和虚拟晶圆10保持为架状。上述舟皿升降机22构成为通过未图示的升降机构自由升降，上述旋转轴24构成为通过形成驱动部的电动机M绕铅垂轴自由旋转。图中25是隔热单元。这样，晶圆舟3构成为：该晶圆舟3被装载(搬入)到反应容器11内，在反应容器11的基板搬入搬出口21被盖体23闭塞的处理位置与反应容器11的下方侧的搬出位置之间自由升降。在后文中进一步详细地说明晶圆舟3。
在反应容器11的侧壁的一部分处设置有等离子体产生部13。该等离子体产生部13覆盖形成于反应容器11的侧壁的上下细长的开口部14，是通过将截面为凹部状的例如石英制的划分壁15与反应容器11的外壁气密接合而构成的。上述开口部14以能够覆盖被保持于晶圆舟3的全部晶圆W和虚拟晶圆10的方式沿上下方向纵长地形成。另外，在划分壁15的两侧壁的外侧面处设置有沿着其长度方向(上下方向)彼此相对的一对等离子体电极16。在该等离子体电极16上，经由供电线171连接有等离子体产生用的高频电源17，通过对等离子体电极16施加例如13.56MHz的高频电压，能够产生等离子体。并且，在划分壁15的外侧，以覆盖该划分壁15的方式安装有例如由石英构成的绝缘保护罩18。
为了对反应容器11内的环境气体进行真空排气而在反应容器11的侧壁的周向的一部分处、本例中的与上述等离子体产生部13相对的区域形成有上下细长的开口部19。开口部19面对晶圆舟3中的排列有晶圆W和虚拟晶圆10的区域，沿着晶圆W和虚拟晶圆10的排列方向而形成。
在上述开口部19处，以覆盖该开口部19的方式安装有排气覆盖构件31，该排气覆盖构件31例如由石英构成，截面形成为コ字形状。排气覆盖构件31例如构成为沿着反应容器11的侧壁上下延伸，例如在该排气覆盖构件31的下部侧连接有形成真空排气单元的真空泵32以及具备压力调整阀33的排气管34。
在上述歧管2的侧壁处***有用于供给作为原料气体的硅烷系的气体、例如二氯硅烷(DCS：SiH2Cl2)的第一原料气体供给路41和第二原料气体供给路42。在这些第一原料气体供给路41和第二原料气体供给路42的前端部分别设置有第一原料气体喷嘴43(以下称为“第一喷嘴43”)和第二原料气体喷嘴44(以下称为“第二喷嘴44”)。这些作为第一原料气体供给部的第一喷嘴43和作为第二原料气体供给部的第二喷嘴44例如由截面为圆形的石英管构成，如图1所示那样以沿着被保持于晶圆舟3的晶圆W的排列方向延伸的方式垂直地设置于反应容器11的内部的晶圆舟3的侧方。第一喷嘴43和第二喷嘴44例如像图2所示那样隔着等离子体产生部13的开口部14地配置。此外，在图1中，为了便于图示而将第一喷嘴43和第二喷嘴44描绘成从侧方观察时是并排的。
接着，还参照图3来进一步说明第一喷嘴43、第二喷嘴44，在第一喷嘴43和第二喷嘴44上，沿着其长度方向隔开规定间隔地各形成有多个、例如60个用于喷出原料气体的气体喷出孔。将第一喷嘴43的气体喷出孔表示为431，将第二喷嘴44的气体喷出孔表示为441，气体喷出孔431位于比气体喷出孔441靠上方的位置处。从该气体喷出孔431、441也喷出吹扫气体，第一喷嘴43和第二喷嘴44也构成为吹扫气体供给部。
另外，在上述的晶圆舟3中，沿上下方向等间隔地设置有多个槽(保持区域)，晶圆W和虚拟晶圆10被水平地保持在各槽中。在晶圆舟3的上部侧、下部侧分别保持有多个晶圆W，在上部侧的晶圆W群与下部侧的晶圆W群之间，例如以划分这些晶圆W群的方式保持有多个虚拟晶圆10。在本实施方式中，将晶圆舟3中的保持有上部侧的晶圆W群的区域表示为保持区域W1，将保持有下部侧的晶圆W群的区域表示为保持区域W2，将保持有虚拟晶圆10的区域表示为保持区域W0。该成膜装置1构成为：能够在保持区域W1的晶圆W、保持区域W2的晶圆W所共用的反应容器11内对保持区域W1的晶圆W、保持区域W2的晶圆W单独地进行ALD，来形成膜厚互不相同的SiN(氮化硅)膜。
在图3中，用虚线的箭头示意性地示出了气体在反应容器11内的流动。第一喷嘴43的气体喷出孔431以仅朝向保持区域W1和保持区域W2中的保持区域W1的方式水平地开口，以能够限定性地向该保持区域W1喷出原料气体的方式水平地开口。第二喷嘴44的气体喷出孔441以仅朝向保持区域W1和保持区域W2中的保持区域W2的方式开口，以能够限定性地向该保持区域W2喷出原料气体的方式水平地开口。关于晶圆舟3中的位于由气体喷出孔431供给气体的区域与由气体喷出孔441供给气体的区域之间的边界以及边界附近的多个槽，在载置有晶圆W的情况下，难以控制由于来自气体喷出孔431、441的气体的扩散而形成于该晶圆W的膜厚，因此，如上述那样搭载虚拟晶圆10，以防止晶圆W被浪费。由此，能够抑制处理所需的成本。
返回到图1、图2继续进行说明。在歧管2的侧壁处***有用于供给作为反应气体的氨(NH3)气的反应气体供给路51，在该反应气体供给路51的前端部设置有反应气体喷嘴52，该反应气体喷嘴52例如由石英管构成，形成反应气体供给部。反应气体是指与原料气体的分子进行反应来生成反应生成物的气体。反应气体喷嘴52在反应容器11内向上方延伸，在中途弯曲而配置于等离子体产生部13内。在该等离子体产生部13内，在反应气体喷嘴52上，沿着其长度方向隔开间隔地开口出气体喷出孔521。气体喷出孔521以能够向保持区域W1、W2的各晶圆W供给反应气体的方式水平地开口。
另外，如图1所示，以围住反应容器11的外周的方式设置有作为加热部的筒状体的加热器35。该加热器35实际上沿着晶圆W的排列方向被分割，能够对分割出的每个区域单独地控制温度。但是，在本实施方式中，将各区域控制为相同的温度，因此图示为在上述晶圆W的排列方向上为一体。
接着，参照图4来说明设置于成膜装置1的气体供给***。上述第一原料气体供给路41的一端侧与作为原料气体的DCS(二氯硅烷)的供给源4连接，并且该第一原料气体供给路41从反应容器11侧起依次具备阀V11、第一罐61、阀V12以及流量调整部MF13。另外，第一原料气体供给路41经由第一吹扫气体供给路71而与作为吹扫气体的氮(N2)气的供给源7连接，该第一吹扫气体供给路71从阀V11的下游侧分支出来，朝向上游侧依次具备阀V14、流量调整部MF15。上述阀进行气体的供给和切断，流量调整部进行气体供给量的调整，后述的阀和流量调整部也相同。
同样地，上述第二原料气体供给路42的一端侧连接在第一原料气体供给路41的阀V12与流量调整部MF13之间，该第二原料气体供给路42从反应容器11侧起依次具备阀V21、第二罐62以及阀V22。另外，第二原料气体供给路42经由第二吹扫气体供给路72而与上述N2气体的供给源7连接，该第二吹扫气体供给路72从阀V21的下游侧分支出来，朝向上游侧依次具备阀V23、流量调整部MF24。
上述第一罐61、第二罐62构成为：在关闭其下游侧的阀V11、V21并打开上游侧的阀V12、V22来使DCS气体分别持续地流入该第一罐61、第二罐62时，该DCS气体被分别贮存在该第一罐61内、第二罐62内，从而压力升高。在像这样第一罐61、第二罐62压力升高之后，在关闭了上游侧的阀V12、V22的状态下打开下游侧的阀V11、V21，由此第一罐61内、第二罐62内的DCS气体以较高的流速、例如300cc/分左右分别被供给到反应容器11内。
