CN102153960B - 倒装芯片型半导体背面用膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，其中所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有小于40％的透光率。

Description

倒装芯片型半导体背面用膜
技术领域
本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(如半导体芯片)的背面并增强强度。此外，本发明涉及使用具有所述倒装芯片型半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜的半导体器件和生产所述器件的方法。
背景技术
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板的那些(即，通过倒装芯片接合生产的半导体芯片，或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏(参见，例如，专利文献1至10)。
专利文献1：JP-A-2008-166451
专利文献2：JP-A-2008-006386
专利文献3：JP-A-2007-261035
专利文献4：JP-A-2007-250970
专利文献5：JP-A-2007-158026
专利文献6：JP-A-2004-221169
专利文献7：JP-A-2004-214288
专利文献8：JP-A-2004-142430
专利文献9：JP-A-2004-072108
专利文献10：JP-A-2004-063551
发明内容
然而，在半导体器件生产中，在半导体芯片背面上进行激光标识。在这种情况下，期望用于保护半导体芯片背面的背面保护膜，所述背面保护膜能够以优良的激光标识性进行激光标识，同时几乎不会或从不会损坏芯片型工件本身。
此外，用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加该粘贴步骤，因此步骤数量增加并且成本等增加。此外，由于近年来的薄型化，在切割步骤后的半导体芯片拾取步骤中在一些情况下可能损坏半导体芯片。因而，期望增强半导体晶片或半导体芯片直到拾取步骤。
考虑到前述问题设计了本发明，其目的在于提供倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜能够以优良的激光标识性进行激光标识，同时几乎不会或从不会损坏芯片型工件本身。此外，其另一目的是提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。此外，本发明的再一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良的保持力并能够在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示出优良的激光标识性和外观性。
作为解决上述常规问题的深入研究结果，本发明人已发现，当将具有包括各自具有特定透光率的多层结构的倒装芯片型半导体背面用膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而形成集成形式的切割带和半导体背面用膜时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示出优良的激光标识性和优良的外观性，从而完成本发明。
即，本发明提供倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，
其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和
其中，所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有小于40％的透光率。
即，本发明提供倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，
其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和
其中，所述晶片粘合层对于1064nm波长的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于1064nm波长的光具有小于40％的透光率。
此外，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：
切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和
具有上述构成和特性的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜以所述激光标识层层压于所述切割带的压敏粘合剂层上的方式形成于所述切割带的压敏粘合剂层上。
如上所述，本发明的半导体背面用切割带集成膜以其中倒装芯片型半导体背面用膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的方式形成，倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构。因此，在切割晶片(半导体晶片)时，通过利用晶片粘合层以优良的紧密粘合性将半导体背面用切割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片)，工件能够在保持的同时有效地切割。此外，在将工件切割以形成芯片形工件(半导体芯片)后，通过将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，能够容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外，由于含有具有特定透光率(光波长：532nm或1064nm)的晶片粘合层和具有特定透光率(光波长：532nm或1064nm)的激光标识层，能够以优良的激光标识性在芯片型工件背面(即，激光标识层)上进行激光标识，同时几乎不会或从不会损坏芯片型工件本身。此外，能够有效地增强外观性等。
此外，在本发明的半导体背面用切割带集成膜中，由于如上所述切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以集成方式形成，因此在切割步骤前将切割带粘贴至半导体晶片背面时也粘贴倒装芯片型半导体背面用膜，因而不需要仅粘贴倒装芯片型半导体背面用膜的步骤(倒装芯片型半导体背面用膜粘贴步骤)。此外，在随后的切割步骤和拾取步骤中，由于将倒装芯片型半导体背面用膜粘贴在半导体晶片背面或通过切割形成的半导体芯片背面上，因此能够有效地保护半导体晶片或半导体芯片，因而在切割步骤或随后的步骤(拾取步骤等)中能够抑制或防止半导体芯片的损坏。
在本发明中，优选将晶片粘合层和激光标识层两者均着色。当将倒装芯片型半导体背面用膜着色时，不仅能够改进激光标识性，而且能够将切割带和倒装芯片型半导体背面用膜彼此区分开，因此能够增强加工性等。
本发明的半导体背面用切割带集成膜可适合用于倒装芯片安装的半导体器件。
本发明还提供生产半导体器件的方法，所述方法包括：
将工件粘贴至上述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜中的晶片粘合层上，
切割所述工件以形成芯片形工件，
将所述芯片形工件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和
将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。
此外，本发明进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其使用上述半导体背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装芯片型半导体背面用膜。
根据本发明的倒装芯片型半导体背面用膜能够显示出优良的激光标识性和优良的外观性。此外，由于切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以集成方式形成以及倒装芯片型半导体背面用膜具有以下多层结构：该多层结构包含具有特定透光率的晶片粘合层和具有特定透光率的激光标识层，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜。具体地，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜在半导体芯片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤期间和之后还能够显示出优良的标识性和优良的外观性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于半导体芯片的背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护，因此能够有效抑制或防止半导体芯片的破坏(breakage)、碎裂(chipping)和翘曲(warp)等。自然，在除半导体芯片的切割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜能够有效地显示其功能。
附图说明
图1为示出根据本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。
图2A-2D为示出使用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。
附图标记说明
1半导体背面用切割带集成膜
2倒装芯片型半导体背面用膜
21激光标识层
22晶片粘合层
3切割带
31基材
32压敏粘合剂层
4半导体晶片(工件)
5半导体芯片(芯片形工件)
51在半导体芯片5的电路面形成的凸块(bump)
6被粘物
61粘合至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结(conjunction)用导电性材料
具体实施方式
参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于该实施方案。图1为示出采用根据本发明的倒装芯片型半导体背面用膜的根据本发明半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。在图1中，1为半导体背面用切割带集成膜(下文中有时也称作“切割带集成的半导体背面保护膜”、“具有切割带的半导体背面用膜”或“具有切割带的半导体背面保护膜”)；2为倒装芯片型半导体背面用膜(下文中有时称作“半导体背面用膜”或“半导体背面保护膜”)；21为激光标识层；22为晶片粘合层；3为切割带；31为基材；32为压敏粘合剂层。
此外，在本说明书的图中，没有给出不需要描述的部分，存在通过放大、缩小等示出的部分，从而容易描述。
如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1具有以下的构造：在具有基材31和在基材31上形成的压敏粘合剂层32的切割带3的压敏粘合剂层32上，以压敏粘合剂层32与激光标识层21接触的这样的方式，形成具有包括激光标识层21和晶片粘合层22的多层结构的半导体背面用膜2。激光标识层21具有在532nm波长下的透光率小于40％或在1064nm波长下的透光率小于40％的性质。此外，晶片粘合层22具有在532nm波长下的透光率为40％以上或在1064nm波长下的透光率为40％以上的性质。此外，在直至将该半导体背面用膜2的表面(要粘贴至晶片背面的表面；即，晶片粘合层22的表面)粘贴至晶片背面的期间内，将其用隔离体等保护。
此外，半导体背面用切割带集成膜可以具有在切割带的压敏粘合剂层的整个表面上形成半导体背面用膜的构造，或者可以具有部分形成半导体背面用膜的构造。例如，如图1所示，半导体背面用切割带集成膜可以具有如下构造：在切割带的压敏粘合剂层上，仅在欲将半导体晶片粘贴至其的部分上形成半导体背面用膜。
倒装芯片型半导体背面用膜
半导体背面用膜具有膜形状。如上所述，由于半导体背面用膜具有包含晶片粘合层和在激光标识层的多层结构，在将粘贴至半导体背面用膜上(即，晶片粘合层上)的工件(半导体晶片)切断为芯片形的切断-加工步骤(切割步骤)中，半导体背面用膜具有支承紧密粘合至该半导体背面用膜的工件的功能，因而能够显示紧密粘合性从而使切断件不会飞散。此外，在切割步骤后的拾取步骤中，通过切割而个体化的芯片形工件能够与半导体背面用膜一起从切割带容易地剥离。此外，在拾取步骤后(通过切割而个体化的芯片型工件与半导体背面用膜一起从切割带剥离后)，半导体背面用膜能够具有保护芯片型工件(半导体芯片)背面的功能。此外，由于激光标识层变为在芯片型工件的背面侧的最外层，以及作为最外层的激光标识层的透光率(532nm波长或1064nm)也小于40％和作为内层的晶片粘合层的透光率(532nm波长或1064nm)为40％以上，所以能够以优良的激光标识性进行激光标识同时几乎不会或从不会损坏芯片型工件。此外，由于将晶片粘合层以优良的紧密粘合性粘贴在芯片型工件背面，因此未观察到由于不足的粘合导致的浮起(lifting)等，以致芯片型工件能够显示出优良的外观性。因而，由于半导体背面用膜具有优良的激光标识性，所以能够借助半导体背面用膜(即半导体背面用膜的激光标识层)，通过利用激光标识法进行激光标识，以将各种信息例如文字信息和图形信息赋予至芯片形工件或使用芯片形工件的半导体器件的非电路侧上的面。
此外，在本发明中，在半导体背面用膜中，优选将激光标识层着色，此外，适合将晶片粘合层和激光标识层两者均着色。因而，在半导体背面用膜中，当将激光标识层(优选地，晶片粘合层和激光标识层)着色时，能够显示更加优良的激光标识性。通过控制着色的颜色，可以观察具有优良可见度的通过标识而赋予的信息(例如文字信息和图形信息)。
