CN105239061A - 一种石墨烯/金属复合薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)将附有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行原位还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的复合薄膜。本发明所提供的制备方法将金属粒子原位还原在石墨烯薄膜上，节省了复合流程并且金属粒子在石墨烯薄膜上可以形成良好的分散，降低了石墨烯/金属复合薄膜的方阻。制备得到的石墨烯/金属复合薄膜中金属粒子夹在石墨烯薄膜与目标基底之间，被很好地保护起来，大大增强了复合薄膜方阻的时间稳定性。
Description
技术领域
本发明属于石墨烯技术领域，具体涉及一种石墨烯/金属复合薄膜及其制备方法。
背景技术
石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面二维材料，是单个碳原子厚度的二维材料，其厚度为0.334nm。石墨烯作为一种半金属材料其特殊的孔隙结构，决定了其具有柔性的特点。石墨烯内部载流子浓度高达1013cm-2，其理论迁移率能达到200000cm2/V·s，而且单层石墨烯的透光率达到97.7％。石墨烯这些特殊的性能使其在电子信息、能源新材料以及军事工业领域显示出广阔的应用前景。
尤其在透明导电薄膜领域，石墨烯兼具优良的光学、力学和机械特性使其成为最佳的下一代透明导电薄膜替代材料。但目前石墨烯还存在阻抗较高的问题，极大限制了其在透明导电薄膜领域的应用。常规的方法是通过掺杂的方法使得导电性进一步提高，但是其性能提升还比较有限。而通过石墨烯与金属的复合可以利用金属材料的优良导电性来桥架石墨烯薄膜的缺陷，从而大幅提升石墨烯薄膜的导电特性。
目前石墨烯与金属复合制备石墨烯/金属复合薄膜，需要通过将金属纳米结构涂布在石墨烯或者衬底上，其中，金属纳米颗粒需要另外合成，流程复杂；并且，金属纳米离子在涂布时容易发生团聚，从而增大了石墨烯/金属复合薄膜的方阻，并且方阻的时间稳定性较差，因此寻找一种简单易用的石墨烯/金属复合方法是突破石墨烯薄膜性能瓶颈的重要部分。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种石墨烯/金属复合薄膜及其制备方法，本发明提供的制备方法简单，制备得到的石墨烯/金属复合薄膜方阻低，并且具备良好的时间稳定性。
本发明提供了一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A)将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；
B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
优选的，所述生长基底选自铜基底或镍基底。
优选的，所述还原液中的水溶性金属盐为氯金酸、氯金酸钠、硝酸银、氯铂酸、氯铂酸钠中的一种或多种。
优选的，所述还原液中的水溶性金属盐为氯金酸、氯铂酸中的一种或多种。
优选的，所述还原液中金属离子的浓度为0.001mg/L～1g/L。
优选的，所述还原液中金属离子的浓度为0.01mg/L～0.5g/L。
优选的，所述还原液中金属离子的浓度为0.05mg/L～0.1g/L
优选的，还原反应的时间为10s～24h。
优选，所述还原反应的时间为1min～1h。
优选的，所述长有石墨烯薄膜的生长基底按照下述方法进行制备：
将生长基底放入反应炉，然后向反应炉中通入反应气体进行反应，得到附有石墨烯薄膜的生长基底；所述反应气体包括氢气和气态碳源。
优选的，所述目标基底选自PET、PE、PC、PVC、玻璃、硅片或石英。
优选的，所述步骤B)具体为：
采用粘结剂将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜与目标基底贴合后，再将所述生长基底刻蚀，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
优选的于，所述粘结剂选自热熔胶、UV光固胶或聚酯类粘结剂。
优选的，所述刻蚀的刻蚀液选自过硫酸铵。
本发明还提供了一种上述制备方法制备得到的石墨烯/金属复合薄膜，方阻为170～250Ω/□。
与现有技术相比，本发明提供了一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入带有金属离子的还原溶液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。本发明将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入带有金属离子的还原溶液中，石墨烯与生长基底以及带有金属离子的还原溶液形成原电池体系。由于所述生长基体的金属元素比还原液中的金属离子的金属元素的还原性强，因此还原液中的金属离子可以被还原成纳米尺寸的金属粒子，金属盐被还原成金属单质后形成的稳定、均匀、呈单一分散状态悬浮在液体中的金属溶胶。在原电池的作用机理下，所述还原液中的金属离子被原位还原后极易吸附在石墨烯表面，从而形成了石墨烯/金属复合薄膜。这种方法节省了复合流程并且金属粒子在石墨烯薄膜上可以形成良好的分散，降低了石墨烯/金属复合薄膜的方阻。制备得到的石墨烯/金属复合薄膜中金属粒子夹在石墨烯薄膜与目标基底之间，被很好地保护起来，大大增强了复合薄膜方阻的时间稳定性。
结果表明，本发明提供的石墨烯/金属复合薄膜的方阻为170～250Ω/□，将所述石墨烯/金属复合薄膜放置一个月后方阻变化很小。
附图说明
图1为本发明实施例2制备的石墨烯/金属复合薄膜的SEM图；
图2为本发明实施例3制备的石墨烯/金属复合薄膜的SEM图；
图3为本发明实施例4制备的石墨烯/金属复合薄膜的SEM图。
具体实施方式
本发明提供了一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A)将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；
B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
本发明首先将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜。
在本发明中，所述长有石墨烯薄膜的生长基底按照下述方法进行制备：
将生长基底放入反应炉，然后向反应炉中通入反应气体进行反应，得到附有石墨烯薄膜的生长基底；所述反应气体包括氢气和气态碳源。
本发明将生长基底放入反应炉中，其中，所述生长基底选自Cu基底或Ni基底，优选为Cu基底。所述反应炉优选为化学气相沉积炉。
将生长基底放入反应炉后，向所述反应炉中通入反应气体进行反应。在本发明中，所述反应气体包括氢气和气态碳源，其中，所述气态碳源选自甲烷和/或乙烯。反应气体中，所述氢气与所述气态碳源的体积比优选为1～500：0.1～100，更优选为50～100：10～20。所述反应的温度优选为800～1200℃，更优选为900～1100℃，最优选为1000～1090℃。所述反应的时间优选为1min～60min，更优选为10min～20min。
反应结束后，得到长有石墨烯薄膜的生长基底。将所述长有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜。
在本发明中，所述还原液为带有金属离子的还原液，所述带有金属离子的还原液按照下述方法进行配置：
将水溶性金属盐溶解于去离子水中，混合均匀，得到带有金属离子的还原液。
在本发明中，水溶性金属盐优选为氯酸盐或硝酸盐。更优选为氯金酸、氯金酸钠、硝酸银、氯铂酸、氯铂酸钠中的一种或多种。更优选为氯金酸、氯铂酸中的一种或多种。所述生长基底所用的金属的还原性强于所述可溶性金属化合物中金属的还原性，所述可溶性金属化合物中金属优选为银、铂和金中的一种或多种，即所述金属离子优选为银离子、铂离子和金离子中的一种或多种。
