CN105007687B - 附载体铜箔、印刷配线板、积层体、电子机器及印刷配线板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了附载体铜箔、印刷配线板、积层体、电子机器及印刷配线板的制造方法。具体地，本发明提供一种附载体铜箔，能良好地抑制附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化。本发明的附载体铜箔依次具备载体、中间层以及极薄铜层。将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，载体的抗张力降低率为20％以下。

Description

附载体铜箔、印刷配线板、积层体、电子机器及印刷配线板的 制造方法

技术领域

本发明涉及一种附载体铜箔、印刷配线板、积层体、电子机器及印刷配线板的制造方法。

背景技术

印刷配线板通常是在使绝缘基板粘接到铜箔而制成覆铜积层板之后，经过利用蚀刻在铜箔面上形成导体图案的步骤而制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增长，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化推进，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频对应等。

对应于微间距化，最近要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破损或产生皱褶，因此出现了附载体铜箔，其将具有厚度的金属箔用作载体，并隔着剥离层使极薄铜层电镀到金属箔上。将极薄铜层的表面贴合到绝缘基板并进行热压接后，隔着剥离层将载体剥离去除。在露出的极薄铜层上利用阻剂形成电路图案之后，形成特定的电路(专利文献1等)。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]WO2004/005588号。

发明内容

[发明要解决的课题]

附载体铜箔是在像所述那样将极薄铜层的表面贴合到绝缘基板并进行热压接(加热压制)之后，将载体剥离去除而使用。此时，载体的剥离强度选优为使用者所需的强度。但是，在制造附载体铜箔的阶段所调整的载体的剥离强度在与所述绝缘基板的加热压制后会降低，产生无法获得将附载体铜箔与绝缘基板贴合而使用的使用者所需的载体剥离强度的问题。在这种无法获得所需的剥离强度的情况下，会产生如下问题：在贴合到绝缘基板的附载体铜箔中将载体剥离去除时，难以剥离而良率降低，或者剥离时过度施力而在极薄铜层产生皱褶。

因此，本发明的课题在于提供一种能良好地抑制附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化的附载体铜箔。

[解决课题的手段]

为了达成所述目的，本发明者反复进行努力研究后发现，附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化可以通过对附载体铜箔在加热压制前后的载体抗张力(拉伸强度)的降低率进行调整来加以控制。而且，发现通过将该附载体铜箔在加热压制前后的载体抗张力(拉伸强度)的降低率控制在特定范围，可良好地抑制附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化。

本发明是以所述见解为基础而完成，其一态样是一种附载体铜箔，依次具备载体、中间层以及极薄铜层，且将所述附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下进行加热压制之后，所述载体的抗张力降低率为20％以下。

本发明的另一态样是一种附载体铜箔，依次具备载体、中间层以及极薄铜层，且将所述附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下进行加热压制之后，继而在无压力、220℃且4小时的条件下进行加热之后，所述载体的抗张力降低率为20％以下。

本发明的附载体铜箔在一实施方式中，所述载体的抗张力降低率为15％以下。

本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，所述载体的抗张力降低率为12％以下。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述载体的抗张力降低率为10％以下。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述载体的抗张力降低率为8％以下。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述载体的厚度为5～70μm。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述极薄铜层表面及所述载体的表面的任一者或两者具有粗化处理层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，所述粗化处理层为由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一种单质或包含任一种以上的合金所构成的层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述粗化处理层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中是在所述载体的一个面依次具有中间层及极薄铜层的附载体铜箔，且在所述载体的与所述极薄铜层侧的面为相反侧的面，设置有所述粗化处理层。

本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述载体两个面依次具有中间层及极薄铜层。

本发明在又一态样中是一种使用本发明的附载体铜箔而制造的积层体。

本发明在又一态样中是一种积层体，包含本发明的附载体铜箔及树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂所覆盖。

本发明在又一态样中是一种积层体，将一个本发明的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层到另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

本发明的积层体在一实施方式中，将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面视需要经由粘接剂直接积层而构成。

本发明的积层体在另一实施方式中，所述一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层被接合。

本发明在又一态样中是一种使用本发明的积层体的印刷配线板的制造方法。

本发明在又一态样中是一种积层体，其是本发明的积层体，且所述积层体的端面的一部分或全部被树脂所覆盖。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的积层体上至少设置一次树脂层及电路这两层；以及在至少形成一次所述树脂层及电路这两层之后，从所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或所述载体。

本发明在又一态样中是一种使用本发明的附载体铜箔而制造的印刷配线板。

本发明在又一态样中是一种使用本发明的印刷配线板而制造的电子机器。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；以及在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，然后，利用半加成(semi-additive)法、减成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或改良半加成(modified semi-additive)法中的任一种方法形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；在所述树脂层上形成电路；在所述树脂层上形成电路之后，将所述载体或所述极薄铜层剥离；以及在将所述载体或所述极薄铜层剥离之后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层下的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；将所述载体或所述极薄铜层剥离；以及在将所述载体或所述极薄铜层剥离之后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层下的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层；在所述附载体铜箔的与和树脂基板积层一侧为相反侧的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面，至少设置一次树脂层及电路这两层；以及在形成所述树脂层及电路这两层之后，从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：将本发明的附载体铜箔的所述载体侧表面与树脂基板积层；在所述附载体铜箔的与和树脂基板积层一侧为相反侧的极薄铜层侧表面，至少设置一次树脂层及电路这两层；以及在形成所述树脂层及电路这两层之后，从所述附载体铜箔剥离所述极薄铜层。

[发明效果]

根据本发明，可提供一种能良好地抑制附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化的附载体铜箔。

附图说明

图1中A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的直到电路镀层、阻剂去除为止的步骤中的配线板截面的示意图。

图2中D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从树脂及第二层附载体铜箔积层到激光打孔为止的步骤中的配线板截面的示意图。

