CN104916585B - 板状物的加工方法 - Google Patents
板状物的加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104916585B CN104916585B CN201510102413.5A CN201510102413A CN104916585B CN 104916585 B CN104916585 B CN 104916585B CN 201510102413 A CN201510102413 A CN 201510102413A CN 104916585 B CN104916585 B CN 104916585B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bite
- preset lines
- chuck table
- cutting
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 68
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 37
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
Abstract
本发明提供板状物的加工方法。在交替地实施将切削刀定位于形成于板状物上的分割预定线并使X轴移动构件工作,从而沿着分割预定线切削板状物的切削工序、和按照存储于控制构件的存储器的分割预定线的间隔使Y轴移动构件工作并沿Y轴方向分度进给卡盘台和切削刀的分度进给工序时,在对规定的数量的分割预定线实施了切削工序时,实施偏差检测工序,由被分度进给的切削刀在板状物的外周部或支撑板状物的保护带略微形成切入槽,通过摄像构件对切入槽的位置和分割预定线的位置摄像并检测偏差的有无,在偏差检测工序中根据形成切入槽时的切削刀的旋转中心的X坐标(X0)、切入槽的终点的坐标(X1)和切削刀的半径(R),通过式求出切削刀的切入量(ΔZ)。
Description
技术领域
本发明涉及将形成有多条分割预定线的板状物沿着多条分割预定线切削的板状物的加工方法。
背景技术
在半导体器件制造工序中,在呈大致圆板形状的半导体晶片的正面通过呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域,在该划分出的区域上形成IC、LSI等的器件。如上构成的半导体晶片具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域。而且,沿分割预定线切断半导体晶片,从而将形成有器件的区域分割开来,制造出各个器件。此外,将在蓝宝石基板或碳化硅基板的正面层叠了氮化镓类化合物半导体等的光器件晶片也沿着分割预定线切断,从而将其分割为各个发光二极管、激光二极管等的光器件,可广泛用于电气设备中。
上述沿着半导体晶片和光器件晶片等的分割预定线的切断通常是通过被称作切片机的切削装置进行的。该切削装置具有:卡盘台,其具有保持半导体晶片和光器件晶片等的被加工物的保持面;切削构件,其用于切削保持于该卡盘台的保持面上的被加工物;加工进给构件,其使卡盘台与切削构件沿加工进给方向(X轴方向)相对加工进给;分度进给构件,其使卡盘台与切削构件沿与加工进给方向(X轴方向)正交的分度进给方向(Y轴方向)相对分度进给;切入进给构件,其使切削构件沿垂直于卡盘台的保持面的切入进给方向(Z轴方向)切入进给;以及摄像构件,其对保持于卡盘台的保持面上的被加工物摄像。切削构件具有旋转主轴以及旋转驱动安装于该旋转主轴上的切削刀和旋转主轴的驱动机构。切削刀由圆盘状的基座和安装于该基座的侧面外周部的环状的切割刃构成,切割刃通过电铸将例如粒径3μm左右的金刚石砂轮固定于基座上且形成为厚度30μm左右。
在通过上述切削装置沿着分割预定线对晶片实施了切削作业时,由于伴随时间经过而产生的温度变化等,切削刀的分度进给方向(Y轴方向)位置可能从分割预定线偏差,在沿着规定的条数的分割预定线切削后,定期按照存储于控制构件的分度进给量将切削刀略微切入晶片的外周剩余区域并形成切入槽,通过摄像构件对该切入槽和分割预定线摄像,求出切入槽和分割预定线的偏差量,校正该偏差量并沿着分割预定线适当地定位切削刀(例如,参照专利文献1、专利文献2)。
此外,切削刀会由于使用而磨损,因而需要定期检测直径并求出切入量。作为该切削刀的直径的检测,停止保持晶片的卡盘台在加工进给方向(X轴方向)的相对移动,使切削构件沿分度进给方向(Y轴方向)移动,将切削刀定位于贴附在晶片的分度进给方向(Y轴方向)最外侧的外周剩余区域或晶片的背面上的切割带并进行切入进给,从而形成切入槽(切割痕),根据该切入槽的长度(L1)、切削刀的中心的Z轴方向位置(Z1)和晶片的上面的Z轴方向位置(Z0),通过下式求出对于切削刀的直径(R)或切削刀的晶片的切入量(ΔZ)。
如上求出对于切削刀的直径(R)和切削刀的晶片的切入量(Δz),从而把握基于切入量的校正和切削刀的磨损量的切削刀的更换时期(例如,参照专利文献3)。
专利文献1日本特开2005-197492号公报
专利文献2日本特开2006-205317号公报
专利文献3日本特开2013-27949号公报
而且,由于将切削刀分别定位于2处进行切削,求出切入槽和分割预定线的偏差量并求出切削刀的直径或切入量,因此存在生产性较差的问题。
