CN104943270B - 附载体的铜箔、印刷布线板、层压体、电子机器及印刷布线板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了附载体的铜箔、印刷布线板、层压体、电子机器及印刷布线板的制造方法。具体地，本发明提供一种具有良好电路形成性的附载体的铜箔。本发明的附载体的铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层，将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为160ppm/g以下。

Description

附载体的铜箔、印刷布线板、层压体、电子机器及印刷布线板 的制造方法

技术领域

本发明涉及一种附载体的铜箔、印刷布线板、层压体、电子机器及印刷布线板的制造方法。

背景技术

印刷布线板通常经过如下步骤而制造：将绝缘基板粘合到铜箔而制成覆铜层压板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增长，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，对印刷布线板要求导体图案的微细化(微间距化)或应对高频等。

对应于微间距化，最近要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄铜箔的机械强度低，容易在制造印刷布线板时破裂或产生皱褶，所以出现了如下附载体的铜箔：将具有厚度的金属箔用作载体，并将极薄铜层隔着剥离层电沉积在金属箔。在将极薄铜层的表面贴合到绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。通过利用抗蚀剂在露出的极薄铜层上形成电路图案后，利用硫酸-过氧化氢系的蚀刻剂将极薄铜层蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成工艺)而形成微细电路。

这里，对于成为和树脂的粘合面的附载体的铜箔的极薄铜层的表面，主要要求极薄铜层和树脂基材的剥离强度充分、以及在高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等的后也得以充分保持其剥离强度。作为提高极薄铜层和树脂基材的间的剥离强度的方法，通常代表性的是在增大了表面的轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上附着大量粗化粒子的方法。

然而，如果对印刷布线板中尤其是必须形成微细电路图案的半导体封装基板使用这种轮廓(凹凸、粗糙度)大的极薄铜层，则在电路蚀刻时会残留不需要的铜粒子，产生电路图案间的绝缘不良等问题。

因此，在WO2004/005588号(专利文献1)中，作为以半导体封装基板为代表的微细电路用途的附载体的铜箔，尝试使用没有对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体的铜箔。这种没有实施粗化处理的极薄铜层和树脂的密合性(剥离强度)由于极薄铜层的低轮廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影响，而有低于通常的印刷布线板用铜箔的倾向。因此，对附载体的铜箔要求进一步的改善。

因而，在日本专利特开2007-007937号公报(专利文献2)及日本专利特开2010-006071号公报(专利文献3)中，记载了在附载体的极薄铜箔的和聚酰亚胺系树脂基板接触(粘合)的面设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层和铬酸盐层、设置Ni层和Cr层。通过设置这些表面处理层，可以不进行粗化处理或者降低粗化处理的程度(微细化)而使聚酰亚胺系树脂基板和附载体的极薄铜箔的密合强度获得所需的粘合强度。并且，还记载了利用硅烷偶联剂进行表面处理，或实施防锈处理。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]WO2004/005588号；

[专利文献2]日本专利特开2007-007937号公报；

[专利文献3]日本专利特开2010-006071号公报。

发明内容

[发明所欲解决的课题]

在附载体的铜箔的开发中，此前将重点放在确保极薄铜层和树脂基材的剥离强度。因此，关于极薄铜层的电路形成性，还没有进行充分的研究，仍留有改善的余地。

在将附载体的铜箔从极薄铜层侧贴合到树脂时会进行加热压接，但此时有由于在载体/极薄铜层间产生的水蒸气等气体而产生气泡(鼓出(swelling))的情况。如果产生这种鼓出，则会产生用于形成电路的极薄铜层凹陷，对电路形成性产生不良影响的问题。本发明提供一种附载体的铜箔，通过抑制对附载体的铜箔在特定条件下进行加热处理时产生的鼓出的个数，而具有良好蚀刻性。或者，本发明提供一种附载体的铜箔，通过抑制对附载体的铜箔在特定条件下进行加热处理时产生的水分量，而抑制由产生于载体/极薄铜层间的水蒸气等气体所导致的鼓出的产生，而具有良好蚀刻性。

[解决课题的技术手段]

基于以上见解完成的本发明在一方面中是一种附载体的铜箔，依序具备载体、中间层及极薄铜层，将所述附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为160ppm/g以下。

本发明的附载体的铜箔在一实施方式中，将所述附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为0～130ppm/g。

本发明的附载体的铜箔在另一实施方式中，将所述附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为0～110ppm/g。

本发明在另一方面中是一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为20个/dm²以下。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为0～15个/dm²以下。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述中间层在含有Cr的情况下，含有5μg/dm²以上100μg/dm²以下的Cr，在含有Mo的情况下，含有50μg/dm²以上1000μg/dm²以下的Mo，在含有Ni的情况下，含有100μg/dm²以上40000μg/dm²以下的Ni，在含有Co的情况下，含有100μg/dm²以上40000μg/dm²以下的Co，在含有Zn的情况下，含有1μg/dm²以上120μg/dm²以下的Zn。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述防锈层及所述耐热层的至少一层由选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素构成。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在所述粗化处理层上具备树脂层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

本发明的附载体的铜箔在进而另一实施方式中，所述树脂层含有介电质。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板，使用本发明的附载体的铜箔所制造。

本发明在进而另一方面中是一种电子机器，使用本发明的印刷布线板所制造。

本发明在进而另一方面中是一种层压体，使用本发明的附载体的铜箔所制造。

本发明在进而另一方面中是一种层压体，含有本发明的附载体的铜箔和树脂，所述附载体的铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

本发明在进而另一方面中是一种层压体，将一片本发明的附载体的铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧层压在另一片本发明的附载体的铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

本发明的层压体在一实施方式中，是将所述一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面和所述另一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面根据需要经由粘合剂直接层压而构成。

本发明的层压体在另一实施方式中，所述一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面和所述另一片附载体的铜箔的所述载体或所述极薄铜层連接。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板的制造方法，使用本发明的层压体。

本发明在进而另一方面中是一种层压体，其端面的一部分或全部被树脂覆盖。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：在本发明的层压体至少设置1次树脂层和电路这两层；及至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述层压体的附载体的铜箔剥离所述极薄铜层。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；及将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，经过剥离所述附载体的铜箔的铜箔载体的步骤而形成覆铜层压板，其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：在本发明的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧或所述载体侧表面形成电路；以埋没所述电路的方式在所述附载体的铜箔的所述极薄铜层侧或所述载体侧表面形成树脂层；在所述树脂层上形成电路；在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体或所述极薄铜层；及剥离所述载体或所述极薄铜层后，通过去除所述极薄铜层或所述载体而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没在所述树脂层中的电路露出。

本发明的印刷布线板的制造方法在一实施方式中，所述在树脂层上形成电路的步骤是将另外的附载体的铜箔从极薄铜层侧或载体侧贴合在所述树脂层上，使用贴合在所述树脂层上的附载体的铜箔而形成所述电路的步骤。

本发明的印刷布线板的制造方法在另一实施方式中，所述贴合在树脂层上的另外的附载体的铜箔是本发明的附载体的铜箔。

本发明的印刷布线板的制造方法在进而另一实施方式中，所述在树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法进行。

本发明的印刷布线板的制造方法在进而另一实施方式中，所述要在表面形成电路的附载体的铜箔在该附载体的铜箔的载体侧的表面或极薄铜层侧的表面具有基板。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：将本发明的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面和树脂基板进行层压；在所述附载体的铜箔的和与树脂基板层压的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面至少设置1次树脂层和电路这两层；及在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。

本发明在进而另一方面中是一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：将本发明的附载体的铜箔的所述载体侧表面和树脂基板进行层压；在所述附载体的铜箔的和与树脂基板层压的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面至少设置1次树脂层和电路这两层；及至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述载体。

[发明的效果]

根据本发明，可以提供一种电路形成性良好的附载体的铜箔。

附图说明

图1中A～C是使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例的到镀敷电路、去除抗镀敷剂为止的步骤中布线板剖面的示意图。

图2中D～F是使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例的从层压树脂及第2层附载体的铜箔到激光开孔为止的步骤中布线板剖面的示意图。

图3中G～I是使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例的从形成通孔填充物(via-fill)到剥离第1层载体为止的步骤中布线板剖面的示意图。

图4中J～K是使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例的从快速蚀刻到形成凸块·铜柱为止的步骤中布线板剖面的示意图。

图5是实施例中的电路图案的宽度方向的横截面的示意图及使用该示意图的蚀刻系数(EF)的计算方法的概略。

具体实施方式

＜附载体的铜箔＞

本发明的附载体的铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层。附载体的铜箔本身的使用方法是业者众所周知的，例如可以将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布/纸复合基材环氧树脂、玻璃布/玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物膜、氟树脂膜等绝缘基板并进行热压接后剥离载体，将粘合在绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标的导体图案，最终制造印刷布线板。

＜载体＞

可以用于本发明的载体典型而言为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCD膜的形态提供。

可以用于本发明的载体典型而言以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常，电解铜箔是使铜从硫酸铜镀浴电解析出到钛或不锈钢的转筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工和热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜(JIS H3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)等高纯度铜以外，例如也可以使用掺Sn铜、掺Ag铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的科森系铜合金的类的铜合金。

