CN105159001A - 阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板、显示面板以及显示装置。该阵列基板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着列方向延伸的多条公共电极线；其中，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，N选自大于等于零的整数；同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，扫描信号线沿行方向延伸；每个像素单元组的两列像素单元之间具有一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的数据信号线，数据信号线沿列方向延伸，各公共电极线位于相邻两个像素单元组之间。从而，可得到不同显示模式下优化的多种双栅极高开口率像素设计。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置
技术领域
本发明至少一实施例涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是利用夹在上下两个基板之间的液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有背光模块、偏光片、TFT基板(下基板)、彩膜(ColorFilter，CF)基板(上基板)以及由上下两个基板组成的盒中填充的液晶分子层。TFT基板上有大量的像素电极，像素电极上的电压通断及大小由与横向扫描信号线相连的栅极信号、以及与纵向数据线连接的源极信号控制。公共电极与像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的取向。TFT基板上的公共电极(Vcom)线和像素电极之间可以形成存储电容以用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。
目前，TFT基板可采用双栅(DualGate)设计，这样可以有效减少数据线IC接头的数量，实现降低成本的效果。一般的，采用双栅设计的面板通常具有与扫描信号线平行的公共电极线以及与数据线平行的公共电极线，像素开口率较低。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置。该阵列基板在沿着多个像素单元的列方向设置多条公共电极线，以优化显示屏面内公共电极电阻，改善绿色(Greenish)缺陷；同时去除行方向的公共电极线，从而提升开口率。
本发明至少一实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着所述列方向延伸的多条公共电极线；其中，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，N选自大于等于零的整数；
同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，所述扫描信号线沿所述行方向延伸；
每个像素单元组的两列像素单元之间具有一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的所述数据信号线，所述数据信号线沿所述列方向延伸；
各所述公共电极线位于相邻两个像素单元组之间。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述公共电极线与所述数据信号线同层设置。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述公共电极线包括两部分，其中一部分包括多个公共电极线主体部分，所述多个公共电极线主体部分与所述扫描信号线同层设置，并在相邻两行像素单元之间的所述两条扫描信号线处断开，另一部分包括多条连接线，所述多条连接线与像素电极同层设置，各所述连接线经过孔连接在所述扫描信号线处断开的两个所述公共电极线主体部分，以实现各所述公共电极线的连接延伸。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括公共电极，其中，各所述公共电极线中的所述多个公共电极线主体部分和与其相邻的两列像素单元内的所述公共电极电连接。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述扫描信号线在与所述连接线重叠的位置处收窄。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，同一行像素单元中，相邻像素单元组中的相邻两个像素单元连接到不同的扫描信号线或连接到相同的扫描信号线。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，每相邻两个像素单元组之间具有一条所述公共电极线。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板还包括至少一层绝缘层，其中，所述至少一层绝缘层位于所述公共电极线所在的层与所述公共电极所在的层之间，所述公共电极经位于所述绝缘层中的过孔与所述公共电极线电连接。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述绝缘层过孔周期排列。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述绝缘层过孔呈周期排列，在列方向上，每隔X个像素单元设置一个所述绝缘层过孔，X为大于零的整数。
本发明至少一实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着所述列方向延伸的多条公共电极线；其中，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，N选自大于等于零的整数；
同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，所述扫描信号线沿所述行方向延伸；
每个像素单元组的两列像素单元之间形成一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的所述数据信号线，所述数据信号线沿所述列方向延伸；