特别地，由于半导体背面用膜相对于半导体晶片或半导体芯片具有优良的紧密粘合性，因此没有观察到浮起等。此外，由于半导体背面用膜能够显示优良的外观性，因此能够获得具有优良的增值外观性的半导体器件。例如，作为半导体器件，可以通过使用不同颜色将其产品分类。
此外，通过将晶片粘合层和激光标识层着色，切割带和半导体背面用膜能够彼此容易地区分，因此能够提高加工性等。
如上所述，半导体背面用膜不用于将半导体芯片模片接合至被粘物例如基板，而用于保护将要倒装芯片安装(或已经倒装芯片安装)的半导体芯片的背面(非电路面)，并且该半导体背面用膜具有最适合的功能和组成。在这点上，用于将半导体芯片强烈地粘合至被粘物例如基板上的用途的模片接合膜为粘合剂层并用封装材料封装，因此该膜不具有激光标识层也不具有激光标识性。因此，本发明的半导体背面用膜具有不同于模片接合膜的功能和组成，因而不适合将该膜用作模片接合膜。
(晶片粘合层)
晶片粘合层为显示对晶片(半导体晶片)的优良紧密粘合性的层并且是与晶片背面接触的层。作为晶片粘合层相对于晶片的紧密粘合力(粘合力)，在将半导体背面用膜以晶片粘合层与晶片表面接触的形式通过利用热层压法在50℃下粘贴至厚度为0.6mm的半导体晶片后，当使其在23℃的气氛下静置20分钟时，在23℃下晶片粘合层相对于晶片的粘合力(剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)优选1N/10mm-宽度以上(例如，1N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，更优选2N/10mm-宽度以上(例如，2N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，还更优选4N/10mm-宽度以上(例如，4N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)。当晶片粘合层相对于晶片的粘合力(剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为1N/10mm-宽度以上时，显示作为晶片粘合层的优良粘合性。
在这点上，晶片粘合层相对于晶片的粘合力用以下方式测量。具体地，将压敏粘合带(商品名“BT315”，由Nitto DenkoCorporation制造)粘贴至包含晶片粘合层和激光标识层的半导体背面用膜的激光标识层侧的面上，从而增强背面。然后，通过使2Kg的辊在50℃下往复一次，将厚度为0.6mm的晶片(半导体晶片)粘贴至长度为150mm和宽度为10mm的背面增强的半导体背面用膜的正面上。其后，将层压体在热盘(50℃)上静置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下静置20分钟。静置后，在温度23℃下，在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/min的条件下，通过使用剥离试验机(商品名“AUTOGRAPH AGS-J”，由Shimadzu Corporation制造)，将背面增强的半导体背面用膜剥离。此时，剥离力(N/10mm-宽度)通过在晶片粘合层和晶片之间的界面处剥离来测量。本发明中的粘合力包括压敏粘合力和剥离力。
晶片粘合层相对于晶片的粘合力能够通过构成树脂组分的种类和含量、交联剂的种类和含量以及填料的种类和含量等来控制。
此外，晶片粘合层具有在532nm波长下的透光率为40％以上或在1064nm波长下的透光率为40％以上的性质。因而，由于晶片粘合层具有在532nm波长下的透光率为40％以上或在1064nm波长下的透光率为40％以上的性质，因此能够有效地抑制或防止晶片粘合层在激光标识时受到激光标识。因而，激光标识的对比度能够得到提高，此外在激光标识时晶片的损坏也能够得到抑制或防止。在这点上，晶片粘合层可以具有在532nm波长下的透光率为40％以上的性质和在1064nm波长下的透光率为40％以上的性质中的任意之一，也可以具有两种性质。
在本发明中，晶片粘合层的透光率(波长：532nm或1064nm)没有特别限定，只要其为40％以上即可，但是优选50％以上(更优选70％以上)，进一步地，适合的是70％以上(进一步为80％以上)。在这点上，在晶片粘合层(厚度：10nm)的透光率中，在532nm波长下的透光率和在1064nm波长下的透光率可以彼此相同或不同。在晶片粘合层的透光率中，在532nm波长下的透光率不同于1064nm波长下的透光率的情况下，任一个透光率可以是大的(或者可以是小的)。
晶片粘合层的透光率(％)能够如下测定。制造具有厚度10μm(平均厚度)的晶片粘合层而没有层压至激光标识层，并将该晶片粘合层(厚度：10μm)用具有波长400-1100nm的可见光使用由Shimadzu Corporation制造的商品名“UV-2550”照射。通过该照射透过晶片粘合层的可见光的光强度能够根据以下表达式计算。
可见光透过率(％)＝[(透过晶片粘合层后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
透光率(％)的前述计算方法还能够应用于厚度不是10μm的晶片粘合层的透光率(％)的计算。具体地，根据朗伯-比尔定律(Lambert-Beer law)，在厚度为10μm的情况下吸光度A10能够如下计算。
A10＝α×L10×C    (1)
(在该式中，L10为光程长度，α为吸收系数(absorbanceindex)，C为样品浓度。)
此外，在厚度为X(μm)的情况下的吸光度AX能够如下计算。
AX＝α×LX×C    (2)
此外，在厚度为10μm的情况下的吸光度A10能够如下计算。
A10＝-log10T10     (3)
(在该式中，T10为在厚度为10μm的情况下的透光率。)
从上述式(1)-(3)，吸光度Ax可以由下式表示。
Ax＝A10×(LX/L10)＝-[log10(T10)]×(Lx/L10)
因此，在厚度为Xμm的情况下的透光率TX(％)能够如下计算。
Tx＝10-Ax
其中AX＝-[log10(T10)]×(LX/L10)。
在本发明中，在测定晶片粘合层的透光率(％)时的晶片粘合层厚度(平均厚度)为10μm，但该晶片粘合层厚度仅为在测定晶片粘合层的透光率(％)时的厚度，并可以与在半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜的晶片粘合层的厚度不同或相同。
此外，晶片粘合层的透光率(％)可通过构成树脂组分的种类和含量，着色剂(如颜料或染料)的种类和含量，及填料的种类和含量等来控制。
晶片粘合层通常用隔离体保护，但是，当剥离隔离体时，该层变为半导体背面用切割带集成膜的一面上的最外层，并在将半导体背面用切割带集成膜粘贴至晶片时使用。
晶片粘合层能够由树脂组合物形成。作为用于形成晶片粘合层的树脂组合物(下文有时称作“晶片粘合层用树脂组合物”)，能够适当使用包含热塑性树脂组分和热固性树脂组分的树脂组合物。在晶片粘合层用树脂组合物中，作为热塑性树脂组分，可使用在以下(热塑性树脂组分)部分中描述(或示例)的热塑性树脂等。另一方面，作为热固性树脂组分，可使用在以下(热固性树脂组分)部分中描述(或示例)的热固性树脂等。
此外，在本发明中，如下所述，丙烯酸类树脂适合作为在晶片粘合层用树脂组合物中的热塑性树脂组分。另一方面，作为在晶片粘合层用树脂组合物中的热固性树脂组分，环氧树脂和酚醛树脂是适合的。因此，作为晶片粘合层用树脂组合物，包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物是适合的。由于这些树脂组分仅包含少量离子性杂质并具有高耐热性，因此能够确保半导体元件的可靠性。
在晶片粘合层用树脂组合物中，从对半导体晶片的紧密粘合性的角度，热塑性树脂组分的比例优选为小于30重量％(例如，0重量％以上至小于30重量％)，更优选28重量％以下(进一步优选25重量％以下)，相对于树脂组分的总量。在这点上，在晶片粘合层用树脂组合物中，当热塑性树脂组分的比例过小时，降低成膜性。从成膜性的角度，晶片粘合层用树脂组合物的热塑性树脂组分相对于树脂组分总量的比例的下限优选为5重量％以上，更优选10重量％以上(进一步优选15重量％以上)。因此，在晶片粘合层用树脂组合物中热塑性树脂组分的比例能够例如在5重量％至小于30重量％(优选10重量％至小于30重量％，更优选15重量％至小于30重量％)的范围内选择。
当然，在晶片粘合层用树脂组合物中热固性树脂组分的比例为通过从100重量％中减去热塑性树脂组分的比例获得的余数，100重量％为树脂组分的总量的比例。在热塑性树脂组分相对于树脂组分的总量的比例为0重量％的情况下，晶片粘合层用树脂组合物变为仅包含热固性树脂组分作为树脂组分(不包含热塑性树脂组分)的树脂组合物(热固性树脂组合物)。
除树脂组分之外，晶片粘合层用树脂组合物还可以包含除了交联剂和着色剂之外的添加剂例如填料、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕集剂，增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。例如，作为交联剂，可使用在以下(交联剂)部分中描述(或示例)的交联剂等。例如，作为着色剂，可使用在以下(着色剂)部分中描述(或示例)的着色剂等。
在这点上，通过使用交联剂，能够提高高温下的紧密粘合性并且能够改进耐热性。在本发明中，为了使用交联剂交联树脂组分，优选将能够与交联剂反应的官能团引入树脂组分的聚合物中的分子链末端等。
晶片粘合层可通过利用包括以下步骤的常规方法形成：将热固性树脂组分例如环氧树脂和/或热塑性树脂组分例如丙烯酸类树脂以及任选地溶剂和其它添加剂混合从而制备树脂组合物，并将其成形为膜状层。具体地，例如，作为膜状层的晶片粘合层能够通过以下方法形成：包括将树脂组合物施涂至切割带的压敏粘合剂层上形成的激光标识层的方法；包括将树脂组合物施涂至适当的隔离体(例如，剥离纸)上以形成树脂层，然后将其转移(转换)至激光标识层上的方法；或类似方法。
晶片粘合层的厚度没有特别限定，但是其例如优选1-100μm，更优选2-80μm，进一步优选3-50μm，甚至更优选5-40μm。当晶片粘合层的厚度过小时，存在激光标识时暴露半导体晶片表面的可能性。另一方面，当该厚度过大时，存在热固化后半导体晶片翘曲的可能性。在这点上，晶片粘合层可为单层形式或层压层形式的任意形式。
(激光标识层)
激光标识层为显示优良的激光标识性的层和在半导体芯片的背面上激光标识时使用的层。即，激光标识层为具有良好的激光加工性的层。关于激光标识层的激光加工性，重要的是用激光器[波长：532nm；激光产生设备(商品名“MD-S9900”，由Keyence Corporation制造)]在强度为1.0W的条件下照射激光标识层时的加工深度(深度)为2μm以上。加工深度的上限没有特别限定，可以为与激光标识层的厚度相同的值。具体地，激光标识层的激光加工深度能够选自例如在2-25μm的范围，优选3μm以上(3-20μm)，更优选5μm以上(5-15μm)。当作为激光标识层的激光加工性指数的加工深度[波长：532nm；激光产生设备(商品名“MD-S9900”，由Keyence Corporation制造)]在强度为1.0W的条件下为2μm以上时，显示优良的激光标识性。在这一点上，当激光标识层的激光加工深度为与激光标识层的厚度相同的值时，通过用激光器照射激光也到达层压至激光标识层的晶片粘合层，从而在一些情况下还加工了晶片粘合层。此外，通过用激光器照射来加工激光标识层，加工方法的实例包括灼烧有机组分等从而使组成改变的加工方法。
此外，作为激光标识层的激光加工性指数的加工深度为通过以下而测定的值：用激光器[波长：532nm；激光产生设备，(商品名：“MD-S9900”，由Keyence Corporation制造)]在强度为1.0W的条件下照射激光标识层(其可以为与晶片粘合层的层压体)并测量通过该激光器照射获得的加工深度。
激光标识层的激光加工性能够通过树脂组分的种类和含量、交联剂的种类和含量、及填料的种类和含量等来控制。
此外，激光标识层具有在532nm波长下的透光率小于40％或在1064nm波长下的透光率小于40％的性质。因此，由于激光标识层具有在532nm波长下的透光率小于40％或在1064nm波长下的透光率小于40％的性质，所以激光标识层能够有效地抑制或防止加工(或损坏)晶片粘合层和半导体晶片，和能够在激光标识层上以优良的激光标识性进行激光标识。在这点上，激光标识层可以具有在532nm波长下的透光率小于40％的性质或在1064nm波长下的透光率小于40％的性质中的任一种，以及可以具有两种性质。
在本发明中，激光标识层的透光率(波长：532nm或1064nm)没有特别限定，只要其小于40％即可，但优选小于30％(更优选小于10％)，进一步适合地小于5％(进一步小于3％)和最适合地小于1％。在激光标识层的透光率中，在532nm波长下的透光率和在1064nm波长下的透光率可以彼此相同或不同。在激光标识层的透光率中，在532nm波长下的透光率在激光标识层(厚度：10μm)的透光率中不同于在1064nm波长下的透光率的情况下，任一个透光率可以是小的(或者可以是大的)。
激光标识层的透光率(％)能够如下测定。制造具有厚度10μm(平均厚度)的激光标识层而没有层压至切割带或晶片粘合层，并将该激光标识层(厚度：10μm)用具有波长400-1100nm的可见光使用由Shimadzu Corporation制造的商品名“UV-2550”照射。通过该照射透过激光标识层的可见光的光强度能够根据以下表达式计算。
可见光透过率(％)＝[(透过激光标识层后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
透光率(％)的前述计算方法还能够应用于厚度不是10μm的激光标识层的透光率(％)的计算。具体地，根据朗伯-比尔定律，在厚度为10μm的情况下吸光度A10能够如下计算。
A10＝α×L10×C    (1)
(在该式中，L10为光程长度，α为吸收系数，C为样品浓度。)
此外，在厚度为X(μm)的情况下的吸光度AX能够如下计算。