发明内容
本发明就是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术课题在于提供一种板状物的加工方法,将切削刀定位于1处进行切削,既能够求出切入槽和分割预定线的偏差量,又能够求出切削刀的直径或切入量。
为了解决上述主要技术课题,本发明提供一种板状物的加工方法,使用切削装置沿着分割预定线切削保持于卡盘台的保持面上的板状物,其中,该切削装置具有:该卡盘台,其具有保持板状物的保持面;切削构件,其具有切削刀,该切削刀保持于该卡盘台的保持面上而切削板状物;X轴移动构件,其使该卡盘台与该切削构件沿X轴方向相对移动;Y轴移动构件,其使该卡盘台与该切削构件沿与X轴方向正交的Y轴方向相对移动;Z轴移动构件,其使该切削构件沿与X轴方向和Y轴方向正交的Z轴方向移动;X轴方向位置检测构件,其对由该X轴移动构件导致的该卡盘台或该切削刀的移动位置进行检测;Y轴方向位置检测构件,其对由该Y轴移动构件导致的该卡盘台或该切削刀的移动位置进行检测;Z轴方向位置检测构件,其对由该Z轴移动构件导致的该切削构件的Z轴方向位置进行检测;摄像构件,其对保持于该卡盘台的保持面上的板状物进行摄像;以及控制构件,其具有存储器,该存储器存储板状物上平行地形成的多条分割预定线的间隔,该板状物的加工方法的特征在于,
在交替地实施如下工序、即将该切削刀定位到形成于板状物上的分割预定线并使该X轴移动构件进行工作,从而沿着分割预定线切削板状物的切削工序、以及按照存储于该控制构件的存储器中的分割预定线的间隔使该Y轴移动构件进行工作,使该卡盘台和该切削刀沿Y轴方向相对分度进给的分度进给工序时,
在对规定的数量的分割预定线实施了该切削工序时,实施偏差检测工序,在该偏差检测工序中,通过被分度进给后的该切削刀在板状物的外周部或支撑板状物的保护带上略微形成切入槽,通过该摄像构件对该切入槽的位置和分割预定线的位置进行摄像,来检测偏差的有无,并且
在该偏差检测工序中,根据形成了该切入槽时的该切削刀的旋转中心的X坐标(X0)、该切入槽的终点的坐标(X1)和切削刀的半径(R),通过下式求出切削刀的切入量(ΔZ),
上述切削刀的半径(R)是根据该切削刀的旋转中心的Z坐标(Z1)、保持于该卡盘台上的板状物或该保护带的正面的Z坐标(Z0)、该切削刀的旋转中心的X坐标(X0)和该切入槽的终点的坐标(X1)通过下式求出的,
本发明的板状物的加工方法在交替地实施如下工序、即将切削刀定位于形成于板状物上的分割预定线并使该轴移动构件进行工作,从而沿分割预定线切削板状物的切削工序、以及按照存储于控制构件的存储器的分割预定线的间隔使Y轴移动构件进行工作,使卡盘台与切削刀沿Y轴方向相对分度进给的分度进给工序时,
在对规定的数量的分割预定线实施了切削工序时,实施偏差检测工序,其中,通过被分度进给的切削刀在板状物的外周部或支撑板状物的保护带上略微形成切入槽,通过摄像构件对切入槽的位置和分割预定线的位置进行摄像,来检测偏差的有无,
并且在该偏差检测工序中,根据形成切入槽时的切削刀的旋转中心的X坐标(X0)、切入槽的终点的坐标(X1)和切削刀的半径(R),通过求出切削刀的切入量(ΔZ),因此能够通过在偏差检测工序中检测的切入槽立即求出切削刀的切入量(ΔZ),无需将切削刀定位于2处以形成切入槽,生产性得以提升。
此外,在求出切入量(ΔZ)时未获悉切削刀的半径(R)的情况下,能够根据切削刀的旋转中心的Z坐标(Z1)、保持于卡盘台的板状物或保护带的正面的Z坐标(Z0)、切削刀的旋转中心的X坐标(X0)和切入槽的终点的坐标(X1),通过求出切削刀的半径(R)。
附图说明
图1是用于实施本发明的板状物的加工方法的切削装置的立体图。
图2是设置于图1所示的切削装置上的控制构件的框图。
图3是作为板状物的半导体晶片的立体图。
图4是表示将图3所示的半导体晶片贴附于在环状框架上安装的保护带的正面上的状态的立体图。
图5是本发明的板状物的加工方法的切削工序的说明图。
图6是本发明的板状物的加工方法的偏差检测工序的说明图。
图7是被实施了本发明的板状物的加工方法中的偏差检测工序的半导体晶片的平面图。
图8是在本发明的板状物的加工方法的偏差检测工序中显示于显示构件上的图像的说明图。
标号说明
2:静止基座;
3:卡盘台机构;
32:第1滑动块;
33:第2滑动块;
36:卡盘台;
37:X轴移动构件;
374:X轴方向位置检测构件;
38:第1Y轴移动构件;
384:Y轴方向位置检测构件;
4:主轴支撑机构;
43:第2Y轴移动构件;
5:主轴单元;
51:单元支架;
52:主轴外壳;
53:旋转主轴;
55:Z轴移动构件;
56:Z轴方向位置检测构件;
6:切削刀;
7:摄像构件;
9:控制构件;
10:半导体晶片。
具体实施方式
以下,参照附图进一步详细说明本发明的切削装置的板状物的加工方法的优选实施方式。
图1示出用于实施本发明的切削装置的板状物的加工方法的切削装置的立体图。
图1所示的切削装置配设有:静止基座2;卡盘台机构3,其以能够沿箭头X所示的X轴方向移动的方式配设于该静止基座2上,且保持被加工物;主轴支撑机构4,其以能够沿与X轴方向正交的通过箭头Y所示的Y轴方向移动的方式配设于静止基座2上;以及作为切削构件的主轴单元5,其以能够沿与X轴方向和Y轴方向正交的通过箭头Z所示的Z轴方向(垂直于后述的卡盘台的保持面的方向)移动的方式配设于该主轴支撑机构4上,且作为加工构件。