优选的，所述还原液中金属离子的浓度为0.001mg/L～1g/L；更优选的，所述还原液中金属离子的浓度为0.01mg/L～0.5g/L；最优选的，所述还原液中金属离子的浓度为0.05mg/L～0.1g/L。
将所述附有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，本发明对所述还原反应的具体方法并没有特殊限制，可以进行单片状复合或卷对卷复合。
其中，所述单片状复合按照下述方法进行：选取单片状的附有石墨烯薄膜的生长基底，将其浸泡于带有金属离子的还原液中，所述金属离子被生长基底还原，得到不同形状的金属纳米颗粒或纳米线，在石墨烯薄膜表面结晶析出，形成金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜。将得到的复合薄膜清洗，烘干即可。所述还原的优选为10s～24h，更优选为1min～1h。本发明对所述清洗烘干的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的清洗烘干的方法即可。在本发明中，所述清洗优选冲洗或漂洗，所述烘干优选使用风刀吹干或烘箱烘干。
所述卷对卷复合按照下述方法进行：将卷对卷生长得到的长有石墨烯薄膜的生长基底进行安装，其中，一部分附有石墨烯薄膜的生长基底浸泡于带有金属离子的溶液中，所述金属离子被生长基底还原，得到不同形状的金属纳米颗粒或纳米线，在石墨烯薄膜表面结晶析出，形成金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜，之后，卷对卷复合装置启动，收卷端前放置的风刀，用来将薄膜表面残留的溶液吹落，将得到的金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜收卷，附有石墨烯薄膜的生长基底解卷，继续上述还原反应，直至得到整卷的金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜。所述卷对卷复合装置的运行速度优选为0.01m/min～5m/min，更优选为0.1m/min～1m/min。所述还原的优选为10s～24h，更优选为1min～1h。
得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜后，将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
本发明对所述转移的方法并没有特殊限制，优选按照下述方法进行转移：
采用粘结剂将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜与目标基底贴合后，再将所述生长基底刻蚀，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
首先，采用粘结剂将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜与目标基底贴合，在本发明中，所述粘结剂选自热熔胶、UV光固胶或聚酯类粘结剂，更优选为热熔胶或UV光固胶。所述目标基底选自PET、PE、PC、PVC、玻璃、硅片或石英，更优选为PET。
接着，将所述生长基底刻蚀，本发明优选采用过硫酸铵溶液作为刻蚀液，所述过硫酸铵溶液的浓度优选为5wt％～20wt％，在本发明的一些具体实施方式中，所述过硫酸铵溶液的浓度为10wt％。
将生长基底刻蚀后，得到石墨烯/金属复合薄膜，所述石墨烯/金属复合薄膜为目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜三层复合结构。
其中，所述整卷的金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜在卷对卷转移装置中完成与目标基底的贴合以及生长基底的刻蚀步骤，得到整卷的石墨烯/金属复合薄膜。
本发明还提供了一种上述制备方法制备得到的石墨烯/金属复合薄膜。
本发明所提供的石墨烯/金属复合薄膜的制备方法将金属离子原位还原在石墨烯薄膜上，节省了复合流程并且金属粒子在石墨烯薄膜上分散均匀，降低了石墨烯/金属复合薄膜的方阻。制备得到的石墨烯/金属复合薄膜中金属粒子夹在石墨烯薄膜与目标基底之间，被很好地保护起来，大大增强了复合薄膜方阻的时间稳定性。结果表明，本发明提供的石墨烯/金属复合薄膜的方阻为170～250Ω/□，将所述石墨烯/金属复合薄膜放置一个月后方阻变化很小。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的石墨烯/金属复合薄膜及其制备方法进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
将铜基底放入化学气相反应炉中，然后向所述化学气相反应炉中通入氢气和甲烷气体，在1000℃的条件下进行反应，得到附有石墨烯薄膜的铜基底，其中，所述氢气与甲烷气体的体积比为10:1。
对比例1
1.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与PET压合。形成铜/石墨烯/PET结构。
2.将上述铜/石墨烯/PET结构放于10wt％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
3.待铜完全被刻蚀后，得到PET/石墨烯的复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.测量上述复合薄膜的方阻值，方阻范围为：300Ω/□～350Ω/□。
实施例2
1.配制0.5g/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.5g/L氯金酸溶液中，静置1分钟得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与PET压合。形成PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到PET/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
将所述石墨烯/金属复合薄膜进行扫描电子显微镜观察，结果见图1，图1为本发明实施例2制备的石墨烯/金属复合薄膜的SEM图。如图1所示，金颗粒在石墨烯表面分布均匀。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：185Ω/□～210Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：190Ω/□～220Ω/□。
实施例3：
1.配制0.1g/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.1g/L氯金酸溶液中，静置10分钟得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与PET压合。形成PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到PET/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
将所述石墨烯/金属复合薄膜进行扫描电子显微镜观察，结果见图2，图2为本发明实施例3制备的石墨烯/金属复合薄膜的SEM图。如图2所示，金颗粒在石墨烯表面分布均匀。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：182Ω/□～200Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：183Ω/□～199Ω/□。
实施例4：