AX＝α×LX×C       (2)
此外，在厚度为10μm的情况下的吸光度A10能够如下计算。
A10＝-log10T10      (3)
(在该式中，T10为在厚度为10μm的情况下的透光率。)
从上述式(1)-(3)，吸光度Ax可以由下式表示。
Ax＝A10×(LX/L10)＝-[log10(T10)]×(Lx/L10)
因此，在厚度为Xμm的情况下的透光率TX(％)能够如下计算。
Tx＝10-Ax
其中AX＝-[log10(T10)]×(LX/L10)。
在本发明中，在测定激光标识层的透光率(％)时的激光标识层厚度(平均厚度)为10μm，但该激光标识层厚度仅为在测定激光标识层的透光率(％)时的厚度，并可以与在半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜的激光标识层的厚度不同或相同。
在本发明中，激光标识层的透光率(％)可通过树脂组分的种类和含量，着色剂(如颜料或染料)的种类和含量，及填料的种类和含量等来控制。
此外，在半导体背面用切割带集成膜中，将激光标识层粘贴至切割带的压敏粘合剂层，但在切割步骤后拾取的半导体芯片中，激光标识层变为半导体芯片背面侧的最外层。
激光标识层能够由树脂组合物形成。作为用于形成激光标识层的树脂组合物(下文有时称作“激光标识层用树脂组合物”)，能够适当使用包含热塑性树脂组分和热固性树脂组分的树脂组合物。在激光标识层用树脂组合物中，作为热塑性树脂组分，可使用在以下(热塑性树脂组分)部分中描述(或示例)的热塑性树脂等。另一方面，作为热固性树脂组分，可使用在以下(热固性树脂组分)部分中描述(或示例)的热固性树脂等。
此外，在本发明中，如下所述，丙烯酸类树脂适合作为在激光标识层用树脂组合物中的热塑性树脂组分。另一方面，作为在激光标识层用树脂组合物中的热固性树脂组分，环氧树脂和酚醛树脂是适合的。因此，作为激光标识层用树脂组合物，包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物是适合的。由于这些树脂组分仅包含少量离子性杂质并具有高耐热性，因此能够确保半导体元件的可靠性。
在激光标识层用树脂组合物中，从激光标识性的角度，热塑性树脂组分的比例优选为30重量％以上(例如，30重量％以上至100重量％以下)，相对于树脂组分的总量。在激光标识层用树脂组合物中，当热塑性树脂组分的比例过大时，耐热性能降低。因此，从耐热性的角度，在激光标识层用树脂组合物中热塑性树脂组分与树脂组分总量的比例的上限优选为90重量％以下，更优选80重量％以下，进一步优选60重量％以下(甚至更优选50重量％以下)。因此，在激光标识层用树脂组合物中热塑性树脂组分的比例能够例如在30重量％以上至90重量％以下(优选30重量％以上至80重量％以下，更优选30重量％以上至60重量％以下，进一步优选30重量％以上至50重量％以下)的范围内选择。
当然，在激光标识层用树脂组合物中热固性树脂组分的比例为通过从100重量％中减去热塑性树脂组分的比例获得的余数，100重量％为树脂组分的总量的比例。在热塑性树脂组分相对于树脂组分的总量的比例为100重量％的情况下，激光标识层用树脂组合物变为仅包含热塑性树脂组分作为树脂组分(不包含热固性树脂组分)的树脂组合物(热塑性树脂组合物)。
作为除树脂组分之外的组分，激光标识层用树脂组合物还可以包含除了交联剂和着色剂之外的添加剂例如填料、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕集剂，增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。例如，作为交联剂，可使用在以下(交联剂)部分中描述(或示例)的交联剂等。例如，作为着色剂，可使用在以下(着色剂)部分中描述(或示例)的着色剂等。
在这点上，通过使用交联剂，能够提高高温下的紧密粘合性并且能够改进耐热性。在本发明中，为了用交联剂交联树脂组分，重要的是将能够与交联剂反应的官能团引入树脂组分的聚合物中的分子链末端等。
例如，激光标识层可通过利用包括以下步骤的常用方法形成：将热固性树脂组分例如环氧树脂和/或热塑性树脂组分例如丙烯酸类树脂以及任选地溶剂和其它添加剂混合从而制备树脂组合物，并将其成形为膜状层。具体地，例如，作为膜状层的激光标识层能够通过以下方法形成：包括将树脂组合物施涂至切割带的压敏粘合剂层上的方法；包括将树脂组合物施涂至适当的隔离体(例如，剥离纸)上以形成树脂层，然后将其转移(转换)至切割带的压敏粘合剂层上或晶片粘合层上的方法；或类似方法。
激光标识层的厚度没有特别限定，但是其例如优选1-100μm，更优选2-80μm，进一步优选3-50μm，甚至更优选5-40μm。当激光标识层的厚度过小时，存在激光标识时暴露半导体晶片表面的可能性。另一方面，当该厚度过大时，存在热固化后半导体晶片翘曲的可能性。在这点上，激光标识层可为单层形式或层压层形式的任意形式。
(热塑性树脂组分)
在晶片粘合层用树脂组合物和激光标识层用树脂组合物中，热塑性树脂组分的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如6-尼龙和6，6-尼龙、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)和PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亚胺树脂或氟碳树脂。热塑性树脂组分可以单独使用或以其两种以上组合使用。在这些热塑性树脂组分中，优选仅包含少量离子性杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂。
丙烯酸类树脂不特别限定，其实例包括包含一种或两种以上具有30个以下碳原子，优选4至18个碳原子的直链或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作为组分的聚合物。即，在本发明中，丙烯酸类树脂具有还包括甲基丙烯酸类树脂的宽的含义。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体(除包含具有30个以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)没有特别限定，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroxyethylacryloylphosphate)。
该树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。
(热固性树脂组分)
在晶片粘合层用树脂组合物和激光标识层用树脂组合物中，热固性树脂组分的实例包括环氧树脂和酚醛树脂以及氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。热固性树脂组分可以单独使用或以其两种以上组合使用。作为热固性树脂组分，仅包含少量腐蚀半导体元件的离子性杂质的环氧树脂是合适的。此外，优选将酚醛树脂用作环氧树脂的固化剂。
环氧树脂不特别限制，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、可溶可熔酚醛(phenol novolak)型环氧树脂、邻甲酚可溶酚醛(o-cresol novolak)型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂。
作为环氧树脂，在以上示例的那些中，可溶酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优异。
所述环氧树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。
此外，酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括可溶可熔型酚醛树脂如可溶可熔酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚可溶酚醛树脂、叔丁基可溶可熔酚醛树脂和壬基可溶可熔酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)例如聚对氧苯乙烯。酚醛树脂可单独或以其两种以上组合使用。在这些酚醛树脂中，可溶可熔酚醛树脂和苯酚芳烷基树脂是优选的。这是因为可提高半导体器件的连接可靠性。
所述酚醛树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得产品。
环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基变为0.5至2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。其更优选0.8至1.2当量。即，当混合比变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。
环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂没有特别限定，可适当选自已知的热固化促进催化剂并使用。热固化促进催化剂可单独或两种以上的组合使用。作为热固化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进催化剂、硼类固化促进催化剂或磷-硼类固化促进催化剂。
(交联剂)
在晶片粘合层用树脂组合物和激光标识层用树脂组合物中使用的交联剂没有特别限定，可以适当选自已知的交联剂。具体地，交联剂的实例不仅包括异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，而且还包括脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂是适合的。交联剂可单独或以两种以上的组合使用。
异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2-亚乙基二异氰酸酯、1，4-亚丁基二异氰酸酯和1，6-六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；和芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。此外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]和三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括N，N，N′，N′-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3-双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。
交联剂的用量不特别限定，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的用量为例如0.05至7重量份，基于100重量份树脂组分(聚合物组分)(特别地，在分子链末端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份树脂组分为0.05至7重量份时，能够高水平地显示紧密粘合性和内聚特性。
在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外线等照射进行交联处理。
(着色剂)
在本发明中，优选将半导体背面用膜着色。具体地，优选将晶片粘合层和激光标识层的至少之一着色。特别地，更优选将至少激光标识层着色，进一步优选将晶片粘合层和激光标识层二者均着色。
在本发明中，在将晶片粘合层和激光标识层二者均着色的情况下，晶片粘合层和激光标识层可用相同的颜色着色或可用不同的颜色着色。
如上所述，在将半导体背面用膜着色的情况(该膜既不是无色的也不是透明的情况)下，通过着色显示的颜色没有特别限定，但例如优选暗色如黑色、蓝色或红色，黑色是特别优选的。
在本发明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50以下(0至50)，更优选40以下(0至40)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的暗色。
此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至30)，更优选25以下(0至25)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在L*a*b*颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，a*和b*两者均在-10至10，更优选-5至5，特别优选-3至3(特别地0或约0)的范围内。
在本发明中，在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b*可通过用色差计(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差计)测量来确定。L*a*b*颜色空间为在1976年由CommissionInternationale de l’Eclairage(CIE)建议的颜色空间，是指称为CIE1976(L*a*b*)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准(Japanese Industrial Standards)JIS Z8729中定义了L*a*b*颜色空间。