上述卡盘台机构3具有:沿X轴方向平行配设于静止基座2上的一对导轨31、31;以能够沿X轴方向移动的方式配设于该导轨31、31上的第一滑动块32;以能够沿Y轴方向移动的方式配设于该第1滑动块32上的第2滑动块33;被圆筒部件支撑于该第2滑动块33上的台罩35;以及作为被加工物保持构件的卡盘台36。该卡盘台36具有由多孔性材料形成的吸盘361,作为被加工物的例如圆盘状的半导体晶片被未图示的吸引构件保持于作为吸盘361的上表面的保持面上。如上构成的卡盘台36通过配设于圆筒部件34内的脉冲电动机340而进行旋转。另外,在卡盘台36上配设有用于固定后述的环状框架的夹钳362。
上述第1滑动块32的下表面设有与上述一对导轨31、31嵌合的一对被导向槽321、321,而在其上表面设有平行于Y轴方向形成的一对导轨322、322。如上构成的第1滑动块32构成为,被导向槽321、321嵌合于一对导轨31、31,从而沿着一对导轨31、31能够在X轴方向上移动。图示的实施方式中的卡盘台机构3具有X轴移动构件37,该X轴移动构件37用于使第1滑动块32沿一对导轨31、31在X轴方向上移动。X轴移动构件37具有平行配设于上述一对导轨31与31之间的外螺纹杆371、以及用于旋转驱动该外螺纹杆371的脉冲电动机372等的驱动源。外螺纹杆371的一端以自由旋转的方式支撑于固定于上述静止基座2上的轴承块373,其另一端以传动方式连结于上述脉冲电动机372的输出轴。另外,外螺纹杆371螺合于贯通内螺纹孔,该贯通内螺纹孔形成于在第1滑动块32的中央部下表面突出设置的未图示的内螺纹块上。因此,通过脉冲电动机372对外螺纹杆371正转和反转驱动,从而第1滑动块32沿导轨31、31在X轴方向上移动。
图示的实施方式中的卡盘台机构3具有用于检测卡盘台36的X轴方向位置的X轴方向位置检测构件374。X轴方向位置检测构件374构成为具有沿上述导轨31配设的直线尺374a、以及配设于第1滑动块32并与第1滑动块32一起沿直线尺374a移动的读取头374b。该X轴方向位置检测构件374的读取头374b在图示的实施方式中将每1μm为1脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。
上述第2滑动块33的下表面设有与设置于上述第1滑动块32的上表面的一对导轨322、322嵌合的一对被导向槽331、331,将该被导向槽331、331嵌合于一对导轨322、322,从而上述第2滑动块33构成为能够沿Y轴方向移动。图示的实施方式中的卡盘台机构3具有使第2滑动块33沿设置于第1滑动块32的一对导轨322、322在Y轴方向上移动的第1Y轴移动构件38。第1Y轴移动构件38具有平行配设于上述一对导轨322与322之间的外螺纹杆381、以及用于旋转驱动该外螺纹杆381的脉冲电动机382等的驱动源。外螺纹杆381的一端以自由旋转的方式支撑于在上述第1滑动块32的上表面固定的轴承块383,其另一端以传动方式连结于上述脉冲电动机382的输出轴。另外,外螺纹杆381螺合于贯通内螺纹孔,该贯通内螺纹孔形成于在第2滑动块33的中央部下表面突出设置的未图示的内螺纹块。因此,通过脉冲电动机382对外螺纹杆381正转和反转驱动,从而第2滑动块33沿导轨322、322在Y轴方向上移动。
图示的实施方式中的卡盘台机构3具有用于检测上述第2滑动块33(卡盘台36)的Y轴方向位置的Y轴方向位置检测构件384。Y轴方向位置检测构件384构成为具有沿导轨322配设的直线尺384a、以及配设于第2滑动块33且与第2滑动块33一起沿直线尺384a移动的读取头384b。该Y轴方向位置检测构件384的读取头384b在图示的实施方式中将每1μm为1脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。
上述主轴支撑机构4具有沿箭头Y所示的Y轴方向平行配设于静止基座2上的一对导轨41、41、以及以能够沿Y轴方向移动的方式配设于该导轨41、41上的可动支撑基座42。该可动支撑基座42构成为具有以能够移动的方式配设于导轨41、41上的移动支撑部421、以及安装于该移动支撑部421上的安装部422。安装部422的一个侧面上平行设有一对导轨423、423,该一对导轨423、423在通过垂直于卡盘台36的被加工物保持面的箭头Z所示的作为切入进给方向的Z轴方向上延伸。图示的实施方式中的主轴支撑机构4具有用于使可动支撑基座42沿一对导轨41、41在Y轴方向上移动的第2Y轴移动构件43。第2Y轴移动构件43具有平行配设于上述一对导轨41、41之间的外螺纹杆431、以及用于旋转驱动该外螺纹杆431的脉冲电动机432等的驱动源。外螺纹杆431的一端以自由旋转的方式支撑于在上述静止基座2上固定的未图示的轴承块,其另一端以传动方式连结于上述脉冲电动机432的输出轴。另外,外螺纹杆431螺合于内螺纹孔,该内螺纹孔形成于在构成可动支撑基座42的移动支撑部421的中央部下表面突出设置的未图示的内螺纹块上。因此,通过脉冲电动机432对外螺纹杆431正转和反转驱动,从而可动支撑基座42沿导轨41、41在Y轴方向上移动。
