CN105086863A - 切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜能够抑制在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色剂向切割带移动。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。

Description

切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法。
背景技术
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导体装置及其封装体，半导体芯片等半导体元件被倒装芯片连接在基板上的倒装芯片型的半导体装置得到广泛利用。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形态进行固定。这种半导体装置等有时通过倒装芯片型半导体背面用薄膜保护半导体芯片的背面，防止半导体芯片的损伤等。
该倒装芯片型半导体背面用薄膜上有时会对半导体芯片的识别编号等各种信息(例如文字信息、图形信息)进行激光标记。因此，倒装芯片型半导体背面用薄膜中添加有着色剂。
迄今，存在将这种倒装芯片型半导体背面用薄膜贴合在切割带上制成一体型的切割带一体型半导体背面用薄膜(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5456440号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在切割带一体型半导体背面用薄膜中，存在有时由于在倒装芯片型半导体背面用薄膜上贴合晶圆时的加热等，倒装芯片型半导体背面用薄膜中的着色剂会向切割带移动的问题。尤其，在保持切割带一体型半导体背面用薄膜原样的状态下从切割带侧照射激光进行对倒装芯片型半导体背面用薄膜的激光标记时，存在激光被移动至切割带的着色剂遮蔽，激光无法到达倒装芯片型半导体背面用薄膜，无法适宜地进行激光标记的问题。
用于解决问题的方案
本申请发明人等为了解决前述问题而对切割带一体型半导体背面用薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述方案，能够抑制倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色剂向切割带移动，从而完成了本发明。
即，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜的特征在于，具备：
具有基材和在前述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及
在前述切割带的前述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，
前述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，
前述着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。
倒装芯片型半导体背面用薄膜由于设置在放热的半导体元件的背面而需要具有耐热性。因此，倒装芯片型半导体背面用薄膜由用于赋予耐热性的材料构成，通常，用于赋予耐热性的材料的极性高。而切割带的粘合剂层由于不要求耐热性，因此不需要含有用于赋予耐热性的材料，通常极性低。
在此，甲苯是极性较低溶剂。即，可以说对甲苯的溶解度低的着色剂的极性较高。
本发明使极性高的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下这样极性较高的着色剂。结果，能够使着色剂留在倒装芯片型半导体背面用薄膜内，抑制其向粘合剂层移动。
在前述方案中，优选的是，前述着色剂具有蒽醌骨架。通常，具有多个苯环的分子由于分子彼此的重叠而导致对溶剂的溶解性降低。蒽醌骨架由于为环己烷被2个苯环夹在中间的结构，因此与酞菁等颜料相比，溶剂会适度进入到分子间。结果，能够维持对溶剂的溶解性。另一方面，由于对甲苯的溶解度低，因此能够抑制向粘合剂层移动。即，具有蒽醌骨架的着色剂在对溶剂的溶解性与抑制向粘合剂层的移动上均衡性优异。这由实施例可以看出。
在前述方案中，优选的是，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能E1与前述粘合剂层的表面自由能E2之差(E1-E2)为10mJ/m2以上。
前述差(E1-E2)为10mJ/m2以上时，能够更适宜地抑制着色剂向粘合剂层移动。
此外，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，其是使用前面所述的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括以下工序：
工序A，在前述切割带一体型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆；
工序B，在前述工序A之后，从切割带侧对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记；
工序C，对前述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件；
工序D，将前述半导体元件与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从前述粘合剂层剥离；
工序E，将前述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上。
根据前述方案，会抑制倒装芯片型半导体背面用薄膜内的着色剂向粘合剂层移动。因此，在进行激光标记的工序B中，不容易发生激光被粘合剂层遮蔽、激光无法到达倒装芯片型半导体背面用薄膜的情况。结果，可得到倒装芯片型半导体背面用薄膜适宜地进行了激光标记的半导体装置。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的剖面示意图。
图2的(a)～图2的(e)是示出使用本发明的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。
附图标记说明
1切割带一体型半导体背面用薄膜
2切割带
21基材
22粘合剂层
23对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分
40半导体背面用薄膜(倒装芯片型半导体背面用薄膜)
4半导体晶圆
5半导体芯片
51在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块
6被粘物
61被粘在被粘物6的连接焊盘上的接合用的导电材料
具体实施方式
(切割带一体型半导体背面用薄膜)
以下参照附图对本发明的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜进行说明。图1是示出本发明的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的剖面示意图。如图1所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1为具备在基材21上设置有粘合剂层22的切割带2以及倒装芯片型半导体背面用薄膜40(以下也称为“半导体背面用薄膜40”)的构成。此外，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜如图1所示，可以是在切割带2的粘合剂层22上仅在对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分23形成有倒装芯片型半导体背面用薄膜40的构成，也可以是在粘合剂层的整面形成有半导体背面用薄膜的构成，此外，还可以是在大于对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分且小于粘合剂层的整面的部分形成有半导体背面用薄膜的构成。另外，半导体背面用薄膜的表面(会粘贴到晶圆的背面的一侧的表面)可以在直到粘贴于晶圆背面的期间内被隔离体等保护。
(倒装芯片型半导体背面用薄膜)
倒装芯片型半导体背面用薄膜40(半导体背面用薄膜40)优选含有热固性树脂和热塑性树脂来形成。
作为前述热塑性树脂，例如可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或组合使用2种以上。这些热塑性树脂当中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸类树脂。
作为前述丙烯酸类树脂，并没有特别限定，可列举出以具有碳数30以下(优选为碳数4～18，进一步优选为碳数6～10，特别优选为碳数8或9)的直链或支链的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物等。即，本发明中，丙烯酸类树脂表示还包括甲基丙烯酸类树脂的广义含义。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、正戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、正辛基、异辛基、正壬基、异壬基、正癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基等。