在晶片粘合层或激光标识层着色时，根据目标颜色，可使用着色剂(着色试剂)。作为该着色剂，可适合使用各种暗色着色剂如黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色剂是更适合的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独或以两种以上的组合使用。在这点上，作为染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离子染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料中适当选择和使用。
特别地，当将染料用作着色剂时，染料变为通过溶解于半导体背面用膜中均匀或几乎均匀分散的状态，因此能够容易地生产具有均匀或几乎均匀的颜色浓度的半导体背面用膜(结果，半导体背面用切割带集成膜)。因此，当将染料用作着色剂时，在半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜可具有均匀或几乎均匀的颜色浓度并能够提高标识性和外观性。
黑色着色剂不特别限定，例如，可适当选自无机黑色颜料和黑色染料。此外，黑色着色剂可为其中将青色着色剂(蓝-绿着色剂)、品红色着色剂(红-紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂)混合的着色剂混合物。黑色着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。当然，黑色着色剂可与除黑色之外颜色的着色剂组合使用。
黑色着色剂的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨(石墨(black lead))、氧化铜、二氧化锰、偶氮型颜料(例如，偶氮甲碱偶氮黑)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素体)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬配合物、复合氧化物型黑色颜料和蒽醌型有机黑色颜料。
作为黑色着色剂，可使用黑色染料如C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70，C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71，C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154，和C.I.分散黑1、3、10、24；和黑色颜料如C.I.颜料黑1、7等。
作为该黑色着色剂，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名“Oil Black HBB”、商品名“Oil Black803”、商品名“Oil Black 860”、商品名“Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906”和商品名“Oil Black 5905”(由OrientChemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商购可得的。
除了黑色着色剂之外的着色剂的实例包括青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂。
青色着色剂的实例包括青色染料如C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6和45；青色颜料如C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.瓮蓝4、60；C.I.颜料绿7。
此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27和28。
在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.瓮红1、2、10、13、15、23、29和35。
此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112和162；黄色颜料如C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.瓮黄1、3和20。
各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独使用或以两种以上的组合使用。在此点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂的两种以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)没有特别限定，可根据各着色剂的种类和目标颜色等适当选择。
此外，在将通过混合青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂形成的着色剂混合物用作黑色着色剂的情况下，这些着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的混合比(或共混比)没有特别限定，只要能够显示黑色系颜色(例如，具有在上述范围内的在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b*的黑色系颜色)即可，可根据各着色剂的类型等适当选择。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的含量例如可在以下范围内适当选择：相对于着色剂总量，青色着色剂/品红色着色剂/黄色着色剂＝10重量％-50重量％/10重量％-50重量％/10重量％-50重量％(优选20重量％-40重量％/20重量％-40重量％/20重量％-40重量％)。
着色剂的含量可适当选自在形成晶片粘合层或激光标识层的树脂组合物(排除溶剂)中0.1至10重量％的范围，优选0.5至8重量％，更优选1至5重量％。
(其它添加剂)
在本发明中，如上所述，在晶片粘合层用树脂组合物和激光标识层用树脂组合物中，根据需要可适当共混其它添加剂。作为其它添加剂，除了填料、阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂之外，还能够使用添加剂如增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。
填料可为任意无机填料和有机填料，但无机填料是合适的。通过共混填料如无机填料，能够实现赋予半导体背面用膜以导电性、改进半导体背面用膜的导热性和控制半导体背面用膜的弹性模量等。在这点上，半导体背面用膜可为导电性的或非导电性的。无机填料的实例包括由以下组成的各种无机粉末：二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝，氧化铍，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金属或合金如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯，和焊料及碳等。填料可以单独使用或两种以上组合使用。特别地，填料适合为二氧化硅，更适合为熔凝硅石。无机填料的平均粒径优选在0.1至80μm的范围内。无机填料的平均粒径通过激光衍射型粒径分布测量设备来测量。
填料(例如无机填料)的共混量优选为80重量份以下(0重量份至80重量份)，更优选为0重量份至70重量份，基于100重量份树脂组分的总量。
阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可以单独或两种以上组合使用。硅烷偶联剂的实例包括β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可以单独或两种以上组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可单独，或以两种以上的组合使用。
半导体背面用膜的厚度(包括晶片粘合层和激光标识层的整个膜的厚度)不特别限定，但例如可适当选自2至200μm的范围。在本发明中，半导体背面用膜的厚度优选约4至160μm，更优选约6至100μm，进一步优选10至80μm。此外，半导体背面用膜在晶片粘合层和激光标识层之间可具有其他一层(或多层)作为层。
在这点上，在半导体背面用膜中，在晶片粘合层和/或激光标识层由包含热固性树脂例如环氧树脂的树脂组合物形成的情况下，半导体背面用膜处于在将该膜施涂至半导体晶片前的阶段热固性树脂为未固化或部分固化的状态。在该情况下，在将它施涂至半导体晶片之后(具体地，通常，当在倒装芯片接合步骤中将包封材料固化时)，半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层中的热固性树脂完全或几乎完全固化。
如上所述，由于即使当半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层包含热固性树脂组分时，所述层也处于热固性树脂组分未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层的凝胶分数没有特别限定，但能够例如在50重量％以下(0重量％-50重量％)的范围内选择，并优选30重量％以下(0重量％-30重量％)，更优选10重量％以下(0重量％-10重量％)。半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层的凝胶分数能够以下述测量方法测量。
<凝胶分数的测量方法>
从半导体背面用膜中的晶片粘合层或激光标识层中取样约0.1g样品，并精确称重(样品重量)，将样品包裹在网型片(mesh-type sheet)中后，将它在室温下在约50ml甲苯中浸渍1周。此后，从甲苯中取出溶剂不溶性物质(网型片中的内容物)，并在130℃下干燥约2小时，将干燥后的溶剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据下述表达式(a)计算凝胶分数(重量％)。
凝胶分数(重量％)＝{(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)}×100(a)
此外，半导体背面用膜中的晶片粘合层或激光标识层的凝胶分数能够通过树脂组分的种类和含量，交联剂的种类和含量，以及加热温度和加热时间等来控制。
作为根据本发明的半导体背面用膜(具有晶片粘合层和激光标识层、特别地激光标识层的半导体背面用膜)，在23℃下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E′)优选为1GPa以上，更优选2GPa以上，进一步优选3GPa以上。当半导体背面用膜的弹性模量(特别地，激光标识层的弹性模量)为1GPa以上时，在当将芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，然后将半导体背面用膜放置在支承体(例如载体带)上进行输送等时，能够有效地抑制或防止半导体背面用膜粘贴至支承体(例如，载体带中的顶带(top tape)或底带(bottom tape))。在该点上，在半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，如上所述，热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜在23℃下的弹性模量(具有晶片粘合层和激光标识层的半导体背面用膜的弹性模量，特别地，激光标识层的弹性模量)为处于热固性树脂未固化或部分固化的状态的在23℃下的弹性模量。
半导体背面用膜在23℃下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E′)通过以下方式测定：制备由晶片粘合层和激光标识层形成但不层压至切割带上的半导体背面用膜，并使用由RheometricsCo.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备“Solid Analyzer RS A2”，在预定温度(23℃)下，在氮气气氛下，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/min的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将测量的弹性模量作为获得的拉伸贮能弹性模量E′的值。
半导体背面用膜的弹性模量能够通过晶片粘合层的树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂)和激光标识层的树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂)的种类和含量，以及填料例如二氧化硅填料的种类和含量等来控制。
半导体背面用膜在可见光区域(波长：400nm-800nm)的透光率(可见光透过率)没有特别限定，但例如，优选在不大于20％(0％-20％)的范围内、更优选在不大于10％(0％-10％)的范围内，特别优选不大于5％(0％-5％)的范围内。当半导体背面用膜在可见光区域中的透光率为不大于20％时，可见光透过半导体背面用膜并到达半导体芯片，从而能够减少对半导体芯片的不利影响。
半导体背面用膜的可见光透过率(％)能够通过构成半导体背面用膜的树脂组分的种类和含量、着色剂(例如，颜料和染料)的种类和含量，以及填料的种类和含量等来控制。
可见光透过率(％)能够例如用以下方式计算。即，制备厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜，而不将其层压至切割带上。接着，将半导体背面用膜使用“ABSORPTION SPECTROPHOTOMETER”(商品名，Shimadzu Corporation)用可见光照射。可见光具有400nm-800nm的波长。通过该照射透过半导体背面用膜的可见光的光强度能够根据以下表达式计算。