各所述公共电极线形成在相邻两个像素单元组之间。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板的制造方法中，各所述公共电极线与所述数据信号线同层形成。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板的制造方法中，各所述公共电极线包括两部分，其中一部分包括多个公共电极线主体部分，所述多个公共电极线主体部分与所述扫描信号线同层形成，并在相邻两行像素单元之间的所述两条扫描信号线处断开，另一部分包括多条连接线，所述多条连接线与像素电极同层形成，各所述连接线经过孔连接在所述扫描信号线处断开的两个所述公共电极线主体部分，以实现各所述公共电极线的连接延伸。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板的制造方法还包括形成公共电极，其中，各所述公共电极线中的所述多个公共电极线主体部分和与其相邻的两列像素单元内的所述公共电极电连接。
例如，在本发明一实施例提供的阵列基板的制造方法中，每相邻两个像素单元组之间形成一条所述公共电极线。
例如，本发明一实施例提供的阵列基板的制造方法还包括形成至少一层绝缘层，其中，所述至少一层绝缘层形成在所述公共电极线所在的层与所述公共电极所在的层之间，所述公共电极经位于所述绝缘层中的过孔与所述公共电极线电连接。
本发明至少一实施例还提供一种显示面板，包括上述任一阵列基板。
本发明至少一实施例还提供一种显示装置，包括上述任一显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1a为本发明一实施例提供的一种阵列基板的示意图；
图1b为本发明一实施例提供的另一种阵列基板的示意图；
图2a为本发明一实施例提供的一种图1a所示的虚线部分的示意图；
图2b为本发明一实施例提供的一种图2a所示的阵列基板的A-A’向剖视示意图；
图2c为本发明一实施例提供的一种图2a所示的阵列基板的B-B’向剖视示意图；
图3a为制作本发明一实施例提供的阵列基板的方法中在衬底基板上形成栅极及扫描信号线图形的示意图；
图3b为制作本发明一实施例提供的阵列基板的方法中在栅极绝缘层上形成有源层图形的示意图；
图3c为制作本发明一实施例提供的阵列基板的方法中在栅极绝缘层上形成有源层图形的示意图；
图3d为制作本发明一实施例提供的阵列基板的方法中在栅极绝缘层上形成像素电极、源极以及漏极图形的示意图；
图3e为制作本发明一实施例提供的阵列基板的方法中在绝缘层上形成公共电极图形的示意图；
图4a为本发明一实施例提供的另一种图1a所示的阵列基板的A-A’向剖视示意图；
图4b为本发明一实施例提供的另一种图1a所示的阵列基板的B-B’向剖视示意图；
图5a为本发明另一实施例提供的图1a所示的虚线部分的示意图；
图5b为本发明另一实施例提供的一种图1a所示的阵列基板的C-C’向剖视示意图；
图5c为本发明另一实施例提供的一种图1a所示的阵列基板的B-B’向剖视示意图；
图5d为本发明另一实施例提供的一种图1a所示的阵列基板的A-A’向剖视示意图；
图6a为制作本发明另一实施例提供的阵列基板的方法中在衬底基板上形成的公共电极图形的示意图；
图6b为制作本发明另一实施例提供的阵列基板的方法中形成栅极、扫描信号线及公共电极线主体部分的图形的示意图；
图6c为制作本发明另一实施例提供的阵列基板的方法中形成有源层、源极以及漏极图形的示意图；
图6d为制作本发明另一实施例提供的阵列基板的方法中在第一绝缘层中形成的过孔图形的示意图；
图6e为制作本发明另一实施例提供的阵列基板的方法中在第一绝缘层上形成的像素电极图形的示意图；
图6f为制作本发明另一实施例提供的阵列基板的方法中形成像素电极图形后的示意图；
附图标记：
100-衬底基板；101-像素单元；102-公共电极线；103-扫描信号线；104-像素单元组；105-数据信号线；106-公共电极；107-第一绝缘层；108-绝缘层过孔(对应公共电极与公共电极线连接的过孔)；109-栅极；110-栅极绝缘层；111-有源层；112-像素电极；113-第二绝缘层；114-源极；115-漏极；116-绝缘层；118-绝缘层过孔(对应像素电极与漏极连接的过孔)；1020-公共电极线主体部分；1120-连接线；121-像素电极层；1060-公共电极的狭缝；150-薄膜晶体管；1031-扫描信号线与连接线重叠的位置处。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
这里应该理解的是，在本公开中，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。不同构图工艺形成特定图形还可能具有不同的厚度。
本发明至少一实施例提供一种阵列基板，如图1a所示，包括衬底基板100、设置在衬底基板100上的沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元101以及沿着列方向延伸的多条公共电极线102。以第2N+1列和第2N+2列像素单元101为一个像素单元组104，其中，N选自大于等于零的整数。例如，将多个像素单元以相邻的两列像素单元划分为一个像素单元组，且各像素单元组之间的像素单元互不相同。
相邻两行像素单元101之间具有两条扫描信号线103。例如，对应于每行像素单元，在其列方向上的两侧分别设置一条扫描信号线103。同一像素单元组中的同行(属于同一行)的两个像素单元101连接到不同的扫描信号线103，扫描信号线103沿行方向延伸。例如，在每一行中的像素单元101分别连接到位于该行像素单元的列方向上的两侧的扫描信号线103。
需要说明的是，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线。例如是指任意相邻的两行像素单元之间均具有两条扫描信号线。例如，是指第M+1行和第M+2行像素单元之间具有两条扫描信号线，其中，M选自大于等于零的整数。
每个像素单元组104的两列像素单元101之间具有一条数据信号线105，且每个像素单元组104共用位于该两列像素单元101之间的数据信号线105，数据信号线105沿列方向延伸。例如，每条数据信号线105两侧的两列像素单元为一个像素单元组104。
各公共电极线102位于相邻两个像素单元组104之间。
例如，如图1a中，同一行像素单元中，相邻像素单元组中的相邻两个像素单元101可以连接到相同的扫描信号线，亦可连接到不同的扫描信号线，如图1b所示。
本发明各实施例中所述的像素单元例如是指子像素。每个子像素例如包括一条扫描信号线、一条数据信号线、一个像素电极和一个薄膜晶体管。相邻的子像素可共用一条数据信号线。
本发明至少一实施例提供的阵列基板将沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线去除，只保留沿着多个像素单元的列方向延伸(与数据信号线平行)的多条公共电极线。由于沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线的去除，从而开口率大大提升。