此外，作为用于形成前述丙烯酸类树脂的其他单体(烷基的碳数为30以下的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)，并没有特别限定，例如可列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等含羧基单体，马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体，(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯或甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己酯)等含羟基单体，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体，2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体，丙烯腈、丙烯酰吗啉等。需要说明的是，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，本发明的(甲基)全部同义。
其中，从提高半导体背面用薄膜40的耐热性的角度来看，优选为由含有丙烯腈、丙烯酰吗啉等作为单体成分的材料所形成的丙烯酸类树脂。
设半导体背面用薄膜40中含有的热塑性树脂的SP值(溶解度参数)为SP1、构成粘合剂层22的基础聚合物的SP值为SP2时，对于半导体背面用薄膜40中含有的热塑性树脂，上述热塑性树脂的当中，在满足(SP1)>(SP2)的情况下，特别优选SP值(SP1)为16～10，更优选为14～11。使用SP值(SP1)为10以上的树脂时，极性接近对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下的着色剂。因此，能够适宜地使对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下的着色剂留在半导体背面用薄膜40内，能够抑制向粘合剂层22的移动。
半导体背面用薄膜40中含有的热塑性树脂的SP值(SP1)可以通过适当选择形成半导体背面用薄膜40时的单体成分进行控制。
在此，优选前述SP1和前述SP2满足(SP1)>(SP2)，并且SP1与SP2之差为1以上。前述差更优选为2以上。前述差为1以上时，能够更适宜地抑制半导体背面用薄膜40中的前述着色剂向粘合剂层22的移动。此外，在拾取工序中，半导体背面用薄膜40与粘合剂层22的剥离变得容易。
另外，前述热塑性树脂和/或前述基础聚合物含有2种以上时，前述差是指差最小的2个之间的差。
高分子的SP值(溶解度参数)的测定采用高分子的固有粘度的测定、在高分子的稀溶液中滴加非溶剂时的浊点的测定、高分子在各种溶剂中的最大溶胀率的测定等方法。在本说明书中，热塑性树脂(例如丙烯酸类树脂)的SP值利用Fedors,Polym.Eng.andSci.,14:147(1974)中记载的方法算出。
此外，如后所述，构成粘合剂层22的基础聚合物在满足(SP1)>(SP2)的情况下，特别优选SP值(SP2)为13～7，更优选为12～8。使用SP值(SP2)为13以下的树脂时，前述着色剂变得不容易移动。此外，容易增大与半导体背面用薄膜40中含有的热塑性树脂的SP值(SP1)之差。结果，在拾取工序中，半导体背面用薄膜40与粘合剂层22的剥离变得容易。
作为前述热固性树脂，除了环氧树脂、酚醛树脂之外，还可列举出：氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固性聚酰亚胺树脂等。热固性树脂可以单独使用或组合使用2种以上。作为热固性树脂，含会腐蚀半导体元件的离子性杂质等少的环氧树脂尤为适宜。此外，作为环氧树脂的固化剂，可以适宜地使用酚醛树脂。
作为环氧树脂，没有特别限定，例如可以使用：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂，或乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂等环氧树脂。
作为环氧树脂，在前述例示中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂。其理由是，这些环氧树脂富有与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，耐热性等优异。
进而，前述酚醛树脂作为前述环氧树脂的固化剂起作用，例如可列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，甲阶型酚醛树脂，聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。酚醛树脂可以单独使用或组合使用2种以上。这些酚醛树脂当中，特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。其理由是，能够提高半导体装置的连接可靠性。
对于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，例如，优选以酚醛树脂中的羟基相对于前述环氧树脂成分中的环氧基1当量为0.5当量～2.0当量的方式配混。更适宜为0.8当量～1.2当量。即，其理由是，两者的配混比例未落在前述范围时，无法进行充分的固化反应，环氧树脂固化物的特性变得容易劣化。
本发明中，可以使用环氧树脂与酚醛树脂的热固化促进催化剂。作为热固化促进催化剂，没有特别限制，可以从公知的热固化促进催化剂中适当选择并使用。热固化促进催化剂可以单独使用或组合2种以上使用。作为热固化促进催化剂，例如可以使用：胺类固化促进剂、磷类固化促进剂、咪唑类固化促进剂、硼类固化促进剂、磷-硼类固化促进剂等。
作为半导体背面用薄膜40，优选由含有环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物、含有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。这些树脂由于离子性杂质少、耐热性高，因此能够确保半导体元件的可靠性。
半导体背面用薄膜40重要的是对半导体晶圆的背面(电路非形成面)具有粘接性(密合性)。半导体背面用薄膜40例如可以由含有作为热固性树脂的环氧树脂的树脂组合物形成。由于预先使半导体背面用薄膜40进行一定程度的交联，因此在制作时，可以添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，能够提高高温下的粘接特性，实现耐热性的改善。
作为前述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，例如除了异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂、过氧化物类交联剂之外，还可列举出：尿素类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂、胺类交联剂等。作为交联剂，适宜为异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂。此外，前述交联剂可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为前述异氰酸酯类交联剂，例如可列举出：1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外还可使用：三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATEL”]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATEHL”]等。此外，作为前述环氧类交联剂，例如可列举出：N,N,N’,N’-四缩水甘油基间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、山梨醇酐多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚-S-二缩水甘油醚，此外还可列举出分子内具有2个以上环氧基的环氧类树脂等。
另外，对交联剂的用量没有特别限制，可以根据进行交联的程度而适当选择。具体而言，作为交联剂的用量，例如相对于聚合物成分(尤其是具有分子链末端的官能团的聚合物)100重量份，通常优选采用7重量份以下(例如0.05重量份～7重量份)。相对于聚合物成分100重量份，交联剂的用量多于7重量份时，粘接力降低，故不优选。另外，从内聚力提高的角度来看，相对于聚合物成分100重量份，交联剂的用量优选为0.05重量份以上。
另外，本发明中，也可以代替使用交联剂或者在使用交联剂的同时通过电子射线、紫外线等的照射实施交联处理。