上述反应气体供给路51的一端侧与NH3气体的供给源5连接，在该反应气体供给路51中，从反应容器11侧起依次设置有阀V31、流量调整部MF32。另外，反应气体供给路51经由吹扫气体供给路73而与氮气的供给源7连接，该吹扫气体供给路73在阀V31的下游侧分支出来，朝向上游侧依次具备阀V33、流量调整部MF34。
另外，如图1所示，成膜装置1具备控制部100。控制部100包括计算机，该计算机所包含的存储部中记录有成膜装置1的作用、即由与在反应容器11内对晶圆W进行成膜处理时的控制相关的步骤(命令)群组成的程序。该程序例如被保存在硬盘、压缩盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，从这些存储介质被安装到计算机中。
图5的时序图按成膜装置1的处理的各步骤示出了从各喷嘴向反应容器11内供给和停止供给各种气体的状态以及接通和断开高频电源17的状态。参照该图以及表示各步骤中的气体供给***和各气体在反应容器11内的流通的图6～图9来说明成膜装置1的作用。在图6～图9中，将流通气体的流路表示得比不流通气体的流路粗。但是，在图5和图6～图9中，关于作为未从喷嘴43、44、52供给N2气体的步骤被示出的步骤，实际上，为了防止反应容器11内的环境气体进入喷嘴内、或者为了将反应气体和原料气体稀释到适当的浓度而以较低的流量供给了N2气体。因此，虽然在后面的说明中关于用于进行该N2气体的供给和切断的阀也记载为关闭，但并非完全关闭，实际上稍稍打开使得能够流通N2气体。
将未处理的晶圆W和虚拟晶圆10如图3所说明的那样搭载于晶圆舟3，然后，将晶圆舟3搬入(装载)到反应容器11内，通过真空泵32将反应容器11内设定为13.33Pa(0.1Torr)左右的真空环境。通过加热器35将构成保持区域W1、W2的各晶圆W加热到规定的温度、例如500℃，使晶圆舟3旋转。向第一罐61和第二罐62内填充DCS气体，使得成为设定压力、例如33.33kPa(250Torr)～53.33kPa(400Torr)。
在该状态下，打开阀V14、V23、V33，通过第一喷嘴43、第二喷嘴44、反应气体喷嘴52将N2气体作为吹扫气体供给到反应容器11内来对该反应容器11内进行吹扫(图6、步骤S1)。接着，关闭阀V14、V33，在打开了阀V23的状态下、即从第二喷嘴44向晶圆W的保持区域W2限定性地供给吹扫气体的状态下，打开阀V11来从第一喷嘴43向晶圆W的保持区域W1供给第一罐61内的DCS气体(图7、步骤S2)。
通过以下来限定性地向保持区域W1供给该DCS气体并防止供给到保持区域W2：第一喷嘴43的喷出孔431限定性地对保持区域W1和保持区域W2中的保持区域W1开口、即不对保持区域W2开口；向保持区域W2供给吹扫气体；以及在保持区域W1、W2之间配置虚拟晶圆10的保持区域W0来保持区域W1、W2相分离。而且，被供给到保持区域W1的DCS气体在该保持区域W1的各晶圆W的表面上从一方侧流向另一方侧，DCS的分子被吸附于该晶圆W的表面。剩余的DCS气体通过排气管34的排气而在晶圆W的另一方侧的排气覆盖构件31内去向下方，与被供给到保持区域W2后流入排气覆盖构件31内的吹扫气体一起从该排气管34被去除。
之后，关闭阀V11来停止从第一喷嘴43供给DCS气体，打开阀V14、V33，与图6中说明的步骤S1同样地，从第一喷嘴43、第二喷嘴44、反应气体喷嘴52向反应容器11内供给吹扫气体来对反应容器11内的DCS气体进行吹扫(步骤S3)。然后，关闭阀V14、V33，并且打开阀V31来向反应容器11内供给作为反应气体的NH3气体。与该NH3气体的供给并行地接通高频电源17来使NH3气体等离子体化，产生该NH3气体的活性种。
该活性种被供给到保持区域W1和保持区域W2，在保持区域W1的各晶圆W上，被吸附于该晶圆W的表面的DCS的分子与该活性种进行反应，DCS中的硅原子被氮化而生成SiN(氮化硅)的分子层(图8、步骤S4)。在保持区域W2的各晶圆W的表面上未吸附DCS的分子，因此，被供给到保持区域W2的上述活性种不与晶圆W的表面进行反应，而通过该晶圆W表面。被供给到保持区域W1的剩余的NH3的活性种以及被供给到保持区域W2的NH3的活性种流入到排气覆盖构件31内后一起从排气管34被排出。另外，在像这样向反应容器11内供给NH3气体的活性种的期间内打开阀V12，再次向第一罐61供给DCS气体来使第一罐61内升压，当成为设定压力时，关闭阀V12。在图8中，省略了该DCS气体向第一罐61的流动的显示。
然后，关闭阀V31来停止向反应容器11内供给NH3气体，并且断开高频电源17来停止产生等离子体。之后，打开阀V14、V23、V33，与图6示出的步骤S1、S3同样地，从第一喷嘴43、第二喷嘴44以及反应气体喷嘴52向反应容器11内供给吹扫气体，对残留在反应容器11内的NH3气体及其活性种进行吹扫(步骤S5)。之后，关闭阀V14、V23、V33，并且打开阀V11、V21来将从第一喷嘴43、第二喷嘴44向保持区域W1和保持区域W2供给第一罐61和第二罐62内的DCS气体(图9、步骤S6)。由此，DCS的分子被吸附于保持区域W2的晶圆W的表面，并且DCS的分子被吸附于通过上述步骤S4形成于保持区域W1的晶圆W的SiN的分子层的表面。
之后，关闭阀V11、V21来停止供给DCS气体，打开阀V14、V23、V33，与步骤S1、S3、S5同样地通过第一喷嘴43、第二喷嘴44、反应气体喷嘴52向反应容器11内供给吹扫气体，对残留在反应容器11内的DCS气体进行吹扫(步骤S7)。接着，关闭阀V11、V21、V33，并且打开阀V31，与图8中说明的步骤S4同样地，向反应容器11内供给NH3气体并且接通高频电源17。由此，NH3气体被等离子体化而产生活性种，该活性种被供给到保持区域W1和保持区域W2，与被吸附于保持区域W1和保持区域W2的各晶圆W的表面的DCS的分子进行反应。在保持区域W2的晶圆W上形成SiN的分子层，在保持区域W1的晶圆W上，在通过步骤S4形成的SiN的分子层之上进一步形成SiN的分子层(步骤S8)。
然后，断开高频电源17，并且关闭阀V31来停止NH3气体的供给。此后，重复进行上述的步骤S1～S8。每进行一次步骤S1～S8，在保持区域W1中层叠2层的SiN的分子层来形成SiN膜，在保持区域W2层叠1层的SiN的分子层来形成SiN膜。这样，通过一次步骤S1～S8层叠的分子层的数量不同，因此在保持区域W1和保持区域W2形成膜厚互不相同的SiN膜。在将步骤S1～S8进行了规定次数之后，与上述的步骤S1同样地，从第一喷嘴43、第二喷嘴44以及反应气体喷嘴52向反应容器11内供给氮气，使反应容器11内恢复为大气压。接着，搬出(卸载)晶圆舟3，从该晶圆舟3的槽中搬出晶圆W和虚拟晶圆10。