本发明至少一实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着列方向延伸的多条公共电极线。相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，其中，N选自大于等于零的整数。
同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，扫描信号线沿行方向延伸；
每个像素单元组的两列像素单元之间形成一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的数据信号线，数据信号线沿列方向延伸；
各公共电极线形成在相邻两个像素单元组之间。
例如，公共电极线可以通过沉积金属薄膜、涂覆光刻胶、曝光显影得到光刻胶图形、刻蚀金属薄膜等工艺形成。亦可采用其他方式形成。
例如，公共电极线可以由一层金属薄膜单独制作而成。也可以与阵列基板中通常的金属线(例如扫描信号线、数据信号线等)同层设置。在某些位置处断开的情况下，可以采用其他导电材料层搭接。
下面分别以公共电极线与扫描信号线或数据信号线同层设置为例进行说明。
实施例1
本实施例提供一种阵列基板，如图1a和图2a所示，包括衬底基板100、设置在衬底基板100上的沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元101以及沿着列方向延伸的多条公共电极线102。相邻两行像素单元101之间具有两条扫描信号线103，以第2N+1列和第2N+2列像素单元101为一个像素单元组104(请参见图1a)，其中，N选自大于等于零的整数。
同一像素单元组中的同行(属于同一行)的两个像素单元101连接到不同的扫描信号线103，扫描信号线103沿行方向延伸。
每个像素单元组104的两列像素单元101之间具有一条数据信号线105，且每个像素单元组104共用位于该两列像素单元101之间的数据信号线105，数据信号线105沿列方向延伸。
各公共电极线102位于相邻两个像素单元组104之间。各公共电极线102与数据信号线105同层设置。
例如，如图1a和图2a所示，每相邻两个像素单元组104之间具有一条公共电极线。以下各实施例可与此相同。
例如，如图1a和图2a所示，每个像素单元设置一个薄膜晶体管。以下各实施例可与此相同。
例如，行方向为水平方向，列方向垂直于行方向。行方向和列方向在一个平面内。例如，行方向和列方向均为平行于纸面的方向。以下各实施例可与此相同。
例如，在本实施例的一个示例中，如图2a-图2c所示，该阵列基板还包括公共电极106。如图2a和图2c所示，公共电极106与各公共电极线102电连接。
例如，如图2b、2c所示，在本实施例的一个示例中，该阵列基板还包括第一绝缘层107，第一绝缘层107位于各公共电极106所在的层与公共电极106所在的层之间。如图2c所示，公共电极106经位于第一绝缘层107中的过孔108与公共电极线102电连接。
例如，在本实施例的一个示例中，可如图2c所示，图2c为高级超维场转换(HighAdvanced-SuperDimensionalSwitching，HADS)模式的阵列基板，在衬底基板100上设置栅极109。在栅极109所在的层之上设置栅极绝缘层110。在栅极绝缘层110之上设置有源层111。在栅极绝缘层110之上设置像素电极112。在列方向相邻的两个像素电极的间隙处设置公共电极线102或数据信号线105，公共电极线102和数据信号线105间隔设置，即相邻两条数据信号线105之间设置一条公共电极线。公共电极线102和数据信号线105可参见图1a以及相关描述。各公共电极线102与数据信号线105同层设置。在有源层111上设置源极114和漏极115。源极114和漏极115彼此间隔地设置在有源层111上，并均与有源层111相连，源极114和漏极115之间的间隔界定沟道区，漏极115与像素电极112电连接。在公共电极线102、数据信号线105、源极114、漏极115和像素电极112之上设置第一绝缘层107。在第一绝缘层107中设置绝缘层过孔108，在第一绝缘层107上设置公共电极106。公共电极106通过绝缘层过孔108与公共电极线102电连接。
例如，扫描信号线用于向薄膜晶体管提供开启或关断信号，数据信号线用于向像素电极提供数据信号，通过控制液晶的偏转程度实现灰度显示。
例如，在本实施例的一个示例中，绝缘层过孔可周期排列。
例如，在本实施例的一个示例中，绝缘层过孔根据显示屏尺寸的大小可以可呈周期排列。例如，每隔X个像素单元设置一个绝缘层过孔。例如，X为大于0的任意整数。例如，X＝1、X＝2、X＝4、X＝6或者X＝8等，例如，X可以为1-8中任意整数。但不限于给出的具体的X的取值。
公共电极层通过周期排列的绝缘层过孔与底部的公共电极线连接，可降低显示屏的公共电阻，从而平衡显示屏的公共电压。沿着列方向延伸的多条公共电极线可改善显示屏的发绿现象。绝缘层过孔可根据需要设置。绝缘层过孔尺寸可根据工艺刻蚀能力设计，尽可能降低接触电阻。以下各实施例可与此相同。
例如，如图3a-3e所示，上述阵列基板的制备方法，可包括如下步骤。
(1)在衬底基板100上形成栅极109的图形以及扫描信号线103的图形，如图3a所示。以第2N+1列和第2N+2列像素单元101为一个像素单元组104，其中，N选自大于等于零的整数。每相邻两行像素单元101之间具有两条扫描信号线103。
(2)在栅极109的图形以及扫描信号线103的图形上形成栅极绝缘层110。
(3)在栅极绝缘层110上形成有源层111的图形，如图3b所示。
(4)在栅极绝缘层110上形成像素电极112的图形，如图3c所示。
(5)在像素电极112的图形的间隙处形成数据信号线105的图形和沿数据线方向延伸(沿矩阵排列的多个像素单元的列方向延伸)的公共电极线102的图形。请参见图1a和图2a，每个像素单元组104的两列像素单元101之间具有一条数据信号线105，且每个像素单元组104共用位于该两列像素单元101之间的数据信号线105，数据信号线105沿列方向延伸。各公共电极线102位于相邻两个像素单元组104之间。例如，公共电极线与扫描信号线不同层设置，可以直接相互交叠。
(6)形成源极114的图形、漏极115的图形，各像素电极112与对应的薄膜晶体管的漏极115电连接，如图3d所示，亦可参见图2c。有关薄膜晶体管以及其包括的有源层111、源极114和漏极115亦可参照图2a。
(7)在公共电极线102、数据信号线105、源极114和漏极115的图形上形成第一绝缘层107，在第一绝缘层107中形成绝缘层过孔108的图形，如图3d所示。
(8)在第一绝缘层107上形成公共电极106的图形，公共电极106经位于第一绝缘层107中的过孔108与公共电极线102电连接，如图3e所示，亦可参见图2a、图2c。
从而，可形成图2a中A-A’处的剖视图如图2b所示，以及图2a中B-B’处的剖视图如图2c所示的阵列基板。