半导体背面用薄膜40含有着色剂。由此，半导体背面用薄膜40被着色，能够发挥优异的标记性和外观性，可以制成具有附加价值的外观的半导体装置。如此，着色的半导体背面用薄膜具有优异的标记性，因此在半导体元件或使用该半导体元件的半导体装置的非电路面侧的面，借助半导体背面用薄膜，利用印刷方法、激光标记方法等各种标记方法实施标记，可以赋予文字信息、图形信息等各种信息。尤其，通过控制着色的颜色，可以使通过标记所赋予的信息(文字信息、图形信息等)以优异的视觉识别性被识别。此外，半导体背面用薄膜由于被着色，因此能够容易地将切割带与半导体背面用薄膜相区别，能够提高作业性等。进而，例如作为半导体装置，还可以根据产品而用颜色进行区别。在使半导体背面用薄膜有色的情况下(非无色·透明的情况下)，作为通过着色所呈现的颜色，没有特别限制，例如优选黑色、蓝色、红色等深色，特别适宜的是黑色。
在本实施方式中，深色是指：基本上L*a*b*色度体系中规定的L*为60以下(0～60)[优选为50以下(0～50)，进一步优选为40以下(0～40)]的深的颜色。
此外，黑色是指：基本上L*a*b*色度体系中规定的L*为35以下(0～35)[优选为30以下(0～30)，进一步优选为25以下(0～25)]的黑色系颜色。另外，在黑色中，L*a*b*色度体系中规定的a*、b*可以分别根据L*的值而适当选择。作为a*、b*，例如，双方均优选为-10～10，更优选为-5～5，特别优选为-3～3的范围(当中尤其是0或基本为0)。
另外，在本实施方式中，L*a*b*色度体系中规定的L*、a*、b*通过使用色彩色差计(商品名“CR-200”Minolta公司制造；色彩色差计)测定来求出。另外，L*a*b*色度体系是国际照明委员会(CIE)于1976年推荐的色彩空间，是指被称为CIE1976(L*a*b*)色度体系的色彩空间。此外，L*a*b*色度体系在日本工业标准的JISZ8729中进行了规定。
半导体背面用薄膜40中使用与目标颜色相应的着色剂。前述着色剂对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下。前述溶解度优选为1g/100ml以下，更优选为0.5g/100ml以下。由于使极性高的半导体背面用薄膜40含有对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下这样极性较高的着色剂，因此能够使着色剂留在半导体背面用薄膜40内，抑制向粘合剂层22的移动。
作为前述着色剂，如果对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下则没有特别限定，可以适宜地使用黑色系色材、蓝色系色材、红色系色材等各种深色系色材，黑色系色材尤为适宜。作为前述着色剂，可以是颜料、染料等的任一种。前述着色剂可以单独使用或组合2种以上使用。另外，作为染料，酸性染料、反应染料、直接染料、分散染料、阳离子染料等任一形态的染料均可以使用。此外，对颜料的形态也没有特别限制，可以从公知的颜料中适当选择并使用。
尤其，作为前述着色剂使用染料时，在半导体背面用薄膜40中，染料因溶解而成均匀或基本均匀分散的状态，因此能够容易地制造着色浓度均匀或基本均匀的半导体背面用薄膜40(甚至是切割带一体型半导体背面用薄膜1)。因此，作为前述着色剂使用染料时，切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜能够使着色浓度均匀或基本均匀，能够提高标记性、外观性。
作为黑色系色材，没有特别限制，例如可以从无机的黑色系颜料、黑色系染料中适当选择。此外，作为黑色系色材，也可以是混合有青色(cyan)系色材(蓝绿色系色材)、品红(magenda)系色材(***系色材)和黄色系色材(Yellow系色材)的色材混合物。黑色系色材可以单独使用或组合2种以上使用。当然，黑色系色材也可以与黑色以外颜色的色材组合使用。
具体而言，作为黑色系色材，例如可列举出：炭黑(炉法炭黑、槽法炭黑、乙炔黑、热炭黑、灯黑等)、石墨(graphite)、氧化铜、二氧化锰、偶氮系颜料(甲亚胺偶氮黑(azomethineazoblack)等)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体(非磁性铁素体、磁性铁素体等)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬络合物、复合氧化物系黑色色素、蒽醌系有机黑色色素等。
本发明中，作为黑色系色材，还可以利用：C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70，C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71，C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154，C.I.分散黑1、3、10、24等黑色系染料；C.I.颜料黑1、7等黑色系颜料等。
作为对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下这样的着色剂，例如市售有商品名“SOM-L-0543”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)、商品名“ORIPACSB-1”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)、商品名“SDO-7”(有本化学工业株式会社制造)等。
前述着色剂当中，优选具有蒽醌骨架的着色剂。前述着色剂具有蒽醌骨架时，由实施例可知，能够更适宜地抑制着色剂向粘合剂层的移动。
作为黑色系色材以外的色材，例如可列举出青色系色材、品红系色材、黄色系色材等。作为青色系色材，例如可列举出：C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6、45等青色系染料；C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.还原蓝4、60；C.I.颜料绿7等青色系颜料等。
此外，在品红系色材中，作为品红系染料，例如可列举出：C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27、28等。
在品红系色材中，作为品红系颜料，例如可列举出：C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、641、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.还原红1、2、10、13、15、23、29、35等。
此外，作为黄色系色材，例如可列举出：C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112、162等黄色系染料；C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.还原黄1、3、20等黄色系颜料等。
青色系色材、品红系色材、黄色系色材等各种色材可以分别单独使用或组合2种以上使用。另外，青色系色材、品红系色材、黄色系色材等各种色材使用2种以上时，作为这些色材的混合比例(或配混比例)，没有特别限制，可以根据各色材的种类、目标颜色等而适当选择。
半导体背面用薄膜40中可以根据需要而适当配混其他添加剂。作为其他添加剂，例如除了填充剂(填料)、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂之外还可列举出增量剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂等。
作为前述填充剂，可以是无机填充剂、有机填充剂中的任一种，适宜为无机填充剂。通过无机填充剂等填充剂的配混，能够实现半导体背面用薄膜40的施涂、导热性的提高、弹性模量的调节等。另外，作为半导体背面用薄膜40，可以是导电性的，也可以是非导电性的。作为前述无机填充剂，例如可列举出：二氧化硅、粘土、石膏、碳酸钙、硫酸钡、氧化铝、氧化铍、碳化硅、氮化硅等陶瓷类，铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯、焊锡等金属或合金类，其他由碳等形成的各种无机粉末等。填充剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为填充剂，当中适宜为二氧化硅、特别是熔融二氧化硅。另外，无机填充剂的平均粒径优选为0.1μm～80μm的范围内。无机填充剂的平均粒径例如可以通过激光衍射型粒度分布测定装置进行测定。
对于前述填充剂(特别是无机填充剂)的配混量，相对于有机树脂成分100重量份，优选为80重量份以下(0重量份～80重量份)，特别优选为0重量份～70重量份。
此外，作为前述阻燃剂，例如可列举出三氧化二锑、五氧化三锑、溴化环氧树脂等。阻燃剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为前述硅烷偶联剂，例如可列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。硅烷偶联剂可以单独使用或组合使用2种以上。作为前述离子捕捉剂，例如可列举出水滑石类、氢氧化铋等。离子捕捉剂可以单独使用或组合使用2种以上。