根据上述的成膜装置1，在晶圆舟3的晶圆W的保持区域W1、W2之间设置虚拟晶圆10的保持区域W0。而且，在从第一喷嘴43限定性地向保持区域W1供给DCS气体的期间，进行以下步骤：从第二喷嘴44向保持区域W2供给吹扫气体来防止DCS气体被供给到保持区域W2；以及向保持区域W1、W2一起供给DCS气体。由此，能够在保持区域W1、W2层叠不同数量的SiN的分子层来形成具有互不相同的膜厚的SiN膜。因而，与在晶圆舟3中仅对保持区域W1的晶圆W或保持区域W2的晶圆W进行保持来单独地进行处理的情况相比，既能够防止在背景技术栏中说明的反复需要开销时间，从而提高成膜装置1的生产效率，也能够使所需的虚拟晶圆10的个数减少，从而能够抑制成膜处理所需的成本。此外，在本实施方式和后述的各实施方式中，上述保持区域W0的虚拟晶圆10的个数不限于多个，也可以是一个。
接着，参照图10，以与成膜装置1之间的差别为中心来说明作为成膜装置1的变形例的成膜装置8。在被搬入到该成膜装置8的晶圆舟3中，从上方向下方按顺序设定有晶圆W的保持区域W1、W2、W3，在保持区域W1～W3中分别保持有多个晶圆W。而且，在保持区域W1、W2之间以及保持区域W2、W3之间分别设置有虚拟晶圆10的保持区域W0。而且，除了设置有第一喷嘴43、第二喷嘴44以外，还设置有用于向反应容器11内供给作为原料气体的DCS气体的第三喷嘴45。图中，451是第三喷嘴45的喷出孔，46是与第三喷嘴45的上游处连接的气体流路。气体供给***构成为能够向第一喷嘴43～第三喷嘴45分别单独地供给DCS气体。第一喷嘴43、第二喷嘴44与已述的实施方式同样地限定性地向保持区域W1、W2供给原料气体。关于第三喷嘴45，以能够限定性地向保持区域W1～W3中的保持区域W3供给DCS气体的方式开口出其喷出孔451。
图11～图15的各表列举出该成膜装置8的处理例。在各表中，序列表示进行处理的顺序，按1、2、3……的顺序展开处理。而且，在表中按每个保持区域示出了通过各序列进行的处理，在相同的序列中，相互并行地进行对各保持区域记载的处理。另外，在表中，针对进行包括DCS气体和NH3气体的供给的成膜循环的保持区域，在每个序列中示出了重复进行该成膜循环的次数。更具体地说，该成膜循环是指按DCS气体的供给、吹扫气体的供给、等离子体化后的NH3气体的供给、吹扫气体的供给的顺序进行的与成膜装置1的步骤S2～S5相当的一系列处理。设成膜装置8构成为在一次成膜循环中能够形成例如厚度为的SiN的分子层。
而且，如已述的那样，按每个保持区域限定性地进行该成膜循环中的DCS气体的供给。关于不进行上述成膜循环的保持区域，在其它保持区域中进行DCS气体的供给的期间，对不进行上述成膜循环的保持区域限定性地供给吹扫气体来防止从其它保持区域被供给DCS气体。对于像这样被供给吹扫气体的保持区域，在表中显示为N2吹扫，在后面的说明中有时也简记为进行N2吹扫的保持区域。另外，与成膜装置1同样地，在向实施成膜循环的保持区域供给吹扫气体、反应气体的期间，也向其它保持区域分别供给吹扫气体、反应气体。
说明在图11中表示为处理A1的表。在该处理A1中，在保持区域W1、W2、W3的各晶圆W上分别形成例如(1nm)、(2nm)、(3nm)的SiN膜。作为序列1，对保持区域W1重复进行10次上述的成膜循环，如上所述，在向保持区域W1供给原料气体的期间，对保持区域W2、W3进行N2吹扫。作为序列2，对保持区域W2重复进行20次成膜循环，对保持区域W1、W3进行N2吹扫。作为序列3，对保持区域W3重复进行30次成膜循环，对保持区域W1、W2进行N2吹扫。也就是说，在该处理A1中，以如下方式控制成膜装置8的动作：实施在一个保持区域中进行规定的重复次数的成膜循环的步骤，之后进行对其它保持区域进行规定的重复次数的成膜循环的步骤。
接着，以与处理A1之间的差别为中心来说明图11的处理A2，在序列1中，对保持区域W1～W3重复进行10次成膜循环。在序列2中，仅对保持区域W2、W3进行10次成膜循环，在序列3中，仅对保持区域W3进行10次成膜循环。也就是说，在处理A1中，在按每个保持区域而不同的定时进行DCS气体的供给，但是在处理A2中，设定有同时向各保持区域供给DCS气体的期间。进一步进行说明，在该处理A2中，以如下方式控制成膜装置8的动作：在实施了对一个保持区域、其它保持区域同时仅进行规定的重复次数N1的成膜循环的步骤之后，实施对其它保持区域仅重复进行从应将成膜循环进行的规定次数N减去上述重复次数N1所得的次数(N-N1)次的成膜循环的步骤。
接着，说明图11的处理A3，与处理A2同样地进行序列1。然后，在序列2中，仅对保持区域W2进行10次成膜循环，在序列3中，仅对保持区域W3进行20次成膜循环。在图11的处理A4中，在序列1中，仅对保持区域W1重复进行10次成膜循环，在序列2中，仅对保持区域W2、W3进行20次成膜循环，在序列3中，仅对保持区域W3进行10次成膜循环。
另外，可以从任一保持区域开始成膜循环。图12的处理A5以与处理A1的序列相反的顺序对各保持区域进行处理。即，在序列1中，对保持区域W3重复进行30次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2重复进行20次成膜循环，在序列3中，对保持区域W1重复进行10次成膜循环。同样地，图12的处理A6以与处理A2的序列相反的顺序对各保持区域进行处理。
另外，要增大膜厚的保持区域既可以设定于晶圆舟3的上侧，也可以设定于下侧。图12的处理A7、A8与处理A1～A6不同，在保持区域W1、W2、W3的各晶圆W上分别形成例如30nm、20nm、10nm的SiN膜。在处理A7中，在序列1中，对保持区域W3进行10次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2进行20次成膜循环，在序列3中，对保持区域W1进行30次成膜循环。在处理A8中，在序列1中，对保持区域W1进行10次成膜循环，在序列2中，对保持区域W1、W2进行10次成膜循环，在序列3中，对保持区域W1～W3进行10次成膜循环。
在图13、图14示出的处理A9～A14中，与处理A1～A6同样地在保持区域W1、W2、W3的各晶圆W上形成10nm、20nm、30nm的SiN膜。处理A9与上述的各处理不同，重复进行序列1～3。也就是说，在序列3结束后，再次进行序列1～3。在序列1中，对保持区域W1进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2进行2次成膜循环，在序列3中，对保持区域W3进行3次成膜循环，将该序列1～3的循环重复进行10次。也就是说，对保持区域W1、W2、W3分别进行了合计10次、合计20次、合计30次的成膜循环。也就是说，在该处理A9中，设定成将循环的组重复进行多次，该循环的组包括被设定成在一个保持区域进行的成膜循环以及被设定成在实施一个保持区域的成膜循环后在其它保持区域进行的成膜循环。