图示的实施方式中的主轴单元5具有单元支架51、安装于该单元支架51上的主轴外壳52、以能够旋转的方式支撑于该主轴外壳52上的旋转主轴53。单元支架51设有一对被导向槽511、511,该一对被导向槽511、511以能够滑动的方式嵌合于在上述安装部422设置的一对导轨423、423,将该被导向槽511、511嵌合于上述导轨423、423,从而单元支架51以能够在垂直于卡盘台36的保持面的作为切入进给方向的Z轴方向上移动的方式被支撑。上述旋转主轴53配设为从主轴外壳52的前端突出,在该旋转主轴53的前端部安装有切削刀6。另外,安装了切削刀6的旋转主轴53被伺服电动机54等的驱动源旋转驱动。
图示的实施方式中的主轴单元5具有用于使单元支架51沿2根导轨423、423在Z轴方向上移动的Z轴移动构件55。Z轴移动构件55具有与上述X轴移动构件37、第1Y轴移动构件38和第2Y轴移动构件43同样配设于导轨423、423之间的外螺纹杆(未图示)、以及用于旋转驱动该外螺纹杆的脉冲电动机552等的驱动源,通过脉冲电动机552对未图示的外螺纹杆正转和反转驱动,从而使单元支架51、主轴外壳52和旋转主轴53沿导轨423、423在Z轴方向上移动。
图示的实施方式中的主轴单元5具有用于检测切削刀6的Z轴方向位置(切入进给位置)的Z轴方向位置检测构件56。Z轴方向位置检测构件56构成为具有平行配设于上述导轨423、423的直线尺56a、以及安装于上述单元支架51且与单元支架51一起沿直线尺56a移动的读取头56b。该Z轴方向位置检测构件56的读取头56b在图示的实施方式中将每1μm为1脉冲的脉冲信号发送给后述的控制构件。
图示的实施方式中的切削装置具有配设于上述主轴外壳52的前端部的摄像构件7。该摄像构件7由显微镜或CCD相机等的光学构件构成,将摄像得到的图像信号发送给后述的控制构件。如上构成的摄像构件7的摄像区域的中心与上述切削刀6配设于X轴方向的同一条线上。
图示的实施方式中的切削装置如图2所示具有控制构件9。控制构件9由计算机构成,具有按照控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)91、存储控制程序等的只读存储器(ROM)92、存储运算结果等的可读写随机存取存储器(RAM)93、输入接口94和输出接口95。如上构成的控制构件9的输入接口94被输入来自图2所示的X轴方向位置检测构件374的读取头374b、Y轴方向位置检测构件384的读取头384b、Z轴方向位置检测构件56的读取头56b、摄像构件7、输入构件901等的检测信号。此外,从输出接口95对旋转上述卡盘台36的脉冲电动机340、X轴移动构件37的脉冲电动机372、第1Y轴移动构件38的脉冲电动机382、第2Y轴移动构件43的脉冲电动机432、Z轴移动构件55的脉冲电动机552、显示构件902等输出控制信号。另外,上述随机存取存储器(RAM)93具有存储平行于后述的板状物形成的多条分割预定线的间隔的存储区域93a和其他存储区域。
图示的实施方式中的切削装置如上所述构成,以下说明其作用。
图3示出作为板状物的半导体晶片的立体图。图3所示的半导体晶片10例如由厚度为150μm的硅晶片构成,在正面10a上通过呈格子状形成的多条分割预定线101划分出的多个区域上形成IC、LSI等的器件102。如上形成的半导体晶片10如图4所示,背面10b侧贴附于在环状框架F上安装的由聚烯烃等的合成树脂片构成的例如厚度为100μm的保护带T上(晶片贴附工序)。因此,贴附于保护带T上的半导体晶片10的正面10a为上侧。另外,多条分割预定线101的间隔的设计值是从输入构件901输入的,且储存于随机存取存储器(RAM)93的存储区域93a中。
如果实施了上述的晶片贴附工序,则将半导体晶片10的保护带T侧放置于图1所示的切削装置的卡盘台36上。然后,使未图示的吸引构件工作,从而经由保护带T将半导体晶片10吸引保持于卡盘台36上(晶片保持工序)。因此,保持于卡盘台36上的半导体晶片10的正面10a为上侧。此外,环状框架F被夹钳362固定住。
如上所述,吸引保持半导体晶片10的卡盘台36被X轴移动构件37定位于摄像构件的正下方。在卡盘台36如上被定位于摄像构件的正下方时,执行通过摄像构件和控制构件9检测半导体晶片10的待切削加工的加工区域的对准作业。即,摄像构件7和控制构件9执行图案匹配等的图像处理,用于进行形成于半导体晶片10的规定方向上的分割预定线101与沿该分割预定线101进行切削加工的切削刀6的定位,完成切削加工位置的对准。此外,对于沿与形成于半导体晶片10上的上述分割预定线101正交的方向延伸的分割预定线101,也同样完成切削加工位置的对准。
如上执行了检测保持于卡盘台36上的半导体晶片10的切削区域的对准后,将保持了半导体晶片10的卡盘台36移动至切削作业区域,如图5的(a)所示将规定的分割预定线101的一端定位于从切削刀6的正下方略微靠向图5的(a)中的右侧的位置上。接着,使切削刀6在箭头6a所示的方向上旋转,并且使Z轴移动构件55进行工作,使切削刀6从双点划线所示的退避位置在箭头Za所示的方向上按照规定量切入进给。该切入进给位置被设定为切削刀6的外周缘到达保护带T的位置。这样,在实施了切削刀6的切入进给后,使切削刀6在箭头6a所示的方向上旋转并使X轴移动构件37工作,使卡盘台36在图5的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的切削进给速度(例如50mm/秒)移动,保持于卡盘台36上的半导体晶片10的另一端如图5的(b)所示,在到达了从切削刀6的正下方略微靠向左侧的位置后,停止卡盘台36的移动,并且使切削刀6在箭头Zb所示的方向上上升至通过双点划线所示的退避位置。其结果,在半导体晶片10上沿着规定的分割预定线101形成切削槽110并被切断(切削工序)。接着,使第1Y轴移动构件38工作,使卡盘台36按照相当于储存于随机存取存储器(RAM)93的存储区域93a中的分割预定线101的间隔的量在Y轴方向(在图5中垂直于纸面的方向)上分度进给(分度进给工序),并且使X轴移动构件37工作,使卡盘台36在图5的(b)中箭头X2所示的方向上移动而成为图5的(a)的状态。然后,沿着与如上所述切断的分割预定线101相邻的分割预定线101实施上述切削工序。