例如，上述本实施例的一个示例中，阵列基板的工艺流程可简述如下：栅极层→栅极绝缘层→有源层→像素电极层→源漏极层→绝缘层→公共电极层。
例如，也可以调整形成像素电极层和源漏极层的顺序。例如，本实施例的另一个示例中，阵列基板的工艺流程可简述如下：栅极层→栅极绝缘层→有源层→源漏极层→像素电极层→绝缘层→公共电极层。
需要说明的是，阵列基板的结构不限于图2b和图2c所示的情况。亦可采用其他结构的阵列基板。只要满足各公共电极线102位于相邻两个像素单元组104之间，以及各公共电极线102与数据信号线105同层设置即可。
例如，阵列基板的示意图如图1a、图2a所示，有关图1a、图2a的描述可参见之前叙述。而A-A’处的剖视图如图4a所示，B-B’处的剖视图如图4b所示。图4a和图4b为HADS模式的阵列基板，在衬底基板100上设置栅极109。在栅极109所在的层上设置栅极绝缘层110。在栅极绝缘层110之上设置有源层111。在有源层111所在的层上设置公共电极线102、源极114和漏极115。公共电极线102位于相邻两个像素单元组104之间，公共电极线102与数据信号线105同层设置。源极114和漏极115彼此间隔地设置在有源层111上，并均与有源层111相连，源极114和漏极115之间的间隔界定沟道区。在公共电极线102、源极114和漏极115之上设置第二绝缘层113。在第二绝缘层113上设置像素电极112，像素电极112与漏极115电连接。在像素电极112所在的层上设置第一绝缘层107。在第一绝缘层107上设置公共电极106，公共电极106通过绝缘层过孔108与公共电极线102电连接。绝缘层过孔108设置在第一绝缘层107和第二绝缘层113中。
例如，第二绝缘层113可以采用有机绝缘层。有机绝缘层的材料例如包括树脂。例如，有机绝缘层的材料包括亚克力树脂或聚酰亚胺树脂。例如，第一绝缘层的材料包括选自氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)，氮氧化硅(SiNxOy)中的一种或多种。以下各实施例可与此相同。
例如，本实施例的一个示例中，阵列基板的工艺流程可简述如下：栅极层→栅极绝缘层→有源层→源漏极层→有机膜绝缘层→像素电极层→绝缘层→公共电极层。
例如，如图2a所示，多个薄膜晶体管可倾斜设置。如图2a和2c所示，该阵列基板包括多个薄膜晶体管150，薄膜晶体管150包括栅极109、有源层111、源极114和漏极115。源极114和漏极115彼此间隔地设置在有源层111上，并均与有源层111相连。源极114和漏极115之间的间隔界定沟道区。沟道区的延伸方向可不平行于扫描信号线和数据信号线。即，沟道区与扫描信号线和数据信号线的夹角均不为直角。需要说明的是，这里的实施例仅仅以具有U形沟道的薄膜晶体管为例进行了说明，但本发明的实施例不限于此。例如，这里的薄膜晶体管也可以为具有矩形沟道的薄膜晶体管。
例如，同一行像素中，数据线两侧的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，例如，连接到不同行的扫描信号线，由不同行的扫描信号线驱动。薄膜晶体管可以竖向放置，也可以横向放置，也可以倾斜设置。对此不作限定。扫描信号线用于向薄膜晶体管提供开启或关断信号，数据信号线用于向像素电极提供数据信号，通过控制液晶的偏转程度实现灰度显示。
本实施例中，将沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线去除，只保留沿着多个像素单元的列方向延伸(与数据信号线平行)的多条公共电极线。由于沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线的去除，从而开口率大大提升。并且，公共电极线102与数据信号线105同层设置。公共电极线102与数据信号线105可采用同一构图工艺形成，可以节省工艺步骤。
实施例2
本实施例提供一种阵列基板，如图1a和图5a所示，包括衬底基板100、设置在衬底基板100上的沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元101以及沿着列方向延伸的多条公共电极线102。相邻两行像素单元101之间具有两条扫描信号线103，以第2N+1列和第2N+2列像素单元101为一个像素单元组104，其中，N选自大于等于零的整数。
同一像素单元组中的同行(属于同一行)的两个像素单元101连接到不同的扫描信号线103，例如，连接到不同行的扫描信号线103，扫描信号线103沿行方向延伸。
每个像素单元组104的两列像素单元101之间具有一条数据信号线105，且每个像素单元组104共用位于该两列像素单元101之间的数据信号线105，数据信号线105沿列方向延伸。
如图5a所示，各公共电极线102位于相邻两个像素单元组104之间。公共电极线102包括多个公共电极线主体部分1020和多条连接线1120。如图5a以及图5b所示，各公共电极线主体部分1020与扫描信号线109同层设置，并在相邻两行像素单元之间的两条扫描信号线处断开。该阵列基板还包括像素电极层121，像素电极层121包括位于每个像素单元内的像素电极112和多条连接线1120，各连接线1120经过孔108连接在扫描信号线103处断开的各公共电极线102。从而，在列方向上，相邻两条公共电极线主体部分1020之间通过一条连接线1120连接，构成列方向上延伸的公共电极线102。图5a中沿C-C’向的剖视图如图5b所示。
例如，该阵列基板沿B-B’向的剖视图可如图5c所示，图5c为超维场转换(Advanced-SuperDimensionalSwitching，ADS)模式的阵列基板，在衬底基板100上设置公共电极106，在公共电极106上设置沿列方向延伸的多个公共电极线主体部分1020，在行方向上相邻的两个公共电极的间隙处设置栅极109以及扫描信号线103(图中未示出，可参见图5a、图6d)。公共电极线主体部分1020以及栅极109以及扫描信号线103同层设置。在栅极109、扫描信号线103、公共电极线主体部分1020以及公共电极106之上设置栅极绝缘层110。在栅极绝缘层110之上设置有源层111。在有源层111所在的层之上设置源极114、漏极115和数据信号线105(亦可参见图5a)。源极114和漏极115彼此间隔地设置在有源层111上，并均与有源层111相连，源极114和漏极115之间的间隔界定沟道区。源极114、漏极115和数据信号线105之上设置第一绝缘层107。在第一绝缘层107中设置绝缘层过孔118，在第一绝缘层107上设置像素电极层121，像素电极层121包括多个像素电极112和多条连接线1120。像素电极112通过绝缘层过孔与漏极115电连接。在列方向上，相邻两条公共电极线主体部分1020之间通过一条连接线1120连接，构成列方向上延伸的公共电极线102。