半导体背面用薄膜40例如可以利用如下惯用方法形成：混合环氧树脂等热固性树脂、视需要而定的丙烯酸类树脂等热塑性树脂、以及视需要而定的溶剂、其他添加剂等制备树脂组合物，形成薄膜状的层。
另外，半导体背面用薄膜40由含有环氧树脂等的热固性树脂的树脂组合物所形成时，半导体背面用薄膜40在应用于半导体晶圆之前的阶段，热固性树脂处于未固化或部分固化的状态。该情况下，在应用于半导体晶圆之后(具体为通常在倒装芯片连接工序中使封装材料固化(cure)时)，使半导体背面用薄膜40中的热固性树脂完全或基本完全固化。
如此，半导体背面用薄膜40即使含有热固性树脂，由于该热固性树脂处于未固化或部分固化的状态，因此作为半导体背面用薄膜40的凝胶率，也没有特别限制，例如可以从50重量％以下(0重量％～50重量％)的范围中适当选择，优选为30重量％以下(0重量％～30重量％)，特别优选为10重量％以下(0重量％～10重量％)。关于半导体背面用薄膜的凝胶率的测定方法，可以通过以下的测定方法进行测定。
<凝胶率的测定方法>
自半导体背面用薄膜取样约0.1g精确称量(试样的重量)，将该样品用网状片包起来之后，在约50ml的甲苯中于室温下浸渍1周。然后，将不溶于溶剂的成分(网状片的内容物)自甲苯取出，在130℃下干燥约2小时，秤量干燥后的不溶于溶剂的成分(浸渍·干燥后的重量)，根据下述式(a)算出凝胶率(重量％)。
凝胶率(重量％)＝[(浸渍·干燥后的重量)/(试样的重量)]×100(a)
另外，半导体背面用薄膜的凝胶率除了可以通过树脂成分的种类、其含量、交联剂的种类、其含量进行控制之外，还可以通过加热温度、加热时间等进行控制。
在本发明中，半导体背面用薄膜为由含有环氧树脂等热固性树脂的树脂组合物所形成的薄膜状物时，能够有效发挥对半导体晶圆的密合性。
半导体背面用薄膜40在未固化状态下23℃下的拉伸储能模量优选为1GPa以上(例如1GPa～50GPa)，更优选为2GPa以上，特别优选为3GPa以上。前述拉伸储能模量为1GPa以上时，将半导体芯片与半导体背面用薄膜40一起自切割带的粘合剂层22剥离之后，将半导体背面用薄膜40放置在支撑体上进行运输等的时候，能够有效地抑制或防止半导体背面用薄膜粘贴于支撑体。需要说明的是，前述支撑体是指例如载带中的顶带(toptape)、底带(bottomtape)等。
半导体背面用薄膜在未固化状态下的前述拉伸储能模量(23℃)可以通过树脂成分(热塑性树脂、热固性树脂)的种类、其含量，二氧化硅填料等填充材料的种类、其含量等进行控制。
另外，在半导体背面用薄膜40为多个层层叠得到的层叠薄膜的情况下(半导体背面用薄膜具有层叠形态的情况下)，作为其层叠形态，例如可以例示出由晶圆粘接层(不含着色剂的层)和激光标记层(不含着色剂的层)所形成的层叠形态等。此外，在这种晶圆粘接层与激光标记层之间，可以设置有其他层(中间层、遮光层、增强层、着色层、基材层、电磁波截止层、导热层、粘合层等)。另外，晶圆粘接层是对晶圆发挥优异密合性(粘接性)的层，是与晶圆的背面接触的层。而激光标记层是发挥优异的激光标记性的层，是在对半导体芯片的背面进行激光标记时所利用的层。
需要说明的是，前述拉伸储能模量是指：不层叠在切割带2上地制作未固化状态的半导体背面用薄膜40，使用RheometricsCo.制造的动态粘弹性测定装置“SolidAnalyzerRSA2”，在拉伸模式下，以样品宽度：10mm、样品长度：22.5mm、样品厚度：0.2mm，于频率：1Hz、升温速度：10℃/分钟、氮气气氛下、规定温度(23℃)下进行测定所得的拉伸储能模量的值。
半导体背面用薄膜40优选通过隔离体(剥离衬垫)进行保护(未图示)。隔离体具有直至供于实用为止保护半导体背面用薄膜的、作为保护材料的功能。隔离体在于半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆时剥离。作为隔离体，可以使用聚乙烯、聚丙烯、利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜(聚对苯二甲酸乙二醇酯等)、纸等。其中，隔离体可以利用现有公知的方法形成。此外，对隔离体的厚度等也没有特别限制。
此外，对半导体背面用薄膜40的可见光(波长：400nm～800nm)的透光率(可见光透射率)没有特别限制，例如优选为20％以下(0％～20％)的范围，更优选为10％以下(0％～10％)，特别优选为5％以下(0％～5％)。半导体背面用薄膜40的可见光透射率大于20％时，存在因透光而对半导体元件产生不良影响之虞。此外，前述可见光透射率(％)可以通过半导体背面用薄膜40的树脂成分的种类、其含量，着色剂(颜料、染料等)的种类、其含量，无机填充材料的含量等进行控制。
半导体背面用薄膜的可见光透射率(％)可以如下进行测定。即，制作厚度(平均厚度)20μm的半导体背面用薄膜单体。接着，对半导体背面用薄膜以规定强度照射波长：400nm～800nm的可见光线[装置：株式会社岛津制作所制造的可见光产生装置(商品名“ABSORPTIONSPECTROPHOTOMETR”)]，测定所透过的可见光线的强度。进而，可以根据可见光线透过半导体背面用薄膜前后的强度变化求出可见光透射率的值。另外，也可以根据厚度不为20μm的半导体背面用薄膜的可见光透射率(％；波长：400nm～800nm)的值导出厚度：20μm的半导体背面用薄膜的可见光透射率(％；波长：400nm～800nm)。此外，本发明虽求出厚度20μm的半导体背面用薄膜的情况下的可见光透射率(％)，但并不代表本发明的半导体背面用薄膜限于厚度20μm。
此外，作为半导体背面用薄膜40，优选其吸湿率低。具体而言，前述吸湿率优选为1重量％以下，更优选为0.8重量％以下。通过使前述吸湿率为1重量％以下，能够提高激光标记性。此外，例如在回流焊工序中，还能够抑制或防止在半导体背面用薄膜40与半导体元件之间的空隙的产生等。需要说明的是，前述吸湿率是根据将半导体背面用薄膜40在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时前后的重量变化所算出的值。半导体背面用薄膜40由含有热固性树脂的树脂组合物所形成时，前述吸湿率是指相对于热固化后的半导体背面用薄膜在温度85℃、相对湿度85％RH的气氛下放置168小时之后的值。此外，前述吸湿率例如可以通过使无机填料的添加量变化来进行调整。
此外，作为半导体背面用薄膜40，优选挥发成分的比例少。具体而言，加热处理后的半导体背面用薄膜40的失重率(失重量的比率)优选为1重量％以下，更优选为0.8重量％以下。加热处理的条件例如为加热温度250℃、加热时间1小时。通过使前述失重率为1重量％以下，能够提高激光标记性。此外，例如在回流焊工序中，能够抑制或防止倒装芯片型的半导体装置产生裂纹。前述失重率例如可以通过添加能减少无铅焊料回流焊时的裂纹产生的无机物来进行调整。另外，半导体背面用薄膜40由含有热固性树脂的树脂组合物所形成时，前述失重率是指对热固化后的半导体背面用薄膜在加热温度250℃、加热时间1小时的条件下进行加热后的值。
对半导体背面用薄膜40的厚度没有特别限定，例如可以从2μm～200μm左右的范围适当选择。进而，前述厚度优选为4μm～160μm左右，更优选为6μm～100μm左右，特别优选为10μm～80μm左右。
(切割带)
切割带2是在基材21上形成粘合剂层22而构成的。如此，切割带2具有层叠有基材21和粘合剂层22的构成即可。基材可以用作粘合剂层等的支撑母体。基材21优选具有辐射线透过性。作为基材21，例如可以使用纸等纸类基材；布、无纺布、毡、网等纤维类基材；金属箔、金属板等金属类基材；塑料的薄膜、薄片等塑料类基材；橡胶片等橡胶类基材；发泡片等发泡体、它们的层叠体[特别是塑料类基材与其他基材的层叠体、塑料薄膜(或薄片)之间的层叠体等]等适当的薄层体。本发明中，作为基材，可以适宜地使用塑料的薄膜、薄片等塑料类基材。作为这种塑料材料的素材，例如可列举出：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等烯烃类树脂；乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等以乙烯作为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳纶)等酰胺类树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；有机硅树脂；氟树脂等。
此外，作为基材21的材料，可列举出前述树脂的交联体等聚合物。前述塑料薄膜可以以无拉伸方式使用，也可以根据需要而使用实施了单轴或双轴拉伸处理的薄膜。利用通过拉伸处理等而赋予了热收缩性的树脂片，能够通过切割后使基材21热收缩而降低粘合剂层22与半导体背面用薄膜40的粘接面积，实现半导体芯片的回收的容易化。
对于基材21的表面，为了提高与邻接的层的密合性、保持性等，可以实施惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、电离辐射线处理等化学或物理处理，利用底涂剂(例如后述的粘合物质)的涂布处理。