在交替地实施了上述切削工序与分度进给工序后,由于伴随时间经过而出现的温度变化等,切削刀6的分度进给方向(Y轴方向)位置有时会偏离分割预定线101。因此,例如在沿着10条分割预定线101实施了上述切削工序后,实施检测切削刀6和分割预定线101的偏差的有无的偏差检测工序。即,如果沿着10条分割预定线101实施了上述切削工序,则如上所述实施分度进给工序、即按照相当于储存于随机存取存储器(RAM)93的存储区域93a中的分割预定线101的间隔的量在Y轴方向上分度进给,并且使X轴移动构件37工作,如图6所示将保持于卡盘台36上的半导体晶片10的外周部定位于切削刀6的正下方。接着,使切削刀6在箭头6a所示的方向上旋转,并且使Z轴移动构件55工作,使切削刀6从双点划线所示的退避位置起在箭头Z1所示的方向上按照规定量切入进给。该切入进给位置被设定为切削刀6的外周缘到达保护带T的位置。其结果,在图示的实施方式中,如图7所示,在半导体晶片10的外周部和保护带T上略微形成切入槽120。
如上所述,如果在半导体晶片10的外周部和保护带T上略微切入而形成了切入槽120,则使X轴移动构件37工作,将形成有半导体晶片10的切入槽120的区域定位于摄像构件7的正下方,该半导体晶片10被保持于形成有切入槽120的卡盘台36上。接着,使摄像构件7进行工作,对形成有半导体晶片10的切入槽120的区域进行摄像,将摄像得到的图像信号发送给控制构件9。控制构件9根据所输入的图像信号,将表示切入槽120与分割预定线101的关系的图像如图8所示显示于显示构件902上,并且求出分割预定线101的宽度方向中心101a和切入槽120的偏差量(Δy),并将该偏差量(Δy)储存于随机存取存储器(RAM)93。根据如上求出的分割预定线101和切入槽120的偏差量(Δy),校正对于接下来切削的分割预定线101的分度进给量。
在上述偏差检测工序中,控制构件9求出根据所摄像的切入槽120形成切入槽120时的切削刀6的切入量(ΔZ)。即,如图6所示,设切削刀6的旋转中心的X坐标为(X0)、切入槽120的终点的X坐标为(X1)、切削刀6的半径为(R),则可通过下式求出切入量(ΔZ)。
另外,在事先通过实测值获得了切削刀6的半径(R)的情况下,使用实测值。
此外,切削刀6的旋转中心的Z坐标(Z1)可通过来自Z轴方向位置检测构件56的检测信号求出,切削刀6的旋转中心的X坐标(X0)和切入槽120的终点的X坐标(X1)可根据来自X轴方向位置检测构件374的检测信号和通过摄像构件7摄像得到的切入槽120的图像信号求出。此外,关于保持于卡盘台36上的半导体晶片10的上表面的Z坐标(Z0),由于卡盘台36的正面高度位置是确定的,保护带T的厚度(在图示的实施方式中为100μm)和半导体晶片10的厚度(在图示的实施方式中为150μm)已知,因此能够容易地求出。
通过如上求出切入量(ΔZ),从而能够适当调整切削刀6的切入深度。
在求出上述切入量(ΔZ)时切削刀6的半径(R)未知的情况下,控制构件9根据已摄像的切入槽120求出形成切入槽120时的切削刀6的半径(R)。即,如图6所示设切削刀6的旋转中心的Z坐标为(Z1)、保持于卡盘台36上的半导体晶片10的上表面的Z坐标为(Z0)、切削刀6的旋转中心的X坐标为(X0)、切入槽120的终点的X坐标为(X1),则能够通过下式求出切削刀6的半径(R)。
通过如上求出切削刀6的半径(R),从而能够通过切削刀6的半径(R)的减少来检测切削刀6的磨损。因此,能够正确实施基于切削刀6的磨损的更换。
如上,在图示的实施方式中,在上述偏差检测工序中,能够根据已摄像的切入槽120求出形成切入槽120时的切削刀6的切入量(ΔZ)和切削刀6的半径(R),因此无需将切削刀定位于2处以形成切入槽,生产性得以提升。
以上,根据图示的实施方式说明了本发明,然而本发明不仅限于实施方式,可以在本发明主旨的范围内进行各种变形。例如,在上述实施方式中针对贴附于在环状框架F上安装的保护带T的作为板状物的半导体晶片10示出了实施本发明的示例,然而在将板状物直接保持于卡盘台的状态下实施本发明也能获得同样的作用效果。
附图标记
图2
94:输入接口;95:输出接口。
Claims (2)