另外，作为电解铜箔，可以利用以下电解液组成及制造条件制作。

在以下条件制造电解铜箔的情况，可以获得铜箔表面的TD(铜箔的制造设备中和铜箔的行进方向呈直角的方向(宽度方向))的Rz小、TD的60度光泽度高的电解铜箔。

＜电解液组成＞

铜：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

流平剂1(双(3-磺丙基)二硫化物)：10～30ppm

流平剂2(胺化合物)：10～30ppm

所述胺化合物可以使用以下化学式的胺化合物。

另外，用于本发明的电解、表面处理或镀敷等所使用的处理液的剩余部分只要没有特别明示，则为水。

(所述化学式中，R₁及R₂选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基组成的群)

＜制造条件＞

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～60℃

电解液线速度：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

另外，本说明书中将用语“铜箔”单独使用时，也包括铜合金箔在内。

关于可以用于本发明的载体的厚度也没有特别限制，只要适当调整成在发挥作为载体的作用的方面所适当的厚度便可，例如可以设为5μm以上。但如果过厚，则生产成本提高，所以通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型而言为8～70μm，更典型而言为12～70μm，更典型而言为18～35μm。另外，从降低原料成本的观点来说，优选载体的厚度小。因此，载体的厚度典型而言为5μm以上35μm以下，优选5μm以上18μm以下，优选5μm以上12μm以下，优选5μm以上11μm以下，优选5μm以上10μm以下。另外，在载体厚度小的情况下，在载体通箔时容易产生皱褶。为了防止产生皱褶，有效的是例如使附载体的铜箔制造装置的运送辊平滑、或缩短运送辊和下一运送辊的距离。另外，在作为印刷布线板的制造方法的一的埋入法(Enbedded Process)使用附载体的铜箔的情况下，载体的刚性必须为高。因此，在用于埋入法的情况下，载体的厚度优选为18μm以上300μm以下，优选为25μm以上150μm以下，优选为35μm以上100μm以下，进一步更优选为35μm以上70μm以下。

另外，也可以在载体的和设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层。可以使用公知的方法设置该粗化处理层，也可以利用下述粗化处理设置。在载体的和设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层具有如下优势：将载体从该具有粗化处理层的表面侧层压到树脂基板等支撑体时，载体和树脂基板不易剥离。

＜中间层＞

在载体的单面或双面上设置中间层。在载体和中间层的间也可以设置其它层。本发明所使用的中间层以如下方式构成：在附载体的铜箔层压到绝缘基板的步骤前，使极薄铜层不易从载体剥离，另一方面，在层压到绝缘基板的步骤后，使极薄铜层可从载体剥离。例如，本发明的附载体的铜箔的中间层可以含有选自由Ni以及Cr、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层可为多层。

另外，中间层优选在载体上依序层压镍或含镍合金的任一种的层及含铬、铬合金、铬的氧化物中一种以上的层而构成。而且，镍或含镍合金的任一种的层及/或含铬、铬合金、铬的氧化物中的一种以上的层中优选含有锌。这里，含镍合金是指由镍和选自由钴、铁、铬、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛组成的群中的一种以上的元素构成的合金。含镍合金也可为由3种以上的元素构成的合金。另外，铬合金是指由铬和选自由钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛组成的群中的一种以上的元素构成的合金。铬合金也可为由3种以上的元素构成的合金。另外，含铬、铬合金、铬的氧化物中的一种以上的层也可以是铬酸盐处理层。这里，铬酸盐处理层是指经过含有铬酸盐或重铬酸盐的液体处理的层。铬酸盐处理层也可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等金属。在本发明中，将经过铬酸酐或重铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层称为纯铬酸盐处理层。另外，在本发明中，将经过含有酸酐或重铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层称为锌铬酸盐处理层。

另外，中间层优选在载体上依序层压镍、镍-锌合金、镍-磷合金、镍-钴合金中的任一种层及锌铬酸盐处理层、纯铬酸盐处理层、铬镀层中的任一种层而构成，中间层进一步优选在载体上依序层压镍层或镍-锌合金层及锌铬酸盐处理层而构成，或依序层压镍-锌合金层及纯铬酸盐处理层或锌铬酸盐处理层而构成。因为镍和铜的粘合力高于铬和铜的粘合力，所以剥离极薄铜层时，成为在极薄铜层和铬酸盐处理层的界面上剥离。另外，期待中间层的镍的防止铜成分从载体扩散到极薄铜层的阻隔效果。另外，优选在中间层形成铬酸盐处理层而非铬镀层。铬镀层因为在表面形成致密的铬氧化物层，所以在利用电镀形成极薄铜箔时电阻上升而容易产生针孔。形成了铬酸盐处理层的表面因为形成不如铬镀层致密的铬氧化物层，所以不易成为利用电镀形成极薄铜箔时的电阻，可以减少针孔。这里，通过形成锌铬酸盐处理层作为铬酸盐处理层，利用电镀形成极薄铜箔时的电阻变得低于通常的铬酸盐处理层，可以进一步抑制针孔的产生。

在使用电解铜箔作为载体的情况下，从减少针孔的观点来说，优选在亮面设置中间层。

中间层中的铬酸盐处理层较薄地存在于极薄铜层的界面从可以获得如下特性方面来说为优选：在层压到绝缘基板的步骤前极薄铜层不会从载体剥离，另一方面，在层压到绝缘基板的步骤后可以从载体剥离极薄铜层。在不设置镍层或含镍的合金层(例如镍-锌合金层)而使铬酸盐处理层存在于载体和极薄铜层的边界的情况下，剥离性几乎不会提高，在没有铬酸盐处理层而将镍层或含镍的合金层(例如镍-锌合金层)和极薄铜层直接层压的情况下，根据镍层或含镍的合金层(例如镍-锌合金层)中的镍量，剥离强度过强或过弱，无法获得适当的剥离强度。

另外，如果铬酸盐处理层存在于载体和镍层或含镍的合金层(例如镍-锌合金层)的边界，则在剥离极薄铜层时中间层也会随的剥离，也就是说在载体和中间层的间会产生剥离，因而不优选。这种状况不仅当在和载体的界面设置铬酸盐处理层的情况下会产生，即使和极薄铜层的界面设置铬酸盐处理层，如果铬量过多，则也可能产生。认为其原因在于：由于铜和镍容易固溶，所以如果它们接触，则会因为相互扩散而使粘合力提高，不易剥离，另一方面，由于铬和铜不易固溶，不易产生相互扩散，所以在铬和铜的界面，粘合力弱，容易剥离。另外，在中间层的镍量不足的情况下，因为在载体和极薄铜层的间只存在微量的铬，所以两者密合而不易剥离。

中间层的镍层或含镍的合金层(例如镍-锌合金层)例如可以利用电镀、无电镀敷及浸渍镀敷的类的湿式镀敷、或者溅镀、CVD及PDV的类的干式镀敷形成。从成本的观点来说优选电镀。另外，在载体为树脂膜的情况下，可以利用CVD及PDV的类的干式镀敷或者无电镀敷及浸渍镀敷的类的湿式镀敷形成中间层。

另外，铬酸盐处理层例如可以利用电解铬酸盐或浸渍铬酸盐等形成，但利用电解铬酸盐形成由于可提高铬浓度，使极薄铜层从载体的剥离强度变良好，所以优选。

另外，优选中间层中镍的附着量为100～40000μg/dm²，铬的附着量为5～100μg/dm²，锌的附着量为1～70μg/dm²。通过像这样控制镍、铬、锌的附着量，本发明的附载体的铜箔可以控制从附载体的铜箔剥离极薄铜层后的极薄铜层的表面的Ni量。为了如此控制剥离后的极薄铜层表面的Ni量，优选减少中间层的Ni附着量，并且使中间层含有抑制Ni向极薄铜层侧扩散的金属种类(Cr、Zn)。从这种观点来说，中间层的Ni含量优选为100～40000μg/dm²，进一步优选为200μg/dm²以上20000μg/dm²以下，进一步优选为500μg/dm²以上10000μg/dm²以下，进一步优选为700μg/dm²以上5000μg/dm²以下。另外，Cr优选含有5～100μg/dm²，进一步优选为8μg/dm²以上50μg/dm²以下，进一步优选为10μg/dm²以上40μg/dm²以下，进一步优选为12μg/dm²以上30μg/dm²以下。Zn优选含有1～70μg/dm²，进一步优选为3μg/dm²以上30μg/dm²以下，进一步优选为5μg/dm²以上20μg/dm²以下。如果控制从附载体的铜箔剥离极薄铜层后的极薄铜层表面的Ni量(例如Ni量为5～300μg/dm²)，则有极薄铜层的蚀刻性(易溶解性或电路形状等)提高等效果。另外，也可以使用钴代替所述的镍。此时钴的附着量可以和镍的附着量设为相同。

