CN105036814B - 一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法及其获得的砖坯结构 - Google Patents
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Abstract
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法及其获得的砖坯结构，包括以下步骤：A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施低温釉；C、印花处理：在步骤B获得的砖坯进行印花；D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；E、烧制抛光，获得成品。本发明提出一种仿真程度高的仿洞石抛釉砖的生产方法，其色泽丰富多变，洞石效果可控性高。
Description
技术领域
本发明涉及建筑材料技术领域，尤其涉及一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法及其获得的砖坯结构。
背景技术
洞石，学名叫做石灰华，英文名：(Travertine)是一种多孔的岩石，所以通常人们也叫它洞石。洞石属于陆相沉积岩，它是一种碳酸钙的沉积物。洞石大多形成于富含碳酸钙的石灰石地形，是由溶于水中的钙碳酸钙及其他矿物沉积于河床、湖底等地而形成的。由于在重堆积的过程中有时会出现孔隙，同时由于其自身的主要成分又是碳酸钙，自身就很容易被水溶解腐蚀，所以这些堆积物中会出现许多天然的无规则的孔洞。天然洞石纹理清晰、温和丰富的质感，源自天然，却超越天然。出来的成品，疏密有致、凹凸和谐，仿佛刚刚从泥土里活过来，在纹路走势、纹理的质感上，深藏着史前文明的痕迹，但它的总体造型又可以用“现代时尚”来形容，凸现一种大师级的设计风范，将尊荣、典雅、顶级的产品特质表现得淋漓尽致，因为深受众多建筑师们的钟爱。
仿天然洞石瓷砖中，可以分为两种，一种是具有真实孔洞的，瓷砖在生产过程中刻意生成孔洞，例如申请号200610167363.X仿天然洞石瓷质砖，采用抛光渣材料作为面料的一部分，在烧制的时候材料受热产生气体，气体从面料中散发出去从而表面的孔洞。这种仿天然洞石瓷砖和天然洞石比较接近。另外一种仿天然洞石瓷砖，则是在第一种的基础上，将产生的孔洞使用透明物质填充，从而形成一种看起来有孔洞，但是摸起来没有孔洞感觉的瓷砖，这种瓷砖的好处是，可以作为地砖铺设，并且由于孔洞被填充，不会藏污纳垢，方便清洁，同时又保留了洞石的天然美感。但是现有的仿天然洞石瓷砖一般为抛光砖，其色泽纹理变化少，砖面设计不能丰富多变，具有一定的局限性，不及釉面砖质感真实以及图案丰富细腻的特点。
发明内容
本发明的目的在于提出一种仿真程度高的仿洞石抛釉砖的生产方法，其色泽丰富多变，洞石效果可控性高。
本发明的另一个目的在于提出一种使用上述仿洞石抛釉砖的生产方法获得的砖坯结构。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施低温釉；
C、印花处理：在步骤B获得的砖坯进行印花；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品。
优选的，所述低温釉的软化点低于850℃。
优选的，所述低温釉的布施方法为丝网印制或喷墨喷釉中的一种或多种组合。
优选的，步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置进行印刷。
优选的，步骤B中所述低温釉的釉料包括以下组分：30-40％SiO2、55-65％PbO、3-8％Al2O3、1-3％(Na2O，K2O)和0.2-1％MgO。
优选的，步骤C通过定位喷墨或丝网印刷中的一种或多种组合的方式进行印花。
优选的，步骤C的印花图案由两种或两种以上图案的拼组设计而成。
优选的，步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计，对应其中一种或多种图案的位置进行印刷。
优选的，步骤B中低温釉随机印刷于步骤A底釉层上。
优选的，步骤E获得的砖坯结构自下而上包括底料层、底釉层、印花层和透明釉层，所述底釉层和所述印花层之间还设置低温釉层。
优选的，所述低温釉层按所述印花层的图案设计，砖面设计不设有印花图案的位置也不设有所述低温釉层。
本发明的有益效果：1、使用低温釉熔融后对坯体烧成产生的气体封闭于熔融层里，获得洞石效果，烧制抛光后于砖面上形成洞石效果，可获得洞石底部具有花纹或纹理图案的抛釉砖；2、其色泽可根据人们不同需求来对底料或透明釉等工艺上的变化来改变，比抛光砖色泽更加丰富，仿真程度更高；3、通过仿洞石的间隔或随机设计，增强砖面的立体视觉效果。
附图说明
图1是本发明的一个实施例的坯体结构的制备流程示意图；