图3中G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从填孔形成到第一层的载体剥离为止的步骤中的配线板截面的示意图。

图4中J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的从快速蚀刻到凸块、铜柱形成为止的步骤中的配线板截面的示意图。

具体实施方式

＜附载体铜箔＞

本发明的附载体铜箔具备载体、积层在载体上的中间层、以及积层在中间层上的极薄铜层。附载体铜箔本身的使用方法为本领域技术人员所周知，例如可在将极薄铜层的表面贴合到纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板并进行热压接后剥离载体，并将粘接在绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，最终制造印刷配线板。

本发明的附载体铜箔是：将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下进行加热压制之后，载体的抗张力(拉伸强度)降低率为20％以下。根据这种构成，可良好地抑制附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化。通常，载体因加热而导致抗张力发生某种程度的变化，此时，载体因载体金属的再结晶化而收缩。认为因该载体的收缩而对中间层施加应力，因所述对中间层的应力，隔着中间层从极薄铜层将载体剥离去除时的剥离强度发生变化。在本发明中，通过对这种附载体铜箔在加热压制前后的载体抗张力(拉伸强度)的降低率进行调整，而抑制附载体铜箔在加热压制前后的载体剥离强度的变化。该载体的抗张力降低率优选为15％以下，更优选为12％以下，进而更优选为10％以下，进而更优选为8％以下。该载体的抗张力降低率典型而言为0.0001％以上且20％以下、或0.001％以上且20％以下、或0.01％以上且20％以下、或0.1％以上且20％以下、或0.5％以上且20％以下、或0.8％以上且20％以下。另外，所述“在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制”表示将附载体铜箔贴合到绝缘基板并进行热压接时的典型加热压制条件。

所述附载体铜箔的载体的抗张力(拉伸强度)降低率可通过利用下述制造方法制作载体来实现。

本发明的附载体铜箔在另一态样中，将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下进行加热压制之后，继而在无压力、220℃且4小时的条件下进行加热之后，载体的抗张力(拉伸强度)降低率为20％以下。为了将附载体铜箔贴附到绝缘基板而进行加热压制之后，在绝缘基板为树脂基板等情况下，如果在使用该基板制造印刷配线板时积层到另一基板并进行热处理，那么树脂收缩而导致树脂基板的尺寸变化，在制作精度良好的印刷配线板时产生问题。为了防止这种印刷配线板的制造中途的树脂收缩，有时为了使树脂充分硬化而预先进行加热处理。此处，根据像这样为了使树脂充分硬化而预先进行的加热处理的前后，也会产生载体的剥离强度变化的问题，但在本发明中，像所述那样使该加热处理前后的载体的抗张力(拉伸强度)的降低率得到控制，因此也可良好地抑制载体的剥离强度的变化。该载体的抗张力降低率优选为15％以下，更优选为12％以下，进而更优选为10％以下，进而更优选为8％以下。该载体的抗张力降低率典型而言为0.0001％以上且20％以下、或0.001％以上且20％以下、或0.01％以上且20％以下、或0.1％以上且20％以下、或0.5％以上且20％以下、或0.8％以上且20％以下。另外，所述“在无压力、220℃且4小时的条件下加热”表示将附载体铜箔贴合到绝缘基板并进行热压接之后继而进行的用以预先使绝缘基板收缩的典型的热处理条件。

所述附载体铜箔的载体的抗张力(拉伸强度)降低率可通过利用下述制造方法制作载体来实现。

＜载体＞

可用于本发明的载体为金属箔，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔的形态提供。

可用于本发明的载体典型的是以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常，电解铜箔是从硫酸铜镀浴在钛或不锈钢的圆筒上电解析出铜来制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工及热处理来制造。作为铜箔的材料，除精铜或无氧铜等高纯度铜以外，也可使用例如掺Sn的铜、掺Ag的铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。另外，本说明书中单独使用“铜箔”的用语时，也包含铜合金箔。

关于可用于本发明的载体的厚度并无特别限制，只要适当调节为适于发挥作为载体的作用的厚度即可，例如可设为5μm以上。但是，如果过厚，那么生产成本变高，因此通常优选设为70μm以下。因此，载体的厚度典型的是8～70μm，更典型的是12～70μm，更典型的是18～35μm。另外，从减少原料成本的观点来说，优选为载体的厚度小。因此，载体的厚度典型的是5μm以上且35μm以下，优选为5μm以上且18μm以下，优选为5μm以上且12μm以下，优选为5μm以上且11μm以下，优选为5μm以上且10μm以下。此外，在载体的厚度小的情况下，在对载体通箔时容易产生折皱。为了防止产生折皱，例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊平滑、或者缩短搬送辊与下一搬送辊的距离。此外，在作为印刷配线板的制造方法之一的埋设法(嵌入法(Enbedded Process))中使用附载体铜箔的情况下，需要载体的刚性高。因此，在用于埋设法的情况下，载体的厚度优选为18μm以上且300μm以下，优选为25μm以上且150μm以下，优选为35μm以上且100μm以下，进而更优选为35μm以上且70μm以下。

此外，也可在载体的与设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层。可使用众所周知的方法设置该粗化处理层，也可通过下述粗化处理来设置。在载体的与设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层具有如下优点：将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层到树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板不易剥离。

本发明的载体可利用以下的电解铜箔的制作条件来制作。此外，用于本发明所使用的电解、表面处理或镀敷等的处理液的剩余部分只要未特别说明则为水。

＜电解液组成＞

铜：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100质量ppm

胶体：1～15质量ppm，优选为1～10质量ppm(另外，在胶体浓度为5质量ppm以上的情况下，无需氯)