可见光透过率(％)＝[(透过半导体背面用膜后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
透光率(％)的前述计算方法还能够应用于厚度不是20μm的半导体背面用膜的透光率(％)的计算。具体地，根据朗伯-比尔定律，在厚度为20μm的情况下吸光度A20能够如下计算。
A20＝α×L20×C    (1)
(在该式中，L20为光程长度，α为吸收系数，C为样品浓度。)
此外，在厚度为X(μm)的情况下的吸光度AX能够如下计算。
AX＝α×LX×C    (2)
此外，在厚度为20μm的情况下的吸光度A20能够如下计算。
A20＝-log10T20   (3)
(在该式中，T20为在厚度为20μm的情况下的透光率。)
从上述式(1)-(3)，吸光度Ax可以由下式表示。
Ax＝A20×(LX/L20)＝-[log10(T20)]×(Lx/L20)
因此，在厚度为Xμm的情况下的透光率TX(％)能够如下计算。
Tx＝10-Ax
其中AX＝-[log10(T20)]×(LX/L20)。
此外，在透光率(％)的前述计算方法中半导体背面用膜的厚度调整为20μm的事实并不特别限定本发明的半导体背面用膜的厚度。“20μm”的值是为了在测量时方便而采用的厚度。
在本发明中，半导体背面用膜优选具有低的吸湿度。具体地，作为半导体背面用膜，当使该膜在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时时的吸湿度优选1重量％以下，更优选0.8重量％以下。通过将半导体背面用膜(在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时后)的吸湿度调整至1重量％以下，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤(reflow step)中能够抑制或防止空隙的产生。半导体背面用膜的吸湿度能够例如通过改变无机填料的添加量来调整。半导体背面用膜的吸湿度(重量％)为由当将膜在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。在半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，半导体背面用膜的吸湿度为由当将膜在热固化后在温度85℃和湿度85％RH的气氛下静置168小时时的重量变化计算的值。
吸湿度(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置后的重量)-(使半导体背面用有色膜静置前的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
此外，在本发明中，半导体背面用膜优选具有小比例的挥发性物质。具体地，作为半导体背面用膜，在温度250℃下加热1小时后的重量减少的比例(重量减少率)优选2重量％以下，更优选1重量％以下，还更优选0.8重量％以下。通过将半导体背面用膜(在温度250℃下加热1小时后)的重量减少率调整至2重量％以下，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤中能够抑制或防止封装时裂纹的产生。半导体背面用膜的重量减少率能够例如通过在无铅焊料再流时添加能够降低裂纹产生的无机物质例如无机填料如二氧化硅或氧化铝来调整。半导体背面用膜的重量减少率(重量％)为由当将膜在250℃的条件下加热1小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。在半导体背面用膜中的晶片粘合层和/或激光标识层由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，半导体背面用膜的重量减少率为由当将膜在热固化后在温度250℃下加热1小时时的重量变化计算的值。
重量减少率(重量％)＝[{(使半导体背面用膜静置前的重量)-(使半导体背面用膜静置后的重量)}/(使半导体背面用膜静置前的重量)]×100
半导体背面用膜(优选晶片粘合层)优选通过隔离体(剥离衬垫，在图中未示出)保护。隔离体具有作为保护半导体背面用膜(优选晶片粘合层)直至其实际使用的保护材料的功能。此外，隔离体能够进一步用作在将半导体背面用膜转移至在切割带的基材上的压敏粘合剂层时的支承基材。当将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上时，剥离隔离体。作为隔离体，还能够使用聚乙烯膜或聚丙烯膜、以及其表面用脱模剂例如氟类脱模剂或长链烷基丙烯酸酯类脱模剂涂布的塑料膜(例如，聚对苯二甲酸乙二酯)或纸等。隔离体可通过常规已知的方法形成。此外，隔离体的厚度等没有特别限定。
此外，根据本发明的半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，但在晶片粘合层和激光标识层之间可包含其它层(例如，中间层、遮光层、补强层、着色层、基材层、电磁波屏蔽层、导热层、压敏粘合剂层等)，只要晶片粘合层与晶片背面接触以及激光标识层粘贴至半导体背面用切割带集成膜中的切割带的压敏粘合剂层且激光标识层变为在切割步骤后拾取的半导体芯片中半导体芯片背面侧的最外层即可。
切割带
切割带包括基材和形成于基材上的压敏粘合剂层。因而，切割带充分具有层压基材和压敏粘合剂层的构造。基材(支承基材)能够用作压敏粘合剂层等的支承材料。作为基材，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网；金属类基材如金属箔和金属板；塑料类材料如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体(foamed body)如发泡片；及其层压体[塑料类材料与其它基材的层压体，塑料膜(或片)彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适合使用塑料类材料如塑料膜和片。此类塑料材料的原料实例包括烯属树脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作为单体组分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离子键树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规，交替)共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺类树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳族聚酰胺(whole aromaticpolyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅酮树脂；和氟化树脂。此外，作为基材的材料，也可以使用聚合物如各上述树脂的交联体。这些原料可单独或以两种以上的组合使用。
在将塑料基材用作基材的情况下，变形性如伸长度(elongation degree)可通过拉伸处理等控制。
基材的厚度不特别限制，可依赖于强度、屈挠性、预期的使用用途等适当选择。例如，厚度通常为1000μm以下(例如1至1000μm)，优选10至500μm，进一步优选20至300μm，进一步优选约30至200μm，但不限于此。在这点上，基材可具有单层形式和层压层形式的任何形式。
为了提高与邻接层的紧密粘合性、保持性等，可在基材的表面上实施常规使用的表面处理，例如化学或物理处理的氧化处理，如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击或电离辐射处理，或者用底漆剂(undercoating agent)的涂布处理。
此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材可包含各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
压敏粘合剂层由压敏粘合剂形成并具有压敏粘合性。该压敏粘合剂没有特别限定，可在已知压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘合剂可在例如以下的已知压敏粘合剂中适当选择并使用：丙烯酸类压敏粘合剂、橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、硅酮类压敏粘合剂、聚酯类压敏粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、聚氨酯类压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类压敏粘合剂，和其中将具有约200℃以下熔点的热熔融性树脂混入这些压敏粘合剂中的蠕变特性改进压敏粘合剂(例如，参见JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，将其每一个引入此处以作参考)。此外，作为压敏粘合剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)或热膨胀性压敏粘合剂。压敏粘合剂可单独或以两种以上的组合使用。
在本发明中，作为压敏粘合剂，可适当使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘合剂，特别地，丙烯酸类压敏粘合剂是适合的。作为丙烯酸类压敏粘合剂，可提及其中将使用一种或两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)用作基础聚合物的丙烯酸类压敏粘合剂。
在丙烯酸类压敏粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，具有含4至18个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是适合的。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可为线性或支化的。
为了改善内聚力、耐热性及交联性等目的，上述丙烯酸类聚合物可包含与(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。该类可共聚合单体组分的实例包括含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；含酸酐基团单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟月桂酯和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸类单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基丙烯酸类单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯和α-甲基苯乙烯；乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；乙烯基醚类单体例如乙烯醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单体如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺和N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺和N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体如N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇类丙烯酸酯单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol(meth)acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxypolypropylene glycol(meth)acrylate)；具有杂环、卤原子或硅原子等的丙烯酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine(meth)acrylate)和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone(meth)acrylate)；多官能单体如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯等。这些可共聚合单体组分可单独或以两种以上的组合使用。
在将照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)用作压敏粘合剂的情况下，照射固化型压敏粘合剂(组合物)的实例包括其中在聚合物侧链或主链中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部型照射固化型压敏粘合剂，及其中将UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中的照射固化型压敏粘合剂等。此外，在将热膨胀性压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，可提及包含压敏粘合剂和发泡剂(特别地，热膨胀性微球)的热膨胀性压敏粘合剂及其类似物作为热膨胀性压敏粘合剂。
在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层可包含各种添加剂(例如，增粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