图2是本发明的另一个实施例的坯体结构的制备流程示意图；
图3是本发明的一个实施例的烧成的仿洞石抛釉砖的砖面示意图。
其中：底料层1、底釉层2、低温釉层3、印花层4、透明釉层5。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施低温釉；
C、印花处理：在步骤B获得的砖坯进行印花；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品。
本发明使用低温釉来获得洞石效果，烧制抛光后于砖面上形成洞石效果，可获得洞石底部具有花纹或纹理图案的抛釉砖，低温釉是指烧成温度低于1120℃的釉，其色泽可根据人们不同需求来对底料或施釉印花等工艺上的变化来改变，比抛光砖色泽更加丰富，仿真程度更高。步骤E中烧制过程为将淋釉完成的坯体送入窑炉中烧成，烧成温度为1100-1250℃。步骤A中底釉的喷淋，每平方米200-300g。步骤D中透明釉的喷淋，每平方米150-1200g。步骤E中采用软抛磨具进行抛光，可选用树脂软抛磨具进行抛光，抛光后成洞。
优选的，所述低温釉的软化点低于850℃。
优选的，所述低温釉的布施方法为丝网印制或喷墨喷釉中的一种或多种组合。
本发明使用低温釉来获得洞石效果，且可通过丝网的目数大小或喷墨喷釉的厚度以及低温釉的粘度来决定低温釉印于坯体表面的数量，低温釉布施于坯体表面的数量决定成洞的数量和大小，成洞效果可控性高，低温釉可根据印花的设计，于印花表面或者印花上的间隔设计来进行印刷，可间隔印刷烧制成洞，与现有的洞石随机分布于砖面上的仿天然洞石抛光砖相比，效果更加多样化，具有更大的市场。
优选的，步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置进行印刷。通过定位将出现洞石的地方与印花的位置相对应，使低温釉层可对应位于印花层的下方，烧成抛光后通过洞石上印花的变化可观察出洞石洞面情况，而且洞石的结构使洞内的印花给人立体的视觉效果。
优选的，步骤B中所述低温釉的釉料包括以下组分：30-40％SiO2、55-65％PbO、3-8％Al2O3、1-3％(Na2O，K2O)和0.2-1％MgO。在900℃左右下，氧化铅低温熔融，会将坯体排出的气体全部或部分封闭在熔融层内，形成气泡，且部分气泡会涨破透明釉层，形成外露的孔洞，使砖面印有低温釉的位置留有洞孔，抛光后部分或封闭气泡也外露于砖面上，形成很好的洞石效果。低温釉的粘度范围值为6000-11000mpa.s，比重范围值为1.5-1.8。
坯体原料中含有一定量的化合水和有机质以及可分解的碳酸盐，这些组分都会在烧成时产生气体并排出。因为产生气体温度较低，约为800-1000℃，对于传统的釉料在此温度下并未熔融，气体很容易排出，本发明提供的低温釉中含有低温熔剂，可以在坯体气体产生的温度下熔融，将坯体产生的气体全部或部分封闭在其中，形成气泡。
优选的，步骤C通过定位喷墨或丝网印刷中的一种或多种组合的方式进行印花。所述步骤B采用的丝网为60-160目。使用同一粘度的低温釉，其丝网目数越小，低温釉下印于坯体的数量越多。
优选的，步骤C的印花图案由两种或两种以上图案的拼组设计而成。布施底釉后进行印花，其印花图案由两种或两种以上图案的拼组而成，设计不受限制，选择范围广。
优选的，步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计，对应其中一种或多种图案的位置进行印刷。
优选的，步骤B中低温釉随机印刷于步骤A底釉层上。步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计，对应其中一种或多种图案的位置进行印刷或随机印刷于步骤A底釉层上，使砖面上具有洞石的部分随机设有印花图案，印花可设于洞石表面或设于平滑的底釉层上，丰富砖面的装饰效果，且通过仿洞石的间隔或随机设计，增强砖面的立体视觉效果。
优选的，步骤E获得的砖坯结构自下而上包括底料层、底釉层、印花层和透明釉层，所述底釉层和所述印花层之间还设置低温釉层。
优选的，所述低温釉层按所述印花层的图案设计，砖面设计不设有印花图案的位置也不设有所述低温釉层。
实施例1
下文实施例中使用的砖坯结构，其坯体层的粉料化学组分(wt％)为：SiO2：70％，Al2O3：21％，CaO:1％，MgO：2％，K2O：2％，Na2O：3％，Fe2O3：0.5％，TiO2：0.5％，按上述配比制备粉料，将制备获得的粉料压制成砖坯后干燥备用；
其底釉层的粉料化学组分(wt％)为：SiO2：68.4％，Al2O3：17.9％，Fe2O3：0.8％，CaO：5.4％，MgO：2.7％，K2O：2.3％，Na2O：0.9％，B2O3：1.6％。
其低温釉的化学组分：SiO2：38％、PbO：55％、Al2O3：3％、(Na2O，K2O)：3％，MgO：1％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为7000mpa.s，比重为1.65，所述低温釉的软化点为850℃。