基材21可以适当选择使用同一种类或不同种类的基材，可以根据需要而使用多种的混合物。此外，对于基材21，可以为了赋予抗静电能力而在前述基材21上设置由金属、合金、它们的氧化物等形成的厚度为左右的导电性物质的蒸镀层。基材21可以是单层或者2种以上的多层。
对基材21的厚度(为层叠体时是指总厚度)没有特别限制，可以根据强度、柔软性、使用目的等而适当选择，例如一般为1000μm以下(例如1μm～1000μm)，优选为10μm～500μm，进一步优选为20μm～300μm，特别是30μm～200μm左右，但不限于这些。
另外，基材21中可以在不损害本发明的效果等的范围内含有各种添加剂(着色剂、填充剂、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
粘合剂层22由粘合剂所形成，具有粘合性。作为这种粘合剂，没有特别限制，可以从公知的粘合剂中适当选择。具体而言，作为粘合剂，例如可以从下述当中适当选择使用具有前述特性的粘合剂：丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、乙烯基烷基醚类粘合剂、有机硅类粘合剂、聚酯类粘合剂、聚酰胺类粘合剂、聚氨酯类粘合剂、氟类粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类粘合剂、在这些粘合剂中配混了熔点约200℃以下的热熔融性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等公知的粘合剂(例如参见日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)。此外，作为粘合剂，也可以使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)、热膨胀性粘合剂。粘合剂可以单独使用或将2种以上组合使用。
作为前述粘合剂，可以适宜地使用丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂，丙烯酸类粘合剂尤为适宜。作为丙烯酸类粘合剂，可列举出以使用1种或2种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体成分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂。
作为前述丙烯酸类粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列举出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，适宜的是烷基的碳数为4～18的(甲基)丙烯酸烷基酯。其中，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以是直链或支链中的任一种。
另外，前述丙烯酸类聚合物可以为了改善内聚力、耐热性、交联性等而根据需要含有对应于可与前述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体成分(共聚性单体成分)的单元。作为这种共聚性单体成分，例如可列举出：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基单体；(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基单体；(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺类单体；(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸-N,N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基丙烯酸类单体；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯类单体；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯类单体；异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃类单体；乙烯醚等乙烯醚类单体；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、N-乙烯基己内酰胺等含氮单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺类单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺类单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺类单体；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇类丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯类单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯苯、含丁基的二(甲基)丙烯酸酯(butyldi(meta)acrylate)、含己基的二(甲基)丙烯酸酯(hexyldi(meta)acrylate)等多官能单体等。这些共聚性单体成分可以使用1种或2种以上。
如上所述，对于构成粘合剂层22的基础聚合物(例如，前述丙烯酸类聚合物)，在上述基础聚合物当中，在满足(SP1)>(SP2)的情况下，特别优选SP值(SP2)为13～7，更优选为12～8。使用SP值(SP2)为13以下的基础聚合物时，容易增大与半导体背面用薄膜40中含有的热塑性树脂的SP值(SP1)之差。
构成粘合剂层22的基础聚合物的SP值(SP2)可以通过适当选择形成粘合剂层22时的单体成分进行控制。
作为粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)时，作为辐射线固化型粘合剂(组合物)，例如可列举出：使用在聚合物侧链或主链中或主链末端具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型的辐射线固化型粘合剂，粘合剂中配混有紫外线固化性的单体成分、低聚物成分的辐射线固化型粘合剂等。此外，作为粘合剂使用热膨胀性粘合剂时，作为热膨胀性粘合剂，例如可列举出含有粘合剂和发泡剂(特别是热膨胀性微球)的热膨胀性粘合剂等。
本发明中，粘合剂层22中可以在不损害本发明的效果的范围内含有各种添加剂(例如增粘树脂、着色剂、增粘剂、增量剂、填充剂、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
作为前述交联剂，没有特别限制，可以使用公知的交联剂。具体而言，作为交联剂，除了异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂、过氧化物类交联剂之外，还可列举出：尿素类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂、胺类交联剂等，适宜为异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂。交联剂可以单独使用或将2种以上组合使用。另外，对交联剂的用量没有特别限制。
作为前述异氰酸酯类交联剂，例如可列举出：1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等，此外还可使用：三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATEL”]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加成物[日本聚氨酯工业株式会社制造、商品名“CORONATEHL”]等。此外，作为前述环氧类交联剂，例如可列举出：N,N,N’,N’-四缩水甘油基间二甲苯二胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、山梨醇酐多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三(2-羟乙基)异氰脲酸三缩水甘油酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双酚-S-二缩水甘油醚，此外还可列举出分子内具有2个以上环氧基的环氧类树脂等。
另外，本发明中，也可以代替使用交联剂或者在使用交联剂的同时通过电子射线、紫外线等的照射实施交联处理。
粘合剂层22例如可以利用下述惯用的方法形成：将粘合剂(压敏粘接剂)与视需要而定的溶剂、其他添加剂等混合，形成片状的层。具体而言，例如可以通过下述方法等形成粘合剂层22：将含有粘合剂和视需要而定的溶剂、其他添加剂的混合物涂布在基材21上的方法，在合适的隔离体(剥离纸等)上涂布前述混合物形成粘合剂层22并将其转印(转移)至基材21上的方法。
对粘合剂层22的厚度没有特别限制，例如为5μm～300μm(优选为5μm～200μm，进一步优选为5μm～100μm，特别优选为7μm～50μm)左右。粘合剂层22的厚度为前述范围内时，能够发挥适度的粘合力。其中，粘合剂层22可以是单层、多层中的任一种。