＜制造条件＞

电流密度：50～200A/dm²

电解液温度：40～70℃

电解液线速度：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

＜中间层＞

在载体的单面或两面上设置中间层。也可在载体与中间层之间设置其他层。本发明中所使用的中间层只要为如下构成则并无特别限定，即，附载体铜箔在积层到绝缘基板的步骤前，极薄铜层不易从载体剥离，但另一方面则是在积层到绝缘基板的步骤后，可从载体剥离极薄铜层。例如，本发明的附载体铜箔的中间层可包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些金属的合金、这些金属的水合物、这些金属的氧化物、有机物所组成的群中的一种或二种以上。而且，中间层也可为多层。

另外，中间层例如可通过如下方式构成：从载体侧形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素的单一金属层、或包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或二种以上的元素的合金层，且在所述层上形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或二种以上的元素的水合物或氧化物的层。

在仅在单面设置中间层的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。另外，在利用铬酸盐处理、铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层的情况下，认为有铬或锌等附着的金属的一部分成为水合物或氧化物的情况。

另外，中间层例如可在载体上依次积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金以及铬而构成。镍与铜的粘接力比铬与铜的粘接力高，因此在剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界面进行剥离。而且，期待中间层的镍具有防止铜成分从载体扩散到极薄铜层的阻隔效果。中间层中的镍的附着量优选为100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更优选为100μg/dm²以上且未达1000μg/dm²，优选中间层中的铬的附着量为5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。在仅在单面设置中间层的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。

＜极薄铜层＞

在中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀来形成，从可用于普通的电解铜箔且在高电流密度下形成铜箔的方面来说，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常比载体薄，例如为12μm以下。典型的是0.5～12μm，更典型的是1～5μm，进而典型的是1.5～5μm，进而典型的是2～5μm。另外，也可在载体的两面设置极薄铜层。

可使用本发明的附载体铜箔来制作积层体(覆铜积层体等)。作为该积层体，例如可为按“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体”的顺序积层的构成，可为按“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体”的顺序积层的构成，可为按“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层的构成，可为按“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层的构成，也可为按“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层的构成。所述树脂或预浸体可为下述树脂层，也可包含用于下述树脂层的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。另外，附载体铜箔在俯视时可比树脂或预浸体小。

＜粗化处理及其他表面处理＞

在极薄铜层的表面，例如也可为了使它与绝缘基板的密接性良好等而通过实施粗化处理来设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金形成粗化粒子来进行。粗化处理也可为微细处理。粗化处理层可为由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一种单质或包含任一种以上的合金所构成的层等。另外，也可在利用铜或铜合金形成粗化粒子之后，进而进行利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。此后，可利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，也可进而对该表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者也可不进行粗化处理，而利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对该表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，可在粗化处理层的表面，形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层，也可在极薄铜层的表面，形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。另外，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层也可分别由多层所形成(例如两层以上、三层以上等)。

例如，作为粗化处理的铜-钴-镍合金镀敷能以通过电解镀敷形成像附着量为15～40mg/dm²的铜-100～3000μg/dm²的钴-100～1500μg/dm²的镍一样的三元系合金层的方式来实施。如果Co附着量未达100μg/dm²，那么有时耐热性变差，蚀刻性变差。如果Co附着量超过3000μg/dm²，那么在必须考虑磁性的影响的情况下欠佳，有时会产生蚀刻斑点而且耐酸性及耐化学品性变差。如果Ni附着量未达100μg/dm²，那么有时耐热性会变差。另一方面，如果Ni附着量超过1500μg/dm²，那么有时蚀刻残留会变多。优选的Co附着量为1000～2500μg/dm²，优选的镍附着量为500～1200μg/dm²。此处，所谓蚀刻斑点是指在利用氯化铜进行蚀刻的情况下，Co不溶解而残留，而且所谓蚀刻残留是指在利用氯化铵进行碱性蚀刻的情况下，Ni不溶解而残留。

用以形成这种三元系铜-钴-镍合金镀层的普通的镀浴及镀敷条件的一个示例如下：

镀浴组成：Cu10～20g/L、Co1～10g/L、Ni1～10g/L

pH：1～4

温度：30～50℃

电流密度D_k：20～30A/dm²

镀敷时间：1～5秒

以这种方式制造具备载体、在载体上积层的中间层以及在中间层上积层的极薄铜层的附载体铜箔。附载体铜箔本身的使用方法为本领域技术人员所周知，例如可在将极薄铜层的表面贴合到纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板并进行热压接后，剥离载体而制成覆铜积层板，并将粘接到绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，最终制造印刷配线板。

另外，附载体铜箔也可在极薄铜层上设置粗化处理层，也可在粗化处理层上设置一层以上的选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的层。

另外，也可在极薄铜层上设置粗化处理层，也可在粗化处理层上设置耐热层、防锈层，也可在耐热层、防锈层上设置铬酸盐处理层，也可在铬酸盐处理层上设置硅烷偶合处理层。

另外，附载体铜箔也可在极薄铜层上、或粗化处理层上、或耐热层、防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶合处理层上设置树脂层。树脂层可为绝缘树脂层。

所述树脂层可为粘接剂，可为粘接用树脂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包含如下状态：即使用手指触碰其表面也没有粘附感，可将该绝缘树脂层叠放保管，如果进一步接受加热处理，便会产生硬化反应。

而且，所述树脂层可包含热固性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可包含热塑性树脂。其种类并无特别限定，例如可将以下树脂或预浸体列举为适当的树脂层，即包含：环氧树脂，聚酰亚胺树脂，多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨基甲酸酯树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸酐、液晶聚合物、氟树脂等。

所述树脂层可包含众所周知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体(可使用包含无机化合物及/或有机化合物的介电体、包含金属氧化物的介电体等任意介电体)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。而且，所述树脂层可使用例如以下文献所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成，即：国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本专利特开平11-5828号、日本专利特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本专利特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本专利特开2002-179772号、日本专利特开2002-359444号、日本专利特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本专利特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本专利特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本专利特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本专利特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本专利特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本专利特开2006-257153号、日本专利特开2007-326923号、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本专利特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本专利特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本专利特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本专利特开2013-19056号。