例如，该阵列基板沿A-A’向的剖视图可如图5d所示，公共电极106设置在衬底基板100上，公共电极上设置公共电极线主体部分1020，公共电极线主体部分1020和与其相邻的两列像素单元内的公共电极106电连接。例如，每个公共电极线主体部分1020的全部均和与其相邻的两列像素单元内的公共电极106电连接，或者，亦可每个公共电极线主体部分1020的一部分均和与其相邻的两列像素单元内的公共电极106电连接。亦可参见图5a。
例如，本实施例还给出制作上述阵列基板的一种方法，该方法可包括如下步骤。
(1)在衬底基板100上形成公共电极106的图形，如图6a所示；
(2)在行方向上相邻的两个公共电极的间隙处形成栅极109以及扫描信号线103，扫描信号线103沿行方向延伸，在公共电极106的图形上形成公共电极线主体部分1020，公共电极线主体部分1020位于公共电极106上且位于两条扫描信号线103之间，如图6b所示。公共电极线主体部分1020在相邻两行像素单元之间的所述两条扫描信号线处断开。
(3)在栅极109、扫描信号线103、公共电极线主体部分1020以及公共电极106所在的层之上形成栅极绝缘层110。
(4)在栅极绝缘层110之上形成有源层111的图形。在有源层111之上形成源极114、漏极115和数据信号线105的图形，如图6c所示。有关薄膜晶体管以及其包括的有源层111、源极114和漏极115亦可参照图5a。源极114和漏极115彼此间隔地设置在有源层111上，并均与有源层111相连，源极114和漏极115之间的间隔界定沟道区。
(5)在源极114、漏极115和数据信号线105所在的层之上形成第一绝缘层107。在第一绝缘层107中形成绝缘层过孔118，在栅极绝缘层110以及在第一绝缘层107中形成绝缘层过孔108，如图6d所示，亦可参见图5c。
(6)在第一绝缘层107上形成像素电极层121，像素电极层121包括像素电极112和连接线1120。像素电极112通过绝缘层过孔118与漏极115电连接。连接线1120通过绝缘层过孔108与公共电极线主体部分1020电连接。在列方向上，相邻两个公共电极线主体部分1020之间通过一条连接线1120连接，构成列方向上延伸的公共电极线102。形成的阵列基板可如图6f所示。亦可如图5a所示。
例如，上述本实施例的一个示例中，阵列基板的工艺流程可简述如下：公共电极层→栅极层→栅极绝缘层→有源层→源漏极层→绝缘层→像素电极层。
需要说明的是，阵列基板的结构不限于图5a-图5d以及图6f所示的情况。亦可采用其他结构的阵列基板。只要满足各公共电极线主体部分与扫描信号线同层设置，并在相邻两行像素单元之间的两条扫描信号线处断开。像素电极层包括位于每个像素单元内的像素电极和多条连接线，各连接线经过孔连接在扫描信号线处断开的各公共电极线主体部分”即可。
例如，如图5a所示，扫描信号线103与连接线1120位于不同的层，且在与连接线重叠的位置处1031收窄(变窄，窄化)。在扫描信号线103与连接线重叠的位置处窄化扫描信号线，可降低上下过孔间的距离，降低连接线的跨接距离，降低连接线的电阻，从而可降低沿数据信号线方向(竖向，列方向)延伸的公共电极的电阻。同时，可从一定程度上提高像素开口率。
本实施例中，将沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线去除，只保留沿着多个像素单元的列方向延伸(与数据信号线平行)的多条公共电极线。由于沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线的去除，从而开口率大大提升。并且，公共电极线主体部分与扫描信号线同层设置。公共电极线主体部分可与扫描信号线采用同一构图工艺形成，连接在数据线方向上相邻两个公共电极线主体部分的连接线可与像素电极层同层设置，与像素电极采用同一构图工艺形成，可以节省工艺步骤。
实施例3
本实施例提供一种显示面板，可包括上述任一实施例的阵列基板。
因显示面板包括本发明任一实施例的阵列基板，其可具有与各阵列基板相同的技术效果。例如，具有较高的开口率。
实施例4
本实施例提供一种显示装置，包括上述任一显示面板。
因显示装置，包括本发明任一实施例的显示面板，显示面板包括本发明任一实施例的阵列基板，故其可具有与各阵列基板相同的技术效果。例如，具有较高的开口率。
需要说明的是，本发明各实施例以ADS、HADS模式为例进行说明，但不限于此。例如还可以适用于面内开关(In-PlaneSwitching，IPS)等模式。
另外，本发明各实施例以沿着列方向延伸的直线型的公共电极线为例进行说明。但不限于此。例如，公共电极线亦可不为直线型。
本发明至少一实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置，该阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着所述列方向延伸的多条公共电极线；
其中，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，N选自大于等于零的整数；
同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，所述扫描信号线沿所述行方向延伸；每个像素单元组的两列像素单元之间具有一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的所述数据信号线，所述数据信号线沿所述列方向延伸；各所述公共电极线位于相邻两个像素单元组之间。
本发明至少一实施例提供一种阵列基板、显示面板以及显示装置可具有如下至少一个有益效果：
(1)将沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线去除，只保留沿着多个像素单元的列方向延伸(与数据信号线平行)的多条公共电极线。由于沿着多个像素单元的行方向延伸(与扫描信号线平行)的公共电极线的去除，从而开口率大大提升。
(2)公共电极线可与数据信号线同层设置。公共电极线与数据信号线可采用同一构图工艺形成，可以节省工艺步骤。
(3)公共电极线主体部分可与扫描信号线同层设置。公共电极线主体部分可与扫描信号线采用同一构图工艺形成，连接在数据线方向上(列方向上)相邻两个公共电极线主体部分的连接线可与像素电极层同层设置，与像素电极采用同一构图工艺形成，从而可以节省工艺步骤。
(4)绝缘层过孔可呈1/X周期排列。绝缘层过孔周期排列可以平衡显示屏内公共电压。沿着列方向延伸的多条公共电极线可改善显示屏的发绿现象。