接着，说明处理A10，在序列1中，对保持区域W1～W3进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2、W3进行1次成膜循环，在序列3中，对保持区域W3进行1次成膜循环，将该序列1～3的循环重复进行10次。这样，在处理A10中，设定成将循环的组重复进行多次，该循环的组包括被设定成在一个保持区域和其它保持区域进行的成膜循环以及被设定成在实施该成膜循环后不在一个保持区域进行成膜循环而仅在其它保持区域进行的成膜循环。
接着，说明处理A11，在序列1中，对保持区域W1～W3进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2进行1次成膜循环，在序列3中，对保持区域W3进行2次成膜循环，将该序列1～3的循环重复进行10次。另外，说明处理A12，在序列1中，对保持区域W1进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2、W3进行2次成膜循环，在序列3中，对保持区域W3进行1次成膜循环，将序列1～3的循环重复进行10次。
在处理A9～处理A12中，当将序列1～3的循环的组重复10次时，对各保持区域W1、W2、W3分别进行合计10次、20次、30次的成膜循环。对各保持区域W1、W2、W3进行的成膜循环在各循环的组中的次数是用各保持区域W1、W2、W3的成膜循环的总次数即10次、20次、30次分别除以将序列1～3的循环的组重复的次数即10而计算出的。
图14的处理A13是将处理A9的序列1～3按相反的顺序进行的处理，处理A14是将A10的序列1～3按相反的顺序进行的处理。图14的处理A15、A16与处理A7、A8相同，在保持区域W1、W2、W3的各晶圆W上分别形成30nm、20nm、10nm的SiN膜。在处理A15中，序列1中的保持区域W3的成膜循环为1次，序列3中的保持区域W1的成膜循环为3次，除此以外，处理A15是与处理A13相同的处理。在处理A16中，在序列1中，对保持区域W1进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W1、W2进行1次成膜循环，在序列3中，对保持区域W1～W3进行1次成膜循环，将序列1～3的循环进行10次。
图15的处理A17、A18在保持区域W1、W2、W3的各晶圆W上分别形成例如5nm、13nm、30nm的膜厚的SiN膜。在该处理A17、A18中，设定有序列1～5，在将序列1～3的循环重复进行5次之后，依次进行序列4、5。在处理A17中，在序列1中，对保持区域W1进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2进行2次成膜循环，在序列3中，对保持区域W3进行5次成膜循环，在序列4中，对保持区域W2进行3次成膜循环，在序列5中，对保持区域W3进行5次成膜循环。
说明处理A18，在序列1中，对保持区域W1、W2、W3进行1次成膜循环，在序列2中，对保持区域W2、W3进行1次成膜循环，在序列3中，对保持区域W3进行3次成膜循环。在序列4中，对保持区域W2、W3进行3次成膜循环，在序列5中，对保持区域W3设定了2次成膜循环。通过像这样适当设定将序列重复的循环以及一个序列中的成膜循环的次数，能够适当调整形成于各保持区域的晶圆W的膜厚。
在进行上述的各处理、后述的各处理时，也可以控制加热器35的输出，使得保持区域W1、W2、W3的各晶圆W的温度成为相同的温度。另外，还可以控制加热器35的输出，使得保持区域W1、W2、W3成为互不相同的温度。另外，既可以使虚拟晶圆10的保持区域W0的温度与保持区域W1～W3的温度相同，也可以进行控制使得保持区域W1～W3的温度与保持区域W0的温度互不相同。这样，能够对晶圆W和虚拟晶圆10的各保持区域独立地控制温度。
接着，以与成膜装置1之间的差别为中心来说明图16示出的成膜装置81。在该成膜装置81中，构成为能够向保持区域W1、W2单独地供给NH3气体。具体地说，设置有反应气体喷嘴52、53，在各反应气体喷嘴52、53上，以能够分别限定性地向保持区域W1、W2供给气体的方式形成有喷出孔521、531。气体供给***构成为能够分别向反应气体喷嘴52、53单独地供给NH3气体、N2气体，省略了图示。而且，该气体供给***构成为，关于分别从反应气体喷嘴52、53供给的NH3气体，使从反应气体喷嘴52供给的NH3气体的NH3浓度高于从反应气体喷嘴53供给的NH3气体的NH3浓度。另外，用于形成等离子体的电极16被分割为上下两个电极，各电极16上连接有高频电源17。由此，能够单独地使从反应气体喷嘴52、53供给的NH3气体等离子体化。
在该成膜装置81中，例如从第一喷嘴43、第二喷嘴44向保持区域W1、W2并行地供给DCS气体。然后，从反应气体喷嘴52供给NH3气体，该NH3气体通过上方侧的电极16被等离子体化，进而活性种被限定性地供给到保持区域W1。由此，在保持区域W1的晶圆W表面上形成SiN的分子层。在从该反应气体喷嘴52供给NH3气体的过程中，从反应气体喷嘴53限定性地向保持区域W2供给吹扫气体来防止保持区域W2的晶圆W表面的DCS与上述活性种进行反应。之后，从反应气体喷嘴53供给NH3气体，该NH3气体通过下方侧的电极16被等离子体化，进而活性种被限定性地供给到保持区域W2。由此，在保持区域W2的晶圆W表面上形成SiN的分子层。在从该反应气体喷嘴53供给NH3气体的过程中，可以从反应气体喷嘴52向保持区域W1供给吹扫气体。但是，在保持区域W1中，晶圆W表面的DCS已经进行了反应，不再存在能够与被供给到该保持区域W2的活性种进行反应的DCS，因此这样也可以不供给吹扫气体。
重复进行多次这样的包括DCS气体的供给、向保持区域W1的NH3气体的活性种的供给、向保持区域W2的NH3气体的活性种的供给的成膜循环。如上所述，向保持区域W1、W2供给的NH3气体的浓度不同，因此，通过像这样重复进行成膜循环，能够在保持区域W1、W2中形成膜质互不相同的SiN膜。具体地说，例如，能够形成对于规定药液的湿法刻蚀速率互不相同的SiN膜。在本例中，向远离由排气管34形成的排气口的保持区域W1侧供给浓度高的NH3气体。这是由于，从上述排气口观察时的上游侧、即远离的保持区域的排气速度慢，能够抑制所供给的NH3气体的浓度的降低。
通过使从反应气体喷嘴52、53供给的气体的浓度互不相同来形成膜质互不相同的SiN膜，也可以取而代之地通过使在一次成膜循环中供给气体的时间或气体的流量互不相同来形成膜质互不相同的SiN膜。另外，在上述的例子中，只要能够将DCS气体供给到保持区域W1、W2这双方即可，因此也可以如成膜装置1的反应气体喷嘴52那样使用遍及保持区域W1～W2地形成喷出孔的1个喷嘴来供给DCS气体。