交联剂不特别限制，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是合适的。异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂的具体实例包括在关于半导体背面用膜的段落中具体示例的化合物(具体实例)。交联剂可单独或以两种以上的组合使用。此外，交联剂的量不特别限制。
在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外线照射进行交联处理。
压敏粘合剂层例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂，然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，压敏粘合剂层例如可通过以下方法形成，所述方法为：包括将包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物施涂至基材上的方法；包括施涂上述混合物至适当隔离体(如剥离纸)上以形成压敏粘合剂层，然后将其转移(转换)至基材上的方法；或类似方法。
压敏粘合剂层的厚度没有特别限定，例如，优选为约5至300μm，更优选5至200μm，进一步优选5至100μm，甚至更优选7至50μm。当压敏粘合剂层的厚度在上述范围内时，能够显示适当的压敏粘合力。压敏粘合剂层可为单层或多层。
此外，切割带的厚度(包括基材和压敏粘合剂层的整个带的厚度)可选自例如6至1300μm的范围，并优选15至700μm、更优选25至400μm、进一步优选37至250μm。
此外，在本发明中，可使半导体背面用切割带集成膜具有抗静电功能。由于该构造，能够防止电路由于以下原因导致的短路：由于在其紧密粘合时(在粘合时)和在其剥离时静电能的产生或由于工件(半导体晶片等)通过静电能的带电。赋予抗静电功能可通过适当的方式如以下方法进行：添加抗静电剂或导电性物质至基材、压敏粘合剂层和半导体背面用膜的方法，或在基材上设置由电荷转移配合物(complex)组成的导电层或金属膜等的方法。作为这些方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改进热传导性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括银、铝、金、铜、镍或导电性合金等的球形、针形或薄片形金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，从不会具有漏电性的观点，半导体背面用膜优选非导电性的。
在本发明中，切割带可如上所述制备并使用，或可使用商购可得产品。
此外，半导体背面用切割带集成膜可以以卷绕成卷形物(roll)的形式形成或可以以将片材(膜)层压的形式形成。例如，在膜具有卷绕成卷形物的形式的情况下，根据需要，以通过隔离体保护半导体背面用膜的状态将膜卷绕成卷形物，由此可制备膜作为处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜。在这点上，处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜可由基材、在基材的一个表面上形成的压敏粘合剂层、在压敏粘合剂层上形成的半导体背面用膜，和在基材的另一表面上形成的可剥离处理层(后表面处理层)构成。
此外，半导体背面用切割带集成膜的厚度(包括晶片粘合层和激光标识层的半导体背面用膜的厚度以及包括基材和压敏粘合剂层的切割带的厚度的总厚度)可选自例如8至1500μm的范围内，其优选20至850μm、更优选31至500μm、进一步优选47μm至330μm的范围内。
在半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚度与切割带的压敏粘合剂层的厚度的比没有特别限定，但例如，可在以(半导体背面用膜的厚度)/(切割带的压敏粘合剂层的厚度)的比例计为150/5至3/100的范围内适当选择。该比例优选100/5至3/50，更优选60/5至3/40。当半导体背面用膜的厚度与切割带的压敏粘合剂层的厚度的比例在前述范围内时，能够显示适当的压敏粘合力，并能够显示优良的切割性和拾取性。
此外，在半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚度与切割带的厚度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比例没有特别限定，但例如，可在以(半导体背面用膜的厚度)/(切割带的厚度)的比例计为150/50至3/500的范围内适当选择，并优选100/50至3/300，更优选60/50至3/150。当半导体背面用膜的厚度与切割带的厚度的比例在150/50至3/500范围内时，拾取性良好，并且能够抑制或防止切割时产生横向残余物(lateralresidue)。
如上所述，通过控制半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比或半导体背面用膜厚度与切割带厚度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比，能够改进切割步骤时的切割性和拾取步骤时的拾取性等，并且从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够有效地利用半导体背面用切割带集成膜。
半导体背面用切割带集成膜的生产方法
本发明的半导体背面用切割带集成膜的生产方法使用半导体背面用切割带集成膜1为例描述。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤出法和干法层压法。
接着，压敏粘合剂层32通过以下形成：将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上，接着干燥(根据需要，在加热下交联)。施涂方法的实例包括辊涂、丝网涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在这点上，压敏粘合剂组合物可直接施涂在基材31上，以在基材31上形成压敏粘合剂层32，或可将压敏粘合剂组合物施涂至其表面已进行剥离处理的隔离纸等上以形成压敏粘合剂层，然后将其转移至基材31上，从而在基材31上形成压敏粘合剂层32。因而，切割带3通过在基材31上形成压敏粘合剂层32来制备。
另一方面，晶片粘合层22可通过以下形成：将作为用于形成晶片粘合层22的形成材料的树脂组合物(晶片粘合层用树脂组合物)施涂至剥离纸上以在干燥后具有规定厚度，并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化的情况下，根据需要进行加热处理和干燥)。随后，激光标识层21通过以下形成：将作为用于形成激光标识层21的形成材料的树脂组合物(激光标识层用树脂组合物)施涂至晶片粘合层22上以在干燥后具有规定厚度，并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化的情况下，根据需要进行加热处理和干燥)，从而制备具有激光标识层21和晶片粘合层22的层压结构的半导体背面用膜2。通过将半导体背面用膜2以激光标识层21与压敏粘合剂层32接触的形式转移至压敏粘合剂层32上，在压敏粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。在这点上，半导体背面用膜2也能够通过在压敏粘合剂层32上施涂激光标识层用树脂组合物以形成激光标识层21，并在激光标识层21上进一步施涂晶片粘合层用树脂组合物以形成晶片粘合层22而形成于压敏粘合剂层32上。因此，获得根据本发明的半导体背面用切割带集成膜1。此外，在半导体背面用膜2形成时进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至达到部分固化状态的程度，但优选不进行热固化。
本发明的半导体背面用切割带集成膜能够在包括倒装芯片接合步骤的半导体器件生产时适当使用。即，在倒装芯片安装的半导体器件的生产时使用本发明的半导体背面用切割带集成膜，因此以将半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜粘贴至半导体芯片背面的条件或形式生产倒装芯片安装的半导体器件。因此，将本发明的半导体背面用切割带集成膜用于倒装芯片安装的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固定于被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。
(半导体晶片)
工件(半导体晶片)不特别限制，只要其为已知或通常使用的半导体晶片即可，可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶片。
半导体器件的生产方法
用于生产根据本发明半导体器件的方法没有特别限定，只要其为使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法即可。例如，可提及包括以下步骤的生产方法等：
将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上(即，半导体背面用膜的晶片粘合层上)的步骤(安装步骤)；
切割工件以形成芯片形工件的步骤(切割步骤)；
将芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤(拾取步骤)；和
通过倒装芯片接合将芯片形工件固定至被粘物的步骤(倒装芯片接合步骤)。
更具体地，作为半导体器件的生产方法，例如，半导体器件可以如下在适当剥离任选地设置于半导体背面用膜上的隔离体后使用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜生产。下文中，参考图2A至2D，使用半导体背面用切割带集成膜1作为实例描述该方法。
图2A-2D为示出使用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。在图2A至2D中，如上所述，4为工件(半导体晶片)，5为芯片形工件(半导体芯片)，51为在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块，6为被粘物，61为粘合至被粘物6的连接垫的连结用导电性材料，1、2、21、22、3、31和32如上所述分别为半导体背面用切割带集成膜、半导体背面用膜、激光标识层、晶片粘合层、切割带、基材和压敏粘合剂层。
(安装步骤)
首先，如图2A所示，将半导体晶片(工件)4粘贴(压接)至半导体背面用切割带集成膜1中的半导体背面用膜2的晶片粘合层上，以通过紧密粘合和保持来固定半导体晶片(安装步骤)。通常在用加压装置如加压辊加压的同时进行本步骤。
(切割步骤)
接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切割成规定尺寸并个体化(形成小片)，以生产半导体芯片(芯片形工件)5。所述切割根据常规方法例如从半导体晶片4的电路面侧进行。另外，本步骤可采取例如形成达到半导体背面用切割带集成膜1的切口(slit)的称作完全切断的切断方法。在本发明中，重要的是在切割步骤中将工件充分切断(完全切断)。在此情况下，重要的是在将半导体背面用膜完全切断的同时将工件与半导体背面用膜一起切割。即，重要的是本步骤为通过将工件与半导体背面用膜一起切割形成芯片形工件的步骤。在这点上，在将工件与半导体背面用膜一起切割时，切割可在其中在切割带上没有形成切口的形式下或在其中在切割带上至少部分地形成切口(优选部分地，从而不切断切割带)的形式下进行。用于本步骤的切割设备没有特别限定，可使用常规已知的设备。此外，由于半导体晶片4通过半导体背面用切割带集成膜1粘合并固定，所以可抑制芯片破裂和切屑飞散，以及还可抑制半导体晶片4破损。在这点上，当半导体背面用膜2(激光标识层和晶片粘合层)由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切断时，也抑制或防止在切断面处发生粘合剂从半导体背面用膜挤出。结果，可抑制或防止切断面自身的再粘贴(粘连(blocking))，从而可进一步方便地进行以下要描述的拾取。
在扩展半导体背面用切割带集成膜的情况下，扩展(expansion)可使用常规已知的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动半导体背面用切割带集成膜向下通过切割环的环形(doughnut-shaped)外环，和直径小于外环并支撑半导体背面用切割带集成膜的内环。由于该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。
(拾取步骤)
为了收集粘合并固定至半导体背面用切割带集成膜1的半导体芯片5，如图2C所示进行半导体芯片5的拾取以将半导体芯片5与半导体背面用膜2一起从切割带3剥离。拾取方法没有特别限定，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从半导体背面用切割带集成膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取设备拾取推起的半导体芯片5的方法。在这点上，拾取的半导体芯片5在背面(也称为无电路面、无电极形成面等)已用包括激光标识层21和晶片粘合层22的半导体背面用膜2保护。
(倒装芯片接合步骤)
如图2D所示，拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法(倒装芯片安装法)固定于被粘物如基材。具体地，以半导体芯片5的电路面(也称为前面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形式根据常规方式将半导体芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半导体芯片5的电路面处形成的凸起51与粘贴至被粘物6的连接垫的结合(conjuction)用导电性材料61(如焊料)接触，并在加压下熔融导电性材料，由此能够确保半导体芯片5和被粘物6之间的电连接，并将半导体芯片5固定于被粘物6上。在这点上，在将半导体芯片5固定至被粘物6时，重要的是将半导体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙预先洗涤，然后将包封材料(如包封树脂)填充入该间隙中。