其透明釉的化学组分(wt％)为：NaO：1.5％；KO：2％；AlO：11％；CaO：8％；MgO：5％；ZnO：2％；ZrO：4％；高温熔块：15％；烧失量：6％；SiO为45.5％。流速为40s，比重1.75。
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A布施底釉的砖坯上布施低温釉，其中采用丝网根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置印刷低温釉，丝网目数为120目。
C、采用定位喷墨进行印花，其中印花图案由两种图形间隔拼接而成；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品，砖面效果如图3所示，洞面上设有纹理图案，使纹理图案给人3D的视觉效果，洞石仿真程度高，洞石的可见度为5-6m，洞石的洞口长度为5-15mm，宽度为2-8mm，深度为3-6mm。
实施例2
使用与实施例1相同的砖坯、底釉以及透明釉。
其低温釉的化学组分：SiO2：30％、PbO：65％、Al2O3：3％、(Na2O，K2O)：1％，MgO：1％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为7500mpa.s，比重为1.75，所述低温釉的软化点为800℃。
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A布施底釉的砖坯上布施低温釉，其中采用喷墨打印机根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置喷敷低温釉，厚度为5mm。
C、采用定位喷墨进行印花，印花为仿天然大理石裂纹的纹理；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品，洞面上设有仿天然大理石裂纹的纹理图案，使纹理图案给人3D的视觉效果，像石材面对大自然侵蚀作用下而产生的裂纹，精细逼真，洞石仿真程度高，洞石的可见度为6-7m，洞石的洞口长度为10-30mm，宽度为3-8mm，深度为3-8mm。
实施例3
使用与实施例1相同的砖坯、底釉以及透明釉。
其低温釉的化学组分：SiO2：40％、PbO：55％、Al2O3：3.8％、(Na2O，K2O)：1％，MgO：0.2％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为9500mpa.s，比重为1.67，所述低温釉的软化点为780℃。
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A布施底釉的砖坯上布施低温釉，其中采用丝网根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置印刷低温釉，丝网目数为160目。
C、采用定位喷墨进行印花，印花为仿天然大理石裂纹的纹理；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品，洞面上设有仿天然大理石裂纹的纹理图案，使纹理图案给人3D的视觉效果，像石材面对大自然侵蚀作用下而产生的裂纹，精细逼真，洞石仿真程度高，洞石的可见度为3-5m，洞石的洞口长度为10-20mm，宽度为3-5mm，深度为2-4mm。
实施例4
使用与实施例1相同的砖坯、底釉以及透明釉。
其低温釉的化学组分：SiO2：30.8％、PbO：60％、Al2O3：8％、(Na2O，K2O)：1％，MgO：0.2％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为6500mpa.s，比重为1.73，所述低温釉的软化点为820℃。
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A布施底釉的砖坯上布施低温釉，其中采用丝网根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置印刷低温釉，丝网目数为100目。
C、采用定位喷墨进行印花，印花为仿天然石材的纹理；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品，洞面上设有仿天然石材纹理的图案，使纹理图案给人3D的视觉效果，像由岩浆自然流动堆积形成的石材结构，精细逼真，洞石仿真程度高，洞石的可见度为4-5m，洞石的洞口长度为10-15mm，宽度为3-5mm，深度为2-5mm。
实施例5
使用与实施例1相同的砖坯和透明釉；