图17中示出了成膜装置82的结构。该成膜装置82与成膜装置1的差别在于追加了气体喷嘴83。该气体喷嘴83的喷出孔831形成为能够将乙烯(C2H4)气体作为掺杂用气体限定性地供给到保持区域W2。在该成膜装置82中，例如向保持区域W1、W2一并供给DCS气体。接着，与限定性地向保持区域W2供给C2H4气体并行地，从第一喷嘴43限定性地向保持区域W1供给吹扫气体。由此，C2H4的分子仅被吸附于保持区域W2，防止了该分子被吸附于保持区域W1。然后，向保持区域W1、W2供给等离子体化后的NH3气体。在保持区域W1中形成SiN的分子层。在保持区域W2中，被吸附于晶圆W的DCS的分子、C2H4的分子以及上述等离子体化后的NH3气体进行反应而形成SiCN的分子层。也就是说，形成SiN中掺杂有碳的层。通过重复进行这样的一系列的气体的供给工序，来在保持区域W1的晶圆W上形成SiN膜，在保持区域W2的晶圆W上形成SiCN膜。也就是说，能够在保持区域W1、W2中形成膜种类互不相同的膜。
在该成膜装置82中，向保持区域W1、W2中的从由排气管34构成的排气口观察时位于下游侧的保持区域W2供给C2H4气体。由此，抑制被供给到反应容器11的C2H4气体向保持区域W1扩散，而将其排出。因而，更可靠地抑制了在保持区域W1中形成SiCN膜。这样，有效地在接近上述排气口的保持区域中形成进行成膜所需的气体的多种膜。
另外，也可以在该成膜装置82中设置限定性地向保持区域W1供给C2H4的喷嘴。而且，与如上述那样限定性地向保持区域W2供给C2H4气体并行地，从第一喷嘴43限定性地向保持区域W1供给吹扫气体。之后，在向保持区域W1、W2供给等离子体化后的NH3气体之前，与限定性地向保持区域W1供给C2H4气体并行地，从第一喷嘴43限定性地向保持区域W2供给吹扫气体。使分别向保持区域W1、W2供给的C2H4气体中的C2H4的浓度互不相同。由此，也可以在保持区域W1的晶圆W上、保持区域W2的晶圆W上形成碳原子的掺杂量互不相同的SiCN膜。另外，在各实施方式中能够使用的气体不限于本例。例如也可以使用硅系的原料气体和氧气的等离子体来形成氧化硅膜。
(评价试验)
说明与本发明相关地进行的评价试验。作为评价试验1，使用上述的成膜装置1来进行成膜处理。但是，在该评价试验1中，在晶圆舟3中不设定虚拟晶圆10的保持区域W0，在晶圆舟3的中层的槽中也配置有晶圆W。也就是说，在上述的成膜装置1的说明中被设为虚拟晶圆10的保持区域W0的区域的上侧包含于保持区域W1，下侧包含于保持区域W2。使用表面裸露的硅晶圆作为晶圆W。另外，大致按上述的步骤S1～S8进行成膜处理，但是在与步骤S2相当的步骤中，取代向保持区域W1供给DCS气体、向保持区域W2供给吹扫气体而向保持区域W1供给吹扫气体、向保持区域W2供给DCS气体，并使保持区域W2的晶圆W的膜厚比保持区域W1的晶圆W的膜厚大。在该评价试验1和后述的评价试验2、3中，形成于保持区域W1、W2的晶圆W的目标膜厚分别为(3nm)、(5nm)。在进行成膜处理后测量各槽的晶圆W的膜厚。
作为评价试验2，与评价试验1同样地将晶圆W搭载于晶圆舟3来进行成膜处理。使用图11等中说明的序列来说明该成膜处理，将包括序列1～3的循环重复执行多次，在序列1、2中，仅对保持区域W1进行了1次成膜循环，在序列3中，仅对保持区域W2进行了1次成膜循环。该评价试验2中使用的成膜装置1与评价试验1中使用的成膜装置1不同，未设置第一罐61和第二罐62。也就是说，向反应容器11供给的DCS气体的流速比较小。除这种差异以外，与评价试验1同样地进行评价试验2。
作为评价试验3，与评价试验1大致同样地进行了处理。即，按照已述的步骤S1～S8来进行处理。但是，为了使保持区域W2的晶圆W的膜厚比保持区域W1的晶圆W的膜厚大，以如下方式进行处理：在与步骤S2相当的步骤中，向保持区域W1供给吹扫气体，向保持区域W2供给DCS气体。另外，在该步骤中，不经由第二罐62地向反应容器11内供给DCS气体。此外，在与步骤S6相当的步骤中，如上述的实施方式中说明的那样，从第一喷嘴43、第二喷嘴44经由第一罐61、第二罐62向反应容器11内供给原料气体。除这种差异以外，评价试验3与评价试验1同样地进行试验。
图18的图表中示出了评价试验1～3的试验结果。图表的横轴表示晶圆W的编号，编号越小则表示配置于晶圆舟3中的越靠上端侧的槽来接受处理。图表的纵轴表示膜厚(单位：)。如图表所显示的那样，评价试验1～3的编号为1～40的晶圆W的膜厚大致为作为目标膜厚的而且，评价试验1～3的编号为75～110的晶圆W的膜厚大致为作为目标膜厚的也就是说，示出了能够单独地控制分别在晶圆舟3的上部侧、下部侧形成于晶圆W的膜厚。本发明的发明人根据该评价试验1～3的结果得知实现了本发明。
接着，参照图19、以与图5中说明的处理之间的差别为中心来说明使用上述的成膜装置1的其它处理例，该图19与图5同样地示出了各种的气体的供给和切断的状态以及高频电源17的接通和断开的状态的时序图。在该图19示出的处理(为了便于说明而设为处理B1)中，如图1、图3中说明的那样在晶圆舟3的保持区域W1、W0、W2分别搭载有晶圆W群、虚拟晶圆10、晶圆W群。此外，为了便于说明而将被保持于保持区域W1、W2的晶圆分别设为C1、C2，相比于晶圆C1的表面，在晶圆C2的表面上微小且密集地形成有图案，由此使晶圆C2的表面积大于晶圆C1的表面积。
下面，说明处理B1的过程。当将如已述的那样搭载有晶圆C1、C2和虚拟晶圆10的晶圆舟3搬入到反应容器11内后，从第一喷嘴43、第二喷嘴44、反应气体喷嘴52供给N2气体(吹扫气体)来对该反应容器11内进行吹扫(步骤T1)。接着，停止从该各喷嘴43、44、52供给吹扫气体，之后从第一喷嘴43、第二喷嘴44分别向保持区域W1、W2供给DCS气体，DCS的分子被吸附于晶圆C1、C2的表面(步骤T2)。在该处理B1中，以相同的流量从第一喷嘴43和第二喷嘴44供给DCS气体。
然后，停止从第一喷嘴43向保持区域W1供给DCS气体，之后从该第一喷嘴43供给N2气体(吹扫气体)。另一方面，继续从第二喷嘴44向保持区域W2供给DCS气体。也就是说，限定性地向晶圆C2供给DCS，在该晶圆C2上继续吸附DCS分子(步骤T3)。然后，停止从第二喷嘴44供给DCS气体，从该第二喷嘴44和反应气体喷嘴52供给N2气体。还继续从第一喷嘴43供给N2气体来对反应容器11内的DCS气体进行吹扫(步骤T4)。
然后，停止从各喷嘴43、44、52供给N2气体，接着，从反应气体喷嘴52供给NH3气体并且接通高频电源17来形成等离子体，进而产生NH3气体的活性种。该活性种被供给到晶圆C1、C2来使所吸附的DCS氮化，在晶圆C1、C2的表面上形成SiN的分子层(步骤T5)。然后，停止供给NH3气体，并且断开高频电源17来停止形成等离子体。此后，将上述的步骤T1～T5重复进行规定次数，在晶圆C1、C2上层叠SiN的分子层来形成SiN膜。