作为被粘物，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线电路板)。基板的材料没有特别限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板和聚酰亚胺基板。
在倒装芯片接合中，凸起的材料和导电性材料不特别限制，其实例包括焊料(合金)如锡-铅类金属材料、锡-银类金属材料、锡-银-铜类金属材料、锡-锌类金属材料、锡-锌-铋类金属材料和金类金属材料及铜类金属材料。
此外，在本步骤中，将导电性材料熔融以连接半导体芯片5的电路面处的凸起和在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料熔融时的温度通常为约260℃(例如，250℃至300℃)。通过形成具有环氧树脂等的半导体背面用膜，可使本发明的半导体背面用切割带集成膜具有能够承受在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。
此外，在倒装芯片接合中在洗涤半导体芯片5和被粘物6之间的相对面(电极形成面)以及间隙时使用的洗涤液没有特别限定，该液体可为有机洗涤液或可为水性洗涤液。在本发明的半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜具有对洗涤液的耐溶剂性，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涤液作为该洗涤液，并可通过任何常规方法无需任何特别的洗涤液实现该洗涤。
在本发明中，在封装半导体芯片5和被粘物6之间的间隙时使用的封装材料没有特别限定，只要该材料为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)即可，可在已知封装材料如封装树脂中适当选择和使用。封装树脂优选具有弹性的绝缘树脂。封装树脂的实例包括含环氧树脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂组合物组成的封装树脂可包含除了环氧树脂之外的热固性树脂(如酚醛树脂)或除了环氧树脂之外的热塑性树脂。此外，可利用酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂，作为该酚醛树脂，可提及以上示例的酚醛树脂。
在用封装树脂的封装步骤中，封装树脂通常通过加热来固化以实现封装。在很多情况下，封装树脂的固化通常在175℃下进行60至90秒。然而，在本发明中，不限于此，例如，固化可在165至185℃的温度下进行几分钟。在半导体背面用膜(晶片粘合层和/或激光标识层)由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，在固化该封装树脂时构成半导体背面用膜的热固性树脂可完全或几乎完全固化。
此外，半导体芯片5和被粘物6之间间隙的距离通常为约30至300μm。
在使用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜生产的半导体器件(倒装芯片安装的半导体器件)中，由于包括具有特定透光率的晶片粘合层和具有特定透光率的激光标识层的半导体背面用膜以激光标识层变为最外层的形式粘贴至芯片形工件背面上，所以可以以优良的可见度实施激光标识。特别地，激光标识能够以优良的对比度实施，因而可以观察通过具有良好可见度的激光标识实施的各种信息(文字信息、图形信息等)。在激光标识时，可利用已知激光标识设备。此外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已知的气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是合适的。作为固态激光器，可利用任何已知的固态激光器而没有特别限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4激光器是合适的。
由于使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产的倒装芯片安装的半导体器件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，所以该器件与通过模片接合安装法安装的半导体器件相比具有薄型化和小型化的形状。因此，可适当采用倒装芯片安装的半导体器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体器件的电子器件，可提及所谓的“移动电话”和“PHS”，小尺寸计算机[所谓的“PDA”(手持终端)，所谓的“笔记本尺寸的个人计算机”，所谓的“Net Book(商标)”和所谓的“可穿戴计算机”等]，具有“移动电话”和计算机集成形式的小尺寸电子器件，所谓的“DigitalCamora(商标)”，所谓的“数码摄像机”，小尺寸电视机，小尺寸游戏机，小尺寸数字音频播放机，所谓的“电子记事本”，所谓的“电子词典”，用于所谓的“电子书”的电子器件终端，以及移动电子器件(可携带电子器件)如小尺寸数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)，例如所谓的“桌面个人计算机”、薄型电视机、用于记录和复制的电子器件(硬盘录像机(hard disk recorders)、DVD播放机等)、投影仪和微型机等。此外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件不特别限制，其实例包括用于所谓“CPU”的部件和用于各种记忆器件(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件。
实施例
以下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，在这些实施例中描述的材料和共混量等不意欲将本发明的范围仅限制于此，除非另外说明，它们仅为说明性实例。此外，除非另外说明，在各实例中的份为重量标准。
(生产例1)
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：“PARACRON W-197CM”，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，将21份环氧树脂(商品名：“EPICOAT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造)、22份酚醛树脂(商品名：“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals，Inc.制造)和77份球形二氧化硅(商品名：“SO-25R”，由Admatechs Co.Ltd.制造，平均粒径：0.5μm)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液(下文中有时称作“树脂组合物溶液A”)。
(生产例2)
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：“PARACRON W-197CM”，由Negami Chemical Industrial Co.，Ltd.制造)，将113份环氧树脂(商品名：“EPICOAT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造)、121份酚醛树脂(商品名：“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals，Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名：“SO-25R”，由Admatechs Co.Ltd.制造，平均粒径：0.5μm)、5份染料1(商品名：“OIL GREEN 502”，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)和5份染料2(商品名：“OIL BLACK BS”，由Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液(下文中有时称作“树脂组合物溶液B”)。
(晶片粘合性的评价)
关于源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的树脂层，通过以下粘合力的测量方法测量对于晶片的粘合力，并根据以下粘合性的评价标准评价各树脂层是否具有作为晶片粘合层的适当粘合力。评价或测量结果示于表1中。
<粘合力的测量方法>
将聚对苯二甲酸乙二酯膜(厚度：38μm；下文中有时称作“PET膜”)粘贴至源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的各树脂层的一面上，从而获得粘贴树脂层的PET膜。将硅晶片(厚度：0.6mm)作为晶片放置在热盘上并在预定温度(50℃)下以通过使2kg的辊往复一次使粘贴树脂层的PET膜的树脂层与晶片接触的形式粘贴于其上。其后，将层压体在热盘(50℃)上静置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下静置20分钟。静置后，在温度23℃下在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/min的条件下通过使用剥离试验机(商品名：“AUTOGRAPH AGS-J”，由Shimadzu Corporation制造)将粘贴树脂层的PET膜剥离(在树脂层和晶片之间的界面处剥离)。测量剥离时载荷的最大载荷(从其中除去测量开始时峰顶的载荷的最大值)，将该最大载荷作为树脂层和晶片之间的粘合力(树脂层相对于晶片的粘合力)时确定树脂的粘合力(N/10mm-宽度)。(粘合性的评价标准)
良好：相对于晶片的粘合力为1N/10mm-宽度以上；
差：相对于晶片的粘合力为小于1N/10mm-宽度。
在该粘合力的测量方法中，树脂层用PET膜增强，但是即使当使用压敏粘合带(商品名：“BT315”，由Nitto DenkoCorporation制造)代替PET膜时，也可获得近似的粘合力值。
表1
  生产例   粘合力
  1   良好
  2   差
从表1中可见，源自生产例1的树脂组合物溶液A的树脂层具有良好的相对于晶片的粘合力，因而适合于作为晶片粘合层。因此，该树脂层可用作晶片粘合层。另一方面，源自生产例2的树脂组合物溶液B的树脂层具有低的相对于晶片的粘合力，因而不适合作为晶片粘合层。因此，该树脂层不能用作晶片粘合层。
<激光标识性的评价>
关于源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的树脂层，通过以下激光加工性的评价或测量方法评价或测量激光标识性，并根据以下激光加工性的评价标准评价树脂层是否具有作为激光标识层的适当的激光标识性。评价或测量结果示于表2中。
<激光加工性的评价或测量方法>
源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的各树脂层用激光器[波长：532nm，激光产生设备(商品名“MD-S9900”，由Keyence Corporation制造)]在强度为1.0W的条件下照射，并使用激光显微镜测量通过激光照射加工的加工深度。
<激光加工性的评价标准>
良好：激光加工深度为2μm以上。
差：激光加工深度为小于2μm。
表2
  生产例   激光加工性
  1   差
  2   良好
从表2中可见，源自生产例2的树脂组合物溶液B的树脂层具有良好的激光加工性，因而适合作为激光标识层。因此，可将该树脂层用作激光标识层。另一方面，源自生产例1的树脂组合物溶液A的树脂层具有低的激光加工性，因而不适合作为激光标识层。因此，该树脂层不能用作激光标识层。
(透光率的测量)
关于源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的树脂层，对于具有532nm或1064nm波长的光的透光率通过以下透光率的测量方法测量。测量结果示于表3中。
<透光率的测量方法>
源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的各树脂层(平均厚度：10μm)使用商品名“UV-2550”(由Shimadzu Corporation制造)在规定强度下用具有波长400nm至1100nm的可见光照射，并测量透过的可见光的强度。因此，透光率能够由具有各波长的可见光在透过激光标识层之前和之后的强度变化来测量。
表3
(物理性质的测量)
关于源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的各树脂层，分别以以下方式测量吸湿度(重量％)和重量减少率(重量％)。测量结果示于下表4中。
<吸湿度的测量方法>
使源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的各树脂层在温度85℃和湿度85％RH的恒温恒湿室中静置168小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算吸湿度(重量％)。
吸湿度(重量％)＝[{(使树脂层静置后的重量)-(使树脂层静置前的重量)}/(使树脂层静置前的重量)]×100
<重量减少率的测量方法>
使源自生产例1和2中制备的树脂组合物溶液A和树脂组合物溶液B的各树脂层在温度250℃的干燥机中静置1小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算重量减少率(重量％)。