其低温釉的化学组分：SiO2：40％、PbO：50％、Al2O3：7.5％、(Na2O，K2O)：2％，MgO：0.5％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为8470mpa.s，比重为1.60，所述低温釉的软化点为900℃。
一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A获得的抛坯上布施低温釉，低温釉对应于砖坯表面的图案纹理采用丝网进行布施，丝网目数为120；
C、进行印花：采用丝网印刷进行印花，其中印花位置与低温釉布施的位置相一致，印花图案为仿天然石材纹理的印花；
D、布施透明釉：对步骤C获得的抛坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品，洞上设有仿天然石材纹理，使仿天然石材纹理给人3D的视觉效果，像由岩浆自然流动堆积形成的石材结构，精细逼真，洞石仿真程度高，洞石的可见度为5-6m，洞石的洞口长度为5-10mm，宽度为3-4mm，深度为2-3mm。所述低温釉的软化点为900℃，因为产生气体温度较低，约为800-1000℃，在900℃时低温釉才形成熔融层的话，在900℃前会跑走一部分的气体，使孔洞的形成变小，不利于控制孔洞的形成。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施低温釉；
C、印花处理：在步骤B获得的砖坯进行印花；
D、布施透明釉：对步骤C获得的砖坯布施透明釉；
E、烧制抛光，获得成品；
其中，步骤B中所述低温釉的釉料包括以下组分：30-40％SiO2、55-65％PbO、3-8％Al2O3、1-3％(Na2O，K2O)和0.2-1％MgO；所述低温釉的软化点低于850℃；
步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计对应其印花的位置进行印刷，或步骤B中低温釉随机印刷于步骤A底釉层上。
2.根据权利要求1所述的一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：所述低温釉的布施方法为丝网印制或喷墨喷釉中的一种或多种组合。
3.根据权利要求1所述的一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤C通过定位喷墨或丝网印刷中的一种或多种组合的方式进行印花。
4.根据权利要求1所述的一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤C的印花图案由两种或两种以上图案的拼组设计而成。
5.根据权利要求4所述的一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤B中低温釉根据砖面定设的印花设计，对应其中一种或多种图案的位置进行印刷。
6.使用权利要求1-5任意一项所述的一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法获得的砖坯结构，其特征在于：所述砖坯结构自下而上包括底料层、底釉层、印花层和透明釉层，所述底釉层和所述印花层之间还设置低温釉层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510354863.3A CN105036814B (zh) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法及其获得的砖坯结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510354863.3A CN105036814B (zh) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法及其获得的砖坯结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105036814A CN105036814A (zh) | 2015-11-11 |
| CN105036814B true CN105036814B (zh) | 2017-11-28 |
Family
ID=54443864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510354863.3A Active CN105036814B (zh) | 2015-06-24 | 2015-06-24 | 一种仿天然洞石抛釉砖的生产方法及其获得的砖坯结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105036814B (zh) |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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