这样，在处理B1中，被供给到保持区域W1、W2的DCS气体的流量相同，装置1以如下方式进行动作：使得向保持区域W2的晶圆C2供给DCS气体的时间比向保持区域W1的晶圆C1供给DCS气体的时间长。因而，对于表面积大的晶圆C2，能够防止从侧方供给的DCS气体的供给量不足。即，能够防止被吸附于晶圆C2的中心部的DCS的分子的量比被吸附于周缘部的DCS的分子的量少，其结果是，能够以抑制膜厚的面内均匀性的降低的方式在晶圆C1、C2上成膜。在该处理B1中，形成于晶圆C1、C2的SiN膜的膜厚既可以相同，也可以互不相同。
此外，为了防止晶圆C2的中心部处的DCS气体的吸附量像那样变小，还考虑设置遍及保持区域W1、W2地形成有喷出孔的1个气体喷嘴，向该气体喷嘴供给量比较大的DCS气体，在相同时间内向保持区域W1、W2供给流量相同的气体。也就是说，考虑了向保持区域W1、W2一律供给大量的DCS气体。但是，如已述的那样，在进行ALD的情况下，作为原料气体的DCS气体被吸附于晶圆W的表面，但是在实际的处理中其吸附量并不饱和，而是根据向晶圆W供给气体的供给量而变化。即，在进行ALD的情况下，也与进行CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)的情况同样地成膜为与原料气体的供给量相应的膜厚，因此，若如上所述那样向保持区域W1、W2一律供给大量的DCS气体，则会导致形成于晶圆C1的SiN膜的膜厚过大。因而，为了提高晶圆C2的面内的膜厚的均匀性并且在晶圆C1、C2上形成适当膜厚的SiN膜，进行上述的处理B1是有效的。另外，与图5的处理例同样地，在通过该处理B1进行成膜的情况下，相比于单独地处理晶圆C1、C2的情况具有以下优点：能够提高成膜装置1的生产效率，还能够减少所需的虚拟晶圆10的个数。
接着，参照图20的时序图，以与图19的处理B1之间的差别为中心来说明使用成膜装置1的其它处理例。在该图20示出的处理(设为处理B2)中，与图19的处理B1同样地，在晶圆舟3中配置有晶圆C1、C2和虚拟晶圆10。此外，在图20中，除了示出了从各气体喷嘴的气体的供给和切断的定时以及高频电源17的接通和断开的定时以外，还示出了向用于贮存DCS气体的第一罐61和第二罐62的气体的供给和切断的定时。
下面，说明处理B2的过程。首先，将搭载有各晶圆的晶圆舟3搬入到反应容器11内，开始向第一罐61和第二罐62供给DCS气体。在停止向第一罐61供给DCS气体之后仍继续向第二罐62供给DCS气体，在第二罐62中贮存比第一罐61中的DCS气体的量多的量的DCS气体。由此，第二罐62内的压力变得高于第一罐61内的压力。
然后，从第一喷嘴43、第二喷嘴44、反应气体喷嘴52供给N2气体来对该反应容器11内进行吹扫(步骤U1)。之后，停止从各喷嘴43、44、52供给吹扫气体，从第一罐61、第二罐62向第一喷嘴43、第二喷嘴44供给DCS气体。另一方面，关于***设置于N2气体供给源7与各喷嘴43、44之间的阀V14、V23(参照图4)，V14的开度比V23的开度大，向第一喷嘴43供给比向第二喷嘴44供给的N2气体的量多的量的N2气体。将这样被供给到各喷嘴43、44的DCS气体和N2气体供给到保持区域W1、W2(步骤U2)。
如已述的那样，以使第二罐62的压力比第一罐61的压力高的方式将DCS气体贮存于各罐61、62，因此从第二喷嘴44供给的DCS气体的流量比从第一喷嘴43供给的DCS气体的流量大。通过像这样向表面积比较大的晶圆C2供给流量比较大的DCS气体，来使该DCS气体不仅到达晶圆C2的周缘部还充分地散布到中心部，从而使DCS的分子在晶圆C2的面内高均匀性地被吸附。
另外，从气体供给源7向第一喷嘴43供给流量比向第二喷嘴44供给的N2气体的流量大的N2气体作为压力调整用的气体，因此，从第一喷嘴43喷出的气体的总流量与从第二喷嘴44喷出的气体的总流量之差得到抑制，其结果是，保持区域W1的压力与保持区域W2的压力例如相等。通过像这样调整保持区域W1、W2的压力分布，能够防止气体在反应容器11内的流动紊乱而导致从第二喷嘴44供给的DCS气体被供给到保持区域W1。例如，设(从第一喷嘴43喷出到保持区域W1的气体的总流量)/(从第二喷嘴44喷出到保持区域W2的气体的总流量)＝0.85～1.15。
然后，停止从喷嘴43、44供给DCS气体，并且从喷嘴43、44、52供给N2气体来对反应容器11内的DCS气体进行吹扫(步骤U3)。然后，停止从各喷嘴43、44、52供给N2气体，从反应气体喷嘴52供给NH3气体并且接通高频电源17来形成等离子体。然后，晶圆C1、C2的表面的DCS通过所产生的NH3气体的活性种被氮化，从而形成SiN的分子层(步骤U4)。另外，与这样进行氮化处理并行地向第一罐61和第二罐62供给DCS气体并贮存。
之后，停止向第一罐61供给DCS气体，另一方面，继续向第二罐62供给DCS气体(步骤U5)，然后，也停止向第二罐62供给DCS气体，在第二罐62中贮存比在第一罐61中贮存的DCS气体的量多的量的DCS气体，第二罐62内的压力变得高于第一罐61内的压力(步骤U6)。然后，停止从反应气体喷嘴52供给NH3气体并且断开高频电源17来停止形成等离子体。此后，将上述的步骤U1～U6重复进行规定次数，在晶圆C1、C2上层叠SiN的分子层来形成SiN膜。在该图20的处理B2中，也能够得到处理B1中说明的效果。此外，在上述的例子中，第一喷嘴43构成为压力调整用气体供给部，但是也可以与第一喷嘴43相独立地另外设置向保持区域W1供给N2气体的气体喷嘴来作为压力调整用气体供给部。
也可以是，在进行上述的处理B1、B2时，在保持区域W1、W2中搭载表面积相等的晶圆W，在该情况下，在保持区域W1、W2中，能够在晶圆W上形成膜厚互不相同的SiN膜。另外，在图5示出的处理中，在保持区域W1、W2中分别搭载有晶圆C2、C1的情况下，也在执行步骤S1～S8的期间向保持区域W1供给比向保持区域W2供给的DCS气体多的DCS气体，因此，与进行处理B1、B2的情况同样地，能够分别在晶圆C1、C2上面内均匀性高地进行成膜。但是，相比于图5的处理，处理B1、B2能够减少对反应容器11内进行吹扫的次数，因此较为优选。
另外，能够将已述的各成膜装置的结构以及各成膜处理的方法相互进行组合。例如，既可以在如图16中说明的那样能够向保持区域W1、W2单独地供给NH3的活性种的成膜装置81中进行图19、图20的处理B1、B2，来在晶圆C1、C2上形成膜质互不相同的SiN膜，也可以在图17中说明的能够限定性地向保持区域W2供给乙烯气体的成膜装置82中进行处理B1、B2，来在晶圆C1、C2上形成膜种类互不相同的膜。
根据本发明，在利用划分用基板划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的基础上，在向第一基板保持区域和第二基板保持区域中的一方供给原料气体的期间，向另一方供给吹扫气体。另外，根据本发明的其它发明，向第一基板保持区域和第二基板保持区域以互不相同的流量供给原料气体，并且向第二基板保持区域供给用于调整这些基板保持区域的压力分布的调整用的气体。根据这些结构，能够分别对第一基板保持区域中的基板、第二基板保持区域中的基板单独地进行处理，因此能够形成膜厚、膜质或膜种类互不相同的膜。另外，还能够对表面积互不相同的基板统一地进行成膜。因而，能够在基板保持部搭载大量的基板来进行处理，因此能够提高装置的生产率。