(5)各扫描信号线在与连接线重叠的位置处收窄，以降低连接线的跨接距离，从而降低连接线的电阻。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着所述列方向延伸的多条公共电极线；其中，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，N选自大于等于零的整数；
同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，所述扫描信号线沿所述行方向延伸；
每个像素单元组的两列像素单元之间具有一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的所述数据信号线，所述数据信号线沿所述列方向延伸；
各所述公共电极线位于相邻两个像素单元组之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，各所述公共电极线与所述数据信号线同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，各所述公共电极线包括两部分，其中一部分包括多个公共电极线主体部分，所述多个公共电极线主体部分与所述扫描信号线同层设置，并在相邻两行像素单元之间的所述两条扫描信号线处断开，另一部分包括多条连接线，所述多条连接线与像素电极同层设置，各所述连接线经过孔连接在所述扫描信号线处断开的两个所述公共电极线主体部分，以实现各所述公共电极线的连接延伸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，还包括公共电极，其中，各所述公共电极线中的所述多个公共电极线主体部分和与其相邻的两列像素单元内的所述公共电极电连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，各所述扫描信号线在与所述连接线重叠的位置处收窄。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其中，同一行像素单元中，相邻像素单元组中的相邻两个像素单元连接到不同的扫描信号线或连接到相同的扫描信号线。
7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其中，每相邻两个像素单元组之间具有一条所述公共电极线。
8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括至少一层绝缘层，其中，所述至少一层绝缘层位于所述公共电极线所在的层与所述公共电极所在的层之间，所述公共电极经位于所述绝缘层中的过孔与所述公共电极线电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述绝缘层过孔周期排列。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述绝缘层过孔呈周期排列，在所述列方向上，每隔X个像素单元设置一个所述绝缘层过孔，X为大于零的整数。
11.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成沿行方向和列方向呈矩阵排列的多个像素单元以及沿着所述列方向延伸的多条公共电极线；其中，相邻两行像素单元之间具有两条扫描信号线，以第2N+1列和第2N+2列像素单元为一个像素单元组，N选自大于等于零的整数；
同一像素单元组中的同行的两个像素单元连接到不同的扫描信号线，所述扫描信号线沿所述行方向延伸；
每个像素单元组的两列像素单元之间形成一条数据信号线，且每个像素单元组共用位于该两列像素单元之间的所述数据信号线，所述数据信号线沿所述列方向延伸；
各所述公共电极线形成在相邻两个像素单元组之间。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其中，各所述公共电极线与所述数据信号线同层形成。
13.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其中，各所述公共电极线包括两部分，其中一部分包括多个公共电极线主体部分，所述多个公共电极线主体部分与所述扫描信号线同层形成，并在相邻两行像素单元之间的所述两条扫描信号线处断开，另一部分包括多条连接线，所述多条连接线与像素电极同层形成，各所述连接线经过孔连接在所述扫描信号线处断开的两个所述公共电极线主体部分，以实现各所述公共电极线的连接延伸。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制造方法，还包括形成公共电极，其中，各所述公共电极线中的所述多个公共电极线主体部分和与其相邻的两列像素单元内的所述公共电极电连接。
15.根据权利要求11-14任一项所述的阵列基板的制造方法，其中，每相邻两个像素单元组之间形成一条所述公共电极线。
16.根据权利要求11或12所述的阵列基板的制造方法，还包括形成至少一层绝缘层，其中，所述至少一层绝缘层形成在所述公共电极线所在的层与所述公共电极所在的层之间，所述公共电极经位于所述绝缘层中的过孔与所述公共电极线电连接。
17.一种显示面板，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
18.一种显示装置，包括权利要求17所述的显示面板。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105511688A (zh) * 2016-01-29 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示器以及电子设备
CN105572996A (zh) * 2016-02-02 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
CN105589273A (zh) * 2016-03-07 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106200179A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种平面液晶显示器
CN107436521A (zh) * 2017-09-29 2017-12-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其像素的制作方法、液晶面板
CN107561800A (zh) * 2017-09-19 2018-01-09 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN110308597A (zh) * 2019-07-23 2019-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110687730A (zh) * 2018-07-05 2020-01-14 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