1.配制1g/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的1g/L氯金酸溶液中，静置3分钟使得金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与PET压合。形成PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到PET/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
将所述石墨烯/金属复合薄膜进行扫描电子显微镜观察，结果见图3，图3为本发明实施例4制备的石墨烯/金属复合薄膜的SEM图。如附图3所示，金颗粒在石墨烯表面分布均匀。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：170Ω/□～180Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：175Ω/□～182Ω/□。
实施例5：
1.配制0.001mg/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.001mg/L氯金酸溶液中，静置24h得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与PET压合。形成PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到PET/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：220Ω/□～250Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：223Ω/□～249Ω/□。
实施例6：
1.配制0.01mg/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.01mg/L氯金酸溶液中，静置1分钟得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.以UV光固胶作为粘结剂，将上述铜/石墨烯与PET过辊压合，使用UV光固机进行固化，得到PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述PET/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到PET/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：198Ω/□～232Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，放置范围为：201Ω/□～229Ω/□。
实施例7：
1.配制0.2mg/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.2mg/L氯金酸溶液中，静置10h得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与PC压合。形成PC/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述PC/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到PC/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：208Ω/□～225Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：211Ω/□～230Ω/□。
实施例8：
1.配制0.05g/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.05g/L氯金酸溶液中，静置10分钟得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与石英压合。形成石英/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述石英/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到石英/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：182Ω/□～193Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：185Ω/□～201Ω/□。
实施例9：
1.配制0.1mg/L的氯金酸溶液。
2.将实施例1制备的附有石墨烯薄膜的铜基底放入上述稀释后的0.1mg/L氯金酸溶液中，静置5h得到金粒子/石墨烯薄膜/铜基底形成的复合薄膜。
3.取出上述复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
4.将上述复合薄膜在110℃条件下，热熔胶作为粘结剂，过辊与石英压合。形成石英/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构。
5.将上述石英/金粒子/石墨烯薄膜/铜基底结构放于10％的过硫酸铵溶液中刻蚀。
6.待铜完全被刻蚀后，得到石英/金粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜，用去离子水清洗后吹干。
7.测量上述制备得到的石墨烯/金属复合薄膜的方阻值，方阻范围为：195Ω/□～220Ω/□。
8.将上述石墨烯/金属复合薄膜放置1个月后，方阻范围为：201Ω/□～225Ω/□。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
A)将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；
B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述生长基底选自铜基底或镍基底。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述还原液中的水溶性金属盐为氯金酸、氯金酸钠、硝酸银、氯铂酸、氯铂酸钠中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述还原液中金属离子的浓度为0.001mg/L～1g/L。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述目标基底选自PET、PE、PC、PVC、玻璃、硅片或石英。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还原反应的时间为10s～24h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B)具体为：
采用粘结剂将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜与目标基底贴合后，再将所述生长基底刻蚀，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂选自热熔胶、UV光固胶或聚酯类粘结剂。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀的刻蚀液选自过硫酸铵。
10.一种由权利要求1～9任意一项权利要求所述的制备方法制备得到的石墨烯/金属复合薄膜，其特征在于所述方阻为170～250Ω/□。
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