半导体背面用薄膜40的表面自由能E1与粘合剂层22的表面自由能E2之差(E1-E2)优选为10mJ/m2以上，更优选为15mJ/m2以上，进一步优选为20mJ/m2以上。前述差(E1-E2)为10mJ/m2以上时，能够容易地进行剥离。
此外，下述的透射率变化率优选为30以下，更优选为20以下，所述透射率变化率是根据将切割带一体型半导体背面用薄膜1在23℃下放置1小时之后在切割带2与半导体背面用薄膜40的界面进行了剥离时切割带2在532nm下的透光率、以及将切割带一体型半导体背面用薄膜1在100℃下放置1小时之后在切割带2与半导体背面用薄膜40的界面进行了剥离时切割带2在532nm下的透光率按下述式求出的。透射率变化率小是指透射率的降低少。即是指通过进行加热，着色剂向切割带的粘合剂层的移动少。
(透射率变化率)＝[1-(100℃下加热1小时后的透射率)/(加热前的透射率)]×100(％)
另外，本发明中，可以赋予切割带一体型半导体背面用薄膜1以抗静电能力。由此，能够防止在其粘接时和剥离时等的静电的产生、电路因由此导致的半导体晶圆等带电而破坏等。抗静电能力的赋予可以以下述方法等适当方式进行：向基材21、粘合剂层22或倒装芯片型半导体背面用薄膜40中添加抗静电剂、导电性物质的方法，在基材21上附设由电荷移动络合物、金属膜等形成的导电层的方法等。作为这些方式，优选不容易产生有使半导体晶圆变质之虞的杂质离子的方式。作为为了赋予导电性、提高导热性等而配混的导电性物质(导电填料)，可列举出：银、铝、金、铜、镍、导电性合金等的球状、针状、薄片状的金属粉，氧化铝等金属氧化物，无定形炭黑、石墨等。不过，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜40从能够制成不漏电的方面来看优选为非导电性。
此外，切割带一体型半导体背面用薄膜1可以以卷成卷状的形态形成，也可以以层叠有薄片(薄膜)的形态形成。例如，具有卷成卷状的形态时，可以将倒装芯片型半导体背面用薄膜与切割带的层叠体根据需要而在利用隔离体进行保护的状态下卷成卷状，制成卷成卷状的状态或形态的切割带一体型半导体背面用薄膜。另外，作为卷成卷状的状态或形态的切割带一体型半导体背面用薄膜1，可以由基材21、在基材21的一面形成的粘合剂层22、在粘合剂层22上形成的半导体背面用薄膜40、以及在基材21的另一面形成的剥离处理层(背面处理层)构成。
另外，作为切割带一体型半导体背面用薄膜1的厚度(半导体背面用薄膜的厚度与由基材21和粘合剂层22形成的切割带的厚度的总厚度)，例如可以从7μm～11300μm的范围选择，优选为17μm～1600μm(进一步优选为28μm～1200μm)。
另外，在切割带一体型半导体背面用薄膜中，通过控制倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度与切割带的粘合剂层的厚度之比、倒装芯片型半导体背面用薄膜的厚度与切割带的厚度(基材和粘合剂层的总厚度)之比，能够提高切割工序时的切割性、拾取工序时的拾取性等，可以从半导体晶圆的切割工序至半导体芯片的倒装芯片连接工序有效地利用切割带一体型半导体背面用薄膜。
(切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法)
以图1所示的切割带一体型半导体背面用薄膜1为例对本实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的制造方法进行说明。首先，基材21可以通过现有公知的成膜方法成膜。作为该成膜方法，例如可例示出：压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在密闭体系中的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干层压法等。
接着，在基材21上涂布粘合剂组合物，干燥(根据需要而加热交联)形成粘合剂层22。作为涂布方式，可列举出辊涂覆、丝网涂覆、照相凹版涂覆等。另外，可以将粘合剂层组合物直接涂布于基材21在基材21上形成粘合剂层22，也可以在将粘合剂组合物涂布于表面进行了剥离处理的剥离纸等而形成粘合剂层22之后将该粘合剂层22转印至基材21。由此制作在基材21上形成有粘合剂层22的切割带2。
另一方面，将用于形成半导体背面用薄膜40的形成材料涂布在剥离纸上使干燥后的厚度为规定厚度，进一步在规定条件下干燥(需要热固化时等，根据需要而实施加热处理进行干燥)，形成涂布层。通过将该涂布层转印至粘合剂层22上，在粘合剂层22上形成半导体背面用薄膜40。需要说明的是，通过在粘合剂层22上直接涂布用于形成半导体背面用薄膜40的形成材料之后，在规定条件下干燥(在需要热固化时等，根据需要而实施加热处理进行干燥)，也可以在粘合剂层22上形成半导体背面用薄膜40。由上可以得到本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1。另外，在形成半导体背面用薄膜40时进行热固化的情况下，重要的是以达到部分固化的状态的程度进行热固化，优选不进行热固化。
切割带一体型半导体背面用薄膜1可以在具备倒装芯片连接工序的半导体装置的制造时适宜地使用。即，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1在制造倒装芯片安装的半导体装置时使用，在于半导体芯片的背面粘贴有切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜40的状态或形态下制造倒装芯片安装的半导体装置。因此，本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜1可以用于倒装芯片安装的半导体装置(半导体芯片以倒装芯片连接方式固定于基板等被粘物的状态或形态的半导体装置)。
(半导体晶圆)
作为半导体晶圆，如果是公知惯用的半导体晶圆则没有特别限制，可以从各种素材的半导体晶圆中适当选择并使用。本发明中，作为半导体晶圆，可以适宜地使用硅晶圆。
(半导体装置的制造方法)
以下边参照图2边对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。图2是示出使用前述切割带一体型半导体背面用薄膜1时的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
本实施方式的半导体装置的制造方法至少具备以下工序：
工序A，在切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜40上粘贴半导体晶圆；
工序B，在前述工序A之后，从切割带2侧对半导体背面用薄膜40进行激光标记；
工序C，对前述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件；
工序D，将前述半导体元件与半导体背面用薄膜40一起从粘合剂层22剥离；
工序E，将前述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上。
[安装工序]
首先，如图2的(a)所示，将任意设置在切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体背面用薄膜40上的隔离体适宜地剥离，在该半导体背面用薄膜40上粘贴半导体晶圆4，将其粘接保持进行固定(工序A)。此时，半导体背面用薄膜40处于未固化状态(包括半固化状态)。此外，切割带一体型半导体背面用薄膜1粘贴在半导体晶圆4的背面。半导体晶圆4的背面是指与电路面相反一侧的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。对粘贴方法没有特别限定，优选利用压接的方法。压接通常利用压接辊等按压单元一边按压一边进行。
接着，为了使半导体背面用薄膜40对半导体晶圆4的固定牢固，根据需要而进行烘焙(baking、加热)。该烘焙例如在80～150℃、0.1～24小时的条件下进行。
[激光标记工序]
接着，如图2的(b)所示，从切割带2侧使用激光标记用的激光36对半导体背面用薄膜40进行激光标记(工序B)。作为激光标记的条件，没有特别限定，优选在强度：0.3W～2.0W的条件下对半导体背面用薄膜40照射激光[波长：532nm]。并且，优选以此时的加工深度(深度)为2μm以上的方式进行照射。对前述加工深度的上限没有特别限制，例如可以从2μm～25μm的范围选择，优选为3μm以上(3μm～20μm)，更优选为5μm以上(5μm～15μm)。通过使激光标记的条件在前述数值范围内，可发挥优异的激光标记性。
在本实施方式中，使极性(SP值)高的半导体背面用薄膜40中含有对甲苯的23℃下的溶解度为2g/100ml以下这样极性较高的着色剂。因此，可抑制例如由前述烘焙工序等的加热导致的前述着色剂向粘合剂层22的移动。结果，即使从切割带2侧进行激光照射，也不容易产生激光被移动至切割带2的着色剂遮蔽、激光无法到达半导体背面用薄膜40、无法适宜地进行激光标记的问题。
需要说明的是，半导体背面用薄膜40的激光加工性可以通过构成树脂成分的种类、其含量，着色剂的种类、其含量，交联剂的种类、其含量，填充材料的种类、其含量等进行控制。
[切割工序]