CN110707099A (zh) * 2019-02-22 2020-01-17 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN111381404A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 乐金显示有限公司 液晶显示装置
CN112445036A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 Jvc建伍株式会社 液晶设备及其像素检查方法、以及波长选择光开关装置
CN112684645A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 双栅极阵列基板及显示装置
CN113272881A (zh) * 2019-11-15 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、拼接显示面板、其制备方法
WO2021169755A1 (zh) * 2020-02-28 2021-09-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN113632050A (zh) * 2020-01-21 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示面板
WO2022151836A1 (zh) * 2021-01-13 2022-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及电子设备
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
WO2022226768A1 (zh) * 2021-04-27 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 双栅线阵列基板、显示面板
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
WO2024087401A1 (zh) * 2022-10-28 2024-05-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018212084A1 (ja) * 2017-05-18 2018-11-22 シャープ株式会社 表示装置
CN109239994A (zh) * 2018-10-25 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN111103734A (zh) * 2018-10-25 2020-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101770125A (zh) * 2010-01-11 2010-07-07 深超光电（深圳）有限公司 双扫描线像素阵列基板
CN103676369A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示器件
CN104950540A (zh) * 2015-07-20 2015-09-30 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN104965367A (zh) * 2015-07-21 2015-10-07 重庆京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示装置及制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6486933B1 (en) * 1998-03-12 2002-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display with preventing vertical cross-talk having overlapping data lines
US7365722B2 (en) * 2002-09-11 2008-04-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Four color liquid crystal display and driving device and method thereof
US7800704B2 (en) * 2006-11-13 2010-09-21 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display comprising intersecting common lines
KR102091434B1 (ko) * 2013-07-29 2020-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102021106B1 (ko) * 2013-11-12 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101770125A (zh) * 2010-01-11 2010-07-07 深超光电（深圳）有限公司 双扫描线像素阵列基板
CN103676369A (zh) * 2012-09-13 2014-03-26 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示器件
CN104950540A (zh) * 2015-07-20 2015-09-30 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN104965367A (zh) * 2015-07-21 2015-10-07 重庆京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示装置及制作方法

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105511688B (zh) * 2016-01-29 2018-06-19 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示器以及电子设备