将这些树脂溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂而制成树脂液，利用例如辊涂法等将该树脂液涂布在所述极薄铜层上、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐皮膜层、或所述硅烷偶合剂层上，继而视需要进行加热干燥而去除溶剂成为B阶段状态。干燥例如使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃即可，优选为130～200℃。

具备所述树脂层的附载体铜箔(附树脂的附载体铜箔)是以如下形态使用，即，使该树脂层与基材重叠后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，继而剥离载体而露出极薄铜层(当然，露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，并在该极薄铜层形成特定的配线图案。

如果使用所述附树脂的附载体铜箔，便可减少制造多层印刷配线基板时预浸材的使用片数。而且，能使树脂层的厚度成为可确保层间绝缘的厚度，或者完全不使用预浸材也能制造覆铜积层板。而且，此时也可将绝缘树脂底涂到基材的表面而进一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用预浸材的情况下，有如下优点：可节约预浸材的材料成本，而且还简化了积层步骤，因此在经济方面有利，而且，所要制造的多层印刷配线基板的厚度变薄相当于预浸材的厚度的程度，可制造单层厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

所述树脂层的厚度优选为0.1～80μm。

如果树脂层的厚度薄于0.1μm，那么粘接力降低，在不介置预浸材而将所述附树脂的附载体铜箔积层到具备内层材的基材时，有难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。

另一方面，如果使树脂层的厚度厚于80μm，那么便难以利用一次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，耗费多余的材料费及步骤数，因此在经济方面不利。进而，所形成的树脂层的可挠性差，因此操作时容易产生裂痕等，而且，在与内层材热压接时，有树脂过度流动而难以顺利地积层的情况。

进而，作为所述附树脂的附载体铜箔的另一产品形态，也可在所述极薄铜层上、或所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶合处理层上被覆树脂层并制成半硬化状态之后，继而剥离载体而以不存在载体的附树脂的铜箔的形态来制造。

进而，通过将电子零件类搭载在印刷配线板而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”包含像这样搭载有电子零件类的印刷配线板及印刷电路板以及印刷基板。

而且，可使用该印刷配线板制作电子机器，可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。以下，示出使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的若干例子。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；以及在将所述附载体铜箔与绝缘基板以极薄铜层侧与绝缘基板相向的方式积层之后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，然后，利用半加成法、改良半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路。绝缘基板也可设为带有内层电路的基板。

在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电解镀敷形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除；

在通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对所述树脂及包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在所述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后，将供电路形成的区域的镀敷阻剂去除；

在所述镀敷阻剂被去除的所述供电路形成的区域设置电解镀敷层；

去除所述镀敷阻剂；以及

利用快速蚀刻等将位于所述供电路形成的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层、及所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除；

对通过利用蚀刻等将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂及包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在所述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后，将供电路形成的区域的镀敷阻剂去除；

在所述镀敷阻剂被去除的所述供电路形成的区域设置电解镀敷层；

去除所述镀敷阻剂；以及

利用快速蚀刻等将位于所述供电路形成的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层、及所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对通过利用蚀刻等将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂及包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在所述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后，将供电路形成的区域的镀敷阻剂去除；

在所述镀敷阻剂被去除的所述供电路形成的区域设置电解镀敷层；

去除所述镀敷阻剂；以及

利用快速蚀刻等将位于所述供电路形成的区域以外的区域的无电解镀敷层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体而露出的极薄铜层全部去除；

对通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂的表面设置无电解镀敷层；

在所述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后，将供电路形成的区域的镀敷阻剂去除；

在所述镀敷阻剂被去除的所述供电路形成的区域设置电解镀敷层；

去除所述镀敷阻剂；以及

利用快速蚀刻等将位于所述供电路形成的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层去除。

在本发明中，所谓改良半加成法是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，利用镀敷阻剂保护非电路形成部，并利用电解镀敷对电路形成部赋予铜厚之后，去除阻剂，且利用(快速)蚀刻将所述电路形成部以外的金属箔去除，由此在绝缘层上形成电路。

因此，在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂；

在设置所述镀敷阻剂之后，利用电解镀敷形成电路；

去除所述镀敷阻剂；以及

利用快速蚀刻将通过去除所述镀敷阻剂而露出的极薄铜层去除。

在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂；

对所述镀敷阻剂进行曝光，然后，将供电路形成的区域的镀敷阻剂去除；

在所述镀敷阻剂被去除的所述供电路形成的区域设置电解镀敷层；

去除所述镀敷阻剂；以及

利用快速蚀刻等将位于所述供电路形成的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层去除。

在本发明中，所谓部分加成法是指如下方法：在设置导体层而成的基板、视需要开设通孔(through hole)或过孔(via hole)用的孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，并视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂之后，在所述导体电路上利用无电解镀敷处理对通孔或过孔等赋予厚度，由此制造印刷配线板。

因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂；

对所述蚀刻阻剂进行曝光，形成电路图案；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除而形成电路；

去除所述蚀刻阻剂；

在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除而露出的所述绝缘基板表面，设置阻焊剂或镀敷阻剂；以及

在未设置所述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电解镀敷层。

在本发明中，所谓减成法是指利用蚀刻等将覆铜积层板上的铜箔的不需要的部分选择性地去除而形成导体图案的方法。

因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在所述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；

在所述电解镀敷层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；

对所述蚀刻阻剂进行曝光，形成电路图案；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层、所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层去除而形成电路；以及

去除所述蚀刻阻剂。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，将所述附载体铜箔的载体剥离；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层及绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；