应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是例示性的，并非限制性的。实际上，能够通过各种方式来具体实现上述实施方式。另外，上述实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的范围内能够以各种方式进行省略、替换、变更。本发明的范围意图包含所附的权利要求书及其均等的含义和范围内的所有变更。

Claims (9)

1.一种成膜装置，在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：
第一原料气体供给部、第二原料气体供给部，该第一原料气体供给部、第二原料气体供给部分别限定性地向沿着上述基板保持件中的基板的排列方向的第一基板保持区域和第二基板保持区域供给上述原料气体；
反应气体供给部，其向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域供给反应气体；
吹扫气体供给部，其在上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的某一方被供给上述原料气体时，向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的另一方供给用于防止被供给上述原料气体的吹扫气体；
划分用基板，其在上述基板保持件中被保持在上述第一基板保持区域与上述第二基板保持区域之间，将上述基板保持件划分为第一基板保持区域和第二基板保持区域；以及
控制部，其输出控制信号，使得将第一循环和第二循环分别进行多次，该第一循环包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给，该第二循环包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给，
其中，上述控制部输出控制信号，使得将上述第一循环和上述第二循环进行互不相同的次数，
其中，从上述第一原料气体供给部和上述第二原料气体供给部供给的原料气体的种类互不相同，
其中，所述第一基板保持区域和所述第二基板保持区域共用所述反应气体供给部，
其中，第一期间与第二期间相互重叠，并且上述第二期间比上述第一期间长，其中，该第一期间是进行包括向上述第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的第一循环中的上述原料气体的供给的期间，该第二期间是进行包括向上述第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的第二循环中的上述原料气体的供给的期间，
上述控制部输出控制信号，使得在包含于上述第二期间并且处于上述第一期间以外的期间内向上述第一基板保持区域供给上述吹扫气体。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
当设一个过程所需的第二循环的第二重复次数比一个过程所需的第一循环的第一重复次数多时，上述控制部输出控制信号，使得执行将第一循环仅进行第一重复次数的步骤以及在该步骤之前或之后将第二循环仅进行第二重复次数的步骤。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
当设一个过程所需的第二循环的第二重复次数比一个过程所需的第一循环的第一重复次数多时，上述控制部输出控制信号，使得执行将第一循环和第二循环同时仅进行第一重复次数的步骤以及将第二循环仅进行从第二重复次数减去第一重复次数所得的次数的步骤。
4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
当设一个过程所需的第二循环的第二重复次数比一个过程所需的第一循环的第一重复次数多时，上述控制部输出控制信号，使得执行将循环的组重复多次的步骤，其中，该循环的组包括进行第一循环、在该第一循环之前或之后进行第二循环这一系列工序，
用上述第一重复次数和上述第二重复次数除以将上述循环的组重复的次数来决定各循环的组中的第一循环的重复次数和第二循环的重复次数，各循环的组中的第二循环的次数比第一循环的次数多。
5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
当设一个过程所需的第二循环的第二重复次数比一个过程所需的第一循环的第一重复次数多时，上述控制部输出控制信号，使得执行将循环的组重复多次的步骤，其中，该循环的组包括进行第一循环和第二循环、在执行该循环之前或之后不进行第一循环而进行第二循环这一系列工序，
用上述第一重复次数和上述第二重复次数除以将上述循环的组重复的次数来决定各循环的组中的第一循环的重复次数和第二循环的重复次数。
6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
从上述第一原料气体供给部和上述第二原料气体供给部中的某一方供给主原料气体以及掺杂用气体，从上述第一原料气体供给部和上述第二原料气体供给部中的另一方供给主原料气体，其中，该掺杂用气体包含要掺杂到该主原料气体与反应气体的反应生成物中的元素，
在第一基板保持区域和第二基板保持区域中的某一方被供给上述掺杂用气体时，上述吹扫气体供给部向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的另一方供给吹扫气体以防止该另一方被供给上述掺杂用气体。
7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述第一基板保持区域是用于保持第一基板的区域，上述第二基板保持区域是用于保持表面积比上述第一基板的表面积大的第二基板的区域。
8.一种成膜装置，在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：
第一反应气体供给部、第二反应气体供给部，该第一反应气体供给部、第二反应气体供给部分别限定性地向沿着上述基板保持件中的基板的排列方向的第一基板保持区域和第二基板保持区域供给上述反应气体；
原料气体供给部，其向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域供给原料气体；
吹扫气体供给部，其在上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的某一方被供给上述反应气体时，向上述第一基板保持区域和第二基板保持区域中的另一方供给用于防止被供给上述反应气体的吹扫气体；