本发明的附载体的铜箔的中间层可在载体上依序层压镍层及含有含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中任一种的有机物层而构成，中间层中镍的附着量为100～40000μg/dm²。另外，本发明的附载体的铜箔的中间层也可在载体上依序层压含有含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中任一种的有机物层及镍层而构成，中间层中镍的附着量为100～40000μg/dm²。如上所述，本发明的附载体的铜箔中，从附载体的铜箔剥离极薄铜层后极薄铜层表面的Ni量得到控制，为了像这样控制剥离后的极薄铜层表面的Ni量，优选减少中间层的Ni附着量，并且使中间层含有抑制Ni向极薄铜层侧扩散的含有含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中任一种的有机物层。从这种观点来说，中间层的Ni含量优选为100～40000μg/dm²，进一步优选为200μg/dm²以上20000μg/dm²以下，进一步优选为300μg/dm²以上10000μg/dm²以下，进一步优选为500μg/dm²以上5000μg/dm²以下。另外，也可以使用钴代替所述镍。此时钴的附着量可以设为和镍的附着量相同。另外，作为该含有含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中任一种的有机物，可以列举BTA(苯并***)、MBT(巯基苯并噻唑)等。

另外，作为中间层所含有的有机物，优选使用由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中，含氮有机化合物包括具有取代基的含氮有机化合物。作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的***化合物的1,2,3-苯并***、羧基苯并***、N’,N’-双(苯并***基甲基)脲、1H-1,2,4-***及3-氨基-1H-1,2,4-***等。

含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

作为羧酸，特别优选使用单羧酸，其中优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。

所述有机物优选以厚度计含有25nm以上80nm以下，更优选含有30nm以上70nm以下。中间层也可以含有多种(一种以上)所述有机物。

另外，有机物的厚度可以利用以下方式测量。

＜中间层的有机物厚度＞

将附载体的铜箔的极薄铜层从载体剥离后，对露出的极薄铜层的中间层侧的表面和露出的载体的中间层侧的表面进行XPS测量，制作纵深分析(depth profile)。并且，可以将从极薄铜层的中间层侧的表面起碳浓度最先成为3at％以下的深度设为A(nm)，将从载体的中间层侧的表面起碳浓度最先成为3at％以下的深度设为B(nm)，将A和B的总合设为中间层的有机物的厚度(nm)。

XPS的运转条件如下所示。

·装置：XPS测量装置(ULVAC-PHI公司，型号5600MC)

·极限真空度：3.8×10^-7Pa

·X射线：单色为AlKα或非单色为MgKα，X射线输出为300W，检测面积为800μmφ，试样和检测器所形成的角度为45°

·离子束：离子种类为Ar⁺，加速电压为3kV，扫描面积为3mm×3mm，溅镀速率为2.8nm/min(以SiO₂换算)

关于中间层所含有的有机物的使用方法，以下，一面也对在载体箔上形成中间层的方法进行叙述一面进行说明。可以将所述有机物溶解于溶剂中并于该溶剂中浸渍载体，或者对将要形成中间层的面使用喷淋、喷雾法、滴下法及电沉积法等而将中间层形成于载体上，并没有特别采用限定的方法的必要性。此时溶剂中有机系剂的浓度在所述有机物全部中优选浓度为0.01g/L～30g/L、液温为20～60℃的范围。有机物的浓度并没有特别限定，浓度高或低本来并没有问题。另外，有机物的浓度越高、此外载体和溶解所述有机物的溶剂的接触时间越长，则有中间层的有机物厚度越增大的倾向。并且，在中间层的有机物厚度厚的情况下，有抑制Ni向极薄铜层侧扩散的有机物的效果增大的倾向。

另外，中间层优选在载体上依序层压镍和钼或钴或钼-钴合金而构成。由于镍和铜的粘合力高于钼或钴和铜的粘合力，所以在剥离极薄铜层时，可以在极薄铜层和钼或钴或钼-钴合金的界面剥离。另外，期待中间层的镍的防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。

另外，所述镍也可以是含镍的合金。这里，含镍的合金是指由镍和选自由钴、铁、铬、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛组成的群中的一种以上的元素构成的合金。另外，所述钼也可以是含钼的合金。这里，含钼的合金是指由钼和选自由钴、铁、铬、镍、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛组成的群中的一种以上的元素所构成的合金。另外，所述钴也可以是含钴的合金。这里，含钴的合金是指由钴和选自由钼、铁、铬、镍、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛组成的群中的一种以上的元素所构成的合金。

钼-钴合金也可以含有钼、钴以外的元素(例如选自由钴、铁、铬、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛组成的群中的一种以上的元素)。

在使用电解铜箔作为载体的情况下，从减少针孔的观点来说，优选在亮面设置中间层。

中间层中的钼或钴或钼-钴合金层较薄地存在于极薄铜层的界面从获得如下特性方面来说为优选：在层压到绝缘基板的步骤前，极薄铜层不会从载体剥离，另一方面，在层压到绝缘基板的步骤后可以从载体剥离极薄铜层。在不设置镍层而使钼或钴或钼-钴合金层存在于载体和极薄铜层的边界的情况下，有剥离性几乎不会提高的情况，在没有钼或钴或钼-钴合金层而将镍层和极薄铜层直接层压的情况下，有根据镍层中的镍量，剥离强度过强或过弱而无法获得适当的剥离强度的情况。

另外，如果钼或钴或钼-钴合金层存在于载体和镍层的边界，则有剥离极薄铜层时中间层也随的剥离的情况，也就是说有载体和中间层的间会产生剥离因而不优选的情况。这种状况不仅当在和载体的界面设置钼或钴或钼-钴合金层的情况下会产生，即使和极薄铜层的界面设置钼或钴或钼-钴合金层，如果钼量或钴量过多，则也可能产生。认为其原因在于：由于铜和镍容易固溶，所以如果它们接触，则会因为相互扩散而使粘合力提高，不易剥离，另一方面，由于钼或钴和铜不易固溶，不易产生相互扩散，所以在钼或钴或钼-钴合金层和铜的界面上，粘合力弱，容易剥离。另外，在中间层的镍量不足的情况下，有因为在载体和极薄铜层的间只存在微量的钼或钴，所以两者密合而不易剥离的情况。

中间层的镍及钴或钼-钴合金例如可以利用电镀、无电镀敷及浸渍镀敷的类的湿式镀敷、或者溅镀、CVD及PDV的类的干式镀敷形成。另外，钼可以只利用CVD及PDV的类的干式镀敷形成。从成本的观点来说优选电镀。

中间层中，优选镍的附着量为100～40000μg/dm²，钼的附着量为10～1000μg/dm²，钴的附着量为10～1000μg/dm²。如上所述，本发明的附载体的铜箔控制从附载体的铜箔剥离极薄铜层后极薄铜层的表面的Ni量，为了像这样控制剥离后的极薄铜层表面的Ni量，优选减少中间层的Ni附着量，并且使中间层含有抑制Ni向极薄铜层侧扩散的金属种类(Co、Mo)。从这种观点来说，镍附着量优选设为100～40000μg/dm²，优选设为200～20000μg/dm²，更优选设为300～15000μg/dm²，更优选设为300～10000μg/dm²。在中间层含有钼的情况下，钼附着量优选设为10～1000μg/dm²，钼附着量优选设为20～600μg/dm²，更优选设为30～400μg/dm²。在中间层含有钴的情况下，钴附着量优选设为10～1000μg/dm²，钴附着量优选设为20～600μg/dm²，更优选设为30～400μg/dm²。

另外，如上所述，中间层在载体上依序层压镍和钼或钴或钼-钴合金的情况下，如果降低用来设置钼或钴或钼-钴合金层的镀敷处理中的电流密度，减缓载体的运送速度，则有钼或钴或钼-钴合金层的密度提高的倾向。如果含有钼及/或钴的层的密度提高，则镍层的镍不易扩散，可以控制剥离后的极薄铜层表面的Ni量。

在只在单面设置中间层的情况下，优选在载体的相反面设置Ni镀层等防锈层。另外，在利用铬酸盐处理或锌铬酸盐处理或镀敷处理设置中间层的情况下，认为有铬或锌等附着的金属的一部分变成水合物或氧化物的情况。

本发明的附载体的铜箔在一方面中被控制为以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量成为160ppm/g以下。如果加热附载体的铜箔，则会有因为在载体/极薄铜层间产生的水蒸气等气体而产生气泡(鼓出)的情况。如果产生这种鼓出，则会产生用于形成电路的极薄铜层凹陷，对电路形成性造成不良影响的问题。与此相对，通过采用如上所述抑制了特定热处理后水分的产生的附载体的铜箔，可以良好地抑制鼓出的产生，极薄铜层的电路形成性变良好。将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量如果超过160ppm/g，则载体/极薄铜层间鼓出的个数成为30个/dm²以上，难以蚀刻极薄铜层而形成比L/S＝30μm/30μm更微细的布线、例如L/S＝25μm/25μm的微细布线、例如L/S＝20μm/20μm的微细布线、例如L/S＝15μm/15μm的微细布线。

本发明的附载体的铜箔优选控制为以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量成为0～130ppm/g，更优选控制为0～110ppm/g，进一步更优选控制为0～90ppm/g，进一步更优选控制为0～70ppm/g。

本发明的附载体的铜箔在另一方面中，将附载体的铜箔控制为以220℃加热4小时时所产生的鼓出成为20个/dm²以下。如果加热附载体的铜箔，则会有因为载体/极薄铜层间所产生的水蒸气等气体而产生气泡(鼓出)的情况。如果产生这种鼓出，则会产生用于形成电路的极薄铜层凹陷，对电路形成性造成不良影响的问题。与此相对，本发明的附载体的铜箔良好地抑制鼓出的产生，极薄铜层的电路形成性变良好。如果将附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出超过20个/dm²，则难以蚀刻极薄铜层而形成比L/S＝30μm/30μm更微细的布线、例如L/S＝25μm/25μm的微细布线、例如L/S＝20μm/20μm的微细布线、例如L/S＝15μm/15μm的微细布线。另外，所述“以220℃加热4小时”表示将附载体的铜箔贴合在绝缘基板并进行热压接的情况下的典型的加热条件。

本发明的附载体的铜箔优选控制为以220℃加热4小时时所产生的鼓出成为0～15个/dm²以下，更优选控制为0～12个/dm²，进一步更优选控制为0～9个/dm²，进一步更优选控制为0～5个/dm²。

另外，本发明的附载体的铜箔进一步更优选控制为在作为进一步严苛的加热条件的以400℃加热10分钟时所产生的鼓出成为0～60个/dm²以下，更优选控制为0～50个/dm²，进一步更优选控制为0～40个/dm²，进一步更优选控制为0～30个/dm²。

为了制作如上所述的加热时的水分产生量得到控制或鼓出的个数得到控制的附载体的铜箔，重要的是如下所示的制造时的控制。

[用来形成中间层的镀敷条件]

通过基于以下镀敷条件形成中间层，可以制作如上所述的加热时的水分产生量得到控制或鼓出的个数得到控制的附载体的铜箔。

(1)前处理

通过进行脱脂及酸洗作为前处理，可以有效地进行后续的镀敷处理。

(脱脂)

通过脱脂，被镀敷面被清洁，表面润湿性提升，所以可以有效地进行后续的酸洗。

·基本处理：将载体浸渍于氢氧化钠水溶液(1～100g/L)。

·表面活性剂：如果在氢氧化钠水溶液中添加适量表面活性剂，则表面张力降低，更有效而优选。

·电解脱脂：如果并用以下任一电解，则可以更有效地进行脱脂。

(a)只有阴极脱脂(10A/dm²左右)

(b)只有阳极脱脂(5A/dm²左右)

(c)阴极脱脂→阳极脱脂

(d)阴极脱脂→阳极脱脂→阴极脱脂

(酸洗)

在所述脱脂后通过进行酸洗，在载体为铜箔的情况下，可以去除表面的氧化铜等，可以使活性的铜表面露出。因此，可以有效地进行后续的镀镍。

·基本处理：将载体浸渍于硫酸(50mL/L)。

·氧化剂：优选使硫酸中含有过硫酸盐、过氧化氢等氧化剂。通过含有氧化剂，可以略微削减载体表面而露出活性的表面。

(2)镀镍或镀钴

在前处理后，接着进行镀镍或镀钴。此时，重要的是精加工成致密、均匀、且没有缺陷的镀层。作为镀镍或镀钴，在以下条件进行。

·镀液

镍或钴：20～200g/L

硼酸：5～60g/L

液温：40～65℃

pH：1.5～5.0，优选2.0～3.0。通过将pH设置得略低阶段性地进行镀敷处理，而产生氢气，使阴极表面成为还原环境。因此，可以抑制氧化物、氢氧化物、水合物等产生水分的原因要素的产生。

电流密度：0.5～20A/dm²，优选2～8A/dm²。在低电流密度下进行处理由于不易导致镀敷粗脆，成为缺陷少而致密的镀层，所以优选。

·搅拌(液循环量)

100～1000L/分钟。液循环量多会使产生的氢气的气体释放变良好，针孔等缺陷变少。另外，有减小扩散层厚度的效果，可以抑制氢氧化物等产生水分的原因要素的产生。

·运送速度

2～30m/分钟，优选5～10m/分钟。运送速度慢会形成平滑且致密的Ni层。

·添加剂

添加剂优选使用以下一次光泽剂及二次光泽剂。由此，晶体变得平滑且致密。因此，镀敷所产生的缺陷减少，水分的吸收减少。

(一次光泽剂)

其是1,5-萘二磺酸钠：2～10g/L、1,3,6-萘三磺酸钠：10～30g/L、对甲苯磺酰胺：0.5～4g/L、糖精钠：0.5～5g/L中的任一种。

(二次光泽剂)

其是***：0.5～5g/L、明胶：0.005～0.5g/L、硫脲：0.05～1.0g/L、炔丙醇：0.01～0.3g/L、1,4-丁炔二醇：0.05～0.5g/L、氰乙醇：0.05～0.5g/L中的任一种。

在进行镀镍等金属镀敷后，接着在以下条件下进行(3)铬酸盐处理、或在以下条件下进行(4)利用有机物的处理。

(3)铬酸盐处理

·处理液

铬：0.5～6.0g/L

锌：0.1～2.0g/L

pH：2.5～5.0

液温：25～60℃

电流密度：0.1～4A/dm²

另外，铬酸盐处理的处理液中也可以含有其它元素。

(4)利用有机物的处理

·处理液

有机物：0.1～20g/L

pH：2～5

液温：20～40℃

浸渍时间：5～30秒

有机物优选所述有机物、例如包含含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的任一种的有机物。

[形成中间层后到形成极薄铜层为止所进行的处理]

在形成中间层后到形成极薄铜层为止，优选进一步进行以下加热处理及/或还原处理。通过进行这种处理，可以制作如上所述加热时的水分产生量得到控制的附载体的铜箔。

(5)加热处理

在铬酸盐处理或利用有机物的处理后，通过在镀铜前在以下条件下进行加热处理而去除水分。

·例如，利用线上处理以100～200℃、优选180℃左右加热1分钟。并且，如果还并用使用IR加热器的加热，则更为有效。另外，如果一面通入氢气一面加热，则还具有还原效果，进一步有效。

(6)还原处理

通过在以下条件下使用还原剂进行后处理，可以减少O(氧)。

·例如，使用作为还原剂的甲酸(0.1～100g/L)进行浸渍处理。

＜极薄铜层＞

在中间层上设置极薄铜层。也可以在中间层和极薄铜层的间设置其它层。极薄铜层可以通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，从可以利用高电流密度形成铜层的观点来说，优选硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并没有特别限制，通常比载体薄，例如为12μm以下。典型而言为0.5～12μm，更典型而言为1～5μm，进一步更典型而言为1.5～5μm，进一步更典型而言为2～5μm。另外，极薄铜层也可以设置在载体的双面。

可以使用本发明的附载体的铜箔来制作层压体(覆铜箔层压体等)。作为该层压体，例如可以是依序层压“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体”的构成，也可以是依序层压“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体”的构成，也可以是依序层压“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸体/载体/中间层/极薄铜层”的构成，也可以是依序层压“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸体/极薄铜层/中间层/载体”的构成。所述树脂或预浸体只要是下述树脂层便可，也可以包含下述树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。另外，附载体的铜箔也可以在俯视时小于树脂或预浸体。

＜粗化处理及其它表面处理＞

可以通过在极薄铜层的表面或载体的表面的任一面或两面例如为了使和绝缘基板的密合性良好等而实施粗化处理，从而设置粗化处理层。粗化处理例如可以通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理也可以微细。粗化处理层可以是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或包含任一种以上的合金所构成的层等。另外，在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，还可以进一步利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等进行设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，可以利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层及/或防锈层，也可进一步在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或者也可以不进行粗化处理而利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层及/或防锈层，进一步在其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。也就是说，可以在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层，也可以在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。另外，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层分别可以形成多层(例如2层以上、3层以上等)。

这里，铬酸盐处理层是指利用包含铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体进行过处理的层。铬酸盐处理层也可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可以是金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可以列举利用铬酸酐或重铬酸钾水溶液进行过处理的铬酸盐处理层、利用包含铬酸酐或重铬酸钾及锌的处理液进行过处理的铬酸盐处理层等。

作为耐热层、防锈层，可以使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可以是包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的层，也可以是由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素所构成的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可以含有包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可以是包含镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可以是镍-锌合金层。所述镍-锌合金层除了不可避免的杂质以外，可以含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。所述镍-锌合金层的锌及镍的总计附着量可以是5～1000mg/m²，优选10～500mg/m²，优选20～100mg/m²。另外，所述包含镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量和锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，所述包含镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m²～500mg/m²，更优选1mg/m²～50mg/m²。在耐热层及/或防锈层为包含镍-锌合金的层的情况下，铜箔和树脂基板的密合性提升。

例如，耐热层及/或防锈层可以是附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层和附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选5mg/m²～40mg/m²的锡层依序层压而成，所述镍合金层可以由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴中的任一种构成。另外，耐热层及/或防锈层优选镍或镍合金和锡的总计附着量为2mg/m²～150mg/m²，更优选10mg/m²～70mg/m²。另外，耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。如果使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体的铜箔加工成印刷布线板后，电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等变良好。

另外，用于设置硅烷偶联处理层的硅烷偶联剂可以使用公知的硅烷偶联剂，例如可以使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂。另外，硅烷偶联剂可以使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。

所述硅烷偶联处理层可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶联剂等形成。另外，这种硅烷偶联剂也可以混合两种以上使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂形成。

这里所说的氨基系硅烷偶联剂可以选自由N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基硅烷、氨基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-己基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷所组成的群。

硅烷偶联处理层理想的是以硅原子换算在0.05mg/m²～200mg/m²、优选0.15mg/m²～20mg/m²、优选0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围内设置。在所述范围内的情况下，可以进一步提高基材和表面处理铜箔的密合性。

另外，对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或铬酸盐处理层的表面可以进行国际公开编号WO2008/053878、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本专利特开2013-19056号所记载的表面处理。

另外，本发明的附载体的铜箔也可以在所述极薄铜层上、或者所述粗化处理层上、或者所述耐热层、防锈层、或者铬酸盐处理层、或者硅烷偶联处理层上具备树脂层。所述树脂层也可以是绝缘树脂层。

所述树脂层可以是粘合剂，也可以是粘合用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。半硬化状态(B阶段状态)包括如下状态：即使用手指触摸绝缘树脂层表面也没有粘附感，可以将该绝缘树脂层重叠保管，如果进一步受到加热处理，则会产生硬化反应。

另外，所述树脂层可以含有热硬化性树脂，也可以是热塑性树脂。另外，所述树脂层也可以含有热塑性树脂。其种类并没有特别限定，作为适宜的树脂，例如可以列举：包含环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、聚氨酯树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶变成环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸的酐等的树脂。

所述树脂层也可以包含公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质(可以使用包含无机化合物及/或有机化合物的介电质、包含金属氧化物的介电质等任意介电质)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。另外，所述树脂层也可以使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本专利特开平11-5828号、日本专利特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本专利特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本专利特开2002-179772号、日本专利特开2002-359444号、日本专利特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本专利特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本专利特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本专利特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本专利特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本专利特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本专利特开2006-257153号、日本专利特开2007-326923号、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本专利特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本专利特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本专利特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本专利特开2013-19056号所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置来形成。

将这些树脂例如溶解于甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂而制成树脂液，将其例如利用辊涂法等涂布在所述极薄铜层上、或者所述耐热层、防锈层、或者所述铬酸盐皮膜层、或者所述硅烷偶联剂层上，接着根据需要加热干燥而去除溶剂，制成B阶段状态。干燥只要使用例如热风干燥炉便可，干燥温度为100～250℃、优选130～200℃便可。

具备所述树脂层的附载体的铜箔(附树脂的附载体的铜箔)是以如下形态使用：将该树脂层和基材重叠后，将整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接着将载体剥离而露出极薄铜层(当然，露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，并在极薄铜层形成特定的布线图案。

如果使用该附树脂的附载体的铜箔，则可以减少制造多层印刷布线基板时的预浸体材料的使用片数。而且，可以将树脂层的厚度设为能够确保层间绝缘的厚度，或者即便完全不使用预浸体材料也可以制造覆铜层压板。另外，此时在基材的表面也可以底涂绝缘树脂来进一步改善表面的平滑性。

另外，在不使用预浸体材料的情况下，有如下优势：节约预浸体材料的材料成本，而且层压步骤也变简略，所以经济上有利，此外，以预浸体材料的厚度制造的多层印刷布线基板的厚度变薄，可以制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷布线基板。

该树脂层的厚度优选0.1～80μm。如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则有如下情况：粘合力降低，在不介隔预浸体材料而将该附树脂的附载体的铜箔层压在具备内层材料的基材时，难以确保和内层材料的电路间的层间绝缘。

另一方面，如果将树脂层的厚度设为厚于80μm，则难以利用1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，会花费多余的材料费和工时，所以经济上不利。并且，有如下情况：形成的树脂层的挠性差，所以操作时容易产生龟裂等，而且和内层材料热压接时会产生过多的树脂流动，难以顺利地层压。

并且，作为该附树脂的附载体的铜箔的另一产品形态，也可以在所述极薄铜层上、或者所述耐热层、防锈层、或者所述铬酸盐处理层、或者所述硅烷偶联处理层上利用树脂层进行被覆，并制成半硬化状态后，接着剥离载体，以不存在载体的附树脂的铜箔的形态制造。

以下，列举一些使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板的制造步骤的例子。

在本发明的印刷布线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；及将所述附载体的铜箔和绝缘基板以极薄铜层侧和绝缘基板相对向的方式层压后，经过剥离所述附载体的铜箔的载体的步骤而形成覆铜层压板，其后通过半加成法、改良半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路。绝缘基板也可以设为设置了内层电路的绝缘基板。

在本发明中，半加成法是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

因此，在使用半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

将剥离所述载体所露出的极薄铜层利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子等方法全部去除；

在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；

在所述无电镀层上设置抗镀敷剂；

对所述抗镀敷剂进行曝光，其后去除供电路形成的区域的抗镀敷剂；

在去除了所述抗镀敷剂的所述供电路形成的区域设置电解镀层；

去除所述抗镀敷剂；及

利用快速蚀刻等去除所述供电路形成的区域以外的区域上的无电镀层。

在使用半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

将剥离所述载体所露出的极薄铜层利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子等方法全部去除；

在通过利用蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂的表面设置无电镀层；

在所述无电镀层上设置抗镀敷剂；

对所述抗镀敷剂进行曝光，其后去除供电路形成的区域的抗镀敷剂；

在去除了所述抗镀敷剂的所述供电路形成的区域设置电解镀层；

去除所述抗镀敷剂；及

利用快速蚀刻等去除所述供电路形成的区域以外的区域上的无电镀层及极薄铜层。

在本发明中，改良半加成法是指如下方法：在绝缘层上层压金属箔，利用抗镀敷剂保护非电路形成部，利用电解镀敷在电路形成部镀铜，其后去除抗镀敷剂，利用(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路。

因此，在使用改良半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层和绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置抗镀敷剂；

设置所述抗镀敷剂后，利用电解镀敷形成电路；

去除所述抗镀敷剂；及

利用快速蚀刻去除通过去除所述抗镀敷剂而露出的极薄铜层。

在使用改良半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

在剥离所述载体所露出的极薄铜层上设置抗镀敷剂；

对所述抗镀敷剂进行曝光，其后去除供电路形成的区域的抗镀敷剂；

在去除了所述抗镀敷剂的所述供电路形成的区域设置电解镀层；

去除所述抗镀敷剂；及

利用快速蚀刻等去除所述供电路形成的区域以外的区域上的无电镀层及极薄铜层。

在本发明中，部分加成法是指如下方法：在设置导体层而成的基板、根据需要打通通孔或穿孔用的孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，根据需要设置阻焊剂或抗镀敷剂后，在所述导体电路上对通孔或穿孔等利用无电镀敷处理进行镀敷，由此制造印刷布线板。

因此，在使用部分加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

在剥离所述载体所露出的极薄铜层和绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层表面设置抗蚀剂；

对所述抗蚀剂进行曝光而形成电路图案；

将所述极薄铜层及所述催化剂核利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子等方法去除而形成电路；

去除所述抗蚀剂；

在将所述极薄铜层及所述催化剂核利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子等方法去除而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或抗镀敷剂；及

在没有设置所述阻焊剂或抗镀敷剂的区域设置无电镀层。

在本发明中，减成法是指利用蚀刻等选择性地去除覆铜层压板上的铜箔的不需要的部分而形成导体图案的方法。

因此，在使用减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

在剥离所述载体而露出的极薄铜层和绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；

在所述无电镀层的表面设置电解镀层；

在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀剂；

对所述抗蚀剂进行曝光，形成电路图案；

将所述极薄铜层及所述无电镀层及所述电解镀层利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子等方法去除而形成电路；及

去除所述抗蚀剂。

在使用减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一实施方式中，包括如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，剥离所述附载体的铜箔的载体；

在剥离所述载体所露出的极薄铜层和绝缘基板设置通孔或/及盲孔；

对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；

在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；

在所述无电镀层的表面形成遮罩；

在没有形成遮罩的所述无电镀层的表面设置电解镀层；

在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀剂；

对所述抗蚀剂进行曝光而形成电路图案；

将所述极薄铜层及所述无电镀层利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子等方法去除而形成电路；及

去除所述抗蚀剂。

也可以不进行设置通孔或/及盲孔的步骤及其后的除胶渣步骤。

这里，使用图式对使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板的制造方法的具体例进行详细说明。另外，这里，以在极薄铜层表面形成了粗化处理层的附载体的铜箔为例进行说明，但也可以没有形成粗化处理层。

首先，如图1-A所示，准备具有表面形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体的铜箔(第1层)。

接着，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗镀敷剂，并进行曝光、显影，将抗镀敷剂蚀刻成特定的形状。

接着，如图1-C所示，在形成电路用镀层后，去除抗镀敷剂，由此形成特定形状的电路镀层。

接着，如图2-D所示，以覆盖电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置填埋树脂而层压树脂层，接着从极薄铜层侧粘合另一片附载体的铜箔(第2层)。

接着，如图2-E所示，从第2层附载体的铜箔剥离载体。

接着，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光开孔，露出电路镀层而形成盲孔。

接着，如图3-G所示，在盲孔填埋铜而形成通孔填充物。

接着，如图3-H所示，在通孔填充物上以所述图1-B及图1-C的方式形成电路镀层。

接着，如图3-I所示，从第1层附载体的铜箔剥离载体。

接着，如图4-J所示，利用快速蚀刻去除两表面的极薄铜层，露出树脂层内的电路镀层的表面。

接着，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以如上所述的方式制作使用本发明的附载体的铜箔的印刷布线板。

所述另外的附载体的铜箔(第2层)可以使用本发明的附载体的铜箔，也可以使用以往的附载体的铜箔，进而也可以使用通常的铜箔。另外，也可以在图3-H所示的第2层电路上进而形成1层或多层电路，也可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成这些电路。

另外，所述第1层所使用的附载体的铜箔也可以在该附载体的铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板，第1层所使用的附载体的铜箔受到支撑，不易产生皱褶，所以有生产性提升的优势。另外，所述基板只要具有支撑所述第1层所使用的附载体的铜箔的效果，则可以使用所有基板。例如，作为所述基板，可以使用本案说明书所记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。

关于在载体侧表面形成基板的时点并没有特别限制，但必须在剥离载体前形成。尤其是优选于在所述附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤前形成，更优选于在附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面形成电路的步骤前形成。

另外，填埋树脂(resin)可以使用公知的树脂、预浸体。例如可以使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸了BT树脂的玻璃布的预浸体、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述填埋树脂可以含有热硬化性树脂，也可以是热塑性树脂。另外，所述填埋树脂也可以含有热塑性树脂。所述填埋树脂的种类并没有特别限定，作为适宜的树脂，例如可以列举：包含环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、聚氨酯树脂、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶变成环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸的酐等的树脂；或纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布/纸复合基材环氧树脂、玻璃布/玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物膜、氟树脂膜等。另外，所述填埋树脂(resin)可以使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。

并且，通过在本发明的印刷布线板搭载电子零件类，从而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷布线板”也包括像这样搭载了电子零件类的印刷布线板及印刷电路板及印刷基板。

另外，可以使用该印刷布线板制作电子机器，也可以使用该搭载了电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可以使用该搭载了电子零件类的印刷基板制作电子机器。

另外，本发明的印刷布线板的制造方法也可以是包括如下步骤的印刷布线板的制造方法(无芯法)：将本发明的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面和树脂基板进行层压；在与所述和树脂基板层压的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体的铜箔的表面至少设置1次树脂层和电路这两层；及在形成所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述载体或所述极薄铜层。关于该无芯法，作为具体的例子，首先，将本发明的附载体的铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面和树脂基板进行层压。其后，在与和树脂基板层压的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体的铜箔的表面形成树脂层。也可以在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层从载体侧或极薄铜层侧进而层压另一片附载体的铜箔。在此情况下，成为如下构成：以树脂基板为中心，在该树脂基板的两表面侧以载体/中间层/极薄铜层的顺序或以极薄铜层/中间层/载体的顺序层压附载体的铜箔。也可以在两端的极薄铜层或载体所露出的表面设置另一树脂层，并进而设置铜层或金属层，然后对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。也可以进而将另一树脂层以填埋该电路的方式设置在该电路上。另外，也可以将这种电路及树脂层的形成进行1次以上(增层法)。并且，关于以上述方式形成的层压体(以下也称为层压体B)，可以将各附载体的铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。另外，在制作所述无芯基板时，也可以使用2个附载体的铜箔，制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的层压体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的层压体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的层压体，并将该层压体用于中心。可以在这些层压体(以下也称为层压体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面设置1次以上树脂层及电路这两层，在设置1次以上树脂层及电路这两层后，将各附载体的铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。所述层压体在极薄铜层的表面、载体的表面、载体和载体的间、极薄铜层和极薄铜层的间、极薄铜层和载体的间也可以具有其它层。另外，本说明书中，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“层压体的表面”当极薄铜层、载体、层压体在极薄铜层表面、载体表面、层压体表面具有其它层的情况下，是设为包括该其它层的表面(最表面)的概念。另外，层压体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。这是由于：在使用该层压体制作无芯基板时，因为在无芯基板侧配置极薄铜层，所以容易使用改良半加成法在无芯基板上形成电路。另外，是由于：因为极薄铜层的厚度薄，所以容易去除该极薄铜层，去除极薄铜层后容易使用半加成法在无芯基板上形成电路。

另外，在本说明书中，没有特别记载成“层压体A”或“层压体B”的“层压体”表示至少包括层压体A及层压体B的层压体。

另外，在所述无芯基板的制造方法中，通过利用树脂覆盖附载体的铜箔或层压体(层压体A)的端面的一部分或全部，在利用增层法制造印刷布线板时，可以防止药液渗入到中间层或构成层压体的一片附载体的铜箔和另一片附载体的铜箔的间，可以防止由药液的渗入所导致的极薄铜层和载体的分离或附载体的铜箔的腐蚀，可以提升良率。作为这里所使用的“覆盖附载体的铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖层压体的端面的一部分或全部的树脂”，可以使用能够用于树脂层的树脂。另外，在所述无芯基板的制造方法中，在对附载体的铜箔或层压体进行俯视时，附载体的铜箔或层压体的层压部分(载体和极薄铜层的层压部分、或一片附载体的铜箔和另一片附载体的铜箔的层压部分)的外周的至少一部分可以由树脂或预浸体覆盖。另外，利用所述无芯基板的制造方法所形成的层压体(层压体A)也可以是使一对附载体的铜箔相互以可分离的方式接触而构成。另外，在对该附载体的铜箔进行俯视时，也可以由树脂或预浸体覆盖附载体的铜箔或层压体的层压部分(载体和极薄铜层的层压部分、或一片附载体的铜箔和另一片附载体的铜箔的层压部分)的外周整体。通过设为这种构成，在俯视附载体的铜箔或层压体时，附载体的铜箔或层压体的层压部分由树脂或预浸体覆盖，可以防止其它部件从该部分侧向、也就是相对于层压方向横向的方向碰撞，结果，可以减少操作中载体和极薄铜层或附载体的铜箔彼此的剥离。另外，通过以不露出附载体的铜箔或层压体的层压部分的外周的方式利用树脂或预浸体进行覆盖，可以防止如上所述药液处理步骤中药液向该层压部分的界面的渗入，可以防止附载体的铜箔的腐蚀或侵蚀。另外，在从层压体的一对附载体的铜箔分离一片附载体的铜箔时，或分离附载体的铜箔的载体和铜箔(极薄铜层)时，必须通过切断等去除利用树脂或预浸体覆盖的附载体的铜箔或层压体的层压部分(载体和极薄铜层的层压部分、或一片附载体的铜箔和另一片附载体的铜箔的层压部分)。

也可以将本发明的附载体的铜箔从载体侧或极薄铜层侧层压在另一片本发明的附载体的铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成层压体。另外，可以是所述一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面和所述另一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面根据需要经由粘合剂直接层压而获得的层压体。另外，也可以将所述一片附载体的铜箔的载体或极薄铜层和所述另一片附载体的铜箔的载体或极薄铜层連接。这里，该“連接”在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，也包括经由该表面处理层相互連接的形态。另外，也可以被树脂覆盖该层压体的端面的一部分或全部。

载体彼此的层压除了单纯地重叠以外，例如可以利用以下方法进行。

(a)冶金連接方法：焊接(电弧焊接、TIG(tungsten inert gas，钨-惰性气体)焊接、MIG(metal inert gas，金属-惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；

(b)机械連接方法：敛缝、利用铆钉的連接(利用自冲铆的連接、利用铆钉的連接)、装订机；

(c)物理連接方法：粘合剂、(双面)胶带

通过将一载体的一部分或全部和另一载体的一部分或全部使用所述連接方法进行連接，可以制造将一载体和另一载体层压，使载体彼此以可分离的方式接触而构成的层压体。如果一载体和另一载体较弱地連接，则在将一载体和另一载体层压的情况下，即使不去除一载体和另一载体的連接部，也可以将一载体和另一载体分离。另外，在一载体和另一载体较强地連接的情况下，通过将一载体和另一载体連接的部位利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除，可以分离一载体和另一载体。

另外，可以通过实施如下步骤而制作印刷布线板：在以上述方式构成的层压体至少设置1次树脂层和电路这两层；及在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述层压体的附载体的铜箔剥离所述极薄铜层或载体。另外，也可以在该层压体的一个表面或两个表面设置树脂层和电路这两层。

[实施例]

以下，基于实施例及比较例进行说明。另外，本实施例只不过是一例，并不仅限定于该例。

1.制造附载体的铜箔

作为铜箔载体，准备厚度35μm的长条的电解铜箔(JX日矿日石金属公司制造的JTC)及厚度33μm的压延铜箔(JX日矿日石金属公司制造的C1100)。对该铜箔的光泽面(亮面)在以下条件下利用辊-辊型的连续镀敷线进行镀镍(Ni)或镀钴(Co)作为金属镀敷后，进行BTA处理作为铬酸盐处理或利用有机物的处理，由此形成中间层。另外，表1的“脱脂”、“酸洗”表示分别利用以下条件对载体的将要镀镍或镀钴一侧的表面进行镀镍(Ni)的前处理。并且，表1的“光泽剂”表示在以下镀镍(Ni)处理中在镀液中含有光泽剂(一次光泽剂及二次光泽剂)。另外，对于实施例1、3、5、9、11，在铬酸盐处理后进行加热处理。将此时的加热温度(干燥温度)示于表1。另外，对载体的表面依序进行脱脂、酸洗处理。将该脱脂条件及酸洗条件示于下文。

[脱脂]

使用以下脱脂处理液，在以下条件下进行电解脱脂。

·脱脂处理液：氢氧化钠水溶液(氢氧化钠浓度70g/L)

·电解脱脂：在以下条件下进行阴极电解脱脂，其后进行阳极电解脱脂，其后再次进行阴极电解脱脂。

阴极(电解)脱脂(电流密度10A/dm²)：20秒

阳极(电解)脱脂(电流密度5A/dm²)：20秒

阴极(电解)脱脂(电流密度10A/dm²)：20秒

[酸洗]

·酸洗处理液：硫酸水溶液(硫酸浓度：50mL/L)

浸渍时间：20秒

[镀镍(Ni)]

·镀液

镍：20～200g/L

硼酸：5～60g/L

液温：40～65℃

pH：1.5～5.0

·电流密度：0.5～20A/dm²

·通电时间：1～20秒

·搅拌(液循环量)：100～1000L/分钟

·运送速度：2～30m/分钟

·添加剂：一次光泽剂(糖精钠：0.5～5g/L)、二次光泽剂(硫脲：0.05～1g/L)[镀钴(Co)]

·镀液

钴：20～200g/L

硼酸：5～60g/L

液温：40～65℃

pH：1.5～5.0

·电流密度：0.5～20A/dm²

·通电时间：1～20秒

·搅拌(液循环量)：100～1000L/分钟

·运送速度：2～30m/分钟

·添加剂：一次光泽剂(糖精钠：0.5～5g/L)、二次光泽剂(硫脲：0.05～1g/L)[铬酸盐处理]

·处理液

铬：0.5～6.0g/L

锌：0.1～2.0g/L

液温：25～60℃

pH：2.5～5.0

·电流密度：0.1～4A/dm²

·通电时间：1～30秒

[BTA处理]

·BTA处理：使用苯并***的防锈处理

·处理液

苯并***：0.1～20g/L

pH：2～5

液温：20～40℃

浸渍时间：5～30秒

接着，通过在辊-辊型的连续镀敷线上，在以下条件下进行电镀而在中间层上形成表1所记载的厚度的极薄铜层，从而制作附载体的铜箔。

·极薄铜层

铜浓度：90～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～70A/dm²

镀液线流速：1.0m/s

关于这些实施例及比较例，对所有极薄铜层的表面依序进行以下的粗化处理、防锈处理、铬酸盐处理及硅烷偶联处理。

·粗化处理

Cu：10～20g/L

Co：5～15g/L

Ni：5～15g/L

pH：1～4

温度：40～50℃

电流密度Dk：40～50A/dm²

时间：0.5秒～2秒

Cu附着量：15～40mg/dm²

Co附着量：100～3000μg/dm²

Ni附着量：100～1000μg/dm²

·防锈处理

Zn：0～20g/L

Ni：0～5g/L

pH：3.5

温度：40℃

电流密度Dk：0～1.7A/dm²

时间：1秒

Zn附着量：5～250μg/dm²

Ni附着量：5～300μg/dm²

·防锈处理

Zn：10g/L

Ni：35g/L

pH：3.5

温度：40℃

电流密度Dk：0.5A/dm²

时间：46秒

Zn附着量：150～1500μg/dm²

Ni附着量：300～2600μg/dm²

·铬酸盐处理

处理液组成：

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnO或ZnSO₄7H₂O：0.05～10g/L

pH：7～13

浴温：20～80℃

电流密度：0.05～5A/dm²

时间：5～30秒

Cr附着量：10～150μg/dm²

·硅烷偶联处理

乙烯基三乙氧基硅烷水溶液

(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)

pH：4～5

时间：5～30秒

2.附载体的铜箔的评估

对以如上所述的方式制作的实施例及比较例的各样品如下所述进行各种评估。

·中间层的金属附着量

镍附着量及钴附着量是将样品利用浓度20质量％的硝酸溶解，并使用SII公司制造的ICP发射光谱分析装置(型号：SPS3100)利用ICP发光分析进行测量，锌、铬附着量是通过将样品利用浓度7质量％的盐酸溶解，使用VARIAN公司制造的原子吸光分光光度计(型号：AA240FS)利用原子吸光法进行定量分析而测量。另外，所述镍、钴、锌、铬附着量的测量是利用以下方式进行。首先，从附载体的铜箔剥离极薄铜层后，只溶解极薄铜层的中间层侧的表面附近(在极薄铜层的厚度为1.4μm以上的情况下，只溶解距极薄铜层的中间层侧的表面0.5μm厚度，在极薄铜层的厚度未达1.4μm的情况下，只溶解从极薄铜层的中间层侧的表面起到极薄铜层厚度的20％)，测量极薄铜层的中间层侧的表面的附着量。另外，在剥离极薄铜层后，只溶解载体的中间层侧的表面附近(距表面0.5μm厚度)，测量载体的中间层侧的表面的附着量。并且，将对极薄铜层的中间层侧的表面的附着量和载体的中间层侧的表面的附着量总计所得的值设为中间层的金属附着量。

·蚀刻性

将附载体的铜箔贴附到BT树脂基板、或FR-4基板并以220℃进行2小时加热压接，其后以220℃进行4小时热处理。接着，将极薄铜层从铜箔载体剥离。接着，在基板上的极薄铜层表面涂布感光性抗镀敷剂后，利用曝光、显影步骤形成50条L/S＝10μm/10μm宽的抗镀敷剂图案，在以下的喷雾蚀刻条件下去除铜层的不需要部分。

(喷雾蚀刻条件)

蚀刻液：氯化铁水溶液(波美度：40度)

液温：60℃

喷雾压：2.0MPa

继续蚀刻，测量电路顶宽成为4μm的时间，进而评估此时的电路底宽(底辺X的长度)及蚀刻系数。在蚀刻成扇形时(产生塌边时)，在假定电路垂直地蚀刻的情况下从铜箔上表面引下垂线，将从垂线和树脂基板的交点起的塌边的长度的距离设为a的情况下，蚀刻系数是表示该a和铜箔的厚度b的比：b/a，该数值越大，意味着倾斜角越大，越不残留蚀刻残渣，塌边越小。在图5中表示电路图案的宽度方向的横截面的示意图，并表示使用该示意图的蚀刻系数的计算方法的概略。该a是通过从电路上方进行SEM观察而测量，算出蚀刻系数(EF＝b/a)。另外，利用b＝(X(μm)－4(μm))/2进行计算。通过使用该蚀刻系数，可以简单地判定蚀刻性是否良好。在本发明中，将蚀刻系数为2.5以上设为蚀刻性良好，将未达2.5或无法算出(包括在底边部分，邻接的电路间短路的情况)判定为蚀刻异常，评估每1dm²的蚀刻异常数。

·铜以外的元素的被覆率

对附载体的铜箔在载体/极薄铜层间进行剥离，将载体侧浸渍于硫化铵水溶液。硫化铵具有使Cu变黑的性质，只有铜载体基材的没有被Ni镀层或Co镀层等由铜以外的金属形成的金属镀层、或者铬酸盐处理层、有机物层等层覆盖的部分变黑。

·硫化铵水溶液

硫化铵：5～20vol％

液温：20～30℃

浸渍时间：30秒～2分钟

其后，用扫描仪扫描载体剥离层侧，将其图像用“2灰阶化”加工成黑白。将图像的白和黑的“阈值”设定为70(白：0、黑：255)，将白色部分的面积率定义为铜以外的元素的被覆率。

·水分产生量(将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量)

在经氩气置换的手套箱内，将附载体的铜箔切取成φ9～20mm的大小，从附载体的铜箔的载体剥离极薄铜层。剥离后，将载体和极薄铜层同时导入到电子科学股份有限公司制造的升温脱离气体分析装置(TDS1200)的腔室内。此时的腔室内的真空度为2.0×10^-7Pa以下，腔室内温度为30～60℃。接着，以30℃/分钟的速度升温到500℃，测量此时所产生的水分量A(质量(g))。水分量是作为附载体的铜箔每1g的水分产生量(质量(g))(ppm)使用下式算出。

水分产生量(将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量)(ppm/g)＝水分产生量A(质量(g))/所测量的附载体的铜箔的样品的质量(g)×10⁶

·鼓出的个数

将附载体的铜箔在220℃的大气加热炉内加热4小时。加热后，利用光学显微镜用目视数出每1dm²的鼓出的个数。另外，将附载体的铜箔在400℃的大气加热炉内加热10分钟。加热后，利用光学显微镜用目视数出每1dm²的鼓出的个数。

将所述试验条件及试验结果示于表1。

(评估结果)

实施例1～12将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量都为160ppm/g以下，鼓出的产生及蚀刻产生率都被良好地抑制。