在所述无电解镀敷层的表面形成掩膜；

在未形成掩膜的所述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；

在所述电解镀敷层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；

对所述蚀刻阻剂进行曝光，形成电路图案；

通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电解镀敷层去除而形成电路；以及

去除所述蚀刻阻剂。

也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及此后的除胶渣步骤。

本发明的印刷配线板的制造方法也可包括以下步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；在所述树脂层上形成电路；在所述树脂层上形成电路之后，将所述载体或所述极薄铜层剥离；以及在将所述载体或所述极薄铜层剥离之后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层下的电路露出。而且，本发明的印刷配线板的制造方法也可包括以下步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；将所述载体或所述极薄铜层剥离；以及在将所述载体或所述极薄铜层剥离之后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层下的电路露出。

此处，使用附图对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。此外，此处是以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限定于此，使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔也可同样地执行下述印刷配线板的制造方法。

首先，如图1-A所示，准备具有在表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第一层)。此外，该步骤中也可准备具有在表面形成有粗化处理层的载体的附载体铜箔(第一层)。

其次，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布阻剂并进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成特定形状。此外，该步骤中也可在载体的粗化处理层上涂布阻剂并进行曝光、显影，将阻剂蚀刻成特定形状。

接着，如图1-C所示，通过在形成电路用镀层之后去除阻剂而形成特定形状的电路镀层。

接着，如图2-D所示，以覆盖电路镀层的方式(以掩埋电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋设树脂而积层树脂层，继而使另一附载体铜箔(第二层)从极薄铜层侧粘接。此外，该步骤中也能以覆盖电路镀层的方式(以掩埋电路镀层的方式)在载体上设置埋设树脂而积层树脂层，继而使另一附载体铜箔(第二层)从载体侧或极薄铜层粘接。

接着，如图2-E所示，从第二层附载体铜箔剥离载体。此外，在使第二层附载体铜箔从载体侧粘接的情况下，也可从第二层附载体铜箔剥离极薄铜层。

接着，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光打孔，使电路镀层露出而形成盲孔。

接着，如图3-G所示，在盲孔埋设铜而形成填孔。

接着，如图3-H所示，在填孔上以所述图1-B及图1-C的方式形成电路镀层。

接着，如图3-I所示，从第一层附载体铜箔剥离载体。此外，该步骤中也可从第一层附载体铜箔剥离极薄铜层。

接着，如图4-J所示，利用快速蚀刻将两表面的极薄铜层(在第二层设置铜箔的情况下为铜箔，在将第一层电路用镀层设置在载体的粗化处理层上的情况下为载体)去除，使树脂层内的电路镀层的表面露出。

接着，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，且在该焊料上形成铜柱。以此方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

所述另一附载体铜箔(第二层)可使用本发明的附载体铜箔，也可使用以往的附载体铜箔，进而还可使用通常的铜箔。另外，在图3-H所示的第二层电路上，还可进而形成一层或多层电路，可利用半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法来形成这些电路。

根据如上所述的印刷配线板的制造方法，成为将电路镀层埋设在树脂层的构成，因此在例如图4-J所示的利用快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层受到树脂层保护，其形状得以保持，由此容易形成微细电路。而且，因为电路镀层受到树脂层保护，所以耐迁移性提高，可良好地抑制电路配线的导通。因此，容易形成微细电路。另外，在如图4-J及图4-K所示利用快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层的露出面成为从树脂层凹陷的形状，因此容易在该电路镀层上形成凸块，并进而在该凸块上形成铜柱，而使制造效率提高。

此外，埋设树脂(resin)可使用众所周知的树脂、预浸体。例如，可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、Ajinomoto Fine-Techno Co.,Inc.制造的ABF膜或ABF。而且，所述埋设树脂(resin)可使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。

另外，所述第一层所使用的附载体铜箔也可在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层所使用的附载体铜箔得到支撑，不易产生皱褶，因此有生产性提高的优点。此外，所述基板或树脂层只要具有支撑所述第一层所使用的附载体铜箔的效果，则可使用所有基板或树脂层。例如作为所述基板或树脂层，可使用记载于本申请的说明书中的载体、预浸体、树脂层或众所周知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物板、无机化合物箔、有机化合物板、有机化合物箔。

进而，通过将电子零件类搭载在本发明的印刷配线板而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包含以此方式搭载有电子零件类的印刷配线板、印刷电路板及印刷基板。

而且，可使用该印刷配线板制作电子机器，可使用该搭载有电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用该搭载有电子零件类的印刷基板制作电子机器。

而且，本发明的印刷配线板的制造方法也可为包括以下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层；在与和所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面，至少设置一次树脂层及电路这两层；以及在形成所述树脂层及电路这两层之后，从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。关于该无芯法，作为具体示例，首先将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层。然后，在与和树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。在形成在载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层，也可进而从载体侧或极薄铜层侧积层另一附载体铜箔。在该情况下，成为如下构成：以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧按载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔。在露出两端的极薄铜层或载体的表面，可设置另一树脂层并进而设置铜层或金属层之后，通过对该铜层或金属层进行加工而形成电路。进而，也可在该电路上以埋设该电路的方式设置另一树脂层。而且，也可一次以上地形成这种电路及树脂层(增层法)。然后，对以这种方式形成的积层体(以下，也称为积层体B)，可将各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。另外，制作所述无芯基板时，还可使用两个附载体铜箔来制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用作中心。可在这些积层体(以下，也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面将树脂层及电路这两层设置一次以上，且在将树脂层及电路这两层设置一次以上之后，将各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。所述积层体也可在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。此外，在本说明书中，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”是设为以下的概念：在极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层的情况下，包含该其他层的表面(最表面)。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于：使用该积层体来制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置极薄铜层，所以容易使用改良半加成法在无芯基板上形成电路。而且原因在于：由于极薄铜层的厚度薄，所以容易去除该极薄铜层，在去除极薄铜层后，容易使用半加成法在无芯基板上形成电路。