1.一种板状物的加工方法,使用切削装置沿着分割预定线切削保持于卡盘台的保持面上的板状物,其中,该切削装置具有:该卡盘台,其具有保持板状物的保持面;切削构件,其具有切削刀,该切削刀保持于该卡盘台的保持面上,切削板状物;X轴移动构件,其使该卡盘台与该切削构件沿X轴方向进行相对移动;Y轴移动构件,其使该卡盘台与该切削构件沿与X轴方向正交的Y轴方向进行相对移动;Z轴移动构件,其使该切削构件沿与X轴方向和Y轴方向正交的Z轴方向进行移动;X轴方向位置检测构件,其对由该X轴移动构件导致的该卡盘台或该切削刀的移动位置进行检测;Y轴方向位置检测构件,其对由该Y轴移动构件导致的该卡盘台或该切削刀的移动位置进行检测;Z轴方向位置检测构件,其对由该Z轴移动构件导致的该切削构件的Z轴方向位置进行检测;摄像构件,其对保持于该卡盘台的保持面上的板状物进行摄像;以及控制构件,其具有存储器,该存储器对平行于板状物而形成的多条分割预定线的间隔进行存储,该板状物的加工方法的特征在于,
在交替地实施如下工序、即将该切削刀定位到形成于板状物上的分割预定线并使该X轴移动构件进行工作,从而沿着分割预定线切削板状物的切削工序、以及按照存储于该控制构件的存储器的分割预定线的间隔使该Y轴移动构件进行工作,使该卡盘台和该切削刀沿Y轴方向进行相对分度进给的分度进给工序时,
在对规定的数量的分割预定线实施了该切削工序后,实施偏差检测工序,在该偏差检测工序中,通过被分度进给后的该切削刀在板状物的外周部或支撑板状物的保护带上略微形成切入槽,通过该摄像构件对该切入槽的位置和分割预定线的位置进行摄像,来检测偏差的有无,并且
在该偏差检测工序中,根据形成了该切入槽时的该切削刀的旋转中心的X坐标(X0)、该切入槽的终点的坐标(X1)和切削刀的半径(R),通过下式求出切削刀的切入量(ΔZ),
2.根据权利要求1所述的板状物的加工方法,其特征在于,
该切削刀的半径(R)是利用该切削刀的旋转中心的Z坐标(Z1)、保持于该卡盘台上的板状物或该保护带的正面的Z坐标(Z0)、该切削刀的旋转中心的X坐标(X0)和该切入槽的终点的坐标(X1)并通过下式求出的,
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-046400 | 2014-03-10 | ||
JP2014046400A JP6228044B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 板状物の加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104916585A CN104916585A (zh) | 2015-09-16 |
CN104916585B true CN104916585B (zh) | 2019-05-31 |
Family
ID=54085550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510102413.5A Active CN104916585B (zh) | 2014-03-10 | 2015-03-09 | 板状物的加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6228044B2 (zh) |
KR (1) | KR102154719B1 (zh) |
CN (1) | CN104916585B (zh) |
TW (1) | TWI648127B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6607639B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-11-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
DE102016102218A1 (de) * | 2016-02-09 | 2017-08-10 | Atm Gmbh | Trennmaschine |
JP6646221B2 (ja) * | 2016-05-09 | 2020-02-14 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング方法 |
JP2017220532A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの切削方法 |
CN106863096B (zh) * | 2017-02-09 | 2020-11-06 | 东旭光电科技股份有限公司 | 切割板材的方法和切割板材的装置 |
JP6912267B2 (ja) * | 2017-05-09 | 2021-08-04 | 株式会社ディスコ | レーザ加工方法 |
KR102571055B1 (ko) * | 2017-08-21 | 2023-08-30 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 스크라이빙 방법 및 스크라이빙 장치 |
JP2019115962A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル修正方法及び切削装置 |
JP7075652B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-05-26 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブ装置およびスクライブ方法 |