重量减少率(重量％)＝[{(使树脂层静置前的重量)-(使树脂层静置后的重量)}/(使树脂层静置前的重量)]×100
表4
(实施例1)
<半导体背面用膜的制造>
将在生产例1中制备的树脂组合物溶液A施涂至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度(平均厚度)10μm的晶片侧树脂层(晶片粘合层)。其后，将在生产例2中制备的树脂组合物溶液B施涂至晶片侧树脂层(晶片粘合层)上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度(平均厚度)10μm的外部树脂层(激光标识层)，由此制造厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(有时称作“半导体背面用膜A”)。
<半导体背面用切割带集成膜的制造>
将上述半导体背面用膜A使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制造半导体背面用切割带集成膜。
比较例1
<半导体背面用膜的制造>
将在生产例2中制备的树脂组合物溶液B施涂至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度(平均厚度)10μm的晶片侧树脂层(晶片粘合层)。其后，将在生产例1中制备的树脂组合物溶液A施涂至晶片侧树脂层(晶片粘合层)上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度(平均厚度)10μm的外部树脂层(激光标识层)，由此制造厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(有时称作“半导体背面用膜B”)。
<半导体背面用切割带集成膜的制造>
将上述半导体背面用膜B使用手动辊以外部树脂层与切割带(商品名：“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层接触的形式粘贴至切割带的压敏粘合剂层上，从而制造半导体背面用切割带集成膜。
比较例2
<半导体背面用膜的制造>
将在生产例1中制备的树脂组合物溶液A施涂至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度(平均厚度)20μm的树脂层，由此制造厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(有时称作“半导体背面用膜C”)。因此，半导体背面用膜C具有单层的构造。即，具有单层构造的半导体背面用膜(即该树脂层)用作晶片侧树脂层，也用作外部树脂层。
<半导体背面用切割带集成膜的制造>
将上述半导体背面用膜C使用手动辊粘贴至切割带(商品名：“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制造半导体背面用切割带集成膜。
比较例3
<半导体背面用膜的制造>
将在生产例2中制备的树脂组合物溶液B施涂至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由具有厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以形成具有厚度(平均厚度)20μm的树脂层，由此制造厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜(有时称作“半导体背面用膜D”)。因此，半导体背面用膜D具有单层的构造。即，具有单层构造的半导体背面用膜(即该树脂层)用作晶片侧树脂层，也用作外部树脂层。
<半导体背面用切割带集成膜的制造>
将上述半导体背面用膜D使用手动辊粘贴至切割带(商品名：“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制造半导体背面用切割带集成膜。
此外，在根据实施例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，关于切割带(商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造)，基材的厚度(平均厚度)为65μm，压敏粘合剂层的厚度(平均厚度)为10μm，总厚度为75μm。因此，在根据实施例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜厚度与切割带的压敏粘合剂层厚度的比(半导体背面用膜厚度/切割带的压敏粘合剂层厚度；平均厚度计的比)为20/10，半导体背面用膜厚度与切割带厚度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比(半导体背面用膜厚度/切割带厚度；平均厚度计的比)为20/75。
(评价)
关于在实施例1和比较例1-3中制备的半导体背面用切割带集成膜，通过以下评价或测量方法来评价或测量切割性、拾取性、倒装芯片接合性、晶片背面的标识性和晶片背面的外观性。评价或测量结果示于表5中。
<切割性/拾取性的评价方法>
使用实施例1和比较例1-3的各半导体背面用切割带集成膜，通过实际切割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，从而评价半导体背面用切割带集成膜的切割性能或拾取性能。
将半导体晶片(直径：8英寸，厚度：0.6mm；硅镜面晶片)进行背面抛光处理，并使用具有厚度0.2mm的镜面晶片作为工件。从半导体背面用切割带集成膜剥离隔离体后，将镜面晶片(工件)在70℃下通过辊压接合粘贴至半导体背面用膜上(即，半导体背面用膜的晶片侧树脂层上)，并进一步进行切割。此处，所述切割作为完全切断进行，以成为10mm见方的芯片尺寸。在这点上，半导体晶片磨削条件、粘贴条件和切割条件如下。
(半导体晶片的磨削条件)
磨削设备：商品名“DFG-8560”，由DISCO Corporation制造
半导体晶片：8英寸直径(将背面从厚度0.6mm磨削至厚度0.2mm)
(粘贴条件)
粘贴设备：商品名“MA-3000III”，由Nitto Seiki Co.，Ltd.制造
粘贴速度：10mm/min
粘贴压力：0.15MPa
粘贴时的阶段温度：70℃
(切割条件)
切割设备：商品名“DFD-6361”，由DIS CO Corporation制造
切割环：“2-8-1”(由DIS CO Corporation制造)
切割速度：30mm/sec
切割刀：
Z1；“203O-SE 27HCDD”，由DISCO Corporation制造
Z2；“203O-SE 27HCBB”，由DISCO Corporation制造
切割刀旋转速度：
Z1；40,000r/min
Z2；45,000r/min
切割方法：阶梯切割(step cutting)
晶片芯片尺寸：10.0mm见方
在切割中，确认镜面晶片(工件)是否牢固保持在半导体背面用切割带集成膜上而未剥离以进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为“良好”，将未良好进行切割的情况评级为“差”，由此评价切割性。
接下来，通过用针状物从半导体背面用切割带集成膜的切割带侧向上推动工件，将通过切割获得的芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，由此拾取处于背面用半导体背面用膜保护的状态的芯片形工件。测定此时的芯片(总计400片)的拾取率(％)，以评价拾取性。因此，当拾取率越接近于100％时，拾取性越好。
此处，拾取条件如下。
(半导体晶片的拾取条件)
拾取设备：商品名“SPA-300”，由Shinkawa Co.，Ltd.制造
拾取针状物的数量：9个针状物
针状物的向上推动速度：20mm/s
针状物的向上推动距离：500μm
拾取时间：1秒
切割带扩展量：3mm
<倒装芯片接合性的评价方法>
关于通过使用根据各实施例或比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述<切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例或比较例的芯片形工件，以芯片形工件的表面(电路面)与具有对应于电路面的布线的电路板表面相对的形式，使在芯片形工件的电路面处形成的凸块与连接至电路板连接垫的连结用导电性材料(焊料)接触，使导电性材料通过升高温度至260℃在加压下熔融，然后冷却至室温，由此将芯片形工件固定至电路板上，从而制造半导体器件。根据以下评价标准评价此时的倒装芯片接合性。
(倒装芯片接合性的评价标准)
良好：通过倒装芯片接合法能够实现安装而没有任何问题；
差：通过倒装芯片接合法不能实现安装。
<晶片背面标识性的评价方法>
在通过上述<倒装芯片接合性的评价方法>获得的半导体器件中的芯片形工件的背面(即，半导体背面用膜的最外层的表面)上使用YAG激光器实施激光标识。关于通过激光标识获得的信息(条形码信息)，根据以下评价标准评价使用根据各实施例或比较例的半导体背面用切割带集成膜获得的半导体器件的标识性(激光标识性)。
(标识性的评价标准)
良好：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的8个人以上。
差：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的7个人以下。
<晶片背面外观性的评价方法>
关于通过使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述<切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例和比较例的芯片形工件，根据以下评价标准目视评价芯片形工件背面的外观性。
(外观性的评价标准)
良好：在芯片形工件中的晶片(硅晶片)背面和半导体背面用膜之间没有观察到剥离(浮起)；
差：在芯片形工件中的晶片(硅晶片)背面和半导体背面用膜之间观察到剥离(浮起)。
表5
注)在根据比较例2和3各半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜具有单层构造。
从表5中，确认根据实施例1的半导体背面用切割带集成膜具有以优良水平作为切割带的功能和作为半导体背面用膜的功能(如相对于对晶片的紧密粘合性和激光标识性)。
由于在根据本发明的半导体背面用切割带集成膜中将切割带和半导体背面用膜以集成的方式形成以及半导体背面用膜包括具有特定透光率(光波长：532nm或1064nm)的晶片粘合层和具有特定透光率(光波长：532nm或1064nm)的激光标识层，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用半导体背面用切割带集成膜。即，在通过倒装芯片接合法生产半导体器件时，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜可适合用作具有切割带和半导体背面用膜两种功能的半导体背面用切割带集成膜。
虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但对于本领域技术人员，其中可进行各种变化和改进而不背离其范围将显而易见。
本申请基于2009年12月24日提交的日本专利申请2009-292767和2010年11月11日提交的日本专利申请2010-253031，在此将其全部内容引入以作参考。

Claims (2)

1.一种倒装芯片安装的半导体器件，其使用半导体背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装芯片型半导体背面用膜，
所述半导体背面用切割带集成膜包括：
切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和
倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包括晶片粘合层和激光标识层，所述倒装芯片型半导体背面用膜以将所述激光标识层层压于所述切割带的压敏粘合剂层上的方式形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，和
其中，所述晶片粘合层在厚度为10μm时对于波长为532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层在厚度为10μm时对于波长为532nm的光具有小于40％的透光率，
将所述晶片粘合层和所述激光标识层两者均着色，所述激光标识层的加工深度不足所述激光标识层的厚度。
2.一种倒装芯片安装的半导体器件，其使用半导体背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装芯片型半导体背面用膜，
所述半导体背面用切割带集成膜包括：
切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和
倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包括晶片粘合层和激光标识层，所述倒装芯片型半导体背面用膜以将所述激光标识层层压于所述切割带的压敏粘合剂层上的方式形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，和
其中，所述晶片粘合层在厚度为10μm时对于波长为1064nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层在厚度为10μm时对于波长为1064nm的光具有小于40％的透光率，
将所述晶片粘合层和所述激光标识层两者均着色，所述激光标识层的加工深度不足所述激光标识层的厚度。
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