此外，在本说明书中，未特别记载为“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。

此外，在所述无芯基板的制造方法中，通过以树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部而利用增层法制造印刷配线板时，可防止药液渗入构成中间层或积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，可防止因药液渗入所导致的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而可提高良率。作为此处所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用能用于树脂层的树脂。而且，在所述无芯基板的制造方法中，在附载体铜箔或积层体中，也可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)外周的至少一部分被树脂或预浸体覆盖。而且，利用所述无芯基板的制造方法形成的积层体(积层体A)也可使一对附载体铜箔可相互分离地接触而构成。而且，在该附载体铜箔中，也可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)遍及整个外周地被树脂或预浸体覆盖而成。通过设为这种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸体所覆盖，可防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向为横向的方向发生碰撞，结果可减少操作中的载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。而且，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式以树脂或预浸体覆盖，可防止如上所述的在药液处理步骤中药液渗入该积层部分的界面，可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，从积层体的一对附载体铜箔将一个附载体铜箔分离时、或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，必须通过切断等将利用树脂或预浸体所覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)去除。

也可将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层到另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可为将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面视需要经由粘接剂直接积层而获得的积层体。另外，也可将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。此处，该“接合”在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，也包含隔着该表面处理层而相互接合的形态。另外，也可为该积层体的端面的一部分或全部被树脂所覆盖。

载体彼此的积层除仅重叠以外，例如可利用以下方法进行。

(a)冶金接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨-惰性气体)焊接、MIG(金属-惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、焊料接合；

(b)机械接合方法：敛合、利用铆钉的接合(利用自冲铆钉的接合、利用铆钉的接合)、缝合机；

(c)物理接合方法：粘接剂、(双面)胶带

可通过使用所述接合方法将一个载体的一部分或全部与另一个载体的一部分或全部进行接合，而将一个载体与另一个载体积层，制造使载体彼此可分离地接触而构成的积层体。在将一个载体与另一个载体轻微接合而将一个载体与另一个载体积层的情况下，即使不去除一个载体与另一个载体的接合部，一个载体与另一个载体也可分离。另外，在将一个载体与另一个载体牢固接合的情况下，可通过利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除一个载体与另一个载体接合的部位，而将一个载体与另一个载体分离。

另外，可通过实施以下步骤而制作印刷配线板：在以这种方式构成的积层体至少设置一次树脂层及电路这两层；以及在至少形成一次所述树脂层及电路这两层之后，从所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或载体。此外，也可在该积层体的一个或两个表面设置树脂层及电路这两层。

[实施例]

以下，利用本发明的实施例进而详细地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例的任何限定。

1.附载体铜箔的制作

[载体]

利用以下条件制作电解铜箔并制成载体。表1表示各电解液组成中的胶体浓度。

(实施例的载体)

＜电解液组成＞

铜：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100质量ppm

胶体：1～10质量ppm(此外，对胶体浓度为5质量ppm以上的实施例6、7、10、11未添加氯)

＜制造条件＞

电流密度：50～200A/dm²

电解液温度：40～70℃

电解液线速度：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

(比较例的载体)

＜电解液组成＞

铜：80～110g/L

硫酸：70～110g/L

氯：10～100质量ppm

胶体：0.01～0.1质量ppm

＜制造条件＞

电流密度：50～200A/dm²

电解液温度：40～70℃

电解液线速度：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

[中间层]

对各实施例、比较例，像表1所记载那样设置以下中间层。

表1的例如“Ni/铬酸盐”是指在载体的表面设置以下Ni层之后，设置以下铬酸盐处理层。

·“Ni”：Ni层

对该铜箔的亮面，在以下条件下利用辊对辊型连续镀敷生产线进行电镀，由此形成附着量8000μg/dm²的Ni层。

＜电解液组成＞

硫酸镍：270～280g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～25g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：55～75质量ppm

pH：4～6

浴温：55～65℃

电流密度：7～11A/dm²

在水洗及酸洗后，继续在辊对辊型连续镀敷生产线上，通过在以下条件下进行电解铬酸盐处理而使附着量11μg/dm²的Cr层附着在Ni层上。

·“铬酸盐”：铬酸盐处理层

·电解铬酸盐处理

液体组成：重铬酸钾1～10g/L

pH：7～10

液温：40～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库仑量：0.5～30As/dm²

·“Ni-Mo”：Ni-Mo层(镍钼合金镀敷)

通过在以下条件下利用辊对辊型连续镀敷生产线对载体进行电镀而形成附着量3000μg/dm²的Ni-Mo层。将具体镀敷条件记于下文。

(液体组成)硫酸镍六水合物：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(液温)30℃

(电流密度)1～4A/dm²

(通电时间)3～25秒

·“有机物”：有机物层(有机物层形成处理)

将浓度1～30g/L的包含羧基苯并***(CBTA)的液温40℃、pH5的水溶液喷淋20～120秒钟而以喷雾形式喷到所述Ni层上，由此形成有机物层。

·“Co-Mo”：Co-Mo层(钴钼合金镀敷)

通过在以下条件下利用辊对辊型连续镀敷生产线对载体进行电镀而形成附着量4000μg/dm²的Co-Mo层。将具体镀敷条件记于下文。

(液体组成)硫酸Co：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(液温)30℃

(电流密度)1～4A/dm²

(通电时间)3～25秒

·“Cr”：铬层

通过在以下条件下利用辊对辊型连续镀敷生产线对载体进行电镀而形成附着量500μg/dm²的Cr层。将具体镀敷条件记于下文。

(液体组成)CrO₃：200～400g/L、H₂SO₄：1.5～4g/L

(pH)1～4

(液温)45～60℃

(电流密度)10～40A/dm²

[极薄铜层]

继续在辊对辊型连续镀敷生产线上，通过在以下条件下进行电镀而在中间层上形成厚度2～10μm的极薄铜层，从而制造附载体铜箔。

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～100A/dm²

[表面处理层]