CN105511688A (zh) * 2016-01-29 2016-04-20 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示器以及电子设备
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
CN105572996A (zh) * 2016-02-02 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
CN105572996B (zh) * 2016-02-02 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
US10488718B2 (en) 2016-02-02 2019-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
CN105589273A (zh) * 2016-03-07 2016-05-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105589273B (zh) * 2016-03-07 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2017152581A1 (zh) * 2016-03-07 2017-09-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示装置
CN106200179A (zh) * 2016-08-31 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种平面液晶显示器
CN107561800A (zh) * 2017-09-19 2018-01-09 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN107561800B (zh) * 2017-09-19 2020-08-04 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN107436521A (zh) * 2017-09-29 2017-12-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其像素的制作方法、液晶面板
CN110687730A (zh) * 2018-07-05 2020-01-14 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管阵列基板及显示面板
US10838270B2 (en) 2018-12-31 2020-11-17 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN111381404A (zh) * 2018-12-31 2020-07-07 乐金显示有限公司 液晶显示装置
TWI720723B (zh) * 2018-12-31 2021-03-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 液晶顯示裝置
CN110707099A (zh) * 2019-02-22 2020-01-17 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN110308597A (zh) * 2019-07-23 2019-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112445036B (zh) * 2019-09-05 2023-10-24 Jvc建伍株式会社 液晶设备及其像素检查方法、以及波长选择光开关装置
CN112445036A (zh) * 2019-09-05 2021-03-05 Jvc建伍株式会社 液晶设备及其像素检查方法、以及波长选择光开关装置
CN112684645B (zh) * 2019-10-18 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 双栅极阵列基板及显示装置
CN112684645A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 双栅极阵列基板及显示装置
CN113272881A (zh) * 2019-11-15 2021-08-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、拼接显示面板、其制备方法
CN113272881B (zh) * 2019-11-15 2023-08-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、拼接显示面板、其制备方法
CN113632050A (zh) * 2020-01-21 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示面板
US11934060B2 (en) 2020-02-28 2024-03-19 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
WO2021169755A1 (zh) * 2020-02-28 2021-09-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
WO2022151836A1 (zh) * 2021-01-13 2022-07-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及电子设备
US11971620B2 (en) 2021-01-13 2024-04-30 Wuhan Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and electronic device
WO2022226768A1 (zh) * 2021-04-27 2022-11-03 京东方科技集团股份有限公司 双栅线阵列基板、显示面板
CN115698836A (zh) * 2021-04-27 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 双栅线阵列基板、显示面板
WO2024087401A1 (zh) * 2022-10-28 2024-05-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置

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