JP6964945B2 (ja) * | 2018-01-05 | 2021-11-10 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN112536700B (zh) * | 2018-02-08 | 2022-04-29 | 株式会社东京精密 | 切割方法以及切割装置 |
JP6998231B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2022-01-18 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP7300938B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2023-06-30 | 株式会社ディスコ | カーフの認識方法 |
CN113064592A (zh) * | 2021-03-31 | 2021-07-02 | 新代科技(苏州)有限公司 | 开槽机图形导入编程方法及*** |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005136292A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
CN101378037A (zh) * | 2007-08-29 | 2009-03-04 | 株式会社迪思科 | 切削方法及切削装置 |
JP2009295899A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
CN102110587A (zh) * | 2009-11-12 | 2011-06-29 | 株式会社迪思科 | 切削刀片的消耗量管理方法 |
CN102347276A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-08 | 株式会社迪思科 | 切削方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002059365A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-02-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置の接触原点位置検出方法 |
US20030070752A1 (en) | 2001-09-27 | 2003-04-17 | Kevin Bergevin | Method of manufacture for fluid handling barrier ribbon with polymeric tubes |
US20030056628A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Eli Razon | Coaxial spindle cutting saw |
JP4377702B2 (ja) | 2004-01-08 | 2009-12-02 | 株式会社ディスコ | 切削溝の計測方法 |
JP4515790B2 (ja) * | 2004-03-08 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
JP4748643B2 (ja) | 2005-01-28 | 2011-08-17 | 株式会社ディスコ | 切削ブレードの基準位置検出方法 |
JP2007214243A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7452739B2 (en) * | 2006-03-09 | 2008-11-18 | Semi-Photonics Co., Ltd. | Method of separating semiconductor dies |
WO2009031432A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | ダイシング装置、及びダイシング方法 |
WO2009081746A1 (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | ダイシング装置及びダイシング方法 |
JP2009206362A (ja) | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の切削方法 |
JP5363746B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-12-11 | Towa株式会社 | 切断装置及び切断方法 |
JP2010137309A (ja) * | 2008-12-10 | 2010-06-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置の稼動開始時切削方法 |
JP2011228331A (ja) | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削加工装置 |