另外，对于实施例2、比较例2，依次对极薄铜层表面进行以下粗化处理、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理。

·粗化处理

Cu：10～20g/L

Co：1～10g/L

Ni：1～10g/L

pH：1～4

液温：40～50℃

电流密度Dk：20～30A/dm²

时间：1～5秒

Cu附着量：15～40mg/dm²

Co附着量：100～3000μg/dm²

Ni附着量：100～1000μg/dm²

·防锈处理

Zn：0g/L以上～20g/L

Ni：0g/L以上～5g/L

pH：2.5～4.5

液温：30～50℃

电流密度Dk：0A/dm²以上～1.7A/dm²

时间：1秒

Zn附着量：5～250μg/dm²

Ni附着量：5～300μg/dm²

·铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnO或ZnSO₄·7H₂O：0.05～10g/L

pH：7～13

浴温：20～80℃

电流密度：0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

Cr附着量：10～150μg/dm²

·硅烷偶合处理

乙烯基三乙氧基硅烷水溶液

(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)

pH：4～5

浴温：25～60℃

浸渍时间：5～30秒

另外，对于实施例3、6、11、比较例3，依次对极薄铜层表面进行以下粗化处理1、粗化处理2、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理。

·粗化处理1

(液体组成1)

Cu：10～30g/L

H₂SO₄：10～150g/L

W：0～50mg/L

十二烷基硫酸钠：0～50mg/L

As：0～200mg/L

(电镀条件1)

温度：30～70℃

电流密度：25～110A/dm²

粗化库仑量：50～500As/dm²

镀敷时间：0.5～20秒

·粗化处理2

(液体组成2)

Cu：20～80g/L

H₂SO₄：50～200g/L

(电镀条件2)

温度：30～70℃

电流密度：5～50A/dm²

粗化库仑量：50～300As/dm²

镀敷时间：1～60秒

·防锈处理

(液体组成)

NaOH：40～200g/L

NaCN：70～250g/L

CuCN：50～200g/L

Zn(CN)₂：2～100g/L

As₂O₃：0.01～1g/L

(液温)

40～90℃

(电流条件)

电流密度：1～50A/dm²

镀敷时间：1～20秒

·铬酸盐处理

K₂Cr₂O₇(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnOH或ZnSO₄·7H₂O：0.05～10g/L

pH：7～13

浴温：20～80℃

电流密度：0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

·硅烷偶合处理

喷涂0.1vol％～0.3vol％的3-缩水甘油丙基三甲氧基硅烷水溶液之后，在100～200℃的空气中干燥、加热0.1～10秒钟。

另外，对于实施例4、比较例4，依次对极薄铜层表面进行以下粗化处理1、粗化处理2、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶合处理。

·粗化处理1

液体组成：铜10～20g/L、硫酸50～100g/L

液温：25～50℃

电流密度：1～58A/dm²

库仑量：4～81As/dm²

·粗化处理2

液体组成：铜10～20g/L、镍5～15g/L、钴5～15g/L

pH：2～3

液温：30～50℃

电流密度：24～50A/dm²

库仑量：34～48As/dm²

·防锈处理

液体组成：镍5～20g/L、钴1～8g/L

pH：2～3

液温：40～60℃

电流密度：5～20A/dm²

库仑量：10～20As/dm²

·铬酸盐处理

液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

pH：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0～2A/dm²(由于进行浸渍铬酸盐处理，所以也可在无电解条件下实施)

库仑量：0～2As/dm²(由于进行浸渍铬酸盐处理，所以也可在无电解条件下实施)

·硅烷偶合处理

二氨基硅烷水溶液的涂布(二氨基硅烷浓度：0.1～0.5wt％)

2.附载体铜箔的评价

＜极薄铜层厚度的评价＞

使用FIB-SIM对所制作的附载体铜箔的极薄铜层的厚度进行观察(倍率：10000～30000倍)。通过观察极薄铜层的截面，以30μm间隔对5个部位进行测定，并求出平均值。

＜抗张力(拉伸强度(tensile strength))的评价＞

(1)加热压制前的抗张力(拉伸强度)：对于所制作的附载体铜箔，利用负载单元剥离载体，对于该载体，依据JIS Z 2241通过拉伸试验求出抗张力(拉伸强度)。

(2)加热压制后的抗张力(拉伸强度)：将所制作的附载体铜箔的极薄铜层侧贴合在绝缘基板上，并在大气中、20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，利用负载单元剥离载体，对于该载体，依据JIS Z 2241通过拉伸试验求出抗张力(拉伸强度)。

(3)在加热压制后进而进行无压力加热后的抗张力(拉伸强度)：将所制作的附载体铜箔的极薄铜层侧贴合在绝缘基板上，并在大气中、20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，继而在无压力(pressure-free)、220℃且4小时的条件下进行加热之后，利用负载单元剥离载体，对于该载体，依据JIS Z 2241通过拉伸试验求出抗张力(拉伸强度)。

使用所述(1)～(3)中所获得的各抗张力(拉伸强度)，算出抗张力(拉伸强度)的降低率A：[(加热压制前的抗张力－加热压制后的抗张力)/加热压制前的抗张力]×100％)、及抗张力(拉伸强度)的降低率B：[(加热压制前的抗张力－在加热压制后进而进行无压力加热后的抗张力)/加热压制前的抗张力]×100％)。

＜剥离强度的评价＞

(1)加热压制前的剥离强度：对于所制作的附载体铜箔，利用负载单元拉拽载体侧，依据90°剥离法(JIS C 64718.1)进行测定。

(2)加热压制后的剥离强度：将所制作的附载体铜箔的极薄铜层侧贴合在绝缘基板上，并在大气中、20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，利用负载单元拉拽载体侧，依据90°剥离法(JIS C 64718.1)进行测定。