接着，如图2的(c)所示，进行半导体晶圆4的切割。由此，将半导体晶圆4切割成规定尺寸进行单片化(小片化)，制造半导体芯片5(工序C)。切割例如从半导体晶圆4的电路面侧按照常规方法进行。此外，本工序可以采用例如切入至切割带一体型半导体背面用薄膜1的被称为全切的切断方式等。作为本工序中使用的切割装置，没有特别限定，可以使用现有公知的装置。此外，半导体晶圆4由于通过具有半导体背面用薄膜的切割带一体型半导体背面用薄膜1以优异的密合性进行了粘接固定，因此能够抑制芯片缺损、芯片飞溅，并且还能够抑制半导体晶圆4的破损。
另外，进行切割带一体型半导体背面用薄膜1的扩晶(expand)时，该扩晶可以使用现有公知的扩晶装置进行。扩晶装置具有可以通过切割环将切割带一体型半导体背面用薄膜1向下方压下的甜甜圈状的外环以及直径比外环小、支撑切割带一体型半导体背面用薄膜的内环。通过该扩晶工序，在后述的拾取工序中，能够防止相邻的半导体芯片之间接触而发生破损。
[拾取工序]
为了回收粘接固定于切割带一体型半导体背面用薄膜1的半导体芯片5，如图2的(d)所示，进行半导体芯片5的拾取，将半导体芯片5与半导体背面用薄膜40一起从切割带2剥离(工序D)。作为拾取的方法，没有特别限定，可以采用现有公知的各种方法。例如可列举出如下方法等：通过顶针从切割带一体型半导体背面用薄膜1的基材21侧将各个半导体芯片5顶起，通过拾取装置拾取被顶起的半导体芯片5。另外，作为构成粘合剂层22的粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)时，优选照射紫外线之后再进行拾取。由此可以容易地进行拾取。尤其，在前述激光标记工序中，有时会在半导体背面用薄膜40与粘合剂层22的界面处产生气泡。因此，优选作为构成粘合剂层22的粘合剂使用辐射线固化型粘合剂(或能量射线固化型粘合剂)，在激光标记工序的阶段将粘合剂层22与半导体背面用薄膜40牢固地粘贴，抑制气泡的产生，在拾取时，照射辐射线(或能量射线)降低粘合力，使得可以容易地进行拾取。所拾取的半导体芯片5的背面被半导体背面用薄膜40保护。
[倒装芯片连接工序]
所拾取的半导体芯片5如图2的(e)所示，通过倒装芯片连接方式(倒装芯片安装方式)固定于基板等被粘物(工序E)。具体而言，按照常规方法将半导体芯片5以半导体芯片5的电路面(也称为表面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形态固定于被粘物6。例如，通过使在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块51与被粘在被粘物6的连接焊盘上的接合用的导电材料(焊锡等)61接触边按压边使导电材料熔融，能够确保半导体芯片5与被粘物6的电导通，将半导体芯片5固定于被粘物6(倒装芯片连接工序)。此时，在半导体芯片5与被粘物6之间形成有空隙，其空隙间距一般为30μm～300μm左右。需要说明的是，将半导体芯片5倒装芯片连接(flip-chipbonding)到被粘物6上之后，重要的是洗涤半导体芯片5与被粘物6的相对面、间隙，向该间隙中填充封装材料(封装树脂等)进行封装。
作为被粘物6，可以使用引线框、电路基板(布线电路基板等)等各种基板。作为这种基板的材质，并没有特别限定，可列举出陶瓷基板、塑料基板。作为塑料基板，例如可列举出环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板、聚酰亚胺基板等。
在倒装芯片连接工序中，作为凸块、导电材料的材质，没有特别限定，例如可列举出锡-铅系金属材料、锡-银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料、锡-锌-铋系金属材料等焊锡类(合金)、金系金属材料、铜系金属材料等。
另外，在倒装芯片连接工序中，使导电材料熔融来使半导体芯片5的电路面侧的凸块与被粘物6的表面的导电材料连接，作为该导电材料的熔融时的温度，通常为260℃左右(例如250℃～300℃)。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜通过由环氧树脂等形成半导体背面用薄膜，可以制成具有连该倒装芯片连接工序中的高温也能够耐受的耐热性的薄膜。
本工序优选进行半导体芯片5与被粘物6的相对面(电极形成面)、间隙的洗涤。作为该洗涤中使用的洗液，没有特别限制，例如可列举出有机类的洗液、水系的洗液。本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜中的半导体背面用薄膜具有对洗液的耐溶剂性，对于这些洗液实质上不具有溶解性。因此，如前所述，作为洗液，可以使用各种洗液，不需要特别的洗液，可以通过现有的方法进行洗涤。
接着，进行将倒装芯片连接的半导体芯片5与被粘物6之间的间隙封装的封装工序。封装工序使用封装树脂进行。作为此时的封装条件，没有特别限定，通常通过在175℃下进行60秒～90秒的加热进行封装树脂的热固化(回流焊)，但本发明不限于此，例如可以在165℃～185℃下固化数分钟。在该工序中的热处理中，不仅仅是封装树脂，也可以同时进行半导体背面用薄膜40的半导体背面用薄膜40的热固化。该情况下，不需要新追加使半导体背面用薄膜40热固化的工序。不过，在本发明中不限于此例，也可以在封装树脂的热固化之前另行进行使半导体背面用薄膜40热固化的工序。
作为前述封装树脂，如果是具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)则没有特别限制，可以从公知的封装树脂等封装材料中适当选择并使用，更优选具有弹性的绝缘树脂。作为封装树脂，例如可列举出含有环氧树脂的树脂组合物等。作为环氧树脂，可列举出前述例示的环氧树脂等。此外，作为基于含有环氧树脂的树脂组合物的封装树脂，作为树脂成分，除了环氧树脂之外，可以含有环氧树脂以外的热固性树脂(酚醛树脂等)、热塑性树脂等。其中，作为酚醛树脂，还可以作为环氧树脂的固化剂进行利用，作为这种酚醛树脂，可列举出前述例示的酚醛树脂等。
此外，在上述实施方式中，对用液态的封装材料(封装树脂等)填充半导体芯片5与被粘物6之间的空隙进行封装的情况进行了说明，但本发明不限于此例，也可以使用片状树脂组合物。对于使用片状树脂组合物对半导体芯片与被粘物之间的空隙进行封装的方法，例如可以采用日本特开2001-332520号公报等现有公知的方法。因此在此省略详细说明。
另外，前述封装工序之后，可以根据需要而进行热处理(激光标记之后进行的回流焊工序)。作为该热处理条件，没有特别限定，可以按照基于半导体技术协会(JEDEC)的标准进行。例如可以在温度(上限)为210～270℃的范围内以其时间5～50秒进行。通过该工序，可以将半导体封装体安装于基板(母板等)。
使用本发明的切割带一体型半导体背面用薄膜所制造的半导体装置由于是用倒装芯片安装方式安装的半导体装置，因此为比用芯片焊接安装方式安装的半导体装置薄型化、小型化的形状。由此，可以适宜地用作各种电子设备·电子部件或它们的材料·构件。具体而言，作为本发明的倒装芯片安装的半导体装置所利用的电子设备，可列举出：所谓的“手机”、“PHS”、小型电脑(例如所谓的“PDA”(便携信息终端)、所谓的“笔记本电脑”、所谓的“上网本(NETBOOK，商标)”、所谓的“可穿戴式电脑”等)、“手机”与电脑一体化的小型电子设备、所谓的“数码相机(DIGITALCAMERA，商标)”、所谓的“数码摄像机”、小型电视机、小型游戏机、小型数字音频播放器、所谓的“电子记事本”、所谓的“电子辞典”、所谓的“电子书”用电子设备终端、小型数码型钟表等便携型电子设备(可携带的电子设备)等，当然也可以是便携型以外(设置型等)的电子设备(例如所谓的“台式电脑”、薄型电视机、录像·重播用电子设备(硬盘录像机、DVD播放器等)、投影仪、微型机械等)等。此外，作为电子部件或电子设备电子部件的材料和构件，例如可列举出所谓的“CPU”的构件、各种存储装置(所谓的“内存”、硬盘等)的构件等。
实施例
以下例示出该发明的适宜的实施例进行详细说明。其中，该实施例中记载的材料、配混量等在没有特别限定性记载的情况下，并不表示将本发明的要旨限定于此。另外，以下记载为份的情况表示重量份。
(实施例1)
<半导体背面用薄膜的制作>
在甲乙酮中，相对于以丙烯酸乙酯作为主要单体的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制造，ParacronW-197CM、SP值12)100份，溶解环氧树脂(JER株式会社制造、EPIKOTE1004)113份、酚醛树脂(明和化成株式会社制造MEH-7851H、)121份、球状二氧化硅(AdmatechsCo.,Ltd.制造、SO-25R)246份、染料(OILBLACKSOM-L-0543，OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)5份，调整至浓度23.6重量％。
将该粘接剂组合物的溶液涂布在作为剥离衬垫的经有机硅脱模处理的厚度为50μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜上之后，在130℃下干燥2分钟，由此制得厚度20μm的半导体背面用薄膜A。
需要说明的是，“OILBLACKSOM-L-0543”是具有蒽醌骨架的染料。