JP5770446B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-08-26 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP5717575B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-05-13 | 株式会社ディスコ | 切削ブレードの外径サイズ検出方法 |
JP5858684B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2016-02-10 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
-
2014
- 2014-03-10 JP JP2014046400A patent/JP6228044B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-06 TW TW104104088A patent/TWI648127B/zh active
- 2015-03-04 KR KR1020150030278A patent/KR102154719B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-09 CN CN201510102413.5A patent/CN104916585B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005136292A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の加工方法 |
CN101378037A (zh) * | 2007-08-29 | 2009-03-04 | 株式会社迪思科 | 切削方法及切削装置 |
JP2009295899A (ja) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
CN102110587A (zh) * | 2009-11-12 | 2011-06-29 | 株式会社迪思科 | 切削刀片的消耗量管理方法 |
CN102347276A (zh) * | 2010-07-26 | 2012-02-08 | 株式会社迪思科 | 切削方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201544249A (zh) | 2015-12-01 |
JP2015170805A (ja) | 2015-09-28 |
KR20150105915A (ko) | 2015-09-18 |
TWI648127B (zh) | 2019-01-21 |
JP6228044B2 (ja) | 2017-11-08 |
KR102154719B1 (ko) | 2020-09-10 |
CN104916585A (zh) | 2015-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104916585B (zh) | 板状物的加工方法 | |
KR102113353B1 (ko) | 레이저 가공 장치 | |
JP6215730B2 (ja) | 加工装置におけるウエーハの中心検出方法 | |
CN106042199B (zh) | 加工装置 | |
CN105382420B (zh) | 激光加工装置 | |
KR102240331B1 (ko) | 가공 장치 | |
CN103372721B (zh) | 激光加工装置和激光加工方法 | |
CN104972229B (zh) | 凹凸检测装置 | |
CN101378037B (zh) | 切削方法及切削装置 | |
CN106920775B (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP6521687B2 (ja) | 切削ブレードの検査方法 | |
KR20140141455A (ko) | 레이저 가공 장치 | |
CN107919310A (zh) | 加工装置 | |
CN109119359A (zh) | 带识别标记的晶片治具 | |
CN103659002B (zh) | 加工装置 | |
KR101786123B1 (ko) | 반도체 디바이스의 제조 방법 및 레이저 가공 장치 | |
JP6328518B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
CN108620743B (zh) | 切割方法及激光加工装置 | |
JP2013027949A (ja) | 切削ブレードの外径サイズ検出方法 | |
US9569852B2 (en) | Alignment method | |
JP6255285B2 (ja) | 検出方法 | |
JP2017038028A (ja) | 切削ブレードの位置ずれ検出方法 | |
JP2010069517A (ja) | 加工装置および加工方法 | |
JP7300938B2 (ja) | カーフの認識方法 | |
JP2024019342A (ja) | 加工装置及び加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |