CN105177695B - 一种阴极辊pva抛光的工艺 - Google Patents
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Abstract
一种阴极辊PVA抛光的工艺，属于电解铜箔生产工艺技术领域，包括如下步骤：选取1000#磨料为SiC的抛光刷，将阴极辊放在盛有抛光液的电解槽中进行电解抛光，其中，抛光轮转速300~600r/min，抛光震动400~800次/min，电解抛光的电流为3~7A。通过采用本发明的工艺，有效的改善了阴极辊表面状况，从而为铜沉积晶粒大小、几何形状、平整度的改变奠定良好的辊面条件，尤其是对铜箔生产工艺中稳定性的提升具有重要的作用。
Description
技术领域
本发明属于电解铜箔生产工艺技术领域，具体涉及一种阴极辊PVA抛光的工艺。
背景技术
电解铜箔生产的关键设备是阴极辊，铜离子在外电场的作用下电沉积到阴极辊表面生成铜箔。因此，阴极辊表面晶粒大小、几何形状、平整度、粗糙度直接影响到电解铜箔的亮面质量。同时，对毛面晶体结构有十分关键的影响，金属表面的粗糙度不同导致在电解液中的电化学行为不同。表面越粗糙，晶格变大，实际面积变大，实际电流密度下降，阴极极化变小。严重时，造成部分的实际电极电位达不到铜的析出电位或偏低，导致电解铜箔晶粒大小不均、排列杂乱，甚至出现渗透孔。因此，成熟稳定的抛光参数对铜箔生产具有重要意义。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种阴极辊PVA抛光的工艺。
为实施上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种阴极辊PVA抛光的工艺，包括如下步骤：
选取1000#磨料为SiC的抛光刷，将阴极辊放在盛有抛光液的电解槽中进行电解抛光，其中，抛光轮转速300~600r/min，抛光震动400~800次/min，电解抛光的电流为3~7A。
所述抛光液为纯水，抛光温度为25~35℃ ，抛光时间为15~40min。
通过采用本发明的工艺，有效的改善了阴极辊表面状况，从而为铜沉积晶粒大小、几何形状、平整度的改变奠定良好的辊面条件，尤其是对铜箔生产工艺中稳定性的提升具有重要的作用。
附图说明
图1为本发明实施例1的电解铜箔光面×500倍SEM照片；
图2为本发明实施例2的电解铜箔光面×500倍SEM照片；
图3为本发明实施例3的电解铜箔光面×500倍SEM照片。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明的保护范围不限于此。
实施例1
一种阴极辊PVA抛光的工艺，包括如下步骤：
选取1000#磨料为SiC的抛光刷，将清洗干净的阴极辊放在25℃纯水中进行电解抛光，时间为35min，抛光轮转速400r/min，抛光震动500次/min，抛光电流为4A。
所得的毛箔试样光面的SEM照片如图1所示。
实施例2
一种阴极辊PVA抛光的工艺，包括如下步骤：
选取1000#磨料为SiC的抛光刷，将清洗干净的阴极辊放在30℃纯水中进行电解抛光，时间为25min，抛光轮转速500r/min，抛光震动700次/min，抛光电流为5.5A。
所得的毛箔试样光面的SEM照片如图2所示。
实施例3
一种阴极辊PVA抛光的工艺，包括如下步骤：
选取1000#磨料为SiC的抛光刷，将阴极辊放在30℃纯水中进行电解抛光，抛光时间为15min，抛光轮转速350r/min，抛光震动650次/min，抛光电流为6A。
所得的毛箔试样光面的SEM照片如图3所示。
由图1至3所述，使用本发明工艺的在三个实施例，抛光效果良好，有效改善阴极辊表面晶粒大小、几何形状、平整度、粗糙度，进而有效提高电解铜箔的亮面质量。
Claims (1)
1.一种阴极辊PVA抛光的工艺，其特征在于，包括如下步骤：选取1000#磨料为SiC的抛光刷，将阴极辊放在盛有抛光液的电解槽中进行电解抛光，其中，抛光轮转速300~600r/min，抛光震动400~800次/min，电解抛光的电流为3~7A，所述抛光液为纯水，抛光温度为25~35℃，抛光时间为15~40min。
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