<切割带的制作>
向具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中投入丙烯酸-2-乙基己酯(以下也称为“2EHA”)86.4份、丙烯酸-2-羟乙酯(以下也称为“HEA”)13.6份、过氧化苯甲酰0.2份和甲苯65份，于氮气气流中在61℃下进行6小时聚合处理，得到丙烯酸类聚合物A。
向丙烯酸类聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下也称为“MOI”)14.6份，于空气气流中在50℃下进行48小时加成反应处理，得到丙烯酸类聚合物A’。
接着，相对于丙烯酸类聚合物A’100份，加入多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATEL”、日本聚氨酯株式会社制造)8份和光聚合引发剂(商品名“IRGACURE651”、CibaSpecialtyChemicalsInc.制造)5份，得到粘合剂组合物溶液A。
将粘合剂组合物溶液A涂布在PET剥离衬垫的实施了有机硅处理的面上，在120℃下加热干燥2分钟，形成厚度10μm的粘合剂层。接着，在所形成的粘合剂层上贴合聚烯烃薄膜。该聚烯烃薄膜是厚度100μm、在对应于框粘贴区域的部分预先形成有遮蔽辐射线的印刷层的薄膜。然后，在50℃下加热24小时进行交联处理，制得切割带A。其中，粘合剂层使用的丙烯酸类聚合物的SP值为10.4。
<切割带一体型半导体背面用薄膜>
使用手压辊将半导体背面用薄膜A贴合在所制作的切割带A的粘合剂层上，制得实施例1的切割带一体型半导体背面用薄膜A。
(实施例2)
<半导体背面用薄膜的制作>
作为着色剂，代替“OILBLACKSOM-L-0543”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)使用“ORIPACSB-1”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)，除此之外与实施例1同样进行制得实施例2的半导体背面用薄膜B。其中，“ORIPACSB-1”是含有铬络合物的染料。
<切割带一体型半导体背面用薄膜>
使用手压辊将半导体背面用薄膜B贴合在实施例1中制得的切割带A的粘合剂层上，制得实施例2的切割带一体型半导体背面用薄膜B。
(实施例3)
<半导体背面用薄膜的制作>
作为着色剂，代替“OILBLACKSOM-L-0543”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)使用“SDO-7”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)，除此之外与实施例1同样进行制得实施例3的半导体背面用薄膜C。
其中，“SDO7”是具有蒽醌骨架的染料。
<切割带一体型半导体背面用薄膜>
使用手压辊将半导体背面用薄膜C贴合在实施例1中制得的切割带A的粘合剂层上，制得实施例3的切割带一体型半导体背面用薄膜C。
(实施例4)
<半导体背面用薄膜的制作>
作为着色剂，代替“OILBLACKSOM-L-0543”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)使用“炭黑#47”(三菱化学株式会社制造)，除此之外与实施例1同样进行制得实施例4的半导体背面用薄膜D。
<切割带一体型半导体背面用薄膜>
使用手压辊将半导体背面用薄膜D贴合在实施例1中制得的切割带A的粘合剂层上，制得实施例4的切割带一体型半导体背面用薄膜D。
(比较例1)
<半导体背面用薄膜的制作>
作为着色剂，代替“OILBLACKSOM-L-0543”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)使用“OILBLACKHBB”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)，除此之外与实施例1同样进行制得比较例1的半导体背面用薄膜E。
<切割带一体型半导体背面用薄膜>
使用手压辊将半导体背面用薄膜E贴合在实施例1中制得的切割带A的粘合剂层上，制得比较例1的切割带一体型半导体背面用薄膜E。
(比较例2)
<半导体背面用薄膜的制作>
作为着色剂，代替“OILBLACKSOM-L-0543”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)使用“OILBLACKB-31”(OrientChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)，除此之外与实施例1同样进行制得比较例2的半导体背面用薄膜F。
<切割带一体型半导体背面用薄膜>
使用手压辊将半导体背面用薄膜F贴合在实施例1中制得的切割带A的粘合剂层上，制得比较例2的切割带一体型半导体背面用薄膜F。
(着色剂对甲苯的23℃下的溶解度的测定)
向甲苯溶剂100ml中投入着色剂50g，使用搅拌棒在室温(23℃)下搅拌30分钟之后进行过滤，测定过滤的固体成分在120℃下干燥1小时之后的重量。将相对于投入前(50g)的减少量作为对甲苯的溶解度。结果示于表1。
(切割带的透射率变化率的测定)
将所制作的切割带一体型半导体背面用薄膜在23℃下放置1小时之后，在切割带与半导体背面用薄膜的界面处进行剥离。然后，测定切割带在532nm下的透光率。将此作为“加热前的透射率”。
接着，将所制作的切割带一体型半导体背面用薄膜在100℃下放置1小时之后，在切割带与半导体背面用薄膜的界面处进行剥离。然后，测定切割带在532nm下的透光率。将此作为“100℃下加热1小时后的透射率”。
然后，按照下述式求出“透射率变化率”。结果示于表1。
(透射率变化率)＝[1-(100℃下加热1小时后的透射率)/(加热前的透射率)]×100(％)
(表面自由能的测定)
将所制作的切割带一体型半导体背面用薄膜在切割带与半导体背面用薄膜的界面处进行剥离。然后，得到半导体背面用薄膜的表面自由能E1和切割带的粘合剂层表面自由能E2。具体而言，使用接触角仪测定水和碘甲烷的接触角，根据它们的接触角通过几何平均法算出各表面自由能值。结果示于表1。此外，差(E1-E2)一并示于表1。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1 比较例2
着色剂对甲苯的溶解性(g/100ml) 0.5以下 0.5以下 1.9 0 28 5.1
透射率变化率(％) 6 3 18 1 97 59
表面自由能E1(mJ/m2) 38 38 39 38 39 38
表面自由能E2(mJ/m2) 18 18 18 18 18 18
差(E1一E2)(mJ/m2) 20 20 21 20 21 20
使用了对甲苯的23℃下的溶解度高的着色剂的比较例中，透射率变化率大。这意味着透射率大幅度降低。即，意味着由加热导致了着色剂移动至切割带的粘合剂层。

Claims (4)

1.一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：
具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及
在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，
所述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，
所述着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。
2.根据权利要求1所述的切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，所述着色剂具有蒽醌骨架。
3.根据权利要求1所述的切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能E1与所述粘合剂层的表面自由能E2之差(E1－E2)为10mJ/m2以上。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其是使用权利要求1～3中的任一项所述的切割带一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括以下工序：
工序A，在所述切割带一体型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜上粘贴半导体晶圆；
工序B，在所述工序A之后，从切割带侧对所述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记；
工序C，对所述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件；
工序D，将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从所述粘合剂层剥离；
工序E，将所述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上。
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