另外，实施例1～12将附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出都为20个/dm²以下，水分的产生及蚀刻产生率都被良好地抑制。

比较例1～3将附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量都超过160ppm/g，鼓出的产生都多，蚀刻产生率都不良。

另外，比较例1～3将附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出都超过20个/dm²，水分的产生都多，蚀刻产生率都不良。

Claims (133)

1.一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，

将所述附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为160ppm/g以下。

2.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为0～130ppm/g。

3.根据权利要求2所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以30℃/分钟加热到500℃时所产生的水分量为0～110ppm/g。

4.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为20个/dm²以下。

5.根据权利要求2或3所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为20个/dm²以下。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为0～15个/dm²以下。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为0～12个/dm²以下。

8.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

9.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～30个/dm²以下。

10.根据权利要求4所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

11.根据权利要求4所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～30个/dm²以下。

12.根据权利要求7所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

13.根据权利要求2或3所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

14.根据权利要求1至4、8至11中任一项所述的附载体的铜箔，其中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

15.根据权利要求14所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

16.根据权利要求14所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

17.根据权利要求1至4、8至11中任一项所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

18.根据权利要求17所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。

19.根据权利要求18所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

20.根据权利要求18所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

21.根据权利要求18所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

22.根据权利要求18所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

23.根据权利要求18所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

24.根据权利要求1至4、8至11中任一项所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

25.根据权利要求1至4、8至11中任一项所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

26.根据权利要求17所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

27.根据权利要求18所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

28.根据权利要求25所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。

29.一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，

将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为20个/dm²以下。

30.根据权利要求29所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为0～15个/dm²以下。

31.根据权利要求29所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以220℃加热4小时时所产生的鼓出为0～12个/dm²以下。

32.根据权利要求29所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

33.根据权利要求30或31所述的附载体的铜箔，其中将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

34.根据权利要求31所述的附载体的铜箔，其中所述中间层在含有Cr的情况下，含有5μg/dm²以上100μg/dm²以下的Cr，在含有Mo的情况下，含有50μg/dm²以上1000μg/dm²以下的Mo，在含有Ni的情况下，含有100μg/dm²以上40000μg/dm²以下的Ni，在含有Co的情况下，含有100μg/dm²以上40000μg/dm²以下的Co，在含有Zn的情况下，含有1μg/dm²以上120μg/dm²以下的Zn。

35.根据权利要求29至32中任一项所述的附载体的铜箔，其中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

36.根据权利要求35所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

37.根据权利要求35所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

38.根据权利要求29至32中任一项所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

39.根据权利要求38所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。

40.根据权利要求39所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

41.根据权利要求39所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

42.根据权利要求39所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

43.根据权利要求39所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

44.根据权利要求39所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

45.根据权利要求29至32中任一项所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

46.根据权利要求29至32中任一项所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

47.根据权利要求38所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

48.根据权利要求39所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

49.根据权利要求46所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。

50.一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，

将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～60个/dm²以下。

51.根据权利要求50所述的附载体的铜箔，其中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

52.根据权利要求51所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

53.根据权利要求51所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

54.根据权利要求50所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

55.根据权利要求54所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。

56.根据权利要求55所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

57.根据权利要求55所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

58.根据权利要求55所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

59.根据权利要求55所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

60.根据权利要求55所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

61.根据权利要求50所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

62.根据权利要求50所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

63.根据权利要求54所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

64.根据权利要求55所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

65.根据权利要求62所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。

66.一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，

将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～50个/dm²以下。

67.根据权利要求66所述的附载体的铜箔，其中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

68.根据权利要求67所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

69.根据权利要求67所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

70.根据权利要求66所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

71.根据权利要求70所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。

72.根据权利要求71所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

73.根据权利要求71所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

74.根据权利要求71所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

75.根据权利要求71所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

76.根据权利要求71所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

77.根据权利要求66所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

78.根据权利要求66所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

79.根据权利要求70所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

80.根据权利要求71所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

81.根据权利要求78所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。

82.一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，

将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～40个/dm²以下。

83.根据权利要求82所述的附载体的铜箔，其中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

84.根据权利要求83所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

85.根据权利要求83所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

86.根据权利要求82所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

87.根据权利要求86所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。

88.根据权利要求87所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

89.根据权利要求87所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

90.根据权利要求87所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

91.根据权利要求87所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

92.根据权利要求87所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

93.根据权利要求82所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

94.根据权利要求82所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

95.根据权利要求86所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

96.根据权利要求87所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

97.根据权利要求94所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。

98.一种附载体的铜箔，其依序具备载体、中间层及极薄铜层，

将所述附载体的铜箔以400℃加热10分钟时所产生的鼓出为0～30个/dm²以下。

99.根据权利要求98所述的附载体的铜箔，其中所述中间层含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物组成的群中的一种或两种以上。

100.根据权利要求99所述的附载体的铜箔，其中所述中间层以25nm以上80nm以下的厚度含有有机物。

101.根据权利要求99所述的附载体的铜箔，其中所述有机物是由选自含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的一种或两种以上构成的有机物。

102.根据权利要求98所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层表面或所述载体的表面的任一面或两面具有粗化处理层。

103.根据权利要求102所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。

104.根据权利要求103所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具有所述耐热层。

105.根据权利要求103所述的附载体的铜箔，其中所述防锈层及所述耐热层的至少一层含有选自镍、钴、铜、锌中的一种以上的元素。

106.根据权利要求103所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层或所述耐热层上具有所述防锈层。

107.根据权利要求103所述的附载体的铜箔，其中在所述防锈层上具有所述铬酸盐处理层。

108.根据权利要求103所述的附载体的铜箔，其中在所述铬酸盐处理层上具有所述硅烷偶联处理层。

109.根据权利要求98所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层。

110.根据权利要求98所述的附载体的铜箔，其中在所述极薄铜层上具备树脂层。

111.根据权利要求102所述的附载体的铜箔，其中在所述粗化处理层上具备树脂层。

112.根据权利要求103所述的附载体的铜箔，其中在选自由所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层组成的群中的一种以上的层上具备树脂层。

113.根据权利要求110所述的附载体的铜箔，其中所述树脂层含有介电质。

114.一种印刷布线板，使用权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔而制造。

115.一种覆铜层压板，使用权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔而制造。

116.一种电子机器，使用权利要求114所述的印刷布线板而制造。

117.一种层压体，使用权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔而制造。

118.一种层压体，含有权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔和树脂，所述附载体的铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

119.一种层压体，将一片权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧层压在另一片权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。

120.根据权利要求119所述的层压体，将所述一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面和所述另一片附载体的铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面根据需要经由粘合剂直接层压而构成。

121.根据权利要求119所述的层压体，其中所述一片附载体的铜箔的所述载体或所述极薄铜层和所述另一片附载体的铜箔的所述载体或所述极薄铜层連接。

122.一种印刷布线板的制造方法，使用权利要求117至121中任一项所述的层压体。

123.根据权利要求119至121中任一项所述的层压体，其中所述层压体的端面的一部分或全部被树脂覆盖。

124.一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：

在权利要求119至121中任一项所述的层压体至少设置1次树脂层和电路这两层；及

在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述层压体的附载体的铜箔剥离所述极薄铜层或所述载体。

125.一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：

在权利要求123所述的层压体至少设置1次树脂层和电路这两层；及

在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述层压体的附载体的铜箔剥离所述极薄铜层或所述载体。

126.一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：

准备权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔和绝缘基板；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压；

将所述附载体的铜箔和绝缘基板进行层压后，经过剥离所述附载体的铜箔的铜箔载体的步骤而形成覆铜层压板，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路。

127.一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：

在权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧或所述载体侧表面形成电路；

以埋没所述电路的方式在所述附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧形成树脂层；

在所述树脂层上形成电路；

在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体或所述极薄铜层；及

剥离所述载体或所述极薄铜层后，通过去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没在所述树脂层中的电路露出。

128.根据权利要求127所述的印刷布线板的制造方法，其中所述在树脂层上形成电路的步骤是将另外的附载体的铜箔从极薄铜层侧或载体侧贴合在所述树脂层上，使用贴合在所述树脂层的附载体的铜箔而形成所述电路的步骤。

129.根据权利要求128所述的印刷布线板的制造方法，其中所述贴合在树脂层上的另外的附载体的铜箔是权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔。

130.根据权利要求127所述的印刷布线板的制造方法，其中所述在树脂层上形成电路的步骤可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法进行。

131.根据权利要求127所述的印刷布线板的制造方法，其中所述要在表面形成电路的附载体的铜箔在该附载体的铜箔的载体侧的表面或极薄铜层侧的表面具有基板。

132.一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：

将权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔的所述极薄铜层侧表面和树脂基板进行层压；

在所述附载体的铜箔的和与树脂基板层压的一侧为相反侧的所述载体侧表面至少设置1次树脂层和电路这两层；及

至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述极薄铜层。

133.一种印刷布线板的制造方法，包括如下步骤：

将权利要求1至113中任一项所述的附载体的铜箔的所述载体侧表面和树脂基板进行层压；

在所述附载体的铜箔的和与树脂基板层压的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面至少设置1次树脂层和电路这两层；及

至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，从所述附载体的铜箔剥离所述载体。