(3)在加热压制后进而进行无压力加热后的剥离强度：将所制作的附载体铜箔的极薄铜层侧贴合在绝缘基板上，在大气中、20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，继而在无压力(pressure-free)、220℃且4小时的条件下进行加热之后，利用负载单元拉拽载体侧，依据90°剥离法(JIS C 64718.1)进行测定。

使用所述(1)～(3)中所获得的各剥离强度，算出剥离强度的变化率A：(|加热压制前的剥离强度－加热压制后的剥离强度|/加热压制前的剥离强度)×100％、及剥离强度的变化率B：(|加热压制前的剥离强度－在加热压制后进而进行无压力加热后的剥离强度|/加热压制前的剥离强度)×100％。

将试验条件及试验结果示于表1。

(评价结果)

实施例1～11中，将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，载体的抗张力降低率均为20％以下，而且，将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，继而在无压力、220℃且4小时的条件下加热之后，载体的抗张力降低率均为20％以下。因此，实施例1～11均良好地抑制了剥离强度的变化率。

比较例1～9中，将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，载体的抗张力降低率均超过20％，而且，将附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，继而在无压力、220℃且4小时的条件下加热之后，载体的抗张力降低率均超过20％。因此，比较例1～9中，剥离强度的变化率均不良。

Claims (44)

1.一种附载体铜箔，依次具备载体、中间层以及极薄铜层，且

将所述附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，所述载体的抗张力降低率为20％以下。

2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为15％以下。

3.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为12％以下。

4.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为10％以下。

5.根据权利要求4所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为8％以下。

6.一种附载体铜箔，依次具备载体、中间层以及极薄铜层，且

将所述附载体铜箔在压力：20kgf/cm²、220℃且2小时的条件下加热压制之后，继而在无压力、220℃且4小时的条件下加热之后，所述载体的抗张力降低率为20％以下。

7.根据权利要求6所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为15％以下。

8.根据权利要求7所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为12％以下。

9.根据权利要求8所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为10％以下。

10.根据权利要求9所述的附载体铜箔，其中所述载体的抗张力降低率为8％以下。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中所述载体的厚度为5～70μm。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述极薄铜层表面及所述载体的表面的任一者或两者具有粗化处理层。

13.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中所述粗化处理层为由选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一种单质或包含任一种以上的合金所构成的层。

14.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中在所述粗化处理层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

15.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述极薄铜层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

16.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

17.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

18.根据权利要求14所述的附载体铜箔，其中在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

19.根据权利要求15所述的附载体铜箔，其中在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

20.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述载体的一个面依次具有中间层及极薄铜层，且

在所述载体的与所述极薄铜层侧的面为相反侧的面，设置有粗化处理层。

21.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述载体的两个面依次具有中间层及极薄铜层。

22.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述载体的两个面依次具有中间层及极薄铜层，且在所述极薄铜层表面的一者或两者具有粗化处理层。

23.根据权利要求22所述的附载体铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

24.根据权利要求1至10中任一项所述的附载体铜箔，其中在所述载体的两个面依次具有中间层及极薄铜层，且在所述极薄铜层的表面，具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层。

25.根据权利要求21所述的附载体铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

26.根据权利要求22所述的附载体铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

27.根据权利要求23所述的附载体铜箔，其中在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

28.根据权利要求24所述的附载体铜箔，其中在所述选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

29.一种积层体，使用根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔来制成。

30.一种积层体，包含根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔及树脂，且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂所覆盖。

31.一种积层体，将一个根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层到另一个根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成；

或者，将一个根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层到另一个根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧而成；

或者，将一个根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔从所述极薄铜层侧积层到另一个根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成；

或者，将一个根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔从所述极薄铜层侧积层到另一个根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧而成。

32.根据权利要求31所述的积层体，其中所述积层的方式是经由粘接剂直接积层。

33.根据权利要求31所述的积层体，其中所述一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的所述载体或所述极薄铜层被接合。

34.根据权利要求31所述的积层体，其中所述积层体的端面的一部分或全部被树脂所覆盖。

35.根据权利要求33所述的积层体，其中所述积层体的端面的一部分或全部被树脂所覆盖。

36.一种印刷配线板的制造方法，使用根据权利要求29至35中任一项所述的积层体。

37.一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：

在根据权利要求29至35中任一项所述的积层体，至少设置一次树脂层及电路这两层；以及

在至少形成一次所述树脂层及电路这两层之后，从所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或所述载体。

38.一种印刷配线板，使用根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔来制成。

39.一种电子机器，使用根据权利要求38所述的印刷配线板来制成。

40.一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：

准备根据权利要求1至28中任一项所述的附载体铜箔及绝缘基板；

将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；以及

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层之后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，

然后，利用半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路。

41.一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：

在根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路，或者，在根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式，在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；

在所述树脂层上形成电路；

在所述树脂层上形成电路之后，将所述载体或所述极薄铜层剥离；以及

在将所述载体或所述极薄铜层剥离之后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层下的电路露出。

42.一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：

在根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路，或者，在根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式，在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；

将所述载体或所述极薄铜层剥离；以及

在将所述载体或所述极薄铜层剥离之后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且掩埋在所述树脂层下的电路露出。

43.一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：

将根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板积层，或者，将根据权利要求21至28中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面与树脂基板积层；

在所述附载体铜箔的与和树脂基板积层一侧为相反侧的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面，至少设置一次树脂层及电路这两层；以及

在形成所述树脂层及电路这两层之后，从所述附载体铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

44.一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：

将根据权利要求1至20中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧表面与树脂基板积层；

在所述附载体铜箔的与和树脂基板积层一侧为相反侧的极薄铜层侧表面，至少设置一次树脂层及电路这两层；以及

在形成所述树脂层及电路这两层之后，从所述附载体铜箔剥离所述极薄铜层。