划分用基板，其在上述基板保持件中被保持在上述第一基板保持区域与上述第二基板保持区域之间，将上述基板保持件划分为第一基板保持区域和第二基板保持区域；以及
控制部，其输出控制信号，使得将第一循环和第二循环分别进行多次，该第一循环包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给，该第二循环包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给，
其中，上述控制部输出控制信号，使得将上述第一循环和上述第二循环进行互不相同的次数，
其中，从上述第一反应气体供给部和上述第二反应气体供给部供给的反应气体的浓度互不相同，
其中，所述第一基板保持区域和所述第二基板保持区域共用所述原料气体供给部，
其中，第一期间与第二期间相互重叠，并且上述第二期间比上述第一期间长，其中，该第一期间是进行包括向上述第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的第一循环中的上述原料气体的供给的期间，该第二期间是进行包括向上述第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的第二循环中的上述原料气体的供给的期间，
上述控制部输出控制信号，使得在包含于上述第二期间并且处于上述第一期间以外的期间内向上述第一基板保持区域供给上述吹扫气体。
9.一种成膜装置，在纵型的反应容器内配置有将多个基板保持为架状的基板保持件的状态下，将原料气体以及与该原料气体进行反应来生成反应生成物的反应气体交替地供给到上述反应容器内来在基板上成膜，该成膜装置具备：
第一原料气体供给部，其以第一流量限定性地向沿着上述基板保持件中的基板的排列方向的第一基板保持区域和第二基板保持区域中的上述第一基板保持区域供给上述原料气体；
第二原料气体供给部，其与从上述第一原料气体供给部进行的上述原料气体的供给并行地，以大于上述第一流量的第二流量限定性地向上述第二基板保持区域供给上述原料气体；
压力调整用气体供给部，其在上述第一基板保持区域和第二基板保持区域被供给上述原料气体时，向第一基板保持区域供给用于调整该第一基板保持区域和第二基板保持区域的压力分布的压力调整用气体；
划分用基板，其在上述基板保持件中被保持在上述第一基板保持区域与上述第二基板保持区域之间，划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域；以及
控制部，其输出控制信号，使得将以下循环分别进行多次：包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI611043B (zh) 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6568508B2 (ja) 2016-09-14 2019-08-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6807275B2 (ja) * 2017-05-18 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
KR102034766B1 (ko) * 2018-04-12 2019-10-22 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7109310B2 (ja) * 2018-08-23 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6920262B2 (ja) * 2018-09-20 2021-08-18 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7016833B2 (ja) * 2019-05-17 2022-02-07 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101150050A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 东京毅力科创株式会社 半导体处理用氧化装置和方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2982863B2 (ja) * 1996-08-30 1999-11-29 日本電気株式会社 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US20030111013A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-19 Oosterlaken Theodorus Gerardus Maria Method for the deposition of silicon germanium layers
JP2008172205A (ja) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および反応容器
US20080173238A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
US7629256B2 (en) * 2007-05-14 2009-12-08 Asm International N.V. In situ silicon and titanium nitride deposition
JP5421212B2 (ja) 2010-09-29 2014-02-19 日本特殊陶業株式会社 スパークプラグ
US20140256152A1 (en) * 2011-10-11 2014-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and recording medium
US9512519B2 (en) * 2012-12-03 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Atomic layer deposition apparatus and method
JP6502755B2 (ja) * 2015-06-11 2019-04-17 三井化学株式会社 エンジン支持部材用樹脂組成物及びエンジン支持部材

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101150050A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 东京毅力科创株式会社 半导体处理用氧化装置和方法

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